WO2024257837A1

WO2024257837A1 - 弾性波装置及び弾性波フィルタ装置

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Publication number: WO2024257837A1
Application number: PCT/JP2024/021583
Authority: WO
Inventors: 優太石井; 克也大門; 明洋井山
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2023-06-13
Filing date: 2024-06-13
Publication date: 2024-12-19
Anticipated expiration: 2025-12-13
Also published as: CN121312070A

Abstract

弾性波の漏洩を抑制することができる弾性波装置及び弾性波フィルタ装置を提供する。弾性波装置は、第１主面と第２主面とを有する圧電層と、圧電層の第１主面および第２主面の少なくとも一方に設けられ、複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、圧電層の第２主面と対向し、圧電層の第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、複数の電極指のうち、少なくとも配列方向の一方の外側から４本目の電極指から他方の外側から４本目の電極指まで、前記第１方向から平面視で重なる領域にわたって設けられた負荷膜と、を有する。複数の電極指のうち、配列方向で最も外側にある第１電極指と平面視で重なる領域の少なくとも一部には、負荷膜が設けられていない。圧電層の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

Description

弾性波装置及び弾性波フィルタ装置

　本発明は、弾性波装置及び弾性波フィルタ装置に関する。

　特許文献１及び特許文献２には、弾性波装置が記載されている。

特表２０２２－５２４１３６号公報米国特許第１１３４９４５０号明細書

　特許文献１及び特許文献２に示す弾性波装置は、電極指の配列方向で弾性波の漏洩が生じる可能性があった。

　本発明は、弾性波の漏洩を抑制することができる弾性波装置及び弾性波フィルタ装置を提供することを目的とする。

　一態様に係る弾性波装置は、第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、前記複数の電極指のうち、少なくとも配列方向の一方の外側から４本目の電極指から他方の外側から４本目の電極指まで前記第１方向から平面視で重なる領域にわたって設けられた負荷膜と、を有し、前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に配置される第１電極指と平面視で重なる領域の少なくとも一部には、前記負荷膜が設けられておらず、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。

　一態様に係る弾性波フィルタ装置は、少なくとも１つの共振子を備えるフィルタ装置であって、前記共振子が上記の弾性波装置である。

　本発明の弾性波装置及び弾性波フィルタ装置によれば、弾性波の漏洩を抑制することができる。

図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１６は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図１７は、第２実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１８は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図１９は、第３実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２０は、第４実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２１は、第４実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２２は、第５実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２３は、図２２に示す領域Ａ１を拡大して示す断面図である。図２４は、第５実施形態に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図２５は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図２６は、第６実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２７は、第７実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２８は、第８実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２９は、第９実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３０は、第１０実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３１は、第１１実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３２は、第１２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３３は、第１２実施形態の第３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３４は、第１３実施形態に係る弾性波フィルタ装置を示す回路図である。図３５は、第１４実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３６は、第１５実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３７は、第１６実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３８は、高次モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。

　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の弾性波装置を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。また、図１では第１保護膜４１及び負荷膜５０を二点鎖線で示している。

　図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１０は、圧電層２０と、ＩＤＴ電極３０と、支持基板１１と、第１保護膜４１と、第２保護膜４２と、負荷膜５０と、を有する。図２に示すように、弾性波装置１０は、支持基板１１の上に第２保護膜４２、圧電層２０、ＩＤＴ電極３０、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される。

　圧電層２０は、第１主面２０ａと、第１主面２０ａと反対側の第２主面２０ｂとを有する平板状である。圧電層２０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）で形成される。または、圧電層２０は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。好ましくは、圧電層２０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）を含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである。ここで、１２０°±１０°は、１２０°－１０°以上１２０°＋１０°以下の範囲を含み、９０°±１０°は、９０°－１０°以上９０°＋１０°以下の範囲を含む。

　圧電層２０の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。第１実施形態に係る圧電層２０の膜厚は、例えば１８０ｎｍ程度である。

　ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。図１に示すように、ＩＤＴ電極３０は、電極指３１、３２と、バスバー電極３３、３４と、を有する。複数の電極指３１は、Ｙ方向に延在し、延在方向の一端側がバスバー電極３３に接続される。複数の電極指３２は、Ｙ方向に延在し、延在方向の他端側がバスバー電極３４に接続される。複数の電極指３１と複数の電極指３２とは、間隔を有してＸ方向に交互に配列される。バスバー電極３３及びバスバー電極３４は、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向で離隔して配置される。バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に、複数の電極指３１、３２が配列される。

　以下の説明では、圧電層２０の厚み方向をＺ方向とし、電極指３１、３２の延在方向をＹ方向とし、電極指３１、３２の配列方向をＸ方向として、説明することがある。また、以下の説明において、平面視とは、圧電層２０の第１主面２０ａに垂直な方向から視たときの配置関係を示す。

　電極指３１と電極指３２との間の中心間距離（以下、電極間ピッチと表す）は、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極間ピッチとは、電極指３１の延在方向と直交する方向における電極指３１の幅寸法の中心と、電極指３２の延在方向と直交する方向における電極指３２の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。また、電極指３１、電極指３２の幅（以下、電極幅と表す）、すなわち電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。

　さらに、電極指３１、電極指３２の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３１、電極指３２を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３１、電極指３２の電極間ピッチは、１．５対以上の電極指３１、電極指３２のうち隣り合う電極指３１、電極指３２それぞれの中心間距離の平均値を指す。

　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向は、圧電層２０の分極方向に直交する方向となる。圧電層２０として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。

　ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２及びバスバー電極３３、３４）は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態ではＩＤＴ電極３０は、チタン（Ｔｉ）膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。

　より詳細には、ＩＤＴ電極３０の電極構成は、圧電層２０側からＴｉ／ＡｌＣｕ／Ｔｉ／ＡｌＣｕの積層膜であり、それぞれの膜厚は、１２ｎｍ／７０ｎｍ／１８ｎｍ／１２ｎｍである。また、ＩＤＴ電極３０の電極指３１、電極指３２の合計は５１本とした。電極指３１、３２の電極間ピッチは、２．３８μｍであり、電極幅はそれぞれ０．６μｍである。

　ここで、図１に示す交差領域Ｃ（励振領域）は、Ｘ方向に視たときに電極指３１と電極指３２とが重なっている領域である。交差領域Ｃの長さとは、交差領域Ｃでの電極指３１、電極指３２の延在方向での寸法である。本実施形態では、交差領域Ｃの長さは、例えば４０μｍである。

　駆動に際しては、複数の電極指３１と、複数の電極指３２との間に交流電圧が印加される。より具体的には、バスバー電極３３とバスバー電極３４との間に交流電圧が印加される。それによって、圧電層２０において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。

　また、弾性波装置１０では、圧電層２０の厚みをｄ、複数対の電極指３１、電極指３２の電極間ピッチをｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。

　第１実施形態の弾性波装置１０では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３１、電極指３２の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。

