WO2014111178A1 - Umspritztes bauelement mit einer mems komponente und verfahren zur herstellung - Google Patents

Umspritztes bauelement mit einer mems komponente und verfahren zur herstellung Download PDF

Info

Publication number
WO2014111178A1
WO2014111178A1 PCT/EP2013/072183 EP2013072183W WO2014111178A1 WO 2014111178 A1 WO2014111178 A1 WO 2014111178A1 EP 2013072183 W EP2013072183 W EP 2013072183W WO 2014111178 A1 WO2014111178 A1 WO 2014111178A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
shell
carrier
housing
mems
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/072183
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Wolfgang Pahl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to US14/759,602 priority Critical patent/US9481565B2/en
Priority to JP2015552000A priority patent/JP6105087B2/ja
Publication of WO2014111178A1 publication Critical patent/WO2014111178A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0058—Packages or encapsulation for protecting against damages due to external chemical or mechanical influences, e.g. shocks or vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0054—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between other parts not provided for in B81B7/0048 - B81B7/0051
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/03—Processes for manufacturing substrate-free structures
    • B81C2201/034—Moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0154—Moulding a cap over the MEMS device
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/001—Bonding of two components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Definitions

  • Molding process e.g. a transfermold process a
  • filigree or movable structures such as MEMS devices, however, would be disturbed in their function or even irreversibly damaged.
  • Components containing mechanically sensitive components, such as MEMS components therefore, can only be encapsulated by a transfer-gold process if the MEMS component is protected against mechanical damage before being pressed by Molden under normally high pressure.
  • the object of the invention is to provide a component with a MEMS component that provides easy protection against
  • Encapsulate molding compound leaving at least the top of the carrier and the side surface of the chip and the MEMS
  • Chip component is mounted directly and unprotected on the support, the MEMS component is under a half-shell
  • the carrier has internal and external electrical
  • Chip components can form a functional unit and represent a module. It may therefore comprise cooperative and performance-oriented components.
  • the carrier can be used as a housing cover for the half-shell, so that a complete housing of the MEMS component is omitted.
  • Cavity which is formed by the sufficiently stable half-shell and the carrier, the device can be safely encapsulated by Transfermolden without the risk of damage to the MEMS component.
  • the carrier is multi-layered of an electrically insulating material and has upwardly facing inner pads and downwards pointing outer pads on.
  • Multilayer support is provided at least one wiring level, which are connected to the inner and outer pads by means of first vias.
  • the chip component and the MEMS component disposed below a half-shell are on the
  • the molding compound is applied to the carrier so that at least the top of the carrier and the
  • the upper side facing away from the carrier of the chip components and the half-shell on the MEMS component may also be covered by molding compound.
  • Top have no mechanically sensitive structures or against environmental influences such as corrosive
  • the half shell provides a
  • Housing pan as used for example for SMD housing.
  • the housing pan has a housing bottom, which has inner and outer contacts and now points in the component upwards.
  • the relative arrangement is referred to "top” on a “bottom” arranged carrier and points away in the direction of the components of the carrier.
  • the MEMS component is not directly on the carrier, but in the interior of the housing pan mounted and electrically connected to the internal contacts provided there.
  • the outer contacts of the MEMS component is not directly on the carrier, but in the interior of the housing pan mounted and electrically connected to the internal contacts provided there.
  • Housing pan which are connected via second vias through the housing bottom with the inner contacts are connected by means of bonding wires with the inner pads of the carrier.
  • the molding compound is then applied in a corresponding thickness such that the housing shell and the bonding wires are completely enclosed and protected by the molding compound.
  • the chip component which usually has a lower height than the housing trough, is also completely covered by the molding compound.
  • the housing pan is fixedly connected to the top of the carrier, with different connection techniques are suitable.
  • the housing pan can be fastened by means of an adhesive on the carrier. Is the adhesive layer completely on the lower edge of the
  • the cavity between the housing pan and the carrier can be sealed at the same time sufficiently tight, so that on the one hand, the molding compound during the molding process can not penetrate into the cavity and that on the other a sufficiently strong mechanical connection between the housing pan and the carrier ,
  • the MEMS component is in the
  • the spring elements may be formed as leaf springs, which rest with one end on the housing bottom and the other end, for example, is stepped so bent that it has a clear distance to the housing bottom. This end is also attached to the MEMS component.
  • the metallic spring elements may be formed as leaf springs, which rest with one end on the housing bottom and the other end, for example, is stepped so bent that it has a clear distance to the housing bottom. This end is also attached to the MEMS component.
  • the metallic spring elements may also be bent in a plane parallel to the housing bottom, so that they can not only exert an elastic deflection in the vertical direction to the housing bottom, but also in the suspension plane
  • the device has an opening that allows media access to the MEMS components under the half-shell.
  • the opening can pass through the support and thus create access to the cavity from below. It is also possible to pass the opening from above through the half-shell. Cover the opening
  • An opening through the carrier may already be present before the components are loaded.
  • An opening in the half-shell can also be created before or after the encapsulation and the molding. In the embodiment in which the upper side of the half-shell remains uncovered by molding compound, the opening in the half-shell can also be before the
  • Half shell made of a material or has a design that is not mechanically resistant to a transfer molding process.
  • transfer malls can nevertheless be used for encapsulation, when the molding compound is applied and sprayed around the component such that the upward-facing main surface of the half-shell remains uncovered by the molding compound.
  • the upwardly facing main surface of the half-shell is preferably flat and then flush with the surface of the molding compound. This has the advantage that the transfermolden
  • the material of the half shell may then consist of a polymer or comprise a polymer.
  • the half shell is made of a mechanically more stable material, which is selected from ceramic, semiconductor material, metal, glass or plastic, and a composite material comprising one of said materials.
  • the half-shell can be multilayered to different properties of the individual layers with each other to combine, for example, electrical insulator ⁇ properties with mechanically stable material, electrically conductive properties with electrically insulating material or electromagnetic shielding properties together with electrically insulating properties.
  • Adhesive layer which is applied to the carrier so that a closed cavity between the half-shell and the carrier is formed.
  • the carrier is a leadframe having a flat island.
  • the surface of the island is dimensioned at least so large that it forms a closed cavity together with a half-shell adhered thereto, in which then the MEMS
  • the encapsulation with Moldmass surrounds the entire leadframe such that only the terminal lugs of the leadframe forming the outer contact surfaces remain free.
  • the molding compound is then pressed onto the leadframe both from the top of the component and from below. In one embodiment, only the connecting leads or connecting legs of the leadframe protrude from the molding compound.
  • a leadframe is also an advantage if the primary
  • the MEMS component is mounted directly on the inner pads of the carrier. This can be done in an SMD process or by bump connections or by gluing with electrically conductive adhesive.
  • the MEMS component is designed as a sensor or as a microphone.
  • the already mentioned opening is then formed in the half-shell or in the carrier.
  • the chip component is a bare die, a clad active or passive device, or another electrical device that is resistant to a transfer gold process.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-section of an encapsulated component with a bottom opening
  • FIG. 2 shows a component with an overhead opening
  • FIG. 3 shows a component in which the MEMS component is fastened on the carrier
  • FIG. 4 shows a component in which the molding compound is flush with the upper edge of the half-shell
  • FIGS. 5 to 8 show different process steps in the manufacture of a component according to a first embodiment
  • FIGS. 9 to 11 show different process steps in the manufacture of a component according to a second embodiment
  • FIG. 1 shows a first embodiment in which the MEMS component MK is fastened in a housing trough of a half-shell HS designed as an SMD housing.
