WO2024257810A1 - 弾性波装置及び弾性波フィルタ装置 - Google Patents

Abstract

弾性波装置は、第１主面と第２主面とを有する圧電層と、圧電層の第１主面および第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、圧電層の第２主面と対向し、圧電層の第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、を有し、複数の電極指は、複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指、及び、第１電極指に隣接する第２電極指を含み、第１電極指及び第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積は、複数の電極指のうち、第１電極指及び第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、圧電層の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

Description

弾性波装置及び弾性波フィルタ装置

　本発明は、弾性波装置及び弾性波フィルタ装置に関する。

　特許文献１及び特許文献２には、弾性波装置が記載されている。

特表２０２２－５２４１３６号公報 米国特許第１１３４９４５０号明細書

　特許文献１及び特許文献２に示す弾性波装置は、アドミタンス特性においてリップルが生じ弾性波の伝搬ロスが増大する可能性があった。

　本発明は、弾性波の伝搬ロスを抑制することができる弾性波装置及び弾性波フィルタ装置を提供することを目的とする。

　一態様に係る弾性波装置は、１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、を有し、前記複数の電極指は、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指、及び、前記第１電極指に隣接する第２電極指を含み、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積は、前記複数の電極指のうち、前記第１電極指及び前記第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

　一態様に係る弾性波装置は、第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する電極指を第１電極指とし、前記第１電極指に隣接する電極指を第２電極指としたときに、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域に設けられた追加電極と、を有し、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積と、前記追加電極の幅と高さと密度との積と、の合計は、前記複数の電極指のうち、前記第１電極指及び前記第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

　一態様に係る弾性波フィルタ装置は、少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が上記の弾性波装置である。

　本発明の弾性波装置及び弾性波フィルタ装置によれば、弾性波の伝搬ロスを抑制することができる。

図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。 図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のニオブ酸リチウムのオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１７は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図１８は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１９は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図２０は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２１は、第２実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図２２は、第２実施形態の第５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２３は、第２実施形態の第６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２４は、第２実施形態の第６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図２５は、第２実施形態の第６変形例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。 図２６は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。 図２７は、第２実施形態の第７変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２８は、第２実施形態の第８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２９は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す回路図である。 図３０は、第９変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図３１は、第１０変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図３２は、第１１変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。 図３３は、第１２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図３４は、Ｓ２モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。

　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。なお、図１では図面を見やすくするために、第１保護膜４１を二点鎖線で示している。

　図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１０は、圧電層２０と、ＩＤＴ電極３０と、支持基板１１と、第１保護膜４１と、第２保護膜４２と、を有する。図２に示すように、弾性波装置１０は、支持基板１１の上に第２保護膜４２、圧電層２０、ＩＤＴ電極３０、第１保護膜４１の順に積層される。

　圧電層２０は、第１主面２０ａと、第１主面２０ａと反対側の第２主面２０ｂとを有する平板状である。圧電層２０は、ニオブ酸リチウムで形成される。あるいは、圧電層２０は、タンタル酸リチウムからなるものであってもよい。ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムのカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムのカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。好ましくは、圧電層２０は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである。

　圧電層２０の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。第１実施形態に係る圧電層２０の膜厚は、例えば１８０ｎｍ程度である。

　ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。図１に示すように、ＩＤＴ電極３０は、電極指３１、３２と、バスバー電極３３、３４と、を有する。複数の電極指３１は、Ｙ方向に延在し、延在方向の一端側がバスバー電極３３に接続される。複数の電極指３２は、Ｙ方向に延在し、延在方向の他端側がバスバー電極３４に接続される。複数の電極指３１と複数の電極指３２とは、間隔を有してＸ方向に交互に配列される。バスバー電極３３及びバスバー電極３４は、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向で離隔して配置される。バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に、複数の電極指３１、３２が配列される。

　複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する電極指３１を第１電極指３１ａと表す。第１電極指３１ａと隣接する電極指３２、すなわち配列方向で最も外側から２番目に位置する電極指３２を第２電極指３２ａと表す。また、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａとは反対側で、最も外側に位置する１対の電極指３１、３２をそれぞれ第３電極指３１ｂ及び第４電極指３２ｂと表す。第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａ、第３電極指３１ｂ及び第４電極指３２ｂの詳細な構成については、図１２、１３にて後述する。

　以下の説明では、圧電層２０の厚み方向をＺ方向とし、電極指３１、３２の延在方向をＹ方向とし、電極指３１、３２の配列方向をＸ方向として、説明することがある。また、以下の説明において、平面視とは、圧電層２０の第１主面２０ａに垂直な方向から視たときの配置関係を示す。

　電極指３１と電極指３２との間の中心間距離（以下、電極間ピッチと表す）は、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極間ピッチとは、電極指３１の延在方向と直交する方向における電極指３１の幅寸法の中心と、電極指３２の延在方向と直交する方向における電極指３２の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。また、電極指３１、電極指３２の幅（以下、電極幅と表す）、すなわち電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。

　さらに、電極指３１、電極指３２の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３１、電極指３２を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３１、電極指３２の電極間ピッチは、１．５対以上の電極指３１、電極指３２のうち隣り合う電極指３１、電極指３２それぞれの中心間距離の平均値を指す。

　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向は、圧電層２０の分極方向に直交する方向となる。圧電層２０として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。

　ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２及びバスバー電極３３、３４）は、アルミニウム、アルミニウム－銅合金などの適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態ではＩＤＴ電極３０は、チタン膜上にアルミニウム膜を積層した構造を有する。なお、チタン膜以外の密着層を用いてもよい。

　より詳細には、ＩＤＴ電極３０の電極構成は、圧電層２０側からチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。また、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、電極指３２の合計は５１本とした。電極指３１、３２の電極間ピッチは、２．３８μｍであり、電極幅はそれぞれ０．６μｍである。

　ここで、図１に示す交差領域Ｃ（励振領域）は、Ｘ方向に視たときに電極指３１と電極指３２とが重なっている領域である。交差領域Ｃの長さとは、交差領域Ｃでの電極指３１、電極指３２の延在方向での寸法である。本実施形態では、交差領域Ｃの長さは、例えば４０μｍである。

　駆動に際しては、複数の電極指３１と、複数の電極指３２との間に交流電圧が印加される。より具体的には、バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に交流電圧が印加される。それによって、圧電層２０において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。

　また、弾性波装置１０では、圧電層２０の厚みをｄ、複数対の電極指３１、電極指３２の電極間ピッチをｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。

　第１実施形態の弾性波装置１０では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３１、電極指３２の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。

　第１保護膜４１は、ＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素で形成されている。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれＩＤＴ電極３０の膜厚より厚い。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれ１４２ｎｍである。なお、第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、少なくとも一方が設けられていればよい。例えば第１保護膜４１が設けられ第２保護膜４２が設けられない構成であってもよい。

　支持基板１１（支持部材）は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向して配置される。支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向する面にキャビティ部１４（空間部）を有する。より詳細には、支持基板１１は、底部１２と、底部１２の上面に枠状に設けられた壁部１３とを有する。底部１２と、壁部１３とで囲まれた空間にキャビティ部１４が形成される。支持基板１１の壁部１３の上面に、第２保護膜４２を介して圧電層２０が積層される。このように、弾性波装置１０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造を有する。なお、支持部材は、支持基板１１及び中間（絶縁）層を含んでいてもよい。

　キャビティ部１４は、圧電層２０の交差領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。なお、第２保護膜４２は、キャビティ部１４の開口部を覆って設けられる。ただし、上述したように第２保護膜４２は設けられなくてもよい。この場合、支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂに直接に積層され得る。あるいは、第２保護膜４２は、壁部１３の上面と圧電層２０の第２主面２０ｂとの間の領域に設けられ、キャビティ部１４と重なる領域には設けられなくてもよい。すなわち、支持基板１１は、圧電層２の第２主面２ｂに間接に積層されていてもよい。その場合、支持基板１１及び中間層は、枠状の形状を有し、それによってキャビティ部１４が形成されていてもよい。また、中間層に凹部が設けられており、それによってキャビティ部１４が、形成されていてもよい。

　支持基板１１は、シリコンにより形成されている。シリコンの圧電層２０側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のシリコンが望ましい。もっとも、支持基板１１についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板１１の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。

　図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。

　図３に示すように、第１実施形態の弾性波装置１０では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２０の第１主面２０ａと第２主面２０ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。

　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２０の交差領域Ｃ（図１参照）に含まれる第１領域２５１と、交差領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３１と電極指３２との間に、電極指３２が電極指３１よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。ここで、仮想平面ＶＰ１は、圧電層２０の厚み方向に直交し圧電層２０を２分する平面である。第１領域２５１は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第１主面２０ａとの間の領域である。第２領域２５２は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２０ｂとの間の領域である。

　弾性波装置１０では、電極指３１と電極指３２とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。

　例えば、上記電極指３１がホット電位に接続される電極であり、電極指３２がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３１がグラウンド電位に、電極指３２がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。

　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図５に示す共振特性を得た弾性波装置１０の設計パラメータは以下の通りである。

　圧電層２０：オイラー角（０°、０°、９０°）のニオブ酸リチウム
　圧電層２０の厚み：４００ｎｍ

　交差領域Ｃの長さ：４０μｍ
　電極指３１、電極指３２からなる電極の対数：２１対
　電極指３１と電極指３２との間の電極間ピッチ：３μｍ
　電極指３１、電極指３２の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３

　第１保護膜４１、第２保護膜４２：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜

　支持基板１１：シリコン

　第１実施形態では、電極指３１、電極指３２からなる電極対の電極間ピッチは、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３１と電極指３２とを等ピッチで配置した。

　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。

　ところで、上記圧電層２０の厚みをｄ、電極指３１と電極指３２との電極間ピッチをｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。

　図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図６では、図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。

　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。

　なお、圧電層２０の厚みｄについて、圧電層２０が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。

　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０では、圧電層２０の第１主面２０ａ上において、電極指３１と電極指３２とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置１０では、電極の対数は１対であってもよい。この場合でも、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。

　弾性波装置１０では、好ましくは、交差領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３１、電極指３２のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。

　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図８に示すように、矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつニオブ酸リチウムのオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。

　メタライゼーション比ＭＲを、図１を参照して説明する。図１の電極構造において、１対の電極指３１、電極指３２に着目した場合、この１対の電極指３１、電極指３２のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が交差領域Ｃとなる。この交差領域Ｃとは、電極指３１と電極指３２とを、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３１における電極指３２と重なり合っている領域、電極指３２における電極指３１と重なり合っている領域、及び、電極指３１と電極指３２との間の領域における電極指３１と電極指３２とが重なり合っている領域である。そして、この交差領域Ｃの面積に対する、交差領域Ｃ内の電極指３１、電極指３２の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の交差領域Ｃの面積に対する比である。

　なお、複数対の電極指３１、電極指３２が設けられている場合、交差領域Ｃの面積の合計に対する全交差領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。

　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、Ｚカットのニオブ酸リチウムからなる圧電層２０を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２０を用いた場合においても、同様の傾向となる。

　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。

　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１０において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１０を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のニオブ酸リチウムのオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。

　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）

　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。

　次にＩＤＴ電極３０の詳細な構成について説明する。図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。なお、図１２では、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａ及び第１電極指３１ａに隣接する第２電極指３２ａについて説明するが、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａとは反対側で、最も外側に位置する第３電極指３１ｂ及び第４電極指３２ｂ（図１、２参照）も線対称となる配置関係を有している。第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａについての説明は、第３電極指３１ｂ及び第４電極指３２ｂにも適用できる。また、以下の説明において、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａを区別して説明する必要が無い場合には、単に電極指３１、３２と表す。

　図１２に示すように、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａ、及び、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａと異なる中央部の電極指３１、３２は、圧電層２０の第１主面２０ａに同層に設けられる。第１保護膜４１は、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２を覆って設けられる。本実施形態では、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。また、第２保護膜４２の下面は、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。

　上述したように、第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は１４２ｎｍであり、圧電層２０の膜厚ｔ３は、例えば１８０ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は第２保護膜４２の膜厚ｔ２と等しい。また、第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、圧電層２０の膜厚ｔ３よりも薄く、かつ、ＩＤＴ電極３０の高さＨ１、Ｈｃ（膜厚）よりも厚い。

　図１２に示すように、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの少なくとも一方の幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、複数の電極指３１、３２のうち、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａと異なる中央部の電極指３１、３２の幅Ｗｃと高さＨｃと密度ｄｃとの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。以下の説明では、積Ｘｅ及び積Ｘｃは、それぞれ１つの電極指３１、３２について算出された値である。なお、本実施形態における「密度」とは、特に説明が無い場合、材料固有の物性値を表す。電極指３１、３２に用いられる各材料の密度を以下に示す。タングステン：１９．３ｇ／ｃｍ^３、モリブデン：１０．２２ｇ／ｃｍ^３、ルテニウム：１２．４１ｇ／ｃｍ^３、白金：２１．４５ｇ／ｃｍ^３、銅：８．９６ｇ／ｃｍ^３、銀：１０．５ｇ／ｃｍ^３、クロム：７．１８９ｇ／ｃｍ^３、金１９．３２ｇ／ｃｍ^３。

