BE1007610A3 - Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. - Google Patents
Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. Download PDFInfo
- Publication number
- BE1007610A3 BE1007610A3 BE9301063A BE9301063A BE1007610A3 BE 1007610 A3 BE1007610 A3 BE 1007610A3 BE 9301063 A BE9301063 A BE 9301063A BE 9301063 A BE9301063 A BE 9301063A BE 1007610 A3 BE1007610 A3 BE 1007610A3
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- sol
- stabilized
- electroless
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 20
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 19
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 17
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 17
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 11
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 11
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 11
- -1 alkoxy aminosilane Chemical compound 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N [(1r,2s,4r,5r)-3-hydroxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxy-6,8-dioxabicyclo[3.2.1]octan-2-yl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)O[C@H]1C(O)[C@@H](OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)[C@@H]2OC[C@H]1O2 NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 6
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007162 SnPd Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910003953 H3PO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000235395 Mucor Species 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- WFYPICNXBKQZGB-UHFFFAOYSA-N butenyne Chemical group C=CC#C WFYPICNXBKQZGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002444 silanisation Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940074404 sodium succinate Drugs 0.000 description 1
- ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L sodium succinate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CCC([O-])=O ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
- C23C18/1868—Radiation, e.g. UV, laser
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1882—Use of organic or inorganic compounds other than metals, e.g. activation, sensitisation with polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Op een glazen substraat (1) kunnen langs stroomloze weg metaalpatronen (11,11',11'') worden aangebracht, door het substraat met een silaan monolaag (3) te modificeren, deze te bekiemen in een met een polymeer gestabiliseerd Pd-sol (5) en daarna de Pd-kiemen en silaanlaag lokaal (9,9') met een gepulste laser te verwijderen. Er wordt geen gebruik gemaakt van een fotoresist, noch van organische oplosmiddelen. De werkwijze is zeer geschikt voor de vervaardiging van de black matrix op een faceplaat van beeldweergeefinrichtingen, zoals de passieve plaat voor een LCD.
Description
<Desc/Clms Page number 1>
Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat, waarbij het substraat wordt voorbehandeld en vervolgens plaatselijk wordt belicht, waarna het substraat in contact gebracht wordt met een waterige metaalzoutoplossing onder vorming van het metaalpatroon op niet-belichte gebieden.
De uitvinding heeft in het bijzonder betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op een glazen faceplaat van een beeldweergeefinrichting, zoals een kleurenbeeldbuis en een vloeibaar- kristalweergeefinrichting.
Stroomloze of chemische metallisering is een eenvoudige en goedkope methode voor het metalliseren van dielektrische substraten, zoals glas, keramiek en polymere kunststoffen. Hiertoe worden stroomloze metalliseringsbaden, zoals koper-en nikkelbaden, toegepast welke gecomplexeerde metaalionen en een reductiemiddel bevatten. Op katalytische oppervlakken worden de metaalionen gereduceerd tot metaal.
Veelal worden metallische Pd-kiemen op het te metalliseren oppervlak aangebracht teneinde het oppervlak katalytisch te maken. In een standaard procedure wordt het te metalliseren substraat vooraf bekiemd (activeren genoemd) door het substraat in contact te brengen met ofwel waterige oplossingen van achtereenvolgens SnCl2 en PdCl2 ofwel met een colloidale SnPd-dispersie. In beide gevallen worden de Pd-kiemen omgeven door geadsorbeerde Sol-ionien onder vorming van een lading-gestabiliseerd Pd-sol. Het geactiveerde oppervlak wordt vervolgens gedompeld in een stroomloos metalliseringsbad, waarbij het oppervlak gemetalliseerd wordt. Genoemde activeringsmethoden zijn niet-selectief, dat wil zeggen het gehele substraatoppervlak, zoals glas, wordt bekiemd en daardoor gemetalliseerd.
Deze activeringsmethoden voldoen goed voor stroomloos koper waarbij het sterk reducerende formaldehyde als reductiemiddel wordt toegepast. Voor de meeste stroomloze nikkelbaden voldoen deze activeringsmethoden minder goed vanwege de lagere reactiviteit van de gebruikte reductiemiddelen, zoals hypofosfiet, in deze baden en vanwege de lagere pH-waarde.
<Desc/Clms Page number 2>
EMI2.1
Dit wordt veroorzaakt door het gebruik van Sn2+ bij de bereiding van het Pd-sol, waarbij Sol-ionien ontstaan. De op de Pd-deeltjes geadsorbeerde Sn4+ welke op zich gebruikt worden als stabilisatoren in stroomloze nikkelbaden, remmen daarbij de oxydatie van het reductiemiddel. Teneinde nikkelafscheiding te verkrijgen dienen zeer reactieve nikkelbaden zonder stabilisatoren te worden toegepast, zoals een sterk alkalisch stroomloos nikkelbad op basis van hypofosfiet (pH > 14). De afwezigheid van stabilisatoren in een stroomloos nikkelbad leidt echter tot een slechte procesbeheersing, slechte selectiviteit en het gevaar van bad-instabiliteit, dat wil zeggen spontane nikkelvorming in het nikkelbad. Commercieel verkrijgbare stroomloze nikkelbaden bevatten om die reden stabilisatoren, waaronder zware metaalionen zoals Sn2+, Su4+ Pb2+ en organische zwavelverbindingen zoals thioureum.
In elektronische toepassingen is vaak een selectieve of patroonmatige metallisering gewenst. Dit kan op verschillende manieren worden bereikt. In een subtractief proces wordt eerst een uniforme metaallaag met de gewenste dikte op het substraat afgescheiden. Vervolgens wordt een fotoresistlaag aangebracht welke patroonmatig wordt belicht en ontwikkeld onder vorming van een patroon in de resistlaag. Tenslotte wordt de metullaag de resistlaag wordt gestript. In een additief proces wordt het substraat geactiveerd met katalytische Pdkiemen. Vervolgens wordt op het substraat een fotoresistlaag aangebracht welke patroonmatig wordt belicht en ontwikkeld onder vorming van een patroon in de resistlaag. Daarna wordt het oppervlak gedompeld in een stroomloos metalliseringsbad, waarbij metaal tot de gewenste dikte in de openingen van het resistpatroon wordt afgescheiden.
Tenslotte wordt de resistlaag gestript en worden de Pd-kiemen verwijderd door een korte etsbehandeling. Beide processen hebben als nadeel dat een relatief groot aantal processtappen en milieuschadelijke chemicaliën nodig zijn, zoals de resiststripper en het metaaletsbad. Bovendien is het aanbrengen van resistlagen op grote glasoppervlakken niet eenvó4dig.
Het is eveneens bekend om op een substraat een Pd-acetaat-of acetylacetonaatfilm door middel van spincoating aan te brengen, welke film met een laser lokaal wordt ontleed tot metallisch palladium. Het Pd-acetaat op de niet-belichte delen wordt vervolgens verwijderd. Het aldus gevormde patroon van Pd-kiemen wordt vervolgens gemetalliseerd in een stroomloos nikkel-ofkoperbad. Het nadeel van deze methode is het relatief grote aantal processtappen en de hoge laservermogens die nodig
<Desc/Clms Page number 3>
zijn om het Pd-acetaat te ontleden. Hierdoor is het behandelen van grote glasoppervlakken zeer tijdsintensief.
Uit het Amerikaanse octrooischrift US 4, 996, 075 is een methode bekend om op een Si02-oppervlak patroonmatig een zeer dunne zilverfilm af te scheiden. Daarbij wordt het oppervlak behandeld met een oplossing van een silaan met een vinyl- of acetyleengroep in een organisch oplosmiddel, zoals koolstoftetrachloride en chloroform.
Door deze behandeling ontstaat een monomoleculaire laag van het silaan op het Si02oppervlak, dat wil zeggen een silaanlaag met een dikte gelijk aan de lengte van het silaanmolecuul. Door plaatselijke bestraling van de silaanlaag met energetische straling, zoals een elektronen-of lichtbundel, worden de vinyl-of acetyleengroepen onderling chemisch gebonden onder vorming van een polymeerlaag en daardoor selectief gedeactiveerd. Vervolgens wordt het oppervlak achtereenvolgens gedompeld in een oplossing van diboraan in THF en een basische oplossing van waterstofperoxyde, waardoor de niet-belichte vinylgroepen omgezet worden in hydroxylgroepen. Daarna worden de hydroxylgroepen omgezet in aldehydegroepen.
Door behandeling met een waterige zilvernitraat-oplossing worden de zilverionen door de aldehydegroepen gereduceerd tot metallisch zilver onder vorming van een patroonmatige zilverlaag met een dikte van één atoomlaag in de niet-bestraalde gebieden. Door spontane omzetting van de monoatomaire zilverlaag in een monomoleculaire zilveroxidelaag kan een tweede monomoleculaire laag van vinylsi1aan op de zilveroxidelaag worden gevormd, waarna de bovengenoemde stappen van omzetting van vinylgroepen via hydroxylgroepen in aldehydegroepen worden herhaald. Daarna volgt een tweede behandeling met een waterige zilvernitraat-oplossing, waardoor een tweede monomoleculaire zilveroxidelaag ontstaat.
Door deze stappen-vele malen te herhalen ontstaat een altemerend laminaat van monolagen silaan en monolagen zilveroxide.
Een nadeel van de bekende werkwijze is het grote aantal processtappen dat nodig is om een metaalpatroon te verkrijgen met een voldoende laagdikte van bijvoorbeeld 0, 1 JLm of meer, zodanig dat de laag optisch dicht is en/of een voldoend
EMI3.1
lage elektrische weerstand heeft. Een ander nadeel is het gebruik van schadelijke lag organische oplosmiddelen als oplosmiddel voor de silanen met een vinyl- acetyleengroep. Nog een ander nadeel is dat door de voorgestelde bestraling van de 1
<Desc/Clms Page number 4>
ofsilaanlaag deze laag gedeactiveerd wordt door onderlinge binding van de vinyl- of acetyleengroepen onder vorming van een polymeerlaag die het SiOz-oppervlak bedekt.
Deze afsluitende polymeerlaag is moeilijk te verwijderen en is vaak ongewenst. De polymeerlaag maakt het SiQ-oppervlak onbereikbaar voor andere oppervlaktereacties of veroorzaakt bijvoorbeeld hechtingsproblemen met andere aan te brengen lagen.
De uitvinding beoogt onder meer een werkwijze te verschaffen voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat met een relatief gering aantal processtappen, waarbij geen fotoresistlagen en organische oplosmiddelen worden toegepast. De uitvinding beoogt tevens een werkwijze te verschaffen welke geschikt is voor het patroonmatig metalliseren van relatief grote substraatoppervlakken van bijvoorbeeld 25 x 40 cm. De uitvinding beoogt eveneens een werkwijze te verschaffen welke geschikt is voor toepassing van in de handel verkrijgbare stroomloze nikkelbaden.
Aan deze doelstellingen wordt voldaan door een werkwijze zoals in de aanhef is beschreven en welke gekenmerkt is doordat het substraat wordt voorbehandeld door het in contact te brengen met een waterig Pd-sol dat gestabiliseerd wordt met een in water oplosbaar polymeer onder afzetting van geadsorbeerde Pd-kiemen op het substraat en dat het plaatselijk belichten wordt uitgevoerd met een gepulste
EMI4.1
laserlichtbundel met een zodanige energie-inhoud per puls dat de Pd-kiemen plaatselijk van het substraat worden verwijderd en dat een stroomloos meta1liseringsbad wordt toegepast voor de vorming van het metaalpatroon op de niet-belichte gebieden van het substraat. Afhankelijk van het toegepaste wateroplosbare polymeer kan de werkwijze worden toegepast met glazen substraten of op andere elektrisch isolerende substraten, zoals keramiek en polymere kunststoffen.
