WO2015141226A1 - 電子デバイス - Google Patents

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WO2015141226A1
WO2015141226A1 PCT/JP2015/001529 JP2015001529W WO2015141226A1 WO 2015141226 A1 WO2015141226 A1 WO 2015141226A1 JP 2015001529 W JP2015001529 W JP 2015001529W WO 2015141226 A1 WO2015141226 A1 WO 2015141226A1
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layer
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electronic device
ion
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PCT/JP2015/001529
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佐々木 良一
康貴 犬伏
中谷 正和
高井 淳
紀久雄 有本
匡彦 太田
靖 森原
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Kuraray Co Ltd
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Kuraray Co Ltd
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    • C09D129/04Polyvinyl alcohol; Partially hydrolysed homopolymers or copolymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids
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    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
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    • C08J2429/02Homopolymers or copolymers of unsaturated alcohols
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    • C08J2433/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2433/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2433/14Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
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    • C08J2443/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing boron, silicon, phosphorus, selenium, tellurium or a metal; Derivatives of such polymers
    • C08J2443/02Homopolymers or copolymers of monomers containing phosphorus
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    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic device. More specifically, the present invention relates to an electronic device including a protective sheet including a multilayer structure including a base material (X) and a layer (Y) laminated on the base material (X). Moreover, this invention relates to the electronic device containing quantum dot fluorescent substance containing the protective sheet provided with the multilayer structure containing the base material (X) and the layer (Y) laminated
  • Patent Document 1 discloses a method in which a coating liquid containing aluminum oxide particles and a phosphorus compound is applied on a plastic film, followed by drying and heat treatment.
  • the conventional gas barrier layer may have defects such as cracks and pinholes when subjected to physical stress such as deformation and impact, and the gas barrier property for a long time may not be sufficient.
  • Quantum dots have come to be used as phosphors that emit light by converting the wavelength of incident light in electronic devices such as light emitting diodes (LEDs).
  • Quantum dots are luminescent semiconductor nanoparticles, and the diameter range is usually 1 to 20 nm. Then, the electrons are quantum confined in a three-dimensional and nanoscale semiconductor crystal with a clear outline. Such quantum dot phosphors are likely to aggregate and deteriorate due to oxygen or the like, so that they are generally used dispersed in a resin or the like.
  • Patent Document 2 discloses a flash in which a plurality of quantum dots are dispersed in a matrix material composed of a thermosetting resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polystyrene, polycarbonate, sol-gel, UV curable resin, and epoxy. -Modules are listed.
  • a thermosetting resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polystyrene, polycarbonate, sol-gel, UV curable resin, and epoxy.
  • the quantum dot phosphor dispersed in the resin may still be deteriorated by oxygen or water contained in the atmosphere.
  • gas barrier property means the ability to barrier gas other than water vapor unless otherwise specified. Further, in this specification, when “barrier property” is simply described, it means both a gas barrier property and a water vapor barrier property.
  • the present inventors have found that the above object can be achieved by an electronic device including a quantum dot phosphor covered with a multilayer structure including a specific layer, and have reached the present invention.
  • the present invention is an electronic device in which the surface of the electronic device main body 1 is covered with a protective sheet 3, and the protective sheet 3 includes a base (X), a layer (Y) laminated on the base (X), and Including a multilayer structure.
  • the layer (Y) contains a metal oxide (A), a phosphorus compound (B), and a cation ( Z ) having an ionic value (F Z ) of 1 or more and 3 or less.
  • the phosphorus compound (B) is a compound containing a site capable of reacting with the metal oxide (A).
  • the number of moles (N Z ) of (Z) and the ionic value (F Z ) of the cation (Z) satisfy the relationship of 0.8 ⁇ N M / N P ⁇ 4.5
  • the number of moles (N M ), the number of moles of the cation (Z) (N Z ), and the ionic value (F Z ) of the cation (Z) are 0.001 ⁇ F Z ⁇ N
  • the cation (Z) is lithium ion, sodium ion, potassium ion, magnesium ion, calcium ion, titanium ion, zirconium ion, lanthanoid ion, vanadium ion, manganese ion, iron ion, cobalt ion, nickel ion, copper ion, It may be at least one cation selected from the group consisting of zinc ions, boron ions, aluminum ions, and ammonium ions.
  • the electronic device may include a quantum dot phosphor.
  • the protective sheet may be disposed on one side or both sides of the layer containing the quantum dot phosphor.
  • the number of moles (N M ), the number of moles (N Z ), and the ionic value (F Z ) are 0.01 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0. 60 relationships may be satisfied.
  • the phosphorus compound (B) may react with the metal oxide (A).
  • the phosphorus compound (B) is at least one compound selected from the group consisting of phosphoric acid, polyphosphoric acid, phosphorous acid, phosphonic acid, phosphonous acid, phosphinic acid, phosphinic acid, and derivatives thereof. There may be.
  • the maximum absorption wave number in the range of 800 to 1,400 cm ⁇ 1 may be in the range of 1,080 to 1,130 cm ⁇ 1 .
  • the base material (X) may include a thermoplastic resin film.
  • the layer (Y) may include a polymer (C) containing at least one functional group selected from the group consisting of a carbonyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a carboxylic anhydride group, and a salt of a carboxyl group. .
  • the multilayer structure may further include a layer (W) disposed adjacent to the layer (Y).
  • the layer (W) may include a polymer (G1) having a functional group containing a phosphorus atom.
  • the polymer (G1) may be poly (vinyl phosphonic acid) or poly (2-phosphonooxyethyl methacrylate).
  • the electronic device of the present invention has a metal oxide (A), a phosphorus compound (B) containing a site capable of reacting with the metal oxide (A), and an ionic value (F Z ) of 1 or more and 3 or less.
  • the number of moles of metal atoms (M) constituting the metal oxide (A) (N M ) and the number of moles of phosphorus atoms derived from the phosphorus compound (B) (N P ) satisfies the relationship 0.8 ⁇ N M / N P ⁇ 4.5
  • the number of moles (N M ) and the number of cations (Z) The number of moles (N Z ) and the ionic valence (F Z ) may satisfy the relationship of 0.001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.60.
  • an electronic device having a protective sheet that has high resistance to physical stress and excellent gas barrier properties and water vapor barrier properties can be obtained.
  • a quantum protective sheet having a protective sheet excellent in gas barrier properties and water vapor barrier properties which is less deteriorated even in long-term use in the atmosphere (for example, continuous light emission for 2,000 hours) and excellent in performance retention. It is possible to obtain an electronic device including a dot phosphor.
  • the meaning of “lamination of a specific layer on a specific member (substrate, layer, etc.)” means that the specific layer is in contact with the member.
  • the case where the specific layer is laminated above the member with another layer interposed therebetween is included.
  • a specific layer is formed on a specific member (base material, layer, etc.)” and “a specific layer is arranged on a specific member (base material, layer, etc.)”.
  • the meaning of “application of a liquid (coating liquid, etc.) on a specific member (base material, layer, etc.)” means that the liquid is directly applied to the member.
  • the case where the liquid is applied to another layer formed on the member is included.
  • a layer (Y) may be distinguished from other layers by attaching a symbol (Y), such as “layer (Y)”.
  • Y Unless otherwise noted, the symbol (Y) has no technical meaning. The same applies to the substrate (X), the compound (A), and other symbols. However, the case where it is clear to show a specific element like a hydrogen atom (H) is excluded.
  • An electronic device using the multilayer structure of the present invention includes an electronic device body and a protective sheet that protects the surface of the electronic device body.
  • the protective sheet used for the electronic device of the present invention includes a multilayer structure including a base material (X) and a layer (Y) laminated on the base material (X).
  • X base material
  • Y layer
  • the phrase “multilayer structure” means a multilayer structure including a substrate (X) and a layer (Y).
  • the phrase “multilayer structure of the present invention” means “multilayer structure used in the present invention”. Details of the multilayer structure will be described later.
  • the protective sheet may be composed of only a multilayer structure, or may include other members and other layers. Hereinafter, unless otherwise noted, a case where the protective sheet includes a multilayer structure will be described.
  • FIG. 1 shows a partial cross-sectional view of an example of the electronic device of the present invention.
  • 1 includes an electronic device body 1, a sealing material 2 for sealing the electronic device body 1, and a protective sheet (multilayer structure) 3 for protecting the surface of the electronic device body 1.
  • the sealing material 2 covers the entire surface of the electronic device body 1.
  • the protective sheet 3 is disposed on one surface of the electronic device body 1 via the sealing material 2.
  • the protective sheet 3 only needs to be arranged so as to protect the surface of the electronic device main body 1, and may be arranged directly on the surface of the electronic device main body 1 (not shown), as shown in FIG. You may arrange
  • the 2nd protection sheet may be arrange
  • the second protective sheet disposed on the opposite surface may be the same as or different from the first protective sheet.
  • a suitable protective sheet protects the quantum dot phosphor material from environmental conditions such as high temperature, oxygen, and humidity.
  • Suitable protective sheets are hydrophobic, chemically and mechanically compatible with quantum dot phosphor materials, exhibit light and chemical stability, have high temperature heat resistance, and non-yellowing transparent optics Materials.
  • the one or more protective sheets are index matched with the quantum dot phosphor material.
  • the matrix material of the quantum dot phosphor material and one or more adjacent protective sheets are matched in refractive index to have a similar refractive index so that the quantum dot phosphor material is passed through the protective sheet. Most of the light transmitted toward the light is transmitted from the protective sheet into the phosphor material. This refractive index matching reduces optical losses at the interface between the protective sheet and the matrix material.
  • Examples of the matrix material of the quantum dot phosphor material of the present invention include polymers, organic and inorganic oxides, and the like.
  • the polymer is substantially translucent or substantially transparent.
  • Suitable matrix materials include, for example, epoxy, acrylate, norbornene, polyethylene, poly (vinyl butyral): poly (vinyl acetate), polyurea, polyurethane; aminosilicone (AMS), poly, in addition to the dispersing resin described later.
  • Silicone and silicone derivatives such as phenylmethylsiloxane, polyphenylalkylsiloxane, polydiphenylsiloxane, polydialkylsiloxane, silsesquioxane, fluorinated silicone, and vinyl and hydride substituted silicones; methyl methacrylate, butyl methacrylate, lauryl methacrylate, etc.
  • the protective sheet is preferably a solid material and may be a cured liquid, gel, or polymer.
  • the protective sheet may include a flexible or inflexible material depending on the particular application.
  • the protective sheet is preferably a planar layer and may include any suitable shape and surface area structure depending on the particular lighting application.
  • any suitable protective sheet material known in the art can be used in addition to the multilayer structure material described later.
  • As a suitable barrier material used for a protective sheet other than the protective sheet having a multilayer structure described later for example, glass, polymer, and oxide can be given.
  • the polymer include polyethylene terephthalate (PET).
  • the oxide include SiO 2 , Si 2 O 3 , TiO 2 , and Al 2 O 3 .
  • each protective sheet of an electronic device comprising a quantum dot phosphor comprises at least two layers (eg, substrate (X) and layer (Y)) comprising different materials or compositions, resulting in a multilayer
  • the protective sheet eliminates or reduces pinhole defect arrays in the protective sheet and provides an effective barrier against oxygen and moisture ingress into the quantum dot phosphor material.
  • An electronic device that includes quantum dot phosphors may include any suitable material or combination of materials, as well as any suitable number of protective sheets on either or both sides of the quantum dot phosphor material.
  • each protective sheet includes a laminate (laminated film), preferably a double laminate (double laminated film), and the thickness of each protective sheet is the same as that of a roll-to-roll or laminated manufacturing process. Thick enough to eliminate.
  • the number or thickness of the protective sheet further depends on legal toxicity guidelines in embodiments where the quantum dot phosphor material includes heavy metals or other toxic materials, which guides more or thicker protection. A sheet may be required. Additional barrier considerations include cost, availability, and mechanical strength.
  • an electronic device including a quantum dot phosphor includes a protective sheet comprising two or more multilayer structures of the present invention adjacent to each side of the quantum dot phosphor material.
  • One or more protective sheets other than the protective sheet provided with the multilayer structure of the present invention may be provided on each side surface. That is, two or three layers (protective sheets) may be included on each side surface.
  • an electronic device comprising quantum dot phosphors includes two protective sheets, including a protective sheet comprising the multilayer structure of the present invention on each side of the quantum dot phosphor material.
  • the layer containing the quantum dot phosphor of the present invention can be of any desired size, shape, structure, and thickness.
  • the quantum dot phosphor can be embedded in the matrix material at any filling rate appropriate for the desired function.
  • the thickness and width of the layer containing the quantum dot phosphor can be controlled by any method known in the art, such as wet coating, painting, spin coating, screen printing, and the like.
  • the quantum dot phosphor material has a thickness of 500 ⁇ m or less, preferably 250 ⁇ m or less, more preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 50 to 150 ⁇ m, and most preferably 50 to 100 ⁇ m. Can have.
  • the top and bottom protective sheet layers of the electronic device comprising the quantum dot phosphor of the present invention are mechanically sealed.
  • the top protective sheet layer and / or the bottom protective sheet layer are constricted together to seal the quantum dot phosphor.
  • the edges are constricted immediately after application of the quantum dot phosphor and protective sheet layer to minimize exposure of the quantum dot phosphor material to oxygen and moisture in the environment.
  • the barrier end can be sealed by narrow pressure, stamping, melting, rolling, pressurizing and the like.
  • any mechanical adhesive may be used to mechanically seal the top and bottom protective sheet layers of the electronic device comprising the quantum dot phosphor of the present invention, but the ease of edge bonding, From the viewpoint of maintaining high optical properties of the quantum dots, it is preferable to use a suitable optical adhesive material such as epoxy.
  • the electronic device main body including the quantum dot phosphor of the present invention includes, for example, a display such as a liquid crystal display (LCD), a television, a computer, a mobile phone, a smartphone, a personal digital assistant (PDA), a game machine, an electronic reading device, and a digital camera.
  • a display such as a liquid crystal display (LCD), a television, a computer, a mobile phone, a smartphone, a personal digital assistant (PDA), a game machine, an electronic reading device, and a digital camera.
  • Backlight unit (BLU) for equipment, indoor or outdoor lighting, stage lighting, decorative lighting, accent lighting, museum lighting, highly specific wavelength lighting for horticultural, biological and other applications Any suitable application, including, as well as further lighting applications that would be apparent to one skilled in the art upon examination of the invention described herein.
  • the electronic device body containing the quantum dot phosphor of the present invention can also be used as a quantum dot down conversion layer or film suitable for use in photovoltaic applications.
  • the electronic device body including the quantum dot phosphor of the present invention can convert part of sunlight into lower energy light that can be absorbed by the active layer of the solar cell. The wavelength of the converted light could not be absorbed and converted into power by the active layer without such down conversion by the electronic device body including the quantum dot phosphor of the present invention. Therefore, the solar cell that employs the electronic device body including the quantum dot phosphor of the present invention may have an increased solar conversion efficiency.
  • the electronic device body including the quantum dot phosphor of the present invention includes use as a light source, an optical filter, and / or a primary light down converter.
  • the electronic device body including the quantum dot phosphor of the present invention is a primary light source, and the electronic device including the quantum dot phosphor emits a photon upon electrical stimulation.
  • An electroluminescent device comprising:
  • the electronic device that includes the quantum dot phosphor is an optical filter, and the quantum dot phosphor absorbs light having a certain wavelength or wavelength range.
  • Electronic devices that include quantum dot phosphors can allow passage of specific wavelengths or wavelength ranges while absorbing or filtering out others.
  • the electronic device comprising a quantum dot phosphor is a downconverter, whereby at least a portion of the primary light from the primary light source is quantum dot fluorescent within the electronic device comprising the quantum dot phosphor. It is absorbed by the body and re-emitted as secondary light having a lower energy or longer wavelength than the primary light.
  • the electronic device that includes the quantum dot phosphor is both a filter and a primary light downconverter, whereby the first portion of the primary light is a quantum within the electronic device that includes the quantum dot phosphor.
  • the sealing material 2 is an arbitrary member that is appropriately added according to the type and use of the electronic device body 1.
  • Examples of the sealing material 2 include ethylene-vinyl acetate copolymer and polyvinyl butyral.
  • the protective sheet for an electronic device including the quantum dot phosphor of the present invention may have flexibility.
  • the term “flexible” means that it can be wound around a roll having a diameter of 50 cm. For example, it means that visual damage is not observed even when wound on a roll having a diameter of 50 cm.
  • the ability to be wound on a roll having a diameter smaller than 50 cm is preferable because the electronic device and the protective sheet are more flexible.
  • Protective sheet containing a multilayer structure is excellent in gas barrier properties and water vapor barrier properties. Therefore, by using the protective sheet, an electronic device with little deterioration can be obtained even in a harsh environment. Moreover, since the protective sheet has high transparency, an electronic device having high light transmittance can be obtained.
  • the multilayer structure can also be used as a film called a substrate film, such as a substrate film for LCD, a substrate film for organic EL, and a substrate film for electronic paper.
  • the multilayer structure may serve as both the substrate and the protective film.
  • the electronic device to be protected by the protective sheet is not limited to the above example, and may be, for example, an IC tag, an optical communication device, a fuel cell, or the like.
  • the protective sheet may include a surface protective layer disposed on one surface or both surfaces of the multilayer structure.
  • the surface protective layer is preferably a layer made of a resin that is not easily damaged.
  • the surface protective layer of the device which may be utilized outdoors like a solar cell consists of resin with high weather resistance (for example, light resistance).
  • a surface protective layer with high translucency is preferable.
  • Examples of the material for the surface protective layer include acrylic resin, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, polytetrafluoroethylene, and 4-fluoroethylene-perchloroalkoxy. Copolymers, 4-fluorinated ethylene-6-fluorinated propylene copolymers, 2-ethylene-4-fluorinated ethylene copolymers, poly-3-fluoroethylene chloride, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, etc. It is done.
  • An example of the protective sheet includes an acrylic resin layer disposed on one surface.
  • various additives for example, ultraviolet absorbers
  • a preferable example of the surface protective layer having high weather resistance is an acrylic resin layer to which an ultraviolet absorber is added.
  • the ultraviolet absorber include, but are not limited to, benzotriazole-based, benzophenone-based, salicylate-based, cyanoacrylate-based, nickel-based, and triazine-based ultraviolet absorbers.
  • other stabilizers, light stabilizers, antioxidants and the like may be used in combination.
  • a protective sheet contains the resin layer for joining with high adhesiveness with a sealing material.
  • the sealing material is made of an ethylene-vinyl acetate copolymer
  • the bonding resin layer include polyethylene terephthalate having improved adhesion to the ethylene-vinyl acetate copolymer.
  • Each layer constituting the protective sheet may be bonded using a known adhesive or the above-described adhesive layer.
  • the quantum dot phosphor dispersed resin molded body is used.
  • the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body is obtained by dispersing a quantum dot phosphor in a resin to obtain a dispersion (composition) and molding the dispersion.
  • molding method is not specifically limited, A well-known method can be used.
  • the dispersing resin a cycloolefin (co) polymer is preferable.
  • cycloolefin (co) polymer examples include a cycloolefin polymer (COP) represented by the following formula [Q-1] or a cycloolefin copolymer (COC) represented by the following formula [Q-2]. Is mentioned. A commercial item can be used as such a cycloolefin (co) polymer.
  • COP cycloolefin polymer
  • COC cycloolefin copolymer
  • ZEONEX registered trademark
  • APL5014DP manufactured by Mitsui Chemicals, chemical structure;-(C 2 H 4 ) x (C 12 H 16 ) y- ; subscripts x and y are real numbers larger than 0 and smaller than 1, and represent a copolymerization ratio
  • R 1 and R 2 are each independently the same or different and are each a hydrogen atom; a linear or branched saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; a halogen of chlorine or fluorine And a monovalent group selected from the group consisting of a trihalomethyl group in which the halogen atom is a chlorine atom or a fluorine atom.
  • the hydrocarbon groups of R 1 and R 2 may be bonded to each other at adjacent substitution sites to form at least one cyclic structure of a 5- to 7-membered saturated hydrocarbon.
  • r is a positive integer.
  • R 3 represents a hydrogen atom; a linear or branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) having 1 to 6 carbon atoms; a chlorine or fluorine halogen atom; and the halogen atom is a chlorine atom Alternatively, it represents a monovalent group selected from the group consisting of trihalomethyl groups which are fluorine atoms.
  • R 4 and R 5 are each independently the same or different and are each a hydrogen atom; a linear or branched saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; a chlorine or fluorine halogen atom; A monovalent group selected from the group consisting of a trihalomethyl group which is an atom or a fluorine atom.
  • the hydrocarbon groups of R 4 or R 5 may be bonded to each other at adjacent substitution sites to form at least one cyclic structure of a 5- to 7-membered saturated hydrocarbon.
  • the cycloolefin polymer (COP) represented by the formula [Q-1] can be obtained, for example, by performing ring-opening metathesis polymerization using norbornenes as a raw material and using a Grubbs catalyst, followed by hydrogenation.
  • the cycloolefin copolymer (COC) represented by the formula [Q-2] is obtained, for example, by copolymerization with ethylene or the like using a norbornene as a raw material and using a metallocene catalyst or the like.
  • the method of dispersing the quantum dot phosphor in the resin is not particularly limited, but the dispersion liquid in which the quantum dot phosphor is dispersed in a dispersion medium is added to a solution obtained by dissolving the resin in a solvent under an inert gas atmosphere. It is preferable to add and knead under.
  • the dispersion medium used in that case is preferably a solvent that dissolves the resin, and more preferably, the dispersion medium and the solvent are the same.
  • the solvent and the dispersion medium can be used without limitation, but preferably a hydrocarbon solvent such as toluene, xylene (o-, m- or p-), ethylbenzene, tetralin and the like can be used.
  • chlorinated hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene (o-, m- or p-), and trichlorobenzene can also be used.
  • chlorinated hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene (o-, m- or p-), and trichlorobenzene can also be used.
  • helium gas, argon gas, and nitrogen gas are mentioned as an inert gas used at the above process, These may be used independently and may be mixed and used for arbitrary ratios.
  • the quantum dot phosphor applied to the first embodiment is a phosphor exhibiting a quantum effect when the particle diameter is 1 to 100 nm and is several tens of nm or less.
  • the particle size of the quantum dot phosphor is preferably in the range of 2 to 20 nm.
  • the structure of the quantum dot phosphor is composed of an inorganic phosphor core and a capping layer (for example, an organic passive layer having an aliphatic hydrocarbon group) coordinated on the surface of the inorganic phosphor.
  • the (metal part) is covered with an organic passive layer.
  • an organic passivating layer is coordinated to the core surface on the surface of the quantum dot phosphor particles mainly for the purpose of preventing aggregation.
  • the organic passivation layer also called shell
  • the organic passivation can be selected according to the purpose, and for example, it is a linear or branched organic molecule having an aliphatic hydrocarbon having about 6 to 18 carbon atoms (for example, an alkyl group). May be.
  • inorganic phosphors include group II-VI compound semiconductor nanocrystals, group III-V compound semiconductor nanocrystals, and the like.
  • the form of these nanocrystals is not particularly limited.
  • a crystal having a core-shell structure in which a core part of InP nanocrystal is coated with a shell part made of ZnS / ZnO or the like A crystal having a structure in which the boundary of the shell is not clear and the composition changes in a gradient, or a mixed crystal or two or more types of nanocrystals in which two or more types of compound crystals are partially separated in the same crystal Examples include alloys of crystalline compounds.
  • a capping agent coordinated on the surface of the inorganic phosphor (reagent for forming an organic passivating layer), it has 2 to 30 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 6 carbon atoms.
  • Organic molecules having an aliphatic hydrocarbon group having 18 straight-chain structures or branched structures are exemplified.
  • a capping agent coordinated on the surface of the inorganic phosphor (a reagent for forming an organic passivation layer) has a functional group for coordination with the inorganic phosphor.
  • Examples of such a functional group include a carboxyl group, amino group, amide group, nitrile group, hydroxyl group, ether group, carbonyl group, sulfonyl group, phosphonyl group, and mercapto group.
  • a carboxyl group is preferable.
  • the composition used for the manufacture of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded article for the electronic device including the quantum dot phosphor of Embodiment 1 contains a resin (eg, cycloolefin (co-olefin) in a concentration range of 0.01 to 20% by mass. )
  • the polymer is uniformly dispersed with quantum dot phosphors.
  • the composition containing the quantum dot phosphor of Embodiment 1 preferably has a cycloolefin (concentration range of more than 0.1% by mass and less than 15% by mass, more preferably more than 1% by mass and less than 10% by mass.
  • the quantum dot phosphor should be uniformly dispersed in the (co) polymer.
  • the concentration of the quantum dot fluorescent substance is less than 0.01 mass%, sufficient light emission intensity
  • the concentration of the quantum dot phosphor exceeds 20% by mass, the quantum dot phosphor may be aggregated, and the quantum dot phosphor dispersed resin molded body in which the quantum dot phosphor is uniformly dispersed is obtained. It cannot be obtained and is not preferable.
  • the quantum dot phosphor used in Embodiment 1 is manufactured by using a metal precursor from which a nanocrystal of a desired compound semiconductor is obtained, and then this is further dispersed in an organic solvent.
  • the quantum dot fluorescent substance which has the structure where the hydrocarbon group coordinated to the surface of inorganic fluorescent substance can be prepared by processing a nanocrystal with a predetermined reactive compound (compound of a shell part).
  • the treatment method is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a nanocrystal dispersion is refluxed in the presence of a reactive compound.
  • a method for producing the quantum dot phosphor for example, a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-199963 may be used.
  • the amount of hydrocarbon groups constituting the organic passivating layer covering the surface of the inorganic phosphor (core portion) is not particularly limited, but usually one inorganic phosphor particle (
  • the hydrocarbon chain of the hydrocarbon group is 2 to 500 mol, preferably 10 to 400 mol, more preferably 20 to 300 mol, relative to the core).
  • the hydrocarbon chain is less than 2 mol, the function as the organic passive layer cannot be imparted, and for example, the phosphor particles tend to condense.
  • the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body according to Embodiment 1 may be manufactured by molding a composition containing the quantum dot phosphor into a molded product.
  • This molded product works effectively as a molded product that absorbs at least a part of the light emitted from the light source and emits secondary light from the quantum dot phosphor contained in the molded product.
  • a method for molding a composition containing a quantum dot phosphor for example, after applying the composition to a substrate or filling a mold, the solvent is removed by heating and drying in the inert gas atmosphere, There is a method of peeling from a material or a mold.
  • the composition containing quantum dot fluorescent substance can also be used as a sealing material which seals an LED chip.
  • Examples of the method for producing a quantum dot phosphor-dispersed resin molded body include a step of preparing a solution in which a cycloolefin-based (co) polymer is dissolved in a solvent, and a quantum dot phosphor in the molded body obtained in the solution.
  • a step of applying the composition containing the composition to a substrate or filling the mold into a mold and drying by heating.
  • the solvent and the dispersion medium are as described above.
  • Quantum dot phosphor-dispersed resin molded body can be produced by heating and drying, or a resin lens, a resin plate, a resin film, etc. can be produced by pressure molding.
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of an example of a light emitting device using a composition containing the quantum dot phosphor according to the first embodiment as at least a part of a sealing material.
  • the light emitting device 100 includes an LED chip 10, a lead electrode 12, a cup 14, and sealing materials 16 and 17.
  • the resin lens 20 is disposed on the light emitting device 100 as necessary.
  • the cup 14 can be formed of an appropriate resin or ceramic.
  • the LED chip 10 is not limited, the light emitting diode which comprises the light source of a suitable wavelength in cooperation with quantum dot fluorescent substance can be used.
  • the sealing material 16 can be formed using the composition containing the quantum dot fluorescent substance in which the quantum dot fluorescent substance 18 was disperse
  • a white light source that emits white light from the sealing material 16 using light emitted from the LED chip 10 can be formed.
  • the sealing material 17 seals LED, a lead wire, etc., and is comprised by resin normally used as sealing resin of LED, such as an epoxy resin or a silicone resin.
  • Production of these sealing material 16 and sealing material 17 is performed by injecting a predetermined amount of resin (for example, epoxy resin or silicone resin) into the cup 14 in an inert gas (for example, argon gas) atmosphere, It solidifies by a well-known method, forms the sealing material 17, and inject
  • a lens-shaped resin (resin lens 20) formed of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body, or at least a part thereof has a convex portion above the sealing material 16 accommodated in the cup 14. It is good also as a structure which arrange
  • the thickness of the said sealing material 16 is 0.01 mm or more and less than 0.4 mm.
  • the sealing material 16 When the thickness of the sealing material 16 exceeds 0.4 mm, the lead electrode 12 is sealed when the sealing material 16 is sealed in the concave portion of the cup 14, although depending on the depth in the concave portion of the cup 14. An excessive load is applied to the wire connected to the wire, which is not preferable.
  • the composition containing the quantum dot phosphor is used for at least a part of the LED chip sealing material, the sealing material 16 has a thickness of less than 0.01 mm. Not enough as a material.
