ATE357057T1 - Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur - Google Patents
Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostrukturInfo
- Publication number
- ATE357057T1 ATE357057T1 AT01996882T AT01996882T ATE357057T1 AT E357057 T1 ATE357057 T1 AT E357057T1 AT 01996882 T AT01996882 T AT 01996882T AT 01996882 T AT01996882 T AT 01996882T AT E357057 T1 ATE357057 T1 AT E357057T1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- microstructure
- holes
- etch
- different
- investigation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
Landscapes
- Weting (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0028182A GB2369187A (en) | 2000-11-18 | 2000-11-18 | Inspecting etch in a microstructure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATE357057T1 true ATE357057T1 (de) | 2007-04-15 |
Family
ID=9903439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT01996882T ATE357057T1 (de) | 2000-11-18 | 2001-11-15 | Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6770213B2 (de) |
| EP (1) | EP1340251B1 (de) |
| AT (1) | ATE357057T1 (de) |
| DE (1) | DE60127295T2 (de) |
| GB (1) | GB2369187A (de) |
| WO (1) | WO2002041388A2 (de) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872630B1 (en) * | 2002-06-12 | 2005-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Using V-groove etching method to reduce alignment mark asymmetric damage in integrated circuit process |
| EP1614155A2 (de) * | 2003-04-17 | 2006-01-11 | X-FAB Semiconductor Foundries AG | Teststruktur zur elektrischen ueberpruefung der tiefen von trench-aetzungen in einem soi wafer und zugehoerige arbeitsverfahren |
| US7238621B2 (en) * | 2005-05-17 | 2007-07-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Integrated optical MEMS devices |
| WO2007029661A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Kyoto University | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
| US8021563B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-09-20 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | Etch depth determination for SGT technology |
| US8828520B2 (en) * | 2008-07-01 | 2014-09-09 | Alcatel Lucent | Micro-posts having improved uniformity and a method of manufacture thereof |
| US9042696B2 (en) * | 2010-12-20 | 2015-05-26 | Intel Corporation | Method and structure combining vertical and angled facets in silicon photonic waveguides |
| CN103165579A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-19 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法 |
| US9107302B2 (en) * | 2013-02-12 | 2015-08-11 | Raytheon Company | Dummy structure for visual aid in printed wiring board etch inspection |
| CN103253626A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-21 | 西北工业大学 | 一种硅材料锥形结构及其制备方法 |
| US10296698B2 (en) * | 2016-12-14 | 2019-05-21 | Globalfoundries Inc. | Forming multi-sized through-silicon-via (TSV) structures |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4386850A (en) | 1980-12-23 | 1983-06-07 | Rca Corporation | Calibration device and method for an optical defect scanner |
| JP2633228B2 (ja) | 1984-04-25 | 1997-07-23 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置のエッチング精度検査方法 |
| JPH0669031B2 (ja) | 1984-07-17 | 1994-08-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0228927A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-31 | Semiconductor Res Found | 半導体装置の製造方法及びエッチング液 |
| JPH08255954A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの構造及びその製造方法 |
| US5561293A (en) * | 1995-04-20 | 1996-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of failure analysis with CAD layout navigation and FIB/SEM inspection |
| US6012336A (en) * | 1995-09-06 | 2000-01-11 | Sandia Corporation | Capacitance pressure sensor |
| JP3268184B2 (ja) * | 1995-12-11 | 2002-03-25 | シャープ株式会社 | プリント配線基板製造装置 |
| US5702982A (en) * | 1996-03-28 | 1997-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making metal contacts and interconnections concurrently on semiconductor integrated circuits |
| JPH10125653A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11258266A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Omron Corp | 半導体デバイスの製造プロセスにおいて異方性エッチングによるエッチング深さを適正化する方法、その方法を適用して製造された半導体デバイス |
-
2000
- 2000-11-18 GB GB0028182A patent/GB2369187A/en not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-07 US US09/799,495 patent/US6770213B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-15 DE DE60127295T patent/DE60127295T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-15 WO PCT/CA2001/001627 patent/WO2002041388A2/en not_active Ceased
- 2001-11-15 AT AT01996882T patent/ATE357057T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-11-15 EP EP01996882A patent/EP1340251B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6770213B2 (en) | 2004-08-03 |
| EP1340251B1 (de) | 2007-03-14 |
| WO2002041388A3 (en) | 2003-04-10 |
| GB2369187A (en) | 2002-05-22 |
| GB0028182D0 (en) | 2001-01-03 |
| EP1340251A2 (de) | 2003-09-03 |
| WO2002041388A2 (en) | 2002-05-23 |
| DE60127295D1 (de) | 2007-04-26 |
| US20020088769A1 (en) | 2002-07-11 |
| DE60127295T2 (de) | 2007-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104237871B (zh) | 一种基于相位补偿的时延差估计方法 | |
| ATE357057T1 (de) | Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur | |
| DK1241930T3 (da) | Klæbende mikrostruktur og fremgangsmåde til fremstilling af samme | |
| ATE458273T1 (de) | Verfahren zur ätzung eines substrats | |
| EP1273927B1 (de) | Überwachung von Umgebungsgeräuschen | |
| ATE270427T1 (de) | Vorrichtung zur druck-, schall- und vibrationsmessung, sowie verfahren zur strömungsanalyse an bauteiloberflächen | |
| ATE502893T1 (de) | Ätzverfahren mit verwendung eines opfersubstrats | |
| DE60209802D1 (de) | Verfahren zum erhalten eines selbsttragenden halbleiterdünnfilms für elektronische schaltungen | |
| DE60102955D1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Vorhersage des nächsten Tastenanschlags an Tastaturen, die mittels eines Zeigers bedient werden | |
| DE50113153D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von abstand und relativgeschwindigkeit eines entfernten objektes | |
| MY142148A (en) | Semiconductor texturing process | |
| ATE470949T1 (de) | Hf-pulsen eines kapazitiv gekoppelten narrow-gap- reaktors | |
| ATE393401T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur durchführung einer signalkorrelation unter verwendung vorgeschichtlicher korrelationsdaten | |
| ATE429702T1 (de) | Verfahren zur authentifizierung markierter polymere | |
| Hamstad et al. | Effects of lateral plate dimensions on acoustic emission signals from dipole sources | |
| ATE475074T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur gleichzeitigen prüfung einer vielzahl von differenziellen druckmesssensoren | |
| ATE448561T1 (de) | Verfahren zur messung der beugungsmuster mit hilfe eines transmissionselektronenmikrosops zur ermittlung der kristallstruktur und vorrichtung hierfür | |
| DE602007010767D1 (de) | Verfahren zur gewinnung spektraler informationen | |
| ATE507537T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der ähnlichkeit zwischen oberflächen | |
| CN112945442B (zh) | 一种基于压电-导波阵列的大面积结构冲击成像方法 | |
| ATE290709T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer kennung für ein audiosignal, zum aufbauen einer instrumentendatenbank und zum bestimmen der art eines musikinstruments | |
| DE50205309D1 (de) | Verfahren zur funktionsüberwachung von druckmittelleitungen sowie zugehörige einrichtung | |
| ATE297613T1 (de) | Verfahren und einrichtung zum abschätzen des störabstandes eines signals | |
| ATE338330T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur zweiphasen- grundfrequenzdetektion | |
| ATE457371T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum magnetronsputtern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RER | Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties |