WO2024257839A1 - 弾性波装置及び弾性波フィルタ装置 - Google Patents

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film
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克也 大門
明洋 井山
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device and an elastic wave filter device.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 describe elastic wave devices.
  • the elastic wave devices shown in Patent Documents 1 and 2 could cause leakage of elastic waves in the direction of the electrode finger arrangement.
  • the present invention aims to provide an elastic wave device and an elastic wave filter device that can suppress leakage of elastic waves.
  • the elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing the first main surface in a first direction, an IDT electrode provided on at least one of the first and second main surfaces of the piezoelectric layer and including a plurality of electrode fingers arranged in a predetermined direction, a reflector arranged adjacent to the IDT electrode in the arrangement direction of the plurality of electrode fingers, a support member facing the second main surface of the piezoelectric layer and having an acoustic reflection portion on the second main surface side of the piezoelectric layer, and a load film provided in a region overlapping with the reflector in a planar view from the first direction, where d is the thickness of the piezoelectric layer and p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers, and d/p is 0.5 or less.
  • the elastic wave filter device is an elastic wave filter device that is configured by connecting at least one resonator, and the resonator is the elastic wave device described above.
  • the elastic wave device and elastic wave filter device of the present invention can suppress leakage of elastic waves.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating an elastic wave device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a bulk wave in a first thickness-shear mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a bulk wave in a first-order thickness-shear mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p and the fractional bandwidth of a resonator in the elastic wave device of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average center-to-center distance between adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram illustrating an example of resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the relationship between the fractional bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device according to the first embodiment and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between d/2p, the metallization ratio MR, and the bandwidth ratio.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional bandwidth versus Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate when d/p approaches 0 as close as possible.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a region A shown in FIG. FIG.
  • FIG. 13 is a graph illustrating an example of admittance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating the distribution of vibration modes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating the distribution of vibration modes of an elastic wave device according to a comparative example.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a first modified example of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a second modified example of the first embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a third modified example of the first embodiment.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating an elastic wave device according to a fourth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a first modified example of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a fifth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating an elastic wave device according to a sixth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 22 is a plan view illustrating an elastic wave device according to a second preferred embodiment of the present invention.
  • Figure 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII' of Figure 22.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view illustrating an elastic wave device according to a seventh modification of the second embodiment.
  • FIG. 25 is a plan view illustrating an elastic wave device according to a third preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a circuit diagram illustrating an elastic wave device according to a fourth embodiment.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of an elastic wave device in accordance with an eighth modified example.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a ninth modification.
  • FIG. 29 is a graph illustrating an example of admittance characteristics of an elastic wave device according to a tenth modification.
  • FIG. 30 is an explanatory diagram showing an example of an impedance phase in a higher mode.
  • Fig. 1 is a plan view showing an elastic wave device according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II' in Fig. 1. Note that in Fig. 1, a load film 50 is shown hatched to make the drawing easier to see. Also, in Fig. 1, a first protective film 41 is shown by a two-dot chain line.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric layer 20, an IDT electrode 30, reflectors 70, 71, a support substrate 11, a first protective film 41, a second protective film 42, and a load film 50.
  • the elastic wave device 10 has the second protective film 42, the piezoelectric layer 20, the IDT electrode 30, and the reflectors 70, 71, the first protective film 41, and the load film 50 stacked in this order on the support substrate 11.
  • the piezoelectric layer 20 is flat and has a first main surface 20a and a second main surface 20b opposite to the first main surface 20a.
  • the piezoelectric layer 20 is made of lithium niobate.
  • the piezoelectric layer 20 may be made of lithium tantalate.
  • the cut angle of the lithium niobate or lithium tantalate is Z-cut.
  • the cut angle of the lithium niobate or lithium tantalate may be rotated Y-cut or X-cut.
  • the propagation direction is Y-propagation or X-propagation ⁇ 30°.
  • the piezoelectric layer 20 contains lithium niobate or lithium tantalate and is a 120° ⁇ 10° rotated Y-cut or a 90° ⁇ 10° rotated Y-cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 20 is not particularly limited, but to effectively excite the first-order thickness-shear mode, a thickness of 50 nm or more and 1000 nm or less is preferable.
  • the thickness of the piezoelectric layer 20 according to the first embodiment is, for example, about 180 nm.
  • the IDT (Interdigital Transducer) electrode 30 is provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20. As shown in FIG. 1, the IDT electrode 30 has electrode fingers 31, 32 and busbar electrodes 33, 34.
  • the electrode fingers 31 extend in the Y direction, and one end side in the extension direction is connected to the busbar electrode 33.
  • the electrode fingers 32 extend in the Y direction, and the other end side in the extension direction is connected to the busbar electrode 34.
  • the electrode fingers 31 and the electrode fingers 32 are arranged alternately in the X direction with a gap therebetween.
  • the busbar electrodes 33 and 34 each extend in the X direction, and are arranged at a distance in the Y direction.
  • the electrode fingers 31, 32 are arranged between the busbar electrodes 33 and 34.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 20 may be referred to as the Z direction, the extension direction of the electrode fingers 31, 32 as the Y direction, and the arrangement direction of the electrode fingers 31, 32 as the X direction.
  • a plan view refers to the positional relationship when viewed from a direction perpendicular to the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20.
  • the center-to-center distance between electrode fingers 31 and 32 (hereinafter referred to as interelectrode pitch) is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the interelectrode pitch is the distance connecting the center of the width dimension of electrode finger 31 in a direction perpendicular to the extension direction of electrode finger 31 and the center of the width dimension of electrode finger 32 in a direction perpendicular to the extension direction of electrode finger 32.
  • the width of electrode fingers 31 and 32 (hereinafter referred to as electrode width), i.e., the dimension in the direction perpendicular to the extension direction of electrode fingers 31 and 32, is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the interelectrode pitch of electrode fingers 31 and 32 refers to the average value of the center-to-center distances of adjacent electrode fingers 31 and 32 among the 1.5 or more pairs of electrode fingers 31 and 32.
  • the direction perpendicular to the extension direction of the electrode fingers 31 and 32 is perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 20. This does not apply when a piezoelectric body with a different cut angle is used as the piezoelectric layer 20.
  • “perpendicular” is not limited to strictly perpendicular, but may also be approximately perpendicular (the angle between the direction perpendicular to the extension direction of the electrode fingers 31 and 32 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°).
  • the IDT electrode 30 (electrode fingers 31, 32 and busbar electrodes 33, 34) is made of a suitable metal or alloy, such as aluminum or an aluminum-copper alloy.
  • the IDT electrode 30 has a structure in which an aluminum film is laminated on a titanium film. Note that an adhesive layer other than a titanium film may also be used.
  • the electrode configuration of the IDT electrode 30 is a laminated film of titanium/aluminum-copper alloy/titanium/aluminum-copper alloy from the piezoelectric layer 20 side, with respective film thicknesses of 12 nm/70 nm/18 nm/12 nm.
  • the IDT electrode 30 also has a total of 51 electrode fingers 31 and 32.
  • the interelectrode pitch of the electrode fingers 31 and 32 is 2.38 ⁇ m, and the electrode width is 0.6 ⁇ m for each.
  • intersection region C (excitation region) shown in FIG. 1 is a region where the electrode fingers 31 and 32 overlap when viewed in the X direction.
  • the length of the intersection region C is the dimension in the extension direction of the electrode fingers 31 and 32 in the intersection region C. In this embodiment, the length of the intersection region C is, for example, 40 ⁇ m.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrode fingers 31 and the multiple electrode fingers 32. More specifically, an AC voltage is applied between the bus bar electrode 33 and the bus bar electrode 34. This makes it possible to obtain resonance characteristics using bulk waves in the first thickness-shear mode excited in the piezoelectric layer 20.
  • d/p is set to 0.5 or less. Therefore, the bulk wave of the above-mentioned first-order thickness-shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 10 of the first embodiment has the above configuration, so even if the number of pairs of electrode fingers 31 and electrode fingers 32 is reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator uses bulk waves in the thickness-shear first-order mode, and propagation loss is small.
  • the reflectors 70 and 71 are provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20 in the same layer as the IDT electrode 30.
  • the reflectors 70 and 71 are laminated films having the same electrode configuration as the IDT electrode 30, and are formed from the same material as the IDT electrode 30. However, this is not limited to this, and the reflectors 70 and 71 may have a different electrode configuration and be formed from a different material than the IDT electrode 30.
  • the reflectors 70 and 71 are arranged adjacent to the IDT electrode 30 with a gap in the arrangement direction of the electrode fingers 31 and 32.
  • the reflectors 70 and 71 are each configured with one electrode finger and extend along the extension direction of the electrode fingers 31 and 32.
  • the reflector 70 is adjacent to the IDT electrode 30 with a gap on one side of the arrangement direction of the electrode fingers 31 and 32 (left side in Figs. 1 and 2).
  • the reflector 71 is adjacent to the IDT electrode 30 with a gap on the other side of the arrangement direction of the electrode fingers 31 and 32 (right side in Figs. 1 and 2) opposite the reflector 70.
  • the IDT electrode 30 is arranged between the reflectors 70 and 71. The detailed configuration of the reflectors 70 and 71 will be described later with reference to Fig. 12.
  • the first protective film 41 is provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20, covering the IDT electrode 30 and the reflectors 70, 71.
  • the second protective film 42 is provided on the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the first protective film 41 and the second protective film 42 are made of silicon oxide.
  • the first protective film 41 and the second protective film 42 can be made of an appropriate insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, alumina, etc.
  • the film thickness of the first protective film 41 and the second protective film 42 is thicker than the film thickness of the IDT electrode 30.
  • the film thickness of the first protective film 41 and the second protective film 42 is 142 nm. It is sufficient that at least one of the first protective film 41 and the second protective film 42 is provided.
  • the first protective film 41 may be provided and the second protective film 42 may not be provided.
  • the load film 50 is provided on the first protective film 41.
  • the load film 50 is provided in an area that overlaps with the reflectors 70 and 71.
  • the load film 50 is not provided in an area that overlaps with the multiple electrode fingers 31 and 32 located between the reflectors 70 and 71.
  • the portion of the load film 50 that overlaps with the reflector 70 is referred to as the first extension portion 51, and the portion that overlaps with the reflector 71 is referred to as the second extension portion 52.
  • the first extension portion 51 and the second extension portion 52 are disposed apart in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32, and the multiple electrode fingers 31, 32 are disposed between the first extension portion 51 and the second extension portion 52.
  • the first extension portion 51 overlaps with a part of the reflector 70 and extends along the extension direction of the reflector 70.
  • the second extension portion 52 overlaps with a part of the reflector 71 and extends along the extension direction of the reflector 71.
  • the detailed configuration of the load film 50 will be described later with reference to Figures 12 and 13.
  • the support substrate 11 (support member) is disposed opposite the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the support substrate 11 has a cavity portion 14 (space portion) on the surface opposite the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20. More specifically, the support substrate 11 has a bottom portion 12 and a wall portion 13 provided in a frame shape on the upper surface of the bottom portion 12. The cavity portion 14 is formed in the space surrounded by the bottom portion 12 and the wall portion 13.
  • the piezoelectric layer 20 is laminated on the upper surface of the wall portion 13 of the support substrate 11 via the second protective film 42.
  • the elastic wave device 10 has a so-called membrane structure in which the cavity portion 14 (hollow portion) is provided on the second main surface 20b side of the piezoelectric layer 20.
  • the support member may include the support substrate 11 and an intermediate (insulating) layer. That is, the support substrate 11 may be indirectly laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the support substrate 11 and the intermediate layer may have a frame-like shape, thereby forming the cavity portion 14.
  • a recess may be provided in the intermediate layer, thereby forming the cavity portion 14.
  • the cavity portion 14 is provided so as not to impede the vibration of the intersection region C of the piezoelectric layer 20.
  • the second protective film 42 is provided to cover the opening of the cavity portion 14.
  • the second protective film 42 does not have to be provided.
  • the support substrate 11 can be laminated directly on the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the second protective film 42 is provided in the region between the upper surface of the wall portion 13 and the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20, and does not have to be provided in the region overlapping with the cavity portion 14.
  • the support substrate 11 is made of silicon.
  • the surface orientation of the silicon on the piezoelectric layer 20 side may be (100), (110), or (111). High-resistance silicon with a resistivity of 4 k ⁇ or more is preferable.
  • the support substrate 11 may also be made of an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials that can be used for the support substrate 11 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz; various ceramics such as alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite; dielectric materials such as diamond and glass; and semiconductors such as gallium nitride.
  • piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz
  • various ceramics such as alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite
  • dielectric materials such as diamond and glass
  • semiconductors such as gallium nitride.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a bulk wave in a first-order thickness shear mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a bulk wave in a first-order thickness shear mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • the vibration displacement is in the thickness slip direction, so the wave propagates and resonates in the direction connecting the first main surface 20a and the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20, i.e., the Z direction.
  • the X direction component of the wave is significantly smaller than the Z direction component.
  • the resonance characteristic is obtained by the propagation of the wave in this Z direction.
  • FIG. 4 shows a schematic diagram of the bulk wave when a voltage is applied between the electrode fingers 31 and 32 such that the electrode fingers 32 have a higher potential than the electrode fingers 31.
  • the imaginary plane VP1 is a plane that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 20 and divides the piezoelectric layer 20 in half.
  • the first region 251 is the region between the imaginary plane VP1 and the first main surface 20a in the intersection region C.
  • the second region 252 is the region between the imaginary plane VP1 and the second main surface 20b in the intersection region C.