De werkwijze volgens de uitvinding berust op de waarneming dat een Pd-sol dat niet is gestabiliseerd met Sol-ionien maar met een in water oplosbaar neutraal polymeer, dat wil zeggen een polymeer met ketens zonder ladingen, niet op een glasoppervlak adsorbeert, terwijl op andere materialen dan glas een uitstekende Pdbedekking wordt verkregen. In dit verband wordt onder het sol een colloidale dispersie van Pd in water verstaan. Waarschijnlijk berust dit verschijnsel op het ontstaan van een
EMI4.2
negatieve oppervlakte-lading wanneer een glazen oppervlak zich in water bevindt.
"1
<Desc/Clms Page number 5>
EMI5.1
Oppervlakte-modificatie van het glasoppervlak door het aanbrengen van zelfs monolagen van een ander materiaal is in staat de adsorptie-eigenschappen van het Pd-sol te beïnvloeden. Een glasoppervlak kan zeer geschikt worden gemodificeerd met diverse silanen, waarbij de silanen een chemische binding vormen met het glasoppervlak. Het aanbrengen van een (mono) silaan wordt silaneren genoemd. Polymeergestabiliseerde Pd-solen adsorberen wel op gesilaneerde glasoppervlakken en vormen daar een katalytisch oppervlak voor stroomloze metallisering.
De geadsorbeerde Pd-kiemen blijken plaatselijk te kunnen worden verwijderd door belichting met gepulst laserlicht van voldoende vermogen. Een geschikte laser voor deze toepassing is een ArF excimerlaser met een golflengte van 193 nm en een energie-inhoud van ten minste 30 mJ per puls per seconde. Een andere geschikte laser is een Nd-YAG laser met een golflengte van 532 nm en een energieinhoud van ten minste 900 mJ per puls per seconde. Met de verdubbelde golflengte van 1064 nm is een grotere energie-inhoud per puls nodig. Tevens kan een CO2-laser worden toegepast met een golflengte van 10, m en een energie-inhoud van 5 J per puls per seconde. Door plaatselijke belichting met genoemd laserlicht ontstaat een patroon in de geadsorbeerde Pd-kiemen. Het gevormde patroon van Pd-kiemen wordt vervolgens gemetalliseerd in een stroomloos metalliseringsbad onder vorming van het metaalpatroon.
Met deze methode wordt een zeer hoge Pd-kiemdichtheid van 2.
Pd-atomen per cm verkregen, hetgeen leidt tot een zeer goede initiatie van niet alleen stroomloze koperbaden, maar ook van alle minder reactieve commercieel verkrijgbare stroomloze nikkelbaden. De hoge Pd-kiemdichtheid veroorzaakt eveneens een zeer goede hechting van de koper-of en tevens een hoge selectiviteit voor de metallisering van de niet-belichte plaatsen ten opzichte van de belichte plaatsen. In dit verband kan in plaats van glas tevens kwarts, kwartsglas en glaskeramiek zoals Mucor" worden toegepast.
Ook deze laatst genoemde materialen worden door een met een polymeer met neutrale ketens gestabiliseerd Pd-sol niet geactiveerd, doch wel door de bekende SnPd-solen en SnC/PdCl Het Pd-sol kan bereid door aan een waterige HC1 bevattende oplossing van een Pd-zout, zoals PdC, een ander reductiemiddel dan een Sn2+ te voegen, zoals H3POz, NaHPOz dimethylaminoboraan, waardoor metallisch Pd ontstaat en waarbij de oplossing tevens een in water oplosbaar polymeer bevat, dat het
<Desc/Clms Page number 6>
laagsol stabiliseert. Sterische hindering van de polymeerketens op de Pd-deeltjes verhindert flocculatie van deze deeltjes.
Geschikte in water oplosbare polymeren met neutrale ketens zijn polyvinylalcohol (PVA) en polyvinylpyrrolidon (PVP, zie figuur 2). In het geval van PVA wordt een heterodispers sol verkregen met deeltjes in de range van 2-10 nm. Met PVP wordt een monodispers sol gevormd met deeltjes van 2 nm. Een deeltje van 2 nm bevat ongeveer 500 Pd-atomen. Het molecuulgewicht en de concentratie aan polymeer wordt zodanig gekozen dat per Pd-deeltje één polymeerketen aan het deeltje geadsorbeerd is. Bij voorkeur wordt PVP met een gemiddeld molecuulgewicht van ca. 10000 gebruikt (bijvoorbeeld K-15 van Fluka). Een relatief laag gemiddeld molecuulgewicht in combinatie met de kleine deeltjes veroorzaakt een hoge dichtheid aan Pd-kiemen op het substraat, hetgeen leidt tot een uitstekende initiatie van de stroomloze metallisering, ook die van nikkel.
Pd-PVP solen zijn stabieler dan Pd-PVA solen, zodat het eerstgenoemde sol een langere levensduur heeft. Daardoor kan een geconcentreerde stock oplossing worden bereid van een Pd-PVP sol, welke voor gebruik bijvoorbeeld 10x verdund wordt. Een ander voordeel van PVP ten opzichte van PVA is de verminderde schuimvorming in de bekiemingsoplossing.
Genoemde polymeer-gestabiliseerde Pd-solen zijn bekend uit de Europese octrooiaanvrage EP-A-518422 (PHN 13743) van Aanvraagster. Genoemde octrooiaanvrage beschrijft een methode om indium-tinoxide (ITO) patronen op glas selectief te metalliseren. De daarin beschreven methode maakt gebruik van de selectieve adsorptie van dergelijke Pd-solen op ITO. Navolgende stroomloze metallisering vindt uitsluitend op het ITO plaats.
Voor de metallisering van glazen substraten en bij gebruik van polymeren met neutrale ketens, zoals PVA en PVP, voor de stabilisatie van het Pd-sol is het noodzakelijk het glasoppervlak vóór de bekieming te silaneren. Volgens de uitvinding worden waterige oplossingen : van een silaan toegepast, ter vermijding van ongewenste organische oplosmiddelen. Geschikte silanen zijn in water oplosbare aminosilanen met ten minste een alkoxygroep.
Hiertoe behoren de silanen met de formule : R3NH (CHJ3SiR lz (ORZ)
<Desc/Clms Page number 7>
waarin R1= CH3, C, methoxy of ethoxy en R=CH3of C2Hs
EMI7.1
R3= of (CHJSTHR-* R4= H, of of CHj en m= 1, Geschikte representanten hiervan zijn 3-aminopropyl triethoxysilaan (A 0750 van Petrarch of y-APS), 3-aminopropyl trimethoxysilaan (A 1100 van Union Carbide) en N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilaan (A 1120 van Union Carbide). De concentratie van het gebruikte silaan in water is niet kritisch en ligt bijvoorbeeld tussen 0, 01 en 3 gew. %. De immersietijd van het substraat in de silaanoplossing is evenmin kritisch voor de daarop volgende Pd-adsorptie.
Eén van de alkoxygroepen van het silaanmolecuul reageert met een hydroxy-groep van het glasoppervlak en zorgt voor een chemische binding. Uiteraard dient het glasoppervlak voor de silanering afdoende te worden gereinigd.
Bovengenoemde Pd-solen welke gestabiliseerd zijn met PVP of PVA kunnen eveneens worden toegepast voor de bekieming van substraten anders dan glas, bijvoorbeeld keramiek zoals alumina, zirkonia, femeten en indium-tinoxide (ITO), en kunststoffen waaronder polycarbonaat en polymethylmethacrylaat. Silanering van deze substraten is hierbij niet noodzakelijk.
Glazen substraten blijken wel bekiemd te worden met Pd-solen die gestabiliseerd zijn met in water oplosbare polymeren die ketens bevatten met positieve ladingen. Een in water oplosbaar polymeer met positieve ladingen is bijvoorbeeld poly-2-vinylpyridine (PVP). Opgelost in water bevinden de positieve ladingen zieh op sommige stikstofatomen van de pyridine-ringen (zie figuur 3). Een ander geschikt polymeer met positieve ladingen is Merquat 550#4 van de firma Merck. Dit wateroplosbare polymeer is een random copolymeer van diallyldimethylammoniumchloride (figuur 4) en acrylaatamide' (figuur 5) en wordt geleverd als een 8, 5 gew. % oplossing in water. In het copolymeer bevatten de sdkstofatomen van de ammoniumgroepen de positieve ladingen.
Vanwege de negatieve oppervlakte-lading van glas in water adsorberen dergelijke gestabiliseerde Pd-solen op glas.
Zoals hierboven is vermeld bedraagt het aantal geadsorbeerde Pd-atomen op het glasoppervlak met deze Pd-solen 2.10l5 per cm2. Met Pd-PVA solen wordt een dichtheid bereikt van 3. 1015 Pd-atomen per cm. Deze waarden zijn bepaald met behulp
EMI7.2
1
<Desc/Clms Page number 8>
van XRF (X-ray fluorescence). Een dergelijk oppervlak werkt zeer katalytisch en leidt tot een betrouwbaar stroomloos meta1liseringsproces, zelfs met minder reactieve : f stroomloze nikkelbaden. Alle bekende stroomloze nikkelbaden kunnen worden toegepast, zoals die op basis van glycine, succinaat, pyrofosfaat en citraat.
Tevens
EMI8.1
kunnen de bekende commercieel verkrijgbare baden worden toegepast, zoals Shipley Niposit ze OM Enplate ze Shipley Niposit 46sox, OMI Enlyte 512"en Naast een nikkelzout bevat een dergelijk bad altijd een reductiemiddel zoals hypofosfiet of dimethylaminoboraan. Vaak zijn stabilisatoren zoals zwavelverbindingen, tin- of loodzouten aanwezig ter voorkoming van spontane nikkelafzetting.
De werkwijze volgens de uitvinding is in het bijzonder geschikt voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op faceplaten van beeldweergeefinrichtingen, zoals een passieve plaat van een vloeibaar- kristalweergeefmrichting (LCD), vooral een met relatief grote afmetingen van bijvoorbeeld 25 x 40 cm. De black matrix verbetert het contrast tussen de drie kleurfilters rood, groen en blauw van het kleurfilterpatroon. Veelal wordt hiervoor een dunne chroomfilm toegepast, waarin langs fotolithografische weg, dat wil zeggen aanbrengen fotoresist, belichten, ontwikkelen, etsen en resist strippen, openingen worden aangebracht.
Deze openingen vormen de pixels van de passieve plaat van het LCD en bezitten afmetingen van bijvoorbeeld 50 x 70 gm. Volgens de uitvinding wordt een gereinigde glasplaat behandeld met een waterige oplossing van een silaan, waardoor op de glasplaat een (monomoleculaire) laag van het silaan wordt gevormd. Vervolgens vindt activering plaats met een Pd-sol gestabiliseerd met een in water oplosbaar polymeer. Op plaatsen waar de metalen matrix niet moet worden aangebracht worden de Pd-kiemen met een gepulste laser van voldoende vermogen verwijderd. Daarna worden met behulp van een stroomloos nikkelbad de niet-belichte gebieden vernikkeld onder vorming van de black matrix. Bij een dikte van 0, 1 m is de nikkellaag optisch dicht.
De werkwijzvolgens de uitvinding is volledig additief en er wordt bovendien geen gebruik gemaakt van fotoresists, milieuschadelijke ontwikkelaars en etsmiddelen.
De kleurfilters worden in de openingen aangebracht door middel van bijvoorbeeld zeefdrukken, inkjet-printen of lithografische technieken. Nadat de kleurfilters zijn aangebracht worden achtereenvolgens een toplaag van polyacrylaat, een SiO-laag en een ITO-laag'aangebracht.
