WO2024252981A1

WO2024252981A1 - 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体

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Publication number: WO2024252981A1
Application number: PCT/JP2024/019522
Authority: WO
Inventors: 享杉山; 康敏梅原; 拓也森
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2023-06-08
Filing date: 2024-05-28
Publication date: 2024-12-12
Anticipated expiration: 2025-12-08
Also published as: TW202524080A; JP2024176244A

Abstract

基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する基板検査装置であって、前記基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板に対して、光を出射する光源部と、前記保持部を移動させる移動機構と、前記保持部に保持された前記基板からの反射光または散乱光を受光することにより前記基板を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（Ａ）前記保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、（Ｂ）その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、を実行する。

Description

基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体

　本開示は、基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体に関する。

　特許文献１には、基板に所定の処理を施す複数の処理装置を備えた基板処理システムにおける、基板の検査方法が開示されている。この検査方法では、処理装置で処理される前の基板の表面を撮像して第１の基板画像が取得され、第１の基板画像から所定の特徴量が抽出される。また、それぞれ異なる範囲の特徴量に対応して設定された複数の検査レシピが記憶された記憶部から、第１の基板画像から抽出された特徴量に対応する検査レシピが選択される。そして、処理装置で処理された後の基板の表面を撮像して第２の基板画像が取得され、選択された検査レシピと第２の基板画像に基づいて、基板の欠陥の有無が判定される。

特開２０１６－２１２００８号公報

　本開示にかかる技術は、基板の撮像画像に基づく欠陥検査における欠陥検出精度を向上させる。

　本開示の一態様は、基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する基板検査装置であって、前記基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板に対して、光を出射する光源部と、前記保持部を移動させる移動機構と、前記保持部に保持された前記基板からの反射光または散乱光を受光することにより前記基板を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（Ａ）前記保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、（Ｂ）その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、を実行する。

　本開示によれば、基板の撮像画像に基づく欠陥検査における欠陥検出精度を向上させることができる。

第１実施形態にかかる基板検査装置を備えたウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。図１のウェハ処理システムの正面側の内部構成の概略を模式的に示す図である。図１のウェハ処理システムの背面側の内部構成の概略を模式的に示す図である。検査装置の構成の概略を示す横断面図である。検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。図１のウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理に含まれる、検査装置によるウェハの検査を説明するためのフローチャートである。第２実施形態にかかる基板検査装置としての検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。

　半導体デバイス等の製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が順次行われ、ウェハ上にレジストパターンが形成される。

　また、上述のようにレジストパターンを形成する際等に、各種処理後のウェハに対して欠陥検査が行われることがある。この欠陥検査では、例えば、膜表面の凹凸欠陥の有無や膜中の欠陥の有無等が検査される。近年では、この欠陥検査に、処理後の検査対象のウェハ（具体的にはその処理面すなわち表面）を撮像した撮像画像が用いられる場合がある（特許文献１参照）。
　しかし、従来のウェハの撮像画像を用いてウェハに対し欠陥検査を行う方法では、欠陥検出精度の点で改善の余地がある。

　そこで、本開示にかかる技術は、基板の撮像画像に基づく欠陥検査における欠陥検出精度を向上させる。

　以下、本実施形態にかかる基板検査装置及び基板検査方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１実施形態）
＜ウェハ処理システム＞
　図１は、第１実施形態にかかる基板検査装置を備えたウェハ処理システム１の構成の概略を示す平面図である。図２及び図３は、各々ウェハ処理システム１の正面側及び背面側の内部構成の概略を模式的に示す図である。なお、以下では、ウェハ処理システム１がウェハＷに対して塗布現像処理を行う塗布現像処理システムである場合を例にして説明する。

　ウェハ処理システム１は、例えば、ウェハＷに対して塗布現像処理を行う塗布現像処理システムである。ウェハ処理システム１は、図１に示すように、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、を有する。そして、ウェハ処理システム１は、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、処理ステーション１１とは反対側に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３と、を一体に接続した構成を有している。

　カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、ウェハ処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置する載置板２１が複数設けられている。

　カセットステーション１０には、Ｘ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

　処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

　第１のブロックＧ１には、図２に示すように、複数の液処理装置、例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。現像処理装置３０は、ウェハＷを現像処理するものであり、下部反射防止膜形成装置３１は、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成するものである。レジスト塗布装置３２は、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するものであり、上部反射防止膜形成装置３３は、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成するものである。

　例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。

　これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３では、例えば、スピン塗布法により、予め定められた処理液がウェハＷ上に塗布される。スピン塗布法では、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。

　第２のブロックＧ２には、図３に示すように、ウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０が、上下方向と水平方向に並べて設けられており、その数や配置は、任意に選択できる。

　第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２と、基板検査装置としての検査装置６３とが、下から順に設けられている。検査装置６３の構成については後述する。

　図１に示すように、第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、ウェハ搬送装置７０が配置されている。

　ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送装置７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。

　また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。

　シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。

　図１に示すように、第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム９０ａを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。

　インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アーム１００ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１０１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。

　以上のウェハ処理システム１には、図１に示すように少なくとも１つの制御部２００が設けられている。制御部２００は、本開示において述べられる種々の工程をウェハ処理システム１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２００は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにウェハ処理システム１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２００の一部又は全てがウェハ処理システム１に含まれてもよい。制御部２００は、処理部、記憶部及び通信インターフェースを含んでもよい。制御部２００は、例えばコンピュータにより実現される。処理部は、記憶部から種々の制御動作を行うことを可能にするロジック又はルーチンを提供するプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部に格納され、処理部によって記憶部から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェースに接続されている通信回線であってもよい。記憶媒体は、一時的な記憶媒体であっても非一時的な記憶媒体Ｈであってもよい。処理部は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよく、１つ又は複数の回路であってもよい。記憶部は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェースは、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してウェハ処理システム１との間で通信してもよい。