  • the elastic wave device 10 at least one pair of electrodes consisting of electrode fingers 31 and electrode fingers 32 is arranged, but since waves are not propagated in the X direction, the number of electrode pairs consisting of electrode fingers 31 and electrode fingers 32 does not necessarily need to be multiple pairs. In other words, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode finger 31 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 32 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 31 may be connected to the ground potential
  • the electrode finger 32 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the elastic wave device 10 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows:
  • Piezoelectric layer 20 Lithium niobate with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 20: 400 nm
  • Length of intersection region C 40 ⁇ m Number of pairs of electrodes consisting of electrode fingers 31 and electrode fingers 32: 21 pairs Inter-electrode pitch between electrode fingers 31 and 32: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 31 and 32: 500 nm d/p: 0.133
  • First protective film 41, second protective film 42 1 ⁇ m thick silicon oxide film
  • Support substrate 11 Silicon
  • the interelectrode pitch of the electrode pairs consisting of electrode fingers 31 and 32 is the same for all pairs. In other words, electrode fingers 31 and electrode fingers 32 are arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, and more preferably 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG. 6.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p and the relative bandwidth of a resonator when the center-to-center distance or the average center-to-center distance of adjacent electrodes is p and the average thickness of the piezoelectric layer is d in the elastic wave device of the first embodiment.
  • multiple elastic wave devices were obtained by varying d/2p, similar to the elastic wave device that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5.
  • a resonator with an even wider relative bandwidth can be obtained, and a resonator with an even higher coupling coefficient can be realized. Therefore, it can be seen that by setting d/p to 0.5 or less, a resonator with a high coupling coefficient can be constructed using the bulk waves of the thickness-shear first-order mode.
  • the average thickness d of the piezoelectric layer 20 can be used.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having electrode fingers 31 and electrode fingers 32 is provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20.
  • K in FIG. 7 is the cross width.
  • the number of electrode pairs may be one pair. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness-shear first-order mode can be effectively excited.
  • the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 31 and electrode fingers 32 in the intersection region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, it is possible to effectively reduce spurious signals. This will be explained with reference to FIG. 8 and FIG. 9.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1.
  • the area surrounded by the dashed line is the intersection region C.
  • This intersection region C is the area where the electrode fingers 31 and 32 overlap when the electrode fingers 31 and 32 are viewed in a direction perpendicular to the extension direction of the electrode fingers 31 and 32, i.e., in the opposing direction, the area where the electrode fingers 31 and 32 overlap in the electrode fingers 31, the area where the electrode fingers 32 overlap in the electrode fingers 31, and the area where the electrode fingers 31 and 32 overlap in the area between the electrode fingers 31 and 32.
  • the area of the electrode fingers 31 and 32 in the intersection region C relative to the area of the intersection region C is the metallization ratio MR.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the intersection region C.
  • MR can be defined as the ratio of the metallization portion included in all intersection regions C to the total area of intersection regions C.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the relationship between the relative bandwidth when multiple elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. Note that the relative bandwidth was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer 20 and the dimensions of the electrode fingers 31 and electrode fingers 32 in various ways. Also, while FIG. 9 shows the results when a piezoelectric layer 20 made of Z-cut lithium niobate was used, the same tendency is observed when a piezoelectric layer 20 with a different cut angle is used.
  • the spurious is large at 1.0.
  • the bandwidth ratio exceeds 0.17, i.e., exceeds 17%, large spurious with a spurious level of 1 or more appears within the passband, even if the parameters that configure the bandwidth ratio are changed.
  • large spurious indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the bandwidth ratio is 17% or less. In this case, the spurious can be reduced by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 20 and the dimensions of the electrode fingers 31 and 32.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and bandwidth fraction.
  • Various elastic wave devices 10 with different d/2p and MR were constructed in the elastic wave device 10 of the first embodiment, and the bandwidth fraction was measured.
  • the hatched area to the right of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the bandwidth fraction is 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional bandwidth versus Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate when d/p approaches 0.
  • the hatched area in FIG. 11 is the region where a fractional bandwidth of at least 5% is obtained.
  • the range of the region can be approximated as the ranges expressed by the following formulas (1), (2), and (3).
  • the relative bandwidth can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of region A shown in FIG. 2.
  • FIG. 12 describes the load film 50 (first extension portion 51) overlapping with the reflector 70 arranged on one side of the arrangement direction of the electrode fingers 31, 32.
  • the second extension portion 52 (see FIGS. 1 and 2) overlapping with the reflector 71 arranged on the other side of the arrangement direction of the electrode fingers 31, 32 on the opposite side of the reflector 70 also has an arrangement relationship that is linearly symmetrical with the first extension portion 51.
  • the description of the first extension portion 51 can also be applied to the second extension portion 52. In the following description, when it is not necessary to distinguish between the first extension portion 51 and the second extension portion 52, they will simply be referred to as the load film 50.
  • the load film 50 is provided on the first protective film 41 and overlaps with a portion of the reflector 70.
  • the load film 50 is provided in a region that does not overlap with the IDT electrode 30 (multiple electrode fingers 31, 32). That is, the load film 50 is disposed outside the IDT electrode 30 in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32.
  • the upper surface of the first protective film 41 is formed flat. Specifically, the upper surface of the first protective film 41 is formed substantially flat over the region where the electrode fingers 31, 32 and the reflector 70 are provided and the region where the electrode fingers 31, 32 and the reflector 70 are not provided.
  • the load film 50 is provided so as to protrude from the upper surface of the first protective film 41.
  • a step is formed between the load film 50 and the first protective film 41. More specifically, on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20, there are a region where the reflector 70 and the first protective film 41 are stacked in this order, a region where the reflector 70, the first protective film 41 and the load film 50 are stacked in this order, and a region where the first protective film 41 and the load film 50 are stacked in this order.
  • a step is formed between a portion where the first protective film 41 is provided but the load film 50 is not provided, and a portion where the load film 50 and the first protective film 41 are stacked.
  • the load film 50 is provided at a position shifted outward relative to the reflector 70 in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32.
  • One side of the load film 50 is positioned overlapping the midpoint of the reflector 70 in the width direction, and the other side of the load film 50 is positioned outward of the reflector 70 in the arrangement direction.
  • the load film 50 includes an overlapping region that overlaps with the reflector 70, and a non-overlapping region that does not overlap with the reflector 70.
  • the width W1 of the load film 50 is, for example, 1.2 ⁇ m.
  • the width W1a of the overlapping region of the load film 50 is, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the width W1b of the non-overlapping region of the load film 50 is, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the interelectrode pitch of the electrode fingers 31, 32 in the IDT electrode 30 is 2.38 ⁇ m, and the electrode width is 0.6 ⁇ m each.
  • the interelectrode pitch between the outermost electrode finger 31 in the arrangement direction and the reflector 70 is 2.38 ⁇ m.
  • the electrode width of the reflector 70 is 1.2 ⁇ m. In other words, the electrode width of the reflector 70 is larger than the electrode width of the electrode fingers 31, 32 of the IDT electrode 30.
  • the reflector 70 and the electrode fingers 31, 32 of the IDT electrode 30 are arranged with the same interelectrode pitch.
  • the thickness t4 of the load film 50 is 55 nm.
  • the thickness t1 of the first protective film 41 and the thickness t2 of the second protective film 42 are 142 nm, and the thickness t3 of the IDT electrode 30 and the thickness t5 of the reflector 70 are 112 nm.
  • the thickness t1 of the first protective film 41 is thicker than the thickness t4 of the load film 50, and is thicker than the thickness t3 of the IDT electrode 30 and the thickness t5 of the reflector 70.
  • the load film 50 is formed of the same material as the first protective film 41.
  • the load film 50 and the first protective film 41 are formed of silicon oxide. Note that even if the load film 50 and the first protective film 41 are formed of the same material, the density of the load film 50 may be different from the density of the first protective film 41. For example, if the load film 50 is formed by vapor deposition, the actual density of the load film 50 is smaller than the density of the first protective film 41.
  • the load film 50 is provided overlapping the reflector 70, the area where the load film 50 and the first protective film 41 are laminated in the area where it overlaps with the reflector 70 has a different acoustic impedance than the area where the load film 50 is not provided and only the first protective film 41 is laminated.
  • an acoustic reflection surface R is formed in the step portion between the load film 50 and the first protective film 41 (the portion where it overlaps with the side surface of the load film 50).
  • the elastic waves excited in the piezoelectric layer 20 are reflected by the acoustic reflection surface R, so that the elastic wave device 10 can suppress leakage of elastic waves in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing an example of the admittance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment. More specifically, FIG. 13 is an explanatory diagram showing the real part of the admittance, i.e., the conductance component, of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the admittance characteristics shown in FIG. 13 show the results of a simulation of the admittance characteristics of the elastic wave device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 13 also shows the results of a simulation of the admittance characteristics of an elastic wave device according to a comparative example.
  • the comparative example is an elastic wave device that does not have a load film 50 in comparison with the first embodiment.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram showing the distribution of vibration modes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram showing the distribution of vibration modes of an elastic wave device according to a comparative example.
  • the horizontal axis represents the X direction (arrangement direction of electrode fingers 31, 32) and the vertical axis represents frequency for the first embodiment and the comparative example, showing the distribution of the magnitude of displacement of piezoelectric layer 20.
  • the upper diagrams in FIGS. 14 and 15 each show a schematic cross-sectional view of an elastic wave device corresponding to the X direction, and the left diagrams in FIGS. 14 and 15 show the impedance characteristics of the elastic wave device.
  • the X-direction dependency of the displacement (X-direction positions of the antinodes and nodes of the displacement) has a large frequency dependency.
  • the X-direction positions showing the peaks of the displacement shift depending on the frequency, and stable excitation is not achieved between the electrodes.
  • the phase is inverted at the resonant frequency of 5030 MHz and at frequencies of 4900 MHz and 5120 MHz where ripples are generated.
  • an ideal excitation mode may not be obtained.
  • the X-direction dependency of the displacement does not have frequency dependency.
  • the X-direction position showing the peak of the displacement is constant regardless of the frequency, indicating stable excitation between the electrodes.
  • the magnitude (amplitude) of the displacement is also constant for each region between the electrodes, and no phase inversion occurs in the frequency array in which the resonant frequency and ripples occur. In this way, it was shown that a better excitation mode can be obtained than in the comparative example by simply providing the load film 50 at a position overlapping with the reflectors 70, 71 located at the outermost positions in the array direction.
  • the shapes, widths, thicknesses, etc. of the load film 50, first protective film 41, IDT electrode 30, and reflectors 70 and 71 described above are merely examples and can be changed as appropriate.
  • the side of the load film 50 may be tapered.
  • the first extension portion 51 and the second extension portion 52 of the load film 50 shown in FIG. 1 may have the same width and thickness.
  • the first extension portion 51 and the second extension portion 52 of the load film 50 may have different widths and thicknesses due to, for example, variations in the manufacturing process.
  • the material of the load film 50 is the same as that of the first protective film 41, for example, silicon oxide.
  • the load film 50 may be made of a material different from that of the first protective film 41.
  • the load film 50 may be made of a material having a higher density than the silicon oxide used in the first protective film 41, for example, tantalum oxide.
  • density refers to a physical property value specific to the material, unless otherwise specified.
  • the load film 50 may be formed of a material having a lower density than the silicon oxide used in the first protective film 41, such as carbon-added silicon oxide.
  • the load film 50 may be formed of a material having a harder hardness than the silicon oxide used in the first protective film 41, such as silicon nitride.
  • "hardness” refers to a physical property value specific to the material, unless otherwise specified.
  • the above-mentioned materials for the load film 50 are merely examples and can be changed as appropriate.
  • the load film 50 is formed from at least one of carbon-added silicon oxide, silicon oxide, silicon nitride, tantalum oxide, aluminum nitride, aluminum oxide, hafnium oxide, niobium oxide, and tungsten oxide.
  • the load film 50 is not limited to a single layer film and may be a laminated film.
  • the load film 50 may be a combination of two or more of the above materials.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an elastic wave device according to a first modified example of the first embodiment.
  • the load film 50 is provided on the first protective film 41 and on the lower surface of the second protective film 42.
  • the lower surface of the second protective film 42 is the surface of the second protective film 42 that faces the support substrate 11 (see FIG. 2).
  • the load film 50 provided on the first protective film 41 is referred to as an upper load film 50A
  • the load film 50 provided on the lower surface of the second protective film 42 is referred to as a lower load film 50B.
  • the load film 50 When it is not necessary to distinguish between the upper load film 50A and the lower load film 50B, they are simply referred to as the load film 50.
  • the upper load film 50A and the lower load film 50B are formed of the same material, for example, silicon oxide.
  • the first extension portion 51 of the upper load film 50A and the lower first extension portion 54 of the lower load film 50B are provided to overlap, and each overlaps a part of the reflector 70.
  • the width W1 of the upper load film 50A (first extension portion 51) and the width W2 of the lower load film 50B (lower first extension portion 54) are each 1.2 ⁇ m, as in the first embodiment described above.
  • the width W1a of the overlapping region of the upper load film 50A and the width W2a of the overlapping region of the lower load film 50B are each, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the width W1b of the non-overlapping region of the upper load film 50A and the width W2b of the non-overlapping region of the lower load film 50B are each, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the upper load film 50A and the lower load film 50B have the same material and the same shape, this is not limiting.
  • the upper load film 50A and the lower load film 50B may have different materials and different shapes.
  • the width W1 of the upper load film 50A may be different from the width W2 of the lower load film 50B.
  • the width W2 of the lower load film 50B may be longer than the width W1 of the upper load film 50A.
  • the width W2 of the lower load film 50B may be shorter than the width W1 of the upper load film 50A.
  • the thickness of the upper load film 50A may be different from the thickness of the lower load film 50B.
  • the thickness of the upper load film 50A may be thinner than the thickness of the lower load film 50B.
  • the thickness of the upper load film 50A may be thicker than the thickness of the lower load film 50B.
  • the material of the upper load film 50A may be different from the material of the lower load film 50B.
  • the material of the upper load film 50A may be silicon oxide
  • the material of the lower load film 50B may be carbon-added silicon oxide. This is not limiting, and the materials of the upper load film 50A and the lower load film 50B may be an appropriate combination of the above-mentioned materials.
  • Fig. 17 is a cross-sectional view showing an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment.
  • the load film 50 is provided on the first protective film 41 on the first main surface 20a side of the piezoelectric layer 20, but this is not limiting.
  • the load film 50 (lower first extension 54) is provided on the second main surface 20b side of the piezoelectric layer 20 and on the lower surface of the second protective film 42. In other words, the load film 50 is not provided on the first main surface 20a side of the piezoelectric layer 20, and the upper surface of the first protective film 41 is formed flat.
  • the lower surface of the second protective film 42 is formed flat along the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the load film 50 is provided on the lower surface of the second protective film 42 and overlaps with a portion of the reflector 70.
  • the load film 50 is provided so as to protrude from the lower surface of the second protective film 42.
  • the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20 has a region where the second protective film 42 is provided but the load film 50 is not provided, and a region where the second protective film 42 and the load film 50 are laminated. As a result, a step is formed between the load film 50 and the second protective film 42 in the region overlapping with the reflector 70.
  • the load film 50 is made of the same material as the first protective film 41 and the second protective film 42, for example, silicon oxide.
  • the width W2 of the load film 50 is, for example, 1.2 ⁇ m.
  • the width W2a of the overlapping region of the load film 50 is, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the width W2b of the non-overlapping region of the load film 50 is, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the configuration of the lower first extension portion 54 in plan view is the same as that of the first extension portion 51 (see FIG. 1), and a repeated description will be omitted.
  • a lower second extension portion is provided on the opposite side of the lower first extension portion 54 in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32 at a position overlapping with the reflector 71 (see FIG. 1).
  • the load film 50 is not provided on the first protective film 41, so the thickness of the first protective film 41 can be changed to easily adjust the resonant frequency.
  • (Third Modification of the First Embodiment) 18 is a cross-sectional view illustrating an elastic wave device according to a third modified example of embodiment 1.
  • the load film 50 is provided on at least one of the top surface of the first protective film 41 and the bottom surface of the second protective film 42, but the present invention is not limited to this.
  • the load film 50 is provided on the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the second protective film 42 is provided on the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20, covering the load film 50.
  • the lower surface of the second protective film 42 is provided flat across the region that overlaps with the load film 50 and the region that does not overlap with the load film 50.
  • the load film 50 is not provided on the first main surface 20a side of the piezoelectric layer 20, and the upper surface of the first protective film 41 is formed flat.
  • the load film 50 is provided so as to overlap a portion of the reflector 70.
  • the load film 50 is made of a material different from the first protective film 41 and the second protective film 42, for example, made of tantalum oxide.
  • the load film 50 can be made of the above-mentioned materials, such as carbon-added silicon oxide and silicon nitride.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a fourth modified example of the first embodiment.
  • a load film 50 is provided on a reflector 70. More specifically, the load film 50 is provided across the upper surface and side surfaces of the reflector 70, and the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20 in a portion where the reflector 70 is not provided. The load film 50 is provided following a step formed between the piezoelectric layer 20 and the reflector 70.
  • the load film 50 is made of tantalum oxide.
  • the load film 50 is not limited to this, and may be made of the above-mentioned materials such as carbon-added silicon oxide and silicon nitride.
  • the widths W1, W1a, and W1b of the load film 50 are formed to be the same as those of the first embodiment described above.
  • the film thickness of the load film 50 is thinner than that of the first embodiment described above.
  • the total film thickness of the load film 50 and the reflector 70 is thinner than the film thickness of the first protective film 41.
  • the first protective film 41 is provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20, covering the load film 50, the reflector 70, and the IDT electrode 30. That is, in the region overlapping with the reflector 70, there is a portion where the load film 50 and the first protective film 41 are laminated in this order, and a portion where the first protective film 41 is provided and the load film 50 is not provided.
  • the top surface of the first protective film 41 is formed flat over the region overlapping with the load film 50, the reflector 70, and the IDT electrode 30, and the region where the load film 50, the reflector 70, and the IDT electrode 30 are not provided.
  • the upper surface of the load film 50 and the upper surface of the reflector 70 are covered by the first protective film 41, but this is not limiting.
  • the upper surface of the load film 50 may be provided in the same plane as the upper surface of the first protective film 41.
  • the film thickness of the load film 50 and the film thickness of the first protective film 41 are equal in the area overlapping with the reflector 70.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a fifth modified example of the first embodiment.
  • a load film 50 is provided on a first main surface 20a of a piezoelectric layer 20.
  • a reflector 70 covers a portion of the load film 50 and is provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20. That is, in the direction perpendicular to the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20, the load film 50 is provided between the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20 and the reflector 70.
  • the first protective film 41 is provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20, covering the load film 50, the reflector 70, and the IDT electrode 30. That is, in this embodiment, the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20 has an area where the reflector 70 and the first protective film 41 are stacked in this order, an area where the load film 50, the reflector 70, and the first protective film 41 are stacked in this order, and an area where the load film 50 and the first protective film 41 are stacked in this order.
  • the top surface of the first protective film 41 is formed flat over the area that overlaps with the load film 50, the reflector 70, and the IDT electrode 30, and over the area where the load film 50, the reflector 70, and the IDT electrode 30 are not provided.
  • the load film 50 is made of silicon oxide.
  • the load film 50 can be made of the above-mentioned materials such as tantalum oxide, carbon-added silicon oxide, silicon nitride, etc.
  • the total thickness of the load film 50 and the reflector 70 is thinner than the thickness of the first protective film 41.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a sixth modified example of embodiment 1.
  • a load film 50 has a first extension portion 51 that overlaps with a reflector 70, and an outer load film 53 that is provided in a region that is outer than the first extension portion 51 in the arrangement direction and does not overlap with the reflector 70 and the IDT electrode 30 (electrode fingers 31, 32).
  • the outer load film 53 is provided on the first protective film 41 in the same layer as the first extension portion 51, and is provided at a distance from the first extension portion 51.
  • the outer load film 53 is formed of the same silicon oxide as the first extension portion 51.
  • the film thickness t6 of the outer load film 53 is the same as the film thickness t4 of the first extension portion 51.
  • the width W3 of the outer load film 53 is the same as the width W1 of the first extension portion 51. However, this is not limited to this, and the shape of the outer load film 53 (film thickness t5 and width W3) may be different from the shape of the first extension portion 51 (film thickness t4 and width W1).
  • the sixth modification can be combined with the first to fifth modifications described above. That is, the first extension 51 and the outer load film 53 may be provided on both the top of the first protective film 41 and the bottom of the second protective film 42, respectively, or may not be provided on the top of the first protective film 41 but on the bottom of the second protective film 42. Alternatively, the first extension 51 and the outer load film 53 may be provided on the first main surface 20a or the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the simulation results of the admittance characteristics are omitted.
  • a load film 50 is provided in the area overlapping with reflectors 70, 71. Therefore, in the first to sixth modified examples, similar to the elastic wave device 10 according to the first embodiment, at least one of the ripples shown by dotted lines E1, E2, or dotted line E3 (see FIG. 13) is suppressed compared to the comparative example. Furthermore, in all of the first to sixth modified examples, the propagation loss is suppressed compared to the comparative example.
  • Second Embodiment Fig. 22 is a plan view showing an elastic wave device according to the second preferred embodiment.
  • a reflector 70A has a plurality of reflective electrode fingers 72, 73 and a plurality of reflective bus bar electrodes 74, 75.
  • the plurality of reflective electrode fingers 72, 73 are arranged adjacent to each other in the X direction with a gap therebetween.
  • the reflective bus bar electrodes 74, 75 each extend in the X direction and are arranged spaced apart in the Y direction.
  • the multiple reflective electrode fingers 72, 73 are arranged in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32 of the IDT electrode 30, and extend along the extension direction of the electrode fingers 31, 32.
  • One end side of the multiple reflective electrode fingers 72, 73 in the extension direction is connected to a reflective busbar electrode 74.
  • the other end side of the multiple reflective electrode fingers 72, 73 in the extension direction is connected to a reflective busbar electrode 75.
  • Reflector 71A has a plurality of reflective electrode fingers 76, 77 and a plurality of reflective busbar electrodes 78, 79.
  • the configuration of reflector 71A is similar to that of reflector 70A, and a repeated description will be omitted.
  • reflector 70A has two reflective electrode fingers 72 and 73
  • reflector 71A has two reflective electrode fingers 76 and 77.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII' in FIG. 22. Note that FIG. 23 describes the load film 50 (first extensions 51a, 51b) provided in the area overlapping with the reflector 70A, but the load film 50 (second extensions 52a, 52b) provided in the area overlapping with the reflector 71A on the opposite side of the reflector 70A also has an arrangement that is linearly symmetrical to the first extensions 51a, 51b. The description of the first extensions 51a, 51b can also be applied to the second extensions 52a, 52b.
  • a plurality of load films 50 are provided for each of the plurality of reflective electrode fingers 72, 73. More specifically, the plurality of load films 50 have two first extensions 51a, 51b.
  • the first extensions 51a, 51b of the plurality of load films 50 are provided on the first protective film 41.
  • the first extension 51a is provided in an area overlapping with the reflective electrode finger 72 located at the outermost side in the arrangement direction, and extends along the extension direction of the reflective electrode finger 72.
  • the first extension 51b is provided in an area overlapping with the reflective electrode finger 73 adjacent to the reflective electrode finger 72, and extends along the extension direction of the reflective electrode finger 73.
  • the load film 50 (first extension 51a) overlapping the reflective electrode finger 72 and the load film 50 (first extension 51b) overlapping the reflective electrode finger 73 are arranged at a distance from each other.
  • the material and shape of the first extensions 51a, 51b of the multiple load films 50 are the same as those of the load films 50 in the first embodiment. That is, the load film 50 is formed of silicon oxide, as in the first embodiment.
  • the film thickness t4 of the first extensions 51a, 51b of the load film 50 is 55 nm.
  • the width W1 of the first extensions 51a, 51b of the load film 50 is, for example, 1.2 ⁇ m.
  • the width W1a of the overlapping region of the first extensions 51a, 51b of the load film 50 is, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the width W1b of the non-overlapping region of the first extensions 51a, 51b of the load film 50 is, for example, 0.6 ⁇ m.
  • the widths W1, W1a, and W1b of the first extensions 51a and 51b are merely examples and can be changed as appropriate. Furthermore, the width W1 and thickness t4 of the first extension 51a of the load film 50 may be different from the width W1 and thickness t4 of the first extension 51b. Furthermore, the material of the load film 50 is not limited to silicon oxide, and the first extensions 51a and 51b of the load film 50 are formed from at least one of carbon-added silicon oxide, silicon oxide, silicon nitride, tantalum oxide, aluminum nitride, aluminum oxide, hafnium oxide, niobium oxide, and tungsten oxide.
  • (Seventh Modification of the Second Embodiment) 24 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a seventh modification of Embodiment 2. As shown in FIG 24, in an elastic wave device 10H according to the seventh modification, a load film 50 is provided in a region overlapping with a reflective electrode finger 72 of a reflector 70A and a reflective electrode finger 73 adjacent to the reflective electrode finger 72.
  • the load film 50 is provided continuously across the two reflective electrode fingers 72, 73.
  • One side of the load film 50 is arranged so as to overlap with the midpoint of the reflective electrode finger 73 in the width direction, and the other side of the load film 50 is positioned outside the reflective electrode finger 72 in the arrangement direction.
  • the load film 50 is formed of silicon oxide, as in the second embodiment. Without being limited thereto, the load film 50 is formed of at least one of carbon-added silicon oxide, silicon oxide, silicon nitride, tantalum oxide, aluminum nitride, aluminum oxide, hafnium oxide, niobium oxide, and tungsten oxide.
  • the load film 50 (first extensions 51, 51a, 51b) is provided on the first protective film 41 has been described.
  • the second embodiment and the seventh modification can be combined with the first to sixth modifications described above. That is, the load film 50 may be provided on both the first protective film 41 and the lower surface of the second protective film 42, or may not be provided on the first protective film 41 but on the lower surface of the second protective film 42.
  • the load film 50 may be provided on the first main surface 20a or the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the load film 50 may have an outer load film 53 provided in an area that is outside the first extensions 51, 51a, 51b in the arrangement direction and does not overlap with the reflector 70A and the IDT electrode 30 (electrode fingers 31, 32).
  • the simulation results of the admittance characteristics are omitted.
  • a load film 50 is provided in the area overlapping with reflectors 70A, 71A. Therefore, in the second embodiment and the seventh modified example, similar to the elastic wave device 10 according to the first embodiment, at least one of the ripples shown by dotted lines E1, E2, or dotted line E3 (see FIG. 13) is suppressed compared to the comparative example. Furthermore, in both the second embodiment and the seventh modified example, the propagation loss is suppressed compared to the comparative example.
  • Third Embodiment 25 is a plan view showing an elastic wave device according to a third embodiment.
  • the load film 50 is formed in a frame shape.
  • the load film 50 includes a first extension portion 51, a second extension portion 52, a third extension portion 55, and a fourth extension portion 56.
  • the first extension portion 51 is provided in an area overlapping with a reflector 70 (first reflector) located outside the IDT electrode 30 in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32, and extends along the extension direction of the reflector 70.
  • the second extension portion 52 is provided in an area overlapping with a reflector 71 (second reflector) located outside the IDT electrode 30 on the opposite side of the reflector 70 in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32, and extends along the extension direction of the reflector 71.
  • the third extension portion 55 is connected to one end side of the extension direction of the first extension portion 51 and the second extension portion 52, and extends in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32.
  • the third extension portion 55 also extends overlapping with the end of the multiple electrode fingers 31 in the extension direction.
  • the fourth extension portion 56 is connected to the other end side of the extension direction of the first extension portion 51 and the second extension portion 52, and extends in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32.
  • the fourth extension portion 56 also extends overlapping with the end of the multiple electrode fingers 32 in the extension direction.
  • the load film 50 is formed continuously in a frame shape.
  • the acoustic reflection surface R (see FIG. 12) is formed along each of the first extension portion 51, the second extension portion 52, the third extension portion 55, and the fourth extension portion 56. Therefore, the elastic wave device 10I can suppress the leakage of elastic waves in the arrangement direction of the multiple electrode fingers 31, 32, and can also suppress the leakage of elastic waves in the extension direction of the multiple electrode fingers 31, 32.
  • the third extension portion 55 and the fourth extension portion 56 are provided in the same layer as the first extension portion 51 and the second extension portion 52 shown in the first embodiment (see FIG. 12), and are formed of the same material and with the same film thickness. This allows the third extension portion 55 and the fourth extension portion 56 to be formed in the same process as the first extension portion 51 and the second extension portion 52, thereby reducing manufacturing costs.
  • the load film 50 is provided on the first protective film 41, similar to the first embodiment (see FIG. 12). However, this is not limited to this, and the load film 50 of the third embodiment can be combined with each of the above-mentioned embodiments and modified examples.
  • the load film 50 is in the form of a continuous frame, and the first extension portion 51, the second extension portion 52, the third extension portion 55, and the fourth extension portion 56 are connected.
  • a slit may be formed in a part of the load film 50, and at least one of the first extension portion 51, the second extension portion 52, the third extension portion 55, and the fourth extension portion 56 may be provided separately from the other portions.
  • at least one of the third extension portion 55 and the fourth extension portion 56 may be configured to be disposed separately from the first extension portion 51 and the second extension portion 52.
  • first extension portion 51, the second extension portion 52, the third extension portion 55, and the fourth extension portion 56 have the same width.
  • the width (length in a direction perpendicular to the extension direction) of the third extension portion 55 and the fourth extension portion 56 may be greater than the width (length in a direction perpendicular to the extension direction) of the first extension portion 51 and the second extension portion 52.
  • an elastic wave device 10J according to the fourth embodiment includes a plurality of series arm resonators 61, 62, and 63 and a plurality of parallel arm resonators 64, 65, 66, and 67.
  • the plurality of series arm resonators 61, 62, and 63 are connected in series to a signal path between an input terminal 60A and an output terminal 60B.
  • the plurality of parallel arm resonators 64, 65, 66, and 67 are connected in parallel between the signal path between the input terminal 60A and the output terminal 60B and ground 68.
  • the elastic wave device 10J according to the fourth embodiment is a so-called ladder filter.
  • One terminal of the multiple series arm resonators 61, 62, and 63 connected in series is electrically connected to the input terminal 60A, and the other terminal is electrically connected to the output terminal 60B.
  • One terminal of the parallel arm resonator 64 is electrically connected to the input terminal 60A, and the other terminal is electrically connected to ground 68.
  • One terminal of the parallel arm resonator 65 is electrically connected to a signal path connecting the series arm resonators 61 and 62, and the other terminal is electrically connected to ground 68.
  • One terminal of the parallel arm resonator 66 is electrically connected to a signal path connecting the series arm resonators 62 and 63, and the other terminal is electrically connected to ground 68.
  • One terminal of the parallel arm resonator 67 is electrically connected to the output terminal 60B, and the other terminal is electrically connected to ground 68.
  • the multiple series arm resonators 61, 62, and 63 and the multiple parallel arm resonators 64, 65, 66, and 67 employ load films 50 with different configurations.
  • the multiple series arm resonators 61, 62, and 63 have the load films 50 shown in the first embodiment (see Figures 12 and 13).
  • the admittance characteristics of the multiple series arm resonators 61, 62, and 63 are similar to those in Figure 13, and a repeated description will be omitted.
  • the multiple parallel arm resonators 64, 65, 66, and 67 have a load film 50 shown in the second embodiment, which is different from the first embodiment, for example.
  • the elastic wave device 10J in the fourth embodiment, an example is shown in which it is combined with the load film 50 shown in the first and second embodiments, but this is not limiting.
  • the fourth embodiment can be combined with each of the embodiments and modified examples described above.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to an eighth modification.
  • the support substrate 11 has the cavity portion 14, and the cavity portion 14 (hollow portion) is provided on the second main surface 20b side of the piezoelectric layer 20, which is a so-called membrane structure.
  • the present invention is not limited to this.
  • an acoustic multilayer film 43 is laminated on the second principal surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the acoustic multilayer film 43 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 43a, 43c, 43e having a relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 43b, 43d having a relatively high acoustic impedance.
  • the low acoustic impedance layers 43a, 43c, 43e are, for example, layers of silicon oxide, and the high acoustic impedance layers 43b, 43d are, for example, metal layers such as tungsten or platinum, or dielectric layers such as aluminum nitride or silicon nitride.
  • the acoustic multilayer film 43 is used, bulk waves in the thickness-shear first-order mode can be confined within the piezoelectric layer 20 without using a cavity portion 14.
  • the elastic wave device 10K by setting the above d/p to 0.5 or less, it is possible to obtain resonance characteristics based on bulk waves in the first thickness-shear mode.
  • the number of layers of the low acoustic impedance layers 43a, 43c, 43e and the high acoustic impedance layers 43b, 43d is not particularly limited. It is sufficient that at least one of the high acoustic impedance layers 43b, 43d is disposed farther from the piezoelectric layer 20 than the low acoustic impedance layers 43a, 43c, 43e.
  • the low acoustic impedance layers 43a, 43c, 43e and the high acoustic impedance layers 43b, 43d can be made of any suitable material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • the low acoustic impedance layers 43a, 43c, 43e can be made of silicon oxide or silicon oxynitride.
  • the high acoustic impedance layers 43b, 43d can be made of alumina, silicon nitride, metal, or the like.
  • FIG. 27 an example in which the load film 50 shown in the first embodiment is provided is shown, but the present invention is not limited to this.
  • the eighth modification example can be combined with each of the above-mentioned embodiments and modifications.
  • Fig. 28 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a ninth modification.
  • the IDT electrode 30 is provided on the first principal surface 20a of the piezoelectric layer 20, but this is not limiting.
  • an elastic wave device 10L according to the ninth modification has a first IDT electrode 30A provided on the first principal surface 20a of the piezoelectric layer 20 and a second IDT electrode 30B provided on the second principal surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the first IDT electrode 30A and the second IDT electrode 30B have the same configuration as the IDT electrode 30 (see Figs. 1 and 2).
  • the multiple electrode fingers 36 of the second IDT electrode 30B (only one is shown in FIG. 28) are provided in an area overlapping with the multiple electrode fingers 31 of the first IDT electrode 30A.
  • the electrode fingers 36 of the second IDT electrode 30B are provided with the same width and the same interelectrode pitch as the electrode fingers 31 of the first IDT electrode 30A.
  • the elastic wave device 10L according to the ninth modification has an upper reflector 70B provided on the first principal surface 20a of the piezoelectric layer 20 and a lower reflector 70C provided on the second principal surface 20b of the piezoelectric layer 20.
  • the upper reflector 70B is provided in the same layer as the first IDT electrode 30A
  • the lower reflector 70C is provided in the same layer as the second IDT electrode 30B.
  • the upper reflector 70B and the lower reflector 70C have the same configuration as the reflectors 70 and 71 of the first embodiment.
  • the lower reflector 70C is provided in an area overlapping with the upper reflector 70B.
  • the load film 50 is provided on the first protective film 41, and is provided in an area overlapping with the upper reflector 70B and the lower reflector 70C.
  • a first IDT electrode 30A and an upper reflector 70B are provided on the first main surface 20a of the piezoelectric layer 20, and a second IDT electrode 30B and a lower reflector 70C are provided on the second main surface 20b of the piezoelectric layer 20, so that the temperature coefficient of frequency (TCF) can be improved.
  • TCF temperature coefficient of frequency
  • FIG. 28 an example is shown in which the load film 50 shown in the first embodiment is provided, but this is not limiting.
  • the ninth modification can be combined with each of the above-mentioned embodiments and modifications.
  • Fig. 29 is a diagram illustrating an example of admittance characteristics of an elastic wave device according to a tenth modified example.
  • Fig. 30 is a diagram illustrating an example of impedance phase in a higher mode.
  • the elastic wave device according to the tenth modified example shown in Fig. 29 is configured such that the first protective film 41 and the second protective film 42 in the elastic wave device 10 according to the first modified example described above are made to have different thicknesses.
  • FIG. 29 shows the frequency characteristics of the absolute value of admittance for the elastic wave device of the tenth modified example.
  • a higher-order mode of resonance occurs in the frequency region indicated by the dashed dotted line F1, which is different from the resonant frequency (hereinafter referred to as the S2 mode).
  • the horizontal axis of the graph shown in FIG. 30 indicates the ratio ((t1+tLN/2)/(t2+tLN/2)) of the sum (t1+tLN/2) of the thickness t1 of the first protective film 41 and 1/2 the thickness tLN of the piezoelectric layer 20 to the sum (t2+tLN/2) of the thickness t2 of the second protective film 42 and 1/2 the thickness tLN of the piezoelectric layer 20.
  • the vertical axis of the graph shown in FIG. 30 corresponds to the intensity of the S2 mode.
  • the range indicated by arrows F2 and F3 indicates the ratio (t1 + tLN/2)/(t2 + tLN/2) in the configuration of the acoustic resonator described in JP2022-524136A.
  • the ratio (t1 + tLN/2)/(t2 + tLN/2) is 0.93 or less and 1.07 or more, and the intensity of the S2 mode is large.
  • the ratio (t1+tLN/2)/(t2+tLN/2) is in the range of 0.94 to 1.06, and the intensity of the S2 mode is smaller than that of the acoustic resonator device described in JP-A 2022-524136.
  • the value of A/B is 1-0.06 to 1+0.06.
  • the first protective film 41 and the second protective film 42 are different in thickness in the elastic wave device 10 according to the first embodiment, but the present invention is not limited to this.
  • the relationship between the thickness t1 of the first protective film 41, the thickness tLN of the piezoelectric layer 20, and the thickness t2 of the second protective film 42 in the tenth modification can be combined with each of the above-mentioned embodiments and modifications.
  • this disclosure can also have the following configurations.
  • a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing the first main surface in a first direction; an IDT electrode provided on at least one of the first principal surface and the second principal surface of the piezoelectric layer, the IDT electrode including a plurality of electrode fingers arranged in a predetermined direction; a reflector disposed adjacent to the IDT electrode in an arrangement direction of the plurality of electrode fingers; a support member facing the second main surface of the piezoelectric layer and having an acoustic reflector on the second main surface side of the piezoelectric layer; a load film provided in a region overlapping the reflector in a plan view from the first direction,
  • the acoustic wave device wherein d/p is 0.5 or less, where d is a thickness of the piezoelectric layer and p is a center-to-center distance between adjacent electrode fingers.
  • the acoustic wave device according to (1) further comprising a protective film provided on at least one of the first principal surface and the second principal surface of the piezoelectric layer.
  • the protective film includes a first protective film provided on the first main surface of the piezoelectric layer to cover the IDT electrode and the reflector, The acoustic wave device according to (2), wherein the load film is provided on the first protective film.
  • the elastic wave device according to (3) wherein in a region overlapping the reflector, a step is formed between a portion where the first protective film is provided but the load film is not provided, and a portion where the load film and the first protective film are stacked.
  • the acoustic wave device according to (1), wherein the load film is provided between the first main surface of the piezoelectric layer and the reflector in the first direction of the piezoelectric layer.
  • the protective film includes a first protective film provided on the first main surface of the piezoelectric layer to cover the IDT electrode, and a second protective film provided on the second main surface of the piezoelectric layer,
  • the acoustic wave device according to (2), wherein the load film is provided on a surface of the second protective film that faces the support member.
  • the protective film includes a first protective film provided on the first main surface of the piezoelectric layer to cover the IDT electrode, and a second protective film provided on the second main surface of the piezoelectric layer, the load film is provided on the second main surface of the piezoelectric layer,
  • the acoustic wave device according to any one of claims 2 to 4, wherein the second protective film covers the load film.
  • the protective film includes a first protective film provided on the first main surface of the piezoelectric layer to cover the IDT electrode and the reflector, The load film is provided on the reflector, The acoustic wave device according to claim 2, wherein the first protective film covers the load film and the reflector.
  • the reflector has a plurality of reflective electrode fingers arranged in the arrangement direction, the plurality of reflective electrode fingers each extend along an extension direction of the electrode fingers of the IDT electrode,
  • the acoustic wave device according to any one of (1) to (8), wherein the load film is provided in a region overlapping with the plurality of reflective electrode fingers.
  • the acoustic wave device according to (2) in which the protective film has a thickness smaller than a thickness of the piezoelectric layer.
  • An elastic wave filter device including at least one resonator connected thereto, the resonator being the elastic wave device according to any one of (1) to (12).
  • a transistor comprising: an input terminal; an output terminal; a series arm connecting the input terminal and the output terminal; and a parallel arm connecting a node of the series arm and a ground
  • the at least one resonator is a plurality of resonators, and includes a series arm resonator provided in the series arm and a parallel arm resonator provided in the parallel arm
  • the acoustic wave filter device according to (13), wherein the load film of the series arm resonator has a different configuration from the load film of the parallel arm resonator.