EMI8.2
e
<Desc/Clms Page number 9>
De werkwijze volgens de uitvinding kan eveneens worden toegepast voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op beeldschermen van kleurenbeeldbuizen, zoals kathodestraalbuizen en faceplaten van platte displays waaronder elektronen fiberdisplays zoals die beschreven zijn in de Europese octrooiaanvrage EP-A-400750 (PHN 12927) van Aanvraagster.
Andere toepassingen van de werkwijze volgens de uitvinding zijn de vervaardiging van geleiderpatronen voor chip-on-glass, koperpatronen voor spoelen in mini-motoren en het aanbrengen van metalen elektroden rond en in de gaten van glazen selectieplaten van genoemde elektronen fiberdisplays.
Opgemerkt wordt dat in de niet-voorgepubliceerde Europese octrooiaanvrage met aanvraagnummer 93201804. 7 (PHN 14105) van Aanvraagster een methode beschreven wordt waarbij een glazen substraat selectief wordt gemetalliseerd door het substraat achtereenvolgens te silaneren, patroonmatig te bestralen met UV-ozon of laserlicht, waarbij de silaanlaag plaatselijk wordt verwijderd, en vervolgens te bekiemen met een PVA-of PVP-gestabiliseerd Pd-sol. De bestraling vindt hierbij plaats vóór de Pd-bekieming. De bekieming vindt alleen plaats op de niet-bestraalde gebieden.
In een stroomloos metalliseringsbad worden de bekiemde gebieden gemetalliseerd.
De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van een uitvoeringsvoorbeelden en tekeningen, waarin
Figuur 1 schematisch de processtappen weergeeft van een werkwijze volgens de uitvinding,
Figuur 2 de structuurformule weergeeft van polyvinylpyrrolidon,
Figuur 3 de structuurformule weergeeft van poly-2-vinylpyridine met een positief geladen keten,
Figuur 4 de stiuctuurformule weergeeft van diallyldimethylammoniumchloride, en
Figuur 5 de structuurformule weergeeft van acrylaatamide.
Uitvoeringsvoorbeeld 1.
Een met polymeer gestabiliseerd Pd-sol geschikt voor toepassing in de werkwijze volgens de uitvinding wordt als volgt bereid. Van een PdCl2-oplossing
<Desc/Clms Page number 10>
bestaande uit 10 g/l PdCl2 en 350 ml/l geconcentreerd zoutzuur in water wordt 0, 6 ml verdund met 38, 4 ml water. Aan deze oplossing wordt 0, 07 ml van een 1 gew. % polyvinylpyrrolidon (PVP) oplossing in water toegevoegd. PVP heeft de structuurformule zoals weergegeven is in figuur 2, waarin in dit geval ongeveer 90 bedraagt. Het PVP is afkomstig van Fluka, type K-15 en heeft een gemiddeld molecuulgewicht van 10000. Vervolgens wordt onder roeren 1 ml van een waterige 0, 625 molair H3POz-oplossing toegevoegd. Het gevormde Pd-sol is monodispers met deeltjes van 2 nm en wordt gebruikt als activeringsoplossing.
Figuur 1 toont schematisch de processtappen van de werkwijze volgens de uitvinding, waarbij het glazen testsubstraat en de aan te brengen lagen schematisch in dwarsdoorsnede zijn weergegeven. De getekende laagdikteverhoudingen komen niet overeen met de werkelijkheid.
Als testsubstraat wordt een boorsilicaatglasplaat 1 (figuur la) gebruikt met afmetingen van 35 x 35 mm. Het testsubstraat wordt gereinigd met een waterige oplossing die 1 gew. % Extran*" (een alkalisch detergent van de firma Merck) bevat. De zeepresten worden verwijderd door te spoelen met gedemineraliseerd water en een UVozon behandeling gedurende 15 minuten.
Het gereinigde testsubstraat wordt direct gesilaneerd door een 0, 025 gew. % oplossing van 3-aminopropyl trimethoxysilaan (A 1100 van Union Carbide) in water op te spinnen bij een toerental van 3000 toeren per minuut gedurende 20 seconden, waarna het testsubstraat gedurende 10 minuten wordt verwarmd op 80 C.
Door reactie van een methoxy- of silanolgroep van het silaan met een -SiOH groep van
EMI10.1
het glasoppervlak ontstaat een silaanlaag 3 met een dikte van ongeveer 1-5 nm op het .'.. - - glasoppervlak. Het gebruikte silaan bevat drie reactieve methoxygroepen waardoor de silaanlaag uit een driedimensionaal netwerk (polysiloxan) bestaat. Het gesilaneerde testsubstraat wordt gespoeld met gedemineraliseerd water en gedroogd.
Het gesilaneerde testsubstraat wordt daarna gedurende 1 minuut gedompeld in de bovengenoemde activeringsoplossing van het met PVP gestabiliseerde Pd-sol. Op de silaanlaag 3 adsorberen Pd-kiemen 5 (figuur Ib). Analyse met TEM (Transmission Electron Microscopy) toont aan dat de Pd-kiemen een diameter van 2 nm bezitten. XRF analyse geeft een bedekkingsgraad aan van 2. 1011 geadsorbeerde Pdatomen per cm2.
<Desc/Clms Page number 11>
Na de activeringsbehandeling wordt gespoeld in gedemineraliseerd water, waarna het geactiveerde testsubstraat plaatselijk wordt bestraald met een ArF excimerlaser met golflengte 193 nm. De laserlichtbundels zijn aangeduid met pijlen 7 en 7' (figuur lc). De laser is gepulst met een pulsfrequentie van 1 puls per seconde. De energieinhoud van de puls bedraagt 35 mJ. Op de plaatsen 9 en 9' (figuur lc) worden zowel de silaanlaag 3 als de Pd-kiemen 5 tot op het glasoppervlak verwijderd. Pulsen met een energie-inhoud van minder dan 30 mJ per puls blijken niet voldoende te zijn om een patroon aan te brengen.
