WO2016071241A1 - Verfahren zur herstellung von siliconelastomerteilen - Google Patents

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silicone
electromagnetic radiation
viscosity
rubber composition
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Ernst Selbertinger
Frank Achenbach
Bernd Pachaly
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Wacker Chemie AG
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    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend

Definitions

  • the invention relates to a generative process for
  • Silicone compositions by means of electromagnetic radiation which is characterized in that the elastomeric molded body is constructed stepwise by repeatedly small portions of the crosslinkable silicone composition repeatedly placed and crosslinked by electromagnetic radiation.
  • Silicone molding (hardness, tear strength, ductility, color, etc.) are essentially by the material
  • composition of the crosslinkable silicone rubber composition (further characterized by the processing conditions such as pressure and temperature), i.e., these processes typically provide.
  • the mechanical and optical properties largely
  • Modeling preferably takes place by means of various 3D CAD construction methods (computer-aided design).
  • Input data for the creation of a 3D CAD model can also serve 3D measurement data, such as this e.g. from CT measurements
  • the 3D CAD data set must subsequently be supplemented by material, process and plant-specific data, which is carried out by way of an interface (interface) in a suitable format (e.g.
  • Manufacturing Software is passed. This software generates from the geometric information ultimately virtual
  • the software run is as follows:
  • One of these techniques is the stereolithography method, for example described in WO93 / 08506 AI and WO95 / 25003 AI, in which a radiation-curing
  • Irradiation of selected areas of the x, y plane is locally cured.
  • uncrosslinked secondary layer with a defined layer thickness can, for. B. by a doctor blade or a slot die
  • the silicone resin composition can contain fillers and consequently also of pasty consistency. In this case, that can
  • the employed epoxy-functional monomers and oligomers provide hard moldings with a
  • Platinum catalyst by thermal conductivity and by the strong exothermicity of the addition crosslinking is at least partially crosslinked, which makes the one hand, the entire silicone rubber composition in the bathroom unusable and on the other hand has a sticky, poorly defined surface of the molding.
  • Producing three-dimensional objects from heat-sensitive compositions may be made, among others, of silicone rubber resins, which is characterized in that the shaped body is guided by focusing a light beam (focal spot of an IR laser) in three dimensions within the bath volume of a thermally crosslinkable liquid plastic mass
  • the method is especially suitable for
  • the above-mentioned generative method has in common that the forming the body uncrosslinked
  • Material is not selectively applied to areas of a work surface (or present as a bath), but also in
  • a distinctive embodiment of the stereolithography process is to selectively place the crosslinkable mass only at those locations which are part of the Be moldings.
  • the subsequent cross-linking can then take place selectively (for example by means of a laser) or non-selectively (for example by flat irradiation with a lamp).
  • the site-selective application of the crosslinkable mass can e.g. carried out by extrusion.
  • DE 10 2012 204 494 AI the production of a primary support of silicone for
  • the primary dressing has the form of a grid or net which, in analogy to the filament 3D printing by meandering continuous extrusion of
  • Silicone rubber compounds through a nozzle and subsequent
  • the site-selective application of the crosslinkable composition is preferably carried out by so-called ballistic methods, which are characterized in that the crosslinkable material by means of a print head in the form of individual droplets
  • DE 10 2011 012 412 AI and DE 10 2011 012 480 AI describe a device and a
  • photocrosslinkable materials are then solidified site-selectively by electromagnetic radiation, in particular by two-photon or multiphoton processes in the focus range of a laser.
  • the photocrosslinkable materials are characterized by a viscosity of less than 200 mPa.s, in particular less than 80 mPa.s, more preferably less than 40 mPa.s.
  • a viscosity of less than 200 mPa.s in particular less than 80 mPa.s, more preferably less than 40 mPa.s.
  • Crosslinker component wherein the photocrosslinkable groups of the class of acrylates, methacrylates, acrylamides,
  • Methylacrylamides urethane acrylates, urethane methacrylates,
  • Silicone elastomer moldings (8) with the following steps:
  • Silicone rubber composition via at least one print head (5) on an independently spatially controllable base plate (3) or a molded body attached thereto.
  • Silicone elastomer molded part arises.
  • Silicone elastomer molding from the 2nd step is only so far moved in the z direction, so that the next Drop layer (6) can be applied in the x, y working plane.
  • Steps 1 to 3 are repeated until the silicone elastomer molding (8) is completely assembled, characterized in that
  • the silicone rubber composition used is addition-crosslinking and is crosslinked by means of electromagnetic radiation (7) in the second step either thermally and / or induced by UV or UV-VIS light,
  • the silicone rubber composition has a viscosity of at least 10 Pa.s, measured by the method as disclosed in the specification, at 25 ° C and a shear rate of 0.5 s -1 ;
  • variable intensity occurs
  • steps 1) and 2) and 3) independently of one another or coupled to one another, simultaneously or successively in any order.
  • the viscosity of the silicone rubber compositions is determined by the method of measurement described below. In the examples, too, the viscosities were determined analogously.
  • a rheometer "MCR 302" from Anton Paar, Graz, Austria was used and according to DIN EN ISO 3219: 1994 and DIN 53019
  • Measuring temperature is 25.00 ° C +/- 0.05 ° C, the measuring time is 3 min.
  • the viscosity specification represents the arithmetic mean of three independently performed individual measurements Uncertainty of dynamic viscosity is 1.5%.
  • the shear rate gradient was chosen as a function of the viscosity and is reported separately for each viscosity indication (see also data in Table 2).
  • the shear rate gradient (shear rate) used in the viscosity measurements was usually 0.5 s -1 and, depending on the silicone rubber composition used, 10, 25 or 100 s -1 (see also details in Table 2).
  • Microdroplet dosage particularly advantageous. Due to the high shear rate occurring in the metering valve during the jetting dosing process, the viscosity becomes such
  • Microdroplets (6) After the deposition of the micro-droplet (6) on the substrate (3) reduces its
  • Silicone rubber compositions exhibit a viscosity at 25 ° C. and a shear rate of 0.5 s -1 of preferably at least 40, more preferably at least 100 and especially preferably at least 200 Pa.s.
  • Both the jetting device (1) and the source of electromagnetic radiation (2) and the base plate (3) are spatially independently controllable. This means that the corresponding device in all three spatial directions x, y and z, so three-dimensional, can be moved selectively.
  • the deposition of the droplet (6) and its crosslinking or crosslinking (7) are coupled to each other or even at the same time.
  • the method according to the invention is carried out on a production plant which contains at least the following components: a spatially independently controllable jetting device (1), containing at least one reservoir (4) and at least one jetting nozzle (5),
  • Figure 1 shows a schematic example of a generative manufacturing plant, which in the inventive
  • crosslinkable silicone rubber composition is in the reservoir (4) of a jetting device (1), which with pressure
  • Dosing nozzle (5) is connected.
  • the reservoir (4) can be any suitable material.
  • the individual metering nozzles (5) can be accurately positioned in the x, y and z directions in order to achieve a precise target
  • Moving units with high repeat accuracy are preferably used for positioning the metering nozzles (5).
  • the positioning unit used for positioning the metering nozzles (5) has an accuracy of at least + 100 ⁇ , preferably of at least ⁇ 25 ⁇ , each in all three spatial directions.
  • the maximum speed of the movement units used significantly determines the production time of the molded part (8) and should therefore be at least 0.01 m / s, preferably at least 0.1 m / s, preferably at least 0.3 m / s, more preferably at least 0.4 m / s.
  • Silicone elastomer molded parts (8) via print heads (5) in the x-, y- and z-direction are formed drop by drop, with
  • Silicone rubber compositions which have a viscosity of greater than 10 Pa.s, preferably at least 40, particularly preferably at least 100 and particularly preferably at least 200 Pa.s (in each case at 25 ° C. and a shear rate of 0.5 s -1 ) ) Bubble jet and piezo print heads (5) in question, wherein piezo printheads (5) are particularly preferred. The latter enable jetting of both low viscosity materials, with drop drops for drops (6) of a few
  • Pikolitern (pL) (2 pL correspond to a droplet diameter of about 0.035 ⁇ ⁇ ) can be realized, as well as medium and high viscosity materials such as the silicone rubber compositions, piezoelectric printheads (5) are preferred with a nozzle diameter between 50 and 500 ⁇ and Drop volume in the nanoliter range (1 to 100 nL) can be generated.
  • these printheads (5) can deposit droplets (6) with a very high dosing frequency (about 1-30 kHz), while with higher-viscosity masses (> 100 Pa.s) depending on the rheological Properties (shear thinning
  • Dosing nozzle cleaning station to be supplemented.
  • the jetting devices (1) can also over
  • an annealing of the produced molded part (8) takes place as an additional step
  • Fig. 1 The entire plant outlined in Fig. 1 may also be housed in a vacuum chamber or inert gas chamber, e.g. around
  • electromagnetic radiation sources (2) eg IR laser, IR emitters, UV / VIS laser, UV lamp, LED
  • the radiation sources (2) can via deflection mirror,
  • the method according to the invention comprises all conceivable possibilities in this regard. For example, it may be necessary first to cover a flat area of the x, y working plane with silicone rubber drops (6) and to wait for leveling (intermeshing) in order to then radiate and crosslink this area over a wide area. It may also be useful, the applied surface in order
  • Depon Schlieren and crosslinking determining parameters depending on the crosslinking system, the rheological behavior and the adhesion properties of the silicone rubber compositions and possibly the other materials used to match.
  • silicone rubber compositions preferably used in the process according to the invention crosslink by hydrosilylation reaction (addition reaction) between Si-bonded hydrogen atoms and aliphatically unsaturated groups, which are preferably on the silicone polymer.
  • Such silicone rubber compositions which are known to the person skilled in the art, e.g. as RTV-2 ⁇ 2-part Room Temperature
  • silicone rubber compositions are typically offered in the form of two components, wherein one component of the SiH-functional crosslinker and the other component of the platinum
  • Catalyst contains. With the aid of inhibiting additives or by using special at room temperature largely inactive, but thermally activatable platinum catalysts but also one-component silicone rubber compositions
  • Silicone rubber compositions can be made in the process according to the invention by IR radiation, e.g. by means of an (N) IR laser or an infrared lamp.
  • Silicone rubber compounds crosslink by UV or UV-VIS induced addition reaction. Compared to thermal crosslinking, the UV- or UV-VIS-induced crosslinking has numerous advantages. On the one hand, intensity,
  • UV / VIS-induced addition crosslinking is evident in the production of multicomponent molded parts, such as, for example, hard / soft composites, which contain, in addition to the silicone elastomer, a thermoplastic whose thermally induced distortion is avoided.
  • Silicone rubber compositions are described, for example, in DE 10 2008 000 156 A1, DE 10 2008 043 316 A1, DE 10 2009 002 231 A1, DE 10 2009 027 486 A1, DE 10 2010 043 149 A1 and WO 2009/027133 A2.
  • the crosslinking comes through UV / VIS-induced
  • Hydrosilylation catalyst with complexes of platinum being preferred.
  • the literature describes numerous photosensitive platinum catalysts which are disclosed in US Pat Exclusion of light are largely inactive and by irradiation with light having a wavelength of 250-500 nm in at
  • Room temperature active platinum catalysts can be transferred. Examples thereof are ( ⁇ -diolefin) ( ⁇ -aryl) -platinum complexes (EP 0 122 008 A1, EP 0 561 919 B1), Pt (II) ⁇ -diketonate complexes (EP 0 398 701 B1) and ( ⁇ 5 -
  • Cyclopentadienyl) tri ( ⁇ -alkyl) platinum (IV) complexes (EP 0 146 307 B1, EP 0 358 452 B1, EP 0 561 893 B1). Particular preference is given to MeCpPtMe 3 and the complexes derived therefrom by substitution of the groups present on the platinum, for example as described in EP 1 050 538 B1 and EP 1 803 728 B1.
