BE439236A - - Google Patents

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BE439236A
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electrode
valve disc
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16BDEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B39/00Locking of screws, bolts or nuts
    • F16B39/02Locking of screws, bolts or nuts in which the locking takes place after screwing down
    • F16B39/12Locking of screws, bolts or nuts in which the locking takes place after screwing down by means of locknuts
    • F16B39/14Locking of screws, bolts or nuts in which the locking takes place after screwing down by means of locknuts made of thin sheet material or formed as spring-washers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 



  Disque de valve pour redresseurs. 



   La présente invention concerne les disques de valve pour redresseurs de courants alternatifs, comportant, sur une couche semi-conductrice, un recouvrement qui sert d'électrode. L' invention est décrite ci-dessous en détails à l'aide de quelques exemple en se référant au dessin annexé où : fig.l est une vue de face d'un disque de valve conforme à l'invention. fig.2 donne une coupe suivant la ligne 2-2 de la fig.l. fig.3 est la vue de face d'un dispositif de cache ou matrice pour la fabrication de disques conformes à l'invention, fig.4 donne une coupe, à plus grande échelle, suivant la ligne 4-4 de la fig.3.   fig.5   est une vue semblable à la fig.3, d'une variante. 



   Une plaque métallique 1, qui constitue une électrode du disque de valve, porte une couche semi-conductrice, formée sur 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 cette plaque ou y réunie comme corps séparé. Le dernier cas se présente par exemple quand la couche semi-conductrice est faite de sélénium. 



   La   couche 3.   est pourvue d'un recouvrement 2.formé d'un alliage, par exemple bois-métal, amené par exemple sur la couche par pulvérisation. Entre la   couche. 2.   et le revêtement 3 (contre-électrode) se forme la couche d'arrêt par laquelle une tension développée dans le disque de valve   1,   2,3 est empêchée de s'écouler dans une direction. 



   Il s'est démontré que la capacité spécifique de charge en courant et en tension de tels redresseurs est d'autant plus petite que leur diamètre est plus grand, ceci vaut tout spécia lement quand le diamètre dépasse 60 millimètres. 



   Des expériences ont révélé que ce fait est une conséquence de ce que la plaque 1, la couche et le revêtement ± se différencient les uns des autres en ce qui concerne les coefficients de dilatation ou d'allongement et par suite donnent lieu à endommagements de la couche d'arrêt dès que, pendant le fonctionnement, ils s'allongent et se rétractent. 



   Par ces endommagements, la résistance du disque de valve augmente dans la direction de passage, mais la résistance disruptive diminue dans la direction d'arrêt. L'augmentation de la résistance dans la direction de traversée augmente les pertes dans le disque de valve et diminue ainsi la capacité de charge. 



   L' invention vise à ramener au minimum les mouvements réciproques que tendent à faire la   couche   et le revêtement . sous l'influence de la chaleur, et par suite à empêcher les endommagements de la couche d'arrêt. 



   Dans ce but, le revétement 3 est subdivisé, comme en donne en exemple la fig.l. Ici, le revêtement ; est composé de zones   A   en forme de secteurs séparées par des fentes   radiales 1   et reliées par un cercle de métal d. Le cercle d entoure un forage central de l'ensemble 1-2-3. Ce forage sert, comme il est connu, 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 à recevoir une broche   .   Les zones A ont des fentes radiales a et des fentes concentriques b, h. Les fentes   h   se trouvent entre le cercle d et les fentes b.

   Les parties métalliques de   pont 1   entre les fentes h et 1 sont, dans la direction de la fente h, c'est-à- *** dire en direction tangentielle, plus larges que les parties de pont f entre 12 et i, parce que de plus grands courants partiels passent par les parties e vers l'amneau d que par les parties   f,   Les zones A se composent donc de parties maintenues assemblées élastiquement par les pièces de pont e-f. 



   Les fentes i, a,b, h, doivent être tenues,aussi étroites que possible, afin   quelles   n'influencent aussi peu que possible la capacité de charge en courant du disque de valve. 



   Les disques de valve ainsi perfectionnés ont en même temps une capacité de charge en tension plus grande que celle des dispositifs connus. Les redresseurs formés de tels disques de valve, sont par conséquent appropriés à la même tension de fonctionnement que les redresseurs contenant plus de disques de valve, principalement de disques d'ancienne construction. 



   Leur résistance interne est. plus faible que celle de redres- seurs à disques de valve,de l'ancien type. La capacité de charge en courant est ainsi plus grande que précédemment. 



   Quand plusieurs disques de valve sont alignés sur la broche 4, l'anneau d de chaque disque sert comme organe de contact pour la plaque de   base 1   du disque suivant, Au lieu de cet anneau, on peut disposer de la manière connue un disque élastique de contactage en contact avec le revétement 3 d'un disque de valve et la plaque de base   1-   du disque suivant. 



   Le revêtement subdivisé à peut être produit par une cache métal- lique 5,   fig.3   et 4. Celle-ci est posée contre la couche semi- conductrice 2 puis du métal est projeté contre la   couche ?,   et la cache 5. 



   Les fentes 1, a, b, h du revêtement à se forment ainsi par des barreaux radiaux i', a' et des barreaux concentriques b', h' de la 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 cache. Ces barreaux sont de préférence tels qu'ils s'amincissent vers la   couche   afin que les fentes du revêtement 3 soient suffisamment étroites. 



   L'anneau d peut également être obtenu à l'aide de la cache 5 qui comporte dans ce but une partie médiane d' en forme de plateau. 



  Il peut cependant aussi être obtenu, ultérieurement par pulvérisation. La cache 5' de la fig.5 répond à ce but, car ses barreaux i' arrivent à la partie médiane d". 



    REVENDICATIONS.   



   1. Disque de valve pour redresseurs, formé d'un revêtement servant d'électrode, posé sur une couche semi-conductrice, caractérisé en ce que cette électrode est divisée en un ensemble non rigide pourvu d'une certaine élasticité interne.

Claims (1)

  1. 2. Disque de valve suivant revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode divisée comporte des zones formées de parties reliées entre elles non rigidement.
    3. Disque de valve suivant revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode est divisée par des fentes radiales et des fentes concentriques.
    4. Disque de valve suivant revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode divisée comporte des zones en forme de secteurs reliées entre elles par un anneau métallique situé au centre de 1' électrode.
    5. Disque de valve suivant revendication 3, caractérisé en ce que les zones en forme de secteurs ont des fentes radiales et des fentes concentriques.
    6. Disque de valve suivant revendication 5, caractérisé en ce que les fentes concentriques ont des diamètres différents et en ce que les parties (e,f) de l'électrode situées aux extrémités de ces fentes sont, en direction radiale¯, d'autant plus larges qu' elles se trouvent plus près du milieu de l'électrode.
    7. Procédé de fabrication de disques de valve suivant revendication 1, caractérisé en ce que le métal destiné à former <Desc/Clms Page number 6> l'électrode est projeté sur la couche semi-conductrice et une cache posée contre cette couche, @ 8. Procédé suivant revendication 7, caractérisé en ce que la cache comporte des barreaux allant en se rétrécissant vers la couche semi-conductrice.
    9. Procédé suivant revendication 7, caractérisé en ce que la cache comporte des barreaux et une partie centrale en forme de disque, autour de laquelle se forme une partie annulaire de 1' électrode lors de la projection du métal.
    10. Procédé suivant revendication 7, caractérisé en ce qu' une partie. centrale annulaire de l'électrode est obtenue, après projection du métal formant les autres parties de l'électrode, également par projection de métal.
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