Het belichte testsubstraat wordt daarna in een stroomloos nikkelbad gebracht dat per liter 20 g Nicol2, 16 g natriumsuccinaat, 10 g natriumhypofosfiet en 2 g natriumacetaat in water bevat. Het nikkelbad is aangezuurd met HCI tot een pH van 4, 5 en heeft een temperatuur van 70. C. Na 3 minuten wordt een nikkellaag 11, 11'en 11" (figuur Id) verkregen met een laagdikte van 0, 2 jam op de onbelichte plaatsen van het testsubstraat. Op de belichte plaatsen 9 en 9'wordt geen nikkel afgezet. Op het glazen testsubstraat is aldus een patroonmatige nikkellaag gevormd. De hechting van de nikkellaag aan het glasoppervlak voldoet aan de tape test.
Op dezelfde wijze als hiervoor beschreven wordt een glazen faceplaat met afmetingen van 25 x 40 cm voor een LCD voorzien van een black matrix. Het gevormde nikkelpatroon op de niet-belichte gebieden van faceplaat vormt de black matrix.
Uitvoeringsvoorbeeld 2.
EMI11.1
Uitvoeringsvoorbeeld l wordt herhaald, waarbij het Pd-sol wordt gestabiliseerd met het random copolymeer van diauyldimethylammoniumchloride (figuur 4) en acrylaatamide (figuur 5). Dit copolymeer wordt geleverd door de firma Merck onder de naam Merquat 550"ale een geconcentreerde waterige oplossing met een concentratie van 8, 5 gew. %. Deze geconcentreerde oplossing wordt met water verdund tot een concentratie van 6, 5 g/l.
0, 7 ml van deze verdunde oplossing wordt toegevoegd aan een mengsel van 0, 6 ml waterige PdCl2-oplossing (1 g/l) en 37, 7 ml water, waarna 1 ml waterige H3POz-oplossing (0, 625 mol/l) wordt bijgemengd onder vorming van een gestabiliseerd Pd-sol, waarvan de op het Pd geadsorbeerde polymeerketens positieve ladingen dragen.
<Desc/Clms Page number 12>
Het glazen substraat wordt op de beschreven manier gereinigd, waarna het direct gedurende 1 minuut wordt gedompeld in het Pd-sol. In dit uitvoeringsvoorbeeld vindt geen silanering van het glazen substraat plaats. Het positief geladen sol adsorbeert op het negatief geladen glasoppervlak, waardoor een katalytisch oppervlak voor stroomloze meta1lisering wordt gevormd.
Na de activeringsbehandeling wordt gespoeld in gedemineraliseerd water, waarna het geactiveerde testsubstraat plaatselijk wordt bestraald met een Nd-YAG laser met golflengte 532 nm. De laser is gepulst met een pulsfrequentie van 1 puls per seconde. De energie-inhoud van de puls bedraagt 900 mJ. Op de belichte plaatsen van het substraat worden de Pd-Idemen verwijderd.
Het belichte testsubstraat wordt daarna gedurende 2 minuten in een commercieel verkrijgbaar stroomloos nikkelbad gebracht (Shipley Niposit 65). Dit bad bevat onder meer hypofosfiet als reductiemiddel en Pub2+- en S-verbindingen als stabilisatoren. Op de onbelichte plaatsen van het testsubstraat wordt nikkel afgezet, terwijl op de belichte plaatsen geen nikkel wordt gevormd. Op het glazen testsubstraat is aldus een patroonmatige nikkellaag gevormd. De hechting van de nikkellaag aan het glasoppervlak voldoet aan de tape test.
Uitvoeringsvoorbeeld 3.
Uitvoeringsvoorbeeld 2 wordt herhaald met een glazen substraat waarop vooraf 100 nm A1203 wordt gesputterd. De activering, belichting en metallisering van het Al203-opppervlak vinden op identieke wijze plaats. Op deze wijze wordt een patroon van nikkel op het oppervlak gevormd.
De werkwijze volgens de uitvinding heeft drie wezenlijke processtappen, namelijk activeren met een gestabiliseerd Pd-sol, patroonmatig belichten met gepulst laserlicht en selectief stroomloos metalliseren in bijvoorbeeld een nikkelbad. Met deze werkwijze is het mogelijk op : relatief grote substraten langs stroomloze weg een metaalpatroon aan te brengen met relatief weinig processtappen, zonder gebruikmaking van fotoresists, ontwikkelvloeistoffen en organische oplosmiddelen. De activering en eventuele silanering vinden plaats in waterige oplossingen. Door de verkregen grote Pdkiemdichtheid tijdens de activeringsbehandeling ontstaat een betrouwbaar stroomloos metalliseringsproces.
Claims (10)
- Conclusies : 1. Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat, waarbij het substraat wordt voorbehandeld en vervolgens plaatselijk wordt belicht, waarna het substraat in contact gebracht wordt met een waterige metaalzoutoplossing onder vorming van het metaalpatroon op niet-belichte gebieden van het substraat, met het kenmerk,dat het substraat wordt voorbehandeld door het in contact te brengen met een waterig Pd-sol dat gestabiliseerd wordt met een in water oplosbaar polymeer onder afzetting van geadsorbeerde Pd-kiemen op het substraat en dat het plaatselijk belichten wordt uitgevoerd met een gepulste laserlichtbundel met een zodanige energie-inhoud per puls dat de Pd-kiemen plaatselijk van het substraat worden verwijderd en dat een stroomloos metalliseringsbad wordt toegepast voor de vorming van het metaalpatroon op de niet-belichte gebieden van het substraat.
- 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een glazen substraat wordt toegepast.
- 3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het substraat vooraf wordt gesilaneerd met een waterige oplossing van een alkoxy-aminosilaan en dat het Pdsol gestabiliseerd wordt met een polymeer gekozen uit de groep gevormd door polyvinylalcohol en polyvinylpyrrolidon.
