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Disque de valve pour redresseurs.
La présente invention concerne les disques de valve pour redresseurs de courants alternatifs, comportant, sur une couche semi-conductrice, un recouvrement qui sert d'électrode. L' invention est décrite ci-dessous en détails à l'aide de quelques exemple en se référant au dessin annexé où : fig.l est une vue de face d'un disque de valve conforme à l'invention. fig.2 donne une coupe suivant la ligne 2-2 de la fig.l. fig.3 est la vue de face d'un dispositif de cache ou matrice pour la fabrication de disques conformes à l'invention, fig.4 donne une coupe, à plus grande échelle, suivant la ligne 4-4 de la fig.3. fig.5 est une vue semblable à la fig.3, d'une variante.
Une plaque métallique 1, qui constitue une électrode du disque de valve, porte une couche semi-conductrice, formée sur
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cette plaque ou y réunie comme corps séparé. Le dernier cas se présente par exemple quand la couche semi-conductrice est faite de sélénium.
La couche 3. est pourvue d'un recouvrement 2.formé d'un alliage, par exemple bois-métal, amené par exemple sur la couche par pulvérisation. Entre la couche. 2. et le revêtement 3 (contre-électrode) se forme la couche d'arrêt par laquelle une tension développée dans le disque de valve 1, 2,3 est empêchée de s'écouler dans une direction.
Il s'est démontré que la capacité spécifique de charge en courant et en tension de tels redresseurs est d'autant plus petite que leur diamètre est plus grand, ceci vaut tout spécia lement quand le diamètre dépasse 60 millimètres.
Des expériences ont révélé que ce fait est une conséquence de ce que la plaque 1, la couche et le revêtement ± se différencient les uns des autres en ce qui concerne les coefficients de dilatation ou d'allongement et par suite donnent lieu à endommagements de la couche d'arrêt dès que, pendant le fonctionnement, ils s'allongent et se rétractent.
Par ces endommagements, la résistance du disque de valve augmente dans la direction de passage, mais la résistance disruptive diminue dans la direction d'arrêt. L'augmentation de la résistance dans la direction de traversée augmente les pertes dans le disque de valve et diminue ainsi la capacité de charge.
L' invention vise à ramener au minimum les mouvements réciproques que tendent à faire la couche et le revêtement . sous l'influence de la chaleur, et par suite à empêcher les endommagements de la couche d'arrêt.
Dans ce but, le revétement 3 est subdivisé, comme en donne en exemple la fig.l. Ici, le revêtement ; est composé de zones A en forme de secteurs séparées par des fentes radiales 1 et reliées par un cercle de métal d. Le cercle d entoure un forage central de l'ensemble 1-2-3. Ce forage sert, comme il est connu,
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à recevoir une broche . Les zones A ont des fentes radiales a et des fentes concentriques b, h. Les fentes h se trouvent entre le cercle d et les fentes b.
Les parties métalliques de pont 1 entre les fentes h et 1 sont, dans la direction de la fente h, c'est-à- *** dire en direction tangentielle, plus larges que les parties de pont f entre 12 et i, parce que de plus grands courants partiels passent par les parties e vers l'amneau d que par les parties f, Les zones A se composent donc de parties maintenues assemblées élastiquement par les pièces de pont e-f.
Les fentes i, a,b, h, doivent être tenues,aussi étroites que possible, afin quelles n'influencent aussi peu que possible la capacité de charge en courant du disque de valve.
Les disques de valve ainsi perfectionnés ont en même temps une capacité de charge en tension plus grande que celle des dispositifs connus. Les redresseurs formés de tels disques de valve, sont par conséquent appropriés à la même tension de fonctionnement que les redresseurs contenant plus de disques de valve, principalement de disques d'ancienne construction.
Leur résistance interne est. plus faible que celle de redres- seurs à disques de valve,de l'ancien type. La capacité de charge en courant est ainsi plus grande que précédemment.
Quand plusieurs disques de valve sont alignés sur la broche 4, l'anneau d de chaque disque sert comme organe de contact pour la plaque de base 1 du disque suivant, Au lieu de cet anneau, on peut disposer de la manière connue un disque élastique de contactage en contact avec le revétement 3 d'un disque de valve et la plaque de base 1- du disque suivant.
Le revêtement subdivisé à peut être produit par une cache métal- lique 5, fig.3 et 4. Celle-ci est posée contre la couche semi- conductrice 2 puis du métal est projeté contre la couche ?, et la cache 5.
Les fentes 1, a, b, h du revêtement à se forment ainsi par des barreaux radiaux i', a' et des barreaux concentriques b', h' de la
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cache. Ces barreaux sont de préférence tels qu'ils s'amincissent vers la couche afin que les fentes du revêtement 3 soient suffisamment étroites.