  • the electrical and mechanical attachment of the MEMS component MK in the housing pan via metallic spring elements. These are, for example, bent step-like and preferably bent in a direction parallel to the housing bottom
  • Spring elements contact the inner contacts KI of the housing trough in a first plane of the stage and the MEMS in a second plane spaced from the bottom of the housing trough
  • Component MK can be over bumps with the
  • the half shell HS, or the housing pan is glued upside down on a support T, so that it encloses a cavity CV with the carrier T.
  • the semiconductor device may be an ASIC for
  • a second chip component CK2 with a lower one
  • all electrical connections of the chip components and the MEMS component are made via bonding wires WB.
  • the outer contacts KA of the housing trough are connected, for example, to inner terminal surfaces AFI of the carrier via a first bonding wire WB (shown on the left in the figure).
  • a second bonding wire connects a further outer contact KA of the housing well HS with a contact of the first chip component CK1.
  • Another bonding wire WB connects the first chip component CK1 with the one thereon
  • Another bonding wire connects the first chip component to a further inner pad AFI of the carrier T.
  • Components of the component 1 are now interconnected via bonding wires with ⁇ each other. It is therefore sufficient to provide a single-layer support T, in which first through-connections DK1 connect the inner connection surfaces with the outer connection surfaces AFA arranged on the opposite side.
  • the MEMS component is a sensor for eg air pressure, humidity and Air composition or a microphone, and therefore requires an opening OE for media access, which is guided here by the carrier T inside the cavity CV.
  • the MEMS component can also be designed as another sensor, for example for magnetic fields, and then requires no opening.
  • the component 1 may include other chip components ⁇ not shown here CK or other MEMS components MK.
  • the entire component is from the top with a
  • Encapsulated molding compound MM which here covers the surface of the carrier and is applied over all chip and MEMS components so thick that all surfaces and the bond ⁇ wires are encapsulated.
  • the molding compound MM is provided with a spatial shape that is cubic or cuboidal. All outer
  • Pads AFA are disposed on the underside of the device 1, and serve to electrically connect the device to an external circuit environment.
  • the molding compound MM is preferably a thermoset
  • Polymer which is preferably filled with an electrically insulating filler to increase the mechanical strength and to increase the electrical insulation.
  • FIG. 2 shows a further embodiment in which
  • the MEMS component MK is connected via a normal bump connection BU1 to the inner contacts KI of a half shell HS designed as a housing trough.
  • the opening OE is to enable a
  • the opening OE can be performed in a first method step by the molding compound, wherein a corresponding section of the surface of the housing pan is exposed. In a second method step, the opening is then guided through the bottom of the housing trough. For this purpose, mechanical ablation or
  • Drilling and, with limitations, also chemical and physical etching are also chemical and physical etching.
  • a surface of the component to be encased can be kept free, which can be used for this purpose, then the area of the surface of the component or of the MEMS component
  • FIG. 3 shows a further embodiment in which the MEMS component MK is mounted directly on the carrier T via second bumpers.
  • Connections BU2 is electrically and mechanically fixed.
  • the MEMS component is enclosed under a half-shell HS glued to the surface of the carrier.
  • Half shell may consist of a uniform mechanically stable material or is designed as a multilayer composite.
  • a guided from above by molding compound and half-shell HS opening OE is an advantage.
  • an opening guided from below through the carrier T is not excluded.
  • an electrical contacting of the MEMS component MK is only from below through the carrier
  • the wiring is preferably made inside the carrier T by means of a wiring plane VE.
  • Chip component CK can be contacted as shown with a bonding wire WB. It is also possible, however, the
  • Chip component CK as an SMD component on the carrier T solder.
  • Figure 4 shows an embodiment for which a half-shell HS can be used from mechanically less stable material. Arrangement of chip components and MEMS component is carried out as in the embodiment of Figure 3. In order not to burden the mechanically less stable half shell HS by the transfer gold process, the molding compound MM is sprayed only up to the top of the half-shell, so that the top of the half-shell flush with the surface of the
  • Mold mass MM completes. Again, the opening OE is guided by the half shell. Alternatively, the opening can also be guided by the carrier into the cavity.
  • Figures 3 and 4 show embodiments that are optimized for a low component height. In this
  • FIGS. 5 to 8 show different process steps in the manufacture of the component in schematic cross section.
  • FIG. 5 shows the components of the component separated from one another, in particular a multilayer carrier T, a chip component CK, a MEMS component MK and a half shell HS designed as a housing trough.
  • FIG. 6 shows a process stage in which the MEMS component is bonded on the inside of the bottom of the housing pan HS, for example with electrically conductive adhesive or by means of solder or bump connections.
  • the chip component may also be bonded or glued.
  • Shown is an SMD Method attached chip component CK.
  • the half-shell is then adhered to the surface of the carrier T, so that a cavity between the carrier and half-shell is formed, in which the MEMS component MK arranged and secure
  • FIG. 8 shows the arrangement after carrying out a
  • an opening OE can be generated, depending on the application from above through
  • Mold compound and half-shell HS or from below through the support in the cavity CV can be performed.
  • the opening may have been prepared in the half-shell is then kept free while Molden.
  • FIGS. 9 to 11 show different process steps in the manufacture of a component 1 according to a second embodiment
  • a leadframe LF is used here, which is used e.g. from a structured
  • the leadframe has internal contacts, which are connected to outwardly facing terminal lugs.
  • the internal connection surfaces serve for contacting chip components CK and the MEMS component MK.
  • the underside of the lead frame can be flush with the molding compound. In this way, a processable by means of SMD process device can be obtained.
  • FIG. 9 shows the components separated from one another.
  • the MEMS component MK is inserted again into a half shell HS designed as a housing trough of an SMD housing, where it is electrically and mechanically connected to the inner contacts of the half shell.
  • the chip component CK can be bonded directly to the carrier T, or its corresponding inner connection surfaces, for example by gluing or soldering.
  • the half-shell with the MEMS component mounted therein is formed on an island-shaped
  • Terminal board of the leadframe glued so that the
  • Leadframes is closed.
  • FIG. 10 shows the arrangement on this process stage.
  • the entire component ie the leadframe, the components fastened thereon, including the bonding wires, are encapsulated with a molding compound in a transfermold process, so that only the outer terminals of the support, which are designed here as terminal lugs of the leadframe, protrude from the molding compound.
  • Leadframe can then be bent down to a simpler installation of the device 1 on a
  • Housing tray can be drilled. However, it is also possible media access to the cavity under the housing pan from below, by drilling from below through the molding compound and the inseiform portion of the leadframe.
  • the opening can be guided either from above through the half-shell or from below through the support.
  • the exact design of the housing pan is also not limited to the embodiments shown, as long as it has inner and outer contacts which are connected to each other via second vias. It is also possible to provide wiring levels in the housing pan.
  • the half-shell which may be formed as a housing pan, is preferably adhered to the carrier, but this does not preclude other corresponding tight attachment forms.
  • the contacting of the housing trough with the carrier is preferably carried out via bonding wires.
  • the attachment and electrical contacting of the chip component is also independent of the invention and can be done by bonding, gluing or wire contacting.
  • the molding compound can be any mass that can be used in a transfer-molding process or a similar process and that has the desired properties for the component with regard to hardness,
  • Permeability to moisture and chemicals, electrical insulation, thermal conductivity and aging resistance may be the coefficient of thermal expansion of the mass, which is preferably adapted to that of the components in order to avoid unnecessary stresses when curing the molding compound.
  • the device may comprise any number of chip components which may be arranged side by side on the carrier, or which are stacked one above the other, with a correspondingly low design. In this case, an upwardly decreasing base area is advantageous, since it is then easier to use the chip components lying in the stack below

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Es wird ein Bauelement mit einem Träger, einer Chipkomponente und einer MEMS Komponente vorgeschlagen, bei dem die mechanisch empfindliche MEMS Komponente unter einer Halbschale auf dem Träger montiert ist. Das Bauelement ist in einem Transfermoldprozess mit einer Moldmasse verkapselt.