  • the UV- or UV-VIS-induced crosslinking compositions can be formulated in one or more constituents.
  • Silicone rubber composition and temperature.
  • the platinum catalyst should preferably be used in a catalytically sufficient amount, so that a sufficiently rapid crosslinking at room temperature is made possible. Typically, 0.1 to 500 ppm by weight of
  • Catalyst based on the content of the Pt metal used to the total silicone rubber composition preferably 0.5-200 ppm by weight, particularly preferably 1-50 ppm by weight.
  • UV / VIS induced addition-crosslinking silicone rubber composition is light of wavelength 240-500 nm, preferably 250-400 nm, more preferably 250 to 350 nm used.
  • a rapid cross-linking including a crosslinking time at room temperature of less than 20 min, preferably less than 10 min., Particularly preferably less than 1 min. is to be understood, it is recommended to use a UV / VIS radiation source with a power between 10 mW / cm 2 and 20,000 mW / cm 2 , preferably between 30 mW / cm 2 and 15,000 mW / cm 2 , and a
  • Another object of the present invention are to provide a third object of the present invention.
  • Silicone elastomer molding (8) made with the
  • inventive method was as generative
  • thermoplastic filament dosing unit originally mounted in the NEO printer was replaced by a jetting nozzle from Vermes Microdispensing GmbH, Otterfing, Germany
  • the VERMES jetting nozzle was incorporated into the printer control so that the start-stop signal (trigger signal) of the VERMES jetting nozzle was actuated by the GCode controller of the NEO printer. This was in the GCode control
  • the computer's GCode control simply turned the VERMES jetting nozzle on and off (start and stop dosing).
  • the heating cable of the originally installed filament heating nozzle of the NEO printer was disconnected and with the VERMES jetting nozzle
  • the remaining dosing parameters (dosing frequency, rising, falling, etc.) of the VERMES jetting nozzle were set using the MDC 3200+ Microdispensing Control Unit.
  • the NEO printer was controlled by means of a
  • the software control and control signal connection of the NEO printer (software: "Repitier-Host") has been modified so that both the movement of the VERMES jetting nozzle in the three spatial directions could be controlled, as well as the signal for droplet deposition
  • the travel speed of the modified NEO printer set for the tests is 0.01 m / s.
  • Dosing system As dosing system for the used
  • Silicone rubber compounds used were the microdispensing metering system MDV 3200 A from Vermes Microdispensing GmbH, Otterfing, Germany, hereinafter referred to as the VERMES dosing system, consisting of a complete system with the following components: a) MDV 3200 A - Nozzle unit with a connection for Luer-Lock cartridges, which are connected to the cartridge top with 3-8 bar compressed air
  • MicroDispensing Control Unit which in turn was connected to the PC control and movable cables with the nozzle, made it possible to adjust the jetting dosing parameters
  • VERMES jetting nozzles with diameters of 50, 100, 150 and 200 pm are available. This allowed the finest nanoliter-range silicone rubber droplets to be precisely positioned on any x, y, z position of the base plate. Unless stated otherwise, the Vermes valve had a 200 ⁇ m nozzle as the standard nozzle insert (nozzle insert Nll-200).
  • the modified NEO printer and the VERMES dosing system were controlled with a PC and an open-source software "Repitier-Host".
  • Silicone rubber compositions a UV emitter "Bluepoint 4" Dr. Hönle AG, Grafeling / Kunststoff, Germany was used, hereinafter BLUEPOINT irradiation system.
  • Irradiation system consists of an operating unit and an associated flexible optical fiber optics, which was adjusted so that the exiting UV-A beam on the freshly deposited Drop position of the component was focused. The beam output was adjusted over the specimens to be irradiated so that the distance between the beam exit and the component / specimen was 10 mm.
  • the BLUEPOINT irradiation system which is based on a 150 W high-pressure mercury lamp, allows the max. Intensity a UV-A intensity of about 13200 mW / cm 2 and has a timer setting range of 0.1 - 999.9 sec.
  • UV irradiation chamber For offline UV irradiation of components, a UV irradiation chamber was used, which was mirrored inside and had the following external dimensions:
  • the distance between the UV fluorescent lamp and the substrate was 16 cm.
  • UV lamp with 36 Watt electrical power, type Osram Puritec HNS L 36 W 2G11,
  • IR-induced (thermal) crosslinking a short-wave infrared module IR-Spot from OPTRON GmbH was used
  • the IR spot has a power divider that enables online performance adjustment in the printing process.
  • the silicone rubber compositions used were all volatilized prior to processing by storing 100 g of the mass in an open PE can in a desiccator for 3 hours at a vacuum of 10 mbar and at room temperature. The mass was then filled into a 30 ml cartridge with Baj onettver gleich air-free and with a matching Auspress-stamp
  • UV-sensitive silicone compositions were prepared under yellow light (with the exception of light below 700 nm), analogously volatilized and filled into opaque Semco cartridges.
  • R2 Vinyldimethylsiloxy-terminated polydimethylsiloxane having a viscosity of 200 mPa.s, available from ABCR GmbH, Düsseldorf, Germany under the product name
  • R4 Vinyldimethylsiloxy-terminated polydimethylsiloxane having a viscosity of 20,000 mPa.s, available from ABCR GmbH, Düsseldorf, Germany under the product name
  • Methylhydrogensiloxy content of 25-30 mol%, available at
  • Methylhydrogensiloxy content of 50-55 mol% available from Gelest, Inc. (65933 Frankfurt am Main, Germany) under the product name HMS-501.
  • UV-activatable platinum catalyst trimethyl- (methylcyclopentadienyl) -platinum (IV), available from Sigma-Aldrich, Taufkirchen, Germany.
  • R8 SEMICOSIL ® 988 1K, a thermally curable, translucent, firm, addition-curing silicone rubber; with a dynamic viscosity of approx. 450,000 mPa. s (at 0.5 s -1 and 25 ° C) according to DIN EN ISO 3219 (available from WACKER CHEMIE AG, Kunststoff, Germany).
  • R9 A hydrophobized fumed silica with a BET surface area of 300 m2 / g was prepared analogously to
  • Patent DE 38 39 900 Al by hydrophobing from a hydrophilic fumed silica Wacker HDK ® T-30 (available from WACKER CHEMIE AG, Kunststoff, Germany).
  • RIO SEMICOSIL ® 914 UV THIXO A + B, a UV light induced addition-crosslinking, transparent, thixotropic 2K silicone rubber composition with a mixed viscosity of about 42,000 mPa.s (at 0.5 s "1 and 25 ° C) according to DIN EN ISO 3219 and a hardness of Shore A of 70 (available from WACKER CHEMIE AG, Kunststoff, Germany)
  • RH (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, 98%, available from ABCR GmbH, Düsseldorf, Germany, CAS No. [2530-83-8]
  • Example 1 Example 1 :
  • R8 was deposited drop by drop with the jetting nozzle parameters given in Table 1 on a 25 ⁇ 75 mm glass slide (3) to form a 10 ⁇ 30 mm measuring layer.
  • the high zero shear viscosity and yield point of the silicone rubber composition allows sufficient
  • the layer was crosslinked by means of IR radiation by the IR spot at a distance of 50 mm for 1 min. at a power level of 40% centered over the length of the layer was performed. This process, ie alternating jetting and crosslinking, was repeated until the cuboid shaped body (8) had reached a height of 3 mm. The result was a transparent elastic molded body (8) with dimensions of 10 x 30 x 3 mm corresponding to those shown in Figure 2.
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • RIO was repeatedly deposited with the jetting nozzle parameters given in Table 1 on a glass slide (3) of area 25 x 75 mm dropwise (voxel diameter: 0.7 mm) to a 15 x 15 mm measuring layer and the deposited mass during the total printing process (50 sec) with the BLUEPOINT irradiation system with a power of 13,200 mW / cm 2 continuously irradiated. You got on this Way cuboid shaped body (8) with the dimensions 15 x 15 x 3 mm.
  • the masterbatch was mixed until RI dissolved and the mass was completely homogeneous and transparent.
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • the masterbatch was mixed until RI dissolved and the mass was completely homogeneous and transparent.
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • the masterbatch was mixed until RI dissolved and the mass was completely homogeneous and transparent.
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • the masterbatch was mixed until RI dissolved and the mass was completely homogeneous and transparent.
  • the silicone composition was reported in Table 1
  • R8 was coated with the jetting nozzle parameters given in Table 1 on a 25 x 75 mm glass opaque support (3)
  • the slide (3) with the uncrosslinked molded body thereon was then thermally crosslinked at 150 ° C and atmospheric pressure for 30 minutes.
  • Example 11 Example 9 with non-expanded mass
  • Example 2 was repeated with the only difference that the mass before filling into the cartridge is not below
  • Vacuum was evacuated. This resulted in an opaque-white elastic molded body (8) with dimensions of 10 x 30 x 3 mm, which was completely interspersed with small air bubbles. The four sides and the top were slightly bulged and the molding (8) was interspersed with small bubbles.
  • Example 12 Production of a Three-Dimensional "Wacker” Lettering with Silicone Composition from Example 2
  • the pressure pad (8) was a 2 mm thick PTFE plate with the dimensions 2 mm X 150 X 150 mm.
  • the deposited mass was continuously irradiated with the BLUEPOINT irradiation system with a power of 13,200 mW / cm 2 .
  • Example 8 with the non-volatile silicone composition R8 was repeated analogously, except that the entire 3D printing process of the uncrosslinked raw molding took place in a vacuum at 130 mbar: The above-described, rebuilt, inventive
  • Production plant was additionally in a vacuum chamber
  • Inventive manufacturing system can be started and operated from the outside and also the printing process are completely controlled from the outside.
  • the manufacturing plant according to the invention worked within the vacuum chamber at the set vacuum.
  • the vacuum chamber used was a drum-shaped vacuum wood dryer from Eberl, Germany, 2 meters in diameter and 3 meters in length, to which a vacuum pump was connected.
  • the vacuum chamber had room temperature inside of 23 ° C.
  • inventive plant was evacuated to a pressure of 130 mbar, the 3D printing process was started.
  • the non-volatile silicone composition R7 was coated with the jetting nozzle parameters given in Table 1 on a glass
  • Example 10 was repeated analogously with a
  • non-volatile silicone composition was used with the composition analogous to Example 2.
  • the non-volatile silicone composition was deposited drop by drop with the jetting nozzle parameters given in Table 1, Example 2 on a 25 x 75 mm glass slide (3) to a 15 x 15 mm x 3 mm (L x W x H) measuring layer , The high zero shear viscosity and yield point of

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Abstract

Ein generatives Verfahren zur Herstellung von Formteilen (8) aus Siliconelastomeren, wobei eine Siliconkautschukmasse Tropfen (6) für Tropfen platziert und mittels elektromagnetischer Strahlung (2) vernetzt wird.

Description

Verfahren zur Herstellung von Siliconelastomerteilen
Die Erfindung betrifft ein generatives Verfahren zur
Herstellung von elastomeren Formkörpern aus vernetzbaren
Siliconmassen mittels elektromagnetischer Strahlung, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass der elastomere Formkörper schrittweise aufgebaut wird, indem wiederholt kleine Portionen der vernetzbaren Siliconmasse präzise platziert und mittels elektromagnetischer Strahlung vernetzt werden.