L'anneau d peut également être obtenu à l'aide de la cache 5 qui comporte dans ce but une partie médiane d' en forme de plateau.
Il peut cependant aussi être obtenu, ultérieurement par pulvérisation. La cache 5' de la fig.5 répond à ce but, car ses barreaux i' arrivent à la partie médiane d".
REVENDICATIONS.
1. Disque de valve pour redresseurs, formé d'un revêtement servant d'électrode, posé sur une couche semi-conductrice, caractérisé en ce que cette électrode est divisée en un ensemble non rigide pourvu d'une certaine élasticité interne.
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Valve disc for rectifiers.
The present invention relates to valve discs for alternating current rectifiers, comprising, on a semiconductor layer, a covering which serves as an electrode. The invention is described below in detail with the aid of a few examples with reference to the accompanying drawing where: fig.l is a front view of a valve disc according to the invention. fig.2 gives a section along line 2-2 of fig.l. fig.3 is the front view of a cache device or matrix for the manufacture of discs according to the invention, fig.4 gives a section, on a larger scale, along line 4-4 of fig.3 . Fig.5 is a view similar to Fig.3, of a variant.
A metal plate 1, which constitutes an electrode of the valve disc, carries a semiconductor layer, formed on
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this plate or united there as a separate body. The last case arises, for example, when the semiconductor layer is made of selenium.
Layer 3. is provided with a covering 2.formed of an alloy, for example wood-metal, brought for example onto the layer by spraying. Between the layer. 2. and the coating 3 (counter electrode) forms the stopper layer by which a voltage developed in the valve disc 1, 2,3 is prevented from flowing in one direction.
It has been shown that the specific current and voltage load capacity of such rectifiers is all the smaller as their diameter is larger, this especially applies when the diameter exceeds 60 millimeters.
Experiments have shown that this fact is a consequence of the fact that the plate 1, the layer and the coating ± differ from each other with regard to the coefficients of expansion or elongation and consequently give rise to damage to the stop layer as soon as, during operation, they stretch and retract.
By this damage, the resistance of the valve disc increases in the direction of passage, but the breakdown resistance decreases in the direction of stop. Increasing the resistance in the traversing direction increases the losses in the valve disc and thus decreases the load capacity.
The invention aims to reduce to a minimum the reciprocal movements which the layer and the coating tend to make. under the influence of heat, thereby preventing damage to the barrier layer.
For this purpose, the coating 3 is subdivided, as exemplified in fig.l. Here, the coating; is composed of areas A in the form of sectors separated by radial slots 1 and connected by a metal circle d. Circle d surrounds a central borehole of the 1-2-3 set. This drilling serves, as it is known,
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to receive a pin. Zones A have radial slits a and concentric slits b, h. The slots h are between the circle d and the slots b.
The metal bridge parts 1 between the slots h and 1 are, in the direction of the slot h, i.e. in the tangential direction, wider than the bridge parts f between 12 and i, because that larger partial currents pass through the parts e towards the amneau d than through the parts f, The areas A therefore consist of parts held together elastically by the bridge parts ef.
The slots i, a, b, h, must be kept as narrow as possible so that they do not influence the current carrying capacity of the valve disc as little as possible.
At the same time, the thus improved valve discs have a greater tension load capacity than that of known devices. Rectifiers formed from such valve discs are therefore suitable for the same operating voltage as rectifiers containing more valve discs, mainly discs of older construction.
Their internal resistance is. weaker than that of valve disc straighteners of the old type. The current carrying capacity is thus greater than previously.
When several valve discs are aligned with the pin 4, the ring d of each disc serves as a contact member for the base plate 1 of the next disc. Instead of this ring, an elastic disc can be arranged in the known manner contact with the coating 3 of a valve disc and the base plate 1- of the next disc.
The subdivided coating can be produced by a metal cover 5, fig. 3 and 4. This is placed against the semiconductor layer 2 then metal is projected against the layer?, And the cover 5.
The slots 1, a, b, h of the coating a are thus formed by radial bars i ', a' and concentric bars b ', h' of the
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hidden. These bars are preferably such that they become thinner towards the layer so that the slots in the coating 3 are sufficiently narrow.
The ring d can also be obtained with the aid of the cover 5 which comprises for this purpose a median part d 'in the form of a plate.
However, it can also be obtained subsequently by spraying. The cover 5 'of fig.5 meets this goal, because its bars i' arrive at the middle part d ".
CLAIMS.
1. Valve disc for rectifiers, formed of a coating serving as an electrode, placed on a semiconductor layer, characterized in that this electrode is divided into a non-rigid assembly provided with a certain internal elasticity.