  • the quantum dot phosphor 18 is not dispersed in the sealing material 16, it is preferable to dispose a lens-shaped resin 20 (resin lens 20) formed of a quantum dot phosphor-dispersed resin molded body.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of an example of a light emitting device using the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body according to Embodiment 1, and the same elements as those in FIG. FIG. 3 is an example of a light-emitting device that does not use the composition containing the quantum dot phosphor according to the first embodiment as a sealing material.
  • the lens-shaped resin (resin lens 20) is a quantum dot formed by molding a composition in which the quantum dot phosphor 18 is dispersed in a cycloolefin (co) polymer in a concentration range of 0.01 to 20% by mass. It is formed of a phosphor-dispersed resin molded body.
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of an example of a light-emitting device using the composition including the quantum dot phosphor according to the first embodiment and the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body, and the same elements as those in FIG. Is attached.
  • FIG. 4 shows a light-emitting device in which the composition containing the quantum dot phosphor according to the first embodiment is used as a part of a sealing material, and a resin lens 20 made of a quantum dot phosphor-dispersed resin molded body is disposed on the composition.
  • the quantum dot phosphor 18 is formed in any resin by being dispersed in a cycloolefin (co) polymer in a concentration range of 0.01 to 20% by mass.
  • a mobile phone, a television, Electronic devices such as displays and panels, and mechanical devices such as automobiles, computers, and game machines incorporating the electronic devices can be driven stably for a long time.
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view of an example of a structure including the quantum dot phosphor according to the second embodiment.
  • the structure including the quantum dot phosphor includes a quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 22 in which the quantum dot phosphor 18 is dispersed in a dispersion resin in a concentration range of 0.01 to 20% by mass.
  • a gas barrier layer (protective sheet) 24 that covers the entire surface of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 22 and reduces permeation of oxygen or the like to the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 22.
  • the gas barrier layer 24 may be configured to cover a part of the surface of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 22 (see FIGS. 6 and 7).
  • the gas barrier layer 24 is preferably one that can reduce the permeation of water vapor in addition to oxygen.
  • the gas barrier layer 24 means that the spectral radiant energy of the quantum dot phosphor 18 when the light emitting diode (LED) continuously emits light for 2,000 hours in the vicinity of the structure including the quantum dot phosphor is an initial value of 80.
  • the electronic device of the present invention preferably has a spectral radiant energy of 85.0% or more of the initial value when the light is continuously emitted for 2,000 hours, and is 89.0% or more. Some are more preferable, and more preferably 90.0% or more.
  • the spectral radiant energy is radiant energy at the fluorescence wavelength of the quantum dot phosphor.
  • the cycloolefin (co) polymer described in the first embodiment can be used as the dispersing resin constituting the quantum dot phosphor dispersed resin molded body 22.
  • the manufacturing method of the quantum dot fluorescent substance dispersion resin molding demonstrated in Embodiment 1 is applicable.
  • the gas barrier layer 24 can be composed of the multilayer structure of the present invention. Since these materials all have high gas barrier properties, the quantum dot phosphor 18 can be protected from oxygen, water, and the like by using them to form the gas barrier layer 24.
  • the multilayer structure of the present invention constituting the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 22 and the gas barrier layer 24 described above has light transmittance, and the light generated by the light emitting diodes is converted into the quantum dot phosphor. 18 and the light whose wavelength is converted by the quantum dot phosphor 18 can be transmitted to the outside of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 22.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of an example of a light emitting device to which a structure including a quantum dot phosphor according to the second embodiment is applied.
  • the light emitting device 100 includes an LED chip 10, a lead electrode 12, a cup 14, a sealing material 16 in which quantum dot phosphors 18 are dispersed, a sealing material 17 in which quantum dot phosphors 18 are not dispersed, and
  • the gas barrier layer 24 is included.
  • the gas barrier layer 24 is used as a lid of the cup 14.
  • the sealing material 16 is comprised by the said quantum dot fluorescent substance dispersion
  • the sealing material 16 and the sealing material 17 can be manufactured in the same manner as in FIG. Among these components, the quantum dot phosphor 18, the quantum dot phosphor dispersed resin molded body 22, and the gas barrier layer 24 are as described above.
  • the LED chip 10 is not limited, but a light emitting diode that constitutes a light source of an appropriate wavelength in cooperation with the quantum dot phosphor can be used.
  • the cup 14 can be formed of an appropriate resin or ceramic.
  • the sealing material 17 is formed of an epoxy resin, a silicone resin, or the like, and seals the LED chip 10, the lead electrode 12, and the like.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view of another example of the light emitting device to which the structure including the quantum dot phosphor according to the second embodiment is applied, and the same elements as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals.
  • the surface of the cup 14 including the lid portion of FIG. 6) and the surface of the lead electrode 12 exposed to the outside of the cup 14 are covered with the gas barrier layer 24.
  • a part of the surface of the lead electrode 12 is exposed without being covered with the gas barrier layer 24. This is because, for example, electrical connection is established with a power supply path on the mounting board.
  • the gas barrier layer 24 covers the upper surface of the sealing material 16 in the figure.
  • the quantum dot phosphor 18 dispersed in the sealing material 16 it is possible to avoid or reduce the penetration of oxygen or the like to the quantum dot phosphor 18 dispersed in the sealing material 16. Further, a part of the light from the LED chip 10 is converted into light of another wavelength by the quantum dot phosphor 18 dispersed in the sealing material 16, and then mixed with the light from the LED chip 10 to form a gas barrier. It passes through the layer 24 and is taken out to the outside.
  • the lid of the cup 14 is formed of the gas barrier layer 24 and covers the upper surface of the sealing material 16 in the figure. Thereby, it is possible to avoid or reduce the penetration of oxygen or the like to the quantum dot phosphor 18 dispersed in the sealing material 16.
  • the above-described quantum dot phosphor dispersed resin composition or molded body thereof or a structure containing the quantum dot phosphor includes, for example, plant growth illumination, colored illumination, white illumination, LED backlight light source, phosphor-containing liquid crystal It can also be applied to filters, phosphor-containing resin plates, light sources for hair growth equipment, light sources for communication, and the like.
  • the multilayer structure used for the electronic device of the present invention (preferably an electronic device including a quantum dot phosphor) includes a base material (X) and a layer (Y) laminated on the base material (X).
  • the layer (Y) contains a metal oxide (A), a phosphorus compound (B), and a cation ( Z ) having an ionic value (F Z ) of 1 or more and 3 or less.
  • the phosphorus compound (B) contains a site capable of reacting with the metal oxide (A).
  • the number of moles (N M ) of the metal atoms (M) constituting the metal oxide (A) and the number of moles of phosphorus atoms (N P ) derived from the phosphorus compound (B) are 0 .8 ⁇ N M / N P ⁇ 4.5 is satisfied.
  • the number of moles (N M ) of metal atoms (M) constituting the metal oxide (A) the number of moles (N Z ) of cations (Z), and ions of cations (Z)
  • the value (F Z ) satisfies the relationship of 0.001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.60.
  • a metal atom (M) means all the metal atoms contained in a metal oxide (A).
  • the metal oxide (A) and the phosphorus compound (B) contained in the layer (Y) may be reacted. Further, the cation (Z) may form a salt with the phosphorus compound (B) in the layer (Y).
  • the part constituted by the metal oxide (A) in the reaction product is regarded as the metal oxide (A).
  • the phosphorus compound (B) is reacted in the layer (Y)
  • the number of moles of phosphorus atoms derived from the phosphorus compound (B) in the reaction product is the number of phosphorus atoms derived from the phosphorus compound (B). It is included in the number of moles (N P ).
  • the cation (Z) forms a salt in the layer (Y)
  • the number of moles of the cation (Z) constituting the salt is included in the number of moles of the cation (Z) (N Z ).
  • the multilayer structure of the present invention exhibits excellent barrier properties by satisfying the relationship of 0.8 ⁇ N M / N P ⁇ 4.5 in the layer (Y). Moreover, the multilayer structure of the present invention satisfies the relationship of 0.001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.60 in the layer (Y), whereby the multilayer structure used for the electronic device of the present invention. Shows excellent barrier properties even after receiving physical stress such as stretching treatment.
  • the ratio of N M, N P, and N Z (molar ratio) can be regarded as equal to those of the ratio used in preparing the first coating liquid (U).
  • the material in particular of base material (X) is not restrict
  • the material of the substrate (X) include resins such as thermoplastic resins and thermosetting resins; wood; glass; metal; metal oxides and the like. Among these, a thermoplastic resin and a fiber assembly are preferable, and a thermoplastic resin is more preferable.
  • the form of the substrate (X) is not particularly limited, and may be a layered form such as a film or a sheet.
  • a base material (X) what contains at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a thermoplastic resin film and an inorganic vapor deposition layer is preferable.
  • the base material in this case may be a single layer or a multilayer.
  • base material (X) what contains a thermoplastic resin film layer is more preferable, and in addition to a thermoplastic resin film layer, you may further contain inorganic vapor deposition layer (X ').
  • thermoplastic resin used for the substrate (X) examples include polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene; polyethylene terephthalate (PET), polyethylene-2,6-naphthalate, polybutylene terephthalate, and copolymers thereof.
  • Polyester resins such as nylon-6, nylon-66, nylon-12, etc .; hydroxyl group-containing polymers such as polyvinyl alcohol and ethylene-vinyl alcohol copolymers; polystyrene; poly (meth) acrylic acid esters; polyacrylonitrile; Polyvinyl acetate; Polycarbonate; Polyarylate; Regenerated cellulose; Polyimide; Polyetherimide; Polysulfone; Polyethersulfone; Polyetheretherketone; Ionomer resin.
  • the material for the substrate (X) is preferably at least one thermoplastic resin selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, nylon-6, and nylon-66.
  • the substrate (X) may be a stretched film or an unstretched film.
  • a stretched film, particularly a biaxially stretched film is preferred because the processability (for example, suitability for printing and lamination) of the resulting multilayer structure is excellent.
  • the biaxially stretched film may be a biaxially stretched film produced by any one of a simultaneous biaxial stretching method, a sequential biaxial stretching method, and a tubular stretching method.
  • the inorganic vapor deposition layer (X ′) preferably has a barrier property against oxygen and water vapor, and more preferably has transparency.
  • the inorganic vapor deposition layer (X ′) can be formed by vapor-depositing an inorganic substance.
  • the inorganic substance for example, metal (for example, aluminum), metal oxide (for example, silicon oxide, aluminum oxide), metal nitride (for example, silicon nitride), metal nitride oxide (for example, silicon oxynitride), or metal Examples thereof include carbonitrides (for example, silicon carbonitride).
  • an inorganic vapor deposition layer formed of aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, or silicon nitride is preferable from the viewpoint of excellent barrier properties against oxygen and water vapor.
  • the formation method of the inorganic vapor deposition layer (X ′) is not particularly limited, and a physical vapor phase such as a vacuum vapor deposition method (for example, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, molecular beam epitaxy method), a sputtering method, an ion plating method, or the like. Growth method, thermal chemical vapor deposition method (for example, catalytic chemical vapor deposition method), photochemical vapor deposition method, plasma chemical vapor deposition method (for example, capacitively coupled plasma, inductively coupled plasma, surface wave plasma, electron cyclotron resonance) , Dual magnetron, atomic layer deposition, etc.), chemical vapor deposition such as metal organic chemical vapor deposition.
  • a vacuum vapor deposition method for example, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, molecular beam epitaxy method
  • a sputtering method an ion plating method, or the like.
  • Growth method thermal chemical vapor deposition method (
  • the thickness of the inorganic vapor-deposited layer (X ′) varies depending on the types of components constituting the inorganic vapor-deposited layer (X ′), but is preferably in the range of 0.002 to 0.5 ⁇ m, preferably 0.005 to 0.00. More preferably, it is in the range of 2 ⁇ m, more preferably in the range of 0.01 to 0.1 ⁇ m. Within this range, a thickness that improves the barrier properties and mechanical properties of the multilayer structure may be selected.
  • the thickness of the inorganic vapor deposition layer (X ′) is less than 0.002 ⁇ m, the reproducibility of the development of the barrier property of the inorganic vapor deposition layer against oxygen or water vapor tends to be reduced, and the inorganic vapor deposition layer has sufficient barrier properties. May not be expressed. Further, if the thickness of the inorganic vapor deposition layer (X ′) exceeds 0.5 ⁇ m, the barrier property of the inorganic vapor deposition layer (X ′) tends to be lowered when the multilayer structure is pulled or bent. .
  • the thickness is preferably in the range of 1 to 1,000 ⁇ m from the viewpoint of improving the mechanical strength and workability of the resulting multilayer structure. More preferably, it is in the range of 500 ⁇ m, more preferably in the range of 9 to 200 ⁇ m.
  • the metal atom (M) constituting the metal oxide (A) preferably has a valence of 2 or more.
  • the metal atom (M) include a metal atom of Group 2 of the periodic table such as magnesium and calcium; a metal atom of Group 4 of the periodic table such as titanium and zirconium; a metal atom of Group 12 of the periodic table such as zinc; There can be mentioned group 13 metal atoms of the periodic table such as boron and aluminum; group 14 metal atoms of the periodic table such as silicon. Note that boron and silicon may be classified as metalloid atoms, but in this specification, these are included in metal atoms.
  • the metal atom (M) may be one type or two or more types.
  • the metal atom (M) is selected from the group consisting of aluminum, titanium, and zirconium because the productivity of the metal oxide (A) and the gas barrier property and water vapor barrier property of the resulting multilayer structure are more excellent. It is preferable that it is at least one kind, and aluminum is more preferable. That is, the metal atom (M) preferably contains aluminum.
  • the total proportion of aluminum, titanium and zirconium in the metal atom (M) is usually 60 mol% or more, and may be 100 mol%. Further, the proportion of aluminum in the metal atom (M) is usually 50 mol% or more, and may be 100 mol%.
  • the metal oxide (A) is produced by a method such as a liquid phase synthesis method, a gas phase synthesis method, or a solid pulverization method.
  • the metal oxide (A) may be a hydrolysis condensate of the compound (L) having a metal atom (M) to which a hydrolyzable characteristic group is bonded.
  • Examples of the characteristic group include R 1 of the general formula [I] described later.
  • the hydrolysis condensate of compound (L) can be substantially regarded as the metal oxide (A). Therefore, in this specification, "metal oxide (A)” can be read as “hydrolysis condensate of compound (L)", and “hydrolysis condensate of compound (L)” It can also be read as “metal oxide (A)”.
  • the compound (L) contains at least the compound (L 1 ) represented by the following general formula [I]. It is preferable to include 1 type.
  • M 1 is selected from the group consisting of aluminum, titanium, and zirconium.
  • R 1 may have a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), NO 3 , an optionally substituted alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, or a substituent.
  • R 2 represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, an optionally substituted aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, and an optionally substituted carbon.
  • R 1 is an integer of 1 to n.
  • n is equal to the valence of M 1 .
  • R 1 may be the same as or different from each other. If R 2 there are a plurality, R 2 may be different may be identical or different.
  • alkoxy group for R 1 examples include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, benzyloxy group, diphenylmethoxy group, Examples include trityloxy group, 4-methoxybenzyloxy group, methoxymethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, benzyloxymethoxy group, 2-trimethylsilylethoxy group, 2-trimethylsilylethoxymethoxy group, phenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, etc. It is done.
  • acyloxy group for R 1 examples include an acetoxy group, ethylcarbonyloxy group, n-propylcarbonyloxy group, isopropylcarbonyloxy group, n-butylcarbonyloxy, isobutylcarbonyloxy group, sec-butylcarbonyloxy group, tert- Examples thereof include a butylcarbonyloxy group and an n-octylcarbonyloxy group.
  • alkenyloxy group for R 1 examples include allyloxy group, 2-propenyloxy group, 2-butenyloxy group, 1-methyl-2-propenyloxy group, 3-butenyloxy group, 2-methyl-2-propenyloxy group, 2-pentenyloxy group, 3-pentenyloxy group, 4-pentenyloxy group, 1-methyl-3-butenyloxy group, 1,2-dimethyl-2-propenyloxy group, 1,1-dimethyl-2-propenyloxy group 2-methyl-2-butenyloxy group, 3-methyl-2-butenyloxy group, 2-methyl-3-butenyloxy group, 3-methyl-3-butenyloxy group, 1-vinyl-2-propenyloxy group, 5-hexenyl An oxy group etc. are mentioned.
  • Examples of the ⁇ -diketonato group for R 1 include 2,4-pentandionato group, 1,1,1-trifluoro-2,4-pentandionato group, 1,1,1,5,5,5 -Hexafluoro-2,4-pentanedionate group, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptaneedionate group, 1,3-butanedionato group, 2-methyl-1,3-butanedionato group, 2 -Methyl-1,3-butanedionato group, benzoylacetonato group and the like.
  • Examples of the acyl group of the diacylmethyl group of R 1 include 1 to 6 carbon atoms such as formyl group, acetyl group, propionyl group (propanoyl group), butyryl group (butanoyl group), valeryl group (pentanoyl group), and hexanoyl group.
  • An aliphatic acyl group (aroyl group) such as a benzoyl group or a toluoyl group.
  • alkyl group for R 2 examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, Examples include n-hexyl group, isohexyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1,2-dimethylbutyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.
  • Examples of the aralkyl group for R 2 include a benzyl group and a phenylethyl group (phenethyl group).
  • alkenyl group for R 2 examples include a vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, isopropenyl group, 3-butenyl group, 2-butenyl group, 1-butenyl group, and 1-methyl-2-propenyl group.
  • Examples of the aryl group for R 2 include a phenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.
  • Examples of the substituent in R 1 and R 2 include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms such as tert-butoxy group, n-pentyloxy group, isopentyloxy group, n-hexyloxy group, cyclopropyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group; Methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, sec-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, iso Pentyloxycar An alk
  • R 1 includes a halogen atom, NO 3 , an optionally substituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an optionally substituted acyloxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituent.
  • a ⁇ -diketonato group having 5 to 10 carbon atoms which may have, or a diacylmethyl group having an acyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent is preferable.
  • R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent.
  • the M 1, aluminum is preferred.
  • m is preferably 3.
  • the compound (L 1 ) include, for example, aluminum nitrate, aluminum acetate, tris (2,4-pentanedionato) aluminum, trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, tri-n-propoxyaluminum, triisopropoxyaluminum.
  • Aluminum compounds such as tri-n-butoxyaluminum, tri-sec-butoxyaluminum, tri-tert-butoxyaluminum; tetrakis (2,4-pentanedionato) titanium, tetramethoxytitanium, tetraethoxytitanium, tetraisopropoxytitanium Titanium compounds such as tetra-n-butoxytitanium and tetrakis (2-ethylhexoxy) titanium; tetrakis (2,4-pentanedionato) zirconium, tetra-n-propoxyzirconium, Zirconium compounds such as La -n- butoxy zirconium and the like.
  • the compound (L 1 ) is preferably at least one compound selected from triisopropoxyaluminum and tri-sec-butoxyaluminum.
  • a compound (L) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the ratio of the compound (L 1 ) in the compound (L) is not particularly limited as long as the effect of the present invention is obtained.
  • the proportion of the compound other than the compound (L 1 ) in the compound (L) is, for example, preferably 20 mol% or less, more preferably 10 mol% or less, further preferably 5 mol% or less, and even 0 mol%. Good.
  • the hydrolyzate condenses to form a compound in which the metal atom (M) is bonded through the oxygen atom (O).
  • a compound that can be substantially regarded as a metal oxide is formed.
  • a hydroxyl group usually exists on the surface of the metal oxide (A) thus formed.
  • a compound having a ratio of [number of moles of oxygen atom (O) bonded only to metal atom (M)] / [number of moles of metal atom (M)] of 0.8 or more is metal. It shall be included in oxide (A).
  • the oxygen atom (O) bonded only to the metal atom (M) is the oxygen atom (O) in the structure represented by MOM, and the structure represented by MOH.
  • Oxygen atoms bonded to metal atoms (M) and hydrogen atoms (H) such as oxygen atoms (O) in are excluded.
  • the ratio in the metal oxide (A) is preferably 0.9 or more, more preferably 1.0 or more, and further preferably 1.1 or more. Although the upper limit of this ratio is not particularly limited, it is usually represented by n / 2, where n is the valence of the metal atom (M).
  • the compound (L) has a hydrolyzable characteristic group.
  • the hydrolysis condensation reaction does not occur or becomes extremely slow, making it difficult to prepare the target metal oxide (A).
  • the hydrolysis condensate of the compound (L) may be produced from a specific raw material by a method adopted in a known sol-gel method, for example.
  • the raw materials include compound (L), partial hydrolyzate of compound (L), complete hydrolyzate of compound (L), partial hydrolyzed condensate of compound (L), and complete hydrolysis of compound (L). At least one selected from the group consisting of products in which a part of the product is condensed can be used.
  • the phosphorus compound (B) contains a site capable of reacting with the metal oxide (A), and typically contains a plurality of such sites.
  • a phosphorus compound (B) an inorganic phosphorus compound is preferable.
  • the phosphorus compound (B) is preferably a compound containing 2 to 20 sites (atomic groups or functional groups) capable of reacting with the metal oxide (A).
  • Such a part includes a part capable of undergoing a condensation reaction with a functional group (for example, a hydroxyl group) present on the surface of the metal oxide (A).
  • Examples of such a site include a halogen atom directly bonded to a phosphorus atom, an oxygen atom directly bonded to a phosphorus atom, and the like.
  • the functional group for example, hydroxyl group
  • present on the surface of the metal oxide (A) is usually bonded to the metal atom (M) constituting the metal oxide (A).
  • Examples of the phosphorus compound (B) include phosphoric acid, polyphosphoric acid condensed with 4 or more molecules of phosphoric acid, phosphorous acid, phosphonic acid, phosphonous acid, phosphinic acid, phosphinic acid, and the like, and These salts (for example, sodium phosphate), and derivatives thereof (for example, halides (for example, phosphoryl chloride), dehydrates (for example, diphosphorus pentoxide)) and the like can be mentioned.
  • These salts for example, sodium phosphate
  • derivatives thereof for example, halides (for example, phosphoryl chloride), dehydrates (for example, diphosphorus pentoxide)
  • the phosphorus compound (B) may be used alone or in combination of two or more.
  • phosphorus compounds (B) it is preferable to use phosphoric acid alone or to use phosphoric acid and other phosphorus compounds (B) in combination.
  • phosphoric acid By using phosphoric acid, the stability of the first coating liquid (U) described later and the gas barrier property and water vapor barrier property of the resulting multilayer structure are improved.
  • N M / N P When the value of N M / N P is more than 4.5, becomes excessive metal oxide (A) with respect to the phosphorus compound (B), the binding of the metal oxide (A) and phosphorus compound (B) not In addition, since the amount of hydroxyl groups present on the surface of the metal oxide (A) increases, the gas barrier property and its stability tend to decrease.
  • N M / N P when the value of N M / N P is less than 0.8, a phosphorus compound (B) is a metal oxide becomes excessive relative to (A), a surplus that is not involved in binding of the metal oxide (A) The amount of the phosphorus compound (B) increases and the amount of the hydroxyl group derived from the phosphorus compound (B) tends to increase, and the barrier property and its stability tend to decrease.
  • the said ratio can be adjusted with ratio of the quantity of a metal oxide (A) and the quantity of a phosphorus compound (B) in the 1st coating liquid (U) for forming a layer (Y).
  • the ratio of the number of moles (N M ) to the number of moles (N P ) in the layer (Y) is usually the ratio in the first coating liquid (U) and is a metal atom (M) constituting the metal oxide (A).
  • reaction product (D) A reaction product (D) is obtained by reaction of a metal oxide (A) and a phosphorus compound (B).
  • the compound produced by the reaction of the metal oxide (A), the phosphorus compound (B), and another compound is also included in the reaction product (D).
  • the reaction product (D) may partially contain the metal oxide (A) and / or the phosphorus compound (B) that are not involved in the reaction.
  • the cation number (F Z) of the cation ( Z ) is 1 or more and 3 or less.
  • the cation (Z) is a cation containing elements in the 2nd to 7th periods of the periodic table.
  • Examples of the cation (Z) include lithium ion, sodium ion, potassium ion, magnesium ion, calcium ion, titanium ion, zirconium ion, lanthanoid ion (for example, lanthanum ion), vanadium ion, manganese ion, iron ion, and cobalt.
  • Examples include ions, nickel ions, copper ions, zinc ions, boron ions, aluminum ions, and ammonium ions.
  • lithium ions, sodium ions, potassium ions, magnesium ions, calcium ions, and zinc ions are preferable.
  • One kind of cation (Z) may be included, or two or more kinds may be included.
  • the function of the cation (Z) is not clear at present. According to one hypothesis, the cation (Z) suppresses the enlargement of the inorganic compound particles by the interaction with the hydroxyl group of the metal oxide (A) or the phosphorus compound (B), and the barrier layer is formed by filling smaller particles.
  • the performance degradation of the electronic device including the quantum dot phosphor is suppressed. Therefore, when a higher performance deterioration suppressing function is required, it is preferable to use a cation having a small ion valence (F Z ) capable of forming an ionic bond.
  • the value of FZ * NZ is obtained by totaling the value calculated for every cation.
  • the cation (Z) includes 1 mol of sodium ion (Na + ) and 2 mol of calcium ion (Ca 2+ )
  • the cation (Z) can be added to the layer (Y) by dissolving the ionic compound (E) that generates the cation (Z) when dissolved in the solvent in the first coating liquid (U).
  • the cation (Z) counter ions include inorganic anions such as hydroxide ions, chloride ions, sulfate ions, hydrogen sulfate ions, nitrate ions, carbonate ions and hydrogen carbonate ions; acetate ions and stearate ions. And organic acid anions such as oxalate ion and tartrate ion.
  • the ionic compound (E) of the cation (Z) is a metal compound (Ea) or metal oxide (Eb) (excluding the metal oxide (A)) that generates a cation (Z) when dissolved. Also good.
  • the multilayer structure of the present invention, the layer (Y), and the F Z and N Z and N M, is intended to satisfy the relation of 0.001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.60, 0 Those satisfying the relationship of .001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.30 are preferable, and those satisfying the relationship of 0.01 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.30 are more preferable.
  • the layer (Y), F Z and N Z and N P is preferably satisfy the relation of 0.0008 ⁇ F Z ⁇ N Z / N P ⁇ 1.35, 0. Those satisfying the relationship of 001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N P ⁇ 1.00 are more preferable, those satisfying the relationship of 0.0012 ⁇ F Z ⁇ N Z / N P ⁇ 0.35 are more preferable. Those satisfying the relationship of 012 ⁇ F Z ⁇ N Z / N P ⁇ 0.29 are particularly preferable.
  • the layer (Y) may further contain a specific polymer (C).
  • the polymer (C) is, for example, a polymer containing at least one functional group selected from the group consisting of a carbonyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a carboxylic anhydride group, and a carboxyl group salt.
  • polymer (C) having a hydroxyl group examples include polyketone; polyvinyl alcohol, modified polyvinyl alcohol containing 1 to 50 mol% of ⁇ -olefin units having 4 or less carbon atoms, polyvinyl acetal (eg, polyvinyl butyral), and the like.
  • Polyvinyl alcohol polymers ; polysaccharides such as cellulose, starch and cyclodextrin; (meth) acrylic acid polymers such as hydroxyethyl poly (meth) acrylate, poly (meth) acrylic acid, and ethylene-acrylic acid copolymer
  • Maleic polymers such as hydrolyzate of ethylene-maleic anhydride copolymer, hydrolyzate of styrene-maleic anhydride copolymer, hydrolyzate of alternating isobutylene-maleic anhydride copolymer, etc. It is done.
  • polyvinyl alcohol polymers are preferable, and specifically, polyvinyl alcohol and modified polyvinyl alcohol containing 1 to 15 mol% of ⁇ -olefin units having 4 or less carbon atoms are preferable.
  • the saponification degree of the polyvinyl alcohol polymer is not particularly limited, but is preferably 75.0 to 99.85 mol%, more preferably 80.0 to 99.5 mol%.
  • the viscosity average degree of polymerization of the polyvinyl alcohol polymer is preferably from 100 to 4,000, more preferably from 300 to 3,000.
  • the viscosity of a 4% by weight aqueous solution of the polyvinyl alcohol polymer at 20 ° C. is preferably 1.0 to 200 mPa ⁇ s, more preferably 11 to 90 mPa ⁇ s.
  • the saponification degree, the viscosity average polymerization degree, and the viscosity of the 4% by mass aqueous solution are values determined according to JIS K 6726 (1994).
  • the polymer (C) may be a homopolymer of a monomer having a polymerizable group (for example, vinyl acetate or acrylic acid), or may be a copolymer of two or more monomers. Alternatively, it may be a copolymer of a monomer having a carbonyl group, a hydroxyl group and / or a carboxyl group and a monomer having no such group.
  • a polymerizable group for example, vinyl acetate or acrylic acid
  • the number average molecular weight of the polymer (C) is preferably 5,000 or more, and 8, More preferably, it is 000 or more, and it is still more preferable that it is 10,000 or more.
