WO2017194620A1 - Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils - Google Patents

Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils Download PDF

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potting
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semiconductor chip
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Tony Albrecht
Tamas Lamfalusi
Christian GATZHAMMER
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • An optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component are specified.
  • An object to be solved is to provide an optoelectronic component which can be produced in a particularly material-saving, simple and cost-efficient manner. Another object to be solved is to specify a corresponding method.
  • the optoelectronic device described here is
  • a radiation-emitting optoelectronic component For example, a radiation-emitting optoelectronic component.
  • the optoelectronic component can be a light-emitting diode or a light-emitting diode module. In normal operation of the
  • optoelectronic component is by means of
  • Optoelectronic component generates and emits electromagnetic radiation. It is possible that the
  • Optoelectronic component electromagnetic radiation in a spectral range between UV radiation and infrared radiation, in particular visible light generated.
  • this includes
  • optoelectronic component an optoelectronic
  • the semiconductor chip is, for example, a radiation-emitting device Semiconductor chip, for example, a light-emitting diode chip, which is designed to operate in normal operation
  • the semiconductor chip may have at least one contact surface on its connection surface via which the semiconductor chip can be electrically contacted and operated. During operation, a large part of the electromagnetic radiation generated in the semiconductor chip emerges from the semiconductor chip through the cover surface opposite the connection surface.
  • the first potting body comprises, for example
  • the first potting body may comprise at least one conversion agent.
  • the conversion means is designed to at least partially convert electromagnetic radiation generated in the semiconductor chip into electromagnetic radiation of a longer wavelength range.
  • the conversion agent may be, for example, particles of a phosphor.
  • the first potting body also has a protective function for the
  • the optoelectronic component comprises a second potting body.
  • the second potting body is in particular with a transparent material, for example with a
  • Plastic in particular silicone, formed or consists of this.
  • the thickness of the first potting body on the lateral side surfaces of the semiconductor chip, measured perpendicular to the lateral side surfaces of the semiconductor chip, within the manufacturing tolerance is exactly the same as the thickness on the top surface, measured perpendicular to the top surface of the top surface
  • the first potting body is in direct contact with the lateral side surfaces and the top surface of the
  • the first potting body and the semiconductor chip without a further connecting means between them are firmly bonded together.
  • connection points on the connection surface can project beyond, if the connection points are not flush with the
  • the bottom surface of the first potting body extends within the manufacturing tolerance parallel to the pad of the
  • the bottom surface of the second potting body extends in the context of
  • connection surface of the semiconductor chip in a lateral plane is completely surrounded by the bottom surface of the first potting body.
  • the lateral plane is the plane parallel to the mating surface of the
  • the second potting body covers all of this
  • the second potting body faces away from the semiconductor chip
  • Vergussenian is and can be solved only by destroying one of the two potting.
  • the bottom surface of the first potting body is in a lateral plane
  • connection surface is opposite
  • the top surface of the second potting body is the area through which much of the operation of the optoelectronic
  • convexly curved means, for example, that the center of the radius of curvature of the convexly curved surface lies on the side of the cover surface of the second potting body facing the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic component comprises a
  • Optoelectronic semiconductor chip having a connection surface, a cover surface opposite the top surface and lateral side surfaces which connect the connection surface and the top surface together.
  • Optoelectronic component a first potting body and a second potting body, wherein the first potting all lateral side surfaces and the top surface of the
  • the first potting body has a bottom surface that is flush with the mating surface of the
  • the second potting body has a bottom surface which is flush with the bottom surface of the first potting body.
  • the second potting completely covers all the side facing away from the semiconductor chip side surfaces of the first potting.
  • One of the terminal surface opposite top surface of the second potting body is curved convex.
  • An optoelectronic component described here is based inter alia on the following considerations. Around To protect optoelectronic components from environmental influences, these include, for example, a casting or a
  • the potting can be designed such that this other than the protection of the component further
  • Functions takes over. These functions can relate, for example, to optical properties of the optoelectronic device.
  • the optoelectronic component described here makes use, inter alia, of the idea of forming the encapsulation from a first and a second encapsulation body, each of which has different optical properties
  • this includes
  • Optoelectronic component a carrier which is in direct contact with the first potting body and the second potting body in places, wherein the carrier with the first
  • the carrier can
  • a printed circuit board For example, a printed circuit board, a printed circuit board (PCB), a
  • the carrier is in direct contact with the bottom surface of the first and second potting body.
  • the carrier is arranged on the connection surface of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the carrier may comprise electrical contact structures, conductor tracks and / or further components by means of which the optoelectronic component can be electrically contacted and operated.
  • contact areas of the semiconductor chip are in direct contact with the contact structures of the carrier. The contact surfaces of the semiconductor chip, the contact surfaces perpendicular to its main plane of extension over the
  • a cohesive connection can exist between the carrier and the semiconductor chip.
  • Cohesive connection may include a connecting means, in particular an electrically conductive adhesive or a solder.
  • a connecting means in particular an electrically conductive adhesive or a solder.
  • the optoelectronic component the optoelectronic semiconductor chip, the first potting body and the second potting body are at one
  • the terminal surface of the semiconductor chip and the bottom surfaces of the first and second potting body are exposed to the outside at least in places.
  • the optoelectronic component can be arranged with the underside on a carrier in order to be electrically conductive over it to be contacted and operated.
  • the carrier can additionally serve as a heat sink for the optoelectronic component.
  • the semiconductor chip has exclusively on its connection surface exposed electrical contact surfaces, via which the semiconductor chip can be electrically contacted and operated.
  • the semiconductor chip is then a surface mountable
  • Semiconductor chip for example, a flip-chip, whose
  • Contact surfaces lie on the opposite side of the page through which a large part of the electromagnetic radiation generated in operation is emitted.
  • Passing through the second potting body is only slightly reflected, absorbed or scattered.
  • Potting body with the convex curved top surface as an optical lens for electromagnetic radiation generated in operation in the semiconductor chip.
  • the first potting body is in direct contact with the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip stands the first
  • the first potting body and the semiconductor chip are cohesively without another connection means
  • the first and second potting bodies are
  • the first and the second potting body have a cohesive
  • the potting body and the second potting body comprise a plastic material, for example silicone, which forms a cohesive connection.
  • a plastic material for example silicone
  • the first and second potting bodies have a contour in the lateral plane which is not similar.
  • the contour of the second potting body can completely surround the contour of the first potting body in the lateral plane.
  • the contour of the first potting body is doing through the lateral side surfaces of the first
  • Potting body which connect the bottom surface and the opposite top surface of the first potting defined.
  • the contour of the second potting body is defined by the lateral side surfaces of the second potting body, which connect the bottom surface and the opposite top surface of the second potting.
  • contours of the first potting body and of the second potting body are not similar to one another, then the contours can not be converted into one another by similarity mappings. That is, there is no geometric mapping resulting from centric dilations and congruence maps, ie
  • Shifts, twists and reflections can be composed, which maps one contour to the other.
  • the contour of the first potting body not only in size, but also in their
  • Potting body can be optimized separately from each other.
  • optoelectronic component particularly relates to the
  • the optoelectronic component is designed to to produce optoelectronic radiation in the visible wavelength range, between UV radiation and infrared radiation, during normal operation.
  • a carrier is first provided.
  • the carrier can be any suitable carrier.
  • a film for example, a film, a printed circuit board, a printed circuit board (English: printed circuit board), a
  • Metal core board a ceramic carrier or a Quad Flat No Leads Package (QFN).
  • QFN Quad Flat No Leads Package
  • a second mask is arranged on the carrier.
  • the second mask points
  • Recess are within the manufacturing tolerance in the lateral plane, which are parallel to the
  • Main extension plane of the second mask arranged at the vertices of a regular grid.
  • Recesses can be any in the lateral plane
  • the second mask is self-supporting and may, for example, comprise a polymer, a ceramic or a metal, in particular the second mask may comprise or consist of stainless steel.
  • the second mask may be a coating, in particular a
  • Teflon coating is designed to reduce the risk of adhesion of the second potting body to the second mask.
  • a first mask is arranged on the carrier, so that the first mask is the second Mask covered.
  • the first mask has recesses that completely penetrate the first mask perpendicular to its main plane of extension. The recesses are in the lateral plane, which are parallel to the
  • Main extension plane of the first mask extends, arranged within the manufacturing tolerance at the vertices of a regular grid.
  • the recesses may have any polygonal and / or round contours in the lateral plane.
  • the first mask is self-supporting and may comprise, for example, a polymer, a ceramic or a metal, in particular the first mask may be stainless steel
  • the first mask may have a coating, in particular a coating of Teflon.
  • the coating is designed to reduce the risk of adhesion of the first
  • the first mask has a region in which the second mask can be inserted into the first mask.
  • the first mask is arranged on the second mask such that the first mask in this area covers exposed outer surfaces of the second mask. Exposed outer surfaces are the surfaces of the second mask, which are not in direct contact with the carrier.