Description

Beschreibung
UMSPRITZTES BAUELEMENT MIT EINER MEMS KOMPONENTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
Mechanisch unempfindliche Halbleiterbauelemente werden in der Regel rationell durch Molden gehaust, wobei in einem
Moldverfahren, z.B. einem Transfermoldverfahren eine
entsprechende Kunststoffmasse um den Chip gepresst und ausgehärtet wird. Mechanisch empfindliche Chips mit
filigranen oder beweglichen Strukturen, wie beispielsweise MEMS-Bauelemente, würden dabei jedoch in ihrer Funktion gestört oder gar irreversibel beschädigt. Bauelemente, die mechanisch empfindliche Komponenten wie beispielsweise MEMS Komponenten enthalten, können daher nur dann mittels eines Transfermoldverfahrens verkapselt werden, wenn die MEMS Komponente gegen mechanische Beschädigung geschützt wird, bevor sie unter normalerweise hohem Druck durch Molden umpresst wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Bauelement mit einer MEMS Komponente anzugeben, das einen einfachen Schutz gegen
Umwelteinflüsse aufweist und die einfach und kostengünstig herzustellen ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Bauelement nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sowie ein Verfahren zur Herstellung des Bauelements sind weiteren
Ansprüchen zu entnehmen.
Für ein Bauelement, das eine MEMS Komponente und eine
mechanisch weniger empfindliche Chipkomponente umfasst, wird vorgeschlagen, die zwei oder mehr Komponenten auf einem
Träger anzuordnen und das gesamte Bauelement mit einer
Moldmasse zu verkapseln, so dass zumindest die Oberseite des Trägers und die Seitenfläche der Chip- und der MEMS
Komponente von der Moldmasse bedeckt sind. Während die
Chipkomponente direkt und ungeschützt auf dem Träger montiert ist, wird die MEMS Komponente unter einer Halbschale
angeordnet, die auf dem Träger so aufsitzt, dass zwischen Träger und Halbschale ein Hohlraum entsteht, der zum Träger hin geschlossen ist und die MEMS Komponente aufnehmen kann. Der Träger weist innere und äußere elektrische
Anschlussflächen auf, wobei die MEMS und die Chipkomponente mit den inneren Anschlussflächen verbunden sind. Die äußeren Anschlussflächen sind von der Moldmasse unbedeckt
beziehungsweise frei zugänglich.
Das Bauelement mit der MEMS Komponente und der oder den
Chipkomponenten kann eine funktionale Einheit bilden und ein Modul darstellen. Es kann daher zusammenwirkende und auf die Erfüllung einer Funktion ausrichtete Komponenten umfassen.
Durch die Anordnung der MEMS Komponente unter der Halbschale kann der Träger als Gehäusedeckel für die Halbschale benutzt werden, so dass eine vollständige Häusung der MEMS Komponente entfällt. Durch die Anordnung der MEMS Komponente in dem
Hohlraum, der durch die ausreichend stabile Halbschale und den Träger gebildet ist, kann das Bauelement sicher durch Transfermolden verkapselt werden ohne dass die Gefahr einer Beschädigung der MEMS Komponente besteht.
In einer Ausführungsform ist der Träger mehrschichtig aus einem elektrisch isolierenden Material aufgebaut und weist nach oben weisende innere Anschlussflächen und nach unten weisende äußere Anschlussflächen auf. Im Inneren des
mehrschichtigen Trägers ist zumindest eine Verdrahtungsebene vorgesehen, die mit den inneren und äußeren Anschlussflächen mittels erster Durchkontaktierungen verbunden sind.
In einer Ausführung sind die Chipkomponente und die unter einer Halbschale angeordnete MEMS Komponente auf der
Oberfläche (Oberseite) des Trägers angeordnet. In dieser Ausführung ist die Moldmasse auf dem Träger so aufgebracht, dass zumindest die Oberseite des Trägers und die
Seitenflächen von Chip- und MEMS Komponenten von der
Moldmasse bedeckt sind.
Die vom Träger weg weisenden Oberseiten der Chip- Komponenten und der Halbschale über der MEMS Komponente können ebenfalls von Moldmasse bedeckt sein. Möglich ist es jedoch auch, zumindest eine Oberseite von Chip- Komponente oder Halbschale bündig mit der Moldmasse abschließen zu lassen. Dies ist insbesondere für solche Komponenten möglich, die an der
Oberseite keine mechanisch empfindlichen Strukturen aufweisen oder gegen Umwelteinflüsse wie beispielsweise korrosive
Angriffe empfindlicher Strukturen aufweisen.
In einer Ausführungsform stellt die Halbschale eine
Gehäusewanne dar, wie sie beispielsweise für SMD-Gehäuse verwendet wird. Die Gehäusewanne weist einen Gehäuseboden auf, der innere und äußere Kontakte besitzt und im Bauelement nun nach oben weist. Hier und im Folgenden wird die relative Anordnung „oben" auf einen „unten" angeordneten Träger bezogen und weist in Richtung der Komponenten vom Träger weg.
In dieser Ausführungsform wird die MEMS Komponente nicht direkt auf dem Träger, sondern in das Innere der Gehäusewanne montiert und elektrisch leitend mit den dort vorgesehenen inneren Kontakten verbunden. Die äußeren Kontakte der
Gehäusewanne, die über zweite Durchkontaktierungen durch den Gehäuseboden mit den inneren Kontakten verbunden sind, werden mittels Bonddrähten mit den inneren Anschlussflächen des Trägers verbunden. Die SMD-Kontakte (=äußere Kontakte) der Gehäusewanne sind hier also zweckentfremdet als
Kontaktstellen für das Drahtbonden eingesetzt. Zum Schutz der Bonddrähte ist die Moldmasse dann in einer entsprechenden Dicke aufgebracht, dass die Gehäusewanne und die Bonddrähte vollständig von der Moldmasse eingeschlossen und geschützt sind. Die Chipkomponente, die üblicherweise eine geringere Höhe als die Gehäusewanne aufweist, ist ebenfalls vollständig von der Moldmasse bedeckt.
Die Gehäusewanne ist fest mit der Oberseite des Trägers verbunden, wobei unterschiedliche Verbindungstechniken geeignet sind. In einfacher Weise kann die Gehäusewanne mittels eines Klebers auf dem Träger befestigt sein. Ist die KlebstoffSchicht vollständig auf der Unterkante der
Gehäusewanne aufgebracht, so kann durch die Verklebung der Hohlraum zwischen Gehäusewanne und Träger dabei gleichzeitig ausreichend dicht verschlossen werden, so dass zum einen die Moldmasse während des Moldprozesses nicht in den Hohlraum eindringen kann und dass zum anderen eine ausreichend feste mechanische Verbindung zwischen Gehäusewanne und Träger besteht .
In einer Ausführung wird die MEMS Komponente in der
Gehäusewanne über elastische metallische Federelemente mit dem Gehäuseboden verbunden. Die elastischen Federelemente garantieren eine spannungsarme Befestigung der MEMS
Komponente, auf die danach bestenfalls noch die Federspannung der Federelemente einwirken kann. Die Federelemente können als Blattfedern ausgebildet sein, die mit einem Ende auf dem Gehäuseboden aufliegen und deren anderes Ende zum Beispiel stufenförmig so abgebogen ist, dass es zum Gehäuseboden einen lichten Abstand aufweist. Dieses Ende ist auch mit der MEMS Komponente befestigt. Die metallischen Federelemente