Stand der Technik
Für die Herstellung von elastomeren Formteilen ausgehend von vernetzbaren Siliconkautschukmassen stehen zahlreiche
Verarbeitungsverfahren zur Verfügung. Je nach Konsistenz und Vernetzungsmechanismus der Siliconkautschukmasse kann die
Herstellung von Formteilen z.B. im Spritzguss, im
Pressformverfahren, im Extrusionsverfahren, durch Kalandrieren, Vergießen etc. erfolgen. Die Eigenschaften des gebildeten
Siliconformteils (Härte, Reißfestigkeit, Dehnbarkeit, Farbe etc.) werden im Wesentlichen durch die stoffliche
Zusammensetzung der vernetzbaren Siliconkautschukmasse (ferner durch die Verarbeitungsbedingungen wie Druck und Temperatur) bestimmt, d.h., diese Verfahren liefern typischerweise bzgl . der mechanischen und optischen Eigenschaften weitgehend
isotrope Siliconformteile in hoher Stückzahl.
Die bestehenden Verfahren stoßen jedoch zunehmend an ihre Grenzen, wenn Siliconformteile komplexerer Geometrie,
unterschiedlicher Materialzusammensetzung und/oder variabler Eigenschaftsprofile benötigt werden. Die Herstellung dafür geeigneter z.B. Spritzgussformen wird zunehmend aufwändiger und teurer oder ist prinzipeil nicht möglich. Derartige
Anforderungsprofile bestehen beispielsweise auf dem Gebiet der Exo- und Endoprothesen und insbesondere Epithesen (z.B. künstliche Ohrmuschel, deren weichere und härtere Stellen
(Haut, Knorpel) kontinuierlich ineinander übergehen) . Auch können sehr komplexe Strukturen, wie die aus der Bionik
bekannten, mittels der herkömmlichen Verarbeitungsverfahren nicht realisiert werden. Der allgemeine Trend hin zur
Individualisierung und individuellen Anpassung von
Gebrauchsartikeln bedingt zudem kleinere Stückzahlen, wodurch die Effizienz konventioneller Verfahren nicht mehr gegeben ist. Gleiches gilt für die Herstellung von Prototypen.
Ein zunehmend an Bedeutung gewinnendes Verfahren zur
Herstellung von Formteilen ist das Generative
Fertigungsverfahren (Additive Manufacturing; 3D-Druck
Verfahren) , welches zahlreiche unterschiedliche Techniken umfasst, denen« ein automatisierter additiver Schichtaufbau des Formteils gemeinsam ist (A. Gebhardt, Generative
Fertigungsverfahren, Carl Hanser Verlag, München 2013) .
Voraussetzung aller generativen Herstellverfahren ist die
Darstellung der Geometrie sowie ggf. weiterer Eigenschaften (Farbe, Materialzusammensetzung) des gewünschten Formkörpers in Form eines digitalen 3D Datensatzes, welcher als virtuelles Modell des Formkörpers verstanden werden kann. Diese
Modellierung erfolgt vorzugsweise mittels diverser 3D CAD- Konstruktionsverfahren ( Computer-aided design) . Als
Eingangsdaten für die Erstellung eines 3D CAD-Modells können auch 3D-Messdaten dienen, wie diese z.B. aus CT-Messungen
(Computer Tomographie) oder MRT-Messungen (Magnet Resonanz Tomographie) resultieren. Der 3D CAD-Datensatz muss nachfolgend durch material-, Verfahrens- und anlagenspezifische Daten ergänzt werden, was dadurch erfolgt, dass dieser über eine Schnittstelle (Interface) in einem geeigneten Format (z.B.
STL-, CLI/SLC-, PLY-, VRML-, AMF-Format) an eine Additive
Manufacturing Software übergeben wird. Diese Software erzeugt aus den geometrischen Informationen letztlich virtuelle
Einzelschichten {slicen) , wobei die optimale Orientierung des Bauteils im Bauraum, Stützstrukturen etc. Berücksichtigung erfahren. Der vollständige Datensatz erlaubt dann die direkte Ansteuerung der für die generative Fertigung eingesetzten Maschine (3D Drucker) .
Der Software -Ablauf ist wie folgt:
1. Konstruktion des Bauteils im CAD-Format
2. Export in das STL-Datenformat
3. Aufteilung des 3D-Modells in Schichten parallel zur
Druckebene und Generierung des GCode
. Übertragung des GCode an die Druckersteuerung Generative Fertigungsverfahren stehen für zahlreiche
Materialien sowie deren Kombinationen zur Verfügung (z.B.
Metalle, Kunststoffe, Keramiken, Gläser).
Eine dieser Techniken ist das Stereolithographie- Verfahren, beispielsweise beschrieben in WO93/08506 AI und WO95/25003 AI, bei welchem eine Strahlungshärtende
niedrigviskose Kunststoffmasse in dünner Schicht auf eine Trägerplatte aufgebracht und durch computer-gesteuerte
Bestrahlung ausgewählter Bereiche der x,y-Ebene (Laser oder Strahlungsquelle mit Maske) lokal ausgehärtet wird. Nach
Aufbringung der nächsten dünnen Schicht (typischerweise durch justiertes Absenken/Eintauchen der auf der Trägerplatte befindlichen bereits vernetzten Schicht in ein Bad bestehend aus der unvernetzten flüssigen Kunststoffmasse) wiederholt sich dieser Vorgang, wodurch der Formkörper Schicht für Schicht in z -Richtung aufgebaut wird. Das Aufbringen der jeweils
unvernetzten Folgeschicht mit definierter Schichtdicke kann z. B. durch ein Rakelmesser oder eine Breitschlitzdüse
bewerkstelligt werden. Abschließend wird die nichtvernetzte Kunststoffmasse ggf. unter Zuhilfenahme eines Lösungsmittels und Ultraschall von dem gebildeten Pormkörper entfernt. Ein solches Verfahren wird auch in DE 199 50 284 AI beschrieben, wobei die im sichtbaren Licht durch radikalische Polymerisation aushärtende Masse u.a. eine einen Initiator enthaltende
Siliconharzmasse sein kann, insbesondere vom Ormocer®-Typ . Die Siliconharzmasse kann Füllstoffe enthalten und folglich auch von pastöser Konsistenz sein. In diesem Fall kann das
Aufbringen der einzelnen Schichten durch ein Walzensystem erfolgen. Nachteilig ist, dass das Aufbringen hochviskoser Massen mittels eines Walzensystems hochstabile, flächige
Substrukturen voraussetzt, eine Voraussetzung, die weichelastische Substrukturen im Allgemeinen nicht erfüllen. Auch WO 96/30182 beschreibt die Herstellung eines Formkörpers im
Stereolithographie-Verfahren ausgehend von einer einen
kationischen Photoinitiator enthaltenden epoxy- funktionellen Siliconmasse, deren Aushärtung mit Hilfe eines UV-Lasers erfolgt. Die eingesetzten epoxy-funktionellen Monomere und Oligomere liefern harte Formkörper mit einer
Glasübergangstemperatur > 250 °C. Als nachteilig muss neben der toxikologischen Bedenklichkeit kationischer Photoinitiatoren (Oniumsalze) und Photosensibilisatoren (kondensierte Aromaten) die benötigte hohe Funktionsdichte des Silicones an
Epoxygruppen gewertet werden. Zudem erfordert das
Stereolithographie-Verfahren relativ niedrigviskose
Kunststoffmassen (typischerweise < 0,3 Pa.s), um eine gute Nivellierung der neu aufgebrachten, wenige hundert μιτι dünnen Schichten zu gewährleisten. Die Herstellung weich-elastischer Formkörpern mit guter mechanischer Festigkeit bedingt jedoch die Verwendung langkettiger Siliconpolymere in Kombination mit verstärkenden Füllstoffen, was zwangsläufig zu vergleichsweise hochviskosen Siliconkautschukmassen (> 100 Pa.s) führt. Zudem ist es wünschenswert, die physiologisch unbedenklichen additionsvernetzbaren Siliconkautschukmassen zur Herstellung der Formkörper einzusetzen; diese vernetzen durch Platinkatalysierte Additionsreaktion von SiH-Gruppen haltigen
Siloxanvernetzern an vinyl-funktionelle Polysiloxane
(Hydrosilylierung) . Die Kombination der thermisch oder durch UV-Licht initiierten Additionsvernetzung mit den voranstehend beschriebenen Stereolithographie-Verfahren ist problematisch, da selbst bei starker Fokussierung des bestrahlten und damit aktivierten Bereiches (mittels eines IR- oder UV-Lasers) auch die unmittelbare Umgebung durch Diffusion des aktivierten
Platin-Katalysators, durch Thermoleitfähigkeit und durch die starke Exothermie der Additionsvernetzung zumindest anvernetzt wird, was zum einen die gesamte Siliconkautschukmasse im Bad unbrauchbar macht und zum anderen eine klebrige, schlecht abgegrenzte Oberfläche des Formkörpers zur Folge hat.
Auch das in DE 100 24 618 AI offengelegte Verfahren zum
Erzeugen dreidimensionaler Gegenstände aus wärmeempfindlichen Zusammensetzungen (erwähnt werden u.a. Siliconkautschukharze), welches sich dadurch auszeichnet, dass der Formkörper durch fokussiertes Führen eines Lichtstrahls (Brennfleck eines IR- Lasers) in drei Dimensionen innerhalb des Badvolumens einer thermisch vernetzbaren flüssigen Kunststoffmasse , die
notwendigerweise transparent sein muss, gebildet wird, vermag das voranstehende Problem nicht zu lösen. Zudem ist die
Herstellung eines weich-elastischen Formkörpers an das
Vorhandensein geeigneter Stützstrukturen gebunden, welche in diesem Verfahren nicht simultan aufgebaut werden können.
Verfeinerte Varianten dieses Verfahrens werden in DE 101 11 422 AI und DE 101 52 878 B4 beschrieben. DE 101 52 878 B4
beschreibt die Herstellung dreidimensionaler Formkörper oder Strukturen auf Oberflächen durch ortsselektives Verfestigen eines organo- unktionellen Siliconharzes innerhalb eines Bades aus diesem Material mit Hilfe von Zwei- oder Mehrphotonen- Polymerisation (A. Ostendorf, B.N. Chichov, Photonics Spectra 2006, 10, 72-80). Die verwendeten Flüssigsiliconharze enthalten organofunktionelle Gruppen, die eine (radikalische) Zwei- oder Mehrphotonen-Polymerisation ermöglichen (z.B.
Methacrylgruppen) , wobei die für Mehrphotonenprozesse benötigte hohe Strahlungsintensität durch Fokussierung eines
Ultrakurzzeit-gepulsten (N) IR-Laserstrahls (ggf. nach
vorausgegangener StrahlaufWeitung) erzeugt wird. Der Vorteil besteht darin, dass die für den Mehrphotonenprozess benötigte Strahlungsintensität nur innerhalb des Fokusbereiches erreicht wird, während das Material in der Umgebung lediglich eine
Einphotonanregung erfährt, durch welche der
Polymerisationsschritt, also die Aushärtung, nicht initiiert werden kann. Das Verfahren eignet sich vor allem zur
Herstellung formgenauer substratgestützter oder selbsttragender Strukturen vorzugsweise im m-Bereich, bestehend aus
hochvernetzten, harten (ORMOCER®-artigen) Organo-Silikaten, nicht aber weich-elastischen Siliconelastomeren.
