BE647011A - Dispositifs à semi-conducteur dits tecnetrons pour redressement commandé et limitation de forts courants électriques - Google Patents

Dispositifs à semi-conducteur dits tecnetrons pour redressement commandé et limitation de forts courants électriques

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BE647011A
BE647011A BE647011A BE647011A BE647011A BE 647011 A BE647011 A BE 647011A BE 647011 A BE647011 A BE 647011A BE 647011 A BE647011 A BE 647011A BE 647011 A BE647011 A BE 647011A
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BE
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emi
tecnetrons
limitation
semiconductor devices
electric currents
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BE647011A
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Stanislas Teszner
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Forges Et Ateliers De Constructions Electriques De Jeumont
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Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description


   <EMI ID=1.1> 

  
 <EMI ID=2.1> 

  
 <EMI ID=3.1> 

  
 <EMI ID=4.1>  

  
 <EMI ID=5.1>   <EMI ID=6.1> 

  
 <EMI ID=7.1> 

  
 <EMI ID=8.1>  franchement extrinsèque" 

  
 <EMI ID=9.1> 

  

 <EMI ID=10.1> 


  
 <EMI ID=11.1> 

  
, ' tour de courant.

  
 <EMI ID=12.1> 

  
 <EMI ID=13.1> 

  
l'état dit passant ou le dispositif doit être rendu le plus

  
 <EMI ID=14.1> 

  
semiconducteur s'apparente à celui d'un amplificateur bloque, au contraire, à l'état passant il en diffère totalement.

  
La conciliation de ces caractéristiques apparemment contra*-,

  
 <EMI ID=15.1>   <EMI ID=16.1> 

  
 <EMI ID=17.1> 

  
 <EMI ID=18.1> 

  
 <EMI ID=19.1>   <EMI ID=20.1>   <EMI ID=21.1> 

  
*MO<t  <EMI ID=22.1> 

  
type n), le contact de l'extrémité opposée constituant une

  
 <EMI ID=23.1> 

  
 <EMI ID=24.1> 

  
 <EMI ID=25.1> 

  
service du dispositif.

  
 <EMI ID=26.1> 

  
 <EMI ID=27.1> 

  
 <EMI ID=28.1> 

  
 <EMI ID=29.1> 

  
rant de service nominal*

  
 <EMI ID=30.1> 

  
d'assurer une diffusion des porteurs minoritaires dans  <EMI ID=31.1>   <EMI ID=32.1> 

  
bande interdite fournit en môme tempe la liait" supérieur"

  
 <EMI ID=33.1> 

  
 <EMI ID=34.1> 

  
largeur de la banda interdite puisque la limite supérieure de résistivité fixe la limite inférieure du produit du

  
 <EMI ID=35.1> 

  
de porteurs. Corne d'autre part, le nombre de porteurs est  <EMI ID=36.1> 

  
trou 

  
Cependant* l'énonce des limite* donné ci-dessus est

  
 <EMI ID=37.1> 

  
 <EMI ID=38.1> 

  

 <EMI ID=39.1> 


  
 <EMI ID=40.1> 

  

 <EMI ID=41.1> 


  
 <EMI ID=42.1>  diode de goulot en toute sécurité. Or, pour une tension

  
 <EMI ID=43.1> 

  

 <EMI ID=44.1> 


  
Autant une constante. 

  
 <EMI ID=45.1> 

  
 <EMI ID=46.1> 

  

 <EMI ID=47.1> 


  
 <EMI ID=48.1> 

  
Dans le cas d'un semi-conducteur riche en porte=*$ aine-

  
 <EMI ID=49.1> 

  

 <EMI ID=50.1> 


  
 <EMI ID=51.1> 

  
attirée sont éliminés et avec eux, en nombre égal, des porteurs

  
 <EMI ID=52.1> 

  
 <EMI ID=53.1> 

  
inférieur au délai de régénération de ces porteurs , que la

  
 <EMI ID=54.1> 

  
 <EMI ID=55.1> 

  

 <EMI ID=56.1> 


  
 <EMI ID=57.1> 

  
précis à titre d'exemple 

  
 <EMI ID=58.1> 

  
 <EMI ID=59.1> 

  
 <EMI ID=60.1> 

  
tien des porteurs minoritaires par le champ longitudinal et  <EMI ID=61.1> 

  

 <EMI ID=62.1> 


  
 <EMI ID=63.1> 

  
 <EMI ID=64.1> 

  

 <EMI ID=65.1> 


  
 <EMI ID=66.1> 

  

 <EMI ID=67.1> 


  
On constate qu'on ne gagne ici aucunement sur la valeur

  
 <EMI ID=68.1> 

  
 <EMI ID=69.1> 

  
l'emploi d'un. telle substance avec une injection de porteurs minoritaires, au moins par l'une des électrodes terminales si éventuellement aussi par la diode de goulots 

  
 <EMI ID=70.1> 

  
est au contraire faible vis-à-vis du délai de leur élimination, la conductivité sera régie par la relation (5). Or, le rayon r sera toujours fourni par la relation (8), puisque l'injection de porteurs minoritaires doit disparaître à