＜検査装置６３＞
　次に、上述した検査装置６３の構成について説明する。図４及び図５はそれぞれ、検査装置６３の構成の概略を示す横断面図及び縦断面図である。

　検査装置６３は、図４及び図５に示すように、筐体１５０を有している。筐体１５０の一側壁には、当該筐体１５０に対するウェハＷの搬入出を行うための搬入出口１５０ａが形成されている。

　また、筐体１５０内には、ウェハＷを保持するウェハチャック１５１が設けられている。すなわち、筐体１５０は、ウェハチャック１５１を収容するものである。筐体１５０の底面には、筐体１５０内の手前側（図４中のＸ方向正方向側）から奥側（図４中のＸ方向負方向側）まで延伸するガイドレール１５２が設けられている。ガイドレール１５２上には、ウェハチャック１５１を回転させると共に、ガイドレール１５２に沿って移動自在な駆動部１５３が設けられている。駆動部１５３は、ウェハチャック１５１を回転させるための駆動力及び当該駆動部１５３の移動のための駆動力を発生するモータ等の駆動源（図示せず）を有する。ウェハチャック１５１に保持されているウェハＷは、駆動部１５３により、搬入出口１５０ａ寄りすなわち手前側の第１の位置と、後述の周縁撮像ユニット１９０寄りすなわち奥側の第２の位置との間で移動可能である。この駆動部１５３は、ウェハチャック１５１を移動させる移動機構の少なくとも一部を構成する。

　さらに、筐体１５０内には、アライナユニット１６０が設けられている。

　アライナユニット１６０は、筐体１５０内における手前側に設けられている。また、アライナユニット１６０は、上部または下部のいずれか一方に投光部１６１を有し、他方に受光部１６２を有する。投光部１６１は例えばＬＥＤを含む。受光部１６２は例えばＰＤ（Photodiode）を含む。アライナユニット１６０は、ウェハチャック１５１に保持され上述の第１の位置に位置するウェハＷの周縁部を投光部１６１と受光部１６２との間で挟みうるように設けられている。

　例えば、第１の位置に位置するウェハＷがウェハチャック１５１と共に駆動部１５３により回転されている間に、投光部１６１から受光部１６２に向けた光照射が行われ、受光部４２での受光結果が制御部２００に出力される。制御部２００では、上記受光結果に基づいて、ウェハＷの周縁部に形成されたノッチの位置が検出される。ノッチの位置の検出後、駆動部１５３によりウェハチャック１５１を回転させることにより、ノッチ位置検出済みのウェハＷを、所定の向きとすることができる。

　また、筐体１５０内には、表面用撮像部１７０と、表面用光源部１８０と、が設けられている。

　表面用撮像部１７０は、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの反射光または散乱光を受光することにより、当該ウェハＷを撮像する。この表面用撮像部１７０は、カメラ１７１を有する。

　カメラ１７１は、例えば、筐体１５０内の奥側（図４中のＸ方向負方向側）の端部における上方に設けられており、レンズ（図示せず）とラインセンサ等の撮像デバイス（図示せず）を有する。
　本実施形態において、カメラ１７１は、第１撮像部及び第２撮像部を兼ねる。第１撮像部は、第１光としての、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの反射光（具体的にはウェハＷの表面からの反射光）すなわち明視野光を、受光することにより、ウェハＷを撮像する。第２撮像部は、第２光としての、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの散乱光（具体的にはウェハＷの表面からの散乱光）すなわち暗視野光を、受光することにより、ウェハＷを撮像する。
　カメラ１７１で撮像された画像は、制御部２００に出力される。

　表面用光源部１８０は、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷに対して、光を出射する。この表面用光源部１８０は、第１光源部１８１と第２光源部１８２とを有する。

　第１光源部１８１は、筐体１５０内の奥行き方向（図のＸ方向）中央における上方に設けられており、第１光源部１８１の下方には、ハーフミラー１８３が設けられている。ハーフミラー１８３は、カメラ１７１と対向する位置に、鏡面が鉛直下方を向いた状態からカメラ１７１の方向に向けて４５度上方に傾斜した状態で設けられている。第１光源部１８１からの照明は、ハーフミラー１８３を通過して下方に向けて照らされる。また、ハーフミラー１８３を通過した光は、ハーフミラー１８３の下方にある物体によって反射され、ハーフミラー１８３でさらに反射して、カメラ１７１に受光される。すなわち、第１光源部１８１は、明視野照明であり、カメラ１７１は、第１光源部１８１による照射領域にある物体を撮像することができる。したがって、ウェハＷを保持するウェハチャック１５１がガイドレール１５２に沿って移動する際に、カメラ１７１は、第１光源部１８１の照射領域を通過するウェハＷの表面を撮像できる。

　第２光源部１８２は、筐体１５０内の第１光源部１８１より手前側（図のＸ方向正方向側）の位置における上方に設けられている。第２光源部１８２からの照明は、斜め下方に向けて照らされる。また、第２光源部１８２による光照射領域と第１光源部１８１による光照射領域とは略一致する。すなわち、例えば、第２光源部１８２により、ハーフミラー１８３の下方が照らされる。また、第２光源部１８２からの光は、ハーフミラー１８３の下方にある物体によって散乱され、ハーフミラー１８３で反射して、カメラ１７１に受光される。すなわち、第２光源部１８２は、暗視野照明であり、カメラ１７１は、第２光源部１８２による照射領域にある物体を撮像することができる。したがって、ウェハＷを保持するウェハチャック１５１がガイドレール１５２に沿って移動する際に、カメラ１７１は、第２光源部１８２の照射領域を通過するウェハＷの表面を撮像できる。