gewährleisten eine ausreichend feste mechanische Verbindung und stellen gleichzeitig den elektrischen Kontakt zu den inneren Kontakten der Gehäusewanne her. Die metallischen Federelemente können außerdem in einer zum Gehäuseboden parallelen Ebene abgeknickt sein, so dass sie nicht nur eine elastische Auslenkung in vertikaler Richtung zum Gehäuseboden ausüben können, sondern auch in der Aufhängungsebene
elastisch auslenkbar sind.
In einer Ausführungsform weist das Bauelement eine Öffnung auf, die einen Medienzutritt zu den MEMS Komponenten unter der Halbschale erlaubt. Die Öffnung kann dabei durch den Träger hindurch gehen und so von unten einen Zutritt zu dem Hohlraum schaffen. Möglich ist es auch, die Öffnung von oben durch die Halbschale hindurch zu führen. Bedeckt die
Moldmasse die Halbschale von oben, so ist die Öffnung auch durch die Moldmasse hindurch geführt.
Eine Öffnung durch den Träger hindurch kann bereits vor dem Bestücken mit den Komponenten vorhanden sein. Eine Öffnung in der Halbschale kann ebenfalls vor oder nach der Verkapselung und dem Molden erzeugt werden. In der Ausführungsform, in der die Oberseite der Halbschale von Moldmasse unbedeckt bleibt, kann die Öffnung in der Halbschale auch bereits vor der
Montage vorgesehen sein und ist dann ohne jede weitere
Maßnahme gegenüber dem Moldprozess geschützt. Ein Medienzutritt zu der MEMS Komponente ist dann erforderlich, wenn eine Wechselwirkung der MEMS Komponente mit einem Umgebungsparameter gewünscht ist, wie es
beispielsweise für einen Sensor erforderlich ist. Auch eine als Mikrofon ausgebildete MEMS Komponente kann über diese
Öffnung angesprochen werden und einen Schalleinlass erlauben. Entsprechendes gilt für eine als Luftdrucksensor ausgebildete MEMS Komponente. In einer Ausführungsform des Bauelements besteht die
Halbschale aus einem Material oder weist eine Bauform auf, die gegenüber einem Transfermoldingprozess mechanisch nicht beständig ist. In diesem Fall kann trotzdem Transfermolden zum Verkapseln eingesetzt werden, wenn die Moldmasse so aufgebracht und um das Bauelement herum gespritzt wird, dass die nach oben weisende Hauptfläche der Halbschale von der Moldmasse unbedeckt bleibt. Dabei wird die nach oben weisende Hauptfläche der Halbschale vorzugsweise eben gewählt und schließt dann bündig mit der Oberfläche der Moldmasse ab. Dies hat den Vorteil, dass der beim Transfermolden
eingesetzte Druck nicht auf die Oberseite der Halbschale einwirken, die die größte Fläche darstellt, sondern nur auf die Seitenwände, die aufgrund ihrer geringeren Fläche eine größere Stabilität gegenüber dem Moldverfahren aufweisen. In dieser Ausführungsform kann dann das Material der Halbschale aus einem Polymer bestehen oder ein Polymer umfassen.
In anderen Ausführungen besteht die Halbschale aus einem mechanisch stabileren Material, welches ausgewählt ist aus Keramik, Halbleitermaterial, Metall, Glas oder Kunststoff, sowie einem Verbundmaterial, welches eines der genannten Materialien umfasst. Die Halbschale kann mehrschichtig sein, um verschiedene Eigenschaften der Einzelschichten miteinander zu kombinieren, beispielsweise elektrische Isolator¬ eigenschaften mit mechanisch stabilem Material, elektrisch leitende Eigenschaften mit elektrisch isolierendem Material oder elektromagnetisch schirmende Eigenschaften zusammen mit elektrisch isolierenden Eigenschaften.
Die Befestigung der Halbschale erfolgt mittels einer
Klebstoffschicht , die auf dem Träger so aufgebracht ist, das ein geschlossener Hohlraum zwisehen der Halbschale und dem Träger ausgebildet ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Träger ein Leadframe, der eine flächig ausgebildete Insel aufweist. Die Fläche der Insel ist zumindest so groß bemessen, dass sie zusammen mit einer darauf aufgeklebten Halbschale einen geschlossenen Hohlraum ausbildet, in dem dann die MEMS
Komponente eingeschlossen ist. Die Verkapselung mit Moldmass umschließt den gesamten Leadframe derart, dass lediglich die die äußeren Anschlussflächen bildenden Anschlussfahnen des Leadframe frei bleiben. Die Moldmasse wird dann sowohl von oben auf das Bauelement als auch von unten auf den Leadframe aufgepresst. In einer Ausführungsform ragen dann nur noch di Anschlussleitungen oder Anschlussbeine des Leadframe aus der Moldmasse heraus.
Ein Leadframe als Träger hat den Vorteil, dass er
kostengünstig herstellbar ist und direkt ohne weitere
Maßnahmen die Leiterbahnen und Lötflächen bzw. die inneren und äußeren Anschlussflächen zur Kontaktierung von
Chipkomponente und MEMS Komponente zur Verfügung stellt. Ein Leadframe ist auch dann von Vorteil, wenn das primäre
Optimierungsziel des Bauelements nicht auf einen minimalen Flächenbedarf ausgerichtet ist. In einer weiteren Ausführungsform ist die MEMS Komponente direkt auf die inneren Anschlussflächen des Trägers montiert. Dies kann in einem SMD-Verfahren oder durch Bump-Verbindungen oder durch Kleben mit elektrisch leitfähigem Kleber erfolgen.
In einer Ausführungsform ist die MEMS Komponente als Sensor oder als Mikrofon ausgebildet. In dieser Ausführung ist dann die bereits genannte Öffnung in der Halbschale oder im Träger ausgebildet .
Gemäß einer Ausführung ist die Chipkomponente ein Bare Die, ein gehäustes aktives oder passives Bauelement oder ein anderes, gegenüber einem Transfermoldprozess beständiges elektrisches Bauelement.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungs¬ beispielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert. Parallel dazu wird auch das Verfahren zur Herstellung des Bauelements beschrieben. Die Figuren sind schematisch
ausgeführt und nicht maßstabsgetreu, so dass den Figuren weder absolute noch relative Maßangaben zu entnehmen sind. Einzelne Teile der Figuren können zum besseren Verständnis vergrößert oder verkleinert dargestellt sein. Figur 1 zeigt im schematischen Querschnitt ein gekapseltes Bauelement mit unten liegender Öffnung,
Figur 2 zeigt ein Bauelement mit oben liegender Öffnung, Figur 3 zeigt ein Bauelement, bei dem die MEMS Komponente auf dem Träger befestigt ist, Figur 4 zeigt ein Bauelement, bei dem die Moldmasse bündig mit der Oberkante der Halbschale abschließt,
Figuren 5 bis 8 zeigen verschiedene Verfahrensstufen bei der Herstellung eines Bauelements gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel ,
Figuren 9 bis 11 zeigen verschiedene Verfahrensstufen bei der Herstellung eines Bauelements gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel .
Figur 1 zeigt eine erste Ausführungsform, bei der die MEMS Komponente MK in einer Gehäusewanne einer als SMD-Gehäuse ausgebildeten Halbschale HS befestigt ist. Die elektrische und mechanische Befestigung der MEMS Komponente MK in der Gehäusewanne erfolgt über metallische Federelemente. Diese sind beispielsweise stufenförmig gebogene und vorzugsweise in einer Richtung parallel zum Gehäuseboden abgebogene