　本実施形態では、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａのうち、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、第１電極指３１ａと隣接する第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。以下の説明では、第１電極指３１ａと隣接する第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２について他の電極指３１、３２と表す。

　一例として、第１電極指３１ａの幅Ｗ１は、他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの幅Ｗｃと等しい。幅Ｗ１及び幅Ｗｃは、例えば０．６μｍである。

　また、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａのうち、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａは、中央部の電極指３１、３２よりも密度が高い材料で形成される。第１電極指３１ａは、白金単層で形成される。第１電極指３１ａ（白金）の密度ｄ１は、２１４５０ｋｇ／ｍ^３である。他の電極指３１、３２は、上述したようにチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜である。他の電極指３１、３２を構成するアルミニウム－銅合金の密度は２６９５ｋｇ／ｍ^３であり、チタンの密度は４５００ｋｇ／ｍ^３である。つまり、第１電極指３１ａの密度ｄ１は、他の電極指３１、３２の密度ｄｃよりも大きい。

　また、第１電極指３１ａの高さＨ１（膜厚）は１１２ｎｍである。第２電極指３２ａを構成する積層膜のそれぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。すなわち、他の電極指３１、３２の高さＨｃ（膜厚の合計）は１１２ｎｍである。本実施形態では、第１電極指３１ａの高さＨ１は、他の電極指３１、３２の高さＨｃと等しく、高さＨ１及び高さＨｃは、それぞれ１１２ｎｍである。

　一例として、第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、Ｘｅ＝０．６（μｍ）×０．１１２（μｍ）×２１４５０（ｋｇ／ｍ^３）＝１４４１．４４である。他の電極指３１、３２の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、Ｘｃ＝０．６（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋０．６（μｍ）×０．０８２（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝２１３．５９４である。

　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置１０のアドミタンスの実部、すなわち、コンダクタンス成分を示す説明図である。図１３に示すアドミタンス特性は、第１実施形態に係る弾性波装置１０のアドミタンス特性のシミュレーション結果を示す。また、図１３では、比較例に係る弾性波装置のアドミタンス特性のシミュレーション結果も併せて示す。比較例は、第１実施形態に対して、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、他の電極指３１、３２のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）と等しい構成を有する弾性波装置である。より具体的には、比較例は、第１電極指３１ａが、他の電極指３１、３２と同様にチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜で形成された構成を有する弾性波装置である。

　図１３に示すように、比較例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる周波数領域でリップルが生じている。比較例では、特に、点線Ｅ１で示す大きなリップルが生じている。これに対し、第１実施形態に係る弾性波装置１０では、第１電極指３１ａの積Ｘｅが他の電極指３１、３２のそれぞれの積Ｘｃよりも大きいことにより、比較例に比べて、点線Ｅ１で示すリップルが抑制されることが示された。また、第１実施形態に係る弾性波装置１０は、比較例に比べて点線Ｅ２で示す周波数範囲の伝搬ロスが抑制されている。第１実施形態に係る弾性波装置１０は、比較例に係る弾性波装置より、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されており、弾性波の漏洩が抑制されていることがわかる。

　なお、第１実施形態では、第１電極指３１ａの密度ｄ１が、他の電極指３１、３２の密度ｄ２よりも大きく、第１電極指３１ａの幅Ｗ１及び高さＨ１は、他の電極指３１、３２の幅Ｗｃ及び高さＨｃと同等である。ただしこれに限定されず、第１電極指３１ａの密度ｄ１が、他の電極指３１、３２の密度ｄ２と等しく、第１電極指３１ａの幅Ｗ１が他の電極指３１、３２の幅Ｗｃよりも大きい構成であってもよい。あるいは、第１電極指３１ａの密度ｄ１が、他の電極指３１、３２の密度ｄ２と等しく、第１電極指３１ａの高さＨ１が他の電極指３１、３２の高さＨｃよりも高い構成であってもよい。第１電極指３１ａの幅Ｗ１、高さＨ１及び密度ｄ１のうち２つ以上が、他の電極指３１、３２の幅Ｗｃ、高さＨｃ及び密度ｄｃのそれぞれと異なっていてもよい。

　なお、ＩＤＴ電極３０の複数の電極指３１、３２の材料はあくまで一例であり、これに限定されない。ＩＤＴ電極３０の複数の電極指３１、３２の材料は、例えば、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、銅、銀、クロム、金、チタン、アルミニウムの少なくとも１つが用いられる。

（第１実施形態の第１変形例）
　図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。上述した第１実施形態では、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａのうち、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい構成について説明したが、これに限定されない。

　第１変形例に係る弾性波装置では、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの両方、すなわち配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａ、及び、第１電極指３１ａと隣接する第２電極指３２ａ（配列方向の外側から２番目に位置する第２電極指３２ａ）のそれぞれの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、他の電極指３１、３２（中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　第１変形例では、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの電極構成は白金単層である。第１電極指３１ａの密度ｄ１及び第２電極指３２ａの密度ｄ１は、他の電極指３１、３２の密度ｄｃよりも大きい。また、第１電極指３１ａの幅Ｗ１及び第２電極指３２ａの幅Ｗ１は、他の電極指３１、３２（中央部の電極指３１、３２）の幅Ｗｃと同じである。第１電極指３１ａの高さＨ１及び第２電極指３２ａの高さＨ１は、他の電極指３１、３２（中央部の電極指３１、３２）の高さＨｃと同じである。

　すなわち、第１変形例における第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）及び第２電極指３２ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、第１実施形態にて説明した第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と同等である。また、第１変形例における他の電極指３１、３２（中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、第１実施形態にて説明した他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）と同等である。

　図１４に示すように、第１変形例に係る弾性波装置において、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの両方の積Ｘｅが他の電極指３１、３２の積Ｘｃよりも大きい構成であっても、第１実施形態と同様に、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１で示すリップルが抑制されることが示された。また、第１変形例においても、点線Ｅ２で示す周波数範囲で伝搬ロスが抑制される。

（第１実施形態の第２変形例）
　図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第２変形例に係る弾性波装置では、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａのうち、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと隣接する第２電極指３２ａ（配列方向の外側から２番目に位置する電極指３２）の積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　第２変形例では、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａが白金単層ではなく、第１電極指３１ａと隣接する第２電極指３２ａの電極構成が白金単層である。第２電極指３２ａの密度ｄ１は、他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）の密度ｄｃよりも大きい。また、第２電極指３２ａの幅Ｗ１は、他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）の幅Ｗｃと同じである。第２電極指３２ａの高さＨ１は、他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）の高さＨｃと同じである。