　さらに、筐体１５０内には、周縁撮像ユニット１９０が設けられている。
　周縁撮像ユニット１９０は、例えば、筐体１５０内の奥側（図４中のＸ方向負方向側）に設けられており、カメラ１９１と、照明モジュール１９２と、ミラー部材（図示せず）とを含む。

　カメラ１９１は、レンズ（図示せず）とラインセンサ等の撮像素子（図示せず）を有する。カメラ１９１で撮像された画像は、制御部２００に出力される。

　照明モジュール１９２及びミラー部材は、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷが第２の位置にある場合に、照明モジュール１９２から出射されウェハＷの表面の周縁部で反射された光と、照明モジュール１９２から出射されウェハＷの側端面で反射された光との双方がカメラ１９１に受光されるよう、構成されている。すなわち、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷが第２の位置にある場合、カメラ１９１は、ウェハＷの表面の周縁部とウェハＷの側端面との双方を撮像できる。

　例えば、ウェハＷが第２の位置にある場合に、当該ウェハＷを保持しているウェハチャック１５１の回転に同期させて、周縁撮像ユニット１９０による撮像が行われる。これにより、ウェハＷの周縁部の全面について、具体的には、ウェハＷの表面の周縁部の全面と、ウェハＷの側端面の全面と、について、実質的にウェハＷの周方向に走査した画像が得られる。

＜ウェハ処理＞
　続いて、ウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。図６は、上記ウェハ処理に含まれる、検査装置６３によるウェハＷの検査を説明するためのフローチャートである。

　まず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、カセットステーション１０の所定の載置板２１に載置される。その後、制御部２００の制御の下、ウェハＷが、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内から取り出され、処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の例えば受け渡し装置５２に搬送される。

　次に、制御部２００の制御の下、ウェハＷが、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。続いて、ウェハＷが、第２のブロックＧ２の下層膜用の熱処理装置４０に搬送され、下層膜の加熱処理が行われる。

　その後、制御部２００の制御の下、ウェハＷが、第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷの下層膜上にレジスト膜が形成される。続いて、ウェハＷが、第２のブロックＧ２のＰＡＢ処理用の熱処理装置４０に搬送され、ＰＡＢ処理が行われる。

　次に、制御部２００の制御の下、ウェハＷが、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の上層膜用の熱処理装置４０に搬送され、上層膜の加熱処理が行われる。

　次いで、制御部２００の制御の下、ウェハＷが、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１００によって検査装置６３に搬送され、筐体１５０内に搬入される。

　筐体１５０内に搬入されたウェハＷは、制御部２００の制御の下、筐体１５０内における手前側に移動してたウェハチャック１５１に載置される。

　次いで、制御部２００の制御の下、ウェハＷは、筐体１５０内の奥側まで、搬入される。具体的には、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷは、前述の第１の位置から第２の位置まで、ガイドレール１５２に沿って移動される。
　第１の位置では、前述のように、ウェハＷのノッチの位置が検出され、検出結果に基づいて、ウェハＷが所定の向きとされる。
　筐体１５０内への搬入動作が終わる第２の位置では、周縁撮像ユニット１９０によるウェハＷの撮像が行われ、具体的には、周縁撮像ユニット１９０によるウェハＷの表面の周縁部とウェハＷの側端面の撮像が行われる。

　その後、ウェハＷは、制御部２００の制御の下、筐体１５０内の奥側から搬出され、筐体１５０内の手前側まで移動される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって、検査装置６３では、筐体１５０から搬出される。

　また、検査装置６３では、筐体１５０内にウェハＷが位置する間に、制御部２００の制御の下、表面用撮像部１７０によりウェハＷが撮像される。

　具体的には、制御部２００の制御の下、図６に示すように、ウェハチャック１５１を第１方向である筐体１５０の奥方向（図４のＸ方向負方向）に移動させつつ、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの明視野光を、表面用撮像部１７０により受光させて、ウェハＷを撮像させる（ステップＳ１）。

　より具体的には、筐体１５０内へのウェハＷの搬入後、第１の位置で所定の向きとされたウェハＷが、奥行き方向に沿って第２の位置まで移動される間、表面用光源部１８０の第１光源部１８１及び第２光源部１８２のうち前者のみが点灯される。また、第２の位置までの移動に同期して、表面用撮像部１７０のカメラ１７１によるウェハＷの表面の撮像が行われる。表面用撮像部１７０による撮像結果は、制御部２００に出力され、明視野光によるウェハＷの撮像画像（具体的にはウェハＷの表面の撮像画像）が制御部２００により取得される。

　上述の筐体１５０の奥方向に移動させつつの撮像後、制御部２００の制御の下、ウェハチャック１５１を第１方向とは逆の第２方向である筐体１５０の手前方向（図４のＸ方向正方向）に移動させつつ、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの暗視野光を、表面用撮像部１７０により受光させて、ウェハＷを撮像させる（ステップＳ２）。