- 4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat het alkoxyaminosilan gekozen wordt uit de groep gevormd door 3-aminopropyl trimethoxysilaan en N- (2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilaan.
- 5. Werkwijze volgens conclusie l, met het kenmerk, dat het Pd-sol wordt gestabiliseerd met een in water oplosbaar polymeer met ketens die positieve ladingen bevatten.
- 6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat het polymeer gekozen wordt uit de groep-gevormd door poly-2-vinylpyridine en een copolymeer van diallyldimethylammoniumchloride en acrylaatamide.
- 7. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een substraat anders dan glas wordt toegepast en dat het Pd-sol gestabiliseerd wordt met een polymeer gekozen uit de groep gevormd door polyvinylalcohol, polyvinylpyrrolidon en een in water oplosbaar polymeer met ketens die positieve ladingen bevatten. <Desc/Clms Page number 14>
- 8. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de laserlichtbundel afkomstig is van een ArF excimerlaser met een golflengte van 193 nm en een energie-inhoud van ten minste 30 mJ per puls per seconde.
- 9. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de laserlichtbundel afkomstig is van een Nd-YAG laser met een golflengte van 532 nm en een energie-inhoud van ten minste 900 mJ per puls per seconde.
- 10. Werkwijze voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op een glazen faceplaat van een beeldweergeefinrichting onder toepassing van de werkwijze volgens conclusie 1, waarbij door gebruik van een stroomloos nikkelbad de black matrix uit nikkel wordt gevormd.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE9301063A BE1007610A3 (nl) | 1993-10-11 | 1993-10-11 | Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. |
| EP94202868A EP0647729B1 (en) | 1993-10-11 | 1994-10-04 | Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process |
| DE69403876T DE69403876T2 (de) | 1993-10-11 | 1994-10-04 | Verfahren zur Herstellung eines metallischen Musters auf einem elektrisch isolierenden Substrat durch stromlose Plattierung |
| JP6245473A JPH07188936A (ja) | 1993-10-11 | 1994-10-11 | 無電解プロセスにおける電気絶縁基板上への金属パターンの製造方法 |
| TW084102196A TW301842B (nl) | 1993-10-11 | 1995-03-08 | |
| US08/652,253 US6238749B1 (en) | 1993-10-11 | 1996-05-23 | Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE9301063A BE1007610A3 (nl) | 1993-10-11 | 1993-10-11 | Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE1007610A3 true BE1007610A3 (nl) | 1995-08-22 |
Family
ID=3887406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE9301063A BE1007610A3 (nl) | 1993-10-11 | 1993-10-11 | Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6238749B1 (nl) |
| EP (1) | EP0647729B1 (nl) |
| JP (1) | JPH07188936A (nl) |
| BE (1) | BE1007610A3 (nl) |
| DE (1) | DE69403876T2 (nl) |
| TW (1) | TW301842B (nl) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9812425D0 (en) * | 1998-06-10 | 1998-08-05 | Dow Corning | Electroless metal disposition on silyl hyride functional resin |
| DE19841900A1 (de) * | 1998-09-11 | 2000-03-30 | Schott Glas | Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte für großflächige Flachbildschirme |
| WO2002004705A1 (fr) * | 1999-01-20 | 2002-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Procede de traitement preliminaire d'un materiau devant etre soumis a un depot autocatalytique |
| US6388230B1 (en) * | 1999-10-13 | 2002-05-14 | Morton International, Inc. | Laser imaging of thin layer electronic circuitry material |
| DE50008242D1 (de) * | 2000-09-26 | 2004-11-18 | Enthone Omi Deutschland Gmbh | Verfahren zur selektiven Metallisierung dielektrischer Materialien |
| JP2002129346A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Konica Corp | 無電解メッキの処理方法及びインクジェットヘッド及びその製造方法 |
| KR20030000411A (ko) * | 2001-06-25 | 2003-01-06 | 주식회사 에셀텍 | 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법 |
| DE10145750A1 (de) | 2001-09-17 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht auf einem Trägerkörper und Trägerkörper mit einer Metallschicht |
| DE10154402B4 (de) * | 2001-10-10 | 2008-08-07 | Schott Ag | Verfahren zum Innenverspiegeln von Glasrohren, insbesondere für Sonnenkollektoren |
| GB2381274A (en) * | 2001-10-29 | 2003-04-30 | Qinetiq Ltd | High resolution patterning method |
| EP1576205B1 (en) * | 2002-12-23 | 2009-01-14 | University College Cork-National University of Ireland, Cork | Plating of multi-layer structures |
| JP3894327B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2007-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2005223063A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| US6933231B1 (en) * | 2004-06-28 | 2005-08-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive interconnects, and methods of depositing nickel |
| KR100682919B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩 |
| US20060192183A1 (en) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Andreas Klyszcz | Metal ink, method of preparing the metal ink, substrate for display, and method of manufacturing the substrate |
| US20080045409A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Buarque De Macedo Pedro M | Ceramic catalysts |
| WO2008087172A1 (de) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Basf Se | Verfahren zur herstellung strukturierter, elektrisch leitfähiger oberflächen |
| JP4507126B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 偏光板の製造方法 |
| KR100904251B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2009-06-25 | 한국생산기술연구원 | 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법 |
| JP2010047828A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 無電解メッキの前処理方法および該基材の無電解メッキ方法 |
| JP5422563B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2014-02-19 | 宇部エクシモ株式会社 | 金属皮膜形成方法、導電性粒子及びその製造方法 |
| FR2938850B1 (fr) * | 2008-11-27 | 2011-04-29 | Sgd Sa | Procede de fabrication d'un corps creux pourvu d'une surface interieure en verre metallisee et corps creux correspondant |