　第１保護膜４１は、ＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成されている。第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は、いずれも１４２ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１とは、交差領域Ｃにおける、第１主面２０ａ側の第１保護膜４１の面から第１主面２０ａと反対側の第１保護膜４１の面までの距離の合計の最大値を指す。第２保護膜４２の膜厚ｔ２とは、交差領域Ｃにおける、第２主面２０ｂ側の第２保護膜４２の面から第２主面２０ｂと反対側の第２保護膜４２の面までの距離の合計の最大値を指す。なお、第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、少なくとも一方が設けられていればよい。例えば第１保護膜４１が設けられ第２保護膜４２が設けられない構成であってもよい。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられる。負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２のうち、少なくとも、複数の電極指３１、３２の配列方向の外側から４本目の電極指３１から、第１電極指３１ａとは反対側で、外側から４本目の電極指３２まで重なる領域にわたって延在している。第１実施形態では、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２のうち、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する電極指３１（以下、第１電極指３１ａと表す）から、第１電極指３１ａとは反対側で、最も外側に位置する電極指３２（以下、第２電極指３２ａと表す）まで重なる領域にわたって延在している。

　以下の説明では、負荷膜５０のうち、複数の電極指３１、３２のうち、少なくとも、複数の電極指３１、３２の配列方向の外側から４本目の電極指３１から、第１電極指３１ａとは反対側で、外側から４本目の電極指３２まで重なる領域にわたって延在しているものを内側負荷膜５１と表すことがある。なお、負荷膜５０の詳細な構成については、図１２、図１３にて後述する。

　支持基板１１（支持部材）は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向して配置される。支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向する面にキャビティ部１４（空間部）を有する。より詳細には、支持基板１１は、底部１２と、底部１２の上面に枠状に設けられた壁部１３とを有する。底部１２と、壁部１３とで囲まれた空間にキャビティ部１４が形成される。支持基板１１の壁部１３の上面に、第２保護膜４２を介して圧電層２０が積層される。このように、弾性波装置１０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側にキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造を有する。なお、支持部材は、支持基板１１及び中間（絶縁）層を含んでいてもよい。すなわち、支持基板１１は、圧電層２の第２主面２ｂに間接に積層されていてもよい。その場合、支持基板１１及び中間層は、枠状の形状を有し、それによってキャビティ部１４が形成されていてもよい。また、中間層に凹部が設けられており、それによってキャビティ部１４が、形成されていてもよい。

　キャビティ部１４は、圧電層２０の交差領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。なお、第２保護膜４２は、キャビティ部１４の開口部を覆って設けられる。ただし、上述したように第２保護膜４２は設けられなくてもよい。この場合、支持基板１１は、圧電層２０の第２主面２０ｂに直接に積層され得る。または、第２保護膜４２は、壁部１３の上面と圧電層２０の第２主面２０ｂとの間の領域に設けられ、キャビティ部１４と重なる領域には設けられなくてもよい。

　支持基板１１は、シリコン（Ｓｉ）により形成されている。Ｓｉの圧電層２０側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板１１についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板１１の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。

　図３は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。

　図３に示すように、第１実施形態の弾性波装置１０では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２０の第１主面２０ａと第２主面２０ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。

　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２０の交差領域Ｃ（図１参照）に含まれる第１領域２５１と、交差領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３１と電極指３２との間に、電極指３２が電極指３１よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。ここで、仮想平面ＶＰ１は、圧電層２０の厚み方向に直交し圧電層２０を２分する平面である。第１領域２５１は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第１主面２０ａとの間の領域である。第２領域２５２は、交差領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２０ｂとの間の領域である。

　弾性波装置１０では、電極指３１と電極指３２とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３１、電極指３２からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。

　例えば、上記電極指３１がホット電位に接続される電極であり、電極指３２がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３１がグラウンド電位に、電極指３２がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。

　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。図５に示す共振特性を得た弾性波装置１０の設計パラメータは以下の通りである。

　圧電層２０：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ_３
　圧電層２０の厚み：４００ｎｍ

　交差領域Ｃの長さ：４０μｍ
　電極指３１、電極指３２からなる電極の対数：２１対
　電極指３１と電極指３２との間の電極間ピッチ：３μｍ
　電極指３１、電極指３２の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３

　第１保護膜４１、第２保護膜４２：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜

　支持基板１１：Ｓｉ

　第１実施形態では、電極指３１、電極指３２からなる電極対の電極間ピッチは、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３１と電極指３２とを等ピッチで配置した。

　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。

　ところで、上記圧電層２０の厚みをｄ、電極指３１と電極指３２との電極間ピッチをｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。

　図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。図６では、図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。

　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。

　なお、圧電層２０の厚みｄについて、圧電層２０が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。

　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０では、圧電層２０の第１主面２０ａ上において、電極指３１と電極指３２とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置１０では、電極の対数は１対であってもよい。この場合でも、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。

　弾性波装置１０では、好ましくは、交差領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３１、電極指３２のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。

　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。図８に示すように、矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。

　メタライゼーション比ＭＲを、図１を参照して説明する。図１の電極構造において、１対の電極指３１、電極指３２に着目した場合、この１対の電極指３１、電極指３２のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が交差領域Ｃとなる。この交差領域Ｃとは、電極指３１と電極指３２とを、電極指３１、電極指３２の延在方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３１における電極指３２と重なり合っている領域、電極指３２における電極指３１と重なり合っている領域及び電極指３１と電極指３２との間の領域における電極指３１と電極指３２とが重なり合っている領域である。そして、この交差領域Ｃの面積に対する、交差領域Ｃ内の電極指３１、電極指３２の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の交差領域Ｃの面積に対する比である。

　なお、複数対の電極指３１、電極指３２が設けられている場合、交差領域Ｃの面積の合計に対する全交差領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。

　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層２０を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２０を用いた場合においても、同様の傾向となる。

　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２０の膜厚や電極指３１、電極指３２の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。

　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１０において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１０を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。

　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、｛１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２｝～１８０°）　…式（２）
　（０°±１０°、｛１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２｝～１８０°、任意のψ）　…式（３）

　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。

　次に負荷膜５０の詳細な構成について説明する。図１２は、図２に示す領域Ａを拡大して示す断面図である。なお、図１２では、負荷膜５０の複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる部分について説明するが、第１電極指３１ａとは反対側で、最も外側に位置する第２電極指３２ａについても線対称となる配置関係を有している。すなわち、第１電極指３１ａについての説明は、第２電極指３２ａにも適用できる。

　図１２に示すように負荷膜５０は、第１保護膜４１の上に設けられ、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。すなわち、第１電極指３１ａと重なる領域の一部には、負荷膜５０が設けられない。本実施形態では、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。具体的には、電極指３１、３２が設けられた領域及び電極指３１、３２が設けられていない領域に亘って、第１保護膜４１の上面は実質的に平坦に形成される。

　負荷膜５０は第１保護膜４１の上面から突出して設けられる。第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０と第１保護膜４１とで段差が形成される。より詳細には、圧電層２０の第１主面２０ａの上に、第１電極指３１ａ、第１保護膜４１、負荷膜５０の順に積層される領域と、第１電極指３１ａ、第１保護膜４１の順に積層される領域と、第１保護膜４１が積層される領域と、を有する。第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０と第１保護膜４１とが積層される部分と、第１保護膜４１が設けられ負荷膜５０が設けられない部分と、で段差が形成される。

　負荷膜５０は、第１電極指３１ａに対して、複数の電極指３１、３２の配列方向の内側に設けられる。負荷膜５０の一方の側面は、第１電極指３１ａの幅方向の中点と重なって配置される。すなわち、負荷膜５０は、第１電極指３１ａの一部と重畳する重畳領域を含む。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ１は、例えば０．３μｍである。