　具体的には、ウェハＷが、奥行き方向に沿って第２の位置から第１の位置まで移動される間、表面用光源部１８０の第１光源部１８１及び第２光源部１８２のうち後者のみが点灯される。また、第１の位置までの移動に同期して、表面用撮像部１７０のカメラ１７１によるウェハＷの表面の撮像が行われる。表面用撮像部１７０による撮像結果は、制御部２００に出力され、暗視野光によるウェハＷの撮像画像（具体的にはウェハＷの表面の撮像画像）が制御部２００により取得される。

　明視野光によるウェハＷの撮像画像と、暗視野光によるウェハＷの撮像画像とが取得されると、制御部２００は、両撮像画像に基づいて、ウェハＷを検査する（ステップＳ３）。具体的には、制御部２００は、上記両撮像画像に基づいて、ウェハＷの表面について欠陥検査を行う。より具体的には、制御部２００は、明視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの表面の欠陥検査と、暗視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの表面の欠陥検査と、の両方を行う。明視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく欠陥検査は、予め取得された明視野光によるウェハＷの基準画像を参照して行われる。例えば、基準画像からの画素値の変化量に基づいて欠陥が検出され、具体的には、基準画像からの画素値の変化量が閾値を超えた部分が欠陥として検出される。暗視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく欠陥検査についても同様である。

　検査装置６３の筐体１５０から搬出されたウェハＷは、制御部２００の制御の下、ウェハ搬送装置１００によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、ＰＥＢ処理される。次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる。

　現像処理の終了後、ウェハＷは、制御部２００の制御の下、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０により第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送される。その後、ウェハＷは、カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定の載置板２１のカセットＣに搬送され、一連のウェハ処理が完了する。上述のウェハ処理は、他のウェハＷについても行われる。

＜本実施形態の主な効果＞
　以上のように、本実施形態にかかるウェハＷを検査する方法は、ウェハＷを撮像した画像に基づいてウェハＷを検査するものであり、
（ａ）ウェハチャック１５１を第１方向である筐体１５０の奥方向（図４のＸ方向負方向）に移動させつつ、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの第１光としての明視野光を、表面用撮像部１７０により受光し、ウェハＷを撮像する工程と、
（ｂ）その後、ウェハチャック１５１を第１方向とは逆の第２方向である筐体１５０の手前方向（図４のＸ方向正方向）に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、表面用撮像部１７０により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、を含む。
　すなわち、本実施形態にかかるウェハＷを検査する方法は、明視野光によるウェハＷの撮像画像及び暗視野光によるウェハＷの撮像画像に基づいて、ウェハＷを検査する。具体的には、本実施形態にかかるウェハＷを検査する方法は、明視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの欠陥検査（以下、明視野検査という。）と、暗視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの欠陥検査（以下、暗視野検査という。）との両方を行う。

　明視野検査と暗視野検査とでは、検出しやすい欠陥が異なる。
　明視野検査では、撮像対象すなわち欠陥検出対象の光の反射率の変化を異常すなわち欠陥として検出するため、ウェハＷ上の膜表面の凹凸欠陥だけでなく、照明光の波長とウェハＷ上の膜の分光特性が合致すれば、上記膜中の欠陥も検出することができる。ただし、明視野検査では、照明光の波長が固定の場合、ウェハＷの撮像画像が薄膜干渉の影響を受けるため、膜厚によっては、膜表面に凹凸欠陥があっても検出することは難しい。特に、ウェハＷ上の膜が厚いと、明視野検査では、欠陥検出精度が低下する。
　一方、暗視野検査では、欠陥検出対象の表面からの散乱光を受光するため、ウェハＷ上の膜の厚さによらず、膜表面の凹凸結果は検出可能である。ただし、暗視野検査では、欠陥検出対象の表面からの散乱光を受光するため、膜中の欠陥は検出することが難しい。

　本実施形態では、このような明視野検査と暗視野検査の両方を行うため、いずれか一方を行う場合に比べて、ウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの欠陥検査における欠陥検出精度を向上させることができる。具体的には、ウェハＷ上の膜の厚さによらず、ウェハＷ上の膜の表面の欠陥と、ウェハＷ上の膜中の欠陥との両方を検出することができる。

　また、明視野光によるウェハＷの撮像画像と暗視野光によるウェハＷの撮像画像とを、ウェハＷを筐体１５０内で一往復させる間に取得している。そのため、ウェハＷを筐体１５０内で一往復させる間に、明視野光によるウェハＷの撮像画像または暗視野光によるウェハＷの撮像画像のいずれか一方を取得し、ウェハＷを筐体１５０内でさらに一往復させる間に、他方を取得する場合に比べて、両撮像画像の取得に要する時間を短縮することができる。したがって、本実施形態によれば、ウェハＷの欠陥検査に用いる当該ウェハＷの撮像画像の取得に要する時間が長くなるのを抑制することができる。

＜ウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの検査＞
　次いで、明視野光によるウェハＷの撮像画像と、暗視野光によるウェハＷの撮像画像とに基づく、ウェハＷの欠陥検査の一例について説明する。

　前述のように、制御部２００は、明視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの表面の欠陥検査すなわち明視野検査と、暗視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく当該ウェハＷの表面の欠陥検査すなわち暗視野検査と、の両方を行う。

　制御部２００は、明視野検査及び暗視野検査に基づいて、ウェハＷ上の欠陥の要因を推定してもよい。

　例えば、ウェハＷ上の膜が厚く且つ暗視野検査のみで欠陥が検出された場合、当該欠陥は膜表面に存在しているものと考えられるため、制御部２００は、検出されたウェハＷ上の欠陥の要因を、塗布不良、スクラッチ等と推定する。
　また、明視野検査のみで欠陥が検出された場合、当該欠陥は膜中に存在しているものと考えられるため、制御部２００は、膜形成用の塗布液中の異物または泡が、検出されたウェハＷ上の欠陥の要因と推定する。