　すなわち、第２変形例における第２電極指３２ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、第１実施形態にて説明した第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と同等である。また、第２変形例における他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、第１実施形態にて説明した他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）と同等である。

　図１５に示すように、第２変形例に係る弾性波装置は、配列方向の外側から２番目に位置する第２電極指３２ａの積Ｘｅが他の電極指３１、３２の積Ｘｃよりも大きい構成であっても、第１実施形態と同様に、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１で示すリップルが抑制されることが示された。

（第１実施形態の第３変形例）
　図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１６に示すように、第３変形例に係る弾性波装置１０Ａにおいて、第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は、圧電層２０の膜厚ｔ３よりも薄い。具体的には、圧電層２０の膜厚は、例えば３６０ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、３０ｎｍである。第２保護膜４２の膜厚ｔ２は、３０ｎｍである。また、第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、ＩＤＴ電極３０の膜厚（高さＨ１、Ｈｃ）よりも薄い。

　第３変形例では、第１保護膜４１は、電極指３１、３２の表面、側面及び圧電層２０の第１主面２０ａに倣って設けられる。第１保護膜４１の膜厚ｔ１が薄いので、第１保護膜４１の上面には電極指３１、３２の形状を反映した凹凸が形成される。

　ＩＤＴ電極３０の電極構成は、第１実施形態と同様に、第１電極指３１ａの密度ｄ１が、他の電極指３１、３２の密度ｄ２よりも大きく、第１電極指３１ａの幅Ｗ１及び高さＨ１は、他の電極指３１、３２の幅Ｗｃ及び高さＨｃと同等である。ただし、上述した第１実施形態に対して膜厚が異なる。

　すなわち、第３変形例では、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａは、白金単層であり、高さＨ１（膜厚）は６９ｎｍである。他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）は、上述したようにチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／２７ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。他の電極指３１、３２のそれぞれの高さＨｃ（膜厚の合計）は６９ｎｍである。

　第３変形例において、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、Ｘｅ＝０．６（μｍ）×０．０６９（μｍ）×２１４５０（ｋｇ／ｍ^３）＝８８８．０３である。他の電極指３１、３２の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、Ｘｃ＝０．６（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋０．６（μｍ）×０．０３９（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝１４４．０６３である。

　図１７は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１７に示す比較例は、第３変形例に示す弾性波装置１０Ａ、すなわち第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ１、ｔ２が圧電層２０の膜厚ｔ３よりも薄い構成の弾性波装置１０Ａにおいて、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの電極構成が、他の電極指３１、３２の電極構成と同じである弾性波装置である。

　図１７に示すように、第３変形例に示す弾性波装置１０Ａは、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ１、ｔ２が薄い場合であっても、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２に示すリップルが抑制され、点線Ｅ２に示す周波数範囲で伝搬ロスが抑制される。

　第３変形例に示すＩＤＴ電極３０の電極構成は、上述した第１変形例、第２変形例と組み合わせることができる。すなわち、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの両方について、それぞれの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、他の電極指３１、３２（中央部の電極指３１、３２）の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい構成であってもよい。あるいは、配列方向の外側から２番目に位置する第２電極指３２ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい構成であってもよい。

（第１実施形態の第４変形例）
　図１８は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１８に示すように、第４変形例に係る弾性波装置１０Ｂにおいて、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの高さＨ１が、他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の高さＨｃよりも高い。

　第４変形例では、第１電極指３１ａの幅Ｗ１は、他の電極指３１、３２の幅Ｗｃと同等である。第１電極指３１ａの密度ｄ１は、他の電極指３１、３２の密度ｄｃと同等である。

　具体的には、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａは、アルミニウム単層であり、高さＨ１（膜厚）は１００ｎｍである。他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）は、上述したようにチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／２７ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。他の電極指３１、３２のそれぞれの高さＨｃ（膜厚の合計）は６９ｎｍである。

　第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、Ｘｅ＝０．６（μｍ）×０．１００（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝１６１．７である。他の電極指３１、３２の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、第３変形例と同じであり、Ｘｃ＝１４４．０６３である。

　このように、第４変形例において、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　図１９は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１９に示すように、第４変形例に示す弾性波装置１０Ｂは、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ１、ｔ２が薄く、かつ、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの高さＨ１が高い場合であっても、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ２に示すリップルが抑制され、伝搬ロスが抑制される。

　第４変形例に示すＩＤＴ電極３０の電極構成は、上述した第１変形例、第２変形例と組み合わせることができる。第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの両方について、それぞれの高さＨ１が、他の電極指３１、３２（中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの高さＨｃよりも高い構成であってもよい。あるいは、配列方向の外側から２番目に位置する第２電極指３２ａの高さＨ１が、他の電極指３１、３２（第１電極指３１ａ及び中央部の電極指３１、３２）のそれぞれの高さＨｃよりも高い構成であってもよい。

（第２実施形態）
　図２０は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２０に示すように第２実施形態に係る弾性波装置１０Ｃは、追加電極３５を有する。追加電極３５は、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの少なくとも一方と重なる領域に設けられる。第２実施形態では、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの上に、直接接して設けられる。また、第２実施形態では、追加電極３５は、配列方向で外側から２番目に位置する第２電極指３２ａの上には設けられない。

　第１電極指３１ａは、チタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。第１電極指３１ａの高さＨ１（膜厚の合計）は１１２ｎｍである。追加電極３５は、アルミニウム－銅合金であり、高さＨ２（膜厚）は１１０ｎｍである。第１電極指３１ａ及び追加電極３５の積層膜の高さ（高さＨ１と高さＨ２との合計）は２２２ｎｍである。

　追加電極３５の幅Ｗ２は、第１電極指３１ａの幅Ｗ１と同等であり、それぞれ０．６μｍである。また、追加電極３５（アルミニウム－銅合金）の密度ｄ２は、第１電極指３１ａの一部（アルミニウム－銅合金）の密度と同等である。

　他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）は、上述したようにチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。他の電極指３１、３２のそれぞれの高さＨｃ（膜厚の合計）は１１２ｎｍである。

　本実施形態では、第１電極指３１ａの幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ１と、追加電極３５の幅Ｗ２と高さＨ２と密度ｄ２との積Ｘｅ２と、の合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、複数の電極指３１、３２のうち、他の電極指（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の幅Ｗｃと高さＨｃと密度ｄｃとの積Ｘｃよりも大きい。

　第１電極指３１ａの積Ｘｅ１（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と追加電極３５の積Ｘｅ２（＝Ｗ２×Ｈ２×ｄ２）との合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、Ｘｅ１＋Ｘｅ２＝０．６（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋０．６（μｍ）×０．１９２（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝３９１．４６４である。他の電極指３１、３２の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、Ｘｃ＝０．６（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋０．６（μｍ）×０．０８２（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝２１３．５９４である。

　図２１は、第２実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２１に示す比較例は、第２実施形態に示す弾性波装置１０Ｃにおいて、追加電極３５が設けられていない弾性波装置である。

　図２１に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１０Ｃは、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの上に追加電極３５が設けられているので、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１に示すリップルが抑制される。また、第２実施形態に示す弾性波装置１０Ｃは、点線Ｅ２に示す周波数範囲で伝搬ロスが抑制される。

　なお、第２実施形態では、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの上に設けられているが、これに限定されない。例えば、複数の追加電極３５を有し、複数の追加電極３５は、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａのそれぞれに設けられていてもよい。あるいは、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａの上に設けられず、第１電極指３１ａに隣接する第２電極指３２ａの上に設けられていてもよい。

　また、図２０では、追加電極３５は、第１保護膜４１の上面から突出して設けられているが、これに限定されない。第１保護膜４１は、追加電極３５を覆って設けられていてもよい。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、第１電極指３１ａ及び追加電極３５の積層膜の高さ（高さＨ１と高さＨ２との合計）よりも厚くてもよい。追加電極３５の材料は、アルミニウム－銅合金に限定されず、例えば、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、銅、銀、クロム、金、チタン、アルミニウムの少なくとも１つが用いられる。

（第２実施形態の第５変形例）
　図２２は、第２実施形態の第５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２２に示すように、第５変形例に係る弾性波装置１０Ｄにおいて、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域で、第１保護膜４１の上に設けられる。言い換えると、圧電層２０の第１主面２０ａに垂直な方向で、第１電極指３１ａと追加電極３５との間に第１保護膜４１が設けられる。第１電極指３１ａと追加電極３５とは第１保護膜４１により電気的に離隔される。第１保護膜４１の上面は、電極指３１、３２と重なる領域及び電極指３１、３２と重ならない領域に亘って平坦に形成される。追加電極３５は、第１保護膜４１の上面から突出して設けられる。

　第５変形例において、第１電極指３１ａ及び追加電極３５のそれぞれの電極構成、材料は上述した第４変形例と同様である。第１電極指３１ａと追加電極３５とが離隔して配置された構成であっても、第１電極指３１ａの積Ｘｅ１（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と、追加電極３５の積Ｘｅ２（＝Ｗ２×Ｈ２×ｄ２）と、の合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、複数の電極指３１、３２のうち、他の電極指（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　なお、第５変形例では、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域で第１保護膜４１の上に設けられているが、これに限定されない。例えば、複数の追加電極３５を有し、複数の追加電極３５は、第１保護膜４１の上であって、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの両方のそれぞれと重なる領域に設けられていてもよい。あるいは、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられず、第１電極指３１ａに隣接する第２電極指３２ａと重なる領域で、第１保護膜４１の上に設けられていてもよい。

（第２実施形態の第６変形例）
　図２３は、第２実施形態の第６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２３に示すように、第６変形例に係る弾性波装置１０Ｅにおいて、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域で、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２は、追加電極３５を覆って圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。追加電極３５は、圧電層２０の第１主面２０ａ側に設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。

　第１電極指３１ａは、チタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。第１電極指３１ａの高さＨ１（膜厚の合計）は１１２ｎｍである。追加電極３５は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側からチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の順に積層された積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。追加電極３５の高さＨ２（膜厚）は１１２ｎｍである。

　追加電極３５の幅Ｗ２は、第１電極指３１ａの幅Ｗ１よりも大きい。第１電極指３１ａの幅Ｗ１は０．６μｍである。追加電極３５の幅Ｗ２は、１．２μｍである。第１電極指３１ａの幅方向の中央（電極中央）と、追加電極３５の幅方向の中央（電極中央）とのずれ量Ｗｘは、０．２μｍである。また、追加電極３５の密度ｄ２は、第１電極指３１ａの密度ｄ１と同等である。

　他の電極指３１、３２（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の電極構成（幅Ｗｃ、高さＨｃ、密度ｄｃ）は、第１電極指３１ａと同様である。

　第６変形例において、第１電極指３１ａが圧電層２０の第１主面２０ａに設けられ、追加電極３５が圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる構成であっても、第１電極指３１ａの積Ｘｅ１（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と、追加電極３５の積Ｘｅ２（＝Ｗ２×Ｈ２×ｄ２）と、の合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、複数の電極指３１、３２のうち、他の電極指（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　第１電極指３１ａの積Ｘｅ１（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と追加電極３５の積Ｘｅ２（＝Ｗ２×Ｈ２×ｄ２）との合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、Ｘｅ１＋Ｘｅ２＝０．６（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋０．６（μｍ）×０．０８２（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＋１．２（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋１．２（μｍ）×０．０８２（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝６４０．７８２である。他の電極指３１、３２の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）は、Ｘｃ＝０．６（μｍ）×０．０３（μｍ）×４５００（ｋｇ／ｍ^３）＋０．６（μｍ）×０．０８２（μｍ）×２６９５（ｋｇ／ｍ^３）＝２１３．５９４である。

　図２４は、第２実施形態の第６変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２４に示すように、第６変形例に係る弾性波装置１０Ｅは、追加電極３５が圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる構成であっても、比較例に比べて少なくとも点線Ｅ１に示すリップルが抑制される。また、第６変形例に係る弾性波装置１０Ｅは、点線Ｅ２に示す周波数範囲で伝搬ロスが抑制される。また、本実施形態では、第１保護膜４１の上面が平坦に形成されているので、第１保護膜４１の膜厚を変更して共振周波数の調整を容易に行うことができる。

　なお、第６変形例では、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域で圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられているが、これに限定されない。例えば、複数の追加電極３５を有し、複数の追加電極３５は、圧電層２０の第２主面２０ｂであって、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの両方のそれぞれと重なる領域に設けられていてもよい。あるいは、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられず、第１電極指３１ａに隣接する第２電極指３２ａと重なる領域で、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられていてもよい。

　また、追加電極３５の電極構成（幅Ｗ２、高さＨ２、密度ｄ２）、及び、第１電極指３１ａとのずれ量Ｗｘ等はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、追加電極３５の幅Ｗ２が第１電極指３１ａの幅Ｗ１よりも大きい構成に限定されない。追加電極３５の幅Ｗ２、高さＨ２、密度ｄ２は、第１電極指３１ａの幅Ｗ１、高さＨ１、密度ｄ１と等しくてもよい。あるいは、追加電極３５と第１電極指３１ａとのずれ量Ｗｘは０（ゼロ）であってもよい。また、追加電極３５は積層膜に限定されず、多層膜であってもよいし、あるいは、第１電極指３１ａと異なる密度を有する材料で形成されてもよい。

　図２５は、第２実施形態の第６変形例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図２６は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図２６に示す比較例では、第６変形例に係る弾性波装置１０Ｅに対し、追加電極３５が設けられていない構成である。

　図２５及び図２６では、第６変形例及び比較例について、横軸をＸ方向（電極指３１、３２の配列方向）とし、縦軸を周波数として、圧電層２０の変位の大きさの分布を示している。図２５及び図２６の上図には、それぞれＸ方向に対応する弾性波装置の断面図を模式的に示し、図２５及び図２６の左図には、弾性波装置のインピーダンス特性を示している。

　図２６に示すように、比較例に係る弾性波装置では、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、大きな周波数依存性を有する。例えば、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数によってずれており、電極間で安定して励振されていない。また、所定のＸ位置（Ｘ＝５．０μｍ近傍）に注目すると、共振周波数５０３０ＭＨｚ及びリップルが生じた周波数４９００ＭＨｚ、５１２０ＭＨｚで位相が反転している。このように、比較例に係る弾性波装置では、理想的な励振モードが得られない場合がある。

　これに対し、図２５に示すように第６変形例に係る弾性波装置１０Ｅでは、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、周波数依存性を有していない。すなわち、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数よらず一定であり、電極間で安定して励振されていることが示された。また、変位の大きさ（振幅）も電極間の領域ごとに一定となっており、共振周波数及びリップルが生じた周波数配列での位相の反転も生じていない。このように、配列方向の最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に追加電極３５を設けることで、比較例に比べて良好な励振モードが得られることが示された。

（第２実施形態の第７変形例）
　図２７は、第２実施形態の第７変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２７に示すように、第７変形例に係る弾性波装置１０Ｆにおいて追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域で、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられる。より具体的には、追加電極３５は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向し、かつ、第２主面２０ｂと離隔して設けられる。

　追加電極３５は、第２保護膜４２の中に配置される。すなわち、第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂと追加電極３５との間に設けられ、かつ、追加電極３５の側面及び下面（圧電層２０とは反対側の面）を覆う。

　第７変形例において、第１電極指３１ａ及び追加電極３５の電極構成は、第６変形例と同様の構成とすることができる。すなわち、第７変形例においても、第１電極指３１ａの積Ｘｅ１（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と、追加電極３５の積Ｘｅ２（＝Ｗ２×Ｈ２×ｄ２）と、の合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、複数の電極指３１、３２のうち、他の電極指（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

（第２実施形態の第８変形例）
　図２８は、第２実施形態の第８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２８に示すように、第８変形例に係る弾性波装置１０Ｇにおいて、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域で、第２保護膜４２の下面に設けられる。第２保護膜４２の下面は、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。追加電極３５は、第２保護膜４２の下面から突出して設けられる。なお、第２保護膜４２の下面とは、第２保護膜４２の、支持基板１１（図２参照）と対向する面である。

　第８変形例において、第１電極指３１ａ及び追加電極３５の電極構成は、第６変形例及び第７変形例と同様の構成とすることができる。すなわち、第８変形例においても、第１電極指３１ａの積Ｘｅ１（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）と、追加電極３５の積Ｘｅ２（＝Ｗ２×Ｈ２×ｄ２）と、の合計（Ｘｅ１＋Ｘｅ２）は、複数の電極指３１、３２のうち、他の電極指（第２電極指３２ａ及び中央部の電極指３１、３２）の積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　なお、第７変形例及び第８変形例では、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられているが、これに限定されない。例えば、複数の追加電極３５を有し、複数の追加電極３５は、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａのそれぞれと重なる領域で、第２保護膜４２の中あるいは第２保護膜４２の下面に設けられていてもよい。あるいは、追加電極３５は、配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域に設けられず、第１電極指３１ａに隣接する第２電極指３２ａと重なる領域で、第２保護膜４２の中あるいは第２保護膜４２の下面に設けられていてもよい。

　第７変形例及び第８変形例において、追加電極３５の電極構成（幅Ｗ２、高さＨ２、密度ｄ２）、第１電極指３１ａとのずれ量Ｗｘ等はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、追加電極３５の幅Ｗ２が第１電極指３１ａの幅Ｗ１よりも大きい構成に限定されない。追加電極３５の幅Ｗ２、高さＨ２、密度ｄ２は、第１電極指３１ａの幅Ｗ１、高さＨ１、密度ｄ１と等しくてもよい。あるいは、追加電極３５は積層膜に限定されず、多層膜であってもよい。あるいは、追加電極３５は、第１電極指３１ａと異なる密度を有する材料で形成されてもよい。

（第３実施形態）
　図２９は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す回路図である。図２９に示すように第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｈは、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７と、を含む。複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路に直列に接続される。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路と、グランド６８との間に並列に接続される。第９実施形態に係る弾性波装置１０Ｈは、いわゆるラダー型フィルタとなっている。

　直列接続された複数の直列腕共振子６１、６２、６３の一方の端子は、入力端子６０Ａに電気的に接続され、他方の端子が出力端子６０Ｂに電気的に接続される。並列腕共振子６４の一方の端子は、入力端子６０Ａと電気的に接続され、他方の端子はグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６５の一方の端子は、直列腕共振子６１と直列腕共振子６２との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６６の一方の端子は、直列腕共振子６２と直列腕共振子６３との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６７の一方の端子は、出力端子６０Ｂに電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。

　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、配列方向の外側に位置する第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａについて、異なる電極構成を採用している。例えば、複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、第１実施形態（図１２、１３参照）に示す第１電極指３１ａを有する。複数の直列腕共振子６１、６２、６３のアドミタンス特性は、図１３と同様であり、繰り返しの説明は省略する。

　一方、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、第２実施形態（図２０、２１参照）に示す第１電極指３１ａ及び追加電極３５を有する。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７のアドミタンス特性は、図２１と同様であり、繰り返しの説明は省略する。

　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａ及び追加電極３５の構成を変えることにより、フィルタとしてよりよい出力波形を得ることができる。

　第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｈでは、第１実施形態に示す第１電極指３１ａ、第２電極指３２ａの電極構成、及び、第２実施形態に示す追加電極３５の電極構成と組み合わせる例を示したが、これに限定されない。第３実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第９変形例）
　図３０は、第９変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、支持基板１１がキャビティ部１４を有し、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造について説明したが、これに限定されない。

　図３０に示すように、第９変形例に係る弾性波装置１０Ｉでは、圧電層２０の第２主面２０ｂに音響多層膜４３が積層されている。音響多層膜４３は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄとの積層構造を有する。低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅは、例えば酸化ケイ素の層であり、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、例えばタングステン、白金等の金属層又は窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の誘電体層である。音響多層膜４３を用いた場合、キャビティ部１４を用いずとも、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２０内に閉じ込めることができる。

　弾性波装置１０Ｉにおいても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑り１次モードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜４３においては、その低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの積層数は特に限定されない。少なくとも１層の高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄが、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅよりも圧電層２０から遠い側に配置されていればよい。

　上記低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅの材料としては、酸化ケイ素又は、酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素又は、金属などを挙げることができる。

　図３０では、第１実施形態に示す第１電極指３１ａの電極構成と組み合わせることができる。ただし、これに限定されず第９変形例は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第１０変形例）
　図３１は、第１０変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、ＩＤＴ電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる構成について説明したがこれに限定されない。図３１に示すように、第１０変形例に係る弾性波装置１０Ｊは、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられた第１ＩＤＴ電極３０Ａと、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられた第２ＩＤＴ電極３０Ｂと、を有する。第１ＩＤＴ電極３０Ａ及び第２ＩＤＴ電極３０Ｂは、ＩＤＴ電極３０（図１、２参照）と同様の構成を有する。

　第２ＩＤＴ電極３０Ｂの電極指３６、３７は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの電極指３１、３２と重なる領域に設けられる。第２ＩＤＴ電極３０Ｂの電極指３６、３７は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの電極指３１、３２と同じ幅、同じ電極間ピッチを有して設けられる。また、第１０変形例では、第１実施形態と同様に、第１ＩＤＴ電極３０Ａの第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａの少なくとも一方は、他の中央部の電極指３１、３２よりも密度が高い材料で形成される。第２ＩＤＴ電極３０Ｂの第１電極指３６ａ及び第２電極指３７ａの少なくとも一方は、他の中央部の電極指３６、３７よりも密度が高い材料で形成される。

　第１０変形例では、圧電層２０の第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂにそれぞれ第１ＩＤＴ電極３０Ａ及び第２ＩＤＴ電極３０Ｂが設けられるので、周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を改善することができる。

　第１０変形例は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。例えば、第１０変形例において、圧電層２０の第１主面２０ａ側及び第２主面２０ｂ側の少なくとも一方に、追加電極３５が設けられていてもよい。

（第１１変形例）
　図３２は、第１１変形例に係る弾性波装置を示す平面図である。第１１変形例に係る弾性波装置１０Ｋは、上述した第１実施形態に比べて、第１電極指３１ａの延在方向の少なくとも一部で、幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、複数の電極指３１、３２のうち、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａと異なる中央部の電極指３１、３２の幅Ｗｃと高さＨｃと密度ｄｃとの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい構成が異なる。この場合であっても、第１実施形態と同様に、比較例に比べてアドミタンス特性におけるリップルを抑制できる。

　より具体的には、第１電極指３１ａは、第１部分３１ａＡと、第２部分３１ａＢとを含む。第２部分３１ａＢは、第１部分３１ａＡの延在方向の端部に接続されている。

　第１電極指３１ａの第１部分３１ａＡでの、幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、複数の電極指３１、３２のうち、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａと異なる中央部の電極指３１、３２の幅Ｗｃと高さＨｃと密度ｄｃとの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

　第２部分３１ａＢでの幅Ｗ１は第１部分３１ａＡでの幅Ｗ１よりも小さい。また、第２部分３１ａＢでの幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）は、第１部分３１ａＡでの、幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）よりも小さい。

　同様に、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で第１電極指３１ａと反対側の第４電極指３２ｂにおいても、第１部分３２ｂＡと、第２部分３２ｂＢとを含む。すなわち、第４電極指３２ｂの延在方向の少なくとも一部（第１部分３２ｂＡ）で、幅Ｗ１と高さＨ１と密度ｄ１との積Ｘｅ（＝Ｗ１×Ｈ１×ｄ１）が、複数の電極指３１、３２のうち、第３電極指３１ｂ及び第４電極指３２ｄと異なる中央部の電極指３１、３２の幅Ｗｃと高さＨｃと密度ｄｃとの積Ｘｃ（＝Ｗｃ×Ｈｃ×ｄｃ）よりも大きい。

（第１２変形例）
　図３３は、第１２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３４は、Ｓ２モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。図３３に示す第１２変形例に係る弾性波装置は、上述した第１実施形態に係る弾性波装置１０において、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた構成について説明する。

　図３３は、第１２変形例に係る弾性波装置の、アドミタンスの絶対値の周波数特性を示している。図３３に示すように、第１２変形例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる一点鎖線Ｆ１に示す周波数領域で、高次モードの共振が生じている（以下「Ｓ２モード」と表す）。

　図３４に示すグラフの横軸は、第１保護膜４１の膜厚ｔ１と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ１＋ｔＬＮ／２）と、第２保護膜４２の膜厚ｔ２と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ２＋ｔＬＮ／２）と、の比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）を示す。図３４に示すグラフの縦軸は、Ｓ２モードの強度に対応する。

　図３４において、矢印Ｆ２、Ｆ３で示す範囲は、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置の構成における、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）を示す。特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が、０．９３以下、かつ、１．０７以上であり、Ｓ２モードの強度が大きい。

　これに対し、第１２変形例では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が０．９４以上１．０６以下の範囲であり、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置に比べてＳ２モードの強度が小さくなる。言い換えると、圧電層２０の膜厚中央から第１保護膜４１の天面までの距離の合計をＡとし、圧電層２０の膜厚中央から第２保護膜４２の天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となることが好ましい。

　なお、第１２変形例では、第１実施形態に係る弾性波装置１０において第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた場合について説明したが、これに限定されない。第１２変形例における第１保護膜４１の膜厚ｔ１、圧電層２０の膜厚ｔＬＮ及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２の関係は、上述した各実施形態及び各変形例と組み合わせることができる。

　なお、上記した実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。

　なお、本開示は、下記の構成をとることもできる。

（１）第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、を有し、
　前記複数の電極指は、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指、及び、前記第１電極指に隣接する第２電極指を含み、
　前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積は、前記複数の電極指のうち、前記第１電極指及び前記第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
　弾性波装置。
（２）前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
　（１）に記載の弾性波装置。
（３）前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方は、前記中央部の電極指よりも密度が高い材料で形成される
　（１）又は（２）に記載の弾性波装置。
（４）前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の高さは、前記中央部の電極指の高さよりも高い
　（１）又は（２）に記載の弾性波装置。
（５）第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
　前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する電極指を第１電極指とし、前記第１電極指に隣接する電極指を第２電極指としたときに、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域に設けられた追加電極と、を有し、
　前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積と、前記追加電極の幅と高さと密度との積と、の合計は、前記複数の電極指のうち、前記第１電極指及び前記第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
　弾性波装置。
（６）前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
　（５）に記載の弾性波装置。
（７）前記追加電極は、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の上に接して設けられる
　（５）又は（６）に記載の弾性波装置。
（８）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記追加電極は、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域で、前記第１保護膜の上に設けられる
　（６）に記載の弾性波装置。
（９）前記追加電極は、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域で、前記圧電層の前記第２主面に設けられる
　（５）に記載の弾性波装置。
（１０）前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指の材料は、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、銅、銀、クロム、金、チタン、アルミニウムの少なくとも１つが用いられる
　（１）から（９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１１）前記追加電極の材料は、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、銅、銀、クロム、金、チタン、アルミニウムの少なくとも１つが用いられる
　（５）から（９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１２）前記保護膜の膜厚は、前記複数の電極指の膜厚よりも薄い
　（２）又は（６）に記載の弾性波装置。
（１３）前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる
　（１）から（１２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１４）少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が（１）から（４）のいずれか１つに記載の弾性波装置である
　弾性波フィルタ装置。
（１５）入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子の前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の材料は、前記並列腕共振子の前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の材料と異なる
　（１４）に記載の弾性波フィルタ装置。
（１６）少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が（５）から（９）のいずれか１つに記載の弾性波装置である
　弾性波フィルタ装置。
（１７）入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子の前記追加電極は、前記並列腕共振子の前記追加電極と異なる構成を有する
　（１６）に記載の弾性波フィルタ装置。
（１８）前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される
　（２）又は（６）に記載の弾性波装置。
（１９）前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである
　（１）から（１３）及び（１８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２０）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
　（２）又は（６）に記載の弾性波装置。
（２１）前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い
　（２）又は（６）に記載の弾性波装置。
（２２）前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる
　（２０）に記載の弾性波装置。
（２３）前記第１保護膜の上面、及び、前記第２保護膜の下面は平坦に形成される
　（２０）又は（２２）に記載の弾性波装置。
（２４）ｄ／ｐが０．２４以下である
　（１）から（１３）及び（１８）から（２３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２５）前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
　（１）から（１３）及び（１８）から（２４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２６）前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる
　（１）から（１３）及び（１８）から（２５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２７）前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
　（１）から（１３）及び（１８）から（２６）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
（２８）前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　（１）から（１３）及び（１８）から（２７）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２９）前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　（１）から（１３）及び（１８）から（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ　弾性波装置
　１１　支持基板
　１２　底部
　１３　壁部
　１４　キャビティ部
　２０、２０１　圧電層
　２０ａ、２０１ａ　第１主面
　２０ｂ、２０１ｂ　第２主面
　３０　ＩＤＴ電極
　３１、３２　電極指
　３１ａ　第１電極指
　３１ｂ　第３電極指
　３２ａ　第２電極指
　３２ｂ　第４電極指
　３３、３４　バスバー電極
　３５　追加電極
　４１　第１保護膜
　４２　第２保護膜

Claims (29)

1. 　第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
   　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
   　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、を有し、
   　前記複数の電極指は、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する第１電極指、及び、前記第１電極指に隣接する第２電極指を含み、
   　前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積は、前記複数の電極指のうち、前記第１電極指及び前記第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、
   　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
   　弾性波装置。
2. 　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
   　請求項１に記載の弾性波装置。
3. 　前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方は、前記中央部の電極指よりも密度が高い材料で形成される
   　請求項１又は請求項２に記載の弾性波装置。
4. 　前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の高さは、前記中央部の電極指の高さよりも高い
   　請求項１又は請求項２に記載の弾性波装置。
5. 　第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
   　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
   　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
   　前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に位置する電極指を第１電極指とし、前記第１電極指に隣接する電極指を第２電極指としたときに、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域に設けられた追加電極と、を有し、
   　前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の幅と高さと密度との積と、前記追加電極の幅と高さと密度との積と、の合計は、前記複数の電極指のうち、前記第１電極指及び前記第２電極指と異なる中央部の電極指の幅と高さと密度との積よりも大きく、
   　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
   　弾性波装置。
6. 　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
   　請求項５に記載の弾性波装置。
7. 　前記追加電極は、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の上に接して設けられる
   　請求項５又は請求項６に記載の弾性波装置。
8. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
   　前記追加電極は、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域で、前記第１保護膜の上に設けられる
   　請求項６に記載の弾性波装置。
9. 　前記追加電極は、前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方と重なる領域で、前記圧電層の前記第２主面に設けられる
   　請求項５に記載の弾性波装置。
10. 　前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指の材料は、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、銅、銀、クロム、金、チタン、アルミニウムの少なくとも１つが用いられる
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
11. 　前記追加電極の材料は、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、銅、銀、クロム、金、チタン、アルミニウムの少なくとも１つが用いられる
    　請求項５から請求項９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
12. 　前記保護膜の膜厚は、前記複数の電極指の膜厚よりも薄い
    　請求項２又は請求項６に記載の弾性波装置。
13. 　前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる
    　請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
14. 　少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の弾性波装置である
    　弾性波フィルタ装置。
15. 　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
    　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
    　前記直列腕共振子の前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の材料は、前記並列腕共振子の前記第１電極指及び前記第２電極指の少なくとも一方の材料と異なる
    　請求項１４に記載の弾性波フィルタ装置。
16. 　少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が請求項５から請求項９のいずれか１項に記載の弾性波装置である
    　弾性波フィルタ装置。
17. 　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
    　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
    　前記直列腕共振子の前記追加電極は、前記並列腕共振子の前記追加電極と異なる構成を有する
    　請求項１６に記載の弾性波フィルタ装置。
18. 　前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される
    　請求項２又は請求項６に記載の弾性波装置。
19. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
20. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
    　請求項２又は請求項６に記載の弾性波装置。
21. 　前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い
    　請求項２又は請求項６に記載の弾性波装置。
22. 　前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる
    　請求項２０に記載の弾性波装置。
23. 　前記第１保護膜の上面、及び、前記第２保護膜の下面は平坦に形成される
    　請求項２０又は請求項２２に記載の弾性波装置。
24. 　ｄ／ｐが０．２４以下である
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８から請求項２３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
25. 　前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
    　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８から請求項２４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
26. 　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８から請求項２５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
27. 　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８から請求項２６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
28. 　前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８から請求項２７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
29. 　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
    　請求項１から請求項１３及び請求項１８から請求項２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。

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