metallische Streifen ausgebildet. Die metallischen
Federelemente kontaktieren in einer ersten Ebene der Stufe die inneren Kontakte KI der Gehäusewanne und in einer zweiten Ebene im Abstand zum Boden der Gehäusewanne die MEMS
Komponente MK. Letztere kann über Bumps mit den
Federelementen verbunden sein.
Die Halbschale HS, beziehungsweise die Gehäusewanne ist kopfüber auf einem Träger T aufgeklebt, so dass sie einen Hohlraum CV mit dem Träger T einschließt. Über die
elastischen Federelemente FE ist die MEMS Komponente
elastisch innerhalb des Hohlraums CV so aufgehängt, dass mechanisch empfindliche Teile nicht in direktem Kontakt zum Träger oder zur Gehäusewanne stehen. Weiterhin ist auf der Oberfläche des Trägers zumindest eine Chipkomponente CK montiert, beispielsweise ein Halbleiter¬ bauelement. Das Halbleiterbauelement kann ein ASIC zur
Kontrolle der MEMS Komponente sein. In der dargestellten Ausführung ist auf der Oberseite einer ersten Chipkomponente CK1 eine zweite Chipkomponente CK2 mit geringerer
Querschnittsfläche aufgeklebt.
In der Figur 1 sind sämtliche elektrischen Verbindungen der Chipkomponenten und der MEMS Komponente über Bonddrähte WB vorgenommen. Die äußeren Kontakte KA der Gehäusewanne sind beispielsweise mit inneren Anschlussflächen AFI des Trägers über einen ersten Bonddraht WB verbunden (in der Figur links dargestellt) . Ein zweiter Bonddraht verbindet einen weiteren äußeren Kontakt KA der Gehäusewanne HS mit einem Kontakt der ersten Chipkomponente CK1. Ein weiterer Bonddraht WB verbindet die erste Chipkomponente CK1 mit der darauf
befestigten zweiten Chipkomponente CK2. Ein weiterer Bonddraht verbindet die erste Chipkomponente mit einer weiteren inneren Anschlussfläche AFI des Trägers T. Sämtliche
Komponenten des Bauelements 1 sind nun über Bonddrähte mit¬ einander verschaltet. Daher genügt es, einen einschichtigen Träger T vorzusehen, bei dem erste Durchkontaktierungen DK1 die inneren Anschlussflächen mit dem auf der gegenüber- liegenden Seite angeordneten äußeren Anschlussflächen AFA verbinden .
Alternativ ist es auch möglich, die Verschaltung der
Komponenten über eine Verdrahtungsebene im Träger T
vorzusehen, der dann mehrschichtig ausgebildet sein kann.
In der gezeigten Ausführung ist die MEMS Komponente ein Sensor für z.B. Luftdruck, Luftfeuchtigkeit und LuftZusammensetzung oder ein Mikrofon, und bedarf daher einer Öffnung OE für einen Medienzutritt, die hier durch den Träger T ins Innere des Hohlraums CV geführt ist. Die MEMS Komponente kann auch als anderer Sensor ausgebildet sein, z.B. für Magnetfelder, und benötigt dann keine Öffnung.
Das Bauelement 1 kann weitere hier nicht gezeigte Chip¬ komponenten CK oder weitere MEMS Komponenten MK umfassen. Das gesamte Bauelement ist von der Oberseite her mit einer
Moldmasse MM verkapselt, die hier die Oberfläche des Trägers bedeckt und über allen Chip- und MEMS Komponenten so dick aufgebracht ist, dass sämtliche Oberflächen und die Bond¬ drähte verkapselt sind. Über ein Transfermoldverfahren wird die Moldmasse MM mit einer Raumform versehen, die würfel- oder quaderförmig ausgebildet ist. Sämtliche äußeren
Anschlussflächen AFA sind auf der Unterseite des Bauelements 1 angeordnet, und dienen zur elektrischen Verbindung des Bauelements mit einer äußeren Schaltungsumgebung.
Die Moldmasse MM ist vorzugsweise ein duroplastisches
Polymer, welches zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit und zur Erhöhung der elektrischen Isolation vorzugsweise mit einem elektrisch isolierenden Füllstoff gefüllt ist.
Figur 2 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der im
Unterschied zu Figur 1 die MEMS Komponente MK über eine normale Bump-Verbindung BUl mit den Innenkontakten KI einer als Gehäusewanne ausgebildeten Halbschale HS verbunden ist. Außerdem ist die Öffnung OE zur Ermöglichung eines
Medienzutritts in den Hohlraum CV von oben durch Moldmasse und Gehäusewanne geführt. Die Öffnung OE kann in einem ersten Verfahrensschritt durch die Moldmasse geführt werden, wobei ein entsprechender Ausschnitt der Oberfläche der Gehäusewanne frei gelegt wird. In einem zweiten Verfahrensschritt wird dann die Öffnung durch den Boden der Gehäusewanne geführt. Dazu bieten sich mechanische Ablationsverfahren oder
Bohrverfahren sowie mit Einschränkungen auch chemische und physikalische Ätzverfahren an.
Bei einem sogenannten „Tape-Assisted Mold" Verfahren kann eine Oberfläche des zu ummoldenden Bauelements frei gehalten werden. Dies kann dazu genützt werden, dann den Bereich der Oberfläche des Bauelements bzw. der MEMS Komponente
freizuhalten, die für die Öffnung vorgesehen ist.
Figur 3 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der die MEMS Komponente MK direkt auf dem Träger T über zweite Bump-
Verbindungen BU2 elektrisch und mechanisch befestigt ist. Die MEMS Komponente ist unter einer Halbschale HS eingeschlossen, die auf der Oberfläche des Trägers aufgeklebt ist. Die
Halbschale kann aus einem einheitlichen mechanisch stabilen Material bestehen oder ist als mehrschichtiger Verbund ausgeführt. In dieser Ausführung ist eine von oben durch Moldmasse und Halbschale HS geführte Öffnung OE von Vorteil. Eine von unten durch den Träger T geführte Öffnung ist aber nicht ausgeschlossen.
In dieser Ausführungsform ist eine elektrische Kontaktierung der MEMS Komponente MK nur von unten durch den Träger
möglich. Daher erfolgt die Verdrahtung vorzugsweise innerhalb des Trägers T mittels einer Verdrahtungsebene VE. Die
Chipkomponente CK kann wie dargestellt mit einem Bonddraht WB kontaktiert sein. Möglich ist es jedoch auch, die
Chipkomponente CK als SMD-Komponente auf den Träger T aufzu löten . Figur 4 zeigt eine Ausführungsform, für die eine Halbschale HS aus mechanisch weniger stabilem Material eingesetzt werden kann. Anordnung von Chipkomponenten und MEMS Komponente erfolgt wie in der Ausführung nach der Figur 3. Um die mechanisch weniger stabile Halbschale HS nicht durch den Transfermoldprozess zu belasten, wird die Moldmasse MM nur bis zur Oberkante der Halbschale aufgespritzt, so dass die Oberseite der Halbschale bündig mit der Oberfläche der
Moldmasse MM abschließt. Auch hier ist die Öffnung OE durch die Halbschale geführt. Alternativ kann die Öffnung auch durch den Träger in den Hohlraum geführt werden.
Die Figuren 3 und 4 zeigen Ausführungsformen, die auf eine geringe Bauelementhöhe hin optimiert sind. In dieser
Ausführung kann es ratsam sein, die Chipkomponente mit geringer Bauhöhe auszuführen oder ein Stapeln von
Chipkomponenten zu vermeiden, wie es in den Figuren der Fall ist. Ausreichend dünne Chipkomponenten können aber dennoch übereinander gestapelt und elektrisch miteinander verbunden werden.