　なお、ウェハＷ上の膜の厚さは、例えば、記憶部（図示せず）に記憶の処理レシピに基づいて判定可能である。また、欠陥検出結果とその要因とを関連付ける情報は、予め記憶部（図示せず）に記憶されており、欠陥の要因推定時に、制御部２００に参照される。

（第２実施形態）
＜検査装置６３Ａ＞
　次に、図７は、第２実施形態にかかる基板検査装置としての検査装置６３Ａの構成の概略を示す縦断面図である。

　図４及び図５に示した第１実施形態にかかる検査装置６３は、表面用撮像部１７０のカメラ１７１が、前述の第１撮像部及び第２撮像部を兼ねていた。それに対し、図７の第２実施形態にかかる検査装置６３Ａでは、表面用撮像部１７０Ａが、第１撮像部としてのカメラ３０１と、第２撮像部としてのカメラ３０２と、を有する。

　また、第１実施形態では、暗視野光用の第２光源部１８２による光照射領域と明視野光用の第１光源部１８１による光照射領域とが一致していた。それに対し、本実施形態では、暗視野光用の第２光源部１８２Ａによる光照射領域が、明視野光用の第１光源部１８１による光照射領域が一致していない。具体的には、本実施形態では、例えば、暗視野光用の第２光源部１８２Ａによる光照射領域は、明視野光用の第１光源部１８１による光照射領域の手前側（図７のＸ方向正方向側）に位置する。

　検査装置６３Ａでも、第１実施形態にかかる検査装置６３と同様、筐体１５０内にウェハＷが位置する間に、制御部２００の制御の下、表面用撮像部１７０ＡによりウェハＷが撮像される。

　具体的には、制御部２００の制御の下、ウェハチャック１５１を第１方向である筐体１５０の奥方向（図４のＸ方向負方向）に移動させつつ、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの明視野光を、表面用撮像部１７０Ａにより受光させて、ウェハＷを撮像させる。

　より具体的には、筐体１５０内へのウェハＷの搬入後、第１の位置で所定の向きとされたウェハＷが、奥行き方向に沿って第２の位置まで移動される間、表面用光源部１８０の第１光源部１８１Ａ及び第２光源部１８２Ａのうち前者のみが点灯される。また、第２の位置までの移動に同期して、表面用撮像部１７０Ａのカメラ３０１によるウェハＷの表面の撮像が行われる。カメラ３０１による撮像結果は、制御部２００に出力され、明視野光によるウェハＷの撮像画像（具体的にはウェハＷの表面の撮像画像）が制御部２００により取得される。

　上述の筐体１５０の奥方向に移動させつつの撮像後、制御部２００の制御の下、ウェハチャック１５１を第１方向とは逆の第２方向である筐体１５０の手前方向（図４のＸ方向正方向）に移動させつつ、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷからの暗視野光を、表面用撮像部１７０Ａにより受光させて、ウェハＷを撮像させる。

　具体的には、ウェハＷが、奥行き方向に沿って第２の位置から第１の位置まで移動される間、表面用光源部１８０Ａの第１光源部１８１Ａ及び第２光源部１８２Ａのうち後者のみが点灯される。また、第１の位置までの移動に同期して、表面用撮像部１７０Ａのカメラ３０２によるウェハＷの表面の撮像が行われる。カメラ３０２による撮像結果は、制御部２００に出力され、暗視野光によるウェハＷの撮像画像（具体的にはウェハＷの表面の撮像画像）が制御部２００により取得される。

　本実施形態においても、明視野光によるウェハＷの撮像画像と、暗視野光によるウェハＷの撮像画像とが取得されると、制御部２００は、両撮像画像に基づいて、ウェハＷを検査する。

＜第２実施形態の変形例１＞
　以上の例では、表面用撮像部１７０Ａを用いて、ウェハＷの筐体１５０の奥方向への移動時（以下、「奥方向移動時」と省略。）に第１光としての明視野光によるウェハＷの撮像画像が１枚取得され、ウェハＷの筐体１５０の手前方向移動時（以下、「手前方向移動時」と省略。）に第２光としての暗視野光によるウェハＷの撮像画像が１枚取得され、計２枚取得されていた。
　これに代えて、表面用撮像部１７０Ａを用いて、奥方向移動時及び手前方向移動時それぞれにおいて、明視野光によるウェハＷの撮像画像と暗視野光によるウェハＷの撮像画像との両方が取得され、計４枚取得されてもよい。そして、制御部２００が、この４枚の撮像画像に基づいてウェハＷが検査されてもよい。

　また、以上の例では、表面用撮像部１７０Ａを用いてウェハＷの撮像画像が取得される際に、奥方向移動時と手前方向移動時とで、表面用撮像部１７０Ａに対するウェハチャック１５１に保持されたウェハＷの配置（以下、「表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置」と省略。）が異なっていなかった。これに代えて、表面用撮像部１７０Ａを用いてウェハＷの撮像画像が取得される際に、奥方向移動時と手前方向移動時とで、表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置が異なっていてもよく、すなわち、表面用撮像部１７０Ａに対しウェハチャック１５１に保持されたウェハＷがずらされていてもよい。表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置とは、例えば、表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの向きであり、具体的には、奥方向移動時と手前方向移動時とで、表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの向きが４５°ずれていてもよい。