  • the first mask completely covers the second mask at least in the region of the recesses.
  • the first and the second mask are at least in places in direct contact with each other.
  • the first mask is relative to the carrier by means of the second mask
  • the first mask is relative to second mask aligned so that the recesses of the first mask in the lateral plane within the
  • Recesses of the second mask are.
  • the first and the second mask each have a bottom surface, which is in direct contact with the carrier.
  • optoelectronic semiconductor chips are arranged on the carrier in recesses of the first mask.
  • exactly one semiconductor chip is arranged in each case in a recess of the first mask.
  • the semiconductor chips are in particular radiation-emitting semiconductor chips which are in the intended
  • Operation emit light in the visible wavelength range.
  • the optoelectronic semiconductor chips are completely surrounded by the first mask after being arranged on the carrier in the lateral plane.
  • the first mask projects beyond the semiconductor chips perpendicular to the main extension plane of the first mask.
  • the optoelectronic semiconductor chips are not in direct mechanical contact with the first mask.
  • the distance in the lateral plane between the side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip and the side surface of the first mask facing the corresponding side surface, within the manufacturing tolerance is the same.
  • the first encapsulant comprises a base material, for example silicone, and a conversion agent.
  • the first encapsulant is initially liquid and is used to form the first
  • the conversion agent can For example, particles, in particular particles of a
  • Phosphor include.
  • the first encapsulation agent is applied in the recesses of the first mask such that the thickness, measured perpendicular to the top surface of the semiconductor chip and measured perpendicular to the lateral side surfaces of the semiconductor chip,
  • the first encapsulant is applied by means of doctoring, casting or screen printing.
  • the first mask is removed.
  • the first mask is nondestructively removed from the carrier so that it can be reused after removal from the carrier.
  • the first mask is removed by pulling apart the first mask and the carrier or the first and the second mask.
  • the first mask is removed from the carrier by means of a brush-shaped tool.
  • Tool has raised structures laterally
  • the raised structures are applied to the wearer
  • the first mask is fixed against the direction of printing.
  • the second encapsulant comprises a plastic material, in particular silicone.
  • the second casting agent is clear, so that electromagnetic radiation is only slightly absorbed, reflected or scattered.
  • the second encapsulant is initially liquid and is cured to form the second potting.
  • the second encapsulant is applied, for example, by means of casting, spraying or dispensing.
  • the second encapsulant is applied in such a way that the top surface of the second encapsulant has a convex curvature over the top surface of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the second casting agent does not have, for example
  • the radius of curvature of the convexly curved top surface can be adjusted by means of the wetting properties of the second encapsulant on the second mask.
  • An increase in the contact angle between the second encapsulant and the second mask reduces the radius of curvature of the convexly curved top surface of the second encapsulation body.
  • the second mask is removed.
  • the second mask becomes non-destructive of the
  • the second mask is removed by pulling apart the second mask and the carrier.
  • the first mask is removed from the carrier by means of a brush-shaped tool.
  • the brush-shaped tool has raised structures, which are arranged laterally next to each other at a distance from each other of the recesses of the second mask.
  • the raised structures are pressed onto the upper surfaces of the second potting body opposite the carrier in the recesses of the first mask. In this case, the second mask is fixed against the direction of printing.
  • Optoelectronic semiconductor chip along at least a portion of the through a lattice structure of the second mask
  • the optoelectronic semiconductor chips are singulated, for example, by severing the carrier.
  • the optoelectronic semiconductor chips can be singulated by detaching the carrier from the optoelectronic semiconductor chips and the first and second potting bodies.
  • the carrier can be a film, so that the film is peeled off by pulling it off
  • an optoelectronic component comprises two or more semiconductor chips.
  • each semiconductor chip is assigned exactly one first potting body and exactly one second potting body.
  • each individual semiconductor chip has a convexly curved cover surface uniquely assigned to it.
  • the carrier is removed.
  • the carrier may be removed before removing the second mask or after removing the second mask.
  • the carrier can be removed mechanically, for example, by removing it from the optoelectronic semiconductor chips and the first and second potting bodies.
  • the carrier is then a film.
  • the recess in the first mask is not similar to the one
  • Recesses of the first mask and the contours of the second mask not similar to each other, so the contours are not interconverted by similarity mappings. That is, there is no geometric mapping resulting from centric dilations and congruence maps, ie
  • Shifts, twists and reflections can be composed, which maps one contour to the other.
  • the recesses in the first mask may have polygonal, in particular quadrangular, contours in the lateral plane, the recesses of the second mask having round contours in the lateral plane.
  • the second potting material in the liquid state is non-wetting for the material of the second mask.
  • Contact angle between the second potting material and the material of the second mask is therefore greater than 90 °.
  • FIGS. 1A, 1B, IC, 1D, IE and 1F are schematic
  • FIG. 2 shows a schematic sectional view of an optoelectronic component without support 10 described here.
  • FIG. 10 shows a schematic sectional view of an optoelectronic component with support 10 described here.
  • FIG. 10 shows a plan view of the first 31 and second mask 32 from the support 10 during an embodiment of a production method described here facing side. In this
  • FIG. 12 shows a schematic top view of a first mask 31 and a second mask 32 of the side facing the carrier 10 during one embodiment of a manufacturing method described here.
  • FIGS. 6A, 6B, 6C and 6D each show a schematic
  • FIGS 1A to 1F show with reference to schematic
  • a first method step of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. 1A.
  • a support 10 first a second mask 32 and
  • a first mask 31 is arranged.
  • the carrier 10 is free of the first 31 and the second mask 32 and is freely accessible on its upper side facing the masks 31, 32.
  • the second mask 32 is covered by the first mask 31 on all sides which are not covered by the carrier 10.
  • the first mask 31, the second mask 32 and the carrier 10 are in direct mechanical contact with each other.
  • the second mask 32 can be placed in a designated area of the first mask 31, so that both the first mask 31 and the second mask 32 are in direct contact with the carrier 10.
  • a second method step of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. 1B.
  • optoelectronic semiconductor chips 1 are arranged in the recesses 311 of the first mask 31.
  • the semiconductor chips 100 are materially connected to the carrier 10.
  • the carrier 10 may have contact structures through which the
  • Semiconductor chips 100 electrically contacted and can be operated.
  • the semiconductor chips 100 are arranged with their connection side 100b on the carrier 10. That is, the semiconductor chips 100 are
  • the semiconductor chips 100 are arranged such that the distance between side surfaces 100c of the
  • optoelectronic semiconductor chip 100 and the first mask 31 in the lateral plane is equal to all sides and the optoelectronic semiconductor chips 100 are not in direct mechanical contact with the first mask 31.
  • a third method step of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. In the process, the recesses 311 of the first mask 31 become first
  • the first potting bodies 21 are respectively arranged on side surfaces 100c and cover surfaces 100a of the optoelectronic semiconductor chips 100 and connected to them in a materially bonded manner.
  • the lateral extent of the first potting body 21 is determined by means of the contours of
  • Recesses 311 of the first mask 31 predetermined.
  • Potting 21 arranged such that a thickness of the first potting 21 on the top surfaces 100 a of
  • Semiconductor chips 100 measured perpendicular to the top surfaces 100a of the semiconductor chip, and a thickness on the lateral side surfaces 100c, measured perpendicular to the lateral
  • the first potting bodies 21 comprise, for example, silicone and a conversion agent.
  • the conversion means is designed to generate in the semiconductor chips 100
  • a fourth method step of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. 1D.
  • the first mask 31 is removed.
  • the first mask 31 is removed non-destructively and can be reused.
  • the surfaces of the second mask 32, which are not covered by the carrier 10, are exposed to the outside.
  • the carrier 10 is exposed in areas in which the optoelectronic semiconductor chip 1 or the first potting body 21 is not arranged.
  • a fifth method step of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. In this case, in the recesses 321 of the second mask 32 second
  • Potting 22 arranged.
  • the second potting bodies 22 project beyond the second mask 32 on the carrier 10
  • Cover surfaces 22a of the second potting body 22, on the side facing away from the carrier, are convex
  • the second potting body 22 cover each of the semiconductor chip 100 facing away from the surfaces of the first potting 21 and are connected directly to these each material fit. Bottom surfaces 22b of the second potting body are flush with bottom surfaces 21b of the first
  • the second potting body 22 include, for example, silicone and are formed clear.
  • the second potting bodies 22 are transparent to those of the
  • a sixth method step of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. 1F.
  • the second mask 32 is removed.
  • the second mask 32 is not damaged or destroyed in the removal.
  • the carrier 10 has exposed areas on the side facing the optoelectronic semiconductor chips 100.
  • Optoelectronic component comprises a plurality of semiconductor chips 100 which are in direct mechanical contact via a common carrier 100.
  • FIG. 2 shows a schematic sectional illustration of an optoelectronic component described here according to a first exemplary embodiment.
  • Semiconductor chip 100 has an exposed pad 100b, via which the optoelectronic semiconductor chip 100 can be electrically conductively contacted and operated.
  • Optoelectronic semiconductor chip 100 connect to each other, are covered by the first potting body 21. Especially the optoelectronic semiconductor chip 100 is in direct mechanical contact with the first one at these surfaces
  • Potting body 21 terminates flush with the pad 100b of the semiconductor chip 100.
  • the second potting 22 is disposed.
  • the second potting 22 covers the the
  • Potting body 22 is curved convex.
  • the first potting body 21 includes, for example
  • Polymer material in particular silicone, and a
  • the conversion agent converts into
  • Semiconductor chips 100 generated electromagnetic radiation in radiation of a longer wavelength range.
  • Conversion agent may include or consist of phosphor particles, for example.
  • the first potting body 21 is not clear.
  • the second potting body 22 includes, for example
  • Potting body 22 is clear. Thus, due to the convex curvature of the top surface 22a, it has the effect of an optical lens.
  • FIG. 3 shows a schematic sectional illustration of an optoelectronic component described here according to FIG second embodiment.
  • the optoelectronic component comprises an optoelectronic semiconductor chip 1, a first one
  • the optoelectronic component comprises a carrier 10, which is provided on the connection surface 100b and on the bottom surfaces 21b, 22b of the first 21 and of the second 22 potting body flush with the connection surface 100b
  • the carrier 10 may, for example, electrical traces and contact structures for electrical
  • Semiconductor chips 100 include.
  • the carrier is a printed circuit board (PCB), a metal core board or a
  • FIG. 4 shows a schematic plan view of a first one
  • the first mask 31 has square
  • the recesses 311 of the first mask 31 are arranged in the main extension plane of the first mask 31 at the grid points of a regular grid.
  • the second mask 32 has circular recesses 321 which are perpendicular to the main plane of extension of the second mask
  • the recesses 321 in the second mask 32 are arranged along the main extension plane of the second mask at the grid points of a regular grid.
  • the recesses 311, 321 of the first 31 and the second mask 32 are arranged such that each contour of the recesses 311 of the first mask 31 completely from a Contour of the recesses 321 of the second mask 32 is surrounded in a lateral plane.
  • the lateral plane is the plane which extends parallel to the main extension direction of the first 31 and second 32 mask.
  • the first mask 31 has an area therefor
  • FIG. 5 shows a schematic plan view of a
  • first 31 and the second 32 mask In contrast to the exemplary embodiment of the first 31 and second mask 32 shown in FIG. 4
  • the contours of the recesses 311 of the first mask 31 and 321 of the second mask 32 are similar to each other.
  • FIG. 6A shows a schematic top view of FIG
  • Carrier 10 and a plurality of semiconductor chips 100 includes.
  • the semiconductor chips 100 are arranged in a lateral plane along a straight line on a surface of the carrier 10 and are respectively covered by the first 21 and the second 22 potting body, as shown in FIG.
  • the carrier 10 comprises conductor tracks and contact structures, by means of which the semiconductor chips 100 are electrically conductive can be contacted and operated.
  • the carrier 10 is the mechanical component of the
  • Optoelectronic component 1 the first 21 and the second 22 potting on the carrier 10th
  • FIG. 6B shows a schematic top view of FIG
  • the optoelectronic component 1 comprises a rectangular arrangement of 24 semiconductor chips 100, which are arranged along a regular grid.
  • FIG. 6C shows a schematic top view of FIG
  • the optoelectronic component 1 comprises an F-shaped arrangement of 12 semiconductor chips 100.
  • FIG. 6D shows a schematic top view of FIG
  • the optoelectronic component 1 comprises a cross-shaped arrangement of nine semiconductor chips 100.
  • the optoelectronic component 1 can have further contours in its main extension plane, along which the carrier 10 is severed.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Ein optoelektronisches Bauteil mit: einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) umfassend eine Anschlussfläche (100b), eine der Anschlussfläche (100b) gegenüberliegende Deckfläche (100a) und laterale Seitenflächen (100c), welche die Anschlussfläche (100b) und die Deckfläche (100a) miteinander verbinden, einem ersten Vergusskörper (21) und einem zweiten Vergusskörper (22), wobei der erste Vergusskörper (21) alle lateralen Seitenflächen (100c) und die Deckfläche (100a) des Halbleiterchips (100) bedeckt, der erste Vergusskörper (21) eine Bodenfläche (21b) aufweist, die bündig mit der Anschlussfläche (100b) des Halbleiterchips (100) abschließt, der zweite Vergusskörper (22) eine Bodenfläche (22b) aufweist, die bündig mit der Bodenfläche (21b) des ersten Vergusskörpers (21) abschließt, der zweite Vergusskörper (22) alle dem Halbleiterchip (100) abgewandten Seitenflächen (100c) des erstens Vergusskörpers (21) vollständig bedeckt, und eine der Anschlussfläche (100c) gegenüberliegende Deckfläche (22a) des zweiten Vergusskörpers (22) konvex gekrümmt ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
Es wird ein optoelektronisches Bauteil sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, welches besonders Material sparend, einfach und kosteneffizient hergestellt werden kann. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein entsprechendes Verfahren anzugeben. Das hier beschriebene optoelektronische Bauteil ist
beispielsweise ein Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauteil. Es kann sich bei dem optoelektronischen Bauteil insbesondere um eine Leuchtdiode oder um ein Leuchtdioden- Modul handeln. Im bestimmungsgemäßen Betrieb des
optoelektronischen Bauteils wird mittels des
optoelektronischen Bauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt und emittiert. Dabei ist es möglich, dass das
optoelektronische Bauteil elektromagnetische Strahlung in einem Spektralbereich zwischen UV-Strahlung und Infrarot- Strahlung, insbesondere sichtbares Licht, erzeugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Bauteil einen optoelektronischen
Halbleiterchip mit einer Anschlussfläche, einer der
Anschlussfläche gegenüberliegenden Deckfläche und lateralen Seitenflächen, welche die Anschlussfläche und die Deckfläche miteinander verbinden. Bei dem Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip, zum Beispiel einen Leuchtdiodenchip, welcher dazu ausgebildet ist, im bestimmungsgemäßen Betrieb
elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Der Halbleiterchip kann an seiner Anschlussfläche zumindest eine Kontaktfläche aufweisen, über die der Halbleiterchip elektrisch kontaktiert und betrieben werden kann. Während des Betriebs tritt ein Großteil der im Halbleiterchip erzeugten elektromagnetischen Strahlung durch die der Anschlussfläche gegenüberliegende Deckfläche aus dem Halbleiterchip aus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
optoelektronische Bauteil einen ersten Vergusskörper auf. Der erste Vergusskörper umfasst beispielsweise ein
Kunststoffmaterial , insbesondere Silikon, oder besteht aus diesem. Zusätzlich kann der erste Vergusskörper zumindest ein Konversionsmittel umfassen. Das Konversionsmittel ist dazu ausgebildet, im Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung eines längeren Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Bei dem Konversionsmittel kann es sich beispielsweise um Partikel eines Leuchtstoffs handeln. Vorteilhafterweise hat der erste Vergusskörper auch eine schützende Funktion für den
Halbleiterchip, sodass mittels des ersten Vergusskörpers der Halbleiterchip beispielsweise vor mechanischen und/oder chemischen Beschädigungen geschützt ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das optoelektronische Bauteil einen zweiten Vergusskörper. Der zweite Vergusskörper ist insbesondere mit einem transparenten Material, beispielsweise mit einem
Kunststoff, insbesondere Silikon, gebildet oder besteht aus diesem. Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der erste
Vergusskörper alle lateralen Seitenflächen und die Deckfläche des Halbleiterchips, insbesondere vollständig. Beispielsweise ist die Dicke des ersten Vergusskörpers auf den lateralen Seitenflächen des Halbleiterchips, gemessen senkrecht zu den lateralen Seitenflächen des Halbleiterchips, im Rahmen der Herstellungstoleranz genau so groß wie die Dicke auf der Deckfläche, gemessen senkrecht zu der Deckfläche des
Halbleiterchips. "Im Rahmen der Herstellungstoleranz" heißt hier und im Folgenden, dass eine Abweichung höchstens 5 %, insbesondere höchstens 1 % beträgt.
