BE439534A

BE439534A -

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Publication number: BE439534A
Authority: BE
Priority date: 1939-10-17
Also published as: FR868909A; CH219501A

Description

gné,s, comme disques: de valve, comportant une plaque. de base servant d'électrode, une- couche. semi-conductrice sur cette plaque et une

valve sont représentées. plus: épaisses qu'elles ne le sont en réalité.

'Les disques de valve des fig.l et 2 se composent., comme il. est connu, chacun d'une plaqua. de' base 1 servant d'électrode, d'une couche 3 semi-conductrice, supportée par la plaque 1, de la contre-électrode b obtenue par projection de métal sur la couche 3, et de la couche d'arrêt 7 qui se forme entre les couches 3 et 5 pendant la fabrication du disque de valve. Les disques de valve 1, 3 j 7, 5 comportent chacun un forage 2 pratiqué dans la plaque 1.

che 8 et d'un tube isolant 9 emmanché sur celle-ci. Les disques

de valve sont alignés sur le mandrin 8-9.

La disposition connue de la fig.l comporte les disques isolants 10 et les plaques élastiques de contact 11. Les disques 10 et les plaques 11 sont également montés sur le mandrin 8, 9 et sont intercalés entre les disques de valve. Les plaques 11 sont

en contact avec les contre-électrodes 5 ainsi qu'avec les plaques électrodes 1 et relient ainsi les disques de valve entre eux. Les disques 10 posent contre les couches 3 et les plaques IL et sont entourés des contre-électrodes 5. Ils font que., par leur épaisseur, des espaces de refroidissement 12 sont réservés entre les disques de valve.

Les flèches de la fig.l indiquent que les disques de valve, ainsi que les disques 10 et les plaques Il sont pressés les uns contre les autres. Ceci peut être réalisé par un moyen du type re-

la broche 8.

L' invention permet de réaliser les espaces de refroidissement
12 sans l'aide de plaques de contact auxiliaires, telles que les plaques 11 de la fig.l. Les dispositions conformes à l'invention sont donc plus simples et moins coûteuses que celles connues. Dans ce but, les plaques de contact 11 sont remplacées par une saillie A des contre-électrodes 5, comme il ressort des fig.2. et 3. Dans l'exemple de la fig.2, des disques de métal 6 sont montés sur le mandrin 8, 9, ces plaques étant chacune en contact avec une des saillies A et la plaque électrode 1 voisine:, reliant ainsi cette dernière à l'électrode voisine 5.

Les espaces 12 de refroidissement, de largeur désirée, sont ainsi maintenus entre, les disques de valve par les plaquas 6. Les saillies A sont séparées des couches 3 par des organes isolants annulaires ; ceux-ci sont de préférence formés par un recouvrement 4 en laque posé sur la coucha &#65533;. Les disques de valve et les dis- <EMI ID=7.1>
-couche 3 et le revêtement 4, le bord interne. de ce recouvrement.. est laissé libre ; sans. cela, le métal pourrait pénétrer- dans. les <EMI ID=8.1>

che d'arrêt 7.

Le recouvrement de laque. 4. peut être appliqué par tamponnage ou par rouleau ou autrement sur la couche 3.

Quand- la couche semi-conductrice est faite de sélénium., la couche. de laque 4 peut être posée sur la couche. 3 encore; amorphe., ou elle. peut être formée sur le sélénium, après que celui-ci a été traité par la premier stade du procédé. connu de mise, en forme.

cuit sur le sélénium.

Suivant la fig.3, le recouvrement de laque 4 peut être obtenu comme suit. Sur la couche s ami-conductrice 3, on projette du métal et ce de façon qu'une zone centrale de la couche 3 reste libre. Cette zone est de la grandeur du recouvrement 4 à former. L'en-

immersion ou par projection. Le recouvrement 4 existe ainsi comme

par immersion ou projection possède des saillies. La couche 5" vient à ces endroits en contact avec la couche 5' et forme ainsi une contre-électrode 5'-5" équivalent à la contre-électrode 5 de

la fig.3 représente la surfa.ce externe du recouvrement 15 avant que la couche 5" ne soit formée sur lui.

REVENDICATIONS.

1. Disque redresseur comportant une plaque de base qui sert d'électrode, une couche semi-conductrice sur cette plaque et une contre-électrode sur.la couche semi-conductrice, caractérisé par

serai-conductrice (3) et recouvert par la contre-électrode (5).

Claims

2. Disque redresseur suivant revendication 1, caractérisé. en ce que le moyen isolant (4) est un recouvrement en laque. <EMI ID=16.1>

en ce que la plaque de base (1) comporte un forage central (2) et en ce que le moyen isolant (4) entoure ce forage.

4. Disque redresseur suivant revendication 1, caractérisé. en ce que la plaque de base (1) possède un forage central (2) et en ce que la contre-électrode (5) entoure ce forage, sous un certain écartement (14) .

5. Procédé, de. fabrication de disques redresseurs, suivant revendication 1, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (3)

<EMI ID=17.1>

que celle-ci est recouverte d'une couche de laque (15)� et en ce que sur cette couche de laque est projetée une deuxième coucha de métal par quoi la couche de. laque est détruite localement, de

<EMI ID=18.1>

' droits, de destruction de la couche (15) et forment ainsi la contre- ' électrode...

6'.. procédé- de fabrication de disques, redresseurs suivant

<EMI ID=19.1>

est obtenu par tamponnage.

7. procédé d.e fabrication de disques, redresseurs: suivant revendication 2., caractérisé en ce que le recouvrement de laqua est obtenu par rouleau.

<EMI ID=20.1>

<EMI ID=21.1>

i nium, caractérisé, en ce. que le recouvrement de laque est fait sur le sélénium, amorphe et en ce que l'ensemble constitué de la plaque '

<EMI ID=22.1>

chauffé. à la, température de conformation du sélénium.

9. Procédé de fabrication de disques redresseurs, suivant. revendication 2, dont, la couche semi-conductrice est faite de. sélénium, caractérisé en ce que le recouvrement de laque est posé sur la couche de sélénium non encore définitivement mise en forme, l'ensemble plaque de base, couche de sélénium et recouvrement de laque étant chauffé à la température de conformation du sélénium.