ATE396428T1 - Belichtungsverfahren sowie projektions- belichtungssystem zur ausführung des verfahrens - Google Patents

Belichtungsverfahren sowie projektions- belichtungssystem zur ausführung des verfahrens

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Michael Totzeck
Johannes Wangler
Markus Brotsack
Nils Dieckmann
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Markus Schwab
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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170018113A (ko) 2003-04-09 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
ATE396428T1 (de) * 2003-09-26 2008-06-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsverfahren sowie projektions- belichtungssystem zur ausführung des verfahrens
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TW201809801A (zh) * 2003-11-20 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
CN101793993B (zh) 2004-01-16 2013-04-03 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学元件、光学布置及系统
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI389174B (zh) 2004-02-06 2013-03-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
US9396212B2 (en) 2004-04-07 2016-07-19 Visible World, Inc. System and method for enhanced video selection
US9087126B2 (en) 2004-04-07 2015-07-21 Visible World, Inc. System and method for enhanced video selection using an on-screen remote
EP1621930A3 (de) * 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Beleuchtungssystem für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
TWI453796B (zh) * 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 偏光變更單元以及元件製造方法
US7375799B2 (en) 2005-02-25 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1866700A1 (de) 2005-03-15 2007-12-19 Carl Zeiss SMT AG Projektions-belichtungsverfahren und projektionsbelichtungssystem dafür
JP4717112B2 (ja) * 2005-06-13 2011-07-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 偏光アナライザ、偏光センサおよびリソグラフィ装置の偏光特性を判定するための方法
DE102005031084A1 (de) * 2005-06-28 2007-01-04 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithografisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
JP4701030B2 (ja) * 2005-07-22 2011-06-15 キヤノン株式会社 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
JP4920041B2 (ja) * 2005-10-04 2012-04-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系とりわけマイクロリソグラフィック投影露光機における偏光分布に影響を与えるための装置及び方法
KR20080066041A (ko) * 2005-11-10 2008-07-15 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
JP2007189079A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5299937B2 (ja) * 2006-05-18 2013-09-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光近接効果を補正する方法
KR101235492B1 (ko) 2006-07-03 2013-02-20 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 리소그래피 투사 대물렌즈 교정/수리 방법
JP5154564B2 (ja) 2006-12-01 2013-02-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム
DE102007027985A1 (de) 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5329520B2 (ja) * 2007-03-27 2013-10-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 低角度で入射する補正光を用いる補正光学素子
KR101450362B1 (ko) 2007-04-03 2014-10-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈
DE102008040218A1 (de) 2007-07-11 2009-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Drehbares optisches Element
US7817250B2 (en) 2007-07-18 2010-10-19 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus
DE102007055567A1 (de) 2007-11-20 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System
DE102008003289A1 (de) 2008-01-05 2009-07-09 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102009023166A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Carl Zeiss Smt Ag Verzögerungsplatteneinheit, Anwendung der Verzögerungsplatteneinheit und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009055184B4 (de) 2009-12-22 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011003035A1 (de) 2010-02-08 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, sowie optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010029339A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102010029905A1 (de) 2010-06-10 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
CN103154818B (zh) 2010-09-28 2015-07-15 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的光学系统以及降低图像位置误差的方法
DE102011076434A1 (de) 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102011079548A1 (de) 2011-07-21 2012-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102011079777A1 (de) 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102011085334A1 (de) 2011-10-27 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012200368A1 (de) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012200371A1 (de) * 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012200370A1 (de) 2012-01-12 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines polarisationsbeeinflussenden optischen Elements, sowie polarisationsbeeinflussendes optisches Element
DE102012203944A1 (de) 2012-03-14 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Justage eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
CN104220931B (zh) 2012-03-29 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 补偿微光刻投射曝光系统的通道缺陷的设备及方法
DE102012205045A1 (de) 2012-03-29 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012206148A1 (de) 2012-04-16 2013-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zur Justage eines optischen Systems
DE102012206154A1 (de) 2012-04-16 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012206159A1 (de) 2012-04-16 2013-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung
DE102012206287A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR102231730B1 (ko) * 2012-06-26 2021-03-24 케이엘에이 코포레이션 각도 분해형 반사율 측정에서의 스캐닝 및 광학 계측으로부터 회절의 알고리즘적 제거
DE102012212864A1 (de) 2012-07-23 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012214052A1 (de) 2012-08-08 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102012214198A1 (de) 2012-08-09 2013-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012217769A1 (de) 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012223217B9 (de) * 2012-12-14 2014-07-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102013200137A1 (de) 2013-01-08 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8922753B2 (en) 2013-03-14 2014-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013204453B4 (de) 2013-03-14 2019-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente
DE102013221365A1 (de) * 2013-10-22 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungs-anlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
CA3028775C (en) 2014-03-04 2020-01-07 Novadaq Technologies ULC Spatial and spectral filtering apertures and optical imaging systems including the same
CA2941273C (en) 2014-03-04 2019-10-01 Novadaq Technologies Inc. Relay lens system for broadband imaging
WO2017035646A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Novadaq Technologies Inc. Polarization dependent filter, system using the same, and associated kits and methods
DE102015223982A1 (de) * 2015-12-02 2017-06-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder einer Waferinspektionsanlage
JP7145620B2 (ja) * 2018-02-27 2022-10-03 株式会社オーク製作所 投影露光装置
JP7162430B2 (ja) * 2018-02-27 2022-10-28 株式会社オーク製作所 投影露光装置
WO2020009764A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-09 Applied Materials, Inc. Pupil viewing with image projection systems
WO2020016626A1 (en) * 2018-07-17 2020-01-23 Carl Zeiss Sms Ltd. Method and apparatus for determining an effect of one or more pixels to be introduced into a substrate of a photolithographic mask
FI132003B1 (en) * 2023-08-24 2026-04-02 Dispelix Oy Screen structure

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3287014B2 (ja) * 1992-07-03 2002-05-27 株式会社ニコン 投影露光装置、及びその露光装置により製造されたデバイス
JP2698521B2 (ja) * 1992-12-14 1998-01-19 キヤノン株式会社 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JPH088177A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
DE19637563A1 (de) * 1996-09-14 1998-03-19 Zeiss Carl Fa Doppelbrechende Planplattenanordnung und DUV-Viertelwellenplatte
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2001185476A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置
US6373614B1 (en) * 2000-08-31 2002-04-16 Cambridge Research Instrumentation Inc. High performance polarization controller and polarization sensor
JP2002198281A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた露光装置
US20020149757A1 (en) * 2001-02-28 2002-10-17 Optical Switch Corporation Polarization vector alignment for interference lithography patterning
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
TW561254B (en) * 2001-09-26 2003-11-11 Nikon Corp Aberration measuring device, aberration measuring method, regulation method for optical system, and exposure system provided with optical system regulated by the regulation method
TW200507055A (en) * 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
WO2005003862A1 (de) * 2003-07-05 2005-01-13 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems
ATE396428T1 (de) * 2003-09-26 2008-06-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsverfahren sowie projektions- belichtungssystem zur ausführung des verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003304487A1 (en) 2005-04-14
WO2005031467A3 (en) 2005-05-19
AU2003304487A8 (en) 2005-04-14
KR101119779B1 (ko) 2012-03-23
JP2007515768A (ja) 2007-06-14
EP1668420A2 (de) 2006-06-14
KR101119723B1 (ko) 2012-03-23
KR20060097714A (ko) 2006-09-14
TWI454854B (zh) 2014-10-01
TWI359334B (en) 2012-03-01
KR20110053283A (ko) 2011-05-19
EP1668420B1 (de) 2008-05-21
TWI470372B (zh) 2015-01-21
DE60321241D1 (de) 2008-07-03
KR101119796B1 (ko) 2012-03-23
TW200527144A (en) 2005-08-16
TW201222170A (en) 2012-06-01
KR20110053284A (ko) 2011-05-19
JP4588635B2 (ja) 2010-12-01
WO2005031467A2 (en) 2005-04-07
TW201216015A (en) 2012-04-16

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