　これにより、ウェハＷ内において反射光または散乱光がカメラ３０１、３０２を構成するラインカメラの撮像素子間に到達してしまい受光されない部分を、奥方向移動時と手前方向移動時とで異ならせることができる。そのため、表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置が互い異なる、奥方向移動時のウェハＷの撮像画像と手前方向移動時のウェハＷの撮像画像とに基づいて、ウェハＷの検査を行うことにより、以下の効果がある。すなわち、奥方向移動時と手前方向移動時とで表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置が異なっていない場合には欠陥の検出することができなかった部分についても、欠陥を検出することができる。

　ウェハチャック１５１が、水平面内で奥行き方向と直交する方向に移動自在に構成されている場合は、奥方向移動時と手前方向移動時とで異ならせる「表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置」は、ウェハＷの上記直交する方向にかかる位置であってもよい。この場合、例えば、奥方向移動時と手前方向移動時とで、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷの上記直交する方向にかかる位置が、カメラ３０１、３０２を構成するラインカメラの撮像素子のピッチの半分、ずらされる。

　また、ウェハチャック１５１が、当該ウェハチャック１５１におけるウェハＷが載置される上面の水平面に対する角度が調整自在に構成されている場合は、上記「表面用撮像部１７０Ａに対するウェハＷの配置」は、ウェハチャック１５１の上面の水平面に対する角度すなわちウェハＷの表面の水平面に対する角度であってもよい。

　なお、第１実施形態にかかる検査装置６３を用いる場合も、表面用撮像部１７０を用いてウェハＷの撮像画像が取得される際に、奥方向移動時と手前方向移動時とで、ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷの配置が異なっていてもよい。

＜第２実施形態の変形例２＞
　上記変形例１では、奥方向移動時及び手前方向移動時それぞれにおいて、明視野光によるウェハＷの撮像画像と暗視野光によるウェハＷの撮像画像との両方が取得されていた。これに代えて、奥方向移動時または手前方向移動時のいずれか一方においてのみ、明視野光によるウェハＷの撮像画像と暗視野光によるウェハＷの撮像画像との両方が取得され、いずれか他方において、明視野光によるウェハＷの撮像画像または暗視野光によるウェハＷの撮像画像のいずれか１つが取得されてもよい。

　また、奥方向移動時に得られた明視野光及び暗視野光のうちの一方の受光結果によるウェハＷの撮像画像に基づいて欠陥が検出され、すなわち、第１欠陥検出が行われ、奥方向移動時に得られた上記一方の受光結果によるウェハＷの撮像画像に基づいて欠陥が検出され、すなわち、第２欠陥検出が行われてもよい。そして、第１欠陥検出及び第２欠陥検出の一方のみで検出された欠陥が欠陥検出結果から疑似欠陥として除外されてもよい。すなわち、同じ照明方法によりウェハＷを撮像した画像が２つある場合は、一方の画像に基づいてのみ検出された欠陥が欠陥検出結果から疑似欠陥として除外されてもよい。

＜第２実施形態の変形例３＞
　また、奥方向移動時または手前方向移動時のいずれか一方においてのみ、明視野光によるウェハＷの撮像画像と暗視野光によるウェハＷの撮像画像との両方が取得され、いずれか他方では、いずれの撮像画像が取得されなくてもよい。

＜第１実施形態及び第２実施形態の変形例＞
　以上の例では、ウェハＷを筐体１５０内で一往復のみさせていた。これに代えて、一往復目で取得されたウェハＷの撮像画像に基づくウェハＷの検査の結果に応じて、ウェハＷを筐体１５０内で再度往復させ、その際、ウェハＷの画像を取得させ、当該画像に基づいて、再度ウェハＷの検査を行ってもよい。例えば、一往復目で、明視野光によるウェハＷの撮像画像と暗視野光によるウェハＷの撮像画像とのうち、一方に基づいてのみ欠陥が検出された場合、再度往復させる時には、明視野光と暗視野光のうち、欠陥が検出された撮像画像に用いられた方のみ、利用されてもよい。この場合、再度往復させる時における、奥方向への移動時及び手前方向移動時それぞれにおいて、ウェハＷの撮像画像が取得されてもよい。また、再度往復させる時にウェハＷの撮像画像を取得させる際に、奥方向移動時と、手前方向移動時とで、表面用撮像部１７０、１７０Ａに対するウェハＷの配置を異ならせてもよい。これに代えて、または、これに加えて、一往復目と、再度往復させる時とで、表面用撮像部１７０、１７０Ａに対するウェハＷの配置を異ならせてもよい。

　また、例えば、カセットＣに収容されている複数枚（例えば２５枚）のウェハＷのうち、２枚目のウェハＷに対し、明視野光によるウェハＷの撮像画像に基づく欠陥検出と暗視野光によるウェハＷの撮像画像とに基づく欠陥検出との両方が行われる。そして、一方でのみ欠陥が検出された場合、明視野光と暗視野光のうち、欠陥が検出された撮像画像に用いられた方のみ、３枚目以降のウェハＷに利用されてもよい。

＜第１光及び第２光の変形例＞
　以上の例では、第１光が明視野光、第２光が暗視野光であったが、第１光が暗視野光、第２光が明視野光であってもよい。

　また、第１光及び第２光は、暗視野光と明視野光の組み合わせに限られない。例えば、第１光及び第２光は、互いに波長帯が異なる光であってもよい。具体的には、第１光及び第２光の一方の波長帯は、他方の波長帯に全て含まれてもよく、すなわち、他方の波長帯の一部であってもよい。このような波長帯が異なる第１光及び第２光の両方を用いることにより、第１光及び第２光の一方のみを用いる場合では検出することができない欠陥を検出し得る。