Der erste Vergusskörper steht in direktem Kontakt mit den lateralen Seitenflächen und der Deckfläche des
Halbleiterchips. Insbesondere sind der erste Vergusskörper und der Halbleiterchip ohne ein weiteres Verbindungsmittel zwischen ihnen stoffschlüssig miteinander verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der erste
Vergusskörper eine Bodenfläche auf, die bündig oder im
Wesentlichen bündig mit der Anschlussfläche des
Halbleiterchips abschließt. "Im Wesentlichen bündig" heißt dabei, dass der erste Vergusskörper mit seiner Bodenfläche die Anschlussfläche um die Höhe von gegebenenfalls
vorhandenen Anschlussstellen an der Anschlussfläche überragen kann, falls die Anschlussstellen nicht bündig mit der
Anschlussfläche abschließen. Beispielsweise erstreckt sich die Bodenfläche des ersten Vergusskörpers im Rahmen der Herstellungstoleranz parallel zur Anschlussfläche des
Halbleiterchips. Insbesondere liegen die Bodenfläche des ersten Vergusskörpers und die Anschlussfläche des
Halbleiterchips im Rahmen der Herstellungstoleranz in der gleichen Ebene. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der zweite
Vergusskörper eine Bodenfläche auf, die im Rahmen der
Herstellungstoleranz bündig mit der Bodenfläche des ersten Vergusskörpers abschließt. Beispielsweise erstreckt sich die Bodenfläche des zweiten Vergusskörpers im Rahmen der
Herstellungstoleranz parallel zur Anschlussfläche des ersten Vergusskörpers. Insbesondere liegen die Bodenfläche des ersten Vergusskörpers und die Bodenfläche des zweiten
Vergusskörpers im Rahmen der Herstellungstoleranz in der gleichen Ebene. In der Draufsicht auf die Anschlussfläche des Halbleiterchips, ist die Anschlussfläche des Halbleiterchips in einer lateralen Ebene vollständig von der Bodenfläche des ersten Vergusskörpers umgeben. Die laterale Ebene ist die Ebene, welche sich parallel zur Anschlussfläche des
Halbleiterchips erstreckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils bedeckt der zweite Vergusskörper alle dem
Halbleiterchip abgewandten Seitenflächen des ersten
Vergusskörpers vollständig. Beispielsweise steht der zweite Vergusskörper mit den dem Halbleiterchip abgewandten
Seitenflächen des ersten Vergusskörpers in direktem Kontakt. Insbesondere besteht eine Stoffschlüssige Verbindung zwischen dem ersten und dem zweiten Vergusskörper, welche frei von einem weiteren Verbindungsmittel zwischen den beiden
Vergusskörpern ist und die sich nur unter Zerstörung einer der beiden Vergusskörper lösen lässt. In der Draufsicht auf die Anschlussfläche des Halbleiterchips ist die Bodenfläche des ersten Vergusskörpers in einer lateralen Ebene
vollständig von der Bodenfläche des zweiten Vergusskörpers umgeben . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist eine der Anschlussfläche gegenüberliegende
Deckfläche des zweiten Vergusskörpers konvex gekrümmt. Die Deckfläche des zweiten Vergusskörpers ist die Fläche, durch die ein Großteil der im Betrieb des optoelektronischen
Bauteils erzeugten elektromagnetischen Strahlung aus dem optoelektronischen Bauteil austritt. In diesem Zusammenhang bedeutet konvex gekrümmt zum Beispiel, dass der Mittelpunkt des Krümmungsradiusses der konvex gekrümmten Fläche auf der dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandten Seite der Deckfläche des zweiten Vergusskörpers liegt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das optoelektronische Bauteil einen
optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Anschlussfläche, einer der Anschlussfläche gegenüberliegenden Deckfläche und lateralen Seitenflächen, welche die Anschlussfläche und die Deckfläche miteinander verbinden. Weiter umfasst das
optoelektronische Bauteil einen ersten Vergusskörper und einen zweiten Vergusskörper, wobei der erste Vergusskörper alle lateralen Seitenflächen und die Deckfläche des
Halbleiterchips bedeckt. Der erste Vergusskörper weist eine Bodenfläche auf, die bündig mit der Anschlussfläche des
Halbleiterchips abschließt. Der zweite Vergusskörper weist eine Bodenfläche auf, die bündig mit der Bodenfläche des ersten Vergusskörpers abschließt. Der zweite Vergusskörper bedeckt alle dem Halbleiterchip abgewandten Seitenflächen des erstens Vergusskörpers vollständig. Eine der Anschlussfläche gegenüberliegende Deckfläche des zweiten Vergusskörpers ist konvex gekrümmt.
Einem hier beschriebenen optoelektronischen Bauteil liegen dabei unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde . Um optoelektronische Bauteile vor Umwelteinflüssen zu schützen, umfassen diese beispielsweise einen Verguss oder ein
schützendes Element anderer Art, welches zumindest einen Teil der nach außen freiliegenden Flächen des optoelektronischen Bauteils bildet. Der Verguss kann dabei derart ausgebildet sein, dass dieser außer dem Schutz des Bauteils weitere
Funktionen übernimmt. Diese Funktionen können beispielsweise optische Eigenschaften des optoelektronischen Bauteils betreffen .
Das hier beschriebene optoelektronische Bauteil macht nun unter anderem von der Idee Gebrauch, den Verguss aus einem ersten und einem zweiten Vergusskörper zu bilden, die jeweils unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen, um
beispielsweise unterschiedliche optische Funktionen zu realisieren .
Vorteilhafterweise können der erste und der zweite
Vergusskörper in separaten und jeweils optimierten
Prozessschritten hergestellt werden, sodass das gesamte optoelektronische Bauteil besonders Material sparend und kosteneffizient hergestellt werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Bauteil einen Träger, der mit dem ersten Vergusskörper und dem zweiten Vergusskörper stellenweise in direktem Kontakt steht, wobei der Träger mit dem ersten
Vergusskörper und mit dem zweiten Vergusskörper
verbindungsmittelfrei verbunden ist. Der Träger kann
beispielsweise eine Leiterplatte, eine gedruckte Leiterplatte (englisch: printed circuit board, PCB), eine
Metallkernplatine, ein Keramikträger oder ein so genanntes Quad-Flat-No-Leads-Package (QFN) sein. Insbesondere steht der Träger in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des ersten und des zweiten Vergusskörpers. Weiter ist der Träger an der Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Beispielsweise kann der Träger elektrische Kontaktstrukturen, Leiterbahnen und/oder weitere Komponenten aufweisen, mittels denen das optoelektronische Bauteil elektrisch kontaktiert und betrieben werden kann. In diesem Fall sind Kontaktflächen des Halbleiterchips in direktem Kontakt mit den Kontaktstrukturen des Trägers. Die Kontaktflächen des Halbleiterchips können die Kontaktflächen senkrecht zu ihrer Haupterstreckungsebene über die
Anschlussfläche des Halbleiterchips hinaus ragen.
Insbesondere kann eine Stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip bestehen. Die
Stoffschlüssige Verbindung kann dabei ein Verbindungsmittel, insbesondere einen elektrisch leitenden Klebstoff oder ein Lot, umfassen. Vorteilhafterweise ist die elektrische und mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger vor Umwelteinflüssen geschützt, da die Bodenflächen des ersten und zweiten Vergusskörpers mit dem Träger in direktem Kontakt stehen und die Bodenflächen des ersten und zweiten Vergusskörpers die Anschlussfläche des
Halbleiterchips in einer lateralen Ebene vollständig umgeben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind der optoelektronische Halbleiterchip, der erste Vergusskörper und der zweite Vergusskörper an einer
Unterseite des optoelektronischen Bauteils frei zugänglich. Insbesondere sind die Anschlussfläche des Halbleiterchips und die Bodenflächen des ersten und des zweiten Vergusskörpers nach außen zumindest stellenweise freiliegend. Somit kann das optoelektronische Bauteil mit der Unterseite auf einem Träger angeordnet werden, um über diesen elektrisch leitend kontaktiert und betrieben zu werden. Beispielsweise kann der Träger zusätzlich als Kühlkörper für das optoelektronische Bauteil dienen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Halbleiterchip ausschließlich an seiner Anschlussfläche freiliegende elektrische Kontaktflächen auf, über die der Halbleiterchip elektrisch kontaktiert und betrieben werden kann. Insbesondere handelt es sich bei dem Halbleiterchip dann um einen oberflächenmontierbaren
Halbleiterchip, zum Beispiel einen Flip-Chip, dessen
Kontaktflächen auf der gegenüberliegenden Seite der Seite liegen, durch die ein Großteil der im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung emittiert wird.
Vorteilhafterweise werden die Kontaktflächen des
Halbleiterchips nicht mittels eines Bonddrahtes elektrisch kontaktiert, sondern können direkt auf einer elektrisch leitenden Struktur angeordnet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der zweite
Vergusskörper klarsichtig. Klarsichtig heißt in diesem
Zusammenhang, dass elektromagnetische Strahlung beim
Durchlaufen des zweiten Vergusskörpers nur in geringem Maße reflektiert, absorbiert oder gestreut wird.