  • the upper limit of the number average molecular weight of the polymer (C) is not particularly limited, and is, for example, 1,500,000 or less.
  • the content of the polymer (C) in the layer (Y) is preferably 50% by mass or less, based on the mass of the layer (Y) (100% by mass). It is more preferably at most mass%, more preferably at most 30 mass%, and may be at most 20 mass%.
  • the polymer (C) may or may not react with the other components in the layer (Y).
  • the layer (Y) in the multilayer structure comprises a metal oxide (A), a compound (L), a phosphorus compound (B), a reaction product (D), a cation (Z) or its compound (E), an acid ( In addition to the acid catalyst used for the hydrolysis condensation, the acid during peptization, etc.) and the polymer (C), other components may be included.
  • Examples of other components include inorganic acid metal salts such as carbonates, hydrochlorides, nitrates, hydrogen carbonates, sulfates, hydrogen sulfates, borates and the like that do not contain cations (Z); cations (Z) Organic acid metal salts such as acetates, stearates, oxalates, tartrates, etc. that do not contain amides; layered clay compounds; crosslinking agents; polymer compounds other than polymer (C); plasticizers; antioxidants; Agents; flame retardants and the like.
  • the content of the other component in the layer (Y) in the multilayer structure is preferably 50% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, based on the mass of the layer (Y). The content is more preferably 10% by mass or less, particularly preferably 5% by mass or less, and may be 0% by mass (excluding other components).
  • the thickness of the layer (Y) (when the multilayer structure has two or more layers (Y), the total thickness of each layer (Y)) is preferably 0.05 to 4.0 ⁇ m, More preferably, the thickness is 0.1 to 2.0 ⁇ m.
  • the thickness per layer (Y) is preferably 0.05 ⁇ m or more from the viewpoint of gas barrier properties.
  • the thickness of the layer (Y) can be controlled by the concentration of the first coating liquid (U) described later used for forming the layer (Y) and the coating method.
  • the maximum absorption wave number in the region of 800 to 1,400 cm ⁇ 1 is preferably in the range of 1,080 to 1,130 cm ⁇ 1 .
  • the metal oxide (A) and the phosphorus compound (B) react to form a reaction product (D)
  • a characteristic absorption band derived from the bond is generated in the infrared absorption spectrum.
  • the obtained multilayer structure has excellent gas barrier properties.
  • the characteristic absorption band is the strongest absorption in the region of 800 to 1,400 cm ⁇ 1 in which absorption derived from bonds between various atoms and oxygen atoms is generally observed, the obtained multilayer structure was found to exhibit even better gas barrier properties.
  • the layer (Y) In the infrared absorption spectrum of the layer (Y), 800 half-value width of the maximum absorption band in the region of ⁇ 1,400cm -1, from the gas barrier properties of the viewpoint of the resulting multilayer structure, 200 cm -1 or less is preferable, 150 cm -1 The following is more preferable, 100 cm ⁇ 1 or less is further preferable, and 50 cm ⁇ 1 or less is particularly preferable.
  • the infrared absorption spectrum of the layer (Y) can be measured by the method described in Examples. However, when measurement by the method described in Examples is not possible, reflection measurement such as reflection absorption method, external reflection method, attenuated total reflection method, etc., scraping the layer (Y) from the multilayer structure, Nujol method, tablet method, etc. Although it may measure by the method of transmission measurement, it is not limited to these.
  • the multilayer structure of the present invention may further include a layer (W).
  • the layer (W) includes a polymer (G1) having a functional group containing a phosphorus atom.
  • the layer (W) is preferably disposed adjacent to the layer (Y). That is, the layer (W) and the layer (Y) are preferably arranged so as to contact each other.
  • a layer (W) is arrange
  • the layer (Y) is preferably disposed between the base material (X) and the layer (W).
  • the layer (W) is disposed on the opposite side (preferably the surface on the opposite side) of the substrate (X) with the layer (Y) in between, and is disposed adjacent to the layer (Y). .
  • the layer (W) may further contain a polymer (G2) having a hydroxyl group and / or a carboxyl group.
  • the polymer (G2) the same polymer (C) can be used.
  • the polymer (G1) will be described below.
  • Polymer (G1) examples of the functional group containing a phosphorus atom that the polymer (G1) having a functional group containing a phosphorus atom has include a phosphoric acid group, a phosphorous acid group, a phosphonic acid group, a phosphonous acid group, a phosphinic acid group, Examples thereof include phosphinic acid groups and salts thereof, and functional groups derived therefrom (for example, (partial) ester compounds, halides (for example, chloride), dehydrates) and the like. Among these, a phosphoric acid group and / or a phosphonic acid group are preferable, and a phosphonic acid group is more preferable.
  • Examples of the polymer (G1) include 6-[(2-phosphonoacetyl) oxy] hexyl acrylate, 2-phosphonooxyethyl methacrylate, phosphonomethyl methacrylate, 11-phosphonoundecyl methacrylate, and methacrylic acid 1
  • Polymers of phosphono (meth) acrylic esters such as 1,1-diphosphonoethyl
  • heavy polymers of phosphonic acids such as vinylphosphonic acid, 2-propene-1-phosphonic acid, 4-vinylbenzylphosphonic acid and 4-vinylphenylphosphonic acid
  • Polymers of phosphinic acids such as vinyl phosphinic acid and 4-vinylbenzyl phosphinic acid
  • phosphorylated starch and the like are examples of the polymer (G1).
  • the polymer (G1) may be a homopolymer of a monomer having at least one phosphorus atom-containing functional group, or may be a copolymer of two or more types of monomers. Further, as the polymer (G1), two or more kinds of polymers composed of a single monomer may be mixed and used. Among these, polymers of phosphono (meth) acrylic acid esters and / or polymers of vinyl phosphonic acids are preferable, and polymers of vinyl phosphonic acids are more preferable.
  • the polymer (G1) is preferably poly (vinylphosphonic acid) or poly (2-phosphonooxyethyl methacrylate), and may be poly (vinylphosphonic acid).
  • the polymer (G1) can also be obtained by hydrolyzing a vinylphosphonic acid derivative such as a vinylphosphonic acid halide or a vinylphosphonic acid ester alone or copolymerized.
  • the polymer (G1) may be a copolymer of a monomer having at least one phosphorus atom-containing functional group and another vinyl monomer.
  • vinyl monomers that can be copolymerized with a monomer having a phosphorus atom-containing functional group include, for example, (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid esters, acrylonitrile, methacrylonitrile, styrene, Examples include nucleus-substituted styrenes, alkyl vinyl ethers, alkyl vinyl esters, perfluoroalkyl vinyl ethers, perfluoroalkyl vinyl esters, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, maleimide, and phenylmaleimide. Among these, (meth) acrylic acid esters, acrylonitrile, styrene, maleimide, and phenylmaleimide are preferable.
  • the proportion of the structural unit derived from the monomer having a phosphorus atom-containing functional group in the total structural unit of the polymer (G1) is 10 mol% or more. It is preferably 20 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, particularly preferably 70 mol% or more, and may be 100 mol%.
  • the molecular weight of the polymer (G1) is not particularly limited, but the number average molecular weight is preferably in the range of 1,000 to 100,000. When the number average molecular weight is in this range, it is possible to achieve both the improvement effect of the bending resistance by laminating the layer (W) and the viscosity stability of the second coating liquid (V) described later at a high level. it can. Further, when the layer (Y) described later is laminated, the bending resistance improving effect can be further enhanced when the molecular weight of the polymer (G1) per phosphorus atom is in the range of 100 to 500.
  • the layer (W) may be composed only of the polymer (G1), may be composed only of the polymer (G1) and the polymer (G2), or may further include other components.
  • examples of other components contained in the layer (W) include inorganic acid metal salts such as carbonates, hydrochlorides, nitrates, hydrogen carbonates, sulfates, hydrogen sulfates and borates; acetates and stearates.
  • Organic acid metal salts such as oxalate and tartrate; metal complexes such as cyclopentadienyl metal complexes (for example, titanocene) and cyano metal complexes (for example, Prussian blue); layered clay compounds; cross-linking agents; Polymer compounds other than G1) and the polymer (G2): plasticizers; antioxidants; ultraviolet absorbers; flame retardants and the like.
  • the content of the other components in the layer (W) is preferably 50% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, further preferably 10% by mass or less, and more preferably 5% by mass. The following is particularly preferable, and may be 0% by mass (excluding other components).
  • the layer (W) does not contain at least one of the metal oxide (A), the phosphorus compound (B), and the cation (Z). Typically, the layer (W) does not contain at least the metal oxide (A).
  • the content of the polymer (G2) in the layer (W) is 85% by mass or less based on the mass of the layer (W) (100% by mass). It is preferably 50% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less.
  • the polymer (G2) may or may not react with the component in the layer (W).
  • the mass ratio of the polymer (G1) to the polymer (G2) is preferably such that the polymer (G1): polymer (G2) is in the range of 15:85 to 100: 0, and 15:85 to 99: More preferably, it is in the range of 1.
  • the thickness per layer of the layer (W) is preferably 0.003 ⁇ m or more from the viewpoint of better resistance to physical stress (for example, bending) of the multilayer structure of the present invention.
  • the upper limit of the thickness of the layer (W) is not particularly limited, but the effect of improving resistance to physical stress reaches saturation at 1.0 ⁇ m or more. Therefore, the upper limit of the total thickness of the layer (W) is preferably 1.0 ⁇ m from the viewpoint of economy.
  • the thickness of the layer (W) can be controlled by the concentration of a second coating liquid (V) described later used for forming the layer (W) and the coating method.
  • the multilayer structure of the present invention can be easily manufactured. Since the matters described for the multilayer structure of the present invention can be applied to the production method of the present invention, redundant description may be omitted. In addition, the matters described for the manufacturing method of the present invention can be applied to the multilayer structure of the present invention.
  • the method for producing a multilayer structure of the present invention includes steps [I], [II] and [III].
  • step [I] the metal oxide (A), the phosphorus compound (B), and the ionic compound (E) of the cation (Z) are mixed, whereby the metal oxide (A), the phosphorus compound ( A first coating liquid (U) containing B) and a cation (Z) is prepared.
  • step [II] the first coating liquid (U) is applied on the base material (X) to form a precursor layer of the layer (Y) on the base material (X).
  • step [III] the precursor layer is heat-treated at a temperature of 110 ° C. or higher to form a layer (Y) on the substrate (X).
  • Step [I] (Preparation of first coating liquid (U))]
  • the metal oxide (A), the phosphorus compound (B), and the ionic compound (E) of the cation (Z) are mixed.
  • a solvent may be added.
  • a cation (Z) is generated from the ionic compound (E).
  • the first coating liquid (U) may contain other compounds in addition to the metal oxide (A), the phosphorus compound (B), and the cation (Z).
  • the first coating solution in (U), and N M and N P it is preferable to satisfy the above relationship. Further, the N M and N Z and F Z, preferably satisfy the above relationship. Further, the N P and N Z and F Z, it is preferable to satisfy the above relationship.
  • the step [I] preferably includes the following steps [Ia] to [Ic].
  • Step [Ia] a step of preparing a liquid containing the metal oxide (A)
  • Step [Ib] a step of preparing a solution containing the phosphorus compound (B)
  • Step [Ic] A step of mixing the liquid containing the metal oxide (A) obtained in the steps [Ia] and [Ib] and the solution containing the phosphorus compound (B).
  • Step [Ib] may be performed before or after step [Ia], or may be performed simultaneously with step [Ia].
  • each step will be described more specifically.
  • a liquid containing the metal oxide (A) is prepared.
  • the liquid is a solution or a dispersion.
  • the liquid is, for example, mixed with the above-described compound (L), water, and, if necessary, an acid catalyst or an organic solvent in accordance with a technique adopted in a known sol-gel method, to condense the compound (L) or It can be prepared by hydrolytic condensation.
  • a dispersion of the metal oxide (A) is obtained by condensing or hydrolyzing the compound (L), a specific treatment (such as peptization or concentration as described above) is performed on the dispersion as necessary.
  • the solvent may be adjusted for control).
  • Step [Ia] may include a step of condensing (for example, dehydrating condensation) at least one selected from the group consisting of compound (L) and a hydrolyzate of compound (L).
  • the type of organic solvent that can be used in the step [Ia] is not particularly limited, and for example, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, water, and mixed solvents thereof are preferable.
  • the content of the metal oxide (A) in the liquid is preferably in the range of 0.1 to 30% by mass, more preferably in the range of 1 to 20% by mass, and 2 to 15% by mass. More preferably, it is in the range.
  • the preparation of the aluminum oxide dispersion is performed by first hydrolyzing and condensing the aluminum alkoxide in an aqueous solution adjusted to pH with an acid catalyst as necessary. A slurry is obtained. Next, the slurry is peptized in the presence of a specific amount of acid to obtain a dispersion of aluminum oxide.
  • the dispersion liquid of the metal oxide (A) containing metal atoms other than aluminum can also be manufactured by the same method.
  • the acid for example, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, lactic acid and butyric acid are preferable, and nitric acid and acetic acid are more preferable.
  • a solution containing the phosphorus compound (B) is prepared.
  • the solution can be prepared by dissolving the phosphorus compound (B) in a solvent.
  • a solvent When the solubility of the phosphorus compound (B) is low, dissolution may be promoted by heat treatment or ultrasonic treatment.
  • the solvent may be appropriately selected according to the type of the phosphorus compound (B), but preferably contains water.
  • the solvent may contain an organic solvent (for example, methanol) as long as it does not hinder the dissolution of the phosphorus compound (B).
  • the content of the phosphorus compound (B) in the solution containing the phosphorus compound (B) is preferably in the range of 0.1 to 99% by mass, more preferably in the range of 45 to 95% by mass, More preferably, it is in the range of -90% by mass.
  • step [Ic] a liquid containing the metal oxide (A) and a solution containing the phosphorus compound (B) are mixed.
  • the temperature at the time of mixing at 30 ° C. or lower (for example, 20 ° C.)
  • the first coating liquid (U) having excellent storage stability may be obtained.
  • the compound (E) containing a cation (Z) may be added in at least one step selected from the group consisting of step [Ia], step [Ib], and step [Ic]. However, it may be added in any one of them.
  • the compound (E) may be added to the liquid containing the metal oxide (A) in the step [Ia] or the solution containing the phosphorus compound (B) in the step [Ib].
  • -C] may be added to a mixed solution of the liquid containing the metal oxide (A) and the solution containing the phosphorus compound (B).
  • the first coating liquid (U) may contain a polymer (C).
  • the method for including the polymer (C) in the first coating liquid (U) is not particularly limited.
  • the polymer (C) may be added and mixed as a solution to any one of the liquid containing the metal oxide (A), the solution containing the phosphorus compound (B), and the mixed solution thereof. You may make it melt
  • the first coating liquid (U) may contain at least one acid compound (J) selected from hydrochloric acid, nitric acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, and trichloroacetic acid, if necessary.
  • the content of the acid compound (J) is preferably in the range of 0.1 to 5.0% by mass, and more preferably in the range of 0.5 to 2.0% by mass. Within these ranges, the effect of adding the acid compound (J) can be obtained, and the acid compound (J) can be easily removed.
  • the addition amount of the acid compound (J) may be determined in consideration of the residual amount.
  • the mixed liquid obtained in the step [Ic] can be used as it is as the first coating liquid (U).
  • the solvent contained in the liquid containing the metal oxide (A) or the solution containing the phosphorus compound (B) is the solvent for the first coating liquid (U).
  • the first coating liquid (U) may be prepared by performing treatments such as addition of an organic solvent, adjustment of pH, adjustment of viscosity, addition of additives, and the like on the mixed solution.
  • an organic solvent, the solvent etc. which are used for preparation of the solution containing a phosphorus compound (B) are mentioned, for example.
  • the solid content concentration of the first coating liquid (U) is 1 to 20 It is preferably in the range of mass%, more preferably in the range of 2 to 15 mass%, still more preferably in the range of 3 to 10 mass%.
  • the solid content concentration of the first coating liquid (U) is, for example, adding a predetermined amount of the first coating liquid (U) to the petri dish, heating the petri dish to remove volatile components such as a solvent, and the remaining solid mass Is calculated by dividing by the mass of the first coating liquid (U) added first.
  • the first coating liquid (U) has a viscosity measured with a Brookfield rotational viscometer (SB type viscometer: rotor No. 3, rotation speed 60 rpm) at a coating temperature of 3,000 mPa ⁇ s or less. Preferably, it is 2,500 mPa ⁇ s or less, and more preferably 2,000 mPa ⁇ s or less. When the viscosity is 3,000 mPa ⁇ s or less, the leveling property of the first coating liquid (U) is improved, and a multilayer structure that is more excellent in appearance can be obtained.
  • SB type viscometer Brookfield rotational viscometer
  • a viscosity of a 1st coating liquid (U) 50 mPa * s or more is preferable, 100 mPa * s or more is more preferable, 200 mPa * s or more is further more preferable.
  • the first coating solution in (U), and N M and N P satisfies the relationship 0.8 ⁇ N M / N P ⁇ 4.5.
  • the first coating liquid in (U), and N M and N Z and F Z satisfies the relationship 0.001 ⁇ F Z ⁇ N Z / N M ⁇ 0.60.
  • the first coating liquid in (U), F Z and N Z and N P is, preferably satisfy the relation of 0.0008 ⁇ F Z ⁇ N Z / N P ⁇ 1.35.
  • step [II] (Coating of first coating liquid (U))]
  • the first coating liquid (U) is applied on the base material (X) to form a precursor layer of the layer (Y) on the base material (X).
  • the first coating liquid (U) may be applied directly on at least one surface of the substrate (X).
  • the surface of the substrate (X) is treated with a known anchor coating agent, or a known adhesive is applied to the surface of the substrate (X).
  • the adhesive layer (H) may be formed on the surface of the substrate (X).
  • the method for coating the first coating liquid (U) on the substrate (X) is not particularly limited, and a known method can be adopted.
  • Coating methods include, for example, casting method, dipping method, roll coating method, gravure coating method, screen printing method, reverse coating method, spray coating method, kiss coating method, die coating method, metalling bar coating method, chamber doctor combined coating Method, curtain coating method, and the like.
  • the precursor layer of the layer (Y) is formed by removing the solvent in the first coating liquid (U).
  • a well-known drying method is applicable. Examples of the drying method include a hot air drying method, a hot roll contact method, an infrared heating method, and a microwave heating method.
  • the drying treatment temperature is preferably 0 to 15 ° C. lower than the flow start temperature of the substrate (X).
  • the drying treatment temperature is preferably 15 to 20 ° C. lower than the thermal decomposition start temperature of the polymer (C).
  • the drying treatment temperature is preferably in the range of 70 to 200 ° C, more preferably in the range of 80 to 180 ° C, and further preferably in the range of 90 to 160 ° C.
  • the removal of the solvent may be carried out under normal pressure or reduced pressure. Further, the solvent may be removed by a heat treatment in step [III] described later.
  • the first coating liquid (U) When laminating the layer (Y) on both surfaces of the layered substrate (X), the first coating liquid (U) is applied to one surface of the substrate (X), and then the first is removed by removing the solvent. (The precursor layer of the first layer (Y)), and after applying the first coating liquid (U) to the other surface of the substrate (X), the solvent is then removed. A second layer (a precursor layer of the second layer (Y)) may be formed.
  • the composition of the first coating liquid (U) applied to each surface may be the same or different.
  • Step [III] (Treatment of precursor layer of layer (Y))]
  • the precursor layer (precursor layer of layer (Y)) formed in step [II] is heat-treated at a temperature of 140 ° C. or higher to form layer (Y).
  • This heat treatment temperature is preferably higher than the drying treatment temperature after the application of the first coating liquid (U).
  • step [III] a reaction in which metal oxides (A) are bonded to each other via phosphorus atoms (phosphorus atoms derived from phosphorus compound (B)) proceeds.
  • the reaction reaction of the reaction product (D) proceeds.
  • the temperature of the heat treatment is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 170 ° C. or higher, and further preferably 180 ° C. or higher. If the heat treatment temperature is low, it takes a long time to obtain a sufficient degree of reactivity, which causes a decrease in productivity.
  • the preferable upper limit of the temperature of heat processing changes with kinds etc. of base material (X).
  • the heat treatment temperature is preferably 270 ° C. or lower.
  • the temperature of heat processing is 240 degrees C or less.
  • the heat treatment can be performed in air, in a nitrogen atmosphere, or in an argon atmosphere.
  • the heat treatment time is preferably in the range of 0.1 second to 1 hour, more preferably in the range of 1 second to 15 minutes, and still more preferably in the range of 5 to 300 seconds.
  • the method of the present invention for producing a multilayer structure may include a step of irradiating the precursor layer of the layer (Y) or the layer (Y) with ultraviolet rays.
  • the ultraviolet irradiation may be performed after the step [II] (for example, after the removal of the solvent of the coated first coating liquid (U) is almost completed).
  • the surface of the base material (X) is attached to a known anchor before applying the first coating liquid (U). You may process with a coating agent and may apply a well-known adhesive agent to the surface of base material (X).
  • the method for producing a multilayer structure of the present invention may further include steps [i] and [ii].
  • process [i] the 2nd coating liquid (V) containing the polymer (G1) containing a phosphorus atom and a solvent is prepared.
  • step [ii] the layer (W) disposed adjacent to the layer (Y) is formed using the second coating liquid (V).
  • the order of the step [i] is not particularly limited and may be performed in parallel with the step [I], [II] or [III], or may be performed after the step [I], [II] or [III]. Good.
  • Step [ii] can be performed after step [II] or [III].
  • the second coating liquid (V) By applying the second coating liquid (V) to the layer (Y) or the precursor layer of the layer (Y), the layer (W) laminated on the layer (Y) so as to be in contact with the layer (Y) is formed. it can.
  • the 2nd coating liquid (V) contains a polymer (G2).
  • the mass ratio of the polymer (G1) to the polymer (G2) is such that the polymer (G1): polymer (G2) is in the range of 15:85 to 100: 0. Is more preferable, and the range of 15:85 to 99: 1 is more preferable.
  • the layer (W) in which the mass ratio of a polymer (G1) and a polymer (G2) exists in the said range can be formed.
  • the second coating liquid (V) can be prepared by dissolving the polymer (G1) (and the polymer (G2) as necessary) in a solvent.
  • the solvent used in the second coating liquid (V) may be appropriately selected depending on the type of polymer contained, but is preferably water, alcohols, or a mixed solvent thereof.
  • the solvent is ether such as tetrahydrofuran, dioxane, trioxane, dimethoxyethane; ketone such as acetone and methyl ethyl ketone; glycol such as ethylene glycol and propylene glycol; methyl cellosolve, ethyl cellosolve, n-butyl cellosolve. Glycerin; acetonitrile; amides such as dimethylformamide; dimethyl sulfoxide; sulfolane and the like.
  • the concentration of the solid content (polymer (G1), etc.) in the second coating liquid (V) is preferably in the range of 0.01 to 60% by mass from the viewpoint of storage stability of the solution and coating properties. It is more preferably in the range of 0.1 to 50% by mass, and further preferably in the range of 0.2 to 40% by mass.
  • the solid content concentration can be determined by a method similar to the method described for the first coating liquid (U).
  • the solvent in the second coating liquid (V) is removed to form the layer (W).
  • the method for removing the solvent of the second coating liquid (V) is not particularly limited, and a known drying method can be applied. Examples of the drying method include a hot air drying method, a hot roll contact method, an infrared heating method, and a microwave heating method.
  • the drying temperature is preferably 0 to 15 ° C. or lower than the flow start temperature of the substrate (X).
  • the drying temperature is preferably in the range of 70 to 200 ° C, and more preferably in the range of 150 to 200 ° C.
  • the removal of the solvent may be carried out under normal pressure or reduced pressure.
  • the layer (W) may be formed on both sides of the substrate (X) via the layer (Y).
  • the first layer (W) is formed by applying the second coating liquid (V) to one surface and then removing the solvent. Next, the second coating liquid (V) is applied to the other surface, and then the solvent is removed to form the second layer (W).
  • the composition of the second coating liquid (V) applied to each surface may be the same or different.
  • the multilayer structure obtained through the heat treatment in the step [III] can be used as it is as the multilayer structure of the present invention.
  • a laminate in which another member (for example, another layer) is further bonded or formed on the multilayer structure as described above may be used as the multilayer structure of the present invention.
  • the member can be bonded by a known method.
  • the layer (Y) may be laminated so as to be in direct contact with the substrate (X). Moreover, the layer (Y) may be laminated
  • the adhesive layer (H) may be formed of an adhesive resin.
  • the adhesive layer (H) made of an adhesive resin can be formed by treating the surface of the base material (X) with a known anchor coating agent or applying a known adhesive to the surface of the base material (X). .
  • a two-component reactive polyurethane adhesive in which a polyisocyanate component and a polyol component are mixed and reacted is preferable.
  • adhesiveness can be further improved by adding a small amount of additives such as a known silane coupling agent to the anchor coating agent or adhesive.
  • the silane coupling agent include, but are not limited to, a silane coupling agent having a reactive group such as an isocyanate group, an epoxy group, an amino group, a ureido group, or a mercapto group.
  • the thickness of the adhesive layer (H) is preferably from 0.01 to 10.0 ⁇ m, more preferably from 0.03 to 5.0 ⁇ m.
  • the multilayer structure of the present invention may include other layers for imparting various properties, for example, heat sealability, and improving barrier properties and mechanical properties.
  • Such a multilayer structure of the present invention is obtained, for example, by laminating the layer (Y) directly on the base material (X) or via the adhesive layer (H), and then further directly or further bonding the other layer to the adhesive layer ( It can be produced by bonding or forming via H).
  • Examples of other layers include, but are not limited to, an ink layer and a polyolefin layer.
  • the multilayer structure of the present invention may include an ink layer for printing a trade name or a pattern.
  • Such a multilayer structure of the present invention is produced, for example, by directly forming the ink layer after laminating the layer (Y) directly on the substrate (X) or via the adhesive layer (H). it can.
  • the ink layer include a film obtained by drying a liquid obtained by dispersing a polyurethane resin containing a pigment (for example, titanium dioxide) in a solvent, but an ink mainly containing a polyurethane resin not containing a pigment or other resins.
  • a film obtained by drying a resist for forming an electronic circuit wiring may be used.
  • the ink layer As a method of applying the ink layer to the layer (Y), various coating methods such as a wire bar, a spin coater, a die coater, etc. can be used in addition to the gravure printing method.
  • the thickness of the ink layer is preferably 0.5 to 10.0 ⁇ m, more preferably 1.0 to 4.0 ⁇ m.
  • the polymer (G2) when the polymer (G2) is contained in the layer (W), it has a functional group having a high affinity with the adhesive layer (H) and other layers (for example, an ink layer). Adhesion between the layer (W) and other layers is improved. For this reason, barrier performance can be maintained after receiving physical stress such as stretching treatment, and appearance defects such as delamination can be suppressed.
  • the polyolefin layer As the outermost surface layer of the multilayer structure of the present invention, heat sealability can be imparted to the multilayer structure or the mechanical properties of the multilayer structure can be improved.
  • the polyolefin is preferably polypropylene or polyethylene.
  • the polyester is preferably polyethylene terephthalate
  • the polyamide is preferably nylon-6
  • the hydroxyl group-containing polymer is preferably an ethylene-vinyl alcohol copolymer.
  • the multilayer structure may have an adhesive layer such as an adhesive layer (H), but the description of the adhesive layer is omitted in the following specific examples.
  • Layer (Y) / Polyester layer (2) Layer (Y) / Polyester layer / Layer (Y), (3) layer (Y) / polyamide layer, (4) Layer (Y) / Polyamide layer / Layer (Y), (5) Layer (Y) / Polyolefin layer, (6) Layer (Y) / Polyolefin layer / Layer (Y), (7) Layer (Y) / Hydroxyl-containing polymer layer, (8) Layer (Y) / Hydroxyl-containing polymer layer / Layer (Y), (9) Layer (Y) / Inorganic vapor deposition layer / Polyester layer, (10) Layer (Y) / Inorganic vapor deposition layer / Polyamide layer, (11) Layer (Y) / Inorganic vapor deposition layer / Polyolefin layer,
  • the multilayer structure was cut using a focused ion beam (FIB) to prepare a section (thickness 0.3 ⁇ m) for cross-sectional observation.
  • the prepared section was fixed to the sample base with carbon tape, and platinum ion sputtering was performed at an acceleration voltage of 30 kV for 30 seconds.
  • the cross section of the multilayer structure was observed using a field emission transmission electron microscope, and the thickness of each layer was calculated.
  • the measurement conditions were as follows. Apparatus: JEM-2100F manufactured by JEOL Ltd. Accelerating voltage: 200kV Magnification: 250,000 times
  • the multilayer structure was cut into a size of 1 cm ⁇ 1 cm and freeze-ground.
  • the obtained powder was sieved with a sieve having a nominal size of 1 mm (conforming to standard sieve standard JIS-Z8801-1-3).
  • 10 g of the powder that passed through the sieve was dispersed in 50 mL of ion-exchanged water, and an extraction operation was performed at 95 ° C. for 10 hours.