Insgesamt kann festgestellt werden, dass die Herstellung gummi- elastischer Siliconformkörper gemäß der voranstehenden
Stereolithographie-artigen Verfahren aufgrund der aufgeführten Unzulänglichkeiten ungeeignet ist.
Den voranstehend aufgeführten generativen Verfahren ist gemeinsam, dass das den Formkörper bildende unvernetzte
Material nicht selektiv auf Bereiche einer Arbeitsfläche aufgebracht wird (bzw. als Bad vorliegt) , sondern auch in
Bereichen vorliegt, die nicht Teil des Formkörpers werden. Erst durch das sich anschließende selektive Aushärten wird ein Teil der aufgebrachten oder vorhandenen Masse zum Bestandteil des
Formteils. Eine sich davon unterscheidende Ausführungsform des Stereolithographie-Verfahrens besteht darin, die vernetzbare Masse selektiv nur an jenen Orten zu platzieren, die Teil des Formkörpers werden. Die sich anschließende Vernetzung kann dann selektiv (z.B. mittels eines Lasers) oder nicht selektiv (z.B. durch flächige Bestrahlung mit einer Lampe) erfolgen.
Das ortsselektive Aufbringen der vernetzbaren Masse kann z.B. mittels Extrusion erfolgen. In DE 10 2012 204 494 AI wird die Herstellung einer Primärauflage aus Silicon zur
Wundversorgung beschrieben, die u.a. im 3D-Druck Verfahren erfolgen kann. Die Primärauflage besitzt die Form eines Gitters oder Netzes, welches in Analogie zum Filament-3D-Druck durch mäanderförmiges kontinuierliches Extrudieren von
Siliconkautschukmassen durch eine Düse und anschließende
Vernetzung gebildet wird.
Das ortsselektive Aufbringen der vernetzbaren Masse erfolgt vorzugsweise durch sogenannte ballistische Verfahren, die sich dadurch auszeichnen, dass das vernetzbare Material mit Hilfe eines Druckkopfes in Form einzelner Tröpfchen
diskontinuierlich an der gewünschten Stelle der Arbeitsebene aufgebracht wird (Jetting) . DE 10 2011 012 412 AI und DE 10 2011 012 480 AI beschreiben eine Vorrichtung sowie ein
Verfahren zur schrittweisen Herstellung von 3D-Strukturen mit einer Druckkopfanordnung mit wenigstens zwei, vorzugsweise 50 bis 200 Druckkopfdüsen, welche das ortsselektive Aufbringen ggf. mehrerer photovernetzbarer Materialien mit
unterschiedlicher Photoempfindlichkeit ermöglicht, wobei die photovernetzbaren Materialien anschließend ortsselektiv durch elektromagnetische Strahlung, insbesondere durch Zweiphotonenoder Mehrphotonenprozesse im Fokusbereich eines Lasers, verfestigt werden. Das Aufbringen der photovernetzbaren
Materialien mittels Inkjetdruck stellt an die Viskosität der photovernetzbaren Materialien spezielle Anforderungen. So zeichnen sich die photovernetzbaren Materialien durch eine Viskosität von weniger als 200 mPa.s, insbesondere weniger als 80 mPa.s, besonders bevorzugt weniger als 40 mPa.s aus. Um eine ausreichende Vernetzung des aufgebrachten Materials mittels Zwei- bzw. Mehrphotonenpolymerisation zu erzielen, bedarf es auf die Laserwellenlänge abgestimmter Photoinitiatoren und einer photovernetzbare Gruppen enthaltenden polymeren
Vernetzer-Komponente, wobei die photovernetzbaren Gruppen der Klasse der Acrylate, Methacrylate , Acrylamide,
Methylacrylamide , Urethanacrylate , Urethanmethacrylate ,
Ureaacrylate und Ureamethacrylate angehören. Das beschriebene Verfahren eignet sich jedoch nicht zur Herstellung von
Formteilen bestehend aus Siliconelastomeren. Zum einen sind die verwendeten Photoinitiatoren, Photosensitizer, Coinitiatoren etc. in den (unpolaren) Siliconmassen nur schlecht löslich, was zu Trübungen, Mikrophasenseparation und Inhomogenitäten führt. Die radikalische Härtung von mit den voranstehend genannten photovernetzbaren Gruppen funktionalisierten Siliconen weist bekanntermaßen das Problem der durch Sauerstoff verursachten Inhibierung auf, wodurch die Vernetzungsgeschwindigkeit erheblich herabgesetzt wird und klebrige Oberflächen
resultieren. Steuert man diesem Effekt durch Erhöhung der
Funktionsdichte an z.B. Acrylatgruppen entgegen, resultieren nichtelastische, spröde Vulkanisate. Schließlich setzt die für eine Mehrphotonenpolymerisation (insbesondere bedingt durch die niedrige Funktionsdichte an photopolymerisierbaren Gruppen) benötigte, durch gepulste Femtosekundenlaser erzeugte extrem hohe lokale Photonendichte Zersetzungsreaktionen
(Carbonisierung) im Silicon in Gang, was zu inakzeptablen
Verfärbungen und Materialschädigungen führt. Insgesamt kann festgestellt werden, dass keine der dem
Stand der Technik entsprechenden Verfahren und Vorrichtungen geeignet sind, um effizient und effektiv qualitativ hochwertige Formteile aus Siliconelastomeren im generativen
Fertigungsverfahren herzu tellen .
Aufgabe war daher die Bereitstellung eines generativen
Fertigungsverfahrens und einer dafür geeigneten Vorrichtung zur effizienten Herstellung von individualisierten, qualitativ hochwertigen Siliconelastomerformteilen, welche die oben genannten Nachteile nicht aufweisen. Diese Aufgabe wird überraschenderweise durch das
erfindungsgemäße Verfahren und der erfindungsgemäßen
Vorrichtung gelöst .
Das erf indungsgemäße Verfahren
Verfahren zur schichtweisen Herstellung von
Siliconelastomerformteilen (8) mit folgenden Schritten:
1) Über eine unabhängig räumlich steuerbare Jetting- Vorrichtung (1) erfolgt in der x, y-Arbeitsebene das tropfenweise Aufbringen (6) mindestens einer durch
elektromagnetische Strahlung härtbaren
Siliconkautschukmasse über mindestens einen Druckkopf (5) auf eine unabhängig räumlich steuerbare Basisplatte (3) oder einen darauf befestigten Formkörper.
2) Über mindestens eine unabhängig räumlich steuerbare Quelle für elektromagnetische Strahlung (2) erfolgt die
Vernetzung oder Anvernetzung (7) des oder der Tropfen (6), so dass eine Schicht des gehärteten oder teilgehärteten
Siliconelastomerformteils entsteht .
3) Die Jetting-Vorrichtung (1) oder das
Siliconelastomerformteil aus dem 2. Schritt wird nur soweit in z-Richtung verschoben, so dass die nächste Tropfen-Schicht (6) in der x, y-Arbeitsebene aufgetragen werden kann.
4) Die Schritte 1. bis 3. werden wiederholt, bis das Siliconelastomerformteil (8) komplett aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet, dass
a) die verwendete Siliconkautschukmasse additionsvernetzend ist und mittels elektromagnetischer Strahlung (7) im 2. Schritt entweder thermisch und/oder durch UV- oder UV-VIS-Licht induziert vernetzt wird,
b) die Silikonkautschukmasse eine Viskosität von mindestens 10 Pa.s aufweist, gemessen mit der Methode wie in der Beschreibung offenbart, bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1; und
c) die Einwirkung der elektromagnetischen Strahlung (7) auf die Tropfen (6) in der x, y-Arbeitsebene ortsselektiv oder flächig, gepulst oder kontinuierlich sowie mit konstanter oder
veränderlicher Intensität erfolgt; und
d) die Schritte 1) und 2) und 3) unabhängig voneinander oder aneinander gekoppelt, gleichzeitig oder hintereinander in beliebiger Reihenfolge erfolgen.
Die Viskosität der Silikonkautschukmassen wird mittels der nachstehend beschriebenen Messmethode bestimmt. Auch in den Beispielen wurden die Viskositäten analog bestimmt. Es wurde ein Rheometer „MCR 302" der Fa. Anton Paar; Graz, Österreich verwendet und nach DIN EN ISO 3219: 1994 und DIN 53019
gemessen, wobei ein Kegel-Platte-System (Kegel CP50-2) mit einem Öffnungswinkel von 2° verwendet wurde. Die Kalibrierung des Gerätes erfolgte mit Normalöl 10000 der Physikalisch- Technischen Bundesanstalt, Braunschweig, Deutschland. Die
Messtemperatur beträgt 25,00°C +/- 0,05°C, die Messzeit 3 min. Die Viskositätsangabe stellt den arithmetischen Mittelwert von drei unabhängig durchgeführten Einzelmessungen dar. Die Messunsicherheit der dynamischen Viskosität beträgt 1,5 %. Der Schergeschwindigkeitsgradient wurde in Abhängigkeit von der Viskosität gewählt und wird für jede Viskositätsangabe separat ausgewiesen (siehe auch Angaben in Tabelle 2) . Der bei den Viskositätsrnessungen verwendete Schergeschwindigkeitsgradient (Scherrate) betrug üblicherweise jeweils 0,5 s'1 sowie je nach eingesetzter Siliconkautschukmasse 10, 25 oder 100 s-1 (siehe auch Angaben in Tabelle 2) .
Scherverdünnendes Verhalten der Siliconkautschukmassen, wie es füllstoffhaltige Siliconkautschukmassen aufweisen, wirkt sich bei der im erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzten
Mikrotröpfchendosierung besonders vorteilhaft aus. Durch die im Dosierventil während des Jetting-Dosiervorgangs auftretende hohe Schergeschwindigkeit wird die Viskosität solcher
füllstoffhaltigen Siliconkautschukmassen stark erniedrigt und ermöglicht dadurch das Jetting-Dosieren von sehr feinen
Mikrotröpfchen (6) . Nach der Abscheidung des Mikrotröpfens (6) auf dem Substrat (3) verringert sich dessen
Schergeschwindigkeit schlagartig, wodurch seine Viskosität sofort wieder ansteigt. Dadurch wird der abgeschiedene Tropfen (6) sofort wieder hochviskos und ermöglicht den formgenauen Aufbau dreidimensionaler Strukturen.
Die im erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten
Silikonkautschukmassen zeigen eine Viskosität bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1 von bevorzugt mindestens 40, besonders bevorzugt mindestens 100 und insbesondere bevorzugt mindestens 200 Pa.s.
Sowohl die Jetting-Vorrichtung (1) als auch die Quelle für elektromagnetische Strahlung (2) sowie die Basisplatte (3) sind räumlich unabhängig steuerbar. Dies bedeutet, dass die entsprechende Vorrichtung in alle drei Raumrichtungen x, y und z, also dreidimensional, ortsselektiv bewegt werden kann.
In einer weiteren Ausführungsform erfolgt das Abscheiden des Tropfens (6) und seine Vernetzung oder Anvernetzung (7) aneinandergekoppelt oder sogar zeitgleich.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird auf einer Fertigungsanlage durchgeführt, die mindestens folgenden Komponenten enthält: - eine räumlich unabhängig steuerbare Jetting-Vorrichtung (1), enthalten mindestens ein Reservoir (4) und mindestens eine Jetting-Düse (5) ,
- eine räumlich unabhängig steuerbare Quelle für
elektromagnetische Strahlung (2) ,
- eine räumlich unabhängig steuerbare Basisplatte (3).