Vorteilhafterweise fungiert der klarsichtige zweite
Vergusskörper mit der konvex gekrümmten Deckfläche als optische Linse für im Betrieb im Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung. Mittels des zweiten
Vergusskörpers kann somit die Effizienz erhöht werden, mit der elektromagnetische Strahlung aus dem optoelektronischen Bauteil ausgekoppelt wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils steht der erste Vergusskörper in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip. Insbesondere steht der erste
Vergusskörper mit den lateralen Seitenflächen und der
Deckfläche des Halbleiterchips in direktem mechanischem
Kontakt. Der erste Vergusskörper und der Halbleiterchip sind Stoffschlüssig ohne ein weiteres Verbindungsmittel
miteinander verbunden. Die mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Vergusskörper kann nur unter
Zerstörung einer der beiden gelöst werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind der erste und der zweite Vergusskörper
verbindungsmittelfrei miteinander verbunden. Der erste und der zweite Vergusskörper weisen eine Stoffschlüssige
Verbindung zueinander auf, welche sich nur unter Zerstörung einer der Vergusskörper lösen lässt. Sowohl der erste
Vergusskörper als auch der zweite Vergusskörper umfassen ein Kunststoffmaterial , beispielsweise Silikon, welches eine Stoffschlüssige Verbindung eingeht. Vorteilhafterweise muss kein weiteres Material, wie beispielsweise ein Haftvermittler oder ein Klebstoff, im Strahlengang der durch den
Halbleiterchip emittierten Strahlung angeordnet werden, welches einen Teil der Strahlung reflektieren oder
absorbieren könnte.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weisen der erste und der zweite Vergusskörper in der lateralen Ebene eine Kontur auf, die nicht ähnlich ist. In der Draufsicht auf die Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterchips kann die Kontur des zweiten Vergusskörpers die Kontur des ersten Vergusskörpers in der lateralen Ebene vollständig umgeben. Die Kontur des ersten Vergusskörpers wird dabei durch die lateralen Seitenflächen des ersten
Vergusskörpers, die die Bodenfläche und die gegenüberliegende Deckfläche des ersten Vergusskörpers verbinden, definiert. Die Kontur des zweiten Vergusskörpers wird dabei durch die lateralen Seitenflächen des zweiten Vergusskörpers, die die Bodenfläche und die gegenüberliegende Deckfläche des zweiten Vergusskörpers verbinden, definiert.
Sind die Kontur des ersten Vergusskörpers und des zweiten Vergusskörpers nicht ähnlich zueinander, so sind die Konturen durch Ähnlichkeitsabbildungen nicht ineinander überführbar. Das heißt, es gibt keine geometrische Abbildung, die sich aus zentrischen Streckungen und Kongruenzabbildungen, also
Verschiebungen, Drehungen und Spiegelungen, zusammensetzen lässt, die die eine Kontur auf die andere abbildet.
Vorteilhafterweise kann die Kontur des ersten Vergusskörpers sich nicht nur in ihrer Größe, sondern auch in ihrer
geometrischen Form unterscheiden. Dadurch können jeweils die optischen Eigenschaften des ersten und des zweiten
Vergusskörpers separat voneinander optimiert werden.
Es wird des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben. Mit dem Verfahren kann insbesondere ein hier beschriebenes optoelektronisches
Bauteil hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das optoelektronische Bauteil offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauteils betrifft insbesondere die
Herstellung eines Strahlung emittierenden optoelektronischen Bauteils. Das optoelektronische Bauteil ist dazu ausgebildet, im bestimmungsgemäßen Betrieb optoelektronische Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich, zwischen UV-Strahlung und Infrarot-Strahlung, zu erzeugen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein Träger bereitgestellt. Der Träger kann
beispielsweise eine Folie, eine Leiterplatte, eine bedruckte Leiterplatte (englisch: printed circuit board) , eine
Metallkernplatine, ein Keramikträger oder ein Quad-Flat-No- Leads-Package (QFN) sein.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine zweite Maske auf dem Träger angeordnet. Die zweite Maske weist
Aussparungen auf, die die zweite Maske senkrecht zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig durchdringen. Die
Aussparung sind im Rahmen der Herstellungstoleranz in der lateralen Ebene, welche sich parallel zur
Haupterstreckungsebene der zweiten Maske erstreckt, an den Eckpunkten eines regelmäßigen Gitters angeordnet. Die
Aussparungen können in der lateralen Ebene beliebige
vieleckige und/oder runde Konturen aufweisen.
Die zweite Maske ist selbsttragend ausgebildet und kann beispielsweise ein Polymer, eine Keramik oder ein Metall umfassen, insbesondere kann die zweite Maske Edelstahl umfassen, oder aus diesen bestehen. Zusätzlich kann die zweite Maske eine Beschichtung, insbesondere eine
Beschichtung aus Teflon, aufweisen. Vorteilhafterweise ist die Beschichtung dazu ausgebildet, das Risiko des Anhaftens des zweiten Vergusskörpers an die zweite Maske zu reduzieren.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine erste Maske auf dem Träger angeordnet, sodass die erste Maske die zweite Maske überdeckt. Die erste Maske weist Aussparungen auf, die die erste Maske senkrecht zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig durchdringen. Die Aussparungen sind in der lateralen Ebene, welche sich parallel zur
Haupterstreckungsebene der ersten Maske erstreckt, im Rahmen der Herstellungstoleranz an den Eckpunkten eines regelmäßigen Gitters angeordnet. Die Aussparungen können in der lateralen Ebene beliebige vieleckige und/oder runde Konturen aufweisen. Die erste Maske ist selbsttragend ausgebildet und kann beispielsweise ein Polymer, eine Keramik oder ein Metall umfassen, insbesondere kann die erste Maske Edelstahl
umfassen, oder aus diesen bestehen. Zusätzlich kann die erste Maske eine Beschichtung, insbesondere eine Beschichtung aus Teflon, aufweisen. Vorteilhafterweise ist die Beschichtung dazu ausgebildet, das Risiko des Anhaftens des ersten
Vergusskörpers an die erste Maske zu reduzieren.
Außerdem weist die erste Maske einen Bereich auf, in dem die zweite Maske in die erste Maske einlegbar ist. Die erste Maske wird so auf der zweiten Maske angeordnet, dass die erste Maske in diesem Bereich freiliegende Außenflächen der zweiten Maske überdeckt. Freiliegende Außenflächen sind dabei die Flächen der zweiten Maske, die nicht in direktem Kontakt mit dem Träger stehen. Insbesondere bedeckt die erste Maske die zweite Maske zumindest im Bereich der Aussparungen vollständig .
Beim Anordnen der ersten Maske auf der zweiten Maske stehen die erste und die zweite Maske zumindest stellenweise in direktem Kontakt zueinander. Beispielsweise wird die erste Maske mittels der zweiten Maske relativ zum Träger
ausgerichtet. Insbesondere wird die erste Maske relativ zur zweiten Maske so ausgerichtet, dass die Aussparungen der ersten Maske in der lateralen Ebene innerhalb der
Aussparungen der zweiten Maske liegen. Die erste und die zweite Maske weisen dabei jeweils eine Bodenfläche auf, die in direktem Kontakt mit dem Träger steht.
In einem weiteren Verfahrensschritt werden optoelektronische Halbleiterchips auf dem Träger in Aussparungen der ersten Maske angeordnet. Insbesondere wird genau ein Halbleiterchip in jeweils einer Aussparung der ersten Maske angeordnet. Bei den Halbleiterchips handelt es sich insbesondere um Strahlung emittierende Halbleiterchips, die im bestimmungsgemäßen
Betrieb Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich emittieren. Die optoelektronischen Halbleiterchips sind nach dem Anordnen auf dem Träger in der lateralen Ebene vollständig von der ersten Maske umgeben. Insbesondere überragt die erste Maske die Halbleiterchips senkrecht zur Haupterstreckungsebene der ersten Maske. Die optoelektronischen Halbleiterchips stehen nicht in direktem mechanischem Kontakt mit der ersten Maske. Insbesondere ist der Abstand in der lateralen Ebene zwischen den Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips und der der entsprechenden Seitenfläche zugewandten Seitenfläche der ersten Maske, innerhalb der Herstellungstoleranz, gleich.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird ein erstes
Vergussmittel in den Aussparungen der ersten Maske, zur
Bildung eines ersten Vergusskörpers, aufgebracht. Das erste Vergussmittel umfasst ein Grundstoffmaterial , beispielsweise Silikon, und ein Konversionsmittel. Das erste Vergussmittel ist zunächst flüssig und wird zur Bildung des ersten
Vergusskörpers ausgehärtet. Das Konversionsmittel kann beispielsweise Partikel, insbesondere Partikel eines
Leuchtstoffs, umfassen.
Das erste Vergussmittel wird derart in den Aussparungen der ersten Maske aufgebracht, dass die Dicke, gemessen senkrecht auf der Deckfläche des Halbleiterchips und gemessen senkrecht auf den lateralen Seitenflächen des Halbleiterchips,
innerhalb der Fertigungstoleranzen gleich ist. Beispielsweise wird dazu das erste Vergussmittel mittels Rakelns, Gießens oder Siebdruck aufgebracht.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird die erste Maske entfernt. Die erste Maske wird zerstörungsfrei von dem Träger entfernt, sodass diese nach dem Entfernen von dem Träger wiederverwendet werden kann. Beispielsweise wird die erste Maske mittels Auseinanderziehens der ersten Maske und des Trägers oder der ersten und der zweiten Maske entfernt.
Alternativ wird die erste Maske mittels eines bürstenförmigen Werkzeugs von dem Träger entfernt. Das bürstenförmige
Werkzeug weist erhabene Strukturen auf, die lateral
nebeneinander im Abstand der Aussparungen der ersten Maske zueinander angeordnet sind. Zum Entfernen der ersten Maske werden die erhabenen Strukturen auf die dem Träger
gegenüberliegenden Flächen des ersten Vergusskörpers in den Aussparungen der ersten Maske gedrückt. Dabei wird die erste Maske entgegen der Druckrichtung fixiert.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird ein zweites
Vergussmittel in den Aussparungen der zweiten Maske zur
Bildung eines zweiten Vergusskörpers aufgebracht. Das zweite Vergussmittel umfasst ein Kunststoffmaterial , insbesondere Silikon. Das zweite Vergussmittel ist klarsichtig, sodass elektromagnetische Strahlung nur in geringem Maße absorbiert, reflektiert oder gestreut wird.
Das zweite Vergussmittel ist zunächst flüssig und wird zur Bildung des zweiten Vergusskörpers ausgehärtet. Das zweite Vergussmittel wird beispielsweise mittels Gießens, Spritzens oder Dispensierens aufgebracht. Beispielsweise wird das zweite Vergussmittel derart aufgebracht, dass die Deckfläche des zweiten Vergussmittels eine konvexe Wölbung über der Deckfläche des optoelektronischen Halbleiterchips aufweist. Das zweite Vergussmittel weist beispielsweise nicht
benetzende Eigenschaften für die Oberfläche der zweiten Maske auf, sodass das zweite Vergussmittel derart aufgebracht werden kann, dass es die dem Träger abgewandte Seite der zweiten Maske überragt und einen konvexen Meniskus ausbildet. Vorteilhafterweise kann der Krümmungsradius der konvex gekrümmten Deckfläche, mittels der BenetZungseigenschaften des zweiten Vergussmittels auf der zweiten Maske, angepasst werden. Eine Vergrößerung des Kontaktwinkels zwischen dem zweiten Vergussmittel und der zweiten Maske verkleinert den Krümmungsradius der konvex gekrümmten Deckfläche des zweiten Vergusskörpers .
In einem weiteren Verfahrensschritt wird die zweite Maske entfernt. Die zweite Maske wird zerstörungsfrei von dem
Träger entfernt, sodass diese nach dem Entfernen von dem Träger wiederverwendet werden kann. Beispielsweise wird die zweite Maske mittels Auseinanderziehens der zweiten Maske und des Trägers entfernt. Alternativ wird die erste Maske mittels eines bürstenförmigen Werkzeugs von dem Träger entfernt. Das bürstenförmige Werkzeug weist erhabene Strukturen auf, die lateral nebeneinander im Abstand der Aussparungen der zweiten Maske zueinander angeordnet sind. Zum Entfernen der zweiten Maske werden die erhabenen Strukturen auf die dem Träger gegenüberliegenden Deckflächen des zweiten Vergusskörpers in den Aussparungen der ersten Maske gedrückt. Dabei wird die zweite Maske entgegen der Druckrichtung fixiert.
In einem weiteren Verfahrensschritt werden die
optoelektronischen Halbleiterchips entlang zumindest einem Teil der durch eine Gitterstruktur der zweiten Maske
entstandenen Gräben im zweiten Vergusskörper vereinzelt. Die optoelektronischen Halbleiterchips werden beispielsweise mittels Durchtrennens des Trägers vereinzelt. Alternativ können die optoelektronischen Halbleiterchips durch Ablösen des Trägers von den optoelektronischen Halbleiterchips und dem ersten und zweiten Vergusskörper vereinzelt werden.
Vorteilhafterweise kann es sich bei dem Träger um eine Folie handeln, sodass durch Abziehen der Folie die
optoelektronischen Bauteile vereinzelt werden.
Insbesondere können nach dem Vereinzeln zwei oder mehr
Halbleiterchips miteinander mechanisch verbunden sein. In diesem Fall umfasst ein optoelektronisches Bauteil zwei oder mehr Halbleiterchips. Dabei ist jedem Halbleiterchip genau ein erster Vergusskörper und genau ein zweiter Vergusskörper zugeordnet. Somit weist jeder einzelne Halbleiterchip eine ihm eindeutig zugeordnete konvex gekrümmte Deckfläche auf.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Träger entfernt. Der Träger kann vor dem Entfernen der zweiten Maske oder nach dem Entfernen der zweiten Maske entfernt werden. Der Träger kann beispielsweise mechanisch entfernt werden, indem dieser von den optoelektronischen Halbleiterchips und dem ersten und dem zweiten Vergusskörper abgezogen wird. Insbesondere handelt es sich dann bei dem Träger um eine Folie. Gemäß einer Ausführung des hier beschriebenen Verfahrens ist die Aussparung in der ersten Maske nicht ähnlich zu den
Aussparungen in der zweiten Maske. Sind die Kontur der
Aussparungen der ersten Maske und die Konturen der zweiten Maske nicht ähnlich zueinander, so sind die Konturen durch Ähnlichkeitsabbildungen nicht ineinander überführbar. Das heißt, es gibt keine geometrische Abbildung, die sich aus zentrischen Streckungen und Kongruenzabbildungen, also
Verschiebungen, Drehungen und Spiegelungen, zusammensetzen lässt, die die eine Kontur auf die andere abbildet.
Beispielsweise können die Aussparungen in der ersten Maske in der lateralen Ebene vieleckige, insbesondere viereckige, Konturen aufweisen, wobei die Aussparungen der zweiten Maske in der lateralen Ebene runde Konturen aufweisen.
In einer Ausführungsform des hier beschriebenen Verfahrens ist das zweite Vergussmaterial im flüssigen Zustand nicht benetzend für das Material der zweiten Maske. Der
Kontaktwinkel zwischen dem zweiten Vergussmaterial und dem Material der zweiten Maske ist also größer als 90°.
Vorteilhafterweise kann durch Anpassen des Kontaktwinkels zwischen der zweiten Maske und dem zweiten Vergussmaterial die konvexe Krümmung der Deckfläche des zweiten
Vergusskörpers angepasst werden. Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen des optoelektronischen Bauteils und des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils ergeben sich aus den folgenden, im Zusammenhang mit den
Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
Figuren 1A, 1B, IC, 1D, IE und 1F schematische
Schnittansichten nach verschiedenen Verfahrensschritten des Herstellungsprozesses zur Herstellung eines hier beschriebenen
optoelektronischen Bauteils. Figur 2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils ohne Träger 10. zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils mit Träger 10. zeigt eine Draufsicht der ersten 31 und zweiten Maske 32 von der während eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Herstellungsverfahrens dem Träger 10 zugewandten Seite. In diesem
Ausführungsbeispiel sind die Aussparungen der ersten 311 und der zweiten Maske 321 nicht ähnlich zueinander . zeigt eine schematische Draufsicht einer ersten Maske 31 und einer zweiten Maske 32 von der während eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen des Herstellungsverfahrens dem Träger 10 zugewandten Seite.
Figur 6A, 6B, 6C und 6D zeigen jeweils eine schematische
Draufsicht unterschiedlicher Ausführungsbeispiele von optoelektronischen Bauteilen 1 mit einer
Vielzahl von Halbleiterchips 100, die auf einem gemeinsamen Träger 10 angeordnet sind. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die Figuren 1A bis 1F zeigen anhand schematischer
Schnittdarstellungen ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines hier
beschriebenen optoelektronischen Bauteils.
Anhand der Figur 1A ist ein erster Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Dabei wird auf einem Träger 10 zunächst eine zweite Maske 32 und
anschließend eine erste Maske 31 angeordnet. Im Bereich von Aussparungen 311 der ersten Maske 31 ist der Träger 10 frei von der ersten 31 und der zweiten Maske 32 und ist an seiner den Masken 31, 32 zugewandten Oberseite frei zugänglich. Die zweite Maske 32 ist an allen Seiten, die nicht von dem Träger 10 überdeckt sind, durch die erste Maske 31 überdeckt. Die erste Maske 31, die zweite Maske 32 und der Träger 10 stehen in direktem mechanischem Kontakt zueinander. Die zweite Maske 32 kann in einem dafür vorgesehenen Bereich der ersten Maske 31 eingelegt werden, sodass sowohl die erste Maske 31 als auch die zweite Maske 32 in direktem Kontakt zu dem Träger 10 stehen . Anhand der Figur 1B ist ein zweiter Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Dabei werden optoelektronische Halbleiterchips 1 in den Aussparungen 311 der ersten Maske 31 angeordnet. Die Halbleiterchips 100 werden stoffschlüssig mit dem Träger 10 verbunden. Der Träger 10 kann Kontaktstrukturen aufweisen, über die die
Halbleiterchips 100 elektrisch leitend kontaktiert und betrieben werden können. Die Halbleiterchips 100 sind mit ihrer Anschlussseite 100b auf dem Träger 10 angeordnet. Das heißt, bei den Halbleiterchips 100 handelt es sich um
oberflächenmontierbare Chips, zum Beispiel um Flip-Chips, die ausschließlich von ihrer Anschlussseite 100b her kontaktiert und betrieben werden können.
