BE559770A - - Google Patents
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Description
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Les résistances photo-électriques réalisées au cours de ces dernières années, consistant en une couche d'une matière semi-conductrice, notamment le sulfure de cadmium ou autres chalcogénures de cadmium, zinc, indium etc., renfermant des éléments' activateurs, ont permis d'obtenir des résultats très satisfaisants. Néanmoins, il s'est avéré que, dans certains cas, ces éléments de résistance photo-électrique peuvent, dans le temps, changer leurs caractéristiques électriques. On a pu éta- blir que ces changements se font particulièrement remarquer si les éléments activateurs renfermés contiennent des quantités re- lativement élevées de cuivre.
Il est possible, dans ces conditions
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en réchauffant ces éléments de résistance à l'air jusqu'à une température de 150 - 200 ou plus, de provoquer une augmen- tation considérablement accélérée de la résistance de ces couches semi-conductrices. Il s'ensuit que la cause du changement de résistance peut être trouvée dans des phénomènes d'oxydation.
Sous température normale, le changement de résistance résultant d'un tel. réchauffement ne se produit qu'après quelques mois.
Il a été établi, 'en outre,que, par un traitement à l'hydrogène, le changement de résistance des couches semi-conductrices peut être neutralisé.
En vue de tenir compte de ces effets, la résistance photo. électrique, selon l'invention, est enfermée dans un récipient en verre'de façon à exclure toute influence atmosphérique sur la couche semi-conductrice. Ce récipient est rempli d'un gaz de protection inerte, par exemple nitrogène ou un des autres gaz inertes usuels. Les expériences ont démontré qu'un élément de résistance photo-électrique ainsi enfermé ne subit que des chan- gements insignifiants, ceux-ci se manifestant seulement après un temps très considérable. Probablement, ces menus changements proviennent de petites quantités d'oxygène occlues dans les couches mêmes. Selon l'invention ce petit changement est également éliminé en ajoutant, au gaz de protection, une petite quantité -'d'hydrogène.
La teneur optimum en hydrogène du gaz de protection, en vue de compenser les traces d'oxygène subsistant dans la matière semi-conductrice, dépend de la proportion en masse : matière semi-conductrice/ gaz de protection, et se situe, pour l'élément de résistance représenté dans le dessin, près de 2.= environ. Une proportion d'hydrogène plus élevée risquerait de provoquer, dans les couches semi-conductrices, des efiets pré- judiciables de réduction,lorsque celles-ci, par suite d'une char. ge élevée, sont fortement chauffées.
Dans le dessin on a schématisé une résistance photo-élec-
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trique selon. l'invention.
Comme représenté dans la figure 1, la résistance semi- conductrice 1 est scellée dans un récipient ou ampoule 2, les conducteurs de raccord 4 traversant la paroi en verre, de façon connue, au moyen d'un scellement étanche. L'ampoule est évacuée par l'intermédiaire de la tubulure d'évacuation 3, après quoi l'intérieur 5 de ladite ampoule est rempli du gaz de protection, comme indiqué.
Dans le cas d'une résistance -photo-électrique enfermée dans une ampoule en verre, certaines difficultés s'opposent à la fixation mécanique de ladite résistance. Ces difficultés sont éliminées, selon l'invention, par une méthode de fixation parti- culière, comme représenté en vue en plan dans la figure 2a et en coupe dans la figure 2b. Les deux conducteurs de raccorde- rnent 4 scellés, de la façon usuelle, dans le pied 6 de l'ampoule - 5, sont repliés vers l'extérieur , de manière à embrasser à peu près la largeur de la plaque de support 1, de forme circulai- re .dans cet exemple de réalisation, les deux/bouts libres desdits conducteurs venant s'engager, à frottement doux, dans deux rainures 7 diamétralement opposées dans le bord de ladite plaque de support.
Par cette disposition, on réalise déjà une fixation provisoire d'une certaine rigidité. Les bouts libres des con- ducteurs de raccordement 4¯ sont alors fixés définitivement dans lesdites rainures au moyen d'un ciment de bonne conductivité @ électrique. Le ciment constitue la liaison électrique entre les
EMI3.1
j conducteurs de raccordement et les électrodes de la couche photo-électrique.
En vue d'améliorer encore la conduction élec- trique, la masse de ciment peut être enduite d'une matière de recouvrement à bonne conductivité, p2r exemple de la pâte d'ar- gent . belon l'invention on réalise ainsi une résistance photo- électrique de grande stabilité mécanioue et conservant ses carac,
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teristiques électriques pendant @n temps illimité.
REVENDICATIONS.
EMI4.1
1.- Résisfance photo-électrique consistant en une couche d'une matière semi-conductrice, par exemple des cYalco;énvxes de cadmium ou d'autres métaux, tels que Ou, Ag, Cd, etc., renfer- mant des éléments activateuxs, caractérisée en ce que ladite résistance photo-électrique est scellée dans.une ampoule en verre.
Claims (1)
- 2.- Résistance photo-electrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'ampoule est remplie d'un gaz inerte de protection, par exemple du nitrogène ou un autre gaz iner te .3.- Résistance photo-électrique selon les revendications 1 et'2, y caractérisée en ce qu'au gaz inerte de protection on ajoute une faible proportion d'hydrogène ou d'un autre gaz .réducteur dont la quantité est proportionnelle à la Lasse de matière semi-conductrice.4-.- Résistance photo-électrique selon, les revendications 1 à 3, caractérisée en ce que les conducteurs de raccordement scellés dans l'ampoule en verre font ponction d'éléments de sup- port de la résistance photo-électrique, du fait qu'ils s' enga= gent dans des rainures pratiquées dans la plaque de support de ladite résistance et qu'ils sont cimentés dans lesdites rainures au moyen d'une masse de 'bonne conductivité électrique constituant la liaison électrique entre lesdits conducteurs et les électrodes, ladite masse de ciment étant éventuellement enduite d'une EMI4.2 couche métallique conductrice, par exem-cle de pâte iJ '±.rg:-çt#
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