Abbildung 1 zeigt ein schematisches Beispiel für eine generative Fertigungsanlage, welche im erfindungsgemäßen
Verfahren für die Herstellung von Siliconelastomerteilen (8) eingesetzt wird. Die durch elektromagnetische Strahlung
vernetzbare Siliconkautschukmasse befindet sich im Reservoir (4) einer Jetting-Vorrichtung (1) , welches mit Druck
beaufschlagt ist und über eine Dosierleitung mit einer
Dosierdüse (5) verbunden ist. Dem Reservoir (4) können
Einrichtungen vor- oder nachgeschaltet sein, die es
ermöglichen, mehrkomponentige Siliconkautschukmassen homogen zu vermischen und/oder gelöste Gase durch Evakuieren zu entfernen. Es können mehrere unabhängig voneinander arbeitende Jetting- Vorrichtungen (1) vorhanden sein, um das Formteil (8) aus unterschiedlichen Siliconkautschukmassen aufzubauen,
Compositteile aus Siliconelastomeren und anderen Kunststoffen zu ermöglichen oder im Fall komplexerer Strukturen ggf. notwendig werdende Stützstrukturen aus geeigneten Materialien zu realisieren.
Die einzelnen Dosierdüsen (5) können in x- , y- und z- Richtung akkurat positioniert werden, um ein zielgenaues
Abscheiden der Siliconkautschuktropfen (6) auf der Basisplatte (3) , die vorzugsweise beheizbar ist und ebenfalls unabhängig in x-, y- und z -Richtung positioniert werden kann, bzw. im
späteren Verlauf der Formteilentstehung auf der bereits platzierten und ggf. bereits vernetzten Siliconkautschukmasse zu ermöglichen.
Bevorzugt werden zur Positionierung der Dosierdüsen (5) Verfahreinheiten mit hoher Wiederholgenauigkeit verwendet. Die zum Positionieren der Dosierdüsen (5) verwendete Verfahreinheit hat eine Genauigkeit von mindestens + 100 μτη, vorzugsweise von mindestens ± 25 μπι, jeweils in alle drei Raumrichtungen. Die maximale Geschwindigkeit der verwendeten Verfahreinheiten bestimmt maßgeblich die Herstellungszeit des Formteils (8) und sollte daher mindestens 0,01 m/s, bevorzugt mindestens 0,1 m/s, vorzugsweise mindestens 0,3 m/s, besonders bevorzugt mindestens 0,4 m/s betragen.
Bevorzugt werden Dosierdüsen (5) , die ein Jetting
flüssiger Medien mittlerer bis hoher Viskosität ermöglichen. Durch das erfindungsgemäße Verfahren können somit
Siliconelastomerformteile (8) über Druckköpfe (5) in x- , y und z -Richtung tropfenweise aufgebaut werden, mit
Siliconkautschukmassen die eine Viskosität größer 10 Pa.s, bevorzugt mindestens 40, besonders bevorzugt mindestens 100 und insbesondere bevorzugt mindestens 200 Pa.s (jeweils bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1) . Als solche kommen insbesondere (thermische) Bubble-Jet- und Piezo-Druckköpfe (5) in Frage, wobei Piezo-Druckköpfe (5) besonders bevorzugt sind. Letztere ermöglichen das Jetting sowohl niedrigviskoser Materialien, wobei Tropfenvolumen für Tropfen (6) von einigen wenigen
Pikolitern (pL) (2 pL entsprechen einem Tropfendurchmesser von ca. 0,035 μπ\) realisiert werden können, als auch mittel- und hochviskoser Materialien wie der Siliconkautschukmassen, wobei Piezo-Druckköpfe (5) mit einem Düsendurchmesser zwischen 50 und 500 μαι bevorzugt werden und Tropfenvolumen im Nanoliter-Bereich (1 bis 100 nL) erzeugt werden können. Mit niedrigviskosen Massen (< 100 mPa.s) können diese Druckköpfe (5) Tröpfchen (6) mit sehr hoher Dosierfrequenz abscheiden (ca. 1 - 30 kHz) , während mit höherviskosen Massen (> 100 Pa.s) in Abhängigkeit von den rheologischen Eigenschaften (scherverdünnendes
Verhalten) Dosierfrequenzen bis zu ca. 500 Hz erzielt werden können. Geeignete Düsen werden beispielsweise in DE 10 2011 108 799 AI beschrieben.
Um eine Verschmutzung der Dosierdüsen (5) zu vermeiden bzw. zu beseitigen, kann die in Abb. 1 gezeigte
erfindungsgemäße Anlage durch eine automatisch arbeitende
Dosierdüsen-Reinigungsstation ergänzt werden.
Die Jetting-Vorrichtungen (1) können zudem über
Temperiereinheiten verfügen, um das rheologische Verhalten der Siliconkautschukmassen zu konditionieren und/oder die
Viskositätserniedrigung durch erhöhte Temperaturen für das Jetting auszunutzen.
In einer weiteren Ausführungsform erfolgt als zusätzlicher Schritt ein Tempern des hergestellten Formteils (8) bei
Temperaturen von > 100 °C, bevorzugt bei 150 °C.
Falls ein Formteil (8) hergestellt werden soll, bei dem
Gaseinschlüsse vermieden werden sollen, so erfolgt bevorzugt eine Entgasung der Siliconkautschukmassen beispielsweise durch Anlegen eines Vakuum am Reservoir (4) vor ihrer Verwendung.
Die gesamte in Abb. 1 skizzierte Anlage kann auch in einer Vakuumkammer oder Inertgaskammer untergebracht sein, z.B. um
UV-C-Strahlungsverluste durch Sauerstoff auszuschließen oder um Lufteinschlüsse im Formteil (8) zu vermeiden.
Die Vernetzung (7) der Tropfen (6) für Tropfen (6)
deponierten Siliconkautschukmasse erfolgt mittels einer oder mehrerer elektromagnetischer Strahlungsquellen (2) (z.B. IR- Laser, IR-Strahler, UV/VIS-Laser, UV-Lampe, LED) , die ebenfalls über eine Verfahrmöglichkeit in x- , y- und z-Richtung verfügen. Die Strahlungsquellen (2) können über Umlenkspiegel,
Fokussiereinheiten, StrahlaufWeitungssysteme , Scanner, Blenden etc. verfügen. Deponieren und Vernetzen müssen aufeinander abgestimmt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst sämtliche diesbezüglich denkbare Möglichkeiten. Beispielsweise kann es notwendig sein, zunächst einen flächigen Bereich der x, y-Arbeitsebene mit Siliconkautschuktropfen (6) zu belegen und eine Nivellierung (Ineinanderfließen) abzuwarten, um erst dann diesen Bereich flächig zu bestrahlen und zu vernetzen. Ebenso kann es sinnvoll sein, die aufgebrachte Fläche zwecks
Konturierung zunächst nur im Randbereich zu verfestigen und anschließend den Innenbereich durch geeignete Schraffuren anzuvernetzen. Es kann auch notwendig sein, einzelne Tropfen (6) unmittelbar nach deren Platzierung zu vernetzen oder anzuvernetzen, um ein Verlaufen zu verhindern. Es kann
zweckmäßig sein, den gesamten Arbeitsbereich während der
Formteilbildung permanent zu bestrahlen, um vollständige
Vernetzung zu erzielen, oder nur kurzzeitig der Strahlung auszusetzen, um gezielt eine unvollständige Vernetzung
(Grünfestigkeit) herbeizuführen, was u.U. mit einer besseren Haftung der Einzelschichten untereinander einhergehen kann. Folglich wird es im Allgemeinen notwendig sein, die das
Deponieren und Vernetzen bestimmenden Parameter in Abhängigkeit vom Vernetzungssystem, dem rheologischem Verhalten und den Haftungseigenschaften der Siliconkautschukmassen sowie ggf. der übrigen eingesetzten Materialien aufeinander abzustimmen.
Die im erfindungsgemäßen Verfahren bevorzugt verwendeten Siliconkautschukmassen vernetzen durch Hydrosilylierungreaktion (Additionsreaktion) zwischen Si-gebundenen Wasserstoffatomen und aliphatisch ungesättigten Gruppen, die sich vorzugsweise am Siliconpolymer befinden. Derartige Siliconkautschukmassen, die dem Fachmann z.B. als RTV-2 {2-part Room Temperature
Vulcanizing) oder LSR {Liquid Silicone Rubber) hinreichend bekannt sind, werden beispielsweise in US 3,884,866
beschrieben. Da die vorzugsweise Platin-katalysierte
Additionsreaktion bereits bei Raumtemperatur spontan abläuft, werden diese Siliconkautschukmassen typischerweise in Form zweier Komponenten angeboten, wobei eine Komponente den SiH- funktionellen Vernetzer und die andere Komponente den Platin-
Katalysator enthält. Mit Hilfe inhibierend wirkender Zusätze oder durch Verwendung spezieller bei Raumtemperatur weitgehend inaktiver, jedoch thermisch aktivierbarer Platinkatalysatoren können aber auch einkomponentige Siliconkautschukmassen
formuliert werden wie beispielsweise in EP 1 077 226 AI
beschrieben .
Die thermische Aktivierung additions-vernetzbarer
Siliconkautschukmassen kann im erfindungsgemäßen Verfahren durch IR-Strahlung erfolgen, z.B. mittels eines (N) IR-Lasers oder einer Infrarotlampe.
Insbesondere stehen bei Abwesenheit von Licht bei
Raumtemperatur weitgehend inaktive, jedoch durch UV/VIS- Strahlung aktivierbare Platin-Katalysatoren zur Verfügung, wodurch eine schnelle Additionsvernetzung bei Raumtemperatur ermöglicht wird. Die im erfindungsgemäßen Verfahren besonders bevorzugten
Siliconkautschukmassen vernetzen durch UV- oder UV-VIS- induzierte Additionsreaktion. Gegenüber einer thermischen Vernetzung hat die UV- oder UV-VIS-induzierte Vernetzung zahlreiche Vorteile. Zum einen können Intensität,
Einwirkungszeit und Einwirkungsort der UV- oder UV-VIS-
Strahlung genau bemessen werden, während das Aufheizen der tropfenweise abgeschiedenen Siliconkautschukmasse (wie auch deren anschließendes Abkühlen) durch die relativ geringe thermische Leitfähigkeit stets verzögert erfolgt. Aufgrund des intrinsisch sehr hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Silicone führen die bei thermischer Vernetzung zwangsläufig vorhandenen Temperaturgradienten zu mechanischen Spannungen, welche die Maßhaltigkeit des gebildeten Formteils negativ beeinflussen, was im Extremfall zu inakzeptablen
Formverzerrungen führen kann. Ein weiterer Vorteil der UV/VIS- induzierten Additionsvernetzung zeigt sich bei der Herstellung von Mehrkomponentenformteilen, wie beispielsweise Hart-Weich- Verbunden, die neben dem Siliconelastomer einen Thermoplasten enthalten, dessen thermisch bedingter Verzug vermieden wird.