　本実施形態では、負荷膜５０の膜厚ｔ４は５５ｎｍである。また、上述したように、第１保護膜４１の膜厚ｔ１及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２は１４２ｎｍであり、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３は１１２ｎｍである。第１保護膜４１の膜厚ｔ１は、負荷膜５０の膜厚ｔ４よりも厚く、かつ、ＩＤＴ電極３０の膜厚ｔ３よりも厚い。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１と異なる材料で形成される。本実施形態では、負荷膜５０は、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。第１保護膜４１は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で形成される。より具体的には、第１変形例の負荷膜５０は、なお、本実施形態における「密度」とは、特に説明がない場合、材料固有の物性値を表す。また、負荷膜５０及び第１保護膜４１が同じ材料であってもよく、負荷膜５０及び第１保護膜４１が同じ材料で形成された場合であっても、負荷膜５０の密度は、第１保護膜４１の密度と異なっていてもよい。例えば、負荷膜５０が蒸着により成膜されている場合、負荷膜５０の実際の密度は、第１保護膜４１の密度よりも小さい。

　このように、負荷膜５０が第１電極指３１ａの一部と重なって設けられているので、複数の電極指３１、３２の配列方向で最も外側に位置する第１電極指３１ａと重なる領域において、第１保護膜４１のみが積層された領域は、負荷膜５０及び第１保護膜４１が積層された領域と異なる音響インピーダンスを有する。この結果、負荷膜５０と第１保護膜４１との段差部（負荷膜５０の側面と重なる部分）において、音響反射面Ｒが形成される。

　これにより、圧電層２０に励振された弾性波は音響反射面Ｒで反射されるので、弾性波装置１０は、複数の電極指３１、３２の配列方向で弾性波の漏洩を抑制できる。

　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。より詳しくは、図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置のアドミタンスの実部、すなわち、コンダクタンス成分を示す説明図である。図１３に示すアドミタンス特性は、第１実施形態に係る弾性波装置１０のアドミタンス特性のシミュレーション結果を示す。また、図１３では、比較例に係る弾性波装置のアドミタンス特性のシミュレーション結果も併せて示す。比較例は、第１実施形態に対して負荷膜５０が設けられていない弾性波装置である。

　図１３に示すように、比較例に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる周波数領域でリップルが生じている。比較例では、特に、点線Ｅ１、Ｅ２で示す大きなリップルが生じている。これに対し、第１実施形態に係る弾性波装置１０では、負荷膜５０を第１電極指３１ａの一部と重なるように設けることにより、比較例に比べて、点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。第１実施形態に係る弾性波装置１０は、比較例に係る弾性波装置より、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されており、弾性波の漏洩が抑制されていることがわかる。

　なお、上述した負荷膜５０、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０の形状、幅、膜厚等はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、負荷膜５０の側面はテーパー状に形成されていてもよい。

（第１実施形態の第１変形例）
　図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第１変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０に比べて、負荷膜５０が炭素添加酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）で形成されている構成が異なる。より具体的には、第２変形例の負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも密度が低い材料で形成される。また、負荷膜５０の膜厚ｔ４は４５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。

　図１４に示すように、第１変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。また、第１変形例においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されることが示された。

（第１実施形態の第２変形例）
　図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。第２変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０に比べて、負荷膜５０が窒化ケイ素（ＳｉＮ）で形成されている構成が異なる。より具体的には、第２変形例の負荷膜５０は、第１保護膜４１に用いられる酸化ケイ素よりも硬さが硬い材料で形成される。また、負荷膜５０の膜厚ｔ４は６５ｎｍである。負荷膜５０の幅Ｗ１、第１保護膜４１、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。なお、本実施形態における「硬さ」とは、特に説明がない場合、材料固有の物性値を表す。

　図１５に示すように、第２変形例に係る弾性波装置は、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２で示すリップルが抑制されることが示された。さらに第２変形例に係る弾性波装置は、点線Ｅ３で示すリップルも抑制される。第２変形例に係る弾性波装置は、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、リップルが抑制され伝搬ロスが抑制される。

　なお、第１変形例及び第２変形例に示した負荷膜５０の材料はあくまで一例であり、これに限定されない。負荷膜５０の材料は、例えば、ＳｉＯＣ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯの少なくとも１つが用いられる。

（第２実施形態）
　図１６は、第２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。第１実施形態並びに第１変形例及び第２変形例では、負荷膜５０が、圧電層２０の第１主面２０ａ側であって、第１保護膜４１の上に設けられる構成について説明したが、これに限定されない。図１６に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１０Ａにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側であって、第２保護膜４２の下面に設けられる。言い換えると、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側には設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。なお、第２保護膜４２の下面とは、第２保護膜４２の、支持基板１１（図２参照）と対向する面である。

　第２保護膜４２の下面は、圧電層２０の第２主面２０ｂに沿って平坦に形成される。負荷膜５０は、第２保護膜４２の下面に設けられ、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。本実施形態では、第１電極指３１ａと重なる領域で、圧電層２０の第２主面２０ｂに、第２保護膜４２と負荷膜５０とが積層される領域と、第２保護膜４２が設けられ負荷膜５０が設けられない領域と、を有する。これにより、第１電極指３１ａと重なる領域で、負荷膜５０と第２保護膜４２とで段差が形成される。

　第２実施形態において、負荷膜５０は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と異なる材料が用いられ、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）で形成される。負荷膜５０の重畳領域の幅Ｗ２は例えば０．３μｍである。負荷膜５０の膜厚ｔ５は６５ｎｍである。

　なお、平面視での負荷膜５０の構成は、図１に係る負荷膜５０と同様であり繰り返しの説明は省略する。また、図示は省略するが、複数の電極指３１、３２の配列方向の反対側にも、第２電極指３２ａ（図１参照）の一部と重なる位置に負荷膜５０が設けられる。

　図１７は、第２実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１７に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１０Ａは、負荷膜５０が圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられている構成であっても、第１実施形態に係る弾性波装置１０と同様に、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが抑制されることが示された。また、第２実施形態においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制されることが示された。また、第２実施形態では、第１実施形態に比べて第１保護膜４１の上に負荷膜５０が設けられていないので、第１保護膜４１の膜厚を変更して、共振周波数の調整を容易に行うことができる。

　なお、第２実施形態において、上述した第１変形例及び第２変形例と適宜組み合わせることができる。すなわち、負荷膜５０は第２保護膜４２の下面に設けられ、かつ、第２保護膜４２と異なる各種材料が用いられてもよい。または、負荷膜５０は第２保護膜４２の下面に設けられ、かつ、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚が圧電層２０の膜厚よりも薄い構成であってもよい。

（第３実施形態）
　図１８は、第３実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図１８に示すように第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｂにおいて、負荷膜５０は、第１保護膜４１の上及び第２保護膜４２の下面（支持基板１１（図２参照）と対向する面）のそれぞれに設けられる。以下の説明では、第１保護膜４１の上に設けられた負荷膜５０を上部負荷膜５０Ａと表し、第２保護膜４２の下面に設けられた負荷膜５０を下部負荷膜５０Ｂと表す。なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂを区別する必要がない場合には、単に負荷膜５０と表す。