  • the load film includes a first extension portion, a second extension portion, a third extension portion, and a fourth extension portion
  • the first extension portion is provided in a region overlapping with a first reflector positioned outermost in the arrangement direction and extends along an extension direction of the first reflector
  • the second extension portion is provided in a region overlapping with a second reflector located at the outermost side on the opposite side to the arrangement direction, and extends along an extension direction of the second reflector
  • the third extension portion is connected to one end side of the first extension portion and the second extension portion in an extension direction, and extends in the arrangement direction.
  • the elastic wave device according to any one of (1) to (12), wherein the fourth extension portion is connected to the other end side of the first extension portion and the second extension portion in the extension direction and extends in the arrangement direction.
  • the load film includes a first extension portion, a second extension portion, a third extension portion, and a fourth extension portion, the first extension portion is provided in a region overlapping with a first reflector positioned outermost in the arrangement direction and extends along an extension direction of the first reflector, the second extension portion is provided in a region overlapping with a second reflector located at the outermost side on the opposite side to the arrangement direction, and extends along an extension direction of the second reflector, The third extension portion is disposed on one end side of the first extension portion and the second extension portion in an extension direction, and extends in the arrangement direction, The fourth extension portion is disposed on the other end side of the first extension portion and the second extension portion in the extension direction and extends in the arrangement direction, The elastic wave device according to any one of (1) to (12), wherein at least one of the third extension
  • the load film and the protective film are formed of the same material, The acoustic wave device according to (2), wherein a density of the load film is different from a density of the protective film.
  • the elastic wave device described in (2) wherein the protective film includes a first protective film covering the IDT electrode and provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and a second protective film provided on the second main surface of the piezoelectric layer.
  • the acoustic wave device according to (2) in which the protective film has a thickness larger than a thickness of the IDT electrode.
  • the elastic wave device described in (20) in which the sum of the distances from the center of the thickness of the piezoelectric layer to the top surface of the first protective film is A and the sum of the distances from the center of the thickness of the piezoelectric layer to the top surface of the second protective film is B, and the value of A/B is 1-0.06 or more and 1+0.06 or less.
  • An excitation region is a region where adjacent electrode fingers overlap each other when viewed from the electrode finger orthogonal direction, and a region between centers of the adjacent electrode fingers in the electrode finger orthogonal direction,
  • acoustic reflection portion is an acoustic reflection film including a high acoustic impedance layer having a relatively high acoustic impedance and a low acoustic impedance layer having a relatively low acoustic impedance, and the support member and the piezoelectric layer are arranged such that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric layer face each other across the acoustic reflection film.

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Abstract

弾性波装置は、第１主面と、第１方向において第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、圧電層の第１主面および第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、複数の電極指の配列方向でＩＤＴ電極と隣り合って配置された反射器と、圧電層の第２主面と対向し、圧電層の第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、反射器と第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、圧電層の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

Description

弾性波装置及び弾性波フィルタ装置
　本発明は、弾性波装置及び弾性波フィルタ装置に関する。
　特許文献１及び特許文献２には、弾性波装置が記載されている。
特表２０２２－５２４１３６号公報 米国特許第１１３４９４５０号明細書
　特許文献１及び特許文献２に示す弾性波装置は、電極指の配列方向で弾性波の漏洩が生じる可能性があった。
　本発明は、弾性波の漏洩を抑制することができる弾性波装置及び弾性波フィルタ装置を提供することを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、前記複数の電極指の配列方向で前記ＩＤＴ電極と隣り合って配置された反射器と、前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、前記反射器と前記第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。
　一態様に係る弾性波フィルタ装置は、少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が上記の弾性波装置である。
　本発明の弾性波装置及び弾性波フィルタ装置によれば、弾性波の漏洩を抑制することができる。
図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。 図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のニオブ酸リチウムのオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。 図１５は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。 図１６は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１７は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１８は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１９は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２０は、第１実施形態の第５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２１は、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２２は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。 図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ’断面図である。 図２４は、第２実施形態の第７変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２５は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。 図２６は、第４実施形態に係る弾性波装置を示す回路図である。 図２７は、第８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２８は、第９変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。 図２９は、第１０変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。 図３０は、高次モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。なお、図１では図面を見やすくするために、負荷膜５０にハッチングを付けて示している。また、図１では第１保護膜４１を二点鎖線で示している。
　図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１０は、圧電層２０と、ＩＤＴ電極３０と、反射器７０、７１と、支持基板１１と、第１保護膜４１と、第２保護膜４２と、負荷膜５０と、を有する。図２に示すように、弾性波装置１０は、支持基板１１の上に第２保護膜４２、圧電層２０、ＩＤＴ電極３０及び反射器７０、７１、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される。
　圧電層２０は、第１主面２０ａと、第１主面２０ａと反対側の第２主面２０ｂとを有する平板状である。圧電層２０は、ニオブ酸リチウムで形成される。あるいは、圧電層２０は、タンタル酸リチウムからなるものであってもよい。ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムのカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムのカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。好ましくは、圧電層２０は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである。
　圧電層２０の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。第１実施形態に係る圧電層２０の膜厚は、例えば１８０ｎｍ程度である。
　ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。図１に示すように、ＩＤＴ電極３０は、電極指３１、３２と、バスバー電極３３、３４と、を有する。複数の電極指３１は、Ｙ方向に延在し、延在方向の一端側がバスバー電極３３に接続される。複数の電極指３２は、Ｙ方向に延在し、延在方向の他端側がバスバー電極３４に接続される。複数の電極指３１と複数の電極指３２とは、間隔を有してＸ方向に交互に配列される。バスバー電極３３及びバスバー電極３４は、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向で離隔して配置される。バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に、複数の電極指３１、３２が配列される。
　以下の説明では、圧電層２０の厚み方向をＺ方向とし、電極指３１、３２の延在方向をＹ方向とし、電極指３１、３２の配列方向をＸ方向として、説明することがある。また、以下の説明において、平面視とは、圧電層２０の第１主面２０ａに垂直な方向から視たときの配置関係を示す。
　電極指３１と電極指３２との間の中心間距離（以下、電極間ピッチと表す）は、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極間ピッチとは、電極指３１の延在方向と直交する方向における電極指３１の幅寸法の中心と、電極指３２の延在方向と直交する方向における電極指３２の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。また、電極指３１、電極指３２の幅（以下、電極幅と表す）、すなわち電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。
　さらに、電極指３１、電極指３２の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３１、電極指３２を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３１、電極指３２の電極間ピッチは、１．５対以上の電極指３１、電極指３２のうち隣り合う電極指３１、電極指３２それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向は、圧電層２０の分極方向に直交する方向となる。圧電層２０として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２及びバスバー電極３３、３４）は、アルミニウム、アルミニウム－銅合金などの適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態ではＩＤＴ電極３０は、チタン膜上にアルミニウム膜を積層した構造を有する。なお、チタン膜以外の密着層を用いてもよい。
　より詳細には、ＩＤＴ電極３０の電極構成は、圧電層２０側からチタン／アルミニウム－銅合金／チタン／アルミニウム－銅合金の積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。また、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、電極指３２の合計は５１本とした。電極指３１、３２の電極間ピッチは、２．３８μｍであり、電極幅はそれぞれ０．６μｍである。
　ここで、図１に示す交差領域Ｃ（励振領域）は、Ｘ方向に視たときに電極指３１と電極指３２とが重なっている領域である。交差領域Ｃの長さとは、交差領域Ｃでの電極指３１、電極指３２の延在方向での寸法である。本実施形態では、交差領域Ｃの長さは、例えば４０μｍである。
　駆動に際しては、複数の電極指３１と、複数の電極指３２との間に交流電圧が印加される。より具体的には、バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に交流電圧が印加される。それによって、圧電層２０において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１０では、圧電層２０の厚みをｄ、複数対の電極指３１、電極指３２の電極間ピッチをｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　第１実施形態の弾性波装置１０では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３１、電極指３２の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用した共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。
　反射器７０、７１は、ＩＤＴ電極３０と同層に、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。反射器７０、７１は、ＩＤＴ電極３０と同様の電極構成を有する積層膜であり、ＩＤＴ電極３０と同じ材料で形成される。ただし、これに限定されず、反射器７０、７１は、ＩＤＴ電極３０と異なる電極構成、異なる材料で形成されていてもよい。
　反射器７０、７１は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、ＩＤＴ電極３０と間隔を有して隣り合って配置される。本実施形態では、反射器７０、７１は、それぞれ１つの電極指を有して構成され、電極指３１、３２の延在方向に沿って延在する。反射器７０は、複数の電極指３１、３２の配列方向の一方（図１、２における左側）で、ＩＤＴ電極３０と間隔を有して隣り合う。反射器７１は、反射器７０の反対側で、複数の電極指３１、３２の配列方向の他方（図１、２における右側）で、ＩＤＴ電極３０と間隔を有して隣り合う。反射器７０と反射器７１との間にＩＤＴ電極３０が配置される。反射器７０、７１の詳細な構成については、図１２にて後述する。
　第１保護膜４１は、ＩＤＴ電極３０及び反射器７０、７１を覆って圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素で形成されている。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれＩＤＴ電極３０の膜厚より厚い。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚は、それぞれ１４２ｎｍである。なお、第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、少なくとも一方が設けられていればよい。例えば第１保護膜４１が設けられ第２保護膜４２が設けられない構成であってもよい。
　負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられる。負荷膜５０は、反射器７０、７１と重なる領域に設けられる。また、負荷膜５０は、反射器７０と反射器７１との間に位置する複数の電極指３１、３２と重なる領域には設けられない。
　負荷膜５０の、反射器７０と重なる部分を第１延在部５１と表し、反射器７１と重なる部分を第２延在部５２と表す。第１延在部５１と第２延在部５２とは、複数の電極指３１、３２の配列方向で離隔して配置され、第１延在部５１と第２延在部５２との間に複数の電極指３１、３２が配置される。第１延在部５１は、反射器７０の一部と重なって、反射器７０の延在方向に沿って延在する。また、第２延在部５２は、反射器７１の一部と重なって、反射器７１の延在方向に沿って延在する。なお、負荷膜５０の詳細な構成については、図１２、１３にて後述する。
　支持基板１１（支持部材）は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向して配置される。支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向する面にキャビティ部１４（空間部）を有する。より詳細には、支持基板１１は、底部１２と、底部１２の上面に枠状に設けられた壁部１３とを有する。底部１２と、壁部１３とで囲まれた空間にキャビティ部１４が形成される。支持基板１１の壁部１３の上面に、第２保護膜４２を介して圧電層２０が積層される。このように、弾性波装置１０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造を有する。なお、支持部材は、支持基板１１及び中間（絶縁）層を含んでいてもよい。すなわち、支持基板１１は、圧電層２の第２主面２ｂに間接に積層されていてもよい。その場合、支持基板１１及び中間層は、枠状の形状を有し、それによってキャビティ部１４が形成されていてもよい。また、中間層に凹部が設けられており、それによってキャビティ部１４が、形成されていてもよい。
　キャビティ部１４は、圧電層２０の交差領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。なお、第２保護膜４２は、キャビティ部１４の開口部を覆って設けられる。ただし、上述したように第２保護膜４２は設けられなくてもよい。この場合、支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂに直接に積層され得る。あるいは、第２保護膜４２は、壁部１３の上面と圧電層２０の第２主面２０ｂとの間の領域に設けられ、キャビティ部１４と重なる領域には設けられなくてもよい。
　支持基板１１は、シリコンにより形成されている。シリコンの圧電層２０側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のシリコンが望ましい。もっとも、支持基板１１についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板１１の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３に示すように、第１実施形態の弾性波装置１０では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２０の第１主面２０ａと第２主面２０ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られる。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２０の交差領域Ｃ（図１参照）に含まれる第１領域２５１と、交差領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３１と電極指３２との間に、電極指３２が電極指３１よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。ここで、仮想平面ＶＰ１は、圧電層２０の厚み方向に直交し圧電層２０を２分する平面である。第１領域２５１は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第１主面２０ａとの間の領域である。第２領域２５２は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２０ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１０では、電極指３１と電極指３２とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３１がホット電位に接続される電極であり、電極指３２がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３１がグラウンド電位に、電極指３２がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図５に示す共振特性を得た弾性波装置１０の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２０：オイラー角（０°、０°、９０°）のニオブ酸リチウム
　圧電層２０の厚み：４００ｎｍ
　交差領域Ｃの長さ：４０μｍ
　電極指３１、電極指３２からなる電極の対数：２１対
　電極指３１と電極指３２との間の電極間ピッチ：３μｍ
　電極指３１、電極指３２の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　第１保護膜４１、第２保護膜４２：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板１１：シリコン
　第１実施形態では、電極指３１、電極指３２からなる電極対の電極間ピッチは、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３１と電極指３２とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２０の厚みをｄ、電極指３１と電極指３２との電極間ピッチをｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図６では、図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、圧電層２０の厚みｄについて、圧電層２０が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０では、圧電層２０の第１主面２０ａ上において、電極指３１と電極指３２とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置１０では、電極の対数は１対であってもよい。この場合でも、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１０では、好ましくは、交差領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３１、電極指３２のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図８に示すように、矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつニオブ酸リチウムのオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１を参照して説明する。図１の電極構造において、１対の電極指３１、電極指３２に着目した場合、この１対の電極指３１、電極指３２のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が交差領域Ｃとなる。この交差領域Ｃとは、電極指３１と電極指３２とを、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３１における電極指３２と重なり合っている領域、電極指３２における電極指３１と重なり合っている領域、及び、電極指３１と電極指３２との間の領域における電極指３１と電極指３２とが重なり合っている領域である。そして、この交差領域Ｃの面積に対する、交差領域Ｃ内の電極指３１、電極指３２の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の交差領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３１、電極指３２が設けられている場合、交差領域Ｃの面積の合計に対する全交差領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、Ｚカットのニオブ酸リチウムからなる圧電層２０を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２０を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１０において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１０を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のニオブ酸リチウムのオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　次に負荷膜５０の詳細な構成について説明する。図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。なお、図１２では、複数の電極指３１、３２の配列方向の一方に配置された反射器７０と重なる負荷膜５０（第１延在部５１）について説明するが、反射器７０とは反対側で、複数の電極指３１、３２の配列方向の他方に配置された反射器７１と重なる第２延在部５２（図１、２参照）も第１延在部５１と線対称となる配置関係を有している。第１延在部５１についての説明は、第２延在部５２にも適用できる。また、以下の説明において、第１延在部５１及び第２延在部５２を区別して説明する必要が無い場合には、単に負荷膜５０と表す。
　図１２に示すように負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられ、反射器７０の一部と重なって設けられる。本実施形態では、負荷膜５０は、ＩＤＴ電極３０（複数の電極指３１、３２）とは重ならない領域に設けられる。すなわち、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２の配列方向でＩＤＴ電極３０よりも外側に配置される。また、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。具体的には、電極指３１、３２及び反射器７０が設けられた領域、及び、電極指３１、３２及び反射器７０が設けられていない領域に亘って、第１保護膜４１の上面は実質的に平坦に形成される。
　負荷膜５０は第１保護膜４１の上面から突出して設けられる。反射器７０と重なる領域で、負荷膜５０と第１保護膜４１とで段差が形成される。より詳細には、圧電層２０の第１主面２０ａの上に、反射器７０、第１保護膜４１の順に積層される領域と、反射器７０、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される領域と、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される領域と、を有する。反射器７０と重なる領域で、第１保護膜４１が設けられ負荷膜５０が設けられない部分と、負荷膜５０と第１保護膜４１とが積層される部分と、で段差が形成される。
　負荷膜５０は、反射器７０に対して、複数の電極指３１、３２の配列方向の外側にずれた位置に設けられる。負荷膜５０の一方の側面は、反射器７０の幅方向の中点と重なって配置され、負荷膜５０の他方の側面は、反射器７０よりも配列方向の外側に位置する。すなわち、負荷膜５０は、反射器７０と重畳する重畳領域と、反射器７０と重畳しない非重畳領域と、を含む。負荷膜５０の幅Ｗ１は例えば１．２μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．６μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．６μｍである。
　上述したように、ＩＤＴ電極３０において電極指３１、３２の電極間ピッチは、２．３８μｍであり、電極幅はそれぞれ０．６μｍである。配列方向で最も外側に位置する電極指３１と反射器７０との電極間ピッチは２．３８μｍである。反射器７０の電極幅は１．２μｍである。すなわち、反射器７０の電極幅は、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、３２の電極幅よりも大きい。また、反射器７０及びＩＤＴ電極３０の電極指３１、３２は、同じ電極間ピッチを有して配列される。
　本実施形態では、負荷膜５０の膜厚ｔ４は５５ｎｍである。また、上述したように、第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は１４２ｎｍであり、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３及び反射器７０の膜厚ｔ５は、１１２ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、負荷膜５０の膜厚ｔ４よりも厚く、かつ、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３及び反射器７０の膜厚ｔ５よりも厚い。
　負荷膜５０は、第１保護膜４１と同じ材料で形成される。本実施形態では、負荷膜５０及び第１保護膜４１は、酸化ケイ素で形成される。なお、負荷膜５０及び第１保護膜４１が同じ材料で形成された場合であっても、負荷膜５０の密度は、第１保護膜４１の密度と異なっていてもよい。例えば、負荷膜５０が蒸着により成膜されている場合、負荷膜５０の実際の密度は、第１保護膜４１の密度よりも小さい。
　このように、負荷膜５０が反射器７０と重なって設けられているので、反射器７０と重なる領域において、負荷膜５０と第１保護膜４１とが積層された領域は、負荷膜５０が設けられず第１保護膜４１のみが積層された領域と異なる音響インピーダンスを有する。この結果、負荷膜５０と第１保護膜４１との段差部（負荷膜５０の側面と重なる部分）において、音響反射面Ｒが形成される。
　これにより、圧電層２０に励振された弾性波は音響反射面Ｒで反射されるので、弾性波装置１０は、複数の電極指３１、３２の配列方向で弾性波の漏洩を抑制できる。
　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。より詳しくは、図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンスの実部、すなわち、コンダクタンス成分を示す説明図である。図１３に示すアドミタンス特性は、第１実施形態に係る弾性波装置１０のアドミタンス特性のシミュレーション結果を示す。また、図１３では、比較例に係る弾性波装置のアドミタンス特性のシミュレーション結果も併せて示す。比較例は、第１実施形態に対して負荷膜５０を有さない弾性波装置である。
　図１３に示すように、比較例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる周波数領域でリップルが生じている。比較例では、特に、点線Ｅ１、Ｅ２で示す大きなリップルが生じている。これに対し、第１実施形態に係る弾性波装置１０では、負荷膜５０を設けることにより、比較例に比べて、点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。第１実施形態に係る弾性波装置１０は、比較例に係る弾性波装置より、共振周波数よりも高周波側の点線Ｅ２で示す周波数範囲で伝搬ロスが抑制されており、弾性波の漏洩が抑制されていることがわかる。
　図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図１５は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図１４及び図１５では、第１実施形態及び比較例について、横軸をＸ方向（電極指３１、３２の配列方向）とし、縦軸を周波数として、圧電層２０の変位の大きさの分布を示している。図１４及び図１５の上図には、それぞれＸ方向に対応する弾性波装置の断面図を模式的に示し、図１４及び図１５の左図には、弾性波装置のインピーダンス特性を示している。
　図１５に示すように、比較例に係る弾性波装置では、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、大きな周波数依存性を有する。例えば、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数によってずれており、電極間で安定して励振されていない。また、所定のＸ位置（Ｘ＝５．０μｍ近傍）に注目すると、共振周波数５０３０ＭＨｚ及びリップルが生じた周波数４９００ＭＨｚ、５１２０ＭＨｚで位相が反転している。このように、比較例に係る弾性波装置では、理想的な励振モードが得られない場合がある。
　これに対し、図１４に示すように第１実施形態に係る弾性波装置１０では、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、周波数依存性を有していない。すなわち、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数よらず一定であり、電極間で安定して励振されていることが示された。また、変位の大きさ（振幅）も電極間の領域ごとに一定となっており、共振周波数及びリップルが生じた周波数配列での位相の反転も生じていない。このように、配列方向の最も外側に位置する反射器７０、７１と重なる位置に負荷膜５０を設けるのみで、比較例に比べて良好な励振モードが得られることが示された。
　なお、上述した負荷膜５０、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０、反射器７０、７１の形状、幅、膜厚等はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、負荷膜５０の側面はテーパー状に形成されていてもよい。図１に示す負荷膜５０の第１延在部５１と第２延在部５２とは、同じ幅、同じ膜厚であってもよい。あるいは、負荷膜５０の第１延在部５１と第２延在部５２とは、例えば製造工程上のばらつきにより異なる幅、異なる膜厚を有していてもよい。
　また、負荷膜５０の材料は、第１保護膜４１と同じ材料、例えば酸化ケイ素である例を説明した。ただし、これに限定されず、負荷膜５０は第１保護膜４１と異なる材料であってもよい。例えば、負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも密度が高い材料、例えば酸化タンタルで形成されてもよい。なお、本実施形態における「密度」とは、特に説明が無い場合、材料固有の物性値を表す。
　あるいは、負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも密度が低い材料、例えば炭素添加酸化ケイ素で形成されてもよい。あるいは、負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも硬さが硬い材料、例えば窒化ケイ素で形成されていてもよい。なお、本実施形態における「硬さ」とは、特に説明が無い場合、材料固有の物性値を表す。
　上述した負荷膜５０の材料はあくまで一例であり適宜変更することができる。負荷膜５０は、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つから形成される。負荷膜５０は、単層膜に限定されず積層膜であってもよい。負荷膜５０は、上記材料のうち２以上を組み合わせてもよい。
（第１実施形態の第１変形例）
　図１６は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１６に示すように第１変形例に係る弾性波装置１０Ａにおいて、負荷膜５０は、第１保護膜４１の上、及び、第２保護膜４２の下面のそれぞれに設けられる。第２保護膜４２の下面とは、第２保護膜４２の、支持基板１１（図２参照）と対向する面である。以下の説明では、第１保護膜４１の上に設けられた負荷膜５０を上部負荷膜５０Ａと表し、第２保護膜４２の下面に設けられた負荷膜５０を下部負荷膜５０Ｂと表す。なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂを区別する必要が無い場合には、単に負荷膜５０と表す。
　本実施形態では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、同じ材料で形成され、例えば酸化ケイ素が用いられる。上部負荷膜５０Ａの第１延在部５１及び下部負荷膜５０Ｂの下部第１延在部５４は、重なって設けられ、それぞれ反射器７０の一部と重なって設けられる。
　上部負荷膜５０Ａ（第１延在部５１）の幅Ｗ１及び下部負荷膜５０Ｂ（下部第１延在部５４）の幅Ｗ２は、上述した第１実施形態と同様に、それぞれ１．２μｍである。上部負荷膜５０Ａの重畳領域の幅Ｗ１ａ及び下部負荷膜５０Ｂの重畳領域の幅Ｗ２ａは、それぞれ例えば０．６μｍである。上部負荷膜５０Ａの非重畳領域の幅Ｗ１ｂ及び下部負荷膜５０Ｂの非重畳領域の幅Ｗ２ｂは、それぞれ例えば０．６μｍである。
　なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、同じ材料、同じ形状を有する例を示したがこれに限定されない。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、異なる材料、異なる形状を有していてもよい。
　例えば、上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１は、下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２と異なっていてもよい。下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２は、上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１よりも長くてもよい。あるいは、下部負荷膜５０Ｂの幅Ｗ２は、上部負荷膜５０Ａの幅Ｗ１よりも短くてもよい。
　また、上部負荷膜５０Ａの膜厚は、下部負荷膜５０Ｂの膜厚と異なっていてもよい。例えば、上部負荷膜５０Ａの膜厚は、下部負荷膜５０Ｂの膜厚よりも薄くてもよい。あるいは、上部負荷膜５０Ａの膜厚は、下部負荷膜５０Ｂの膜厚よりも厚くてもよい。
　また、上部負荷膜５０Ａの材料は、下部負荷膜５０Ｂの材料と異なっていてもよい。例えば、上部負荷膜５０Ａの材料は酸化ケイ素が用いられ、下部負荷膜５０Ｂの材料は炭素添加酸化ケイ素が用いられてもよい。これに限定されず、上部負荷膜５０Ａの材料及び下部負荷膜５０Ｂの材料は、上述した各材料を適宜組み合わせることができる。
（第１実施形態の第２変形例）
　図１７は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態では、負荷膜５０が、圧電層２０の第１主面２０ａ側であって、第１保護膜４１の上に設けられる構成について説明したが、これに限定されない。図１７に示すように、第２変形例に係る弾性波装置１０Ｂにおいて、負荷膜５０（下部第１延在部５４）は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側であって、第２保護膜４２の下面に設けられる。言い換えると、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側には設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。
　第２保護膜４２の下面は、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。負荷膜５０は、第２保護膜４２の下面に設けられ、反射器７０の一部と重なって設けられる。負荷膜５０は、第２保護膜４２の下面から突出して設けられる。本実施形態では、反射器７０と重なる領域で、圧電層２０の第２主面２０ｂに、第２保護膜４２が設けられ負荷膜５０が設けられない領域と、第２保護膜４２と負荷膜５０とが積層される領域と、を有する。これにより、反射器７０と重なる領域で、負荷膜５０と第２保護膜４２とで段差が形成される。
　第２変形例において、負荷膜５０は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と同じ材料が用いられ、例えば酸化ケイ素で形成される。負荷膜５０の幅Ｗ２は例えば１．２μｍである。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ２ａは例えば０．６μｍである。負荷膜５０の非重畳領域の幅Ｗ２ｂは例えば０．６μｍである。
　なお、平面視での下部第１延在部５４の構成は、第１延在部５１（図１参照）と同様であり繰り返しの説明は省略する。また、図示は省略するが、下部第１延在部５４の、複数の電極指３１、３２の配列方向の反対側にも、反射器７１（図１参照）と重なる位置に下部第２延在部が設けられる。
　第２変形例では、第１実施形態及び第１変形例に比べて第１保護膜４１の上に負荷膜５０が設けられていないので、第１保護膜４１の膜厚を変更して、共振周波数の調整を容易に行うことができる。
（第１実施形態の第３変形例）
　図１８は、第１実施形態の第３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態、第１変形例及び第２変形例では、負荷膜５０が第１保護膜４１の上、及び、第２保護膜４２の下面の少なくとも一方に設けられる構成について説明したが、これに限定されない。