Figuren 5 bis 8 zeigen verschiedene Verfahrensstufen bei der Herstellung des Bauelements im schematischen Querschnitt. Figur 5 zeigt die Komponenten des Bauelements getrennt voneinander, insbesondere einen mehrschichtigen Träger T, eine Chipkomponente CK, eine MEMS Komponente MK und eine als Gehäusewanne ausgebildete Halbschale HS. Figur 6 zeigt eine Verfahrensstufe, bei der die MEMS Komponente innen auf den Boden der Gehäusewanne HS aufgebondet ist, beispielsweise mit elektrisch leitfähigem Kleber oder mittels Lot oder Bump- Verbindungen . Die Chipkomponente kann ebenfalls aufgebondet, oder aufgeklebt sein. Dargestellt ist eine mittels SMD- Verfahren befestigte Chipkomponente CK. Die Halbschale wird anschließend auf der Oberfläche des Trägers T aufgeklebt, so dass ein Hohlraum zwischen Träger und Halbschale entsteht, in dem die MEMS Komponente MK angeordnet und sicher
eingeschlossen ist. Die elektrische Verbindung der MEMS Komponente mit dem Träger T erfolgt über Bonddrähte, die innere Anschlussflächen AFI mit äußeren Kontakten auf der Oberseite der Halbschale HS verbinden. Figur 8 zeigt die Anordnung nach der Durchführung eines
Transfermoldprozesses , bei dem eine Moldmasse MM so auf die Oberfläche des Bauelements aufgepresst wird, dass sämtliche Komponenten inklusive der Bonddrähte vollständig in der
Moldmasse eingebettet sind. Anschließend kann eine Öffnung OE erzeugt werden, die je nach Anwendungsfall von oben durch
Moldmasse und Halbschale HS oder von unten durch den Träger in den Hohlraum CV geführt werden kann. Alternativ kann die Öffnung in der Halbschale vorbereitet gewesen sein wird dann beim Molden frei gehalten.
Figuren 9 bis 11 zeigen verschiedene Verfahrensstufen bei der Herstellung eines Bauelements 1 gemäß einer zweiten
Verfahrensvariante. Als Träger T wird hier ein Leadframe LF eingesetzt, welches z.B. aus einem strukturierten
beziehungsweise gestanzten Blechstreifen besteht. Im
Wesentlichen weist der Leadframe innenliegende Kontakte auf, die mit nach außen weisenden Anschlussfahnen verbunden sind. Die innen liegenden Anschlussflächen dienen zur Kontaktierung von Chipkomponenten CK und der MEMS Komponente MK. Alternativ kann die Unterseite des Leadframe bündig mit der Moldmasse abschließen. Auf diese Weise kann ein mittels SMD Verfahren verarbeitbares Bauelement erhalten werden. Figur 9 zeigt die Komponenten getrennt voneinander. Die MEMS Komponente MK wird wieder innen in eine als Gehäusewanne eines SMD-Gehäuses ausgebildete Halbschale HS eingesetzt und dort elektrisch und mechanisch mit den Innenkontakten der Halbschale verbunden. Die Chipkomponente CK kann direkt auf den Träger T, beziehungsweise dessen entsprechende inneren Anschlussflächen aufgebondet werden, beispielsweise durch Kleben oder Löten. Die Halbschale mit der darin befestigten MEMS Komponente wird auf eine inselförmig ausgebildete
Anschlussplatte des Leadframe so aufgeklebt, dass die
Gehäusewanne von der inseiförmigen Anschlussfläche des
Leadframes verschlossen wird. Die elektrische Kontaktierung der Halbschale HS und damit der MEMS Komponente erfolgt über Bonddrähte WB, die die äußeren Kontakte KA mit entsprechenden Anschlussflächen auf dem Leadframe verbinden. Figur 10 zeigt die Anordnung auf dieser Verfahrensstufe.
Im nächsten Schritt wird das gesamte Bauelement, also der Leadframe, die darauf befestigten Komponenten inklusive der Bonddrähte mit einer Moldmasse in einem Transfermoldprozess umspritzt, so dass nur die äußeren Anschlüsse des Trägers, die hier als Anschlussfahnen des Leadframe ausgebildet sind, aus der Moldmasse herausragen. Die Anschlussfahnen des
Leadframe können anschließend noch nach unten gebogen werden, um eine einfachere Montage des Bauelements 1 auf einer
Platine oder einer anderen äußeren Schaltungsumgebung zu vereinfachen .
Nicht dargestellt ist das Vorsehen einer Öffnung, die wieder von oben durch die Moldmasse und den Gehäuseboden der
Gehäusewanne gebohrt werden kann. Möglich ist es jedoch auch, einen Medienzutritt zu dem Hohlraum unter der Gehäusewanne von unten zu schaffen, indem von unten durch die Moldmasse und den inseiförmigen Abschnitt des Leadframe gebohrt wird.
Die Erfindung ist nicht auf die Ausführungsbeispiele und die in den Figuren dargestellten Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr lassen sich in einzelnen Figuren dargestellte
Merkmale mit anderen Merkmalen aus anderen Figuren
kombinieren. So kann in praktisch jedem Ausführungsbeispiel die Öffnung entweder von oben durch die Halbschale oder von unten durch den Träger geführt werden. In den meisten
Ausführungsbeispielen kann die Befestigung der MEMS
Komponente in einer Gehäusewanne unabhängig vom
Ausführungsbeispiel auf unterschiedliche Arten erfolgen, die jede für sich in unterschiedlichen Beispielen beschrieben wurden. Die genaue Ausführung der Gehäusewanne ist ebenfalls nicht auf die dargestellten Ausführungen beschränkt, solange sie innere und äußere Kontakte aufweist, die über zweite Durchkontaktierungen miteinander verbunden sind. Möglich ist es auch, in der Gehäusewanne Verdrahtungsebenen vorzusehen. Die Halbschale, die als Gehäusewanne ausgebildet sein kann, ist vorzugsweise auf dem Träger aufgeklebt, was aber andere entsprechende dichte Befestigungsformen nicht ausschließt. Die Kontaktierung der Gehäusewanne mit dem Träger erfolgt vorzugsweise über Bonddrähte. Die Befestigung und elektrische Kontaktierung der Chipkomponente ist ebenfalls unabhängig von der Erfindung und kann über Bonden, Kleben oder Draht- kontaktierung erfolgen. Die Moldmasse kann eine beliebige Masse sein, die in einem Transfermoldprozess oder einem ähnlichen Prozess einsetzbar ist und die für das Bauelements die gewünschten Eigenschaften bezüglich Härte,
Durchlässigkeit für Feuchtigkeit und Chemikalien, elektrische Isolation, Wärmeleitfähigkeit und Alterungsbeständigkeit aufweist . Eine weitere zu optimierende Eigenschaft kann der thermische Ausdehnungskoeffizient der Masse sein, der vorzugsweise an den der Komponenten angepasst ist, um unnötige Spannungen beim Härten der Moldmasse zu vermeiden. Das Bauelement kann eine beliebige Anzahl von Chipkomponenten aufweisen, die nebeneinander auf dem Träger angeordnet sein können, oder die, bei entsprechend niedriger Bauform, übereinander gestapelt sind. Dabei ist eine nach oben hin abnehmende Grundfläche von Vorteil, da es dann einfacher möglich ist, die im Stapel unten liegenden Chipkomponenten zu
kontaktieren .
Bezugs zeichenliste
1 Bauelement
T Träger
AFI, AFA innere und äußere elektrische Anschlussflächen
CK Chipkomponente
MK MEMS Komponente
HS Halbschale
MM Moldmasse
VE Verdrahtungsebene
DK1 erste Durchkontaktierungen (durch den Träger)
DK2 zweite Durchkontaktierungen (durch die Halbschale)
KI, KA innere und äußere Kontakte
WB Bonddrähte
FE metallische Federelemente
OE Öffnung in Träger oder Halbschale
LF Leadframe
AL KlebstoffSchicht
LFI Insel
CV Hohlraum (unter Halbschale)
BU Bumpverbindung