UV/VIS-induzierte additions-vernetzende
Siliconkautschukmassen werden beispielsweise in DE 10 2008 000 156 AI, DE 10 2008 043 316 AI, DE 10 2009 002 231 AI, DE 10 2009 027 486 AI, DE 10 2010 043 149 AI und WO 2009/027133 A2 beschrieben. Die Vernetzung kommt durch UV/VIS- induzierte
Aktivierung eines lichtempfindlichen
Hydrosilylierungskatalysators zustande, wobei Komplexe des Platins bevorzugt sind. In der Fachliteratur werden zahlreiche lichtempfindliche Platinkatalysatoren beschrieben, die unter Lichtausschluss weitgehend inaktiv sind und durch Bestrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 250-500 nm in bei
Raumtemperatur aktive Platin-Katalysatoren überführt werden können. Beispiele hierfür sind (η -Diolefin) (σ-aryl) - Platinkomplexe (EP 0 122 008 AI; EP 0 561 919 Bl) , Pt(II)-ß- diketonatkomplexe (EP 0 398 701 Bl) und (η5-
Cyclopentadienyl) tri (σ-alkyl) Platin (IV) -Komplexe (EP 0 146 307 Bl, EP 0 358 452 Bl, EP 0 561 893 Bl) . Besonders bevorzugt sind MeCpPtMe3 sowie die sich davon durch Substitution der am Platin befindlichen Gruppen ableitenden Komplexe wie beispielsweise beschrieben in EP 1 050 538 Bl und EP 1 803 728 Bl .
Die UV- oder UV-VIS- induziert vernetzenden Massen können ein- oder mehrkomponentig formuliert werden. Die Geschwindigkeit der UV/VIS- induzierten
Additionsvernetzung hängt von zahlreichen Faktoren ab,
insbesondere von der Art und Konzentration des Platin- Katalysators, von der Intensität, Wellenlänge und
Einwirkungszeit der UV/VIS-Strahlung, der Transparenz,
Reflektivität , Schichtdicke und Zusammensetzung der
Siliconkautschukmasse und der Temperatur.
Der Platin-Katalysator sollte vorzugsweise in einer katalytisch ausreichenden Menge eingesetzt werden, so dass eine hinreichend schnelle Vernetzung bei Raumtemperatur ermöglicht wird. Typischerweise werden 0,1 bis 500 Gew.-ppm des
Katalysators bezogen auf den Gehalt des Pt-Metalls zur gesamten Siliconkautschukmasse verwendet, vorzugsweise 0,5-200 Gew.-ppm, besonders bevorzugt 1-50 Gew.-ppm.
Für die Aushärtung der UV/VIS- induziert additions- vernetzenden Siliconkautschukmasse wird Licht der Wellenlänge 240-500 nm, bevorzugt 250-400 nm, besonders bevorzugt 250 bis 350 nm eingesetzt. Um eine rasche Vernetzung zu erzielen, worunter eine Vernetzungszeit bei Raumtemperatur von weniger als 20 min, vorzugsweise weniger als 10 min., besonders bevorzugt weniger als 1 min. verstanden werden soll, empfiehlt sich die Verwendung einer UV/VIS-Strahlungsquelle mit einer Leistung zwischen 10 mW/cm2 und 20.000 mW/cm2 , bevorzugt zwischen 30 mW/cm2 und 15.000 mW/cm2 , sowie eine
Strahlungsdosis zwischen 150 mJ/cm2 und 20.000 mJ/cm2 ,
bevorzugt zwischen 500 mJ/cm2 und 10.000 mJ/cm2. Im Rahmen dieser Leistungs- und Dosis-Werte lassen sich
flächenspezifische Bestrahlungszeiten zwischen maximal 2.000 s/cm2 und minimal 8 ms/cm2 realisieren.
Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind
Siliconelastomerformteil (8) hergestellt mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren.
Für eine erfindungsgemäße Fertigungsanlage gemäß Abbildung 1 wurden kommerziell erwerbliche Einzelkomponenten eingesetzt, die dann modifiziert und auf einander abgestimmt wurden.
Für die nachfolgend beschriebenen Beispiele des
erfindungsgemäßen Verfahrens wurde als generative
Fertigungsanlage ein NE0-3D-Drucker der Firma German RepRap GmbH, Deutschland verwendet, und nachfolgend NEO-Drucker genannt welcher für die Versuche umgebaut und angepasst wurde. Die ursprünglich im NEO-Drucker montierte Thermoplast-Filament- Dosiereinheit wurde durch eine Jetting-Düse der Firma Vermes Microdispensing GmbH, Otterfing, Deutschland ersetzt
nachfolgend VERMES-Jetting-Düse , um höherviskose bis standfest- pastöse Siliconkautschukmassen tröpfchenweise auf der
Arbeitsplatte abscheiden zu können. Weil der NEO-Drucker für die Installation von Jetting-Düsen nicht standardmäßig ausgerüstet war, musste er modifiziert werden . Die VERMES-Jetting-Düse wurde so in die Drucker-Steuerung eingebunden, dass das Start-Stop-Signal (Triggersignal) der VERMES- Jetting-Düse von der GCode -Steuerung des NEO-Druckers betätigt wurde. Dazu wurde in der GCode -Steuerung ein
spezielles Signal hinterlegt. Die GCode- Steuerung des Computers schaltete damit lediglich die VERMES- Jetting-Düse ein und aus (Start-und Stop der Dosierung) .
Für die Signalübertragung des Start-Stop-Signals wurde das Heizkabel der ursprünglich installierten Filament-Heizdüse des NEO-Druckers getrennt und mit der VERMES-Jetting-Düse
verschaltet.
Die übrigen Dosierparameter (Dosier-Frequenz , Rising, Falling usw.) der VERMES- Jetting-Düse wurden mittels der MDC 3200+ Microdispensing Control Unit eingestellt. Die Steuerung des NEO-Druckers erfolgte mittels eines
Computers. Die Software-Steuerung und Steuers ignal-Anbindung des NEO-Druckers (Software: „Repitier-Host") wurde dahingehend modifiziert, dass damit sowohl die Bewegung der VERMES-Jetting- Düse in den drei Raumrichtungen gesteuert werden konnte als auch das Signal zur Tropfenabscheidung . Die für die Versuche eingestellte Verfahrgeschwindigkeit des modifizierten NEO- Druckers beträgt 0,01 m/s.
Dosiersystem: Als Dosiersystem für die verwendeten
Siliconkautschukmassen diente das Microdispensing-Dosiersystem MDV 3200 A der Firma Vermes Microdispensing GmbH, Otterfing, Deutschland, nachfolgend VERMES-Dosiersystem genannt, bestehend aus einem KomplettSystem mit folgenden Komponenten: a) MDV 3200 A - Düseneinheit mit einem Anschluss für Luer-Lock Kartuschen, welche an der Kartuschen-Oberseite mit 3-8 bar Druckluft
(Schlauch mit Adapter) beaufschlagt wurden, b) Vermes Begleit- Düsenheizungs-System MDH-230tfl links, c) DC 3200+
MicroDispensing Control Unit, die wiederum mit der PC-Steuerung verbunden war sowie über bewegliche Kabel mit der Düse, ermöglichte die Einstellung der Jetting Dosier-Parameter
(Rising, Falling, Opentime, Needlelift, Delay, No Puls, Heater, Düse, Abstand, Voxeldurchmesser , Luft-Vordruck an der
Kartusche) . Es stehen VERMES-Jetting-Düsen mit Durchmessern von 50, 100, 150 und 200 pm zur Verfügung. Damit konnten feinste Siliconkautschuktröpfchen im Nanoliter-Bereich auf jeder beliebigen x, y , z-Position der Basisplatte punktgenau platziert werden. Sofern nichts anderes angegeben ist, war in dem Vermes - Ventil als Standard-Düseneinsatz eine 200 pm-Düse eingebaut (Düseneinsatz Nll-200) .
Als Vorratsbehälter für die Siliconkautschukmasse dienten senkrecht stehende 30 ml Luer-Lock Kartuschen, die
flüssigkeitsdicht an die Dispensing-Düse aufgeschraubt und mit Druckluft beaufschlagt wurden.
Die Steuerung des modifizierten NEO-Druckers und des VERMES- Dosiersystems erfolgte mit einem PC und einer Open-Source- Software „Repitier-Host " . Strahlungsquellen:
Hönle-Bluepoint
Für die UV- induzierte Additionsvernetzung der
Siliconkautschukmassen wurde ein UV-Strahler „Bluepoint 4" der Firma Dr. Hönle AG, Grafeling/München, Deutschland verwendet, nachfolgend BLUEPOINT-Bestrahlungssystem . Das BLUEPOINT- -
Bestrahlungssystem besteht aus einer Betriebseinheit und einer zugehörigen flexiblen Lichtleiter-Optik, die so justiert wurde, dass der austretende UV-A-Strahl auf die frisch abgeschiedene Tropfenlage des Bauteils fokussiert war. Der Strahlenausgang wurde so über den zu bestrahlenden Probekörpern justiert, dass der Abstand zwischen Strahlenausgang und Bauteil / Probekörper 10 mm betrug.
Das auf einem 150 W Hochdruckquecksilberstrahler basierende BLUEPOINT-Bestrahlungssystem ermöglicht bei einer Einstellung von 80 % der max. Intensität eine UV-A- Intensität von ca. 13200 mW/cm2 und verfügt über einen Timer-Einstellbereich von 0,1 - 999,9 sec.
Die Kalibrierung des BLUEPOINT-Bestrahlungssystems erfolgte mit einem Omnicure R-200-Radiometer . Bei Einstellung von 80% der maximalen Bestrahlungsleistung am BLUEPOINT-Bestrahlungssystems wurde eine Bestrahlungsleistung von 13200 mW/cm2 ermittelt .
UV-Kammer mit Osram-UV- Lampe
Für Offline-UV-Bestrahlung von Bauteilen wurde eine UV- Bestrahlungskammer verwendet, die innen verspiegelt war und folgende Außen-Abmessungen hatte:
Länge 50 cm
Höhe 19 cm
Breite 33 cm
Der Abstand zwischen der UV-Leuchtstofflampe und dem Substrat betrug 16 cm.
Strahlungsquelle: UV-Lampe mit 36 Watt elektrischer Leistung, Typ Osram Puritec HNS L 36 W 2G11,
Osram GmbH, Augsburg, Deutschland.
IR- Strahlungsquelle
Für die IR- induzierte (thermische) Vernetzung wurde ein kurzwelliges -Infrarot-Modul IR-Spot der Firma OPTRON GmbH
Garbsen/Hannover, Deutschland verwendet (Leistungsaufnahme 150 W) . Der IR-Spot arbeitet im kurzwelligen IR-Spektrum mit dem Vorteil einer hohen Eindringtiefe der Strahlungsenergie. Bei einer Brennweite von 50 mm wird im Fokus ein
Brennfleckdurchmesser von 10 mm erzeugt. Der IR-Spot verfügt über einen Leistungssteiler, welcher eine Online- Leistungsverstellung im Druckprozess ermöglicht.
Beispiele
Die folgenden Beispiele dienen der Erläuterung der Erfindung ohne diese zu beschränken. Für alle Beispiele wurde die oben beschriebene, umgebaute, erfindungsgemäße Fertigungsanlage verwendet .
Konditionierung der Siliconkautschukmassen: Die
verwendeten Siliconkautschukmassen wurden sämtlich vor der Verarbeitung entflüchtigt, indem 100 g der Masse in einer offenen PE-Dose in einem Exsikkator 3h bei einem Vakuum von 10 mbar und Raumtemperatur gelagert wurden. Anschließend wurde die Masse in eine 30ml-Kartusche mit Baj onettverschluss luftfrei abgefüllt und mit einem passenden Auspress-Stempel
(Kunststoffkolben) verschlossen. Die Luer-Lock Kartusche wurde dann in die vertikale Kartuschenhalterung des Vermes- Dosierventils flüssigkeitsdicht mit der Luer-Lock-Verschraubung nach unten eingeschraubt und der Druck-Stempel an der
Kartuschenoberseite mit 3-8 bar Druckluft beaufschlagt; der in der Kartusche befindliche Auspress-Stempel verhindert, dass die Druckluft in die zuvor evakuierte Siliconkautschukmasse
gelangen kann.