　図１８に示すように、第３変形例に係る弾性波装置１０Ｃにおいて、負荷膜５０は圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２は、負荷膜５０を覆って圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２の下面は、負荷膜５０と重なる領域、及び、負荷膜５０と重ならない領域に亘って平坦に設けられる。また、本変形例では、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側には設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。
　負荷膜５０は、反射器７０の一部と重なって設けられる。第３変形例において、負荷膜５０は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と異なる材料が用いられ、例えば酸化タンタルで形成される。これに限定されず、負荷膜５０は、炭素添加酸化ケイ素、窒化ケイ素等、上述した材料を用いることができる。
（第１実施形態の第４変形例）
　図１９は、第１実施形態の第４変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図１９に示すように、第４変形例に係る弾性波装置１０Ｄにおいて、負荷膜５０は、反射器７０の上に設けられる。より具体的には、負荷膜５０は、反射器７０の上面、側面、及び、反射器７０が設けられていない部分の圧電層２０の第１主面２０ａに亘って設けられる。負荷膜５０は、圧電層２０と反射器７０とで形成される段差に倣って設けられる。
　負荷膜５０は酸化タンタルで形成されている。これに限定されず、負荷膜５０は、炭素添加酸化ケイ素、窒化ケイ素等、上述した材料を用いることができる。負荷膜５０の幅Ｗ１、Ｗ１ａ、Ｗ１ｂは上述した第１実施形態と同じ大きさで形成される。負荷膜５０の膜厚は、上述した第１実施形態に比べて薄い。また、負荷膜５０と反射器７０との合計の膜厚は、第１保護膜４１の膜厚よりも薄い。
　第１保護膜４１は、負荷膜５０、反射器７０及びＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。すなわち、反射器７０と重なる領域で、負荷膜５０及び第１保護膜４１の順に積層される部分と、第１保護膜４１が設けられ負荷膜５０が設けられない部分と、を有する。第１保護膜４１の上面は、負荷膜５０、反射器７０及びＩＤＴ電極３０と重なる領域、及び、負荷膜５０、反射器７０及びＩＤＴ電極３０が設けられていない領域に亘って平坦に形成される。
　第４変形例では、負荷膜５０の上面及び反射器７０の上面が第１保護膜４１によって覆われる例を示したが、これに限定されない。例えば、負荷膜５０の上面は第１保護膜４１の上面と同一面内に設けられてもよい。この場合、反射器７０と重なる領域で、負荷膜５０の膜厚と、第１保護膜４１の膜厚と、は等しくなる。
（第１実施形態の第５変形例）
　図２０は、第１実施形態の第５変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２０に示すように、第５変形例に係る弾性波装置１０Ｅにおいて、負荷膜５０は圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。反射器７０は、負荷膜５０の一部を覆うとともに圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。すなわち、圧電層２０の第１主面２０ａと垂直な方向で、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａと、反射器７０との間に設けられる。
　第１保護膜４１は、負荷膜５０、反射器７０及びＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。すなわち、本実施形態では、圧電層２０の第１主面２０ａの上に、反射器７０、第１保護膜４１の順に積層される領域と、負荷膜５０、反射器７０、第１保護膜４１の順に積層される領域と、負荷膜５０、第１保護膜４１の順に積層される領域と、を有する。第１保護膜４１の上面は、負荷膜５０、反射器７０及びＩＤＴ電極３０と重なる領域、及び、負荷膜５０、反射器７０及びＩＤＴ電極３０が設けられていない領域に亘って平坦に形成される。
　負荷膜５０は酸化ケイ素で形成される。これに限定されず、負荷膜５０は、酸化タンタル、炭素添加酸化ケイ素、窒化ケイ素等、上述した材料を用いることができる。また、本変形例においても、負荷膜５０と反射器７０との合計の膜厚は、第１保護膜４１の膜厚よりも薄い。
（第１実施形態の第６変形例）
　図２１は、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２１に示すように、第１実施形態の第６変形例に係る弾性波装置１０Ｆにおいて、負荷膜５０は、反射器７０と重なる第１延在部５１と、第１延在部５１よりも配列方向の外側であって、反射器７０及びＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられた外側負荷膜５３と、を有する。
　外側負荷膜５３は、第１延在部５１と同層に第１保護膜４１の上に設けられ、第１延在部５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５３は、第１延在部５１と同じ酸化ケイ素で形成される。外側負荷膜５３の膜厚ｔ６は、第１延在部５１の膜厚ｔ４と同じである。外側負荷膜５３の幅Ｗ３は、第１延在部５１の幅Ｗ１と同じ大きさである。ただし、これに限定されず、外側負荷膜５３の形状（膜厚ｔ５及び幅Ｗ３）は、第１延在部５１の形状（膜厚ｔ４及び幅Ｗ１）と異なっていてもよい。
　第６変形例は、上述した第１変形例から第５変形例と組み合わせることができる。すなわち、第１延在部５１及び外側負荷膜５３は、第１保護膜４１の上及び第２保護膜４２の下面の両方にそれぞれ設けられていてもよいし、第１保護膜４１の上に設けられず第２保護膜４２の下面に設けられていてもよい。あるいは、第１延在部５１及び外側負荷膜５３は、圧電層２０の第１主面２０ａ又は第２主面２０ｂに設けられていてもよい。
　第１変形例から第６変形例では、アドミタンス特性のシミュレーション結果を省略している。第１変形例から第６変形例のいずれにおいても、反射器７０、７１と重なる領域に負荷膜５０が設けられている。したがって、第１変形例から第６変形例では、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２あるいは点線Ｅ３（図１３参照）で示すリップルの少なくとも１つが抑制される。また、第１変形例から第６変形例のいずれにおいても、比較例に比べて伝搬ロスが抑制される。
（第２実施形態）
　図２２は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。図２２に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１０Ｇにおいて、反射器７０Ａは、複数の反射電極指７２、７３及び複数の反射バスバー電極７４、７５を有する。複数の反射電極指７２、７３は、間隔を有してＸ方向に隣り合って配置される。反射バスバー電極７４、７５は、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向で離隔して配置される。
　より詳細には、複数の反射電極指７２、７３は、ＩＤＴ電極３０の複数の電極指３１、３２の配列方向に配列され、電極指３１、３２の延在方向に沿って延在する。複数の反射電極指７２、７３の延在方向の一端側が反射バスバー電極７４に接続される。複数の反射電極指７２、７３の延在方向の他端側が反射バスバー電極７５に接続される。
　反射器７１Ａは、複数の反射電極指７６、７７及び複数の反射バスバー電極７８、７９を有する。反射器７１Ａの構成は反射器７０Ａと同様であり、繰り返しの説明は省略する。
　なお、反射器７０Ａは２つの反射電極指７２、７３を有し、反射器７１Ａは２つの反射電極指７６、７７を有する。ただし、これに限定されず、反射器７０Ａ、７１Ａは、それぞれ３以上の反射電極指を有していてもよい。
　図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ’断面図である。なお、図２３では、反射器７０Ａと重なる領域に設けられた負荷膜５０（第１延在部５１ａ、５１ｂ）について説明するが、反射器７０Ａと反対側の反射器７１Ａと重なる領域に設けられた負荷膜５０（第２延在部５２ａ、５２ｂ）も第１延在部５１ａ、５１ｂと線対称となる配置関係を有している。第１延在部５１ａ、５１ｂについての説明は、第２延在部５２ａ、５２ｂにも適用できる。
　図２３に示すように、複数の反射電極指７２、７３ごとに複数の負荷膜５０が設けられる。より詳細には、複数の負荷膜５０は、２つの第１延在部５１ａ、５１ｂを有する。複数の負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂは、第１保護膜４１の上に設けられる。第１延在部５１ａは、配列方向で最も外側に位置する反射電極指７２と重なる領域に設けられ、反射電極指７２の延在方向に沿って延在する。第１延在部５１ｂは、反射電極指７２と隣接する反射電極指７３と重なる領域に設けられ、反射電極指７３の延在方向に沿って延在する。反射電極指７２に重なる負荷膜５０（第１延在部５１ａ）と、反射電極指７３に重なる負荷膜５０（第１延在部５１ｂ）とは離隔して配置される。
　第２実施形態では、複数の負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂの材料、形状はそれぞれ第１実施形態の負荷膜５０と同様である。すなわち、負荷膜５０は、第１実施形態と同様に、酸化ケイ素で形成される。負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂの膜厚ｔ４は５５ｎｍである。負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂの幅Ｗ１は例えば１．２μｍである。負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂの重畳領域の幅Ｗ１ａは例えば０．６μｍである。負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂの非重畳領域の幅Ｗ１ｂは例えば０．６μｍである。
　なお、第１延在部５１ａ、５１ｂの幅Ｗ１、Ｗ１ａ、Ｗ１ｂはあくまで一例であり、適宜変更できる。また、負荷膜５０の第１延在部５１ａの幅Ｗ１、膜厚ｔ４は、第１延在部５１ｂの幅Ｗ１、膜厚ｔ４と異なっていてもよい。また、負荷膜５０の材料は酸化ケイ素に限定されず、負荷膜５０の第１延在部５１ａ、５１ｂは、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つから形成される。
（第２実施形態の第７変形例）
　図２４は、第２実施形態の第７変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図２４に示すように、第７変形例に係る弾性波装置１０Ｈにおいて、負荷膜５０は、反射器７０Ａの反射電極指７２、及び、反射電極指７２と隣接する反射電極指７３と重なる領域に設けられる。
　負荷膜５０は、２本の反射電極指７２、７３に亘って連続して設けられる。負荷膜５０の一方の側面は、反射電極指７３の幅方向の中点と重なって配置され、負荷膜５０の他方の側面は、反射電極指７２よりも配列方向の外側に位置する。
　負荷膜５０は、第２実施形態と同様に、酸化ケイ素で形成される。これに限定されず、負荷膜５０は、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つから形成される。
　第２実施形態及び第７変形例では、負荷膜５０（第１延在部５１、５１ａ、５１ｂ）が第１保護膜４１の上に設けられる構成について説明した。ただし、第２実施形態及び第７変形例は、上述した第１変形例から第６変形例と組み合わせることができる。すなわち、負荷膜５０は、第１保護膜４１の上及び第２保護膜４２の下面の両方にそれぞれ設けられていてもよいし、第１保護膜４１の上に設けられず第２保護膜４２の下面に設けられていてもよい。あるいは、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ又は第２主面２０ｂに設けられていてもよい。あるいは、負荷膜５０は、第１延在部５１、５１ａ、５１ｂよりも配列方向の外側であって、反射器７０Ａ及びＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられた外側負荷膜５３を有していてもよい。
　第２実施形態及び第７変形例では、アドミタンス特性のシミュレーション結果を省略している。第２実施形態及び第７変形例のいずれにおいても、反射器７０Ａ、７１Ａと重なる領域に負荷膜５０が設けられている。したがって、第２実施形態及び第７変形例では、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２あるいは点線Ｅ３（図１３参照）で示すリップルの少なくとも１つが抑制される。また、第２実施形態及び第７変形例のいずれにおいても、比較例に比べて伝搬ロスが抑制される。
（第３実施形態）
　図２５は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。図２５に示すように第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｉにおいて、負荷膜５０は枠状に形成される。具体的には、負荷膜５０は、第１延在部５１と、第２延在部５２と、第３延在部５５と、第４延在部５６と、を含む。
　第１延在部５１は、複数の電極指３１、３２の配列方向でＩＤＴ電極３０よりも外側に位置する反射器７０（第１反射器）と重なる領域に設けられ反射器７０の延在方向に沿って延在する。第２延在部５２は、複数の電極指３１、３２の配列方向で、反射器７０の反対側でＩＤＴ電極３０よりも外側に位置する反射器７１（第２反射器）と重なる領域に設けられ反射器７１の延在方向に沿って延在する。
　第３延在部５５は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の一端側に接続され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。また、第３延在部５５は、複数の電極指３１の延在方向の端部と重なって延在する。第４延在部５６は、第１延在部５１及び第２延在部５２の延在方向の他端側に接続され、複数の電極指３１、３２の配列方向に延在する。また、第４延在部５６は、複数の電極指３２の延在方向の端部と重なって延在する。
　このように、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｉでは、負荷膜５０は枠状に連続して形成される。これにより、音響反射面Ｒ（図１２参照）は、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６のそれぞれに沿って形成される。したがって、弾性波装置１０Ｉは、複数の電極指３１、３２の配列方向で弾性波の漏洩を抑制するとともに、複数の電極指３１、３２の延在方向で弾性波の漏洩を抑制することができる。
　第３延在部５５及び第４延在部５６は、第１実施形態（図１２参照）に示す第１延在部５１及び第２延在部５２と同層に設けられ、同じ材料、同じ膜厚で形成される。これにより、第３延在部５５及び第４延在部５６は、第１延在部５１及び第２延在部５２と同一工程で形成できるため、製造コストを低減できる。
　第３実施形態において負荷膜５０は、第１実施形態（図１２参照）と同様に第１保護膜４１の上に設けられる。ただし、これに限定されず、第３実施形態の負荷膜５０は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。
　図２５において、負荷膜５０は連続した枠状であり、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６が接続される構成を説明した。ただし、これに限定されず、負荷膜５０の一部にスリットが形成され、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６の少なくとも１つが他の部分と離隔して設けられていてもよい。例えば、第３延在部５５及び第４延在部５６の少なくとも一方は、第１延在部５１及び第２延在部５２と離隔して配置される構成であってもよい。
　また、図２５では、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６が同じ幅を有する構成を説明した。ただし、これに限定されず、第１延在部５１、第２延在部５２、第３延在部５５及び第４延在部５６の少なくとも１つが他の部分と異なる幅（延在方向と直交する方向の長さ）を有してもよい。例えば、第３延在部５５及び第４延在部５６の幅（延在方向と直交する方向の長さ）は、第１延在部５１及び第２延在部５２の幅（延在方向と直交する方向の長さ）よりも大きくてもよい。
（第４実施形態）
　図２６は、第４実施形態に係る弾性波装置を示す回路図である。図２６に示すように第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｊは、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７と、を含む。複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路に直列に接続される。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路と、グランド６８との間に並列に接続される。第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｊは、いわゆるラダー型フィルタとなっている。
　直列接続された複数の直列腕共振子６１、６２、６３の一方の端子は、入力端子６０Ａに電気的に接続され、他方の端子が出力端子６０Ｂに電気的に接続される。並列腕共振子６４の一方の端子は、入力端子６０Ａと電気的に接続され、他方の端子はグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６５の一方の端子は、直列腕共振子６１と直列腕共振子６２との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６６の一方の端子は、直列腕共振子６２と直列腕共振子６３との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６７の一方の端子は、出力端子６０Ｂに電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。
　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、異なる構成の負荷膜５０を採用している。例えば、複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、第１実施形態（図１２、１３参照）に示す負荷膜５０を有する。複数の直列腕共振子６１、６２、６３のアドミタンス特性は、図１３と同様であり、繰り返しの説明は省略する。
　一方、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、例えば第１実施形態と異なる第２実施形態に示す負荷膜５０を有する。
　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、負荷膜５０の構成を変えることにより、フィルタとしてよりよい出力波形を得ることができる。
　第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｊでは、第１実施形態及び第２実施形態に示す負荷膜５０と組み合わせる例を示したが、これに限定されない。第４実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。
（第８変形例）
　図２７は、第８変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、支持基板１１がキャビティ部１４を有し、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造について説明したが、これに限定されない。
　図２７に示すように、第８変形例に係る弾性波装置１０Ｋでは、圧電層２０の第２主面２０ｂに音響多層膜４３が積層されている。音響多層膜４３は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄとの積層構造を有する。低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅは、例えば酸化ケイ素の層であり、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、例えばタングステン、白金等の金属層又は窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の誘電体層である。音響多層膜４３を用いた場合、キャビティ部１４を用いずとも、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２０内に閉じ込めることができる。
　弾性波装置１０Ｋにおいても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑り１次モードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜４３においては、その低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの積層数は特に限定されない。少なくとも１層の高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄが、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅよりも圧電層２０から遠い側に配置されていればよい。
　上記低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅの材料としては、酸化ケイ素又は、酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素又は、金属などを挙げることができる。
　図２７では、第１実施形態に示す負荷膜５０が設けられた例を示したが、これに限定されない。第８変形例は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。
（第９変形例）
　図２８は、第９変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、ＩＤＴ電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる構成について説明したがこれに限定されない。図２８に示すように、第９変形例に係る弾性波装置１０Ｌは、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられた第１ＩＤＴ電極３０Ａと、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられた第２ＩＤＴ電極３０Ｂと、を有する。第１ＩＤＴ電極３０Ａ及び第２ＩＤＴ電極３０Ｂは、ＩＤＴ電極３０（図１、２参照）と同様の構成を有する。
　第２ＩＤＴ電極３０Ｂの複数の電極指３６（図２８では１つのみ図示する）は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの複数の電極指３１と重なる領域に設けられる。第２ＩＤＴ電極３０Ｂの電極指３６は、第１ＩＤＴ電極３０Ａの電極指３１と同じ幅、同じ電極間ピッチを有して設けられる。