　また、第１光及び第２光は、表面用撮像部が有する絞りによって当該表面用撮像部に受光される光量が互いに異なる光であってもよい。このような、絞りによって表面用撮像部に受光される光量が互いに異なる第１光及び第２光の両方を用いることにより、絞り量が少なく光量が多い光のみを用いる場合には検出することができない欠陥を検出し得る。さらに、絞り量が多く光量が少ない光のみを用いる場合に比べて、光源の長寿命化を図ることができる。
　なお、奥方向移動時に絞り量が少なく光量が多い光によりウェハＷの撮像画像が取得され、当該撮像画像に基づいて粗いウェハＷの欠陥検査が行われ、欠陥が検出された場合のみ、手前方向移動時に絞り量が多く光量が少ない光によりウェハＷの撮像画像が取得されてもよい。そして、当該撮像画像に基づいて精細なウェハＷの欠陥検査が行われてもよい。
　また、この場合、第１光用の光源部と第２光用の光源部とを別に設けなくてもよく、第１光用と第２光用とで光源部を共通にすることができる。

＜表面用光源部の他の例＞
　ウェハチャック１５１に保持されたウェハＷに対する表面用光源部からの光の相対的な角度を調整するための角度調整機構が設けられてもよい。角度調整機構は、表面用光源部の光軸の角度を調整するものであってもよいし、ウェハチャック１５１のウェハ載置面の角度を調整するものであってもよい。表面用光源部から照射される暗視野光の場合、ウェハＷに対する光の入射角度によって、欠陥検出率が変わるため、上述のような角度調整機構を設けることで、欠陥検出率の向上を図ることができる。

　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

　なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する基板検査装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板に対して、光を出射する光源部と、
前記保持部を移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された前記基板からの反射光または散乱光を受光することにより前記基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（Ａ）前記保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、
（Ｂ）その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、を実行する、基板検査装置。
（２）前記第１光及び前記第２光の一方は、明視野光であり、他方は、暗視野光である、前記（１）に記載の基板検査装置。
（３）前記第１光及び前記第２光は、互いに波長帯が異なる、前記（１）に記載の基板検査装置。
（４）前記撮像部は絞りを有し、
前記第１光及び前記第２光は、前記絞りによって前記撮像部に受光される光量が互いに異なる、前記（１）に記載の基板検査装置。
（５）前記光源部は、前記第１光用の第１光源部と、前記第２光用の第２光源部とを、含む、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板検査装置。
（６）前記撮像部は、前記第１光を受光する第１撮像部と、前記第２光を受光する第２撮像部と、を含む、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板検査装置。
（７）前記（Ａ）工程及び前記（Ｂ）工程の少なくともいずれか一方において、前記保持部を移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光及び前記第２光をそれぞれ前記第１撮像部及び前記第２撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる、前記（６）に記載の基板検査装置。
（８）前記制御部は、前記（Ａ）工程時と前記（Ｂ）工程時とで、前記撮像部に対する前記保持部に保持された前記基板の配置を異ならせる、前記（７）に記載の基板検査装置。
（９）前記制御部は、前記（Ａ）工程における前記第１方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、前記（Ｂ）工程における前記第２方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する、前記（８）に記載の基板検査装置。
（１０）前記制御部は、
（Ｃ）前記第１光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｄ）前記第２光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｅ）前記（Ｃ）工程及び前記（Ｄ）工程の結果に基づいて、前記基板上の欠陥の要因を推定する工程と、を実行する、前記（２）に記載の基板検査装置。
（１１）前記制御部は、
（Ｆ）前記（Ａ）工程で得られた前記第１光及び前記第２光のうちの一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｇ）前記（Ｂ）工程で得られた前記一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｈ）前記（Ｆ）工程と前記（Ｇ）工程の一方のみで検出された欠陥を欠陥検出結果から除外する工程と、を実行する、前記（７）～（９）のいずれか１に記載の基板検査装置。
（１２）基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する基板検査装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板に対して、光を出射する光源部と、
前記保持部を移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された前記基板からの反射光または散乱光を受光することにより前記基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記保持部を所定の方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を前記撮像部により受光させて当該基板を撮像させ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光させて当該基板を撮像させる工程を実行する、基板検査装置。
（１３）基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する方法であって、
（ａ）前記基板を保持する保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、
（ｂ）その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、を含む、基板検査方法。
（１４）前記撮像部は、前記第１光を受光する第１撮像部と、前記第２光を受光する第２撮像部と、を含む、前記（１３）に記載の基板検査方法。
（１５）前記（ａ）工程及び前記（ｂ）工程の少なくともいずれか一方において、前記保持部を移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光及び前記第２光をそれぞれ前記第１撮像部及び前記第２撮像部により受光し、当該基板を撮像する、前記（１４）に記載の基板検査方法。
（１６）前記（ａ）工程時と前記（ｂ）工程時とで、前記撮像部に対する前記保持部に保持された前記基板の配置が異なる、前記（１５）に記載の基板検査方法。
（１７）前記（ａ）工程における前記第１方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、前記（ｂ）工程における前記第２方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程をさらに含む、前記（１６）に記載の基板検査方法。
（１８）前記第１光及び前記第２光の一方は、明視野光であり、他方は、暗視野光であり、
（ｃ）前記第１光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｄ）前記第２光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｅ）前記（Ｃ）工程及び前記（Ｄ）工程の結果に基づいて、前記基板上の欠陥の要因を推定する工程と、をさらに含む、前記（１３）～（１７）のいずれか１に記載の基板検査方法。
（１９）（ｆ）前記（ａ）工程で得られた前記第１光及び前記第２光のうちの一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｇ）前記（ｂ）工程で得られた前記一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｈ）前記（ｆ）工程と前記（ｇ）工程の一方のみで検出された欠陥を欠陥検出結果から除外する工程と、をさらに含む、前記（１５）～（１７）のいずれか１に記載の基板検査方法。
（２０）基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する方法を基板検査装置によって実行させるように、当該基板検査装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記方法は、
前記基板を保持する保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、
その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、を含む、コンピュータ記憶媒体。

