ATE108905T1 - Verfahren zur realisierung eines oberflächengitters eines integrierten elektrochemischen sensors, bestehend aus einem feldeffekttransistor empfindlich für erdalkalische substanzen sowie sensor. - Google Patents

Verfahren zur realisierung eines oberflächengitters eines integrierten elektrochemischen sensors, bestehend aus einem feldeffekttransistor empfindlich für erdalkalische substanzen sowie sensor.

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ATE108905T1
ATE108905T1 AT91916912T AT91916912T ATE108905T1 AT E108905 T1 ATE108905 T1 AT E108905T1 AT 91916912 T AT91916912 T AT 91916912T AT 91916912 T AT91916912 T AT 91916912T AT E108905 T1 ATE108905 T1 AT E108905T1
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sensor
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effect transistor
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sensitive
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AT91916912T
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Nicole Jaffrezic-Renault
Jean-Marc Chovelon
Hubert Perrot
Perchec Pierre Le
Yves Chevalier
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Lyon Ecole Centrale
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    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
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AT91916912T 1990-09-14 1991-09-13 Verfahren zur realisierung eines oberflächengitters eines integrierten elektrochemischen sensors, bestehend aus einem feldeffekttransistor empfindlich für erdalkalische substanzen sowie sensor. ATE108905T1 (de)

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