Insbesondere sind die Halbleiterchips 100 derart angeordnet, dass der Abstand zwischen Seitenflächen 100c der
optoelektronischen Halbleiterchips 100 und der ersten Maske 31 in der lateralen Ebene zu allen Seiten gleich ist und die optoelektronischen Halbleiterchips 100 nicht in direktem mechanischem Kontakt mit der ersten Maske 31 stehen.
Anhand der Figur IC ist ein dritter Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Dabei werden in den Aussparungen 311 der ersten Maske 31 erste
Vergusskörper 21 angeordnet. Die ersten Vergusskörper 21 sind jeweils auf Seitenflächen 100c und Deckflächen 100a der optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet und mit diesen stoffschlüssig verbunden. Die laterale Ausdehnung der ersten Vergusskörper 21 wird mittels der Konturen der
Aussparungen 311 der ersten Maske 31 vorgegeben.
Beispielsweise wird das Vergussmaterial der ersten
Vergusskörper 21 derart angeordnet, dass eine Dicke der ersten Vergusskörper 21 auf den Deckflächen 100a der
Halbleiterchips 100, gemessen senkrecht zu den Deckflächen 100a des Halbleiterchips, und eine Dicke auf den lateralen Seitenflächen 100c, gemessen senkrecht zu den lateralen
Seitenflächen 100c, gleich ist. Die ersten Vergusskörper 21 umfassen beispielsweise Silikon und ein Konversionsmittel. Das Konversionsmittel ist dazu ausgebildet, in den Halbleiterchips 100 erzeugte
elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung eines längeren Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
Anhand der Figur 1D ist ein vierter Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Dabei wird die erste Maske 31 entfernt. Insbesondere wird die erste Maske 31 zerstörungsfrei entfernt und kann wiederverwendet werden.
Nach dem Entfernen der ersten Maske 31 liegen die Flächen der zweiten Maske 32, welche nicht durch den Träger 10 bedeckt sind, nach außen frei. Innerhalb von Aussparungen 321 der zweiten Maske 32 liegt der Träger 10 in Bereichen, in denen nicht der optoelektronische Halbleiterchip 1 oder der erste Vergusskörper 21 angeordnet ist, frei.
Anhand der Figur IE ist ein fünfter Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Dabei werden in den Aussparungen 321 der zweiten Maske 32 zweite
Vergusskörper 22 angeordnet. Die zweiten Vergusskörper 22 überragen die zweite Maske 32 auf der dem Träger 10
abgewandten Seite. Deckflächen 22a des zweiten Vergusskörpers 22, auf der dem Träger abgewandten Seite, sind konvex
gekrümmt. Die zweiten Vergusskörper 22 überdecken jeweils alle dem Halbleiterchip 100 abgewandten Flächen der ersten Vergusskörper 21 und sind mit diesen jeweils Stoffschlüssig direkt verbunden. Bodenflächen 22b des zweiten Vergusskörpers schließen bündig mit Bodenflächen 21b der ersten
Vergusskörper 21 ab. In der lateralen Ebene wird die
Ausdehnung der zweiten Vergusskörper 22 durch die zweite Maske 32 begrenzt. Die zweiten Vergusskörper 22 umfassen beispielsweise Silikon und sind klarsichtig ausgebildet. Insbesondere sind die zweiten Vergusskörper 22 transparent für die von den
optoelektronischen Bauteilen emittierte elektromagnetische Strahlung.
Anhand der Figur 1F ist ein sechster Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Dabei wird die zweite Maske 32 entfernt. Insbesondere wird die zweite Maske 32 bei dem Entfernen nicht beschädigt oder zerstört. Nach dem Entfernen der zweiten Maske 32 weist der Träger 10 auf der den optoelektronischen Halbleiterchips 100 zugewandten Seite freiliegende Bereiche auf. Beispielsweise können in einem darauffolgenden Schritt die optoelektronischen
Halbleiterchips 100 entlang dieser freiliegenden Bereiche, mittels Durchtrennens des Trägers 10 oder Ablösens des
Trägers 10, vereinzelt werden. Insbesondere können die
Halbleiterchips 100 entlang nur eines Teils dieser
freiliegenden Bereiche vereinzelt werden, sodass ein
optoelektronisches Bauelement mehrere Halbleiterchips 100 umfasst, die über einen gemeinsamen Träger 100 in direktem mechanischem Kontakt stehen.
Die Figur 2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels. Der optoelektronische
Halbleiterchip 100 weist eine freiliegende Anschlussfläche 100b auf, über die der optoelektronische Halbleiterchip 100 elektrisch leitend kontaktiert und betrieben werden kann. Die Deckfläche 100a und die lateralen Seitenflächen 100c, welche die Anschlussfläche 100b und die Deckfläche 100a des
optoelektronischen Halbleiterchips 100 miteinander verbinden, sind von dem ersten Vergusskörper 21 überdeckt. Insbesondere steht der optoelektronische Halbleiterchip 100 an diesen Flächen in direktem mechanischem Kontakt mit dem ersten
Vergusskörper 21. Die Bodenfläche 21b des ersten
Vergusskörpers 21 schließt bündig mit der Anschlussfläche 100b des Halbleiterchips 100 ab. Auf den dem
optoelektronischen Halbleiterchip 100 abgewandten Seiten des ersten Vergusskörpers 21 ist der zweite Vergusskörper 22 angeordnet. Der zweite Vergusskörper 22 bedeckt die dem
Halbleiterchip 100 abgewandten Seiten des ersten
Vergusskörpers vollständig und steht mit diesen in direktem Kontakt. Die Bodenfläche 22b des zweiten Vergusskörpers 22 schließt bündig mit der Bodenfläche 21b des ersten
Vergusskörpers 21 ab. Die Deckfläche 22a des zweiten
Vergusskörpers 22 ist konvex gekrümmt.
Der erste Vergusskörper 21 umfasst beispielsweise ein
Polymermaterial, insbesondere Silikon, und ein
Konversionsmittel. Das Konversionsmittel wandelt im
bestimmungsgemäßen Betrieb des optoelektronischen
Halbleiterchips 100 erzeugte elektromagnetische Strahlung in Strahlung eines längeren Wellenlängenbereichs um. Das
Konversionsmittel kann beispielsweise Phosphorpartikel umfassen oder aus diesen bestehen. Der erste Vergusskörper 21 ist nicht klarsichtig.
Der zweite Vergusskörper 22 umfasst beispielsweise ein
Polymermaterial, insbesondere Silikon. Der zweite
Vergusskörper 22 ist klarsichtig. Somit hat dieser aufgrund der konvexen Krümmung der Deckfläche 22a die Wirkung einer optischen Linse.
Die Figur 3 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels. Das optoelektronische Bauteil umfasst analog zu dem optoelektronischen Bauteil aus Figur 2 einen optoelektronischen Halbleiterchip 1, einen ersten
Vergusskörper 21 und einen zweiten Vergusskörper 22.
Zusätzlich umfasst das optoelektronische Bauteil einen Träger 10, welcher an der Anschlussfläche 100b und an den mit der Anschlussfläche 100b bündig abschließenden Bodenflächen 21b, 22b des ersten 21 und des zweiten 22 Vergusskörpers
angeordnet ist. Der Träger 10 kann beispielsweise elektrische Leiterbahnen und Kontaktstrukturen zur elektrischen
Kontaktierung und zum Betrieb des optoelektronischen
Halbleiterchips 100 umfassen. Insbesondere handelt es sich bei dem Träger um eine Leiterplatte (englisch: printed circuit board, PCB) , eine Metallkern-Platine oder einen
Keramikträger.