  • Ammonium ions contained in the obtained extract were quantified using a cation chromatography apparatus. The lower limit of detection was 0.02 ppb.
  • the measurement conditions were as follows.
  • the polymer (G1-1) was obtained by vacuum drying at 50 ° C. for 24 hours.
  • the polymer (G1-1) is a polymer of 2-phosphonooxyethyl methacrylate.
  • the number average molecular weight of the polymer was 10,000 in terms of polystyrene.
  • first coating liquid (U-1) The temperature was raised to 70 ° C. while stirring 230 parts by mass of distilled water. To the distilled water, 88 parts by mass of triisopropoxyaluminum was added dropwise over 1 hour, the liquid temperature was gradually raised to 95 ° C., and the generated isopropanol was distilled off to carry out hydrolysis and condensation. To the obtained liquid, 4.0 parts by mass of a 60% by mass aqueous nitric acid solution was added and stirred at 95 ° C. for 3 hours to flocculate the aggregates of hydrolyzed condensate particles.
  • first coating liquid (U-6) ⁇ Example of production of first coating liquid (U-6)>
  • the aqueous solution of sodium hydroxide was not added in the preparation of the dispersion, and the amount of distilled water added was 58.09 parts by mass (the first coating liquid (U-1)).
  • the first coating liquid (U-1) was 58.09 parts by mass (the first coating liquid (U-1)).
  • the first coating liquid (U-1) was 58.19 parts by mass).
  • 0.10 mass part of 1.0 mol% sodium hydroxide aqueous solution was added. Except for these, the first coating solution (U-6) was prepared by the same method as the preparation of the first coating solution (U-1).
  • first coating liquid (U-8) ⁇ Example of production of first coating liquid (U-8)>
  • the first coating liquid (U-8) was prepared in the same manner as the preparation of the first coating liquid (U-5) except that trimethyl phosphate was used instead of phosphoric acid. was prepared.
  • first coating liquid (U-9) ⁇ Example of production of first coating liquid (U-9)> The first coating was prepared in the same manner as the first coating liquid (U-5) except that a 5% by mass polyacrylic acid aqueous solution was used instead of the 5% by mass polyvinyl alcohol aqueous solution. A liquid (U-9) was prepared.
  • first coating liquids (U-7) and (U-10) to (U-18) were prepared in the same manner as the preparation of the first coating liquid (U-5) except that an aqueous solution of various metal salts was used instead of the 1.0 mol% aqueous sodium hydroxide solution.
  • U-7) and (U-10) to (U-18) were prepared.
  • As an aqueous solution of a metal salt a 1.0 mol% sodium chloride aqueous solution is used in the first coating solution (U-7), and a 1.0 mol% lithium hydroxide aqueous solution is used in the first coating solution (U-10).
  • the liquid (U-11) is a 1.0 mol% potassium hydroxide aqueous solution
  • the first coating liquid (U-12) is a 0.5 mol% calcium chloride aqueous solution
  • the first coating liquid (U-13) is 0.00. 5 mol% cobalt chloride aqueous solution, 0.5 mol% zinc chloride aqueous solution in the first coating liquid (U-14), 0.5 mol% magnesium chloride aqueous solution in the first coating liquid (U-15),
  • Mixed solution of aqueous solution of calcium was used first coating liquid (U-18) In a mixed solution of zinc chloride solution of a salt solution (0.5 mol% and 0.5 mol% aqueous solution of calcium chloride).
  • 58.19 parts by mass of distilled water added in the preparation of the first coating liquid (U-1) is 58.00 parts in the first coating liquid (U-34) and the first coating liquid (U-36).
  • the mass was 57.89 parts by mass for the first coating liquid (U-39), and 57.81 parts by mass for the first coating liquid (U-37) and the first coating liquid (CU-5). Except for these changes, the first coating solution (U-34), (U-36), (U-37), (U-39), by the same method as the preparation of the first coating solution (U-1), And (CU-5) were prepared.
  • first coating liquid (CU-1) was prepared in the same manner as the preparation of the first coating liquid (U-1) except that 1.0 mol% aqueous sodium hydroxide solution was not added in the preparation of the dispersion. Prepared.
  • V-2 second coating liquid
  • a mixture containing 91% by mass of the polymer (G1-1) obtained in Synthesis Example 1 and 9% by mass of polyacrylic acid (number average molecular weight 210,000, weight average molecular weight 1,290,000) was prepared.
  • PET12 Stretched polyethylene terephthalate film; manufactured by Toray Industries, Inc., “Lumirror P60” (trade name), thickness 12 ⁇ m 2) PET125: stretched polyethylene terephthalate film; “Lumirror S10” (trade name), manufactured by Toray Industries, Inc., thickness 125 ⁇ m) 3) PET50: Polyethylene terephthalate film with improved adhesion to ethylene-vinyl acetate copolymer; “Shine Beam Q1A15” (trade name) manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 50 ⁇ m 4) ONY: stretched nylon film; manufactured by Unitika Ltd., “Emblem ONBC” (trade name), thickness 15 ⁇ m 5) CPP50: unstretched polypropylene film; “RXC-21” (trade name), 50 ⁇ m thickness, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.
  • CPP60 unstretched polypropylene film; “RXC-21” (trade name), thickness 60 ⁇ m, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. 7) CPP70: unstretched polypropylene film; “RXC-21” (trade name), thickness 70 ⁇ m, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. 8) CPP100: unstretched polypropylene film; “RXC-21” (trade name), 100 ⁇ m thickness, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.
  • PET12 was prepared as a base material (X).
  • the first coating liquid (U-1) is coated using a bar coater so that the thickness after drying is 0.5 ⁇ m, and the coated film is dried at 100 ° C. for 5 minutes. Thereby, the precursor layer of the layer (Y) was formed on the base material. Subsequently, a layer (Y) was formed by heat treatment at 180 ° C. for 1 minute. In this way, a multilayer structure (1-1) having a structure of layer (Y) (0.5 ⁇ m) / PET was obtained.
  • a sample having a size of 21 cm ⁇ 30 cm was cut out from the multilayer structure (1-1), and this sample was left under conditions of 23 ° C. and 50% RH for 24 hours, and then stretched by 5% in the major axis direction under the same conditions. By holding the stretched state for 10 seconds, a multilayer structure (1-1) after the stretching treatment was obtained. Subsequently, the oxygen permeability and moisture permeability before and after the stretching treatment of the multilayer structure (1-1) were measured. The results are shown in Table 2.
  • Example 1-24 By coating the first coating liquid (U-4) on PET 12 using a bar coater so that the thickness after drying is 0.5 ⁇ m, and drying the coated film at 110 ° C. for 5 minutes. A precursor layer of layer (Y) was formed on the substrate. Subsequently, the obtained laminate was heat-treated at 160 ° C. for 1 minute to form a layer (Y). In this way, a multilayer structure having a structure of layer (Y) (0.5 ⁇ m) / PET was obtained. By coating the second coating liquid (V-1) on the layer (Y) of this multilayer structure with a bar coater so that the thickness after drying becomes 0.3 ⁇ m, and drying at 200 ° C. for 1 minute. Layer (W) was formed. Thus, a multilayer structure (1-24) of Example 1-24 having a structure of layer (W) (0.3 ⁇ m) / layer (Y) (0.5 ⁇ m) / PET was obtained.
  • Examples 1-25 to 1-29 Preparation of the multilayer structure (1-24) of Example 1-24, except that the second coating liquids (V-2) to (V-6) were used instead of the second coating liquid (V-1). In the same manner, multilayer structures (1-25) to (1-29) of Examples 1-25 to 1-29 were obtained.
  • a 0.03 ⁇ m thick aluminum oxide vapor deposition layer (X ′) was formed by vacuum vapor deposition.
  • the first coating liquid (U-4) is coated using a bar coater so that the thickness after drying is 0.5 ⁇ m, and the coated film is dried at 110 ° C. for 5 minutes.
  • the precursor layer of the layer (Y) was formed on the base material.
  • a layer (Y) was formed by heat-treating the obtained laminate at 180 ° C. for 1 minute.
  • a multilayer structure (1-30) having a structure of layer (Y) (0.5 ⁇ m) / deposition layer (X ′) (0.03 ⁇ m) / PET was obtained.
  • Example 1-31 On the layer (Y) of the multilayer structure (1-4) obtained in Example 1-4, an aluminum oxide vapor deposition layer (X ′) having a thickness of 0.03 ⁇ m was formed by a vacuum vapor deposition method. A multilayer structure (1-31) having a structure of layer (X ′) (0.03 ⁇ m) / layer (Y) (0.5 ⁇ m) / PET (12 ⁇ m) was obtained.
  • the first coating solution (U-4) was coated on both vapor-deposited layers using a bar coater so that the thickness after drying was 0.5 ⁇ m, and the coated film was coated at 110 ° C. for 5 minutes.
  • the precursor layer of the layer (Y) was formed by drying. Subsequently, a layer (Y) was formed by heat-treating the obtained laminate with a dryer at 180 ° C. for 1 minute.
  • Example 1-33> The first coating solution (U-4) is coated on both sides of PET 12 using a bar coater so that the thickness after drying is 0.5 ⁇ m, and the coated film is dried at 110 ° C. for 5 minutes. Thereby, the precursor layer of the layer (Y) was formed on the base material. Subsequently, a layer (Y) was formed by heat-treating the obtained laminate with a dryer at 180 ° C. for 1 minute. An aluminum oxide vapor deposition layer (X ′) having a thickness of 0.03 ⁇ m was formed on the two layers (Y) of the laminate by a vacuum vapor deposition method.
  • vapor deposition layer (X ′) (0.03 ⁇ m) / layer (Y) (0.5 ⁇ m) / PET / layer (Y) (0.5 ⁇ m) / vapor deposition layer (X ′) (0.03 ⁇ m)
  • a multilayer structure (1-33) having the following structure was obtained.
  • Example 1-34 Implemented in the same manner as in the production of the multilayer structure (1-1) of Example 1-1, except that the first coating liquid (U-34) was used instead of the first coating liquid (U-1). A multilayer structure (1-34) of Example 1-34 was obtained.
  • Example 1-35 Other than using the first coating liquid (U-34) instead of the first coating liquid (U-1) and using the second coating liquid (V-4) instead of the second coating liquid (V-1) In the same manner as in the production of the multilayer structure (1-24) of Example 1-24, the multilayer structure (1-35) of Example 1-35 was obtained.
  • Example 1-36 The first coating solution (U-36) was coated on PET125 using a bar coater so that the thickness after drying was 0.3 ⁇ m, dried at 110 ° C. for 5 minutes, and then 1 at 180 ° C. Heat treatment was performed for a minute. In this way, a multilayer structure (1-36) was obtained.
  • Examples 1-37 to 1-39 The multilayer structure of Example 1-36 except that the first coating liquids (U-37), (U-34), and (U-39) were used instead of the first coating liquid (U-36) (
  • the multilayer structures (1-37) to (1-39) of Examples 1-37 to 1-39 were obtained in the same manner as in the preparation of 1-36).
  • Example 1-7 A comparison was made in the same manner as in the production of the multilayer structure (1-36) of Example 1-36 except that the first coating liquid (CU-7) was used instead of the first coating liquid (U-36). A multilayer structure (CA7) of Example 1-7 was produced.
  • Table 1 shows the formation conditions of the layer (Y), the layer (CY) of the comparative example corresponding to the layer (Y), and the layer (W) in the examples.
  • the symbol in Table 1 represents the following substances.
  • PVA polyvinyl alcohol (PVA124 manufactured by Kuraray Co., Ltd.)
  • PAA polyacrylic acid (Aron-15H manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.)
  • PPEM Poly (2-phosphonooxyethyl methacrylate)
  • PVPA Poly (vinyl phosphonic acid)
  • Example 2 shows the structures of the multilayer structures in the examples and comparative examples, and the evaluation results thereof. In Table 2, “-” indicates that no measurement was performed.
  • the multilayer structures of the examples were able to maintain both gas barrier properties and water vapor barrier properties at a high level even when subjected to strong physical stress.
  • the multilayer structure including the layer (W) in addition to the layer (Y) had a higher barrier property after stretching than the multilayer structure including only the layer (Y).
  • the multilayer structure including the layer (W) and the inorganic vapor deposition layer (X ′) in addition to the layer (Y) had a higher barrier property after stretching than the multilayer structure having only the layer (Y).
  • the quantum efficiency and spectral radiant energy were measured by a quantum efficiency measuring device QE-1000 manufactured by Otsuka Electronics.
  • the spectral radiant energy is radiant energy at the fluorescence wavelength of the quantum dot phosphor used in this example.
  • the molecular structure of the quantum dot phosphor is a nanoparticle having a core / shell structure, a core of InP, a shell of ZnS, and myristic acid as a capping agent, and having a core diameter of 2.1 nm. A thing was used. Thereafter, the dispersion was sufficiently mixed using a rotation / revolution stirrer ARV310-LED manufactured by Sinky Co., Ltd.
  • composition containing the quantum dot phosphor 1.
  • the dispersion was poured into a silicone ring (outer diameter 55 mm ⁇ inner diameter 50 mm ⁇ thickness 1 mm) placed on a petri dish made of polymethylpentene. After air-drying in an argon gas atmosphere as it was to obtain a plate-like molded product, the solvent was completely removed by drying at 40 ° C. for 5 hours in a nitrogen atmosphere, whereby a quantum dot phosphor-dispersed resin molded product 1 was obtained. .
  • the multilayer structure (1-1) described in Example 1-1 is used on the surface of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 1 with an adhesive resin. And a gas barrier layer was formed to obtain a structure 1 containing a quantum dot phosphor.
  • the thickness of the gas barrier layer was 12.5 ⁇ m.
  • the quantum efficiency of the structure 1 containing the quantum dot phosphor was measured by using a quantum efficiency measuring device QE-1000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. and found to be 74%. This value is inferior to the quantum efficiency of 80%, which is obtained when the same measurement is performed with the original quantum dot phosphor toluene dispersion.
  • the structure 1 containing the quantum dot phosphor was placed on a blue LED package of 22 mW and 450 nm, and light was emitted continuously for 2,000 hours in the atmosphere.
  • the spectral radiant energy of the quantum dot phosphor at the initial light emission of the LED was 0.42 mW / nm, whereas the spectral radiant energy after lapse of 2,000 hours was 0.40 mW / nm. Accordingly, the spectral radiant energy after 2,000 hours had kept a high value of 95.2% with respect to the initial value.
  • Example 2-2 Resin containing a quantum dot phosphor having a thickness of 100 ⁇ m, processed at a press pressure of 20 MPa using a press machine heated to 180 ° C. of the quantum dot phosphor dispersed resin molded body 1 obtained in Example 2-1. Film 1 was obtained.
  • an adhesive resin is applied to the multilayer structure (1-1) described in Example 1-1 on the surface of the resin film 1 containing the quantum dot phosphor. They were laminated together to form a gas barrier layer to obtain a structure 2 containing quantum dot phosphors.
  • the thickness of the gas barrier layer was 12.5 ⁇ m.
  • Example 2 When the same measurement as in Example 1 was performed on the structure 2, the quantum efficiency showed a good value of 76%. The results are shown in Table 3.
  • the spectral radiant energy at the initial light emission measured in the same manner as in Example 2-1 was 0.39 mW / nm, and the spectral radiant energy after 2,000 hours elapsed was 0.37 mW / nm. there were. Accordingly, the spectral radiant energy after 2,000 hours had maintained a high value of 94.9% with respect to the initial value.
  • Example 2 In order to protect the quantum dot phosphor from the atmosphere, the same structure as in Example 2-1 was used except that the multilayer structure described in Comparative Example 1-1 was used on the surface of the quantum dot phosphor-dispersed resin molded body 2.
  • the structure 3 containing quantum dot fluorescent substance was obtained by the method.
  • the quantum efficiency of the structure 3 including the quantum dot phosphor was measured by using a quantum efficiency measuring device QE-1000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. and found to be 76%. This value is inferior to the quantum efficiency of 82% obtained when the same measurement is performed with the original quantum dot phosphor toluene dispersion.
  • the structure 1 containing the quantum dot phosphor was placed on a blue LED package of 22 mW and 450 nm, and light was emitted continuously for 2,000 hours in the atmosphere.
  • the spectral radiant energy of the quantum dot phosphor at the initial light emission of the LED was 0.42 mW / nm, whereas the spectral radiant energy after 2,000 hours elapsed was 0.33 mW / nm. Accordingly, the spectral radiant energy after 2,000 hours had decreased to 78.5% with respect to the initial value.