６３、６３Ａ　検査装置
１５１　ウェハチャック
１５３　駆動部
１７０、１７０Ａ　表面用撮像部
１７１　カメラ
１８０　表面用光源部
１８０、１８０Ａ　表面用光源部
２００　制御部
Ｈ　記憶媒体
Ｗ　ウェハ

Claims

基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する基板検査装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板に対して、光を出射する光源部と、
前記保持部を移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された前記基板からの反射光または散乱光を受光することにより前記基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（Ａ）前記保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、
（Ｂ）その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる工程と、を実行する、基板検査装置。
前記第１光及び前記第２光の一方は、明視野光であり、他方は、暗視野光である、請求項１に記載の基板検査装置。
前記第１光及び前記第２光は、互いに波長帯が異なる、請求項１に記載の基板検査装置。
前記撮像部は絞りを有し、
前記第１光及び前記第２光は、前記絞りによって前記撮像部に受光される光量が互いに異なる、請求項１に記載の基板検査装置。
前記光源部は、前記第１光用の第１光源部と、前記第２光用の第２光源部とを、含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板検査装置。
前記撮像部は、前記第１光を受光する第１撮像部と、前記第２光を受光する第２撮像部と、を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板検査装置。
前記（Ａ）工程及び前記（Ｂ）工程の少なくともいずれか一方において、前記保持部を移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光及び前記第２光をそれぞれ前記第１撮像部及び前記第２撮像部により受光させて、当該基板を撮像させる、請求項６に記載の基板検査装置。
前記制御部は、前記（Ａ）工程時と前記（Ｂ）工程時とで、前記撮像部に対する前記保持部に保持された前記基板の配置を異ならせる、請求項７に記載の基板検査装置。
前記制御部は、前記（Ａ）工程における前記第１方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、前記（Ｂ）工程における前記第２方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する、請求項８に記載の基板検査装置。
前記制御部は、
（Ｃ）前記第１光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｄ）前記第２光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｅ）前記（Ｃ）工程及び前記（Ｄ）工程の結果に基づいて、前記基板上の欠陥の要因を推定する工程と、を実行する、請求項２に記載の基板検査装置。
前記制御部は、
（Ｆ）前記（Ａ）工程で得られた前記第１光及び前記第２光のうちの一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｇ）前記（Ｂ）工程で得られた前記一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（Ｈ）前記（Ｆ）工程と前記（Ｇ）工程の一方のみで検出された欠陥を欠陥検出結果から除外する工程と、を実行する、請求項７に記載の基板検査装置。
基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する基板検査装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板に対して、光を出射する光源部と、
前記保持部を移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された前記基板からの反射光または散乱光を受光することにより前記基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記保持部を所定の方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を前記撮像部により受光させて当該基板を撮像させ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光させて当該基板を撮像させる工程を実行する、基板検査装置。
基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する方法であって、
（ａ）前記基板を保持する保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、
（ｂ）その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、を含む、基板検査方法。
前記撮像部は、前記第１光を受光する第１撮像部と、前記第２光を受光する第２撮像部と、を含む、請求項１３に記載の基板検査方法。
前記（ａ）工程及び前記（ｂ）工程の少なくともいずれか一方において、前記保持部を移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光及び前記第２光をそれぞれ前記第１撮像部及び前記第２撮像部により受光し、当該基板を撮像する、請求項１４に記載の基板検査方法。
前記（ａ）工程時と前記（ｂ）工程時とで、前記撮像部に対する前記保持部に保持された前記基板の配置が異なる、請求項１５に記載の基板検査方法。
前記（ａ）工程における前記第１方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、前記（ｂ）工程における前記第２方向への移動時に得られた前記基板の撮像画像と、に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程をさらに含む、請求項１６に記載の基板検査方法。
前記第１光及び前記第２光の一方は、明視野光であり、他方は、暗視野光であり、
（ｃ）前記第１光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｄ）前記第２光の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｅ）前記（Ｃ）工程及び前記（Ｄ）工程の結果に基づいて、前記基板上の欠陥の要因を推定する工程と、をさらに含む、請求項１３～１７のいずれか１項に記載の基板検査方法。
（ｆ）前記（ａ）工程で得られた前記第１光及び前記第２光のうちの一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｇ）前記（ｂ）工程で得られた前記一方の受光結果による前記基板の撮像画像に基づいて、前記基板上の欠陥を検出する工程と、
（ｈ）前記（ｆ）工程と前記（ｇ）工程の一方のみで検出された欠陥を欠陥検出結果から除外する工程と、をさらに含む、請求項１５～１７のいずれか１項に記載の基板検査方法。
基板の撮像画像に基づいて前記基板を検査する方法を基板検査装置によって実行させるように、当該基板検査装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記方法は、
前記基板を保持する保持部を第１方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの第１光を、撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、
その後、前記保持部を前記第１方向とは逆の第２方向に移動させつつ、前記保持部に保持された前記基板からの前記第１光とは異なる第２光を、前記撮像部により受光し、当該基板を撮像する工程と、を含む、コンピュータ記憶媒体。