Alle UV-empfindlichen Silicon-Massen wurden unter Gelblicht (unter Ausschluss von Licht unterhalb 700 nm) hergestellt, analog entflüchtigt und in lichtundurchlässige Semco-Kartuschen abgefüllt .
Die Viskosität der in den Beispielen verwendeten
Silkonkautschukmassen ist aus Tabelle 2 zu entnehmen. Verwendete Rohstoffe und Siliconkautschukmassen:
Rl : Vinylfunktionelles MQ- Siliconharzpulver bestehend aus M- , Mvinyl- und Q-Einheiten im Verhältnis M : Mvinyl : Q = 0,72 : 0,09 : 1 mit einem Molekulargewicht Mw = 5300 g/mol und Mn = 2400 g/mol und einem Vinylgehalt von 70 mmol Vinyl pro 100 g
Siliconharz .
R2 : Vinyldimethylsiloxy-endständiges Polydimethylsiloxan mit einer Viskosität von 200 mPa.s, erhältlich bei ABCR GmbH, Karlsruhe, Deutschland unter der Produktbezeichnung
„Poly (dimethylsiloxane) , vinyldimethylsiloxy terminated;
viscosity 200 cSt.", Best. -Nr. AB109357, CAS-Nr. [68083-19-2] . R3 : Vinyldimethylsiloxy-endständiges Polydimethylsiloxan mit einer Viskosität von 1.000 mPa.s, erhältlich bei ABCR GmbH, Karlsruhe, Deutschland unter der Produktbezeichnung
„ Poly (dimethylsiloxane) , vinyldimethylsiloxy terminated;
viscosity 1000 cSt.", Best. -Nr. AB109358, CAS-Nr. [68083-19-2] .
R4 : Vinyldimethylsiloxy-endständiges Polydimethylsiloxan mit einer Viskosität von 20.000 mPa.s, erhältlich bei ABCR GmbH, Karlsruhe, Deutschland unter der Produktbezeichnung
„ Poly (dimethylsiloxane) , vinyldimethylsiloxy terminated;
viscosity viscosity 20000 cSt.", Best. -Nr. AB128873, CAS
[68083-19-2] (ABCR-Katalog) .
R5 : Methylhydrosiloxan-Dimethylsiloxan-Copolymer mit einem Molekulargewicht von Mn = 1.900-2.000 g/mol und einem
Methylhydrogensiloxy-Gehalt von 25-30 Mol-%, erhältlich bei
Gelest, Inc. (65933 Frankfurt am Main, Deutschland) unter der Produktbezeichnung HMS-301. R6 : Methylhydrosiloxan-Dimethylsiloxan-Copolymer mit einem Molekulargewicht von Mn = 900-1.200 g/mol und einem
Methylhydrogensiloxy-Gehalt von 50-55 Mol-%, erhältlich bei Gelest, Inc. (65933 Frankfurt am Main, Deutschland) unter der Produktbezeichnung HMS-501.
R7 : UV-aktivierbarer Platinkatalysator: Trimethyl- (methylcyclopentadienyl) -platin (IV) , erhältlich bei Sigma- Aldrich , Taufkirchen, Deutschland.
R8: SEMICOSIL® 988 1K, eine thermisch härtbare, transluzente , standfeste, additions-vernetzende Siliconkautschukmasse; mit einer dynamischen Viskosität von ca. 450.000 mPa . s (bei 0,5 s"1 und 25°C) nach DIN EN ISO 3219 (erhältlich bei WACKER CHEMIE AG, München, Deutschland) .
R9 : Eine Hydrophobierte pyrogene Kieselsäure mit einer BET- Oberfläche von 300 m2/g wurde hergestellt analog der
Patentschrift DE 38 39 900 AI durch Hydrophobierung aus einer hydrophilen pyrogenen Kieselsäure Wacker HDK® T-30 (erhältlich bei WACKER CHEMIE AG, München, Deutschland) .
RIO: SEMICOSIL® 914 UV-THIXO A+B, eine durch UV-Licht induziert additions-vernetzende, transparente, thixotrope 2K- Siliconkautschukmasse mit einer Misch-Viskosität von ca. 42.000 mPa.s (bei 0,5 s"1 und 25°C) nach DIN EN ISO 3219 und einer Vulkanisathärte Shore A von 70 (erhältlich bei WACKER CHEMIE AG, München, Deutschland) . RH: (3 -Glycidoxypropyl) trimethoxysilane , 98%, erhältlich bei ABCR GmbH, Karlsruhe, Deutschland, CAS-Nr. [2530-83-8] Beispiel 1 :
R8 wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen Jetting- Düsenparametern auf einem Glas-Objektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise zu einer 10 x 30 mm messenden Schicht abgeschieden. Die hohe Nullscherviskosität und Fließgrenze der Siliconkautschukmasse ermöglicht eine ausreichende
Formstabilität der abgeschiedenen Schicht. Anschließend wurde die Schicht mittels IR-Strahlung vernetzt, indem der IR-Spot im Abstand von 50 mm während 1 min. bei einer Leistungsstellung von 40% mittig über die Länge der Schicht geführt wurde. Dieser Vorgang, also abwechselndes Jetting und Vernetzen, wurde solange wiederholt, bis der quaderförmige Formkörper (8) eine Höhe von 3 mm erreicht hatte. Es resultierte ein transparenter elastischer Formkörper (8) mit den Abmessungen 10 x 30 x 3 mm die denen gemäß Abbildung 2 entsprechen.
Beispiel 2 :
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 51 Gew. % R4
· 25 Gew. % R9
• 9 Gew. % R3
• 11 Gew. % R2
• 2,0 Gew. % RH
Anschließend wurden unter Lichtausschluss · R7 , 30 ppm bez. auf den Platin-Gehalt der Gesamtmischung
• 2,4 Gew. % R6
zugegeben, die resultierende Gesamtmischung homogenisiert, wie oben beschrieben entflüchtigt und in lichtdichte 30 ml- Kartuschen abgefüllt.
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas-Objektträger der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser: 0,5 mm) zu einer 15 x 15 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (50 sec) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den
Abmessungen 15 x 15 x 3 mm.
Beispiel 3:
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 51 Gew. % R4
• 25 Gew. % R9
• 20 Gew. % R3
• 11 Gew. % R2
• 2 Gew. % RH
Anschließend wurden unter Lichtausschluss
• R7, 30 ppm bez. auf den Platin-Gehalt der Gesamtmischung
• 2,9 Gew. % R5
zugegeben, die resultierende Gesamtmischung homogenisiert, wie oben beschrieben entflüchtigt und in lichtdichte 30 ml- Kartuschen abgefüllt.
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas-Obj ektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser: 0,5 mm) zu einer 11 x 11 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (10 Minuten) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer
Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 11 x 11 x 8 mm. Beispiel 4;
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 54 Gew. % R4
• 25 Gew. % R9
· 20 Gew. % R3
• 11 Gew. % R2
Anschließend wurden unter Lichtausschluß
• R7, 30 ppm bez. auf den Platin-Gehalt der Gesamtmischung
• 1,8 Gew. % R6
zugegeben, die resultierende Gesamtmischung homogenisiert, wie oben beschrieben entflüchtigt und in lichtdichte 30 ml- Kartuschen abgefüllt.
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas -Obj ektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser : 0,9 mm) zu einer 11 x 11 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (10 Minuten) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer
Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 11 x 11 x 8 mm.
Beispiel 5:
RIO wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen Jetting- Düsenparametern auf einem Glas-Objektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser: 0,7 mm) zu einer 15 x 15 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (50 sec) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 15 x 15 x 3 mm .
Beispiel 6:
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 27 Gew. % Rl
• 40 Gew. % R4
• 14 Gew. % R3
• 1 Gew. % RH
Die Vormischung wurde solange gemischt, bis sich Rl aufgelöst hatte und die Masse völlig homogen und transparent war.
Anschließend wurden unter Lichtausschluss
• 18 Gew. -% R5
• R7 , 30 ppm bez. auf d. Platin-Gehalt der Gesamtmischung zugegeben und die resultierende Gesamtmischung wie oben beschrieben entflüchtigt und in lichtdichte Kartuschen
abgefüllt .
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas-Objektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser : 1,5 mm) zu einer 15 x 15 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (50 sec) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise völlig transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 15 x 15 x 3 mm.
Beispiel 7:
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 45 Gew. % Rl • 38 Gew. % R4
• 9 Gew. % R3
Die Vormischung wurde solange gemischt, bis sich Rl aufgelöst hatte und die Masse völlig homogen und transparent war.
Anschließend wurden unter Lichtausschluss
• 8 Gew. -% R6
• R7 , 30 ppm bez. auf d. Platin-Gehalt der Gesamtmischung zugegeben und die resultierende Gesamtmischung wie oben beschrieben entflüchtigt und in lichtdichte Kartuschen abgefüllt.
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas-Objektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser : 1,1 mm) zu einer 15 x 15 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (50 sec) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise völlig transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 15 x 15 x 3 mm.
Beispiel 8;
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 44 Gew. % Rl
• 38 Gew. % R4
· 9 Gew. % R3
• 1 Gew. % RH
Die Vormischung wurde solange gemischt, bis sich Rl aufgelöst hatte und die Masse völlig homogen und transparent war.
Anschließend wurden unter Lichtausschluss · 8 Gew. -% R6
• R7 , 30 ppm bez. auf d. Platin-Gehalt der Gesamtmischung zugegeben und die resultierende Gesamtmischung wie oben beschrieben entflüchtigt und in lichtdichte Kartuschen abgefüllt .
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas -Obj ektträger (3) der
Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser : 1,0 mm) zu einer 15 x 15 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und die abgeschiedene Masse während des gesamten Druckvorgangs (50 sec) mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystem mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise völlig transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 15 x 15 x 3 mm.
Beispiel 9 ί
Es wurde eine Siliconmasse hergestellt aus
• 39 Gew. % Rl
• 44 Gew. % R3
• 2 Gew. % RH
Die Vormischung wurde solange gemischt, bis sich Rl aufgelöst hatte und die Masse völlig homogen und transparent war.
Anschließend wurden unter Lichtausschluss
• 15 Gew. -% R5
• R7 , 30 ppm bez. auf d. Platin-Gehalt der Gesamtmischung zugegeben und die resultierende Gesamtmischung wie oben beschrieben entflüchtigt und unter Luftausschluss in
lichtdichte Kartuschen abgefüllt.
Die Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen
Jetting-Düsenparametern auf einem Glas-Obj ektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise (Voxeldurchmesser: 1,7 mm) zu einer 15 x 15 mm messenden Schicht wiederholt abgeschieden und während des gesamten Druckvorgangs (50 sec) mit dem BLUEPOINT- Bestrahlungssystem mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt. Man erhielt auf diese Weise völlig transparente quaderförmige Formkörper (8) mit den Abmessungen 15 x 15 x 3 mm.
Beispiel 10: Beispiel 8 mit nichtentf lüchtigter Siliconmasse R8
Es wurde die Masse R8 verwendet und diese wurde vor der
Abfüllung in die Kartusche nicht unter Vakuum entflüchtigt . R8 wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen Jetting-Düsenparametern auf einem Glas -Obj ektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm
tröpfchenweise zu einer 20 x 20 mm messenden unvernetzten
Schicht abgeschieden. Diese Abscheidung der Schicht wurde so oft wiederholt, bis der quaderförmige Formkörper eine Höhe von 12 mm erreicht hatte. Die hohe Nullscherviskosität und
Fließgrenze der Siliconkautschukmasse ermöglichte eine
ausreichende Formstabilität des abgeschiedenen unvernetzten Formkörpers .