  • the quantum efficiency of the structure 4 containing this quantum dot phosphor was measured using a quantum efficiency measuring device QE-1000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. and found to be 76%. This value is inferior to the quantum efficiency of 82% obtained when the same measurement is performed with the original quantum dot phosphor toluene dispersion.
  • the structure 1 containing the quantum dot phosphor was placed on a blue LED package of 22 mW and 450 nm, and light was emitted continuously for 2,000 hours in the atmosphere.
  • the spectral radiant energy of the quantum dot phosphor at the initial light emission of the LED was 0.42 (mW / nm), whereas the spectral radiant energy after 2,000 hours elapsed was 0.30 (mW / nm). It was. Accordingly, the spectral radiant energy after 2,000 hours had decreased to 71.4% with respect to the initial value.
  • an electronic device using a protective sheet having a multilayer structure that is excellent in gas barrier properties and water vapor barrier properties and has high resistance to physical stress. Therefore, according to the present invention, in addition to the manufacturing stage and the distribution stage, an electronic device that can maintain high characteristics can be obtained even in a use stage that often takes a long time. Furthermore, according to the present invention, a quantum dot phosphor containing a high performance retention even when long-term use in the atmosphere (for example, continuous light emission for 2,000 hours) is suppressed. An electronic device can be provided.

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Abstract

 本発明は、電子デバイス本体1の表面を保護シートで被覆された電子デバイスであって、保護シートは基材(X)と、基材(X)上に積層された層(Y)とを含む多層構造体を含み、層(Y)は、金属酸化物(A)とリン化合物(B)とイオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)とを含有し、リン化合物(B)は、金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有する化合物であり、層(Y)において、金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)とが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たし、かつ、Nと陽イオン(Z)のモル数(N)と、Fとが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たす電子デバイスに関する。

Description

電子デバイス
 本発明は、電子デバイスに関する。より詳しくは、本発明は、基材(X)と、前記基材(X)に積層された層(Y)とを含む多層構造体を備える保護シートを含む電子デバイスに関する。また、本発明は、基材(X)と、前記基材(X)に積層された層(Y)とを含む多層構造体を備える保護シートを含む、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスに関する。
 従来、表示装置内の液晶等の電子デバイスに用いる、アルミニウムを含むガスバリア層を有する複合構造体として、例えば、酸化アルミニウム粒子とリン化合物との反応生成物によって構成される透明ガスバリア層を有する複合構造体が提案されている(特許文献1参照)。
 該ガスバリア層を形成する方法の1つとして、プラスチックフィルム上に酸化アルミニウム粒子とリン化合物を含むコーティング液を塗工し、次いで乾燥および熱処理を行う方法が特許文献1に開示されている。
 しかしながら、前記従来のガスバリア層は、変形や衝撃等の物理的ストレスを受けた際にクラックやピンホールといった欠陥が生じる場合があり、長期間にわたるガスバリア性が充分ではない場合があった。
 また、近年、発光ダイオード(LED)等の電子デバイスにおいて、入射光の波長を変換して放射する蛍光体として量子ドットが使用されるようになった。量子ドット(QD)は発光性の半導体ナノ粒子で、直径の範囲は通常1~20nm相当である。そして、輪郭が明確で3次元かつナノ規模大の半導体結晶に電子が量子的に閉じ込められている。このような量子ドット蛍光体は、凝集が起こりやすく、酸素等により劣化するため、一般に樹脂等の中に分散されて使用される。
 特許文献2には、複数の量子ドットが、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、ポリスチレン、ポリカーボネート、ゾル・ゲル、UV硬化樹脂およびエポキシ等の熱硬化性樹脂により構成されたマトリックス材中に分散されたフラッシュ・モジュールが記載されている。
 しかしながら、樹脂中に分散した量子ドット蛍光体であっても、なお大気中に含まれる酸素や水等により劣化されることがあった。
特開2003-251732号公報 特開2006-114909号公報
 本発明の目的は、物理的ストレスに対する耐性が高くガスバリア性および水蒸気バリア性に優れたに優れた保護シートを備える電子デバイスを提供することにある。また、本発明の目的は、ガスバリア性および水蒸気バリア性に優れた多層構造体を含み、大気下での長期的な使用による劣化が抑制された電子デバイスを提供することにある。なお、本明細書において、「ガスバリア性」とは、特に説明がない限り、水蒸気以外のガスをバリアする性能を意味する。また、本明細書において、単に「バリア性」と記載した場合は、ガスバリア性および水蒸気バリア性の両バリア性を意味する。
 鋭意検討した結果、本発明者らは、特定の層を含む多層構造体によって被覆された量子ドット蛍光体を含む電子デバイスにて前記目的を達成できることを見出し、本発明に至った。
 本発明は、電子デバイス本体1の表面が保護シート3で被覆された電子デバイスであって、保護シート3は基材(X)と、基材(X)上に積層された層(Y)とを含む多層構造体を含む。層(Y)は、金属酸化物(A)とリン化合物(B)とイオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)とを含有する。リン化合物(B)は、金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有する化合物である。層(Y)において、金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)と、陽イオン(Z)のモル数(N)と、陽イオン(Z)のイオン価(F)とが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たし、前記層(Y)において、前記モル数(N)と、前記陽イオン(Z)のモル数(N)と、前記陽イオン(Z)のイオン価(F)とが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たすことで、大気中に含まれる酸素や水等による劣化が抑制された電子デバイスを提供する。
 前記陽イオン(Z)は、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、チタンイオン、ジルコニウムイオン、ランタノイドイオン、バナジウムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、ホウ素イオン、アルミニウムイオン、およびアンモニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも1種の陽イオンであってもよい。
 電子デバイスは、量子ドット蛍光体を含むものであってもよい。
 量子ドット蛍光体を含む層の片側または両側に前記保護シートが配置されていてもよい。
 前記層(Y)において、前記モル数(N)と、前記モル数(N)と、前記イオン価(F)とが、0.01≦F×N/N≦0.60の関係を満たしてもよい。
 前記層(Y)において、前記リン化合物(B)の少なくとも一部が前記金属酸化物(A)と反応していてもよい。また、前記リン化合物(B)が、リン酸、ポリリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸、およびそれらの誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物であってもよい。
 前記層(Y)の赤外線吸収スペクトルにおいて、800~1,400cm-1の範囲における最大吸収波数が1,080~1,130cm-1の範囲にあってもよい。
 前記基材(X)が熱可塑性樹脂フィルムを含んでもよい。
 前記層(Y)が、カルボニル基、水酸基、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、およびカルボキシル基の塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の官能基を含有する重合体(C)を含んでもよい。
 本発明の電子デバイスにおいて、前記多層構造体は、前記層(Y)に隣接して配置された層(W)をさらに含んでもよい。前記層(W)は、リン原子を含有する官能基を有する重合体(G1)を含んでもよい。
 前記重合体(G1)は、ポリ(ビニルホスホン酸)またはポリ(2-ホスホノオキシエチルメタクリレート)であってもよい。
 本発明の電子デバイスは、金属酸化物(A)と、前記金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有するリン化合物(B)と、イオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)のイオン性化合物(E)とを混合することによって第1コーティング液(U)を調製する工程〔I〕と、
 前記基材(X)上に前記第1コーティング液(U)を塗工することによって、前記基材(X)上に前記層(Y)の前駆体層を形成する工程〔II〕と、
 前記前駆体層を110℃以上の温度で熱処理する工程〔III〕とを含み、
 前記第1コーティング液(U)において、前記金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、前記リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)とが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たし、かつ
 前記第1コーティング液(U)において、前記モル数(N)と、前記陽イオン(Z)のモル数(N)と、前記イオン価(F)とが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たすものであってもよい。
 本発明によれば、物理的ストレスに対する耐性が高くガスバリア性および水蒸気バリア性に優れた保護シートを備える電子デバイスが得られる。また、本発明によれば、ガスバリア性および水蒸気バリア性に優れた保護シートを備え、大気下での長期的な使用による劣化が抑制された電子デバイスを得ることが可能である。さらに、本発明によれば、ガスバリア性および水蒸気バリア性に優れた保護シートを備え、大気下での長期的な使用(例えば、2,000時間連続発光)でも劣化が少なく性能保持率に優れる量子ドット蛍光体を含む電子デバイスを得ることが可能である。
本発明の実施形態に係る電子デバイスの一部断面図である。 本発明の実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物を封止材の少なくとも一部使用した発光装置の例を示す断面図である。 本発明の実施形態1にかかる量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を使用した発光装置の例を示す断面図である。 本発明の実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物および量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を使用した発光装置の例を示す断面図である。 本発明の実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物の一例の断面図である。 本発明の実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物を応用した発光装置の一例の断面図である。 本発明の実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物を応用した発光装置の他の例の断面図である。
 本発明について、以下に例を挙げて説明する。なお、以下の説明において、物質、条件、方法、数値範囲等を例示する場合があるが、本発明はそのような例示に限定されない。また、例示される物質は、特に注釈がない限り、1種を単独で使用してもよいし2種以上を併用してもよい。
 特に注釈がない限り、この明細書において、「特定の部材(基材や層等)上に特定の層を積層する」という記載の意味には、該部材と接触するように該特定の層を積層する場合に加え、他の層を挟んで該部材の上方に該特定の層を積層する場合が含まれる。「特定の部材(基材や層等)上に特定の層を形成する」、「特定の部材(基材や層等)上に特定の層を配置する」という記載も同様である。また、特に注釈がない限り、「特定の部材(基材や層等)上に液体(コーティング液等)を塗工する」という記載の意味には、該部材に該液体を直接塗工する場合に加え、該部材上に形成された他の層に該液体を塗工する場合が含まれる。
 この明細書において、「層(Y)」のように、符号(Y)を付して層(Y)を他の層と区別する場合がある。特に注釈がない限り、符号(Y)には技術的な意味はない。基材(X)、化合物(A)、およびその他の符号についても同様である。ただし、水素原子(H)のように、特定の元素を示すことが明らかである場合を除く。
[電子デバイス]
 本発明の多層構造体を用いた電子デバイスは、電子デバイス本体と、電子デバイス本体の表面を保護する保護シートを備える。本発明の電子デバイスに用いる保護シートは、基材(X)と、基材(X)上に積層された層(Y)とを含む多層構造体を含む。以下の説明において、特に注釈がない限り、「多層構造体」という語句は基材(X)と層(Y)とを含む多層構造体を意味する。また、「本発明の多層構造体」という語句は、「本発明で用いられる多層構造体」を意味する。多層構造体の詳細については後述する。保護シートは、多層構造体のみによって構成されていてもよいし、他の部材や他の層を含んでもよい。以下では、特に注釈がない限り、保護シートが多層構造体を備える場合について説明する。
 本発明の電子デバイスの一例の一部断面図を図1に示す。図1の電子デバイス11は、電子デバイス本体1と、電子デバイス本体1を封止するための封止材2と、電子デバイス本体1の表面を保護するための保護シート(多層構造体)3と、を備える。封止材2は、電子デバイス本体1の表面全体を覆っている。保護シート3は、電子デバイス本体1の一方の表面上に、封止材2を介して配置されている。保護シート3は、電子デバイス本体1の表面を保護できるように配置されていればよく、電子デバイス本体1の表面上に直接配置されていてもよいし(図示せず)、図1のように封止材2等の他の部材を介して電子デバイス本体1の表面上に配置されていてもよい。図1に示されるように、第1の保護シートが配置された表面とは反対側の表面に、第2の保護シートが配置されてもよい。その場合、その反対側の表面に配置される第2の保護シートは、第1の保護シートと同じであってもよいし異なっていてもよい。
 好適な保護シートは、量子ドット蛍光体材料を、高温、酸素、および湿気等の環境条件から保護する。好適な保護シートとしては、疎水性で、量子ドット蛍光体材料と化学的および機械的に適合性があり、光および化学安定性を示し、高温耐熱性を有し、非黄変の透明な光学材料が挙げられる。好適には、1つ以上の保護シートは、量子ドット蛍光体材料と屈折率が整合される。好ましい実施形態において、量子ドット蛍光体材料のマトリックス材および1つ以上の隣接する保護シートは、類似の屈折率を有するように屈折率が整合され、その結果、保護シートを通じて量子ドット蛍光体材料に向かって伝送する光の大半が、保護シートから蛍光体材料内に伝送されるようになる。この屈折率整合により、保護シートとマトリックス材料との間の界面における光学的損失が減少される。
 本発明の量子ドット蛍光体材料のマトリックス材料としては、ポリマー、有機および無機の酸化物等が挙げられる。好適な実施形態において、ポリマーは、実質的に半透明または実質的に透明である。好適なマトリックス材料としては、後記する分散用樹脂の他に、例えば、エポキシ、アクリレート、ノルボルネン、ポリエチレン、ポリ(ビニルブチラール):ポリ(ビニルアセテート)、ポリ尿素、ポリウレタン;アミノシリコーン(AMS)、ポリフェニルメチルシロキサン、ポリフェニルアルキルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリジアルキルシロキサン、シルセスキオキサン、フッ化シリコーン、ならびにビニルおよび水素化物置換シリコーン等のシリコーンおよびシリコーン誘導体;メチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、およびラウリルメタクリレート等のモノマーから形成されるアクリルポリマーおよびコポリマー;ポリスチレン、アミノポリスチレン(APS)、およびポリ(アクリルニトリルエチレンスチレン)(AES)等のスチレン系ポリマー;ジビニルベンゼン等、二官能性モノマーと架橋したポリマー;リガンド材料との架橋に好適な架橋剤、リガンドアミン(例えば、APSまたはPEIリガンドアミン)と結合してエポキシを形成するエポキシド等が挙げられる。
 保護シートは、好適には、固体材料であり、硬化された液体、ゲル、またはポリマーであってもよい。保護シートは、特定の用途に応じて、可撓性または非可撓性材料を含んでもよい。保護シートは、好ましくは、平面層であり、特定の照明用途に応じて、任意の好適な形状および表面積構造を含んでもよい。好適な保護シート材料には、後記する多層構造体の材料以外にも、当該技術分野で既知の任意の好適な保護シート材料を使用できる。後記する多層構造体を備える保護シート以外の保護シートに用いる好適なバリア材料としては、例えば、ガラス、ポリマー、および酸化物が挙げられる。ポリマーとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)等が挙げられる。酸化物としては、SiO、Si、TiO、Al等が挙げられる。これらは、1種類で使用してもよく、2種類以上を組み合わせても使用できる。好ましくは、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスの各保護シートは、異なる材料または組成物を含む少なくとも2つの層(例えば、基材(X)と層(Y))を含み、その結果、多層状の保護シートが、保護シート内のピンホール欠陥配列を排除または減少させ、量子ドット蛍光体材料内への酸素および湿気の侵入に対する効果的なバリアを提供するようになる。量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは、任意の好適な材料または材料の組み合わせ、ならびに量子ドット蛍光体材料のいずれかもしくは両方の側面上の任意の好適な数の保護シートを含んでもよい。保護シートの材料、厚さ、および数は、具体的な用途に依存することになり、好適には、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスの厚さを最小化しながらも、量子ドット蛍光体のバリア保護および輝度を最大化するように、選択されることになる。好ましい実施形態において、各保護シートは、積層体(積層フィルム)、好ましくは二重積層体(二重積層フィルム)を含み、各保護シートの厚さは、ロールツーロールまたは積層製造プロセス時の皺を排除するのに十分に厚い。保護シートの数または厚さは、さらに、量子ドット蛍光体材料が、重金属または他の毒性材料を含む実施形態においては、法的な毒性指針に依存し、その指針は、より多いまたはより厚い保護シートを要する場合がある。バリアのさらなる検討事項には、費用、入手可能性、および機械的強度が挙げられる。
 好ましい実施形態において、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは、量子ドット蛍光体材料の各側面に隣接する2つ以上の本発明の多層構造体を備える保護シートを含む。また、各側面上に、前記本発明の多層構造体を備える保護シート以外の保護シートを1つ以上備えていてもよい。すなわち、前記各側面上に2つまたは3つの層(保護シート)を含んでいてもよい。より好ましい実施形態において、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは、量子ドット蛍光体材料の各側面上に、本発明の多層構造体を備える保護シートを含む、2つの保護シートを含む。
 本発明の量子ドット蛍光体を含む層は、任意の望ましい寸法、形状、構造、および厚さであり得る。量子ドット蛍光体は、所望の機能に適切な任意の充填率で、マトリックス材料内に埋め込むことができる。量子ドット蛍光体を含む層の厚さおよび幅は、湿式コーティング、塗装、回転コーティング、スクリーン印刷等、当該技術分野で既知の任意の方法によって制御することができる。特定の量子ドット蛍光体フィルムの実施形態において、量子ドット蛍光体材料は、500μm以下、好ましくは250μm以下、より好ましくは200μm以下、さらに好ましくは50~150μm、最も好ましくは50~100μmの厚さを有し得る。
 好ましい実施形態において、本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイスの上部および底部保護シート層は機械的に密封される。図1に示す実施形態に示されるように、上部保護シート層および/または底部保護シート層は、一緒に狭圧されて、量子ドット蛍光体を密封する。好適には、端部は、環境内の酸素および湿気への量子ドット蛍光体材料の曝露を最小化するために、量子ドット蛍光体および保護シート層の被着の直後に狭圧される。バリア端部は、狭圧、スタンピング、溶融、ローリング、加圧等によって、密封することができる。
 好ましい実施形態において、本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイスの上部および底部保護シート層を機械的に密封する際には、任意の接着剤を用いてよいが、端部接着の容易さ、量子ドットの高い光学特性を保持するという観点から、エポキシ等の好適な光学接着材料を用いることが好ましい。
 本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体は、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)、テレビ、コンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末(PDA)、ゲーム機、電子読書装置、デジタルカメラ等のディスプレイ装置のためのバックライトユニット(BLU)、屋内または屋外の照明、舞台照明、装飾照明、アクセント照明、博物館照明、園芸的、生物学的、および他の用途に高度に特異的な波長の照明を含む、任意の好適な用途、ならびに本明細書に記載の発明について調べると、当業者には明らかであろうさらなる照明用途に使用可能である。
 本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体は、光起電力用途での使用に好適な、量子ドット下方変換層またはフィルムとして使用することもできる。本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体は、太陽光の一部を、太陽電池の活性層によって吸収可能な、より低エネルギーの光に変換することができる。その変換された光の波長は、本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体によるこのような下方変換なしでは、活性層によって吸収および電力に変換することのできなかったものである。したがって、本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体を採用する太陽電池は、増加した太陽光変換効率を有し得る。
 本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体は、光源、光フィルター、および/または一次光の下方変換器としての使用を含む。ある特定の実施形態において、本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体は一次光源であり、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスが、電気的刺激時に光子を放出する電子発光性量子ドット蛍光体を含む、電子発光性デバイスである。ある特定の実施形態において、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは光フィルターであり、量子ドット蛍光体が、ある特定の波長または波長範囲を有する光を吸収する。量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは、特定の波長または波長範囲の通過を、その他のものを吸収またはフィルタリング除去しながら、可能にすることができる。ある特定の実施形態において、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは、下方変換器であり、それによって、一次光源からの一次光の少なくとも一部分が、量子ドット蛍光体を含む電子デバイス内で量子ドット蛍光体によって吸収され、一次光よりも低エネルギーまたは長い波長を有する二次光として再放出される。好ましい実施形態において、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスは、フィルターおよび一次光下方変換器の両方であり、それによって、一次光の第1の部分が、量子ドット蛍光体を含む電子デバイス内の量子ドット蛍光体によって吸収されることなく量子ドット蛍光体を含む電子デバイスを通過することを可能にし、一次光の少なくとも第2の部分は、量子ドット蛍光体によって吸収され、一次光よりも低エネルギーまたは長い波長を有する二次光に下方変換される。
 封止材2は、電子デバイス本体1の種類および用途等に応じて適宜付加される任意の部材である。封止材2としては、エチレン-酢酸ビニル共重合体やポリビニルブチラール等が挙げられる。
 本発明の量子ドット蛍光体を含む電子デバイスの保護シートは、可撓性を有してもよい。この明細書において、可撓性とは、直径が50cmのロールに巻き取ることが可能であることを意味する。例えば、直径が50cmのロールに巻き取っても、目視による破損が見られないことを意味する。直径が50cmよりも小さいロールに巻き取ることが可能であることは、電子デバイスや保護シートはより柔軟性が高いことになるため好ましい。
 多層構造体を含む保護シートは、ガスバリア性および水蒸気バリア性に優れる。そのため、該保護シートを用いることによって、過酷な環境下でも劣化が少ない電子デバイスが得られる。また、保護シートは、高い透明性を有するため、光の透過性が高い電子デバイスが得られる。
 多層構造体は、LCD用基板フィルム、有機EL用基板フィルム、電子ペーパー用基板フィルム等基板フィルムと称されるフィルムとしても使用できる。その場合、多層構造体は、基板と保護フィルムとを兼ねてもよい。また、保護シートの保護対象となる電子デバイスは、前記した例示に限定されず、例えば、ICタグ、光通信用デバイス、燃料電池等であってもよい。
 保護シートは、多層構造体の一方の表面または両方の表面に配置された表面保護層を含んでもよい。表面保護層としては、傷がつきにくい樹脂からなる層が好ましい。また、太陽電池のように室外で利用されることがあるデバイスの表面保護層は、耐候性(例えば、耐光性)が高い樹脂からなることが好ましい。また、光を透過させる必要がある面を保護する場合には、透光性が高い表面保護層が好ましい。表面保護層(表面保護フィルム)の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、4-フッ化エチレン-パークロロアルコキシ共重合体、4-フッ化エチレン-6-フッ化プロピレン共重合体、2-エチレン-4-フッ化エチレン共重合体、ポリ3-フッ化塩化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル等が挙げられる。保護シートの一例は、一方の表面に配置されたアクリル樹脂層を含む。
 表面保護層の耐久性を高めるために、表面保護層に各種の添加剤(例えば、紫外線吸収剤)を添加してもよい。耐候性が高い表面保護層の好ましい一例は、紫外線吸収剤が添加されたアクリル樹脂層である。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、サリシレート系、シアノアクリレート系、ニッケル系、トリアジン系の紫外線吸収剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、他の安定剤、光安定剤、酸化防止剤等を併用してもよい。
 量子ドット蛍光体を含む電子デバイス本体を封止する封止材に保護シートを接合する場合、保護シートは、封止材との接着性が高い接合用樹脂層を含むことが好ましい。封止材がエチレン-酢酸ビニル共重合体からなる場合、接合用樹脂層としては、例えば、エチレン-酢酸ビニル共重合体との接着性を向上させたポリエチレンテレフタレートが挙げられる。保護シートを構成する各層は、公知の接着剤や上述した接着層を用いて接着してもよい。
[実施形態1]
 本発明の実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む電子デバイスでは、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を使用する。量子ドット蛍光体分散樹脂成形体は、樹脂中に量子ドット蛍光体を分散させて分散液(組成物)を得て、該分散液を用いて成形することで得られる。成形方法は、特に限定されず、公知の方法を使用できる。分散用樹脂としては、シクロオレフィン(共)重合体が好ましい。シクロオレフィン(共)重合体としては、例えば、下記式[Q-1]で表されるシクロオレフィン重合体(COP)または下記式[Q-2]で表されるシクロオレフィン共重合体(COC)が挙げられる。このようなシクロオレフィン(共)重合体として、市販品を使用できる。市販品としては、例えば、COPタイプとして、ZEONEX(登録商標)シリーズ(日本ゼオン株式会社製)、COCタイプとして、APL5014DP(三井化学株式会社製、化学構造;―(C(C1216―;添字x、yは0より大きく1より小さい実数であり、共重合比を表す)等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 式[Q-1]中、R、Rは、それぞれ独立に、同一または異なって、水素原子;炭素数1~6の直鎖状もしくは分岐状の飽和炭化水素基;塩素もしくはフッ素のハロゲン原子;およびハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。また、R、Rの炭化水素基は、隣り合う置換部位で互いに結合して5~7員環の飽和炭化水素の環状構造を少なくとも1つ形成してもよい。rは、正の整数である。
 式[Q-2]中、Rは、水素原子;炭素数1~6の直鎖状もしくは分岐状の飽和炭化水素基(アルキル基);塩素もしくはフッ素のハロゲン原子;およびハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。R、Rは、それぞれ独立に、同一または異なって、水素原子;炭素数1~6の直鎖状もしくは分岐状の飽和の炭化水素基;塩素もしくはフッ素のハロゲン原子;およびハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。また、RまたはRの炭化水素基は、隣り合う置換部位で互いに結合して5~7員環の飽和炭化水素の環状構造を少なくとも1つ形成してもよい。x、yは0より大きく1より小さい実数であり、x+y=1の関係式を満たす。
 式[Q-1]で表されるシクロオレフィン重合体(COP)は、例えばノルボルネン類を原料とし、グラブス触媒などを利用した開環メタセシス重合をした後、水素化することにより得られる。式[Q-2]で表されるシクロオレフィン共重合体(COC)は、例えばノルボルネン類を原料とし、メタロセン触媒等を利用してエチレン等との共重合により得られる。
 樹脂中に量子ドット蛍光体を分散させる方法は特に限定されないが、不活性ガス雰囲気下で樹脂を溶媒に溶解した溶液に、量子ドット蛍光体を分散媒に分散させた分散液を不活性ガス雰囲気下で加えて混練することが好ましい。その際に用いる分散媒は樹脂を溶解する溶媒であることが好ましく、分散媒と溶媒が同一であることがより好ましい。前記溶媒および分散媒は制限なく使用できるが、好ましくはトルエン、キシレン(o-、m-またはp-)、エチルベンゼン、テトラリン等の炭化水素系溶媒が使用できる。また、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン(o-、m-またはp-)、トリクロルベンゼン等の塩素系炭化水素溶媒も使用できる。また、以上の工程で使用する不活性ガスとしては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガスが挙げられ、これらを単独で用いてもよいし、任意の割合で混合して用いてもよい。
 なお、実施形態1に適用される量子ドット蛍光体は、その粒径が1~100nmを指し、数十nm以下の場合は、量子効果を発現する蛍光体である。量子ドット蛍光体の粒径は、2~20nmの範囲内が好ましい。
 量子ドット蛍光体の構造は、無機蛍光体コアおよびこの無機蛍光体の表面に配位したキャッピング層(例えば、脂肪族炭化水素基を有する有機不動態層)から構成され、無機蛍光体のコア部(金属部)は有機不動態層によって被覆されている。一般に、量子ドット蛍光体粒子の表面には、主に凝集防止等を目的として有機不動態層がコア表面に配位されている。さらに、有機不動態層(シェルとも呼ばれる。)は、凝集防止以外に、コア粒子を周囲の化学的環境から保護すること、表面に電気的安定性を付与すること、特定溶媒系への溶解性を制御することの役割を担う。また、有機不動態は、目的に応じて化学構造を選択できるが、例えば直鎖状または分枝鎖状の炭素数6~18程度の脂肪族炭化水素(例えばアルキル基)を有する有機分子であってもよい。
[無機蛍光体]
 無機蛍光体としては、例えば、II族-VI族化合物半導体のナノ結晶、III族-V族化合物半導体のナノ結晶等が挙げられる。これらのナノ結晶の形態は特に限定されず、例えば、InPナノ結晶のコア部分に、ZnS/ZnO等からなるシェル部分が被覆されたコア・シェル(core-shell)構造を有する結晶、またはコア・シェルの境が明確でなくグラジエント(gradient)に組成が変化する構造を有する結晶、あるいは同一の結晶内に2種以上の化合物結晶が部分的に分けられて存在する混合結晶または2種以上のナノ結晶化合物の合金等が挙げられる。
[キャッピング剤]
 次に、無機蛍光体の表面に配位するキャッピング剤(有機不動態層を形成する為の試剤)としては、炭素数2~30、好ましくは炭素数4~20、より好ましくは炭素数6~18の直鎖構造または分岐構造を有する脂肪族炭化水素基を有する有機分子が挙げられる。無機蛍光体の表面に配位するキャッピング剤(有機不動態層を形成するための試剤)は、無機蛍光体に配位するための官能基を有する。このような官能基としては、例えば、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトリル基、水酸基、エーテル基、カルボニル基、スルフォニル基、ホスフォニル基またはメルカプト基等が挙げられる。これらの中でも、カルボキシル基が好ましい。
 実施形態1の量子ドット蛍光体を含む電子デバイスにかかる量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造に用いる組成物には、0.01~20質量%の濃度範囲で樹脂(例えば、シクロオレフィン(共)重合体)中に量子ドット蛍光体が均一に分散されている。また、実施形態1の量子ドット蛍光体を含む組成物には、好ましくは0.1質量%を超え15質量%未満、より好ましくは1質量%を超え10質量%未満の濃度範囲でシクロオレフィン(共)重合体中に量子ドット蛍光体が均一に分散されているのがよい。量子ドット蛍光体の濃度が0.01質量%未満の場合には、発光素子用の量子ドット蛍光体分散樹脂成形体として十分な発光強度が得られず、好ましくない。一方、量子ドット蛍光体の濃度が20質量%を超える場合には、量子ドット蛍光体の凝集が起こる可能性があり、量子ドット蛍光体が均一に分散された量子ドット蛍光体分散樹脂成形体が得られず、好ましくない。
