BE541273A - - Google Patents

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BE541273A
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/16—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers between a solid phase and a liquid phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description


  Pour la fabrication de systèmes d'électrodes comportant

  
 <EMI ID=1.1> 

  
transistors .et des diodes à cristal, il est parfois nécessaire de traiter localement la surface de ce corps d'une manière telle qu'il subisse en cet endroit 'une variation du type de conduction,par exemple une transformation du type n en type [pound] ou inversement,

  
ou bien une,variation de la conductibilité. Lesdites variations résultent de la diffusion d'éléments déterminés, qui seront appelés

  
 <EMI ID=2.1>  

  
Oh a déjà proposé de serrer un corps, constitué par un alliage comportant une Impureté efficace, contre le corps se:niconducteur et de chauffer les deux corps d'une manière talle

  
que l'impureté se diffuse du premier corps mentionné dans le corps

  
 <EMI ID=3.1> 

  
contact uniforme entre les deux corps : la variation-dû corps . se:ni-conducteur devient donc irrégulière et, de'plus, l'amenée de l'impureté à partir de l'alliage est rendue plus difficile, car elle doit s'effectuer par diffusion à travers le' corps métallique* Enfin, ce procédé ne peut être mis en oeuvre qu'à des températu- <EMI ID=4.1> 

  
 <EMI ID=5.1> 

  
 <EMI ID=6.1> 

  
à la vapeur d'une impureté. Toutefois, dans ce procédé, il est difficile de limiter le traitement à une partie déterminée de la surface du corps semi-conducteur. 

  
L'invention fournit un procédé de traitement qui obvie à ces inconvénients. 

  
 <EMI ID=7.1> 

  
en contact momentanément avec une certaine quantité d'une substance fondue, dans laquelle le corps semi-conducteur ne se dissout pas d'une manière perceptible, substance qui est constituée au moins ' partiellement par une' impureté efficace, après quoi. la substance est enlevée, à l'état liquide, du corps semi-conducteur.

  
 <EMI ID=8.1> 

  
 <EMI ID=9.1> 

  
par lequel il y a lieu d'entendre également un alliage- formant ou contenant une impureté efficace.

  
On admet que, pédant cette solidification, il se dépose

  
 <EMI ID=10.1> 

  
il est difficile d'éviter les tensions mécaniques résultant du fait que la matière semi-conductrice et le métal n'ont pas le même coefficient de dilatation.

  
Par suite de la tension superficielle de la substance fondue, qui peut éventuellement être entourée d'un mandrin, par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention le traitement reste limité entre des limites rigoureusement déterminables et l'enlève-  ment ultérieur de la substance liquide ne provoque pas de difficul-

  
 <EMI ID=11.1> 

  
abondante amenée d'impureté est cependant garantie, car l'impureté,

  
 <EMI ID=12.1> 

  
plus, il se produit toujours une certaine convection; en outre, le contact entre cette substance et le corps serai -conducteur est très intime, de sorte que le traitement est très uniforme.

  
Ce procédé convient particulièrement bien pour les corps semi-conducteurs stables à des températures élevées, tels que le silicium et le carborundum.Pour un semi-conducteur qui se dissout facilement dans de nombreux autres éléments fondus, il est désirable d'effectuer le traitement à une température inférieure à- celle à laquelle se produit cette dissolution. 

  
Lorsque le corps semi-conducteur est constitué par du silicium ou du carboruhdum, on peut utiliser efficacement comme métal fondu, du plomb. 

  
L'invention sera décrite à l'aide d'un exemple. Sur

  
 <EMI ID=13.1> 

  
unmorceau de pbmb dans lequel est dissous 5% d'antimoine. L'ensemble est chauffé jusqu'au-delà du point de fusion du plomb, par

  
 <EMI ID=14.1> 

  
gouttelette de plomb formée, acquiert le type de conduction

  
sous l'effet de la diffusion de l'antimoine. Enfin, on enlève la gouttelette de plomb.. 

  
De. la même manière, d'autres impuretés acceptrices ou donatrices peuvent être dissoutes, dans le plomb ou dans un autre métal, terme par lequel il y a lieu d'entendre également un alliage D'autres semi-conducteurs, par exemple du carborundum, peuvent également être traités au plomb.

Claims (1)

  1. RESUME <EMI ID=15.1>
    <EMI ID=16.1>
    se'ni-conducteur caractérisé en ce que le corps semi-conducteur est amené momentanément en contact avec une certaine quantité d'une substance fondue dans laquelle le corps semi-conducteur ne se dissout pas d'une manière perceptible, substance qui est au moins partiellement constituée par une impureté efficace, après quoi la substance est enlevée, à l'état liquide, du corps semi-conducteur.
BE541273D 1954-09-15 BE541273A (fr)

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CH334815A (de) 1958-12-15
NL102008C (fr)
FR1130945A (fr) 1957-02-13
NL190810A (fr)

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