Claims

Patentansprüche
Bauelement
bei dem auf einem Träger (T) , der innere (AFI) und äußere elektrische Anschlussflächen (AFA) aufweist, eine Chipkomponente (CK) und eine MEMS Komponente (MK) angeordnet und elektrisch leitend mit den inneren Anschlussflächen (AFI ) erbunden sind
bei dem die MEMS Komponente unter einer, auf dem Träger aufsitzenden Halbschale (HS) angeordnet ist bei dem das gesamte Bauelement (1) mit einer
Moldmasse (MM) so verkapselt ist, dass zumindest die Oberseite des Trägers und die Seitenflächen der Chip- und der MEMS Komponente von der Moldmasse bedeckt sind und die äußeren Anschlussflächen frei zugänglich sind .
Bauelement nach Anspruch 1,
bei dem der Träger (T) mehrschichtig aus einem elektrisch isolierenden Material aufgebaut ist, de die nach oben weisenden inneren Anschlussflächen
(AFI), die nach unten weisenden äußeren
Anschlussflächen (AFA) und zumindest eine
Verdrahtungsebene (VE) aufweist,
bei dem die inneren Anschlussflächen mit der
Verdrahtungsebene und/oder den äußeren
Anschlussflächen über erste Durchkontaktierungen
(DK1) verbunden sind.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem die Halbschale (HS) eine Gehäusewanne darstellt, die am Gehäuseboden innere und äußere Kontakte (KI, KA) aufweist, die elektrisch miteinander verbunden sind,
bei dem die MEMS Komponente (MK) in der Gehäusewanne montiert und elektrisch leitend mit den inneren Kontakten (KI) verbunden ist,
bei dem die äußeren Kontakte (KA) der Gehäusewanne über Bonddrähte (WB) mit den inneren Anschlussflächen (AFI) des Trägers (T) verbunden sind. 4. Bauelement nach Anspruch 3,
bei dem die MEMS Komponente (MK) über elastische metallische Federelemente (FE) mit dem Gehäuseboden verbunden ist.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-4,
bei dem das Bauelement (1) eine Öffnung (OE) auf weist, die einen Medienzutritt zu der MEMS Komponente (MK) unter der Halbschale (HS) erlaubt, wobei die Öffnung von unten durch den Träger (T) , von oben durch die Halbschale (HS) oder von oben durch die Moldmasse (MM) und die Halbschale hindurch geführt ist.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-5,
bei dem die Moldmasse (MM) so aufgebracht ist, dass die nach oben weisende Hauptfläche der Halbschale von der Moldmasse unbedeckt bleibt.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-6,
bei dem die Halbschale (HS) aus Keramik, Halbleitermaterial, Metall, Glas, Kunststoff oder einem Verbundmaterial besteht, das zumindest eine Schicht eines der vorgenannten Materialien umfasst .
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-7,
bei dem die Halbschale (HS) mittels einer strukturierten Klebstoffschicht auf dem Träger so aufgeklebt ist, dass ein zum Träger hin geschlossener Hohlraum zwischen der Halbschale und dem Träger ausgebildet ist.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 3-8,
bei dem der Träger (T) als Leadframe (LF) ausgebildet ist, der eine flächig ausgebildete Insel aufweist,
bei der die Halbschale (HS) auf der Insel so aufgeklebt ist, dass ein zum Leadframe hin geschlossener Hohlraum (CV) zwischen der Halbschale und der Insel des Leadframe (LF) ausgebildet ist. 10. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-9,
bei dem die MEMS Komponente (MK) direkt auf die inneren
Anschlussflächen (AFI) des Trägers (T) montiert ist.
11. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-10,
bei dem die MEMS Komponente (MK) als Sensor oder als Mikrofon ausgebildet ist.
12. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-11,
bei dem die Chipkomponente (CK) ein bare die, ein gehäustes aktives oder passives Bauelement oder ein anderes gegenüber einem Moldprozess beständiges elektrisches Bauelement ist.
13. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements nach einem der Ansprüche 1-12,
- bei dem ein Träger (T) mit inneren und äußeren
elektrischen Anschlussflächen (AFI,AFA) vorgesehen wird, bei dem eine als Gehäusewanne eines SMD Gehäuses ausgebildete Halbschale (HS) vorgesehen wird, die an ihrem Boden innere und äußere Kontakte (ΚΙ,ΚΑ) aufweist,
bei dem eine MEMS Komponente (MK) in der Gehäusewanne montiert und elektrisch mit den inneren Kontakten (KI) verbunden wird,
bei dem die Gehäusewanne so auf den Träger aufgeklebt wird, dass die MEMS Komponente in einem Hohlraum (CV) zwischen der Gehäusewanne und dem Träger
eingeschlossen ist,
bei dem weiterhin eine Chipkomponente (CK) auf dem Träger montiert wird,
bei dem die äußeren Kontakte (KA) und die inneren Anschlussflächen (AFI) mit Bonddrähten (WB) verbunden werden,
bei dem das Bauelement (1) durch Molden mittels eines Molding Verfahrens mit einer Moldmasse (MM) umspritzt wird, so dass zumindest die Oberfläche des Trägers und die Seitenwände von Chip - und MEMS Komponente von der Moldmasse bedeckt sind, die äußeren
Anschlussflächen (AFA) aber von der Moldmasse unbedeckt bleiben. 14. Verfahren nach Anspruch 13,
bei dem die MEMS Komponente (MK) ein Sensor oder ein Mikrofon ist bei dem vor oder nach dem Molden eine durch den Träger (T) , die Gehäusewanne oder die Gehäusewanne samt darüber aufgebrachter Moldmasse reichende Öffnung (OE) erzeugt wird, die einen Medienzutritt zur MEMS Komponente im Hohlraum (CV) unter der Gehäusewanne ermöglicht.
PCT/EP2013/072183 2013-01-15 2013-10-23 Umspritztes bauelement mit einer mems komponente und verfahren zur herstellung Ceased WO2014111178A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/759,602 US9481565B2 (en) 2013-01-15 2013-10-23 Encapsulated component comprising a MEMS component and method for the production thereof
JP2015552000A JP6105087B2 (ja) 2013-01-15 2013-10-23 Ｍｅｍｓ部品を有するオーバーモールドされたデバイスおよび製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013100388.5 2013-01-15
DE102013100388.5A DE102013100388B4 (de) 2013-01-15 2013-01-15 Bauelement mit einer MEMS Komponente und Verfahren zur Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014111178A1 true WO2014111178A1 (de) 2014-07-24