　本実施形態では、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、同じ材料で形成され、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）が用いられる。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、重なって設けられ、それぞれ第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。

　上部負荷膜５０Ａの重畳領域の幅Ｗ１及び下部負荷膜５０Ｂの重畳領域の幅Ｗ２は、それぞれ例えば０．３μｍである。上部負荷膜５０Ａの膜厚ｔ４及び下部負荷膜５０Ｂの膜厚ｔ５は４０ｎｍである。

　なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、同じ材料、同じ形状を有する例を示したがこれに限定されない。上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、異なる材料、異なる形状を有していてもよい。

　図１９は、第３実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図１９に示すように、第３実施形態に係る弾性波装置１０Ｂは、負荷膜５０が圧電層２０の第１主面２０ａ側及び第２主面２０ｂ側の両方に設けられることで、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが良好に抑制されることが示された。また、第３実施形態においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制される。

（第４実施形態）
　図２０は、第４実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２０に示すように第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｃにおいて、負荷膜５０は、第１保護膜４１の上及び第２保護膜４２の下面（支持基板１１（図２参照）と対向する面）のそれぞれに設けられる。以下の説明では、第１保護膜４１の上に設けられた負荷膜５０を上部負荷膜５０Ａと表し、第２保護膜４２の下面に設けられた負荷膜５０を下部負荷膜５０Ｂと表す。なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂを区別する必要がない場合には、単に負荷膜５０と表す。上部負荷膜５０Ａは、内側負荷膜５１Ａと外側負荷膜５２Ａとを有し、下部負荷膜５０Ｂは、内側負荷膜５１Ａと外側負荷膜５２Ｂとを有する。

　本実施形態では、内側負荷膜５１Ａ及び内側負荷膜５１Ｂは、同じ材料で形成され、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）が用いられる。内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂは、互いに重なって設けられ、それぞれ第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。

　内側負荷膜５１Ａの重畳領域の幅Ｗ１及び内側負荷膜５１Ｂの重畳領域の幅Ｗ２は、それぞれ例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１Ａの膜厚ｔ４及び内側負荷膜５１Ｂの膜厚ｔ５は３０ｎｍである。

　なお、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂは、同じ材料、同じ形状を有する例を示したがこれに限定されない。後述するように、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂは、異なる材料、異なる形状を有していてもよい。

　外側負荷膜５２Ａ、５２Ｂは、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂよりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２Ａは、内側負荷膜５１Ａと同層に第１保護膜４１の上に設けられ、内側負荷膜５１Ａと離隔して設けられる。同様に、外側負荷膜５２Ｂは、内側負荷膜５１Ｂと同層に第２保護膜４２の下に設けられ、内側負荷膜５１Ｂと離隔して設けられる。外側負荷膜５２Ａ、５２Ｂは、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂと同じ窒化ケイ素（ＳｉＮ）で形成される。内側負荷膜５１Ａと外側負荷膜５２Ａとの間隔Ｗ３及び内側負荷膜５１Ｂと内側負荷膜５１Ｂとの間隔Ｗ４は、０．６μｍである。外側負荷膜５２Ａ、５２Ｂの膜厚は、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂの膜厚ｔ４、ｔ５と同じく３０ｎｍである。

　また、図２０の例では、第１保護膜４１及び第２保護膜４２は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間の領域と重なる、負荷膜５０側の面に窪みがある。これにより、第１電極指３１ａと重なる領域で、内側負荷膜５１Ａと第１保護膜４１とで段差が形成され、内側負荷膜５１Ｂと第２保護膜４２とで段差が形成される。第１保護膜４１及び第２保護膜４２の窪みの深さｔ６、ｔ７は、２０ｎｍである。

　図２１は、第４実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図２１に示すように、第４実施形態に係る弾性波装置１０Ｄは、負荷膜５０が圧電層２０の第１主面２０ａ側及び第２主面２０ｂ側の両方に設けられることで、比較例に比べて点線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３で示すリップルが良好に抑制されることが示された。また、第４実施形態においても、共振周波数に係るピーク幅が狭くなっているため、伝搬ロスが抑制される。

（第５実施形態）
　図２２は、第５実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２３は、図２２に示す領域Ａ１を拡大して示す断面図である。図２２及び図２３に示すように、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｄにおいて、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２及び第１主面２０ａと離隔して設けられる。第１保護膜４１の上面は、負荷膜５０の形状を反映した凹凸が形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２とを有する。

　内側負荷膜５１は、第１保護膜４１の中に配置される。すなわち、第１保護膜４１は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び複数の電極指３１、３２と内側負荷膜５１との間に設けられ、かつ、内側負荷膜５１の側面及び上面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。

　内側負荷膜５１は、第１実施形態と同様に、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１の重畳領域の幅Ｗ１は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１の膜厚、第１保護膜４１、第２保護膜４２、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。圧電層２０の第２主面２０ｂと垂直な方向で、内側負荷膜５１と、圧電層２０の第２主面２０ｂとの間隔は３２０ｎｍである。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第１保護膜４１の中に配置され、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ３は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ４と同じく５５ｎｍである。ただし、これに限定されず、外側負荷膜５２の材料及び膜厚は、内側負荷膜５１の材料及び膜厚ｔ４と異なっていてもよい。

　図２４は、第５実施形態に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図２５は、比較例に係る弾性波装置の振動モードの分布を示す説明図である。図２５に示す比較例では、第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｄに対し、負荷膜５０が設けられていない構成である。

　図２４及び図２５では、第５実施形態及び比較例について、横軸をＸ方向（電極指３１、３２の配列方向）とし、縦軸を周波数として、圧電層２０の変位の大きさの分布を示している。図２４及び図２５の上図には、それぞれＸ方向に対応する弾性波装置の断面図を模式的に示し、図２４及び図２５の左図には、弾性波装置のインピーダンス特性を示している。

　図２５に示すように、比較例に係る弾性波装置では、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、大きな周波数依存性を有する。例えば、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数によってずれており、電極間で安定して励振されていない。また、所定のＸ位置（Ｘ＝５．０μｍ近傍）に注目すると、共振周波数５０３０ＭＨｚ及びリップルが生じた周波数４９００ＭＨｚ、５１２０ＭＨｚで位相が反転している。このように、比較例に係る弾性波装置では、理想的な励振モードが得られない場合がある。

　これに対し、図２４に示すように第５実施形態に係る弾性波装置１０Ｄでは、変位のＸ方向依存性（変位の腹と節のＸ方向位置）が、周波数依存性を有していない。すなわち、変位のピークを示すＸ方向位置が周波数よらず一定であり、電極間で安定して励振されていることが示された。また、変位の大きさ（振幅）も電極間の領域ごとに一定となっており、共振周波数及びリップルが生じた周波数配列での位相の反転も生じていない。このように、配列方向の最も外側に位置する第１電極指３１ａの一部と重なる位置に負荷膜５０を設けるのみで、比較例に比べて良好な励振モードが得られることが示された。

（第６実施形態）
　図２６は、第６実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２６に示すように、第６実施形態に係る弾性波装置１０Ｅにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側に設けられる。より具体的には、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向し、かつ、第２主面２０ｂと離隔して設けられる。第２保護膜４２の下面は、負荷膜５０の形状を反映した凹凸が形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２とを有する。

　内側負荷膜５１は、第２保護膜４２の中に配置される。すなわち、第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂと内側負荷膜５１との間に設けられ、かつ、内側負荷膜５１の側面及び下面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。

　内側負荷膜５１は、第１実施形態と同様に、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１の重畳領域の幅Ｗ２は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１の膜厚、第１保護膜４１、第２保護膜４２、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。圧電層２０の第２主面２０ｂと垂直な方向で、内側負荷膜５１と、圧電層２０の第２主面２０ｂとの間隔は５０ｎｍである。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第２保護膜４２の中に設けられ、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ４は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ５と同じく５５ｎｍである。ただし、これに限定されず、外側負荷膜５２の材料及び膜厚は、内側負荷膜５１の材料及び膜厚ｔ４と異なっていてもよい。

（第７実施形態）
　図２７は、第７実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２７に示すように、第７実施形態に係る弾性波装置１０Ｆにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側及び圧電層２０の第２主面２０ｂ側のそれぞれに設けられる。以下の説明では、第１保護膜４１の上に設けられた負荷膜５０を上部負荷膜５０Ａと表し、第２保護膜４２の下面に設けられた負荷膜５０を下部負荷膜５０Ｂと表す。なお、上部負荷膜５０Ａ及び下部負荷膜５０Ｂを区別する必要がない場合には、単に負荷膜５０と表す。上部負荷膜５０Ａは、複数の電極指３１、３２及び第１主面２０ａと離隔して設けられ、下部負荷膜５０Ｂは、圧電層２０の第２主面２０ｂと対向し、かつ、第２主面２０ｂと離隔して設けられる。上部負荷膜５０Ａは、内側負荷膜５１Ａと外側負荷膜５２Ａとを有し、下部負荷膜５０Ｂは、内側負荷膜５１Ａと外側負荷膜５２Ｂとを有する。

　内側負荷膜５１Ａは、第１保護膜４１の中に配置される。内側負荷膜５１Ｂは、第２保護膜４２の中に配置される。すなわち、第１保護膜４１は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び複数の電極指３１、３２と内側負荷膜５１との間に設けられ、かつ、内側負荷膜５１の側面及び上面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。また、第２保護膜４２は、圧電層２０の第２主面２０ｂと内側負荷膜５１との間に設けられ、かつ、内側負荷膜５１の側面及び下面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。第１保護膜４１の上面は、内側負荷膜５１Ａの形状を反映した凹凸が形成される。第２保護膜４２の上面は、内側負荷膜５１Ｂの形状を反映した凹凸が形成される。

　内側負荷膜５１Ａ及び内側負荷膜５１Ｂは、第１実施形態と同様に、同じ材料で形成され、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１Ａの重畳領域の幅Ｗ１及び内側負荷膜５１Ｂの重畳領域の幅Ｗ２は、それぞれ例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１の膜厚、第１保護膜４１、第２保護膜４２、ＩＤＴ電極３０等の構成は第１実施形態と同様である。圧電層２０の第２主面２０ｂと垂直な方向で、内側負荷膜５１Ａと、圧電層２０の第１主面２０ａとの間隔及び内側負荷膜５１Ｂと、圧電層２０の第２主面２０ｂとの間隔は５０ｎｍである。

　なお、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂは、同じ材料、同じ形状を有する例を示したがこれに限定されない。内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂは、異なる材料、異なる形状を有していてもよい。

　外側負荷膜５２Ａは、内側負荷膜５１Ａと同層に第１保護膜４１の中に配置され、内側負荷膜５１Ａと離隔して設けられる。同様に、外側負荷膜５２Ｂは、内側負荷膜５１Ｂと同層に第２保護膜４２の中に配置され、内側負荷膜５１Ｂと離隔して設けられる。外側負荷膜５２Ａ、５２Ｂは、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂと同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１Ａと外側負荷膜５２Ａとの間隔Ｗ３及び内側負荷膜５１Ｂと内側負荷膜５１Ｂとの間隔Ｗ４は、０．６μｍである。外側負荷膜５２Ａ、５２Ｂの膜厚は、内側負荷膜５１Ａ、５１Ｂの膜厚ｔ４、ｔ５と同じく５５ｎｍである。ただし、これに限定されず、外側負荷膜５２の材料及び膜厚は、内側負荷膜５１の材料及び膜厚ｔ４と異なっていてもよい。

（第８実施形態）
　図２８は、第８実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２８に示すように、第８実施形態に係る弾性波装置１０Ｇにおいて、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２及び第１主面２０ａと離隔して設けられる。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１の中に配置される。すなわち、第１保護膜４１は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び複数の電極指３１、３２と負荷膜５０との間に設けられ、かつ、負荷膜５０の側面及び上面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。本実施形態では、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。具体的には、負荷膜５０が設けられた領域及び負荷膜５０が設けられていない領域に亘って、第１保護膜４１の上面は実質的に平坦に形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２とを有する。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第１保護膜４１の中に配置され、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ３は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ５と同じく５５ｎｍである。

（第９実施形態）
　図２９は、第９実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図２９に示すように、第９実施形態に係る弾性波装置１０Ｈにおいて、負荷膜５０は、最も外側に位置する第１電極指３１ａの上に設けられる。より具体的には、負荷膜５０は、第１電極指３１ａの上面、側面及び電極指３１、３２が設けられていない部分の圧電層２０の第１主面２０ａの上に亘って設けられる。負荷膜５０は、圧電層２０と第１電極指３１ａとで形成される段差に倣って設けられる。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２とを有する。

　内側負荷膜５１は酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成されている。内側負荷膜５１の重畳領域の幅Ｗ１は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１の膜厚は５５ｎｍである。また、上述した第１実施形態と同様に、第１保護膜４１の膜厚及び第２保護膜４２の膜厚は１４２ｎｍであり、ＩＤＴ電極３０の膜厚は１１２ｎｍである。本実施形態では、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。具体的には、内側負荷膜５１が設けられた領域及び内側負荷膜５１が設けられていない領域に亘って、第１保護膜４１の上面は実質的に平坦に形成される。

　第１保護膜４１は、内側負荷膜５１及びＩＤＴ電極３０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａの上に設けられる。本実施形態では、内側負荷膜５１の上面は第１保護膜４１によって覆われる。また、第１電極指３１ａと重なる領域で、内側負荷膜５１及び第１保護膜４１が設けられる部分と、第１保護膜４１が設けられ内側負荷膜５１が設けられない部分と、を有する。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第１主面２０ａの上に亘って設けられ、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ３は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ５と同じく５５ｎｍである。

（第１０実施形態）
　図３０は、第１０実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３０に示すように、第１０実施形態に係る弾性波装置１０Ｉにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。第１保護膜４１及び第１電極指３１ａは、負荷膜５０を覆って圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。第１保護膜４１の上面は、負荷膜５０と重なる領域及び負荷膜５０と重ならない領域に亘って平坦に設けられる。また、本実施形態では、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側には設けられず、第２保護膜４２の下面は平坦に形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２とを有する。

　内側負荷膜５１は、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。第１０実施形態において、内側負荷膜５１は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と異なる材料が用いられ、例えば酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１の重畳領域の幅Ｗ２は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１の膜厚ｔ５は５５ｎｍである。