[量子ドット蛍光体の調製方法]
 実施形態1で使用する量子ドット蛍光体は、所望の化合物半導体のナノ結晶が得られる金属前駆体を用いてナノ結晶を製造した後、次いで、これをさらに有機溶媒に分散する。そして、ナノ結晶を所定の反応性化合物(シェル部分の化合物)により処理することにより、無機蛍光体の表面に炭化水素基が配位した構造を有する量子ドット蛍光体を調製することができる。処理方法は、特に制限されず、例えば、ナノ結晶の分散液を反応性化合物の存在下に還流させる方法が挙げられる。また、量子ドット蛍光体の製造方法としては、例えば、特開2006-199963号公報に開示された方法を用いてよい。
 本実施の形態で使用する量子ドット蛍光体において、無機蛍光体(コア部)表面を被覆する有機不動態層を構成する炭化水素基の量は特に限定されないが、通常、無機蛍光体1粒子(コア)に対し、炭化水素基の炭化水素鎖が2~500モル、好ましくは10~400モルで、より好ましくは20~300モルの範囲がよい。炭化水素鎖が2モル未満の場合は、有機不動態層としての機能を付与することができず、例えば蛍光体粒子が凝縮しやすくなる。一方、炭化水素鎖が500モルを超える場合は、コア部からの発光強度を低下させるだけでなく、無機蛍光体に配位できない過剰の炭化水素基が存在するようになり、液状封止樹脂の性能低下を引き起こしやすくなる傾向がある。また、量子ドット蛍光体のコストアップとなってしまう。
 また、実施形態1にかかる量子ドット蛍光体分散樹脂成形体は、量子ドット蛍光体を含む組成物を成形物に成形して製造してもよい。この成形物は、光源から照射された光の少なくとも一部を吸収して、成形物中に含まれる量子ドット蛍光体から2次光を発光する成形物として有効な働きをする。量子ドット蛍光体を含む組成物の成形方法としては、例えば当該組成物を基材に塗布あるいは型に充填した後、前記不活性ガス雰囲気下で加熱乾燥により溶媒を除去し、必要に応じて基材または型から剥離する方法等がある。また、量子ドット蛍光体を含む組成物を、LEDチップを封止する封止材として使用することもできる。
 量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法としては、例えば、シクロオレフィン系(共)重合体を溶媒に溶解した溶液を調製する工程と、前記溶液に、得られる成形体中の量子ドット蛍光体の濃度が0.01~20質量%の範囲となるように、量子ドット蛍光体を分散させて、次いで混練することにより量子ドット蛍光体を含む組成物を製造する工程と、前記量子ドット蛍光体を含む組成物を基材に塗布あるいは型に充填して、加熱乾燥する工程と、を備える方法が挙げられる。溶媒および分散媒は前記したとおりである。
 前記加熱乾燥等により量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を製造、あるいはさらにその後、加圧成形により、樹脂レンズ、樹脂板および樹脂フィルム等を製造することができる。
 図2には、実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物を封止材の少なくとも一部に使用した発光装置の例の断面図が示される。図2において、発光装置100は、LEDチップ10、リード電極12、カップ14、封止材16,17を含んで構成されている。必要に応じて、発光装置100の上部に樹脂レンズ20が配置される。カップ14は、適宜な樹脂またはセラミックスにより形成することができる。また、LEDチップ10は限定されないが、量子ドット蛍光体と協働して適宜な波長の光源を構成する発光ダイオードを使用することができる。また、封止材16は、量子ドット蛍光体18が分散された量子ドット蛍光体を含む組成物を用いて形成することができる。これらにより、例えばLEDチップ10からの発光を使用して封止材16から白色光を出す白色光源等を形成することができる。また、封止材17は、LED、リード線等を封止しており、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の、LEDの封止樹脂として通常使用される樹脂により構成されている。これらの封止材16および封止材17の製造は、不活性ガス(例えば、アルゴンガス)雰囲気下で、まずカップ14内に樹脂(例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂)等を所定量注入し、公知の方法により固化して封止材17を形成し、その後封止材17上に量子ドット蛍光体を含む組成物を注入し、加熱乾燥することにより封止材16を形成することにより実施することができる。
 また、カップ14に収容された封止材16の上方に、前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体により形成されたレンズ状の樹脂(樹脂レンズ20)、または少なくともその一部に凸状部を有するフィルムまたは均一な膜厚を有するフィルムを配置し、樹脂レンズ20から光を放射する構成としてもよい。この場合には、封止材16中に量子ドット蛍光体18を分散させなくてもよい。なお、量子ドット蛍光体を含む組成物をLEDチップの封止材の少なくとも一部に使用した場合の、当該封止材16の厚みは、0.01mm以上0.4mm未満であることが好ましい。当該封止材16の厚みが0.4mmを超える場合は、カップ14の凹部内の深さにも依存するものの、当該封止材16をカップ14の凹部内に封止する際にリード電極12に接続しているワイヤーに過大な負荷を与えてしまい、好ましくない。また、量子ドット蛍光体を含む組成物をLEDチップの封止材の少なくとも一部に使用した場合の、当該封止材16の厚みが、0.01mm未満であると、蛍光体を含む封止材として十分ではない。
 封止材16中に量子ドット蛍光体18を分散させない場合には、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体により形成されたレンズ状の樹脂20(樹脂レンズ20)を配置するのが好ましい。
 図3には、実施形態1にかかる量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を使用した発光装置の例の断面図が示され、図2と同一要素には同一符号を付している。図3は、実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物を封止材に使用しない発光装置の例である。この場合、レンズ状の樹脂(樹脂レンズ20)は、量子ドット蛍光体18を、濃度0.01~20質量%の範囲でシクロオレフィン(共)重合体に分散させた組成物を成形した量子ドット蛍光体分散樹脂成形体により形成される。
 図4には、実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物および量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を使用した発光装置の例の断面図が示され、図1と同一要素には同一符号を付している。図4は、実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物を封止材の一部に使用し、その上部に量子ドット蛍光体分散樹脂成形体からなる樹脂レンズ20を配置した発光装置の例である。この場合においても、いずれの樹脂にも、量子ドット蛍光体18が濃度0.01~20質量%の範囲でシクロオレフィン(共)重合体に分散されて形成される。
 また、図2、図3および図4に示された発光装置は、量子ドット蛍光体の消光を抑制でき、発光装置として安定した動作が維持できるため、この発光装置を組み込んだ携帯電話、テレビ、ディスプレイ、パネル類等の電子機器や、その電子機器を組み込んだ自動車、コンピュータ、ゲーム機等の機械装置類は、長時間安定した駆動が可能である。
[実施形態2]
 図5には、実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物の一例の断面図が示される。図5において、量子ドット蛍光体を含む構造物は、量子ドット蛍光体18が分散用樹脂中に濃度0.01~20質量%の範囲で分散されている量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22と、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22の全面を被覆し、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22への酸素等の透過を低減するガスバリア層(保護シート)24とを含んで構成されている。なお、他の実施形態において、ガスバリア層24は、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22の表面の一部を被覆する構成であってもよい(図6、7参照)。また、前記ガスバリア層24は、酸素の他、水蒸気の透過を低減できるものであることが好ましい。
 ここで、ガスバリア層24とは、量子ドット蛍光体を含む構造物の近傍で発光ダイオード(LED)を2,000時間連続発光させた場合における量子ドット蛍光体18の分光放射エネルギーが初期値の80.0%以上を維持できる程度に量子ドット蛍光体18を酸素等から保護できる層をいう。また、本発明の電子デバイスとしては、2,000時間連続発光させた場合における量子ドット蛍光体18の分光放射エネルギーが初期値の85.0%以上であるものが好ましく、89.0%以上であるものがより好ましく、90.0%以上であるものがさらに好ましい。なお、前記分光放射エネルギーは、量子ドット蛍光体の蛍光波長における放射エネルギーである。
 前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22を構成する分散用樹脂には、例えば実施形態1で説明したシクロオレフィン(共)重合体を使用することができる。また、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22の製造方法としては、実施形態1において説明した量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法を適用できる。
 また、ガスバリア層24としては、本発明の多層構造体より構成することができる。これらの材料は、いずれもガスバリア性が高いため、これらを使用してガスバリア層24を構成することにより、量子ドット蛍光体18を酸素および水等から保護することができる。
 なお、以上の量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22およびガスバリア層24を構成する本発明の多層構造体は、いずれも光透過性を有しており、発光ダイオードが発生した光を量子ドット蛍光体18まで、および量子ドット蛍光体18で波長が変換された光を量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22の外部まで透過することができる。
 図6には、実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物を応用した発光装置の一例の断面図が示される。図6において、発光装置100は、LEDチップ10、リード電極12、カップ14、量子ドット蛍光体18が分散されている封止材16、量子ドット蛍光体18が分散されていない封止材17及びガスバリア層24を含んで構成されている。図6の例では、カップ14の蓋として前記ガスバリア層24が使用されている。また、封止材16は、実施形態1で説明した量子ドット蛍光体を含む組成物から成形した前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22により構成されている。前記封止材16及び封止材17は、図1の場合と同様にして製造できる。これらの構成要素のうち、量子ドット蛍光体18、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22、ガスバリア層24は上述した通りである。LEDチップ10は限定されないが、量子ドット蛍光体と協働して適宜な波長の光源を構成する発光ダイオードを使用することができる。また、カップ14は、適宜な樹脂またはセラミックスにより形成することができる。また、封止材17は、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等により形成され、LEDチップ10、リード電極12等を封止する。
 図7には、実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物を応用した発光装置の他の例の断面図が示され、図6と同一要素には同一符号を付している。図7の例では、カップ14の表面(図6の蓋の部分を含む)と、カップ14の外に露出しているリード電極12の表面がガスバリア層24により被覆されている。なお、リード電極12の表面は、その一部がガスバリア層24により被覆されずに露出している。これは、例えば実装基板上の電源供給経路との間で電気的に導通をとるためである。本例でも、ガスバリア層24が封止材16の図における上面を被覆している。これにより、酸素等が封止材16中に分散された量子ドット蛍光体18まで浸透することを回避あるいは低減することができる。また、LEDチップ10からの光の一部は、封止材16中に分散された量子ドット蛍光体18で他の波長の光に変換された後、LEDチップ10からの光と混合され、ガスバリア層24を透過して外部に取り出される。
 図6に示された構成では、カップ14の蓋がガスバリア層24で形成されており、封止材16の図における上面を被覆している。これにより、酸素等が封止材16中に分散された量子ドット蛍光体18まで浸透することを回避あるいは低減することができる。
 また、以上に述べた量子ドット蛍光体分散樹脂組成物もしくはその成形体または量子ドット蛍光体を含む構造物は、例えば植物育成用照明、有色照明、白色照明、LEDバックライト光源、蛍光体入り液晶フィルタ、蛍光体含有樹脂板、育毛機器用光源、通信用光源等に適用することもできる。
[多層構造体]
 本発明の電子デバイス(好適には量子ドット蛍光体を含む電子デバイス)に用いる多層構造体は、基材(X)と、基材(X)上に積層された層(Y)とを含む。層(Y)は、金属酸化物(A)とリン化合物(B)とイオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)とを含有する。リン化合物(B)は、金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有する。層(Y)において、金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)とは、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たす。層(Y)において、金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、陽イオン(Z)のモル数(N)と、陽イオン(Z)のイオン価(F)とは、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たす。なお、金属原子(M)は、金属酸化物(A)に含まれるすべての金属原子を意味する。
 層(Y)に含まれる金属酸化物(A)とリン化合物(B)とは反応していてもよい。また、陽イオン(Z)は、層(Y)中において、リン化合物(B)と塩を形成していてもよい。層(Y)において金属酸化物(A)が反応している場合、反応生成物のうち金属酸化物(A)によって構成されている部分を金属酸化物(A)とみなす。また、層(Y)においてリン化合物(B)が反応している場合、反応生成物のうちリン化合物(B)に由来するリン原子のモル数は、リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)に含まれる。層(Y)において陽イオン(Z)が塩を形成している場合、塩を構成する陽イオン(Z)のモル数は、陽イオン(Z)のモル数(N)に含まれる。
 本発明の多層構造体は、層(Y)において、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たすことによって、優れたバリア性を示す。また、本発明の多層構造体は、層(Y)において、0.001≦F×N/N≦0.60の関係をも満たすことによって、本発明の電子デバイスに用いる多層構造体は、延伸処理等の物理的ストレスを受けた後においても優れたバリア性を示す。
 層(Y)における、N、N、およびNの比(モル比)は、第1コーティング液(U)の作製に用いられるそれらの比に等しいとみなすことができる。
[基材(X)]
 基材(X)の材質は特に制限されず、様々な材質からなる基材を用いることができる。基材(X)の材質としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の樹脂;木材;ガラス;金属;金属酸化物等が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性樹脂および繊維集合体が好ましく、熱可塑性樹脂がより好ましい。基材(X)の形態は、特に制限されず、フィルムまたはシート等の層状であってもよい。基材(X)としては、熱可塑性樹脂フィルムおよび無機蒸着層からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むものが好ましい。この場合の基材は単層であってもよいし、複層であってもよい。基材(X)は、熱可塑性樹脂フィルム層を含むものがより好ましく、熱可塑性樹脂フィルム層に加えて無機蒸着層(X’)をさらに含んでもよい。
 基材(X)に用いられる熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン-2,6-ナフタレート、ポリブチレンテレフタレートやこれらの共重合体等のポリエステル系樹脂;ナイロン-6、ナイロン-66、ナイロン-12等のポリアミド系樹脂;ポリビニルアルコール、エチレン-ビニルアルコール共重合体等の水酸基含有ポリマー;ポリスチレン;ポリ(メタ)アクリル酸エステル;ポリアクリロニトリル;ポリ酢酸ビニル;ポリカーボネート;ポリアリレート;再生セルロース;ポリイミド;ポリエーテルイミド;ポリスルフォン;ポリエーテルスルフォン;ポリエーテルエーテルケトン;アイオノマー樹脂等が挙げられる。基材(X)の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン-6、およびナイロン-66からなる群より選ばれる少なくとも1種の熱可塑性樹脂が好ましい。
 前記熱可塑性樹脂からなるフィルムを基材(X)として用いる場合、基材(X)は延伸フィルムであってもよいし無延伸フィルムであってもよい。得られる多層構造体の加工適性(例えば、印刷やラミネートに対する適性)が優れることから、延伸フィルム、特に二軸延伸フィルムが好ましい。二軸延伸フィルムは、同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法、およびチューブラ延伸法のいずれかの方法で製造された二軸延伸フィルムであってもよい。
[無機蒸着層(X’)]
 無機蒸着層(X’)は、酸素や水蒸気に対するバリア性を有するものであることが好ましく、透明性を有するものであることがより好ましい。無機蒸着層(X’)は、無機物を蒸着することによって形成することができる。無機物としては、例えば、金属(例えば、アルミニウム)、金属酸化物(例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム)、金属窒化物(例えば、窒化ケイ素)、金属窒化酸化物(例えば、酸窒化ケイ素)、または金属炭化窒化物(例えば、炭窒化ケイ素)等が挙げられる。これらの中でも、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、または窒化ケイ素で形成される無機蒸着層は、酸素や水蒸気に対するバリア性が優れる観点から好ましい。
 無機蒸着層(X’)の形成方法は、特に限定されず、真空蒸着法(例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー法等)、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法、熱化学気相成長法(例えば、触媒化学気相成長法)、光化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法(例えば、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、表面波プラズマ、電子サイクロトロン共鳴、デュアルマグネトロン、原子層堆積法等)、有機金属気相成長法等の化学気相成長法を用いることができる。
 無機蒸着層(X’)の厚さは、無機蒸着層(X’)を構成する成分の種類によって異なるが、0.002~0.5μmの範囲にあることが好ましく、0.005~0.2μmの範囲にあることがより好ましく、0.01~0.1μmの範囲にあることがさらに好ましい。この範囲で、多層構造体のバリア性や機械的物性が良好になる厚さを選択すればよい。無機蒸着層(X’)の厚さが0.002μm未満であると、酸素や水蒸気に対する無機蒸着層のバリア性発現の再現性が低下する傾向があり、また、無機蒸着層が充分なバリア性を発現しない場合もある。また、無機蒸着層(X’)の厚さが0.5μmを超えると、多層構造体を引っ張ったり屈曲させたりした場合に無機蒸着層(X’)のバリア性が低下しやすくなる傾向がある。
 基材(X)が層状である場合、その厚さは、得られる多層構造体の機械的強度や加工性が良好になる観点から、1~1,000μmの範囲にあることが好ましく、5~500μmの範囲にあることがより好ましく、9~200μmの範囲にあることがさらに好ましい。
[金属酸化物(A)]
 金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)は、原子価が2価以上であることが好ましい。金属原子(M)としては、例えば、マグネシウム、カルシウム等の周期表第2族の金属原子;チタン、ジルコニウム等の周期表第4族の金属原子;亜鉛等の周期表第12族の金属原子;ホウ素、アルミニウム等の周期表第13族の金属原子;ケイ素等の周期表第14族の金属原子等を挙げることができる。なお、ホウ素およびケイ素は半金属原子に分類される場合があるが、本明細書ではこれらを金属原子に含めるものとする。金属原子(M)は1種類であってもよいし、2種類以上であってもよい。これらの中でも、金属酸化物(A)の生産性や得られる多層構造体のガスバリア性や水蒸気バリア性がより優れることから、金属原子(M)は、アルミニウム、チタン、およびジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、アルミニウムであることがより好ましい。すなわち、金属原子(M)はアルミニウムを含むことが好ましい。
 金属原子(M)に占める、アルミニウム、チタンおよびジルコニウムの合計の割合は、通常60モル%以上であり、100モル%であってもよい。また、金属原子(M)に占める、アルミニウムの割合は、通常50モル%以上であり、100モル%であってもよい。金属酸化物(A)は、液相合成法、気相合成法、固体粉砕法等の方法によって製造される。
 金属酸化物(A)は、加水分解可能な特性基が結合した金属原子(M)を有する化合物(L)の加水分解縮合物であってもよい。該特性基の例には、後述する一般式[I]のRが含まれる。化合物(L)の加水分解縮合物は、実質的に金属酸化物(A)とみなすことが可能である。そのため、本明細書において、「金属酸化物(A)」は「化合物(L)の加水分解縮合物」と読み替えることが可能であり、また、「化合物(L)の加水分解縮合物」を「金属酸化物(A)」と読み替えることも可能である。
[加水分解可能な特性基が結合した金属原子(M)を含有する化合物(L)]
 リン化合物(B)との反応の制御が容易になり、得られる多層構造体のガスバリア性が優れることから、化合物(L)は、下記一般式[I]で示される化合物(L)を少なくとも1種含むことが好ましい。
  M(R(Rn―m   [I]
 式中、Mは、アルミニウム、チタン、およびジルコニウムからなる群より選ばれる。Rは、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、NO、置換基を有していてもよい炭素数1~9のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1~9のアシロキシ基、置換基を有していてもよい炭素数3~9のアルケニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数5~15のβ-ジケトナト基、または置換基を有していてもよい炭素数1~9のアシル基を有するジアシルメチル基である。Rは、置換基を有していてもよい炭素数1~9のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数7~10のアラルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~9のアルケニル基、または置換基を有していてもよい炭素数6~10のアリール基である。mは1~nの整数である。nはMの原子価に等しい。Rが複数存在する場合、Rは互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。Rが複数存在する場合、Rは互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。 
 Rのアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ベンジロキシ基、ジフェニルメトキシ基、トリチルオキシ基、4-メトキシベンジロキシ基、メトキシメトキシ基、1-エトキシエトキシ基、ベンジルオキシメトキシ基、2-トリメチルシリルエトキシ基、2-トリメチルシリルエトキシメトキシ基、フェノキシ基、4-メトキシフェノキシ基等が挙げられる。
 Rのアシロキシ基としては、例えば、アセトキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、n-オクチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
 Rのアルケニルオキシ基としては、例えば、アリルオキシ基、2-プロペニルオキシ基、2-ブテニルオキシ基、1-メチル-2-プロペニルオキシ基、3-ブテニルオキシ基、2-メチル-2-プロペニルオキシ基、2-ペンテニルオキシ基、3-ペンテニルオキシ基、4-ペンテニルオキシ基、1-メチル-3-ブテニルオキシ基、1,2-ジメチル-2-プロペニルオキシ基、1,1-ジメチル-2-プロペニルオキシ基、2-メチル-2-ブテニルオキシ基、3-メチル-2-ブテニルオキシ基、2-メチル-3-ブテニルオキシ基、3-メチル-3-ブテニルオキシ基、1-ビニル-2-プロペニルオキシ基、5-ヘキセニルオキシ基等が挙げられる。
 Rのβ-ジケトナト基としては、例えば、2,4-ペンタンジオナト基、1,1,1-トリフルオロ-2,4-ペンタンジオナト基、1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト基、2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト基、1,3-ブタンジオナト基、2-メチル-1,3-ブタンジオナト基、2-メチル-1,3-ブタンジオナト基、ベンゾイルアセトナト基等が挙げられる。
 Rのジアシルメチル基のアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基(プロパノイル基)、ブチリル基(ブタノイル基)、バレリル基(ペンタノイル基)、ヘキサノイル基等の炭素数1~6の脂肪族アシル基;ベンゾイル基、トルオイル基等の芳香族アシル基(アロイル基)等が挙げられる。
 Rのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
 Rのアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基(フェネチル基)等が挙げられる。
 Rのアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、3-ブテニル基、2-ブテニル基、1-ブテニル基、1-メチル-2-プロペニル基、1-メチル-1-プロペニル基、1-エチル-1-エテニル基、2-メチル-2-プロペニル基、2-メチル-1-プロペニル基、3-メチル-2-ブテニル基、4-ペンテニル基等が挙げられる。
 Rのアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられる。
 RおよびRにおける置換基としては、例えば、炭素数1~6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、シクロプロピルオキシカルボニル基、シクロブチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基等の炭素数1~6のアルコキシカルボニル基;フェニル基、トリル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;炭素数1~6のアシル基;炭素数7~10のアラルキル基、;炭素数7~10のアラルキルオキシ基;炭素数1~6のアルキルアミノ基;炭素数1~6のアルキル基を有するジアルキルアミノ基が挙げられる。
 Rとしては、ハロゲン原子、NO、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアシロキシ基、置換基を有していてもよい炭素数5~10のβ-ジケトナト基、または置換基を有していてもよい炭素数1~6のアシル基を有するジアシルメチル基が好ましい。
 Rとしては、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基が好ましい。Mとしては、アルミニウムが好ましい。Mがアルミニウムの場合、mは、好ましくは3である。
 化合物(L)の具体例としては、例えば、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、トリス(2,4-ペンタンジオナト)アルミニウム、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリ-n-プロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリ-n-ブトキシアルミニウム、トリ-sec-ブトキシアルミニウム、トリ-tert-ブトキシアルミニウム等のアルミニウム化合物;テトラキス(2,4-ペンタンジオナト)チタン、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ-n-ブトキシチタン、テトラキス(2-エチルヘキソキシ)チタン等のチタン化合物;テトラキス(2,4-ペンタンジオナト)ジルコニウム、テトラ-n-プロポキシジルコニウム、テトラ-n-ブトキシジルコニウム等のジルコニウム化合物が挙げられる。これらの中でも、化合物(L)としては、トリイソプロポキシアルミニウムおよびトリ-sec-ブトキシアルミニウムから選ばれる少なくとも1つの化合物が好ましい。化合物(L)は1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。
 化合物(L)において、本発明の効果が得られる限り、化合物(L)に占める化合物(L)の割合に特に限定はない。化合物(L)以外の化合物が化合物(L)に占める割合は、例えば、20モル%以下が好ましく、10モル%以下がより好ましく、5モル%以下がさらに好ましく、0モル%であってもよい。
 化合物(L)が加水分解されることによって、化合物(L)が有する加水分解可能な特性基の少なくとも一部が水酸基に変換される。さらに、その加水分解物が縮合することによって、金属原子(M)が酸素原子(O)を介して結合された化合物が形成される。この縮合が繰り返されると、実質的に金属酸化物とみなしうる化合物が形成される。なお、このようにして形成された金属酸化物(A)の表面には、通常、水酸基が存在する。
 本明細書においては、[金属原子(M)のみに結合している酸素原子(O)のモル数]/[金属原子(M)のモル数]の比が0.8以上となる化合物を金属酸化物(A)に含めるものとする。ここで、金属原子(M)のみに結合している酸素原子(O)は、M-O-Mで表される構造における酸素原子(O)であり、M-O-Hで表される構造における酸素原子(O)のように金属原子(M)と水素原子(H)に結合している酸素原子は除外される。金属酸化物(A)における前記比は、0.9以上が好ましく、1.0以上がより好ましく、1.1以上がさらに好ましい。この比の上限は特に限定されないが、金属原子(M)の原子価をnとすると、通常、n/2で表される。
 前記加水分解縮合が起こるためには、化合物(L)が加水分解可能な特性基を有していることが重要である。それらの基が結合していない場合、加水分解縮合反応が起こらないもしくは極めて緩慢になるため、目的とする金属酸化物(A)の調製が困難になる。
 化合物(L)の加水分解縮合物は、例えば、公知のゾルゲル法で採用される手法によって特定の原料から製造してもよい。前記原料には、化合物(L)、化合物(L)の部分加水分解物、化合物(L)の完全加水分解物、化合物(L)の部分加水分解縮合物、および化合物(L)の完全加水分解物の一部が縮合したものからなる群より選ばれる少なくとも1種を用いることができる。
[リン化合物(B)]
 リン化合物(B)は、金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有し、典型的には、そのような部位を複数含有する。リン化合物(B)としては、無機リン化合物が好ましい。リン化合物(B)としては、金属酸化物(A)と反応可能な部位(原子団または官能基)を2~20個含有する化合物が好ましい。そのような部位には、金属酸化物(A)の表面に存在する官能基(例えば、水酸基)と縮合反応可能な部位が含まれる。そのような部位としては、例えば、リン原子に直接結合したハロゲン原子、リン原子に直接結合した酸素原子等が挙げられる。金属酸化物(A)の表面に存在する官能基(例えば、水酸基)は、通常、金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)に結合している。
 リン化合物(B)としては、例えば、リン酸、4分子以上のリン酸が縮合したポリリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸等のリンのオキソ酸、およびこれらの塩(例えば、リン酸ナトリウム)、ならびにこれらの誘導体(例えば、ハロゲン化物(例えば、塩化ホスホリル)、脱水物(例えば、五酸化二リン))等が挙げられる。
 リン化合物(B)は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらのリン化合物(B)の中でも、リン酸を単独で使用するか、リン酸とそれ以外のリン化合物(B)とを併用することが好ましい。リン酸を用いることによって、後述する第1コーティング液(U)の安定性と得られる多層構造体のガスバリア性および水蒸気バリア性が向上する。
[金属酸化物(A)とリン化合物(B)との比率]
 本発明の多層構造体は、層(Y)において、NとNとが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たすものであり、1.0≦N/N≦3.6の関係を満たすものが好ましく、1.1≦N/N≦3.0の関係を満たすものがより好ましい。N/Nの値が4.5を超えると、金属酸化物(A)がリン化合物(B)に対して過剰となり、金属酸化物(A)とリン化合物(B)との結合が不充分となり、また、金属酸化物(A)の表面に存在する水酸基の量が多くなるため、ガスバリア性とその安定性が低下する傾向がある。一方、N/Nの値が0.8未満であると、リン化合物(B)が金属酸化物(A)に対して過剰となり、金属酸化物(A)との結合に関与しない余剰なリン化合物(B)が多くなり、また、リン化合物(B)由来の水酸基の量が多くなりやすく、やはりバリア性とその安定性が低下する傾向がある。
 なお、前記比は、層(Y)を形成するための第1コーティング液(U)における、金属酸化物(A)の量とリン化合物(B)の量との比によって調整できる。層(Y)におけるモル数(N)とモル数(N)との比は、通常、第1コーティング液(U)における比であって金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数とリン化合物(B)を構成するリン原子のモル数との比と同じである。
[反応生成物(D)]
 反応生成物(D)は、金属酸化物(A)とリン化合物(B)との反応で得られる。ここで、金属酸化物(A)とリン化合物(B)とさらに他の化合物とが反応することで生成する化合物も反応生成物(D)に含まれる。反応生成物(D)は、反応に関与していない金属酸化物(A)および/またはリン化合物(B)を部分的に含んでいてもよい。
[陽イオン(Z)]
 陽イオン(Z)のイオン価(F)は、1以上3以下である。陽イオン(Z)は周期表第2~7周期の元素を含む陽イオンである。陽イオン(Z)としては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、チタンイオン、ジルコニウムイオン、ランタノイドイオン(例えば、ランタンイオン)、バナジウムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、ホウ素イオン、アルミニウムイオン、およびアンモニウムイオン等が挙げられ、中でも、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、亜鉛イオンが好ましい。陽イオン(Z)は1種類であってもよいし、2種類以上を含んでいてもよい。陽イオン(Z)の働きについては、現在のところ明確ではない。1つの仮説では、陽イオン(Z)は、金属酸化物(A)やリン化合物(B)の水酸基との相互作用によって、無機化合物粒子の肥大化を抑制し、より小さな粒子の充填によってバリア層の緻密性が向上する結果、量子ドット蛍光体を含む電子デバイスの性能低下を抑制していると考えられる。そのため、より高い性能低下抑制機能が必要となる場合は、イオン結合を形成できるイオン価(F)が小さい陽イオンを用いることが好ましい。
 なお、陽イオン(Z)が、イオン価が異なる複数種の陽イオンを含む場合、F×Nの値は、陽イオンごとに計算した値を合計することによって得られる。例えば、陽イオン(Z)が1モルのナトリウムイオン(Na)と2モルのカルシウムイオン(Ca2+)とを含む場合、F×N=1×1+2×2=5となる。