| US8621749B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-01-07 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd | Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits |
| US20110303644A1 (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Arlington Plating Company | Methods for Plating Plastic Articles |
| JP6466182B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2019-02-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 無電解めっき用パラジウムヒドロゾル触媒液とその調製方法 |
| US20170191165A1 (en) * | 2015-03-24 | 2017-07-06 | Om Sangyo Co., Ltd. | Method for producing plated article |
| TWI672175B (zh) * | 2017-10-20 | 2019-09-21 | 國立清華大學 | 自吸附觸媒組成物、自吸附觸媒組成物的製造方法以及無電鍍基板的製造方法 |
| JP6620277B1 (ja) * | 2018-08-07 | 2019-12-18 | 株式会社豊光社 | めっき処理されたガラス基材の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4681774A (en) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Halliwell Michael J | Laser induced selective electroless plating |
| EP0287843A1 (de) * | 1987-04-24 | 1988-10-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
| US4882200A (en) * | 1987-05-21 | 1989-11-21 | General Electric Company | Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator |
| EP0557952A1 (en) * | 1992-02-25 | 1993-09-01 | Nippondenso Co., Ltd. | Plating method and cylindrical coil obtained thereby |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2430581A (en) * | 1944-11-29 | 1947-11-11 | Rca Corp | Metallizing nonmetallic bodies |
| JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
| JPS5948988A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| PH23907A (en) * | 1983-09-28 | 1989-12-18 | Rohm & Haas | Catalytic process and systems |
| JPS616892A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | キヤノン株式会社 | プリント回路の製造方法 |
| JPS6164882A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-03 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | めつき材料の製造方法 |
| DE3705251A1 (de) * | 1987-02-19 | 1988-09-01 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
| US4996075A (en) | 1987-12-21 | 1991-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing ultrathin metal film and ultrathin-thin metal pattern |
| NL9000060A (nl) | 1989-06-01 | 1991-01-02 | Philips Nv | Beeldweergeefinrichting van het dunne type. |
| KR950000014B1 (ko) * | 1989-12-21 | 1995-01-07 | 몬산토 캄파니 | 금속피복을 위한 수용성 촉매 폴리머 필름 |
| JPH05202483A (ja) * | 1991-04-25 | 1993-08-10 | Shipley Co Inc | 無電解金属化方法と組成物 |
| DE69204564T2 (de) * | 1991-06-12 | 1996-05-02 | Philips Electronics Nv | Verfahren zur selektiven stromlosen Metallisierung eines Musters aus einem anderen Werkstoff als Glas auf einem Glasträger. |
| EP0577187B1 (en) | 1992-06-29 | 1995-12-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of providing a metal pattern on glass in an electroless process |
-
1993
- 1993-10-11 BE BE9301063A patent/BE1007610A3/nl not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-04 DE DE69403876T patent/DE69403876T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-04 EP EP94202868A patent/EP0647729B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-11 JP JP6245473A patent/JPH07188936A/ja active Pending
-
1995
- 1995-03-08 TW TW084102196A patent/TW301842B/zh active
-
1996
- 1996-05-23 US US08/652,253 patent/US6238749B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4681774A (en) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Halliwell Michael J | Laser induced selective electroless plating |
| EP0287843A1 (de) * | 1987-04-24 | 1988-10-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
| US4882200A (en) * | 1987-05-21 | 1989-11-21 | General Electric Company | Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator |
| EP0557952A1 (en) * | 1992-02-25 | 1993-09-01 | Nippondenso Co., Ltd. | Plating method and cylindrical coil obtained thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0647729B1 (en) | 1997-06-18 |
| TW301842B (nl) | 1997-04-01 |
| EP0647729A1 (en) | 1995-04-12 |
| JPH07188936A (ja) | 1995-07-25 |
| US6238749B1 (en) | 2001-05-29 |
| DE69403876D1 (de) | 1997-07-24 |
| DE69403876T2 (de) | 1998-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6238749B1 (en) | Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process | |
| US5378502A (en) | Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern | |
| JP3320504B2 (ja) | ガラス基板上に金属パターンを無電解法で設ける方法 | |
| EP0510711B1 (en) | Processes and compositions for electroless metallization | |
| US5468597A (en) | Selective metallization process | |
| JP3503546B2 (ja) | 金属パターンの形成方法 | |
| KR20060007503A (ko) | 가요성 기판 상의 고전도성 금속 패턴 형성 방법 및 이를이용한 전자파 차폐 필터 | |
| KR20050061285A (ko) | 저저항 금속패턴 형성 방법 | |
| EP0577187B1 (en) | Method of providing a metal pattern on glass in an electroless process | |
| JP3390053B2 (ja) | 無電解法でブラックマトリックスを製造する方法 | |
| JP4252919B2 (ja) | 導電性パターン材料、金属微粒子パターン材料及びパターン形成方法 | |
| JPH09111463A (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 | |
| JP4708859B2 (ja) | 薄層トランジスタ、それを用いたアクティブマトリックス型表示装置、及び、液晶表示装置 | |
| EP0729293B1 (en) | Selective metallization process | |
| JP2008242412A (ja) | 積層体、導電性パターン形成方法及びそれにより得られた導電性パターン、プリント配線基板及び薄層トランジスタ、並びにそれらを用いた装置 | |
| EP0587231B1 (en) | Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern | |
| KR20060081444A (ko) | 포지티브 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐필터 | |
| EP0583822B1 (en) | Method of manufacturing a black matrix of nickel on a passive plate of a liquid crystal display device in an electroless process | |
| US7205098B2 (en) | Method for manufacturing high-transmittance optical filter for image display devices | |
| JPH0978250A (ja) | 導電性パターンの形成方法 | |
| JP2872940B2 (ja) | 基板金属化法 | |
| TWI877497B (zh) | 被鍍基板之製造方法 | |
| JPH10298770A (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液、および無電解めっき方法 | |
| JP2006104045A (ja) | 導電性ガラス基板、導電性ガラス基板形成方法及び導電性パターン形成方法 | |
| KR20060058559A (ko) | 고해상도 화상 표시 장치용 광학필터의 제조방법 및 그에의해 제조된 광학필터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RE | Patent lapsed |
Owner name: PHILIPS ELECTRONICS N.V. Effective date: 19951031 |