（第１１実施形態）
　図３１は、第１１実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３１に示すように、第１１実施形態に係る弾性波装置１０Ｊにおいて、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２は、負荷膜５０を覆って圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられる。第２保護膜４２の下面は、負荷膜５０の形状を反映した凹凸が形成される。また、本実施形態では、負荷膜５０は、圧電層２０の第１主面２０ａ側には設けられず、第１保護膜４１の上面は平坦に形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２とを有する。

　内側負荷膜５１は、第１電極指３１ａの一部と重なって設けられる。第１１実施形態において、内側負荷膜５１は、第１保護膜４１及び第２保護膜４２と異なる材料が用いられ、例えば酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１の重畳領域の幅Ｗ２は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１の膜厚ｔ５は５５ｎｍである。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第２主面２０ｂの下に亘って設けられ、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ４は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ５と同じく５５ｎｍである。

（第１２実施形態）
　図３２は、第１２実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。図３２に示すように、第１２実施形態に係る弾性波装置１０Ｋにおいて、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２及び第１主面２０ａと離隔して設けられる。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１の中に配置される。すなわち、第１保護膜４１は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び複数の電極指３１、３２と負荷膜５０との間に設けられ、かつ、負荷膜５０の側面及び上面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。図３２の例では、第１保護膜４１の上面は、負荷膜５０の形状を反映した凹凸が形成される。また、本実施形態では、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側には設けられず、第２保護膜４２の下面は平坦に形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２と重畳負荷膜５３とを有する。

　重畳負荷膜５３は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、第１電極指３１ａの一部と重なる領域に設けられる。重畳負荷膜５３は、内側負荷膜５１と同層に第１保護膜４１の中に配置され、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。重畳負荷膜５３の重畳領域の幅Ｗ１は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１と重畳負荷膜５３との間隔Ｗ３は、０．６μｍである。重畳負荷膜５３の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ４と同じく５５ｎｍである。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１及び重畳負荷膜５３よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第１保護膜４１の中に配置され、重畳負荷膜５３と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ５は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ４と同じく５５ｎｍである。

（第１２実施形態の第３変形例）
　図３３は、第１２実施形態の第３変形例に係る弾性波装置を示す断面図である。図３３に示すように、第１２実施形態に係る弾性波装置１０Ｌにおいて、負荷膜５０は、複数の電極指３１、３２及び第１主面２０ａと離隔して設けられる。

　負荷膜５０は、第１保護膜４１の中に配置される。すなわち、第１保護膜４１は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び複数の電極指３１、３２と負荷膜５０との間に設けられ、かつ、負荷膜５０の側面及び上面（圧電層２０の反対側の面）を覆う。図３３の例では、第１保護膜４１の上面は平坦に形成されている。具体的には、負荷膜５０が設けられた領域及び負荷膜５０が設けられていない領域に亘って、第１保護膜４１の上面は実質的に平坦に形成される。また、本実施形態では、負荷膜５０は、圧電層２０の第２主面２０ｂ側には設けられず、第２保護膜４２の下面は平坦に形成される。負荷膜５０は、内側負荷膜５１と外側負荷膜５２と重畳負荷膜５３とを有する。

　第１２実施形態の第３変形例に係る弾性波装置１０Ｌにおいて、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、第１電極指３１ａの一部と重なる領域に設けられる。重畳負荷膜５３は、内側負荷膜５１と同層に第１保護膜４１の中に配置され、内側負荷膜５１と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。重畳負荷膜５３の重畳領域の幅Ｗ１は例えば０．３μｍである。内側負荷膜５１と重畳負荷膜５３との間隔Ｗ３は、０．６μｍである。重畳負荷膜５３の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ４と同じく５５ｎｍである。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１よりも配列方向の外側であって、ＩＤＴ電極３０（電極指３１、３２）と重ならない領域に設けられる。

　外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同層に第１保護膜４１の中に配置され、重畳負荷膜５３と離隔して設けられる。外側負荷膜５２は、内側負荷膜５１と同じ酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）で形成される。内側負荷膜５１と外側負荷膜５２との間隔Ｗ５は、０．６μｍである。外側負荷膜５２の膜厚は、内側負荷膜５１の膜厚ｔ４と同じく５５ｎｍである。

（第１３実施形態）
　図３４は、第１３実施形態に係る弾性波フィルタ装置を示す回路図である。図３４に示すように第１３実施形態に係る弾性波フィルタ装置１０Ｍは、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７と、を含む。複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路に直列に接続される。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、入力端子６０Ａと出力端子６０Ｂとの間の信号経路と、グランド６８との間に並列に接続される。第１３実施形態に係る弾性波フィルタ装置１０Ｍは、いわゆるラダー型フィルタとなっている。

　直列接続された複数の直列腕共振子６１、６２、６３の一方の端子は、入力端子６０Ａに電気的に接続され、他方の端子が出力端子６０Ｂに電気的に接続される。並列腕共振子６４の一方の端子は、入力端子６０Ａと電気的に接続され、他方の端子はグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６５の一方の端子は、直列腕共振子６１と直列腕共振子６２との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６６の一方の端子は、直列腕共振子６２と直列腕共振子６３との間を結ぶ信号経路に電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。並列腕共振子６７の一方の端子は、出力端子６０Ｂに電気的に接続され、他方の端子がグランド６８と電気的に接続される。

　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、異なる構成の負荷膜５０を採用している。例えば、複数の直列腕共振子６１、６２、６３は、第１変形例（図１２及び図１３参照）に示す負荷膜５０を有する。複数の直列腕共振子６１、６２、６３のアドミタンス特性は、図１５と同様であり、繰り返しの説明は省略する。

　一方、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７は、第２変形例（図１２及び図１３参照）に示す負荷膜５０を有する。複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７のアドミタンス特性は、図１４と同様であり、繰り返しの説明は省略する。

　本実施形態では、複数の直列腕共振子６１、６２、６３と、複数の並列腕共振子６４、６５、６６、６７とで、負荷膜５０の構成を変えることにより、フィルタとしてよりよい出力波形を得ることができる。

　第１３実施形態に係る弾性波装置１０Ｍでは、第１変形例及び第２変形例に示す負荷膜５０と組み合わせる例を示したが、これに限定されない。第１３実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第１４実施形態）
　図３５は、第１４実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、支持基板１１がキャビティ部１４を有し、圧電層２０の第２主面２０ｂにキャビティ部１４（空洞部）が設けられた、いわゆるメンブレン構造について説明したが、これに限定されない。

　図３５に示すように、第１４実施形態に係る弾性波装置１０Ｎでは、圧電層２０の第２主面２０ｂに音響多層膜４３が積層されている。音響多層膜４３は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄとの積層構造を有する。低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅは、例えばＳｉＯ_２の層であり、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、例えばＷ、Ｐｔ等の金属層又は窒化アルミニウム、窒化シリコン等の誘電体層である。音響多層膜４３を用いた場合、キャビティ部１４を用いずとも、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２０内に閉じ込めることができる。

　弾性波装置１０Ｎにおいても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑り１次モードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜４３においては、その低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの積層数は特に限定されない。少なくとも１層の高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄが、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅよりも圧電層２０から遠い側に配置されていればよい。

　上記低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及び高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層４３ａ、４３ｃ、４３ｅの材料としては、酸化ケイ素又は、酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層４３ｂ、４３ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素又は、金属などを挙げることができる。