 陽イオン(Z)は、溶媒に溶解した際に陽イオン(Z)を生じるイオン性化合物(E)を第1コーティング液(U)に溶解させることで層(Y)に添加することができる。陽イオン(Z)のカウンターイオンとしては、例えば、水酸化物イオン、塩化物イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン等の無機陰イオン;酢酸イオン、ステアリン酸イオン、シュウ酸イオン、酒石酸イオン等の有機酸陰イオン等が挙げられる。陽イオン(Z)のイオン性化合物(E)は、溶解することによって陽イオン(Z)を生じる金属化合物(Ea)または金属酸化物(Eb)(金属酸化物(A)を除く)であってもよい。
[金属酸化物(A)と陽イオン(Z)との比率]
 本発明の多層構造体は、層(Y)において、FとNとNとが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たすものであり、0.001≦F×N/N≦0.30の関係を満たすものが好ましく、0.01≦F×N/N≦0.30の関係を満たすものがより好ましい。
[リン化合物(B)と陽イオン(Z)との比率]
 本発明の多層構造体は、層(Y)において、FとNとNが、0.0008≦F×N/N≦1.35の関係を満たすものが好ましく、0.001≦F×N/N≦1.00の関係を満たすものがより好ましく、0.0012≦F×N/N≦0.35の関係を満たすものがさらに好ましく、0.012≦F×N/N≦0.29の関係を満たすものが特に好ましい。
[重合体(C)]
 層(Y)は、特定の重合体(C)をさらに含んでもよい。重合体(C)は、例えば、カルボニル基、水酸基、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、およびカルボキシル基の塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の官能基を含有する重合体である。
 水酸基を有する重合体(C)の具体例としては、ポリケトン;ポリビニルアルコール、炭素数4以下のα-オレフィン単位を1~50モル%含有する変性ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール(例えば、ポリビニルブチラール)等のポリビニルアルコール系重合体;セルロース、デンプン、シクロデキストリン等の多糖類;ポリ(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、ポリ(メタ)アクリル酸、エチレン-アクリル酸共重合体等の(メタ)アクリル酸系重合体;エチレン-無水マレイン酸共重合体の加水分解物、スチレン-無水マレイン酸共重合体の加水分解物、イソブチレン-無水マレイン酸交互共重合体の加水分解物等のマレイン酸系重合体等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系重合体が好ましく、具体的には、ポリビニルアルコールおよび炭素数4以下のα-オレフィン単位を1~15モル%含有する変性ポリビニルアルコールが好ましい。
 ポリビニルアルコール系重合体のケン化度としては、特に限定されないが、75.0~99.85モル%が好ましく、80.0~99.5モル%がより好ましい。ポリビニルアルコール系重合体の粘度平均重合度は、100~4,000が好ましく、300~3,000がより好ましい。また、ポリビニルアルコール系重合体の20℃での4質量%水溶液の粘度は1.0~200mPa・sが好ましく、11~90mPa・sがより好ましい。前記ケン化度、粘度平均重合度および4質量%水溶液の粘度は、JIS K 6726(1994年)に従って求めた値である。
 重合体(C)は、重合性基を有する単量体(例えば、酢酸ビニル、アクリル酸)の単独重合体であってもよいし、2種以上の単量体の共重合体であってもよいし、カルボニル基、水酸基および/またはカルボキシル基を有する単量体と該基を有さない単量体との共重合体であってもよい。
 重合体(C)の分子量に特に制限はない。より優れたバリア性および力学的物性(例えば、落下衝撃強さ)を有する多層構造体を得るために、重合体(C)の数平均分子量は、5,000以上であることが好ましく、8,000以上であることがより好ましく、10,000以上であることがさらに好ましい。重合体(C)の数平均分子量の上限は特に限定されず、例えば、1,500,000以下である。
 バリア性をより向上させるために、層(Y)における重合体(C)の含有量は、層(Y)の質量を基準(100質量%)として、50質量%以下であることが好ましく、40質量%以下であることがより好ましく、30質量%以下であることがさらに好ましく、20質量%以下であってもよい。重合体(C)は、層(Y)中の他の成分と反応していてもよいし、反応していなくてもよい。
[層(Y)中の他の成分]
 多層構造体中の層(Y)は、金属酸化物(A)、化合物(L)、リン化合物(B)、反応生成物(D)、陽イオン(Z)またはその化合物(E)、酸(加水分解縮合に使用する酸触媒、解膠時の酸等)、および重合体(C)に加え、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、陽イオン(Z)を含まない炭酸塩、塩酸塩、硝酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、硫酸水素塩、ホウ酸塩等の無機酸金属塩;陽イオン(Z)を含まない酢酸塩、ステアリン酸塩、シュウ酸塩、酒石酸塩等の有機酸金属塩;層状粘土化合物;架橋剤;重合体(C)以外の高分子化合物;可塑剤;酸化防止剤;紫外線吸収剤;難燃剤等が挙げられる。多層構造体中の層(Y)における前記の他の成分の含有量は、層(Y)の質量に対して50質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましく、5質量%以下であることが特に好ましく、0質量%(他の成分を含まない)であってもよい。
[層(Y)の厚さ]
 層(Y)の厚さ(多層構造体が2層以上の層(Y)を有する場合には各層(Y)の厚さの合計)は、0.05~4.0μmであることが好ましく、0.1~2.0μmであることがより好ましい。層(Y)を薄くすることによって、印刷、ラミネート等の加工時における多層構造体の寸法変化を低く抑えることができる。また、多層構造体の柔軟性が増すため、その力学的特性を基材自体の力学的特性に近づけることもできる。本発明の多層構造体が2層以上の層(Y)を有する場合、ガスバリア性の観点から、層(Y)1層当たりの厚さは0.05μm以上であることが好ましい。層(Y)の厚さは、層(Y)の形成に用いられる後述する第1コーティング液(U)の濃度や、その塗工方法によって制御することができる。
[層(Y)の赤外線吸収スペクトル]
 層(Y)の赤外線吸収スペクトルにおいて、800~1,400cm-1の領域における最大吸収波数は1,080~1,130cm-1の範囲にあることが好ましい。金属酸化物(A)とリン化合物(B)とが反応して反応生成物(D)となる過程において、金属酸化物(A)に由来する金属原子(M)とリン化合物(B)に由来するリン原子(P)とが酸素原子(O)を介して結合したM-O-Pで表される結合を形成する。その結果、赤外線吸収スペクトルにおいて該結合由来の特性吸収帯が生じる。本発明者らによる検討の結果、M-O-Pの結合に基づく吸収帯が1,080~1,130cm-1の領域に見られる場合には、得られた多層構造体が優れたガスバリア性を発現することがわかった。特に、該特性吸収帯が、一般に各種の原子と酸素原子との結合に由来する吸収が見られる800~1,400cm-1の領域において最も強い吸収である場合には、得られた多層構造体がさらに優れたガスバリア性を発現することがわかった。
 これに対し、金属アルコキシドや金属塩等の金属化合物とリン化合物(B)とを予め混合した後に加水分解縮合させた場合には、金属化合物に由来する金属原子とリン化合物(B)に由来するリン原子とがほぼ均一に混ざり合い反応した複合体が得られる。その場合、赤外線吸収スペクトルにおいて、800~1,400cm-1の領域における最大吸収波数が1,080~1,130cm-1の範囲から外れるようになる。
 層(Y)の赤外線吸収スペクトルにおいて、800~1,400cm-1の領域における最大吸収帯の半値幅は、得られる多層構造体のガスバリア性の観点から、200cm-1以下が好ましく、150cm-1以下がより好ましく、100cm-1以下がさらに好ましく、50cm-1以下が特に好ましい。
 層(Y)の赤外線吸収スペクトルは実施例に記載の方法で測定できる。ただし、実施例に記載の方法で測定できない場合には、反射吸収法、外部反射法、減衰全反射法等の反射測定、多層構造体から層(Y)をかきとり、ヌジョール法、錠剤法等の透過測定という方法で測定してもよいが、これらに限定されるものではない。
[層(W)]
 本発明の多層構造体は、層(W)をさらに含んでもよい。層(W)は、リン原子を含有する官能基を有する重合体(G1)を含む。層(W)は、層(Y)に隣接して配置されることが好ましい。すなわち、層(W)および層(Y)は、互いに接触するように配置されることが好ましい。また、層(W)は、層(Y)を挟んで基材(X)と反対側(好ましくは反対側の表面)に配置されることが好ましい。換言すれば、基材(X)と層(W)との間に層(Y)が配置されることが好ましい。好ましい一例では、層(W)が、層(Y)を挟んで基材(X)と反対側(好ましくは反対側の表面)に配置され、かつ、層(Y)に隣接して配置される。層(W)は、水酸基および/またはカルボキシル基を有する重合体(G2)をさらに含んでもよい。重合体(G2)としては、重合体(C)と同じものを使用することができる。重合体(G1)について、以下に説明する。
[重合体(G1)]
 リン原子を含有する官能基を有する重合体(G1)が有するリン原子を含有する官能基としては、例えば、リン酸基、亜リン酸基、ホスホン酸基、亜ホスホン酸基、ホスフィン酸基、亜ホスフィン酸基、およびこれらの塩、ならびにこれらから誘導される官能基(例えば、(部分)エステル化合物、ハロゲン化物(例えば、塩化物)、脱水物)等を挙げられる。中でも、リン酸基および/またはホスホン酸基が好ましく、ホスホン酸基がより好ましい。
 重合体(G1)としては、例えば、アクリル酸6-[(2-ホスホノアセチル)オキシ]ヘキシル、メタクリル酸2-ホスホノオキシエチル、メタクリル酸ホスホノメチル、メタクリル酸11-ホスホノウンデシル、メタクリル酸1,1-ジホスホノエチル等のホスホノ(メタ)アクリル酸エステル類の重合体;ビニルホスホン酸、2-プロペン-1-ホスホン酸、4-ビニルベンジルホスホン酸、4-ビニルフェニルホスホン酸等のホスホン酸類の重合体;ビニルホスフィン酸、4-ビニルベンジルホスフィン酸等のホスフィン酸類の重合体;リン酸化デンプン等が挙げられる。重合体(G1)は、少なくとも1種の前記リン原子含有官能基を有する単量体の単独重合体であってもよいし、2種類以上の単量体の共重合体であってもよい。また、重合体(G1)として、単一の単量体からなる重合体を2種以上混合して使用してもよい。中でも、ホスホノ(メタ)アクリル酸エステル類の重合体および/またはビニルホスホン酸類の重合体が好ましく、ビニルホスホン酸類の重合体がより好ましい。重合体(G1)は、ポリ(ビニルホスホン酸)またはポリ(2-ホスホノオキシエチルメタクリレート)であることが好ましく、ポリ(ビニルホスホン酸)であってもよい。また、重合体(G1)は、ビニルホスホン酸ハロゲン化物やビニルホスホン酸エステル等のビニルホスホン酸誘導体を単独または共重合した後、加水分解することによっても得ることができる。
 また、重合体(G1)は、少なくとも1種のリン原子含有官能基を有する単量体と他のビニル単量体との共重合体であってもよい。リン原子含有官能基を有する単量体と共重合することができる他のビニル単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル類、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、核置換スチレン類、アルキルビニルエーテル類、アルキルビニルエステル類、パーフルオロアルキルビニルエーテル類、パーフルオロアルキルビニルエステル類、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、マレイミド、フェニルマレイミド等が挙げられる。これらの中でも、(メタ)アクリル酸エステル類、アクリロニトリル、スチレン、マレイミド、およびフェニルマレイミドが好ましい。
 より優れた耐屈曲性を有する多層構造体を得るために、リン原子含有官能基を有する単量体に由来する構成単位が重合体(G1)の全構成単位に占める割合は、10モル%以上であることが好ましく、20モル%以上であることがより好ましく、40モル%以上であることがさらに好ましく、70モル%以上であることが特に好ましく、100モル%であってもよい。
 重合体(G1)の分子量に特に制限はないが、数平均分子量が1,000~100,000の範囲にあることが好ましい。数平均分子量がこの範囲にあると、層(W)を積層することによる耐屈曲性の改善効果と、後述する第2コーティング液(V)の粘度安定性とを、高いレベルで両立することができる。また、後述する層(Y)を積層する場合、リン原子1つあたりの重合体(G1)の分子量が100~500の範囲にある場合に耐屈曲性の改善効果をより高めることができる。
 層(W)は、重合体(G1)のみによって構成されてもよいし、重合体(G1)および重合体(G2)のみによって構成されてもよいし、他の成分をさらに含んでもよい。層(W)に含まれる他の成分としては、例えば、炭酸塩、塩酸塩、硝酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、硫酸水素塩、ホウ酸塩等の無機酸金属塩;酢酸塩、ステアリン酸塩、シュウ酸塩、酒石酸塩等の有機酸金属塩;シクロペンタジエニル金属錯体(例えば、チタノセン)、シアノ金属錯体(例えば、プルシアンブルー)等の金属錯体;層状粘土化合物;架橋剤;重合体(G1)および重合体(G2)以外の高分子化合物:可塑剤;酸化防止剤;紫外線吸収剤;難燃剤等が挙げられる。層(W)における前記の他の成分の含有率は、50質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましく、5質量%以下であることが特に好ましく、0質量%(他の成分を含まない)であってもよい。層(W)は、金属酸化物(A)、リン化合物(B)、および陽イオン(Z)のうちの少なくとも1つを含まない。典型的には、層(W)は、少なくとも金属酸化物(A)を含まない。
 多層構造体の外観を良好に保つ観点から、層(W)における重合体(G2)の含有率は、層(W)の質量を基準(100質量%)として、85質量%以下であることが好ましく、50質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることがさらに好ましく、10質量%以下であることが特に好ましい。重合体(G2)は、層(W)中の成分と反応していてもよいし、反応していなくてもよい。重合体(G1)と重合体(G2)との質量比は、重合体(G1):重合体(G2)が15:85~100:0の範囲にあることが好ましく、15:85~99:1の範囲にあることがより好ましい。
 層(W)の一層当たりの厚さは、本発明の多層構造体の物理的ストレス(例えば、屈曲)に対する耐性がより良好になる観点から、0.003μm以上であることが好ましい。層(W)の厚さの上限は特に限定されないが、1.0μm以上では物理的ストレスに対する耐性の改善効果は飽和に達する。そのため、層(W)の合計の厚さの上限は、経済性の観点から1.0μmとすることが好ましい。層(W)の厚さは、層(W)の形成に用いられる後述する第2コーティング液(V)の濃度や、その塗工方法によって制御することができる。
[多層構造体の製造方法]
 本発明の製造方法によれば、本発明の多層構造体を容易に製造できる。本発明の多層構造体について説明した事項は本発明の製造方法に適用できるため、重複する説明を省略する場合がある。また、本発明の製造方法について説明した事項は、本発明の多層構造体に適用できる。
 本発明の多層構造体の製造方法は、工程〔I〕、〔II〕および〔III〕を含む。工程〔I〕では、金属酸化物(A)と、リン化合物(B)と、陽イオン(Z)のイオン性化合物(E)とを混合することによって、金属酸化物(A)、リン化合物(B)、および陽イオン(Z)を含む第1コーティング液(U)を調製する。工程〔II〕では、基材(X)上に第1コーティング液(U)を塗工することによって、基材(X)上に層(Y)の前駆体層を形成する。工程〔III〕では、当該前駆体層を110℃以上の温度で熱処理することによって、基材(X)上に層(Y)を形成する。
[工程〔I〕(第1コーティング液(U)の調製)]
 工程〔I〕では、金属酸化物(A)と、リン化合物(B)と、陽イオン(Z)のイオン性化合物(E)とを混合する。これらを混合するにあたり、溶媒を添加してもよい。第1コーティング液(U)において、イオン性化合物(E)から陽イオン(Z)が生成される。第1コーティング液(U)は、金属酸化物(A)、リン化合物(B)、および陽イオン(Z)の他に、他の化合物を含んでもよい。
 第1コーティング液(U)において、NとNとは、前記の関係式を満たすことが好ましい。また、NとNとFとは、前記の関係式を満たすことが好ましい。さらに、NとNとFとは、前記の関係式を満たすことが好ましい。
 工程〔I〕は、以下の工程〔I-a〕~〔I-c〕を含むことが好ましい。
工程〔I-a〕:金属酸化物(A)を含む液体を調製する工程、
工程〔I-b〕:リン化合物(B)を含む溶液を調製する工程、
工程〔I-c〕:前記工程〔I-a〕および〔I-b〕で得られた金属酸化物(A)を含む液体とリン化合物(B)を含む溶液とを混合する工程。
 工程〔I-b〕は、工程〔I-a〕より先または後のいずれに行われてもよく、工程〔I-a〕と同時に行われてもよい。以下、各工程について、より具体的に説明する。
 工程〔I-a〕では、金属酸化物(A)を含む液体を調製する。当該液体は、溶液または分散液である。当該液体は、例えば、公知のゾルゲル法で採用されている手法に従い、例えば、上述した化合物(L)、水、および必要に応じて酸触媒や有機溶媒を混合し、化合物(L)を縮合または加水分解縮合することによって調製することができる。化合物(L)を縮合または加水分解縮合することによって金属酸化物(A)の分散液を得た場合、必要に応じて、当該分散液に対して特定の処理(前記したような解膠や濃度制御のための溶媒の加減等)を行ってもよい。工程〔I-a〕は、化合物(L)および化合物(L)の加水分解物からなる群より選ばれる少なくとも1種を縮合(例えば、脱水縮合)させる工程を含んでもよい。工程〔I-a〕において使用できる有機溶媒の種類に特に制限はなく、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、水、およびこれらの混合溶媒が好ましい。当該液体中における金属酸化物(A)の含有量は、0.1~30質量%の範囲にあることが好ましく、1~20質量%の範囲にあることがより好ましく、2~15質量%の範囲にあることがさらに好ましい。
 例えば、金属酸化物(A)が酸化アルミニウムである場合、酸化アルミニウムの分散液の調製では、まず必要に応じて酸触媒でpH調整した水溶液中でアルミニウムアルコキシドを加水分解縮合することによって酸化アルミニウムのスラリーを得る。次に、そのスラリーを特定量の酸の存在下に解膠することによって、酸化アルミニウムの分散液が得られる。なお、アルミニウム以外の金属原子を含有する金属酸化物(A)の分散液も、同様の方法で製造できる。酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、乳酸および酪酸が好ましく、硝酸および酢酸がより好ましい。
 工程〔I-b〕では、リン化合物(B)を含む溶液を調製する。前記溶液は、リン化合物(B)を溶媒に溶解することによって調製できる。リン化合物(B)の溶解性が低い場合には、加熱処理や超音波処理を施すことによって溶解を促進してもよい。溶媒としては、リン化合物(B)の種類に応じて適宜選択すればよいが、水を含むことが好ましい。リン化合物(B)の溶解の妨げにならない限り、溶媒は有機溶媒(例えば、メタノール)を含んでもよい。
 リン化合物(B)を含む溶液中におけるリン化合物(B)の含有量は、0.1~99質量%の範囲にあることが好ましく、45~95質量%の範囲にあることがより好ましく、55~90質量%の範囲にあることがさらに好ましい。
 工程〔I-c〕では、金属酸化物(A)を含む液体とリン化合物(B)を含む溶液とを混合する。混合時の温度を30℃以下(例えば、20℃)に維持することによって、保存安定性に優れた第1コーティング液(U)を得ることができる場合がある。
 陽イオン(Z)を含む化合物(E)は、工程〔I-a〕、工程〔I-b〕、および工程〔I-c〕からなる群より選ばれる少なくとも1つの工程で添加してもよいし、それらのうちのいずれか1つの工程で添加してもよい。例えば、化合物(E)は、工程〔I-a〕の金属酸化物(A)を含む液体または工程〔I-b〕のリン化合物(B)を含む溶液に添加してもよく、工程〔I-c〕における金属酸化物(A)を含む液体とリン化合物(B)を含む溶液との混合液に添加してもよい。
 また、第1コーティング液(U)は、重合体(C)を含んでもよい。第1コーティング液(U)に重合体(C)を含ませる方法は、特に制限されない。例えば、重合体(C)は、金属酸化物(A)を含む液体、リン化合物(B)を含む溶液、およびこれらの混合液のいずれかに、溶液として添加・混合させてもよく、粉末またはペレットの状態で添加した後に溶解させてもよい。リン化合物(B)を含む溶液に重合体(C)を含有させることによって、金属酸化物(A)を含む液体とリン化合物(B)を含む溶液とを混合した際の金属酸化物(A)とリン化合物(B)との反応速度が遅くなり、その結果、経時安定性に優れた第1コーティング液(U)が得られる場合がある。
 第1コーティング液(U)は、必要に応じて、塩酸、硝酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、およびトリクロロ酢酸から選ばれる少なくとも1種の酸化合物(J)を含んでもよい。酸化合物(J)の含有量は、0.1~5.0質量%の範囲にあることが好ましく、0.5~2.0質量%の範囲にあることがより好ましい。これらの範囲では、酸化合物(J)の添加による効果が得られ、かつ酸化合物(J)の除去が容易である。金属酸化物(A)を含む液体中に酸成分が残留している場合は、その残留量を考慮して酸化合物(J)の添加量を決定すればよい。
 工程〔I-c〕で得られた混合液は、そのまま第1コーティング液(U)として使用できる。この場合、通常、金属酸化物(A)を含む液体やリン化合物(B)を含む溶液に含まれる溶媒が、第1コーティング液(U)の溶媒となる。また、前記混合液に有機溶媒の添加、pHの調製、粘度の調製、添加物の添加等の処理を行って第1コーティング液(U)を調製してもよい。有機溶媒としては、例えば、リン化合物(B)を含む溶液の調製に用いられる溶媒等が挙げられる。
 第1コーティング液(U)の保存安定性、および第1コーティング液(U)の基材(X)に対する塗工性の観点から、第1コーティング液(U)の固形分濃度は、1~20質量%の範囲にあることが好ましく、2~15質量%の範囲にあることがより好ましく、3~10質量%の範囲にあることがさらに好ましい。第1コーティング液(U)の固形分濃度は、例えば、シャーレに第1コーティング液(U)を所定量加え、当該シャーレごと加熱して溶媒等の揮発分を除去し、残留した固形分の質量を、最初に加えた第1コーティング液(U)の質量で除することで算出できる。
 第1コーティング液(U)は、ブルックフィールド形回転粘度計(SB型粘度計:ローターNo.3、回転速度60rpm)で測定された粘度が、塗工時の温度において3,000mPa・s以下であることが好ましく、2,500mPa・s以下であることがより好ましく、2,000mPa・s以下であることがさらに好ましい。当該粘度が3,000mPa・s以下であることによって、第1コーティング液(U)のレベリング性が向上し、外観により優れる多層構造体を得ることができる。また、第1コーティング液(U)の粘度としては、50mPa・s以上が好ましく、100mPa・s以上がより好ましく、200mPa・s以上がさらに好ましい。
 第1コーティング液(U)において、NとNとは、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たす。また、第1コーティング液(U)において、NとNとFとは、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たす。さらに、第1コーティング液(U)において、FとNとNが、0.0008≦F×N/N≦1.35の関係を満たすものが好ましい。
[工程〔II〕(第1コーティング液(U)の塗工)]
 工程〔II〕では、基材(X)上に第1コーティング液(U)を塗工することによって、基材(X)上に層(Y)の前駆体層を形成する。第1コーティング液(U)は、基材(X)の少なくとも一方の面の上に直接塗工してもよい。また、第1コーティング液(U)を塗工する前に、基材(X)の表面を公知のアンカーコーティング剤で処理したり、基材(X)の表面に公知の接着剤を塗工したりする等して、基材(X)の表面に接着層(H)を形成しておいてもよい。
 第1コーティング液(U)を基材(X)上に塗工する方法は、特に限定されず、公知の方法を採用することができる。塗工方法としては、例えば、キャスト法、ディッピング法、ロールコーティング法、グラビアコート法、スクリーン印刷法、リバースコート法、スプレーコート法、キスコート法、ダイコート法、メタリングバーコート法、チャンバードクター併用コート法、カーテンコート法等が挙げられる。
 通常、工程〔II〕において、第1コーティング液(U)中の溶媒を除去することによって、層(Y)の前駆体層が形成される。溶媒の除去方法に特に制限はなく、公知の乾燥方法を適用することができる。乾燥方法としては、例えば、熱風乾燥法、熱ロール接触法、赤外線加熱法、マイクロ波加熱法等が挙げられる。乾燥処理温度は、基材(X)の流動開始温度よりも0~15℃以上低いことが好ましい。第1コーティング液(U)が重合体(C)を含む場合には、乾燥処理温度は、重合体(C)の熱分解開始温度よりも15~20℃以上低いことが好ましい。乾燥処理温度は70~200℃の範囲にあることが好ましく、80~180℃の範囲にあることがより好ましく、90~160℃の範囲にあることがさらに好ましい。溶媒の除去は、常圧下または減圧下のいずれで実施してもよい。また、後述する工程〔III〕における熱処理によって、溶媒を除去してもよい。
 層状の基材(X)の両面に層(Y)を積層する場合、第1コーティング液(U)を基材(X)の一方の面に塗工した後、溶媒を除去することによって第1の層(第1の層(Y)の前駆体層)を形成し、次いで、第1コーティング液(U)を基材(X)の他方の面に塗工した後、溶媒を除去することによって第2の層(第2の層(Y)の前駆体層)を形成してもよい。それぞれの面に塗工する第1コーティング液(U)の組成は同一であってもよいし、異なってもよい。
[工程〔III〕(層(Y)の前駆体層の処理)]
 工程〔III〕では、工程〔II〕で形成された前駆体層(層(Y)の前駆体層)を140℃以上の温度で熱処理することによって、層(Y)を形成する。この熱処理温度は第1コーティング液(U)の塗工後の乾燥処理温度よりも高いことが好ましい。
 工程〔III〕では、金属酸化物(A)同士がリン原子(リン化合物(B)に由来するリン原子)を介して結合される反応が進行する。別の観点では、工程〔III〕では、反応生成物(D)の生成反応が進行する。当該反応を充分に進行させるため、熱処理の温度は、140℃以上であることが好ましく、170℃以上であることがより好ましく、180℃以上であることがさらに好ましい。熱処理温度が低いと、充分な反応度を得るのにかかる時間が長くなり、生産性が低下する原因となる。熱処理の温度の好ましい上限は、基材(X)の種類等によって異なる。例えば、ポリアミド系樹脂からなる熱可塑性樹脂フィルムを基材(X)として用いる場合には、熱処理の温度は270℃以下であることが好ましい。また、ポリエステル系樹脂からなる熱可塑性樹脂フィルムを基材(X)として用いる場合には、熱処理の温度は240℃以下であることが好ましい。熱処理は、空気中、窒素雰囲気下、またはアルゴン雰囲気下等で実施することができる。
 熱処理の時間は0.1秒~1時間の範囲にあることが好ましく、1秒~15分の範囲にあることがより好ましく、5~300秒の範囲にあることがさらに好ましい。
 多層構造体を製造するための本発明の方法は、層(Y)の前駆体層または層(Y)に紫外線を照射する工程を含んでもよい。例えば、紫外線照射は、工程〔II〕の後(例えば、塗工された第1コーティング液(U)の溶媒の除去がほぼ終了した後)で行ってもよい。
 基材(X)と層(Y)との間に接着層(H)を配置するために、第1コーティング液(U)を塗工する前に、基材(X)の表面を公知のアンカーコーティング剤で処理したり、基材(X)の表面に公知の接着剤を塗工したりしてもよい。
 本発明の多層構造体の製造方法は、工程〔i〕および〔ii〕をさらに含んでもよい。工程〔i〕では、リン原子を含有する重合体(G1)と溶媒とを含む第2コーティング液(V)を調製する。工程〔ii〕では、層(Y)に隣接して配置された層(W)を第2コーティング液(V)を用いて形成する。工程〔i〕の順序は特に限定されず、工程〔I〕、〔II〕または〔III〕と並行して行ってもよく、工程〔I〕、〔II〕または〔III〕の後に行ってもよい。工程〔ii〕は、工程〔II〕または〔III〕の後に行うことができる。層(Y)または層(Y)の前駆体層に第2コーティング液(V)を塗工することによって、層(Y)と接するように層(Y)に積層された層(W)を形成できる。重合体(G2)を含む層(W)を形成する場合、第2コーティング液(V)は重合体(G2)を含む。第2コーティング液(V)において、重合体(G1)と重合体(G2)との質量比は、重合体(G1):重合体(G2)が15:85~100:0の範囲にあることが好ましく、15:85~99:1の範囲にあることがより好ましい。当該質量比の第2コーティング液(V)を用いることによって、重合体(G1)と重合体(G2)との質量比が当該範囲にある層(W)を形成できる。第2コーティング液(V)は、重合体(G1)(および必要に応じて重合体(G2))を溶媒に溶解することによって調製できる。
 第2コーティング液(V)に用いられる溶媒は、含まれる重合体の種類に応じて適宜選択すればよいが、水、アルコール類、またはそれらの混合溶媒であることが好ましい。重合体の溶解の妨げにならない限り、溶媒は、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トリオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン;エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール;メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、n-ブチルセロソルブ等のグリコール誘導体;グリセリン;アセトニトリル;ジメチルホルムアミド等のアミド;ジメチルスルホキシド;スルホラン等を含んでもよい。
 第2コーティング液(V)における固形分(重合体(G1)等)の濃度は、溶液の保存安定性や塗工性の観点から、0.01~60質量%の範囲にあることが好ましく、0.1~50質量%の範囲にあることがより好ましく、0.2~40質量%の範囲にあることがさらに好ましい。固形分濃度は、第1コーティング液(U)に関して記載した方法と同様の方法によって求めることができる。
 通常、工程〔ii〕において、第2コーティング液(V)中の溶媒が除去されることによって、層(W)が形成される。第2コーティング液(V)の溶媒の除去方法は特に限定されず、公知の乾燥方法を適用することができる。乾燥方法としては、例えば、熱風乾燥法、熱ロール接触法、赤外線加熱法、マイクロ波加熱法等を挙げることができる。乾燥温度は、基材(X)の流動開始温度よりも0~15℃以上低いことが好ましい。乾燥温度は70~200℃の範囲にあることが好ましく、150~200℃の範囲にあることがより好ましい。溶媒の除去は、常圧下または減圧下のいずれで実施してもよい。また、工程〔ii〕を、前述の工程〔II〕と工程〔III〕との間に実施する場合は、工程〔III〕における熱処理によって溶媒を除去してもよい。
 基材(X)の両面に、層(Y)を介して層(W)を形成してもよい。その場合の一例では、第2コーティング液(V)を一方の面に塗工した後に溶媒を除去することによって第1の層(W)を形成する。次に、第2コーティング液(V)を他方の面に塗工した後に溶媒を除去することによって第2の層(W)を形成する。それぞれの面に塗工する第2コーティング液(V)の組成は同一であってもよいし、異なってもよい。
 工程〔III〕の熱処理を経て得られた多層構造体は、そのまま本発明の多層構造体として使用できる。しかし、当該多層構造体に、前記したように他の部材(例えば、他の層)をさらに接着または形成した積層体を本発明の多層構造体としてもよい。当該部材の接着は、公知の方法で行うことができる。
[接着層(H)]
 本発明の多層構造体において、層(Y)は、基材(X)と直接接触するように積層されていてもよい。また、層(Y)は、他の層を介して基材(X)に積層されていてもよい。例えば、層(Y)は、接着層(H)を介して基材(X)に積層されていてもよい。この構成によれば、基材(X)と層(Y)との接着性を高めることができる場合がある。接着層(H)は、接着性樹脂で形成してもよい。接着性樹脂からなる接着層(H)は、基材(X)の表面を公知のアンカーコーティング剤で処理するか、基材(X)の表面に公知の接着剤を塗工することによって形成できる。接着剤としては、ポリイソシアネート成分とポリオール成分とを混合し反応させる二液反応型ポリウレタン系接着剤が好ましい。また、アンカーコーティング剤や接着剤に、公知のシランカップリング剤等の少量の添加剤を加えることによって、さらに接着性を高めることができる場合がある。シランカップリング剤としては、例えば、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基等の反応性基を有するシランカップリング剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。基材(X)と層(Y)とを接着層(H)を介して強く接着することによって、本発明の多層構造体に対して印刷やラミネート等の加工を施す際に、バリア性や外観の悪化をより効果的に抑制することができる。接着層(H)の厚さは0.01~10.0μmが好ましく、0.03~5.0μmがより好ましい。
[他の層]
 本発明の多層構造体は、様々な特性、例えば、ヒートシール性を付与したり、バリア性や力学物性を向上させたりするための他の層を含んでもよい。このような本発明の多層構造体は、例えば、基材(X)に直接または接着層(H)を介して層(Y)を積層させた後に、さらに該他の層を直接または接着層(H)を介して接着または形成することによって製造できる。他の層としては、例えば、インク層やポリオレフィン層等が挙げられるが、これらに限定されない。
 本発明の多層構造体は、商品名や絵柄を印刷するためのインク層を含んでもよい。このような本発明の多層構造体は、例えば、基材(X)に直接または接着層(H)を介して層(Y)を積層させた後に、さらに該インク層を直接形成することによって製造できる。インク層としては、例えば、溶剤に顔料(例えば、二酸化チタン)を包含したポリウレタン樹脂を分散した液体を乾燥した皮膜が挙げられるが、顔料を含まないポリウレタン樹脂や、その他の樹脂を主剤とするインクや電子回路配線形成用レジストを乾燥した皮膜でもよい。層(Y)へのインク層の塗工方法としては、グラビア印刷法のほか、ワイヤーバー、スピンコーター、ダイコーター等各種の塗工方法を用いることができる。インク層の厚さは0.5~10.0μmが好ましく、1.0~4.0μmがより好ましい。
 本発明の多層構造体において、層(W)中に重合体(G2)を含むと、接着層(H)や他の層(例えば、インク層)との親和性が高い官能基を有するため、層(W)とその他の層との密着性が向上する。このため、延伸処理等の物理的ストレスを受けた後にバリア性能を維持することができるとともに、デラミネーション等の外観不良を抑制することが可能となる。
 本発明の多層構造体の最表面層をポリオレフィン層とすることによって、多層構造体にヒートシール性を付与したり、多層構造体の力学的特性を向上させたりすることができる。ヒートシール性や力学的特性の向上等の観点から、ポリオレフィンはポリプロピレンまたはポリエチレンであることが好ましい。また、多層構造体の力学的特性を向上させるために、ポリエステルからなるフィルム、ポリアミドからなるフィルム、および水酸基含有ポリマーからなるフィルムからなる群より選ばれる少なくとも1つのフィルムを積層することが好ましい。力学的特性の向上の観点から、ポリエステルとしてはポリエチレンテレフタレートが好ましく、ポリアミドとしてはナイロン-6が好ましく、水酸基含有ポリマーとしてはエチレン-ビニルアルコール共重合体が好ましい。なお、各層の間には必要に応じて、アンカーコート層や接着剤からなる層を設けてもよい。
[多層構造体の構成]
 本発明の多層構造体の構成の具体例を、以下に示す。また、多層構造体は接着層(H)等の接着層を有していてもよいが、以下の具体例において、当該接着層の記載は省略している。
(1)層(Y)/ポリエステル層、
(2)層(Y)/ポリエステル層/層(Y)、
(3)層(Y)/ポリアミド層、
(4)層(Y)/ポリアミド層/層(Y)、
(5)層(Y)/ポリオレフィン層、
(6)層(Y)/ポリオレフィン層/層(Y)、
(7)層(Y)/水酸基含有ポリマー層、
(8)層(Y)/水酸基含有ポリマー層/層(Y)、
(9)層(Y)/無機蒸着層/ポリエステル層、
(10)層(Y)/無機蒸着層/ポリアミド層、
(11)層(Y)/無機蒸着層/ポリオレフィン層、
(12)層(Y)/無機蒸着層/水酸基含有ポリマー層、
(13)層(Y)/ポリエステル層/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(14)層(Y)/ポリエステル層/層(Y)/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(15)ポリエステル層/層(Y)/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(16)層(Y)/ポリアミド層/ポリエステル層/ポリオレフィン層、
(17)層(Y)/ポリアミド層/層(Y)/ポリエステル層/ポリオレフィン層、
(18)ポリアミド層/層(Y)/ポリエステル層/ポリオレフィン層、
(19)層(Y)/ポリオレフィン層/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(20)層(Y)/ポリオレフィン層/層(Y)/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(21)ポリオレフィン層/層(Y)/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(22)層(Y)/ポリオレフィン層/ポリオレフィン層、
(23)層(Y)/ポリオレフィン層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(24)ポリオレフィン層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(25)層(Y)/ポリエステル層/ポリオレフィン層、
(26)層(Y)/ポリエステル層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(27)ポリエステル層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(28)層(Y)/ポリアミド層/ポリオレフィン層、
(29)層(Y)/ポリアミド層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(30)ポリアミド層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(31)無機蒸着層/層(Y)/ポリエステル層、
(32)無機蒸着層/層(Y)/ポリエステル層/層(Y)/無機蒸着層、
(33)無機蒸着層/層(Y)/ポリアミド層、
(34)無機蒸着層/層(Y)/ポリアミド層/層(Y)/無機蒸着層、
(35)無機蒸着層/層(Y)/ポリオレフィン層、
(36)無機蒸着層/層(Y)/ポリオレフィン層/層(Y)/無機蒸着層
 次に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により可能である。以下の実施例および比較例における分析および評価は次のようにして行った。
(1)層(Y)の赤外線吸収スペクトル
 フーリエ変換赤外分光光度計を用い、減衰全反射法で測定した。測定条件は以下の通りとした。
  装置:パーキンエルマー株式会社製Spectrum One
  測定モード:減衰全反射法
  測定領域:800~1,400cm-1
(2)各層の厚さ測定
 多層構造体を収束イオンビーム(FIB)を用いて切削し、断面観察用の切片(厚さ0.3μm)を作製した。作製した切片を試料台座にカーボンテープで固定し、加速電圧30kVで30秒間白金イオンスパッタを行った。多層構造体の断面を電界放出形透過型電子顕微鏡を用いて観察し、各層の厚さを算出した。測定条件は以下の通りとした。
  装置:日本電子株式会社製JEM-2100F
  加速電圧:200kV
  倍率:250,000倍
(3)金属イオンの定量
 多層構造体1.0gに分析等級の高純度硝酸5mLを加えてマイクロ波分解処理を行い、得られた溶液を超純水で50mLに定容することによって、アルミニウムイオン以外の金属イオンの定量分析用溶液を得た。また、この溶液0.5mLを超純水で50mLに定容することによって、アルミニウムイオンの定量分析用溶液を得た。前記の方法で得られた溶液中に含まれる金属イオン量を誘導結合プラズマ発光分光分析装置を用いて内部標準法で定量した。各金属イオンの検出下限は0.1ppmであった。測定条件は以下の通りとした。
  装置:パーキンエルマー株式会社製Optima4300DV
  RFパワー:1,300W
  ポンプ流量:1.50mL/分
  補助ガス流量(アルゴン):0.20L/分
  キャリアガス流量(アルゴン):0.70L/分
  クーラントガス:15.0L/分
(4)アンモニウムイオンの定量
 多層構造体を1cm×1cmのサイズに裁断し、凍結粉砕した。得られた粉体を、呼び寸法1mmのふるい(標準ふるい規格JIS-Z8801-1~3準拠)でふるい分けした。前記のふるいを通過した粉体10gをイオン交換水50mL中に分散させ、95℃で10時間抽出操作を行った。得られた抽出液中に含まれるアンモニウムイオンを陽イオンクロマトグラフィー装置を用いて定量した。検出下限は0.02ppbであった。測定条件は以下の通りとした。
  装置:Dionex社製ICS-1600
  ガードカラム:Dionex社製IonPAC CG-16(5φ×50mm)
  分離カラム:Dionex社製IonPAC CS-16(5φ×250mm)
  検出器:電気伝導度検出器
  溶離液:30ミリモル/L メタンスルホン酸水溶液
  温度:40℃
  溶離液流速:1mL/分
  分析量:25μL
(5)酸素透過度の測定
 酸素透過量測定装置にキャリアガス側に基材の層が向くようにサンプルを取り付け、等圧法により酸素透過度を測定した。測定条件は以下の通りとした。
  装置:モダンコントロール社製MOCON OX-TRAN2/20
  温度:20℃
  酸素供給側の湿度:85%RH
  キャリアガス側の湿度:85%RH
  酸素圧:1気圧
  キャリアガス圧力:1気圧
(6)水蒸気透過度の測定(等圧法)
 水蒸気透過量測定装置にキャリアガス側に基材の層が向くようにサンプルを取り付け、等圧法により透湿度(水蒸気透過度)を測定した。測定条件は以下の通りとした。
  装置:モダンコントロール社製MOCON PERMATRAN W3/33
  温度:40℃
  水蒸気供給側の湿度:90%RH
  キャリアガス側の湿度:0%RH
(7)水蒸気透過度の測定(差圧法)(実施例1-36~1-39;比較例1-7の透湿度の測定)
 水蒸気透過量測定装置に水蒸気供給側に基材の層が向くようにサンプルを取り付け、差圧法により透湿度(水蒸気透過度)を測定した。測定条件は以下の通りとした。
  装置:Technolox社製Deltaperm
  温度:40℃
  水蒸気供給(上室)側の圧力:50Torr(6,665Pa)
  水蒸気透過(下室)側の圧力:0.003Torr(0.4Pa)
<重合体(G1-1)の合成例>
 窒素雰囲気下、2-ホスホノオキシエチルメタクリレート8.5gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.1gをメチルエチルケトン17gに溶解させ、80℃で12時間攪拌した。得られた重合体溶液を冷却した後、1,2-ジクロロエタン170gに加え、デカンテーションによって重合体を沈殿物として回収した。続いて、重合体をテトラヒドロフランに溶解させ、1,2-ジクロロエタンを貧溶媒として用いて再沈精製を行った。再沈精製を3回行った後、50℃で24時間真空乾燥することによって、重合体(G1-1)を得た。重合体(G1-1)は、2-ホスホノオキシエチルメタクリレートの重合体である。GPC分析の結果、該重合体の数平均分子量はポリスチレン換算で10,000であった。
<重合体(G1-2)の合成例>
 窒素雰囲気下、ビニルホスホン酸10gおよび2,2’-アゾビス(2-アミジノプロパン)2塩酸塩0.025gを水5gに溶解させ、80℃で3時間攪拌した。冷却後、重合溶液に水15gを加えて希釈し、セルロース膜であるスペクトラムラボラトリーズ社製の「Spectra/Por」(登録商標)を用いてろ過した。ろ液中の水を留去した後、50℃で24時間真空乾燥することによって、重合体(G1-2)を得た。重合体(G1-2)は、ポリ(ビニルホスホン酸)である。GPC分析の結果、該重合体の数平均分子量はポリエチレングリコール換算で10,000であった。
<第1コーティング液(U-1)の製造例>
 蒸留水230質量部を撹拌しながら70℃に昇温した。その蒸留水に、トリイソプロポキシアルミニウム88質量部を1時間かけて滴下し、液温を徐々に95℃まで上昇させ、発生するイソプロパノールを留出させることによって加水分解縮合を行った。得られた液体に、60質量%の硝酸水溶液4.0質量部を添加し、95℃で3時間撹拌することによって加水分解縮合物の粒子の凝集体を解膠させた。その後、その液体に濃度が1.0モル%の水酸化ナトリウム水溶液2.24質量部を加え、固形分濃度が酸化アルミニウム換算で10質量%になるように濃縮した。こうして得られた液体18.66質量部に対して、蒸留水58.19質量部、メタノール19.00質量部、および5質量%のポリビニルアルコール水溶液(株式会社クラレ製PVA124;ケン化度98.5モル%、粘度平均重合度2,400、20℃での4質量%水溶液粘度60mPa・s)0.50質量部を加え、均一になるように撹拌し、金属酸化物(A)を含む液体である分散液を得た。続いて、液温を15℃に維持した状態で前記分散液を攪拌しながらリン化合物(B)を含む溶液である85質量%のリン酸水溶液3.66質量部を滴下して加え、滴下完了後からさらに30分間攪拌を続け、表1に記載されたN/NP、×N/NM、およびF×N/Nの値を有する目的の第1コーティング液(U-1)を得た。
<第1コーティング液(U-2)~(U-5)の製造例>
 第1コーティング液(U-2)~(U-5)の調製では、分散液の調製において、F×N/NおよびF×N/Nの値が後掲の表1に示す値となるように1.0モル%の水酸化ナトリウム水溶液の添加量を変更した。このこと以外は第1コーティング液(U-1)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-2)~(U-5)を調製した。
<第1コーティング液(U-6)の製造例>
 第1コーティング液(U-6)の調製では、分散液の調製において、水酸化ナトリウム水溶液を添加せず、かつ、加える蒸留水の量を58.09質量部(第1コーティング液(U-1)の調製では58.19質量部)とした。また、分散液にリン酸水溶液を滴下した後、1.0モル%の水酸化ナトリウム水溶液0.10質量部を添加した。これらのこと以外は第1コーティング液(U-1)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-6)を調製した。
<第1コーティング液(U-8)の製造例>
 リン化合物(B)を含む溶液において、リン酸の代わりにリン酸トリメチルを用いたこと以外は第1コーティング液(U-5)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-8)を調製した。
<第1コーティング液(U-9)の製造例>
 分散液の調製において、5質量%のポリビニルアルコール水溶液の代わりに5質量%のポリアクリル酸水溶液を用いたこと以外は第1コーティング液(U-5)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-9)を調製した。
<第1コーティング液(U-7)および(U-10)~(U-18)の製造例>
 分散液の調製において、1.0モル%の水酸化ナトリウム水溶液の代わりに各種金属塩の水溶液を使用した以外は第1コーティング液(U-5)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-7)および(U-10)~(U-18)を調製した。金属塩の水溶液として、第1コーティング液(U-7)では1.0モル%の塩化ナトリウム水溶液、第1コーティング液(U-10)では1.0モル%の水酸化リチウム水溶液、第1コーティング液(U-11)では1.0モル%の水酸化カリウム水溶液、第1コーティング液(U-12)では0.5モル%の塩化カルシウム水溶液、第1コーティング液(U-13)では0.5モル%の塩化コバルト水溶液、第1コーティング液(U-14)では0.5モル%の塩化亜鉛水溶液、第1コーティング液(U-15)では0.5モル%の塩化マグネシウム水溶液、第1コーティング液(U-16)では1.0モル%のアンモニア水溶液、第1コーティング液(U-17)では塩水溶液(1.0モル%の塩化ナトリウム水溶液と0.5モル%の塩化カルシウム水溶液との混合液)、第1コーティング液(U-18)では塩水溶液(0.5モル%の塩化亜鉛水溶液と0.5モル%の塩化カルシウム水溶液との混合液)を用いた。
<第1コーティング液(U-19)~(U-23)の製造例>
 N/NおよびF×N/Nの比率を後掲の表1に従って変更したこと以外は第1コーティング液(U-5)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-19)~(U-23)を調製した。
<第1コーティング液(U-34)、(U-36)、(U-37)、(U-39)、および(CU-5)の製造例>
 分散液の調製において、第1コーティング液(U-34)では0.19質量部の酸化亜鉛、第1コーティング液(U-36)では0.19質量部の酸化マグネシウム、第1コーティング液(U-37)では0.38質量部のホウ酸、第1コーティング液(U-39)では0.30質量部の炭酸カルシウム、第1コーティング液(CU-5)では0.38質量部のテトラエトキシシランを、水酸化ナトリウム水溶液の代わりに用いた。これらはいずれも、ポリビニルアルコール水溶液を添加した後に添加した。また、第1コーティング液(U-1)の調製で添加する蒸留水の量58.19質量部を、第1コーティング液(U-34)および第1コーティング液(U-36)では58.00質量部、第1コーティング液(U-39)では57.89質量部、第1コーティング液(U-37)および第1コーティング液(CU-5)では57.81質量部とした。これらの変更以外は第1コーティング液(U-1)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(U-34)、(U-36)、(U-37)、(U-39)、および(CU-5)を調製した。
<第1コーティング液(CU-1)の製造例>
 分散液の調製において1.0モル%の水酸化ナトリウム水溶液を添加しなかったこと以外は第1コーティング液(U-1)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(CU-1)を調製した。
<第1コーティング液(CU-2)および(CU-6)の製造例>
 分散液の調製において、F×N/Nの値が表1に示す値となるように1.0モル%の水酸化ナトリウム水溶液の添加量を変更したこと以外は第1コーティング液(U-1)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(CU-2)および(CU-6)を調製した。
<第1コーティング液(CU-3)および(CU-4)の製造例>
 N/Nの値を表1に従って変更したこと以外は第1コーティング液(U-5)の調製と同様の方法によって、第1コーティング液(CU-3)および(CU-4)を調製した。
<第2コーティング液(V-1)~(V-6)の製造例>
 まず、合成例1で得た重合体(G1-1)を水とメタノールの混合溶媒(質量比で水:メタノール=7:3)に溶解させ、固形分濃度が1質量%の第2コーティング液(V-1)を得た。また、合成例1で得た重合体(G1-1)を91質量%、ポリビニルアルコール(株式会社クラレ製PVA124;ケン化度98.5モル%、粘度平均重合度2,400、20℃での4質量%水溶液粘度60mPa・s)を9質量%含む混合物を準備した。この混合物を、水とメタノールの混合溶媒(質量比で水:メタノール=7:3)に溶解させ、固形分濃度が1質量%の第2コーティング液(V-2)を得た。また、合成例1で得た重合体(G1-1)を91質量%、ポリアクリル酸(数平均分子量210,000、重量平均分子量1,290,000)を9質量%含む混合物を準備した。この混合物を、水とメタノールとの混合溶媒(質量比で水:メタノール=7:3)に溶解させ、固形分濃度が1質量%の第2コーティング液(V-3)を得た。さらに、重合体(G1-1)を重合体(G1-2)に変更した以外は第2コーティング液(V-1)~(V-3)の調製と同様の方法によって、第2コーティング液(V-4)~(V-6)を得た。
 実施例および比較例で使用したフィルムの詳細は以下のとおりである。
1)PET12:延伸ポリエチレンレテフタレートフィルム;東レ株式会社製、「ルミラー P60」(商品名)、厚さ12μm
2)PET125:延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム;東レ株式会社製、「ルミラー S10」(商品名)、厚さ125μm)
3)PET50:エチレン-酢酸ビニル共重合体との接着性を向上させたポリエチレンテレフタレートフィルム;東洋紡株式会社製、「シャインビーム Q1A15」(商品名)、厚さ50μm
4)ONY:延伸ナイロンフィルム;ユニチカ株式会社製、「エンブレム ONBC」(商品名)、厚さ15μm
5)CPP50:無延伸ポリプロピレンフィルム;三井化学東セロ株式会社製、「RXC-21」(商品名)、厚さ50μm
6)CPP60:無延伸ポリプロピレンフィルム;三井化学東セロ株式会社製、「RXC-21」(商品名)、厚さ60μm
7)CPP70:無延伸ポリプロピレンフィルム;三井化学東セロ株式会社製、「RXC-21」(商品名)、厚さ70μm
8)CPP100:無延伸ポリプロピレンフィルム;三井化学東セロ株式会社製、「RXC-21」(商品名)、厚さ100μm
[実施例1]
<実施例1-1>
 まず、基材(X)としてPET12を準備した。この基材上に、乾燥後の厚さが0.5μmとなるようにバーコーターを用いて第1コーティング液(U-1)をコートし、塗工後のフィルムを100℃で5分間乾燥することによって基材上に層(Y)の前駆体層を形成した。続いて、180℃で1分間熱処理することによって層(Y)を形成した。このようにして、層(Y)(0.5μm)/PETという構造を有する多層構造体(1-1)を得た。
 多層構造体(1-1)の赤外線吸収スペクトルを測定した結果、800~1,400cm-1の領域における最大吸収波数は1,107cm-1であり、前記領域における最大吸収帯の半値幅は37cm-1であった。結果を表1に示す。
 多層構造体(1-1)に含まれるナトリウムイオンを定量分析した結果、{(ナトリウムイオンのイオン価)x(ナトリウムイオンのモル数)}/(アルミニウムイオンのモル数)=0.005であった。結果を表1に示す。
 多層構造体(1-1)から21cm×30cmの大きさのサンプルを切り出し、このサンプルを23℃、50%RHの条件下で24時間放置した後、同条件下で長軸方向に5%延伸し、延伸した状態を10秒間保持することで、延伸処理後の多層構造体(1-1)とした。続いて、多層構造体(1-1)の延伸処理前後の酸素透過度および透湿度を測定した。結果を表2に示す。
<実施例1-2~1-23>
 第1コーティング液(U-1)の代わりに第1コーティング液(U-2)~(U-23)を用いたこと以外は実施例1の多層構造体(1-1)の作製と同様にして、実施例1-2~1-23の多層構造体(1-2)~(1-23)を作製した。実施例1-4の多層構造体(1-4)の金属イオン含有量を分析した結果、{(ナトリウムイオンのイオン価)x(ナトリウムイオンモル数)}/(アルミニウムイオンモル数)=0.240であった。
<実施例1-24>
 PET12上に、乾燥後の厚さが0.5μmとなるようにバーコーターを用いて第1コーティング液(U-4)をコートし、塗工後のフィルムを110℃で5分間乾燥することによって基材上に層(Y)の前駆体層を形成した。続いて、得られた積層体に対して、160℃で1分間熱処理することによって層(Y)を形成した。このようにして、層(Y)(0.5μm)/PETという構造を有する多層構造体を得た。この多層構造体の層(Y)上に、乾燥後の厚さが0.3μmになるようにバーコーターによって第2コーティング液(V-1)をコートし、200℃で1分間乾燥することによって層(W)を形成した。このようにして、層(W)(0.3μm)/層(Y)(0.5μm)/PETという構造を有する実施例1-24の多層構造体(1-24)を得た。
<実施例1-25~1-29>
 第2コーティング液(V-1)の代わりに第2コーティング液(V-2)~(V-6)を用いたこと以外は実施例1-24の多層構造体(1-24)の作製と同様の方法によって、実施例1-25~1-29の多層構造体(1-25)~(1-29)を得た。
<実施例1-30>
 PET12上に、厚さ0.03μmの酸化アルミニウムの蒸着層(X’)を真空蒸着法によって形成した。この蒸着層上に、乾燥後の厚さが0.5μmとなるようにバーコーターを用いて第1コーティング液(U-4)をコートし、塗工後のフィルムを110℃で5分間乾燥することによって基材上に層(Y)の前駆体層を形成した。続いて、得られた積層体に対して、180℃で1分間熱処理することによって層(Y)を形成した。このようにして、層(Y)(0.5μm)/蒸着層(X’)(0.03μm)/PETという構造を有する多層構造体(1-30)を得た。
<実施例1-31>
 実施例1-4で得られた多層構造体(1-4)の層(Y)上に、厚さ0.03μmの酸化アルミニウムの蒸着層(X’)を真空蒸着法により形成して、蒸着層(X’)(0.03μm)/層(Y)(0.5μm)/PET(12μm)という構造を有する多層構造体(1-31)を得た。
<実施例1-32>
 PET12の両面に、厚さ0.03μmの酸化アルミニウムの蒸着層(X’)を真空蒸着法によって形成した。この、両方の蒸着層上に乾燥後の厚さが0.5μmとなるようにバーコーターを用いて第1コーティング液(U-4)をコートし、塗工後のフィルムを110℃で5分間乾燥することによって層(Y)の前駆体層を形成した。続いて、得られた積層体に対して、乾燥機を用いて180℃で1分間熱処理することによって層(Y)を形成した。このようにして、層(Y)(0.5μm)/蒸着層(X’)(0.03μm)/PET/蒸着層(X’)(0.03μm)/層(Y)(0.5μm)という構造を有する多層構造体(1-32)を得た。
<実施例1-33>
 PET12の両面に、乾燥後の厚さがそれぞれ0.5μmとなるようにバーコーターを用いて第1コーティング液(U-4)をコートし、塗工後のフィルムを110℃で5分間乾燥することによって基材上に層(Y)の前駆体層を形成した。続いて、得られた積層体に対して、乾燥機を用いて180℃で1分間熱処理することによって層(Y)を形成した。この積層体の2つの層(Y)の上に厚さ0.03μmの酸化アルミニウムの蒸着層(X’)を真空蒸着法によって形成した。このようにして、蒸着層(X’)(0.03μm)/層(Y)(0.5μm)/PET/層(Y)(0.5μm)/蒸着層(X’)(0.03μm)という構造を有する多層構造体(1-33)を得た。
<実施例1-34>
 第1コーティング液(U-1)の代わりに第1コーティング液(U-34)を用いたこと以外は実施例1-1の多層構造体(1-1)の作製と同様の方法によって、実施例1-34の多層構造体(1-34)を得た。
<実施例1-35>
 第1コーティング液(U-1)の代わりに第1コーティング液(U-34)を用い、第2コーティング液(V-1)の代わりに第2コーティング液(V-4)を使用したこと以外は実施例1-24の多層構造体(1-24)の作製と同様の方法によって、実施例1-35の多層構造体(1-35)を得た。 
<実施例1-36>
 PET125上に、バーコーターを用いて第1コーティング液(U-36)を乾燥後の厚さが0.3μmとなるように塗工し、110℃で5分間乾燥させた後、180℃で1分間熱処理を行った。このようにして多層構造体(1-36)を得た。
<実施例1-37~1-39>
 第1コーティング液(U-36)の代わりに第1コーティング液(U-37)、(U-34)、および(U-39)を使用したこと以外は実施例1-36の多層構造体(1-36)の作製と同様にして、実施例1-37~1-39の多層構造体(1-37)~(1-39)を得た。
<比較例1-1~1-6>
 第1コーティング液(U-1)の代わりに第1コーティング液(CU-1)~(CU-6)を用いたこと以外は実施例1-1の多層構造体(1-1)の作製と同様にして、比較例1-1~1-6の多層構造体(C1-1)~(C1-6)を作製した。比較例1-1の多層構造体(C1-1)の金属イオン含有量を分析した結果、検出下限未満({(ナトリウムイオンのイオン価)x(ナトリウムイオンモル数)}/(アルミニウムイオンモル数)=0.001未満)であった。
<比較例1-7>
 第1コーティング液(U-36)の代わりに第1コーティング液(CU-7)を用いたことを以外は実施例1-36の多層構造体(1-36)の作製と同様にして、比較例1-7の多層構造体(CA7)を作製した。
 実施例における層(Y)、層(Y)に対応する比較例の層(CY)、および層(W)の形成条件を表1に示す。なお、表1中の略号は、以下の物質を表す。
  PVA:ポリビニルアルコール(株式会社クラレ製PVA124)
  PAA:ポリアクリル酸(東亜合成株式会社製アロン-15H)
  PPEM:ポリ(2-ホスホノオキシエチルメタクリレート)
  PVPA:ポリ(ビニルホスホン酸) 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 実施例1-2~1-39および比較例1-1~1-7の多層構造体について、実施例1-1の多層構造体(1-1)と同様に評価を行った。実施例および比較例における多層構造体の構成、およびそれらの評価結果を表2に示す。なお、表2中の「-」は、測定を行っていないことを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2から明らかなように、実施例の多層構造体は、強い物理的ストレスを受けても、ガスバリア性および水蒸気バリア性の両方を高いレベルで維持できた。また、層(Y)に加えて層(W)を含む多層構造体は、層(Y)のみの多層構造体に比べて延伸後のバリア性がさらに高かった。また、層(Y)に加えて層(W)および無機蒸着層(X’)を含む多層構造体は、層(Y)のみの多層構造体に比べて延伸後のバリア性がさらに高かった。
<実施例1-40>
 実施例1-1で得た多層構造体(1-1)を保護シートとして用いて太陽電池モジュールを作製した。10cm角の強化ガラス上に設置されたアモルファス系のシリコン太陽電池セルを厚さ450μmの2枚のエチレン-酢酸ビニル共重合体シートで挟み込んだ。次に、光入射側となるエチレン-酢酸ビニル共重合体シート上に多層構造体(1-1)のポリエチレンテレフタレート層が外側となるように貼り合わせた。このようにして太陽電池モジュールを作製した。貼り合わせは、150℃にて真空引きを3分間行った後、9分間圧着を行うことによって実施した。作製された太陽電池モジュールは、大気下で良好に作動し、長期に亘って良好な電気出力特性を示した。
 以下の実施例および比較例において、量子効率および分光放射エネルギーは、大塚電子製量子効率測定装置QE-1000により測定した。なお、前記分光放射エネルギーは、本実施例で使用した量子ドット蛍光体の蛍光波長における放射エネルギーである。
[量子ドット蛍光体を含有する電子デバイス]
<実施例2-1>
 50mLガラス製スクリューボトルに、アルゴンガス雰囲気下、シクロオレフィン重合体(日本ゼオン株式会社製、ZEONEX(登録商標)480R;構造式[Q-1]を含む非晶質樹脂)5gと、真空凍結脱気した後にアルゴンガス雰囲気下で保存した脱水トルエン(和光純薬工業株式会社製)5gとを仕込み、室温下ローラー式攪拌機上で撹拌することで溶解させ、樹脂溶液1を得た。
 得られた樹脂溶液1に、82mg/mLに調製された量子ドット蛍光体のトルエン分散液3.05gをアルゴンガス雰囲気下で加えた。ここで量子ドット蛍光体の分子構造としては、コア・シェル構造を有し、コアがInP、シェルがZnSで、ミリスチン酸をキャッピング剤として用いたナノ粒子であって、コアの直径2.1nmのものを用いた。その後、株式会社シンキー社製自転・公転式撹拌装置ARV310-LEDを用いて十分に混練し、量子ドット蛍光体をシクロオレフィンポリマーに対して5質量%含有した分散液(量子ドット蛍光体を含む組成物)1を得た。その分散液をポリメチルペンテン製シャーレ上に置いたシリコーンリング(外径55mm×内径50mm×厚1mm)の内側に注ぎ込んだ。そのままアルゴンガス雰囲気下で風乾させ板状の成形物を得た後に、窒素雰囲気下、40℃で5時間乾燥させることにより溶媒を完全に除去し、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体1を得た。
 次に、量子ドット蛍光体を大気から保護するために、前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体1の表面に実施例1-1に記載の多層構造体(1-1)を接着性樹脂を用いて張り合わせ、ガスバリア層を形成し、量子ドット蛍光体を含む構造物1を得た。ガスバリア層の厚さは12.5μmであった。この量子ドット蛍光体を含む構造物1の量子効率を大塚電子株式会社製量子効率測定装置 QE-1000を用いて測定したところ74%であった。この値は、元になった量子ドット蛍光体トルエン分散液で同様の測定をした場合に得られる量子効率80%と遜色のない結果である。
 また、量子ドット蛍光体を含む構造物1を22mW、450nmの青色LEDパッケージ上に配置して、大気下で2,000時間連続して発光させた。LEDの発光初期における量子ドット蛍光体の分光放射エネルギーが0.42mW/nmであったのに対し、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは0.40mW/nmであった。従って、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは初期の値に対して95.2%という高い値を保っていた。
<実施例2-2>
 実施例2-1で得た量子ドット蛍光体分散樹脂成形体1を180℃に加熱したプレス機を用いて、20MPaのプレス圧で加工し、100μmの厚みを持った量子ドット蛍光体を含む樹脂フィルム1を得た。
 次に、量子ドット蛍光体を大気から保護するために、前記量子ドット蛍光体を含む樹脂フィルム1の表面に実施例1-1に記載の多層構造体体(1-1)を接着性樹脂を用いて張り合わせ、ガスバリア層を形成し、量子ドット蛍光体を含む構造物2を得た。ガスバリア層の厚みは12.5μmであった。
 前記構造物2につき、実施例1と同様の測定を実施したところ、量子効率は76%と良好な値を示した。結果を表3に示す。また、構造物2につき、実施例2-1と同様にして測定した発光初期における分光放射エネルギーは0.39mW/nmであり、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは0.37mW/nmであった。従って、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは初期の値に対して94.9%という高い値を保っていた。
<比較例2>
 量子ドット蛍光体を大気から保護するために、前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体2の表面に比較例1-1に記載の多層構造体を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で量子ドット蛍光体を含む構造物3を得た。この量子ドット蛍光体を含む構造物3の量子効率を大塚電子株式会社製量子効率測定装置 QE-1000を用いて測定したところ76%であった。この値は、元になった量子ドット蛍光体トルエン分散液で同様の測定をした場合に得られる量子効率82%と遜色のない結果である。
 また、量子ドット蛍光体を含む構造物1を22mW、450nmの青色LEDパッケージ上に配置して、大気下で2,000時間連続して発光させた。LEDの発光初期における量子ドット蛍光体の分光放射エネルギーが0.42mW/nmであったのに対し、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは0.33mW/nmであった。従って、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは初期の値に対して78.5%まで減少した。
<比較例3>
 量子ドット蛍光体を大気から保護するために、前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体2の表面にEVOHフィルム(日本合成化学工業株式会社製、「ソアノール D2908」(商品名)を共押出法により作製した厚さ15μmのフィルム、酸素透過度0.5mL/(m・day)、透湿度130g/m・24hrs)を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で量子ドット蛍光体を含む構造物4を得た。この量子ドット蛍光体を含む構造物4の量子効率を大塚電子株式会社製量子効率測定装置 QE-1000を用いて測定したところ76%であった。この値は、元になった量子ドット蛍光体トルエン分散液で同様の測定をした場合に得られる量子効率82%と遜色のない結果である。
 また、量子ドット蛍光体を含む構造物1を22mW、450nmの青色LEDパッケージ上に配置して、大気下で2,000時間連続して発光させた。LEDの発光初期における量子ドット蛍光体の分光放射エネルギーが0.42(mW/nm)であったのに対し、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは0.30(mW/nm)であった。従って、2,000時間経過後の分光放射エネルギーは初期の値に対して71.4%まで減少した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 本発明によれば、ガスバリア性および水蒸気バリア性に優れ、かつ物理的ストレスに対する耐性が高い多層構造体を備える保護シートを用いた電子デバイス得ることが可能である。そのため、本発明によれば、製造段階および流通段階に加え、長期間に亘ることが多い使用段階においても、高い特性を維持できる電子デバイスが得られる。さらに、本発明によれば、量子効率の低下が抑制され、かつ大気下での長期的な使用(例えば、2,000時間連続発光)した場合にも性能保持率が高い量子ドット蛍光体を含有する電子デバイスを提供できる。

Claims (11)

  1.  保護シートを含む電子デバイスあって、
     前記保護シートが、基材(X)と、前記基材(X)に積層された層(Y)とを含む多層構造体を備え、
     前記層(Y)は、金属酸化物(A)とリン化合物(B)とイオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)とを含有し、
     前記リン化合物(B)が、前記金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有する化合物であり、
     前記層(Y)において、前記金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、前記リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)とが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たし、かつ
     前記層(Y)において、前記モル数(N)と、前記陽イオン(Z)のモル数(N)と、前記イオン価(F)とが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たすことを特徴とする、電子デバイス。
  2.  前記陽イオン(Z)が、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、チタンイオン、ジルコニウムイオン、ランタノイドイオン、バナジウムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、ホウ素イオン、アルミニウムイオン、およびアンモニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも1種の陽イオンである、請求項1に記載の量子ドット蛍光体を含む電子デバイス。
  3.  さらに、量子ドット蛍光体を含む請求項1または2に記載の電子デバイス。
  4.  量子ドット蛍光体を含む層の片側または両側に前記保護シートが配置された請求項3に記載の電子デバイス。
  5.  前記層(Y)において、前記モル数(N)と、前記モル数(N)と、前記イオン価(F)とが、0.01≦F×N/N≦0.60の関係を満たす、請求項1~4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
  6.  前記リン化合物(B)が、リン酸、ポリリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸、およびそれらの誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物である、請求項1~5のいずれか1項に記載の電子デバイス。
  7.  前記層(Y)の赤外線吸収スペクトルにおいて、800~1,400cm-1の範囲における最大吸収波数が1,080~1,130cm-1の範囲にある、請求項1~6のいずれか1項に記載の電子デバイス。
  8.  前記基材(X)が熱可塑性樹脂フィルムを含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の電子デバイス。
  9.  前記層(Y)が、カルボニル基、水酸基、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、およびカルボキシル基の塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の官能基を含有する重合体(C)を含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の電子デバイス。
  10.  前記多層構造体は、前記層(Y)に隣接して配置された層(W)をさらに含み、前記層(W)は、リン原子を含有する官能基を有する重合体(G1)を含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の電子デバイス。
  11.  金属酸化物(A)と、前記金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有するリン化合物(B)と、イオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)のイオン性化合物(E)とを混合することによって第1コーティング液(U)を調製する工程〔I〕と、
     前記基材(X)上に前記第1コーティング液(U)を塗工することによって、前記基材(X)上に前記層(Y)の前駆体層を形成する工程〔II〕と、
     前記前駆体層を110℃以上の温度で熱処理する工程〔III〕とを含み、
     前記第1コーティング液(U)において、前記金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、前記リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)とが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たし、かつ
     前記第1コーティング液(U)において、前記モル数(N)と、前記陽イオン(Z)のモル数(N)と、前記イオン価(F)とが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たすことを特徴とする、請求項1~10のいずれか1項に記載の電子デバイス。
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