　また、第９変形例に係る弾性波装置１０Ｌは、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられた上部反射器７０Ｂと、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられた下部反射器７０Ｃと、を有する。上部反射器７０Ｂは第１ＩＤＴ電極３０Ａと同層に設けられ、下部反射器７０Ｃは第２ＩＤＴ電極３０Ｂと同層に設けられる。上部反射器７０Ｂ及び下部反射器７０Ｃは、第１実施形態の反射器７０、７１と同様の構成を有する。
　下部反射器７０Ｃは上部反射器７０Ｂと重なる領域に設けられる。負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられ、上部反射器７０Ｂ及び下部反射器７０Ｃと重なる領域に設けられる。
　第９変形例では、圧電層２０の第１主面２０ａに第１ＩＤＴ電極３０Ａ及び上部反射器７０Ｂが設けられ、圧電層２０の第２主面２０ｂに第２ＩＤＴ電極３０Ｂ及び下部反射器７０Ｃが設けられるので、周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を改善することができる。
　図２８では、第１実施形態に示す負荷膜５０が設けられた例を示したが、これに限定されない。第９変形例は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。
（第１０変形例）
　図２９は、第１０変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３０は、高次モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。図２９に示す第１０変形例に係る弾性波装置は、上述した第１実施形態に係る弾性波装置１０において、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた構成について説明する。
　図２９は、第１０変形例に係る弾性波装置の、アドミタンスの絶対値の周波数特性を示している。図２９に示すように、第１０変形例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる一点鎖線Ｆ１に示す周波数領域で、高次モードの共振が生じている（以下、Ｓ２モードと表す）。
　図３０に示すグラフの横軸は、第１保護膜４１の膜厚ｔ１と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ１＋ｔＬＮ／２）と、第２保護膜４２の膜厚ｔ２と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ２＋ｔＬＮ／２）と、の比（（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２））を示す。図３０に示すグラフの縦軸は、Ｓ２モードの強度に対応する。
　図３０において、矢印Ｆ２、Ｆ３で示す範囲は、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置の構成における、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）を示す。特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が、０．９３以下、かつ、１．０７以上であり、Ｓ２モードの強度が大きい。
　これに対し、第１０変形例では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が０．９４以上１．０６以下の範囲であり、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置に比べてＳ２モードの強度が小さくなる。言い換えると、第１０変形例では、圧電層２０の膜厚中央から第１保護膜４１の天面までの距離の合計をＡとし、圧電層２０の膜厚中央から第２保護膜４２の天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となることが好ましい。
　なお、第１０変形例では、第１実施形態に係る弾性波装置１０において第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた場合について説明したが、これに限定されない。第１０変形例における第１保護膜４１の膜厚ｔ１、圧電層２０の膜厚ｔＬＮ及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２の関係は、上述した各実施形態及び各変形例と組み合わせることができる。
　なお、上記した実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。
　なお、本開示は、下記の構成をとることもできる。
（１）第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記複数の電極指の配列方向で前記ＩＤＴ電極と隣り合って配置された反射器と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
　前記反射器と前記第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
　弾性波装置。
（２）前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
　（１）に記載の弾性波装置。
（３）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極及び前記反射器を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の上に設けられる
　（２）に記載の弾性波装置。
（４）前記反射器と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される
　（３）に記載の弾性波装置。
（５）前記圧電層の前記第１方向で、前記負荷膜は、前記圧電層の前記第１主面と、前記反射器との間に設けられる
　（１）に記載の弾性波装置。
（６）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられる
　（２）に記載の弾性波装置。
（７）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面に設けられ、
　前記第２保護膜は、前記負荷膜を覆う
　（２）に記載の弾性波装置。
（８）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極及び前記反射器を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記反射器の上に設けられ、
　前記第１保護膜は、前記負荷膜及び前記反射器を覆う
　（２）に記載の弾性波装置。
（９）前記反射器は、前記配列方向に配列された複数の反射電極指を有し、
　前記複数の反射電極指は、それぞれ前記ＩＤＴ電極の前記電極指の延在方向に沿って延在し、
　前記負荷膜は、前記複数の反射電極指と重なる領域に設けられる
　（１）から（８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１０）前記負荷膜は、前記反射器と重なる領域に設けられた第１延在部と、前記第１延在部よりも前記配列方向の外側であって、前記反射器及び前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた外側負荷膜と、を有する
　（１）から（９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１１）前記保護膜の膜厚は、前記圧電層の膜厚よりも薄い
　（２）に記載の弾性波装置。
（１２）前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる
　（１）から（１１）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１３）少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が（１）から（１２）のいずれか１つに記載の弾性波装置である
　弾性波フィルタ装置。
（１４）入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜は、前記並列腕共振子の前記負荷膜と異なる構成を有する
　（１３）に記載の弾性波フィルタ装置。
（１５）前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する第１反射器と重なる領域に設けられ前記第１反射器の延在方向に沿って延在し、
　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２反射器と重なる領域に設けられ前記第２反射器の延在方向に沿って延在し、
　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に接続され、前記配列方向に延在し、
　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に接続され、前記配列方向に延在する
　（１）から（１２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１６）前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する第１反射器と重なる領域に設けられ前記第１反射器の延在方向に沿って延在し、
　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２反射器と重なる領域に設けられ前記第２反射器の延在方向に沿って延在し、
　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に配置され、前記配列方向に延在し、
　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に配置され、前記配列方向に延在し、
　前記第３延在部及び前記第４延在部の少なくとも一方は、前記第１延在部及び前記第２延在部と離隔して配置される
　（１）から（１２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１７）前記負荷膜及び前記保護膜は、同じ材料で形成され、
　前記負荷膜の密度は、前記保護膜の密度と異なる
　（２）に記載の弾性波装置。
（１８）前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される
　（２）に記載の弾性波装置。
（１９）前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである
　（１）から（１２）及び（１５）から（１８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２０）前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
　（２）に記載の弾性波装置。
（２１）前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い
　（２）に記載の弾性波装置。
（２２）前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる
　（２０）に記載の弾性波装置。
（２３）前記第１保護膜の上面、及び、前記第２保護膜の下面は平坦に形成される
　（２０）に記載の弾性波装置。
（２４）前記負荷膜の材料は、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる
　（１）から（１１）及び（１５）から（２３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２５）ｄ／ｐが０．２４以下である
　（１）から（１１）及び（１５）から（２４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２６）前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
　（１）から（１１）及び（１５）から（２５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２７）前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる
　（１）から（１１）及び（１５）から（２６）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２８）前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
　（１）から（１１）及び（１５）から（２７）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
（２９）前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　（１）から（１１）及び（１５）から（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３０）前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
　（１）から（１１）及び（１５）から（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ　弾性波装置
　１１　支持基板
　１２　底部
　１３　壁部
　１４　キャビティ部
　２０、２０１　圧電層
　２０ａ、２０１ａ　第１主面
　２０ｂ、２０１ｂ　第２主面
　３０　ＩＤＴ電極
　３１、３２　電極指
　３３、３４　バスバー電極
　４１　第１保護膜
　４２　第２保護膜
　５０　負荷膜
　５０Ａ　上部負荷膜
　５０Ｂ　下部負荷膜
　５１、５１ａ、５１ｂ　第１延在部
　５２、５２ａ、５２ｂ　第２延在部
　５３　外側負荷膜
　５４　下部第１延在部
　７０、７０Ａ、７１、７１Ａ　反射器
　７２、７３、７６、７７　反射電極指
　７４、７５、７８、７９　反射バスバー電極

Claims (30)

  1. 　第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
    　前記複数の電極指の配列方向で前記ＩＤＴ電極と隣り合って配置された反射器と、
    　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
    　前記反射器と前記第１方向から平面視で重なる領域に設けられた負荷膜と、を有し、
    　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である
    　弾性波装置。
  2. 　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極及び前記反射器を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
    　前記負荷膜は前記第１保護膜の上に設けられる
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記反射器と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される
    　請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電層の前記第１方向で、前記負荷膜は、前記圧電層の前記第１主面と、前記反射器との間に設けられる
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  6. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
    　前記負荷膜は前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられる
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  7. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
    　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面に設けられ、
    　前記第２保護膜は、前記負荷膜を覆う
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  8. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極及び前記反射器を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
    　前記負荷膜は、前記反射器の上に設けられ、
    　前記第１保護膜は、前記負荷膜及び前記反射器を覆う
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  9. 　前記反射器は、前記配列方向に配列された複数の反射電極指を有し、
    　前記複数の反射電極指は、それぞれ前記ＩＤＴ電極の前記電極指の延在方向に沿って延在し、
    　前記負荷膜は、前記複数の反射電極指と重なる領域に設けられる
    　請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記負荷膜は、前記反射器と重なる領域に設けられた第１延在部と、前記第１延在部よりも前記配列方向の外側であって、前記反射器及び前記ＩＤＴ電極と重ならない領域に設けられた外側負荷膜と、を有する
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記保護膜の膜厚は、前記圧電層の膜厚よりも薄い
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  12. 　前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる
    　請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　少なくとも１つの共振子を接続してなる弾性波フィルタ装置であって、前記共振子が請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の弾性波装置である
    　弾性波フィルタ装置。
  14. 　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
    　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
    　前記直列腕共振子の前記負荷膜は、前記並列腕共振子の前記負荷膜と異なる構成を有する
    　請求項１３に記載の弾性波フィルタ装置。
  15. 　前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
    　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する第１反射器と重なる領域に設けられ前記第１反射器の延在方向に沿って延在し、
    　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２反射器と重なる領域に設けられ前記第２反射器の延在方向に沿って延在し、
    　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に接続され、前記配列方向に延在し、
    　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に接続され、前記配列方向に延在する
    　請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 　前記負荷膜は、第１延在部と、第２延在部と、第３延在部と、第４延在部と、を含み、
    　前記第１延在部は、前記配列方向で最も外側に位置する第１反射器と重なる領域に設けられ前記第１反射器の延在方向に沿って延在し、
    　前記第２延在部は、前記配列方向の反対側で最も外側に位置する第２反射器と重なる領域に設けられ前記第２反射器の延在方向に沿って延在し、
    　前記第３延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の一端側に配置され、前記配列方向に延在し、
    　前記第４延在部は、前記第１延在部及び前記第２延在部の延在方向の他端側に配置され、前記配列方向に延在し、
    　前記第３延在部及び前記第４延在部の少なくとも一方は、前記第１延在部及び前記第２延在部と離隔して配置される
    　請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記負荷膜及び前記保護膜は、同じ材料で形成され、
    　前記負荷膜の密度は、前記保護膜の密度と異なる
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  18. 　前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  19. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである
    　請求項１から請求項１２及び請求項１５から請求項１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  20. 　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  21. 　前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  22. 　前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる
    　請求項２０に記載の弾性波装置。
  23. 　前記第１保護膜の上面、及び、前記第２保護膜の下面は平坦に形成される
    　請求項２０に記載の弾性波装置。
  24. 　前記負荷膜の材料は、炭素添加酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  25. 　ｄ／ｐが０．２４以下である
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  26. 　前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
    　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  27. 　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  28. 　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
  29. 　前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  30. 　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている
    　請求項１から請求項１１及び請求項１５から請求項２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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