Family

ID=49484280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/072183 Ceased WO2014111178A1 (de) 2013-01-15 2013-10-23 Umspritztes bauelement mit einer mems komponente und verfahren zur herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9481565B2 (de)
JP (1) JP6105087B2 (de)
DE (1) DE102013100388B4 (de)
WO (1) WO2014111178A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110972045A (zh) * 2019-11-18 2020-04-07 歌尔股份有限公司 一种振动感测装置以及电子设备

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102437673B1 (ko) * 2015-09-09 2022-08-26 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
US10861796B2 (en) * 2016-05-10 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Floating die package
US20180134546A1 (en) * 2016-11-14 2018-05-17 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10179730B2 (en) 2016-12-08 2019-01-15 Texas Instruments Incorporated Electronic sensors with sensor die in package structure cavity
US10150667B2 (en) * 2017-02-13 2018-12-11 Obsidian Sensors, Inc. Panel level packaging for MEMS application
KR101949594B1 (ko) * 2017-05-30 2019-04-29 서울대학교산학협력단 멤스 트랜스듀서 패키지 및 이를 포함하는 멤스 장치
CN107991509B (zh) * 2017-12-21 2024-02-20 成都工业学院 一种层结构质量块及其制作方法、加速度传感器及其制作方法
DE102018122515B4 (de) * 2018-09-14 2020-03-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiteroxid- oder Glas-basierten Verbindungskörpers mit Verdrahtungsstruktur
US11702335B2 (en) 2020-12-04 2023-07-18 Analog Devices, Inc. Low stress integrated device package
JP2022129553A (ja) 2021-02-25 2022-09-06 セイコーエプソン株式会社 センサーモジュール

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2907632A1 (fr) * 2006-10-20 2008-04-25 Merry Electronics Co Ltd Boitier de systeme micro-electromecanique

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10152343B4 (de) * 2001-10-24 2011-08-11 Epcos Ag, 81669 Verfahren zur Verkapselung eines elektrischen Bauelementes und verkapseltes Oberflächenwellenbauelement
US7262509B2 (en) * 2004-05-11 2007-08-28 Intel Corporation Microelectronic assembly having a perimeter around a MEMS device
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE102005053765B4 (de) * 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
US7436054B2 (en) * 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same
US20080083957A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
CN101325823B (zh) 2007-06-11 2011-08-17 美律实业股份有限公司 硅晶麦克风的封装构造
US20090057885A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US7847387B2 (en) * 2007-11-16 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Electrical device and method
JP2009226571A (ja) 2008-02-28 2009-10-08 Nippon Kayaku Co Ltd マイクロデバイス及びその製造方法
JP5374716B2 (ja) * 2008-03-18 2013-12-25 エプコス アクチエンゲゼルシャフト マイクロフォンとその製造方法
JP4837708B2 (ja) * 2008-07-09 2011-12-14 シャープ株式会社 電子部品およびその製造方法、並びに、電子部品を備えた電子装置
DE102009007837A1 (de) * 2009-02-06 2010-08-19 Epcos Ag Sensormodul und Verfahren zum Herstellen von Sensormodulen
US8359927B2 (en) * 2009-08-12 2013-01-29 Freescale Semiconductor, Inc. Molded differential PRT pressure sensor
DE102010002990A1 (de) * 2010-03-18 2011-09-22 Robert Bosch Gmbh Mikrofluidisches System für Analyse- und Diagnosezwecke sowie entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines mikrofluidischen Systems
JP5732286B2 (ja) 2011-03-16 2015-06-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
DE102011102266B4 (de) * 2011-05-23 2013-04-11 Epcos Ag Anordnung mit einem MEMS-Bauelement mit einer PFPE Schicht und Verfahren zur Herstellung
TWI431732B (zh) * 2011-09-22 2014-03-21 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
US8941223B2 (en) * 2012-09-10 2015-01-27 Invensense, Inc. MEMS device package with conductive shell
US9040335B2 (en) * 2013-09-17 2015-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Side vented pressure sensor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2907632A1 (fr) * 2006-10-20 2008-04-25 Merry Electronics Co Ltd Boitier de systeme micro-electromecanique

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110972045A (zh) * 2019-11-18 2020-04-07 歌尔股份有限公司 一种振动感测装置以及电子设备
CN110972045B (zh) * 2019-11-18 2021-11-16 潍坊歌尔微电子有限公司 一种振动感测装置以及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US9481565B2 (en) 2016-11-01
DE102013100388B4 (de) 2014-07-24
DE102013100388A1 (de) 2014-07-17
JP6105087B2 (ja) 2017-03-29
JP2016508075A (ja) 2016-03-17
US20150344296A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013100388B4 (de) Bauelement mit einer MEMS Komponente und Verfahren zur Herstellung
EP2422367B1 (de) Gekapselte schaltungsvorrichtung für substrate mit absorptionsschicht sowie verfahren zu herstellung derselben
DE102011004577B4 (de) Bauelementträger, Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementträgers sowie Bauteil mit einem MEMS-Bauelement auf einem solchen Bauelementträger
DE102014108951B4 (de) Mikrofon-Baugruppe
DE102012222015B4 (de) Feuchtigkeitsdichtes Halbleitermodul und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010030960B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines schwingungsgedämpften Bauteils
DE102013215049B4 (de) Infrarotsensor
DE102016106311A1 (de) Kavitätspackage mit kompositsubstrat
WO2007020132A1 (de) Sensoranordnung mit einem substrat und mit einem gehäuse und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung
DE102011004570A1 (de) Bauelementträger und Bauteil mit einem MEMS-Bauelement auf einem solchen Bauelementträger
DE102009001969A1 (de) Sensormodul
DE102019119371A1 (de) Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
DE102008015709A1 (de) Elektrische Einrichtung mit Abdeckung
DE102008054735A1 (de) Leadless-Gehäusepackung
DE102009001932A1 (de) Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE102018201013A1 (de) Halbleiter-package mit kühlkörper und nietfreiem die-befestigungsbereich
DE102015112451B4 (de) Leistungshalbleitermodul
EP0882965A1 (de) Halbleiter-Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE19912201C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Ident-Anordung mit drahtloser Signalübertragung, insbesondere Smart-Label, sowie vorfertigbares streifenförmiges Modul für eine flexible Ident-Anordung, insbesondere Smart-Label
DE102005025754B4 (de) Halbleitersensorbauteil mit einem Sensorchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen
DE102019127007A1 (de) Stapel elektrischer bauelemente und verfahren zur herstellung desselben
DE102004019428A1 (de) Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102011118734A1 (de) Verbundlagenschaltung mit von aussen zugänglichen integrierten Komponenten
DE102005011863A1 (de) Halbleitermikrovorrichtung
DE102009029281A1 (de) Modul und Verfahren zur Herstellung eines Moduls

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13780360

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14759602

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015552000

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13780360

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1