Der Objektträger (3) mit dem darauf befindlichen unvernetzten Formkörper wurde anschließend bei 150° C und Normaldruck 30 Minuten lang thermisch vernetzt.
Es resultierte ein opak-weißer, elastischer Formkörper (8) mit den Abmessungen 20 x 20 x 12 mm (L x B x H) , welcher völlig mit kleinen Luftbläschen durchsetzt war ähnlich einem
geschlossenzelligen Elastomerschaumkörper. Die vier Seiten und die Oberseite waren aufgewölbt (siehe Abbildung 3) .
Beispiel 11: Beispiel 9 mit nichtentf lüchtigter Masse aus
Beispiel 2 Sem. 810 UV
Das Beispiel 2 wurde wiederholt mit dem einzigen Unterschied, dass die Masse vor der Abfüllung in die Kartusche nicht unter
Vakuum entflüchtigt wurde. Es resultierte ein opak-weißer elastischer Formkörper (8) mit den Abmessungen 10 x 30 x 3 mm, welcher völlig mit kleinen Luftbläschen durchsetzt war. Die vier Seiten und die Oberseite waren geringfügig aufgewölbt und der Formkörper (8) war mit kleinen Blasen durchsetzt.
Beispiel 12: Herstellung eines dreidimensionalen „Wacker"- Schriftzugs mit Siliconmasse aus Beispiel 2
Aus einer CAD-Datei mit einem dreidimensionalen „Wacker" - Firmenschriftzug wurde eine STL-Datei erstellt (mittels
Software „ ProEngineer " von PTC) , daraus wurde ein GCode generiert (mittels der Software „Slic3r") . Mit der Software „RepitierHost " wurde auf dem umgebauten NEO-Drucker die
Siliconmasse aus Beispiel 2 tröpfchenweise zu einem
dreidimensionalen „Wacker"-Firmenschriftzug schichtweise abgeschieden .
Als Druckunterlage (8) diente eine 2 mm dicke PTFE- Platte mit den Abmessungen 2 mm X 150 X 150 mm.
Während des gesamten Druckvorgangs wurde die abgeschiedene Masse mit dem BLUEPOINT-Bestrahlungssystems mit einer Leistung von 13.200 mW/cm2 kontinuierlich bestrahlt.
Man erhielt auf diese Weise einen dreidimensionalen vernetzten Siliconelastomer-Körper (8) mit den Gesamt -Abmessungen 85 mm x 25 mm x 5 mm (Länge X Breite X Gesamthöhe) . Der erhaltene Formkörper ist in Abbildung 4 zu sehen.
Beispiel 13: (3D-Druck im Vakuum)
Das Beispiel 8 mit der nichtentflüchtigten Siliconmasse R8 wurde analog wiederholt, nur dass der gesamte 3D-Druck-Vorgang des unvernetzten Roh- Formkörpers im Vakuum bei 130 mbar stattfand : Die oben beschriebene, umgebaute, erfindungsgemäße
Fertigungsanlage wurde zusätzlich in eine Vakuumkammer
gestellt. Alle Strom- und Medienleitungen (Druckluftleitung und Kabel) führten vom Drucker vakuumdicht nach außen, wo sich die VERMES-Steuereinheit , der PC und die Druckluft- und
Stromversorgung befanden. Auf diese Weise konnte die
erfindungsgemäße Fertigungsanlage von außen gestartet und bedient werden und auch der Druckprozess vollständig von außen gesteuert werden. Die erfindungsgemäße Fertigungsanlage arbeitete innerhalb der Vakuumkammer bei dem eingestellten Vakuum .
Als Vakuumkammer diente ein trommeiförmiger Vakuumholztrockner der Fa. Eberl, Deutschland mit 2 Meter Durchmesser und 3 Meter Länge, an den eine Vakuumpumpe angeschlossen war.
Die Vakuumkammer hatte innen Raumtemperatur von 23 °C.
Nachdem die Vakuum-Kammer mit der darin befindlichen
erfindungsgemäßen Fertigungsanlage auf einen Druck von 130 mbar evakuiert war, wurde der 3D-Druckvorgang gestartet.
Die nichtentflüchtigte Siliconmasse R7 wurde mit den in Tabelle 1 angegebenen Jetting-Düsenparametern auf einem Glas-
Objektträger (8) der Fläche 25 x 75 mm tröp chenweise zu einer 11 x 11 mm X 8 mm (L x B x H) messenden Schicht abgeschieden. Die hohe Nullscherviskosität und Fließgrenze der
Siliconkautschukmasse ermöglicht eine ausreichende
Formstabilität der abgeschiedenen Schicht.
Anschließend wurde das Vakuum gebrochen, der formstabile unvernetzte Quader entnommen und in einem Trockenofen bei 150° C während 30 Minuten thermisch vernetzt. Es resultierte ein blasenfreier, völlig transparenter, elastischer quaderförmiger Formkörper (8) mit den Abmessungen 11 x 11 x 8 mm. Beispiel 14: (3D-Druck im Vakuum)
Beispiel 10 wurde analog wiederholt wobei eine
nichtentflüchtigte Siliconmasse mit der Zusammensetzung analog zu Beispiel 2 verwendet wurde.
Die nichtentflüchtigte Siliconmasse wurde mit den in Tabelle 1, Beispiel 2 angegebenen Jetting-Düsenparametern auf einem Glas- Objektträger (3) der Fläche 25 x 75 mm tröpfchenweise zu einer 15 x 15 mm X 3 mm (L x B x H) messenden Schicht abgeschieden. Die hohe Nullscherviskosität und Fließgrenze der
Siliconkautschukmasse ermöglicht eine ausreichende
Formstabilität der abgeschiedenen Schicht.
Anschließend wurde der formstabile unvernetzte Quader unter UV- Licht des BLUEPOINT-Bestrahlungssystems mit einer
Strahlungsleistung von 10 Sekunden bestrahlt. Es resultierte ein blasenfreier, transparenter elastischer quaderförmiger Formkörper (8) mit den Abmessungen 15 x 15 x 3 mm.
Tabelle 1
Figure imgf000038_0001
Beispiel 6 7 8 9
Düsen- 200 μιη 200 μπι 200 μιη 200 μπ\ Durchmesser
Rising: 0,30 ms 0 , 30ms 0 , 30ms 0 , 30ms
Falling : 0,10 ms 0 , 10ms 0 , 10ms 0, 10ms
Open Time : 15,0 ms 15 , 0ms 15 , 0ms 15 , 0ms
Needle Lift: 100 % 100% 100% 100%
Delay 25 ms 25 ms 25 ms 25 ms
Heizung : Aus 40° C 40° C Aus
Kartuschen- 2 , 0 bar 3 , Obar 3 , Obar 2 , Obar Vordruck
Voxel - 1,5 mm 1 , 1 mm 1,0 mm 1 , 7mm durchmesser Tabelle 2
Beispiel 1 2 3 4
Viskosität in 433000 627000 130000
[mPas] bei 450000
Scherrate 0,5 s"1
(Messmethode Seite
10/11)
Viskosität in 30000 47000 53100 42600
[mPas] bei
Scherrate 25 s"1
(Messmethode Seite
10/11)
Beispiel 5 6 7 8 9
Viskosität in 42000 30000 36500 317000 18400
[mPas] bei
Scherrate 0,5 s"1
(Messmethode Seite
10/11)
Viskosität in 2600 / 13200 / 36000 / 52300 / 5430 / [mPas] / Scherrate 100 S"1 25 s"1 10s"1 25 s"1 25 S-l
(Messmethode Seite
10/11)

Claims

Patentansprüche :
1. Verfahren zur schichtweisen Herstellung von
Siliconelastomerformteilen (8) mit folgenden Schritten:
1) Über ein unabhängig steuerbare Jetting-Vorrichtung (1) erfolgt in der x, y-Arbeitsebene das tropfenweise
Aufbringen (6) mindestens einer durch elektromagnetische Strahlung härtbaren Siliconkautschukmasse über mindestens einen Druckkopf (5) auf eine unabhängig räumlich
steuerbare Basisplatte (3) oder einen darauf befestigten Formkörper .
2) Über mindestens eine unabhängig steuerbare Quelle für elektromagnetische Strahlung (2) erfolgt die Vernetzung oder Anvernetzung (7) des oder der Tropfen (6) , so dass eine Schicht des gehärteten oder teilgehärteten
Siliconelastomerformteils entsteht .
3) Die Jetting-Vorrichtung (1) oder das
Siliconelastomerformteil aus dem 2. Schritt wird nur soweit in z -Richtung verschoben, so dass die nächste
Tropfen-Schicht (6) in der x, y-Arbeitsebene aufgetragen werden kann.
4) Die Schritte 1. bis 3. werden wiederholt, bis das
Siliconelastomerformteil (8) komplett aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet, dass
a) die verwendete Siliconkautschukmasse additionsvernetzend ist und mittels elektromagnetischer Strahlung (7) im 2. Schritt entweder thermisch und/oder durch UV- oder UV-VIS-Licht
induziert vernetzt wird,
b) die Silikonkautschukmasse eine Viskosität von mindestens 10 Pa.s aufweist, gemessen bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1 mit der Methode wie in der Beschreibung offenbart, c) die Einwirkung der elektromagnetischen Strahlung (7) auf die Tropfen (6) in der x, y-Arbeitsebene ortsselektiv oder flächig, gepulst oder kontinuierlich sowie mit konstanter oder
veränderlicher Intensität erfolgt, und
d) die Schritte 1) und 2) und 3) unabhängig voneinander oder aneinander gekoppelt, gleichzeitig oder hintereinander in beliebiger Reihenfolge erfolgen.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die verwendete Silikonkautschukmasse eine Viskosität von mindestens
40 Pa.s aufweist, gemessen bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1 mit der Methode wie in der Beschreibung offenbart.
3. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass die verwendete Silikonkautschukmasse eine Viskosität von mindestens 100 Pa.s aufweist, gemessen bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1 mit der Methode wie in der Beschreibung offenbart.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch
gekennzeichnet, dass die verwendete Silikonkautschukmasse eine Viskosität von mindestens 200 Pa.s aufweist, gemessen bei 25°C und einer Scherrate von 0,5 s"1 mit der Methode wie in der Beschreibung offenbart.
5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch
gekennzeichnet, dass die elektromagnetischer Strahlung (7) im Schritt 2) UV-VIS-Licht der Wellenlänge 240 bis 500 nm ist.
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 dadurch
gekennzeichnet, dass die elektromagnetischer Strahlung (7) im Schritt 2) UV-VIS-Licht der Wellenlänge 250 bis 400 nm ist.
7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die elektromagnetischer Strahlung (7) im Schritt 2) UV-VIS-Licht der Wellenlänge 250 bis 350 nm ist.
8. Fertigungsanlage zum Einsatz in einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass sie mindestens folgenden Komponenten enthält
- eine räumlich unabhängig steuerbare Jetting-Vorrichtung (1) , enthalten mindestens ein Reservoir (4) und mindestens eine Jetting-Düse (5),
- eine räumlich unabhängig steuerbare Quelle für
elektromagnetische Strahlung (2) ,
- eine räumlich unabhängig steuerbare Basisplatte (3) .
9. Siliconelastomerformteil (8) hergestellt mit der Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7.
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