JPS5965476A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5965476A
JPS5965476A JP57176664A JP17666482A JPS5965476A JP S5965476 A JPS5965476 A JP S5965476A JP 57176664 A JP57176664 A JP 57176664A JP 17666482 A JP17666482 A JP 17666482A JP S5965476 A JPS5965476 A JP S5965476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
film
gallium
bonding
ohmic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57176664A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Ogawa
小川　昭
Kazunori Fukuma
福間　和則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57176664A priority Critical patent/JPS5965476A/ja
Publication of JPS5965476A publication Critical patent/JPS5965476A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
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    • H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置、特にガリウムを含有した半導体基
板を用いた半導体装置の電極のボンディング性を良好に
しうる技術に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
半導体装置において、電極のオーミックコンタクトはコ
ンタクトメタルを蒸着した後、熱処理を施すこ□とによ
って得ることができる。このコンタクトメタルとしては
、例えば半導体基板がガリウム砒素あものである場合、
金とゲルマニウムの合金が用いられる。ところで、この
オーミックコンタクトを形成する際、半導体基板中にガ
リウムが含有されていると、当該ガリウムが電極表面に
偏析してしまい、組立時におけるワイヤボンディングの
接着性が著しく低下するという問題がある。
かかる欠点を防止するため、従来では次のような手法を
用いていた。すなわち、第１図に示すように、ホニル□
素子゛の場合、ボンディングメタル４とオーミックコン
タクトメタル２との間に高融点メタル３を介在させ、半
導体基板ｌからのガリウムの拡散を防止する構造として
いた。なお、５は絶縁用の酸化膜を示している。
しかしながら、上記従来の構造をとったとしても、依然
メして組立時の熱履歴などによるガリウムの拡散を効果
的に阻止することができず、そのためワイヤーボンディ
ングを良好に行ない得ないという問題があった。
〔発明の目的〕
そこで、本発明はガリウムを含有する半導体装、　　置
において、良好なボンディング性を有する電極を具備す
る半導体装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置ハ、ボ
ンデインクメタルを半導体基板上の絶縁膜上まで延在さ
せて配線することによりガリウムのポンディングパッド
を形成し、それによってガリウムとポンディングパッド
までの拡散距離を長く形成した点に特徴を有する。
〔発明の効果〕
上記した構成を有する本発明によれば、ガリウムのボン
ティングパッドまでの拡散距離を長く形成したことによ
り、組立時の加熱に伴って生じるガリウムの拡散が半導
体基板の上面にとどまってポンディングパッドまで及ば
ないため、ポンディングパッドが合金化されず、したが
って極めて良好なボンディング性を確保することができ
る。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
第２図に示すように、ガリウム砒素基板（以下、単に基
板という。）ｇ゛に選択的なイオン打込みによってＮ影
領域７を形成し、次に低温酸化膜８を形成し次に電極孔
９を形成する。次いで、電極孔９に金とゲルマニウムと
の合金膜（オーミツクメｌ　ル）　１０を３ｏｏｏＸの
厚さで蒸着により形成し、かつ白金膜（高融点メタル）
１】を１ｏｏｏＸの厚さで林着し、これらオーミックメ
タル１０および高融点メタル１１のパターニングを行う
。
次に第３図に示すように、４００Ｃの水素雰囲気中にて
５分間、オーミックコンタクト形成のための熱処理を施
す。その結果、Ｎ影領域７と合金膜１０とがオーム性接
触が形成される。次に、その上ニアルミニウム膜１２を
１μｍの厚さで蒸着する。
このアルミニウム膜１２は高融点メタル１１を祷って接
触するとともに低温酸化膜８上に延在させてボンディン
グメタルパッドを形成する。
かくして、アルミニウム膜１２を延在させたことによシ
、ガリウムのポンディングパッド１２までの拡散距離が
長くなり、ポンディングパッド１２０合金化な防止でき
る。その結果、良好なボンディング性を確保しうるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のホール素子の協□極構造を示す縦断面、 第２−１、第３図は本発明による半導体装置の構造を製
造工程順に示しｆＣ縦断面図でるる。 ６・・・半導体基板 ８・・・低温酸化膜 ９・・・開孔部 １０・・・合金膜（オーミックメタル）１１・・・高融
点メタル １２・・・アルミニウム膜（ボンディングメタル）出願
人代理人　　猪　股　　　清 燃　（図 馬２　図 ５３　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガリウムを含有する半導体基板と、この半導体基板上に
    設けられ一部に開孔を有する絶縁膜と、前記開孔に設け
    られたオーミックメタルと、このオーミックメタル上に
    設けられた高融点メタルと、この高融点メタルを覆って
    接触しつつ前記絶縁膜上に延在されたボンディングメタ
    ルと、を備えたことを特徴とする半導体装置。
JP57176664A 1982-10-07 1982-10-07 半導体装置 Pending JPS5965476A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57176664A JPS5965476A (ja) 1982-10-07 1982-10-07 半導体装置

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JP57176664A JPS5965476A (ja) 1982-10-07 1982-10-07 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5965476A true JPS5965476A (ja) 1984-04-13

Family

ID=16017540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57176664A Pending JPS5965476A (ja) 1982-10-07 1982-10-07 半導体装置

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JP (1) JPS5965476A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02143531A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Hitachi Ltd 半導体装置
EP0460531A1 (de) * 1990-06-07 1991-12-11 Siemens Aktiengesellschaft Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial
WO2022230250A1 (ja) * 2021-04-30 2022-11-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02143531A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Hitachi Ltd 半導体装置
EP0460531A1 (de) * 1990-06-07 1991-12-11 Siemens Aktiengesellschaft Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial
WO2022230250A1 (ja) * 2021-04-30 2022-11-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

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