ATE140343T1 - Lichtemittierende vorrichtung mit einer stufenförmigen nichtnukleierungsschicht - Google Patents

Lichtemittierende vorrichtung mit einer stufenförmigen nichtnukleierungsschicht

Info

Publication number
ATE140343T1
ATE140343T1 AT92106439T AT92106439T ATE140343T1 AT E140343 T1 ATE140343 T1 AT E140343T1 AT 92106439 T AT92106439 T AT 92106439T AT 92106439 T AT92106439 T AT 92106439T AT E140343 T1 ATE140343 T1 AT E140343T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
nucleation layer
light emitting
emitting device
shaped non
electrodes
Prior art date
Application number
AT92106439T
Other languages
English (en)
Inventor
Hideji Kawasaki
Hiroyuki Tokunaga
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Application granted granted Critical
Publication of ATE140343T1 publication Critical patent/ATE140343T1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/011Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/011Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
AT92106439T 1991-04-15 1992-04-14 Lichtemittierende vorrichtung mit einer stufenförmigen nichtnukleierungsschicht ATE140343T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10812491A JP2753153B2 (ja) 1991-04-15 1991-04-15 発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE140343T1 true ATE140343T1 (de) 1996-07-15

Family

ID=14476543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT92106439T ATE140343T1 (de) 1991-04-15 1992-04-14 Lichtemittierende vorrichtung mit einer stufenförmigen nichtnukleierungsschicht

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5250819A (de)
EP (1) EP0509452B1 (de)
JP (1) JP2753153B2 (de)
AT (1) ATE140343T1 (de)
DE (1) DE69212042T2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0531957A (ja) * 1991-05-23 1993-02-09 Canon Inc 発光装置、これを用いた光書き込みプリンターヘツド並びに該光書き込みプリンターヘツドによる光プリンター装置
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP4310076B2 (ja) * 2001-05-31 2009-08-05 キヤノン株式会社 結晶性薄膜の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5429239B2 (de) * 1974-12-04 1979-09-21
JPS59168671A (ja) * 1983-03-15 1984-09-22 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS608384A (ja) * 1983-06-28 1985-01-17 Isao Miyake アルカリハライドの螢光を窒素により活性化する方法
US4768070A (en) * 1986-03-20 1988-08-30 Hitachi, Ltd Optoelectronics device
CA1329756C (en) * 1986-04-11 1994-05-24 Yutaka Hirai Method for forming crystalline deposited film
CA1321121C (en) * 1987-03-27 1993-08-10 Hiroyuki Tokunaga Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same
JPS63239920A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Canon Inc 半導体素子用基板の製造方法
DE3727488C2 (de) * 1987-08-18 1994-05-26 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement
DE68912638T2 (de) * 1988-03-27 1994-06-16 Canon Kk Verfahren zur Herstellung einer Kristallschicht auf einem Substrat.
JPH02125765A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Mitsubishi Electric Corp Ledアレイ・ヘッド
JPH02201975A (ja) * 1989-01-31 1990-08-10 Canon Inc 発光装置
JPH036858A (ja) * 1989-06-02 1991-01-14 Mitsubishi Electric Corp マスタスライス方式半導体集積回路装置
JPH036856A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Canon Inc 絶縁ゲート型半導体装置及びその形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04316375A (ja) 1992-11-06
EP0509452B1 (de) 1996-07-10
DE69212042D1 (de) 1996-08-14
US5250819A (en) 1993-10-05
EP0509452A1 (de) 1992-10-21
JP2753153B2 (ja) 1998-05-18
DE69212042T2 (de) 1997-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0834970A3 (de) Verbindungshalbleitermehrschichtspiegel mit Stickstoff und Oberflächenemittierende Lichtquelle unter Verwendung desselben
DE69017396D1 (de) Lichtemittierende Diode mit einer elektrisch leitenden Fensterschicht.
DE69204629D1 (de) Herstellungsverfahren einer Feldemissionsvorrichtung mit integraler elektrostatischer Linsenanordnung.
EP1993155A3 (de) Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE69406049D1 (de) Lichtmittierende Halbleitervorrichtung mit einer dritten Begrenzungsschicht
EP0778625A3 (de) Lichtemittierende Diode mit baumartiger Oberflächenelektrode
ATE112435T1 (de) Elektrolumineszente vorrichtung mit verbesserter kathode.
DE3579130D1 (de) Halbleiter-anordnungen mit einer vergrabenen heterostruktur.
DE69835013D1 (de) Herstellung einer elektronenemittierenden vorrichtung mit leiterähnlicher emitterelektrode
DE59711671D1 (de) Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
EP1744419A3 (de) Verbindungshalbleiterlaser
DE68916083D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer Metallisierungsschicht.
DE3581285D1 (de) Mit phosphor gegetterte integrierte halbleiterschaltungen.
DE3781469D1 (de) Integrierte halbleiter-schaltung mit einer verbesserten verbindungsstruktur.
DE69102263D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer auf einem strukturierten Substrat aufgewachsenen Schichtstruktur.
TW429635B (en) A light emitting diode and method of fabricating thereof
DE69028230D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Substratspannungsdetektorschaltung
DE50014127D1 (de) Piezoaktor mit einer elektrisch leitenden Mehrschichtfolie
DE3888663D1 (de) Bipolare Halbleiteranordnung mit einer leitenden Rekombinationsschicht.
ATE140343T1 (de) Lichtemittierende vorrichtung mit einer stufenförmigen nichtnukleierungsschicht
DE69218022D1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung unter Verwendung von polykristallinem Halbleitermaterial und Herstellungsverfahren dafür
DE69104319D1 (de) Halbleiter-Elektronenemittierendes Element.
DE3883504D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Gleichstromprüfungsfunktion.
DE3784818D1 (de) Lichtemissions-vorrichtung mit halbleitern.
DE3780239D1 (de) Licht emittierende diode mit doppelter heterostruktur.

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties