CH268970A - Procédé de fabrication d'un élément redresseur au sélénium et élément redresseur obtenu par ce procédé. - Google Patents

Description

  Procédé de fabrication d'un élément redresseur au sélénium et élément redresseur  obtenu par ce procédé.    L'invention se rapporte à -un procédé de  fabrication d'un élément redresseur au sélé  nium,     particulièrement    par découpage dans  un élément redresseur plus grand. On sait  que du découpage, quel que soit le procédé  adopté, il peut résulter qu'un ou plusieurs des       #léments    soient. endommagés et nécessitent une  opération ultérieure pour retrouver     leurs    pro  priétés de redressement.  



  L'objet de la présente invention est -un  procédé de fabrication     d'un    élément redres  seur au sélénium par découpage     d'un    élément  redresseur plus grand qui évite la nécessité de  faire d'autres opérations sur les éléments indi  viduels     pour    leur rendre leurs propriétés de  redressement.  



  Suivant la présente invention, ce procédé  est caractérisé en ce qu'on recouvre les zones  dudit grand élément redresseur dans les  quelles sont situées les     lignes    de découpage de  l'élément redresseur plus petit, d'une couche  de matière isolante.  



  Le dessin ci-annexé représente, à titre  d'exemple, deux formes d'exécution de l'élé  ment redresseur objet de l'invention et illus  tre le procédé.  



  La     fig.    1 est une vue en plan de la pre  mière forme d'exécution.  



  La     fig.    2 est une coupe transversale de  l'élément redresseur circulaire de la     fig.    1,  après découpage dans l'élément redresseur  plus grand.    Les     fig.    3 et 4 sont des vues en plan et en  coupe de la seconde forme d'exécution.  



  La     fig.    5 est une vue en section transver  sale d'une variante d'exécution.  



  En se référant au dessin, et d'abord aux       fig.    1 et 2, une plaque de base 1 de     surface     suffisante pour pouvoir fournir     un    certain  nombre d'éléments redresseurs     est    revêtue uni  formément de sélénium 2 à l'épaisseur voulue  et par des traitements à chaud, de la manière  connue, le     sélénium,    est converti     pour-lui    donner  <B>]a.</B> structure particulière qui lui, confère des pro  priétés de redressement.

   Un isolant, peinture  ou vernis 3 et 4, est alors appliqué à travers un  masque pour recouvrir les parties du     sélénium     qui se trouvent dans le voisinage des lignes  suivant lesquelles le découpage des éléments  plus petits doit avoir lieu:, ainsi que les     parties     sur lesquelles la pression de contact doit  s'exercer.  



  Les     fig.    1 et 2 illustrent le cas où     les    élé  ments redresseurs finis doivent être montés  sur un mandrin central et où le contact doit  avoir lieu avec la contre-électrode de chaque  élément sir une surface entourant immédia  tement le mandrin central. Une ouverture 8  est pratiquée éventuellement par poinçonnage  pour le passage du mandrin et la surface en  tourant cette ouverture est recouverte     d'une     peinture isolante 4. Une partie annulaire si  tuée à la périphérie de chaque élément final  est aussi recouverte     d'une    peinture isolante 3.

        La contre-électrode 7 est     ensuite        appliquée     sur la partie en forme     d'anneau    isolé concen  trique à la     partie    centrale 4 de la peinture  isolante, cette contre-électrode recouvrant par  tiellement à la fois cette partie centrale 4 et  l'anneau     isolant        extérieur    3.

   Les éléments     in-          dividuels    sont alors découpés par poinçon  nage,     suivant    un cercle 6, situé     pour    chaque  élément, dans l'anneau de peinture     isolante    3,  en     dehors    de la contre-électrode 7. De pré  férence,     tous    les     éléments    à tirer de la même       feuille    sont     poinçonnés    simultanément.

   Les  ouvertures centrales peuvent être     poinçonnées     par la même opération ou par     ime    opération       ultérieure.    La peint-Lire isolante 3 adjacente  à la     ligne    extérieure de découpage protège le  sélénium contre des dommages pouvant résul  ter de l'opération de découpage.  



  Il doit être entendu, cependant, que les  ouvertures centrales 8 peuvent être formées  dans la plaque 1 avant que celle-ci soit recou  verte de sélénium.  



  Les redresseurs     aii    sélénium doivent, ainsi  qu'on le sait, être     soumis    à un traitement élec  trique pour leur conférer une résistance élevée  dans le sens inverse.     Oe    traitement électrique  peut avoir lieu, soit avant, soit après que les  redresseurs ont été découpés dans la feuille.  



  Les     fig.    3 et 4 montrent le même procédé  appliqué au découpage d'éléments     rectangu-          laires        dans    une     feuille    de     grandes    dimensions.

         Dans        l'exemple    représenté, les     contacts    cen  traux ne sont pas     prévus.    La plaque de base  1 est recouverte     uniformément    de sélénium  2 qui est ensuite traité à chaud de la manière       connue.    Une peint-Lire isolante est alors appli  quée à travers     im    masque, ou des masques,

         découvrant        seulement    des bandes 3 dans les  quelles sont situées les     lignes    6 suivant les  quelles les éléments seront découpés et des       bandes        disposées    sur les bords de la plaque  de base. La contre-électrode est     ensuite    éten  due sur les surfaces exposées du sélénium, en  recouvrant partiellement les bandes 3 de pein  ture isolante. Finalement, les éléments sont  découpés     suivant    les lignes 6.  



       Suivant    -une, variante, représentée à la       fig:    5, après que la peinture isolante 3 a été         appliquée,    le métal 7 qui doit former les  contre-électrodes est     appliqué    en l'étendant  sur la surface entière de la plaque de base 1.  Ceci     facilite        l'application    du traitement élec  trique avant que la plaque soit découpée en  éléments plus petits, en ce     qu'une    simple élec  trode peut créer le contact     nécessaire        avec,    la       contre-électrode    7.

   Les éléments sont alors dé  coupés.     Dans    ce cas, il est nécessaire que l'iso  lant, peinture ou     vernis,    soit capable de résis  ter à la pression de l'opération de     découpage,     afin d'empêcher des rebords, qui peuvent être  formés dans la     contrei-électrode    7 par le dé  coupage,  de percer la couche de     matière    iso  lante pendant le découpage et d'être mis en  contact avec la plaque de base 1, le long des       lignes    de découpage 6.

Claims (1)

1. REVENDICATION I: Procédé de fabrication d'in élément re dresseur au séléniiun, par découpage dans un élément redresseur de plus grandes dimen sions, caractérisé en ce qu'on recouvre les zones dudit grand élément redresseur dans lesquelles sont situées les lignes de découpage de l'élément redresseur plus petit, d'une cou che de matière isolante. SOUS-REVENDICATIONS 1. Procédé selon la revendication I, carac térisé en ce qu'on recouvre de matière iso lante une zone de la couche de sélénium qui entoure ce qui sera la surface active de l'élé- nient redresseur. 2.

   Procédé selon la sous-rervendication 1, caractérisé en ce qu'on recouvre ladite zone de ladite matière isolante avant qu'on recou vre la surface active du redresseur d'un métal formant la contre-éleetrode: 3. Procédé selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce qu'on recouvre dudit métal non seulement ladite surface active, mais également les parties contiguës de ladite cou che de matière isolante. 4.

   Procédé selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce qu'on recouvre dudit métal ladite surface active, ainsi que la surface en tière de ladite couche de matière isolante. 5. Procédé selon la sous-revendication 1, notamment d'un élément redresseur présen tant une ouverture centrale pour son montage sur un mandrin, caractérisé en ce qu'on recou vre également d'une couche de matière iso lante une zone s'étendant autour de ladite ouverture centrale. 6.

   Procédé selon la revendication I et la sous-revendication 1, caractérisé en ce qu'on recouvre lesdites zones d'une couche de ma tière isolante destinée à empêcher des rebords de la contre-électrode formés par le décou page de celle-ci de percer ladite couche de matière isolante pendant le découpage et d'entrer en contact avec une plaque de base supportant la couche de sélénium. 7. Procédé selon la sous-revendication 6, caractérisé en ce que ladite matière isolante est une peinture. 8. Procédé selon la sous-revendication 6, caractérisé en ce que ladite matière isolante est une laque.

   UEVËNDICATION Il : Elément redresseur obtenu par le procédé selon la revendication I, caractérisé @en ce que la couche de sélénium que présente l'élément est recouverte d'une couche de matière iso lante sur la périphérie de l'élément. SOUS-REVENDICATIONS 9. Elément selon la revendication II, com prenant une plaque de base recouverte de sé lénium et une couche de métal formant contre- électrode, recouvrant le sélénium, caractérisé en ce qu'au moins une partie de ladite cou che de matière isolante est interposée entre la contre-électrode et le sélénium.

   10. Elément selon la revendication II, pré sentant une ouverture centrale pour son mon tage sur un mandrin, caractérisé en ce que la surface du sélénium entourant ladite ou verture centrale est également recouverte de matière isolante.