　図３５では、第１実施形態に示す負荷膜５０が設けられた例を示したが、これに限定されない。第１４実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第１５実施形態）
　図３６は、第１５実施形態に係る弾性波装置を示す断面図である。上述した第１実施形態の弾性波装置１０では、ＩＤＴ電極３０は、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる構成について説明したがこれに限定されない。図３６に示すように、第１５実施形態に係る弾性波装置１０Ｏは、圧電層２０の第１主面２０ａに設けられた第１ＩＤＴ電極と、圧電層２０の第２主面２０ｂに設けられた第２ＩＤＴ電極と、を有する。第１ＩＤＴ電極及び第２ＩＤＴ電極は、ＩＤＴ電極３０（図１、２参照）と同様の構成を有する。

　第２ＩＤＴ電極の電極指３６、３７は、第１ＩＤＴ電極の電極指３１、３２と重なる領域に設けられる。第２ＩＤＴ電極の電極指３６、３７は、第１ＩＤＴ電極の電極指３１、３２と同じ幅、同じ電極間ピッチを有して設けられる。また、負荷膜５０は、第１ＩＤＴ電極の第１電極指３１ａ及び第２ＩＤＴ電極の第１電極指３６ａと重なる領域に設けられる。

　第１５実施形態では、圧電層２０の第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂにそれぞれ第１ＩＤＴ電極及び第２ＩＤＴ電極が設けられるので、周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を改善することができる。

　図３６では、第１実施形態に示す負荷膜５０が設けられた例を示したが、これに限定されない。第１５実施形態は、上述した各実施形態、各変形例と組み合わせることができる。

（第１６実施形態）
　図３７は、第１６実施形態に係る弾性波装置のアドミタンス特性の一例を示す説明図である。図３８は、高次モードにおけるインピーダンス位相の一例を示す説明図である。図３７に示す第１６実施形態に係る弾性波装置は、上述した第１実施形態に係る弾性波装置１０において、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた構成について説明する。

　図３７は、第１６実施形態に係る弾性波装置の、アドミタンスの絶対値の周波数特性を示している。図３７に示すように、第１６実施形態に係る弾性波装置では、共振周波数とは異なる一点鎖線Ｆ１に示す周波数領域で、高次モードの共振が生じている（以下、Ｓ２モードと表す）。

　図３８に示すグラフの横軸は、第１保護膜４１の膜厚ｔ１と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ１＋ｔＬＮ／２）と、第２保護膜４２の膜厚ｔ２と圧電層２０の膜厚ｔＬＮの１／２との合計（ｔ２＋ｔＬＮ／２）と、の比（（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２））を示す。図３８に示すグラフの縦軸は、Ｓ２モードの強度に対応する。

　図３８において、矢印Ｆ２、Ｆ３で示す範囲は、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置の構成における、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）を示す。特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が、０．９３以下、かつ、１．０７以上であり、Ｓ２モードの強度が大きい。

　これに対し、第１６実施形態では、比（ｔ１＋ｔＬＮ／２）／（ｔ２＋ｔＬＮ／２）が０．９４以上１．０６以下の範囲であり、特表２０２２－５２４１３６号公報に記載されている音響共振装置に比べてＳ２モードの強度が小さくなる。言い換えると、第１６実施形態では、圧電層２０の膜厚中央から第１保護膜４１の天面までの距離の合計をＡとし、圧電層２０の膜厚中央から第２保護膜４２の天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となることが好ましい。

　なお、第１６実施形態では、第１実施形態に係る弾性波装置１０において第１保護膜４１及び第２保護膜４２の膜厚を異ならせた場合について説明したが、これに限定されない。第１６実施形態における第１保護膜４１の膜厚ｔ１、圧電層２０の膜厚ｔＬＮ及び第２保護膜４２の膜厚ｔ２の関係は、上述した各実施形態及び各変形例と組み合わせることができる。

　上述した各実施形態及び各変形例における負荷膜５０、第１保護膜４１、第２保護膜４２及びＩＤＴ電極３０の形状、幅、膜厚等はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、負荷膜５０、第１保護膜４１及び第２保護膜４２の側面はテーパー状に形成されていてもよい。第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａに重なる外側負荷膜５２及び重畳負荷膜５３は、同じ幅、同じ膜厚であってもよい。または、第１電極指３１ａ及び第２電極指３２ａに重なる外側負荷膜５２及び重畳負荷膜５３は、例えば製造工程上のばらつきにより異なる幅、異なる膜厚を有していてもよく、また、内側負荷膜５１と異なる膜厚を有していてもよい。また、第１保護膜４１、第２保護膜４２を備えていなくてもよい。

　上述した各実施形態及び各変形例で示した負荷膜５０はあくまで一例であり適宜変更することができる。負荷膜５０は、配列方向の外側に位置する２本の電極指（第１電極指３１ａ及び電極指３２）又は３本の電極指（第１電極指３１ａ、電極指３２及び電極指３１）と重ならない領域に設けられていてもよい。

　上述した各実施形態及び各変形例で示した負荷膜５０の材料はあくまで一例であり適宜変更することができる。負荷膜５０は、例えば、炭素添加酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化タングステン（ＷＯ）の少なくとも１つから形成される。負荷膜５０は、単層膜に限定されず積層膜であってもよい。負荷膜５０は、上記材料のうち２以上を組み合わせてもよい。