Die Figur 4 zeigt eine schematische Draufsicht einer ersten
31 und einer zweiten Maske 32 von der Seite, die bei der Herstellung eines optoelektronischen Bauteils dem Träger 10 zugewandt ist. Die erste Maske 31 weist quadratische
Aussparungen 311 auf, die sich senkrecht zur
Haupterstreckungsebene der ersten Maske 31 vollständig durch diese durchstrecken. Die Aussparungen 311 der ersten Maske 31 sind in der Haupterstreckungsebene der ersten Maske 31 an den Gitterpunkten eines regelmäßigen Gitters angeordnet. Die zweite Maske 32 weist kreisförmige Aussparungen 321 auf, die diese senkrecht zur Haupterstreckungsebene der zweiten Maske
32 vollständig durchdringen. Die Aussparungen 321 in der zweiten Maske 32 sind entlang der Haupterstreckungsebene der zweiten Maske an den Gitterpunkten eines regelmäßigen Gitters angeordnet. Die Aussparungen 311, 321 der ersten 31 und der zweiten Maske 32 sind derart angeordnet, dass jede Kontur der Aussparungen 311 der ersten Maske 31 vollständig von einer Kontur der Aussparungen 321 der zweiten Maske 32 in einer lateralen Ebene umgeben ist. Dabei ist die laterale Ebene die Ebene, welche sich parallel zur Haupterstreckungsrichtung der ersten 31 und zweiten 32 Maske erstreckt.
Die erste Maske 31 weist einen Bereich auf, der dafür
vorgesehen ist, die zweite Maske 32 in die erste Maske 31 einzulegen. Im eingelegten Zustand schließen die erste Maske 31 und die zweite Maske 32 auf der dem Träger 10 zugewandten Seite bündig miteinander ab. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Konturen der Aussparungen 311 der ersten Maske 31 und der Aussparungen 321 der zweiten Maske 32 nicht ähnlich zueinander . Die Figur 5 zeigt eine schematische Draufsicht eines
alternativen Ausführungsbeispiels der ersten 31 und der zweiten 32 Maske. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der ersten 31 und zweiten Maske 32, die in Figur 4
dargestellt sind, sind in diesem Ausführungsbeispiel die Konturen der Aussparungen 311 der ersten Maske 31 und 321 der zweiten Maske 32 ähnlich zueinander.
Die Figur 6A zeigt eine schematische Draufsicht auf die
Deckfläche eines Ausführungsbeispiels eines hier
beschriebenen optoelektronischen Bauteils 1, welches einen
Träger 10 und eine Vielzahl von Halbleiterchips 100 umfasst. Die Halbleiterchips 100 sind in einer lateralen Ebene, entlang einer Gerade auf einer Oberfläche des Trägers 10, angeordnet und sind jeweils, wie in Figur 3 dargestellt, von dem ersten 21 und dem zweiten 22 Vergusskörper überdeckt.
Der Träger 10 umfasst Leiterbahnen und Kontaktstrukturen, mittels denen die Halbleiterchips 100 elektrisch leitend kontaktiert und betrieben werden können. Darüber hinaus ist der Träger 10 die mechanisch tragende Komponente des
optoelektronischen Bauteils 1. Insbesondere wurden der erste 21 und der zweite 22 Vergusskörper auf dem Träger 10
hergestellt. Anschließend wurde der Träger bestimmungsgemäß durchtrennt, sodass ein optoelektronisches Bauteil 1 mit sechs Halbleiterchips 100 entstanden ist.
Die Figur 6B zeigt eine schematische Draufsicht auf die
Deckfläche eines optoelektronischen Bauteils 1 gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Figur 6A im Wesentlichen dadurch, dass der Träger 10 derart
durchtrennt ist, dass das optoelektronische Bauteil 1 eine rechteckige Anordnung von 24 Halbleiterchips 100 umfasst, die entlang eines regelmäßigen Gitters angeordnet sind.
Die Figur 6C zeigt eine schematische Draufsicht auf die
Deckfläche eines optoelektronischen Bauteils 1 gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Figur 6A im Wesentlichen dadurch, dass der Träger 10 derart
durchtrennt ist, dass das optoelektronische Bauteil 1 eine F- förmige Anordnung von 12 Halbleiterchips 100 umfasst.
Die Figur 6D zeigt eine schematische Draufsicht auf die
Deckfläche eines optoelektronischen Bauteils 1 gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Figur 6A im Wesentlichen dadurch, dass der Träger 10 derart
durchtrennt ist, dass das optoelektronische Bauteil 1 eine kreuzförmige Anordnung von neun Halbleiterchips 100 umfasst. Alternativ kann das optoelektronischen Bauteil 1 in seiner Haupterstreckungsebene weitere Konturen aufweisen, entlang denen der Träger 10 durchtrennt ist. Insgesamt ist es möglich, durch entsprechende Vereinzelung hier beschriebene Bauteile in unterschiedlichen Formen auszuführen, die beispielsweise Buchstaben, Symbole oder Piktogramme nachbilden. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102016108931.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 Optoelektronisches Bauteil
10 Träger
100 Halbleiterchip
100a Deckfläche des Halbleiterchips
100b Anschlussfläche des Halbleiterchips
100c Laterale Seitenfläche des Halbleiterchips
21 Erster Vergusskörper
21b Bodenfläche des ersten Vergusskörpers
22 Zweiter Vergusskörper
22a Deckfläche des zweiten Vergusskörpers
22b Bodenfläche des zweiten Vergusskörpers
31 Erste Maske
311 Aussparung in der ersten Maske
32 Zweite Maske
321 Aussparung in der zweiten Maske

Claims

Patentansprüche
Optoelektronisches Bauteil mit
- einem optoelektronischen Halbleiterchip (100)
umfassend eine Anschlussfläche (100b), eine der Anschlussfläche (100b) gegenüberliegende Deckfläche (100a) und laterale Seitenflächen (100c), welche die Anschlussfläche (100b) und die Deckfläche (100a) miteinander verbinden,
- einem ersten Vergusskörper (21) und
- einem zweiten Vergusskörper (22), wobei
- der erste Vergusskörper (21) alle lateralen
Seitenflächen (100c) und die Deckfläche (100a) des Halbleiterchips (100) bedeckt,
- der erste Vergusskörper (21) eine Bodenfläche (21b) aufweist, die bündig mit der Anschlussfläche (100b) des Halbleiterchips (100) abschließt,
- der zweite Vergusskörper (22) eine Bodenfläche (22b) aufweist, die bündig mit der Bodenfläche (21b) des ersten Vergusskörpers (21) abschließt,
- der zweite Vergusskörper (22) alle dem Halbleiterchip (100) abgewandten Seitenflächen (100c) des erstens Vergusskörpers (21) vollständig bedeckt,
- eine der Anschlussfläche (100c) gegenüberliegende Deckfläche (22a) des zweiten Vergusskörpers (22) konvex gekrümmt ist, und
- der optoelektronische Halbleiterchip (100)
ausschließlich an seiner Anschlussfläche (100b) freiliegende elektrische Kontaktflächen aufweist, über die der Halbleiterchip (100) elektrisch kontaktiert und betrieben werden kann. Optoelektronisches Bauteil nach dem vorherigen
Anspruch,
wobei das optoelektronische Bauteil einen Träger (10) umfasst, der mit dem ersten Vergusskörper (21) und dem zweiten Vergusskörper (22) stellenweise in direktem Kontakt steht, wobei der Träger (10) mit dem ersten Vergusskörper (21) und mit dem zweiten Vergusskörper (22) verbindungsmittelfrei verbunden ist.
Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100), der erste Vergusskörper (21) und der zweite Vergusskörper (22) an einer Unterseite des optoelektronischen
Bauteils frei zugänglich sind.
Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der zweite Vergusskörper (22) klarsichtig ist.
Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der erste Vergusskörper (21) in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip (100) steht.
Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der erste (21) und der zweite (22) Vergusskörper verbindungsmittelfrei miteinander verbunden sind.
Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der erste (21) und der zweite (22) Vergusskörper in der lateralen Ebene eine Kontur aufweisen, die nicht ähnlich ist.
8. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauteils mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Trägers (10);
- Anordnen einer zweiten Maske (32) auf dem Träger (10) ;
- Anordnen einer ersten Maske (31) auf dem Träger (10), sodass die erste Maske (31) die zweite Maske (32) überdeckt;
- Anordnen von optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf dem Träger (10) in Aussparungen (311) der ersten Maske (31);
- Aufbringen eines ersten Vergussmittels in den
Aussparungen (311) der ersten Maske (31) zur
Bildung eines ersten Vergusskörpers (21);
- Entfernen der ersten Maske (31);
- Aufbringen eines zweiten Vergussmittels in
Aussparungen (321) der zweiten Maske (32) zur Bildung eines zweiten Vergusskörpers (22);
- Entfernen der zweiten Maske (32) .
9. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch,
bei dem die optoelektronischen Halbleiterchips (100), entlang zumindest einem Teil der durch eine
Gitterstruktur der zweiten Maske (32) entstandenen Gräben im zweiten Vergusskörper (22), vereinzelt werden . 10. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der Träger (10) entfernt wird.
Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Aussparungen (321) in der ersten Maske (31) nicht ähnlich zu den Aussparungen (321) in der zweiten Maske (32) sind.
Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem das zweite Vergussmaterial im flüssigen Zustand nicht benetzend für das Material der zweiten Maske (32) ist .
Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem ein optoelektronisches Bauteil gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 7 hergestellt wird.
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