　なお、上記した実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。

　なお、本開示は、下記の構成をとることもできる。

（１）
　第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜と、
　前記複数の電極指のうち、少なくとも前記複数の電極指の配列方向の一方の外側から４本目の電極指から、前記配列方向の他方の外側から４本目の電極指まで、前記第１方向から平面視で重なる領域にわたって設けられた負荷膜と、を有し、
　前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に配置される第１電極指と平面視で重なる領域の少なくとも一部には、前記負荷膜が設けられておらず、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、
　弾性波装置。
（２）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する、
　（１）に記載の弾性波装置。
（３）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の上に設けられる、
　（１）又は（２）に記載の弾性波装置。
（４）
　前記負荷膜は、前記ＩＤＴ電極の前記配列方向の外側と重ならない位置に設けられる、（１）から（３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（５）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられる、
　（１）から（４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（６）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上に設けられた上部負荷膜及び前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられた下部負荷膜を含む、
　（１）から（４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（７）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上に設けられ、
　前記第１電極指と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される、
　（１）から（６）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（８）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の内部に設けられる、
　（１）に記載の弾性波装置。
（９）
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記第１電極指と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される、
　（８）に記載の弾性波装置。
（１０）
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の内部に設けられる、
　（８）又は（９）に記載の弾性波装置。
（１１）
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の内部に設けられた上部負荷膜及び前記第２保護膜の内部に設けられた下部負荷膜を含む、
　（８）又は（９）に記載の弾性波装置。
（１２）
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記第１保護膜の上面及び前記第２保護膜の下面は平坦に形成される、
　（８）から（１１）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１３）
　前記負荷膜は、前記第１電極指の上に設けられる、
　（８）から（１２）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１４）
　前記圧電層の前記第１主面と垂直な方向で、前記負荷膜は、前記圧電層の前記第１主面と、前記第１電極指との間に設けられる、
　（８）から（１３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１５）
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面に設けられ、
　前記第２保護膜は、前記負荷膜を覆う、
　（８）から（１４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１６）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が高い材料で形成される、
　（１）から（１５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１７）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が低い材料で形成される、
　（１）から（１５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１８）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも硬い材料で形成される、
　（１）から（１５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（１９）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される、
　（１）から（１８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２０）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜の膜厚は、前記圧電層の膜厚よりも薄い、
　（１）から（１９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２１）
　少なくとも１つの共振子を備えるフィルタ装置であって、前記共振子が（１）から（２０）のいずれか１つに記載の弾性波装置である、
　弾性波フィルタ装置。
（２２）
　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子は、それぞれ前記負荷膜を有し、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜は、前記並列腕共振子の前記負荷膜と異なる構成を有する、
　（２１）に記載の弾性波フィルタ装置。
（２３）
　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子は、それぞれ前記負荷膜を有し、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜の厚みは、前記並列腕共振子の前記負荷膜の厚みと異なる、
　（２１）に記載の弾性波フィルタ装置。
（２４）
　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである、
　（１）から（２０）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２５）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
　（１）から（２０）及び（２４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２６）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い、
　（１）から（２０）、（２４）及び（２５）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２７）
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる、
　（１）から（２０）及び（２４）から（２６）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２８）
　前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる、
　（１）から（２０）及び（２４）から（２７）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（２９）
　前記負荷膜の材料は、炭素添加酸化シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる、
　（１）から（２０）及び（２４）から（２８）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３０）
　ｄ／ｐが０．２４以下である、（１）から（２０）及び（２４）から（２９）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３１）
　前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、（１）から（２０）及び（２４）から（３０）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３２）
　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる、（１）から（２０）及び（２４）から（３１）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３３）
　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、（３２）に記載の弾性波装置。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　…式（３）
（３４）
　前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、（１）から（２０）及び（２４）から（３３）のいずれか１つに記載の弾性波装置。
（３５）
　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、（１）から（２０）及び（２４）から（３４）のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　１０、１０Ａ～１０Ｌ、１０Ｎ、１０Ｏ　弾性波装置
　１０Ｍ　弾性波フィルタ装置
　１１　支持基板
　１２　底部
　１３　壁部
　１４　キャビティ部
　２０　圧電層
　２０ａ　第１主面
　２０ｂ　第２主面
　３０　ＩＤＴ電極
　３１、３２、３６、３７　電極指
　３１ａ、３６ａ　第１電極指
　３２ａ　第２電極指
　３３、３４　バスバー電極
　４１　第１保護膜
　４２　第２保護膜
　５０　負荷膜
　５０Ａ　上部負荷膜
　５０Ｂ　下部負荷膜
　５１、５１Ａ、５１Ｂ　内側負荷膜
　５２、５２Ａ、５２Ｂ　外側負荷膜
　５３　重畳負荷膜

Claims

　第１主面と、第１方向において前記第１主面と対向する第２主面とを有する圧電層と、
　前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方に設けられ、所定の方向に配列された複数の電極指を含むＩＤＴ電極と、
　前記圧電層の前記第２主面と対向し、前記圧電層の前記第２主面側に音響反射部を有する支持部材と、
　前記複数の電極指のうち、少なくとも前記複数の電極指の配列方向の一方の外側から４本目の電極指から、前記配列方向の他方の外側から４本目の電極指まで、前記第１方向から平面視で重なる領域にわたって設けられた負荷膜と、を有し、
　前記複数の電極指のうち、前記複数の電極指の配列方向で最も外側に配置される第１電極指と平面視で重なる領域の少なくとも一部には、前記負荷膜が設けられておらず、
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、
　弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有する、
　請求項１に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の上に設けられる、
　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記ＩＤＴ電極の前記配列方向の外側と重ならない位置に設けられる、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられる、
　請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上に設けられた上部負荷膜及び前記第２保護膜の、前記支持部材と対向する面に設けられた下部負荷膜を含む、
　請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の上に設けられ、
　前記第１電極指と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される、
　請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記負荷膜は前記第１保護膜の内部に設けられる、
　請求項１に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜を有し、
　前記第１電極指と重なる領域において、前記第１保護膜が設けられ前記負荷膜が設けられない部分と、前記負荷膜と前記第１保護膜とが積層される部分と、で段差が形成される、
　請求項８に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は前記第２保護膜の内部に設けられる、
　請求項８又は９に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記第１保護膜の内部に設けられた上部負荷膜及び前記第２保護膜の内部に設けられた下部負荷膜を含む、
　請求項８又は９に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記第１保護膜の上面及び前記第２保護膜の下面は平坦に形成される、
　請求項８から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜は、前記第１電極指の上に設けられる、
　請求項８から１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面と垂直な方向で、前記負荷膜は、前記圧電層の前記第１主面と、前記第１電極指との間に設けられる、
　請求項８から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記負荷膜は、前記圧電層の前記第２主面に設けられ、
　前記第２保護膜は、前記負荷膜を覆う、
　請求項８から１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が高い材料で形成される、
　請求項１から１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも密度が低い材料で形成される、
　請求項１から１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記負荷膜は、前記保護膜よりも硬い材料で形成される、
　請求項１から１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、酸化ケイ素で形成される、
　請求項１から１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜の膜厚は、前記圧電層の膜厚よりも薄い、
　請求項１から１９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　少なくとも１つの共振子を備えるフィルタ装置であって、前記共振子が請求項１から２０のいずれか１項に記載の弾性波装置である、
　弾性波フィルタ装置。
　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子は、それぞれ前記負荷膜を有し、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜は、前記並列腕共振子の前記負荷膜と異なる構成を有する、
　請求項２１に記載の弾性波フィルタ装置。
　入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ直列腕と、前記直列腕のノードとグランドとを結ぶ並列腕と、を有し、
　前記少なくとも１つの共振子は、複数の共振子であり、前記直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを含み、
　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子は、それぞれ前記負荷膜を有し、
　前記直列腕共振子の前記負荷膜の厚みは、前記並列腕共振子の前記負荷膜の厚みと異なる、
　請求項２１に記載の弾性波フィルタ装置。
　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、１２０°±１０°回転Ｙカット又は９０°±１０°回転Ｙカットである、
　請求項１から２０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有する
　請求項１から２０及び２４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の膜厚よりも厚い、
　請求項１から２０、２４及び２５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた保護膜を有し、
　前記保護膜は、前記ＩＤＴ電極を覆って前記圧電層の前記第１主面に設けられた第１保護膜と、前記圧電層の前記第２主面に設けられた第２保護膜と、を有し、
　前記圧電層の膜厚中央から前記第１保護膜天面までの距離の合計をＡとし、前記圧電層の膜厚中央から前記第２保護膜天面までの距離の合計をＢとするとき、Ａ／Ｂの値が１－０．０６以上１＋０．０６以下となる、
　請求項１から２０及び２４から２６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記ＩＤＴ電極が、前記圧電層の前記第１主面および前記第２主面のいずれにも設けられる、
　請求項１から２０及び２４から２７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記負荷膜の材料は、炭素添加酸化シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タングステンの少なくとも１つが用いられる、
　請求項１から２０及び２４から２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１から２０及び２４から２９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から２０及び２４から３０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる、請求項１から２０及び２４から３１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項３２に記載の弾性波装置。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　…式（３）
　前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項１から２０及び２４から３３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項１から２０及び２４から３４のいずれか１項に記載の弾性波装置。