  
 <EMI ID=71.1> 

  
la valeur de la résistance l'expression suivante 

  

 <EMI ID=72.1> 


  
 <EMI ID=73.1> 

  
 <EMI ID=74.1> 

  
ainsi réalisé est 
 <EMI ID=75.1> 
  <EMI ID=76.1> 

  
 <EMI ID=77.1> 

  
 <EMI ID=78.1> 

  
Il est bien entendu qu'une nouvelle réduction de la

  
 <EMI ID=79.1> 

  
nombre de porteurs minoritaires au-delà de l'état normal

  
 <EMI ID=80.1> 

  
d'injection de porteurs soit élevé et que d'autre parti leur

  
 <EMI ID=81.1> 

  
 <EMI ID=82.1> 

  
 <EMI ID=83.1> 

  
goulot.

  
La réalisation des contacts d'extrémité répondant au schéma équivalent d'une diode shuntée par une résistance non-* linéaire, schéma représenté par la Pigé 4; peut être obtenue

  
 <EMI ID=84.1> 

  
 <EMI ID=85.1> 

  
Les surfaces terminales sont d'abord traitées dans un

  
 <EMI ID=86.1> 

  
 <EMI ID=87.1> 

  
 <EMI ID=88.1>  <EMI ID=89.1> 

  
On produit de la aorte en surface une couche d'oxyde

  
 <EMI ID=90.1> 

  
 <EMI ID=91.1> 

  
 <EMI ID=92.1> 

  
 <EMI ID=93.1> 

  
composante essentiels le plomb et l'étain, et et, opérant à

  
 <EMI ID=94.1>  

  
 <EMI ID=95.1> 

  
 <EMI ID=96.1> 

  
 <EMI ID=97.1> 

  
 <EMI ID=98.1> 

  
 <EMI ID=99.1> 

  
de la couche d'oxyde, qui assurent le fonctionnement du

  
 <EMI ID=100.1> 

  
de connexion métallique soudée*

  
 <EMI ID=101.1> 

  
 <EMI ID=102.1> 

  
 <EMI ID=103.1> 

  
titre simplement indicatif une relation entre

  
 <EMI ID=104.1> 

  
 <EMI ID=105.1> 

  
de diffusion des porteur$ minoritaires de la substance   <EMI ID=106.1>   <EMI ID=107.1>  

  
 <EMI ID=108.1>  formée par 1'embase avec la pluralité des bâtonnets qui en

  
 <EMI ID=109.1> 

  
usinage par ultra-sono" On procède alors à l'étamage de la face libre de l'embase, après quoi la structure est soumise

  
 <EMI ID=110.1> 

  
 <EMI ID=111.1> 

  
 <EMI ID=112.1> 

  
 <EMI ID=113.1> 

  
Ensuite la structure coiffée d'une grille 16 en indium et placée sur une plaquette métallique 19 *et mise tans, un

  
 <EMI ID=114.1> 

  
l'alliage indium-germanium, A cet effet elle cet portée pro-

  
 <EMI ID=115.1> 

  
 <EMI ID=116.1> 

  
 <EMI ID=117.1> 

  
 <EMI ID=118.1> 

  
 <EMI ID=119.1> 

  
 <EMI ID=120.1> 

  
 <EMI ID=121.1> 

  
 <EMI ID=122.1> 

  
 <EMI ID=123.1> 

  
 <EMI ID=124.1> 

  
 <EMI ID=125.1> 

  
 <EMI ID=126.1>   <EMI ID=127.1> 

  
tous

  
 <EMI ID=128.1> 

  
 <EMI ID=129.1> 

  
 <EMI ID=130.1> 

  
 <EMI ID=131.1> 

  
 <EMI ID=132.1> 

  
toutes considérations égale$ d'ailleurs$ une tension inverse

  
 <EMI ID=133.1>   <EMI ID=134.1>

Claims (1)

  1. <EMI ID=135.1> <EMI ID=136.1>
    d'où il résulte une injection de porteurs de charge minori-
    <EMI ID=137.1>
    <EMI ID=138.1>
    quel que soit le mono de passage du courant"
    <EMI ID=139.1>
    <EMI ID=140.1>
    <EMI ID=141.1>
    <EMI ID=142.1>
    minoritaires par la partie du goulot polarisés dans le sens
    <EMI ID=143.1>
    <EMI ID=144.1>
    proche de l'intrinsèque avec une bande interdite d'une lar-
    <EMI ID=145.1>
    <EMI ID=146.1>
    <EMI ID=147.1>
    <EMI ID=148.1>
    <EMI ID=149.1>
    <EMI ID=150.1>
BE647011A 1957-11-30 1964-04-23 Dispositifs à semi-conducteur dits tecnetrons pour redressement commandé et limitation de forts courants électriques BE647011A (fr)

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DE1129625B (de) * 1958-05-23 1962-05-17 Telefunken Patent Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt
US3044909A (en) * 1958-10-23 1962-07-17 Shockley William Semiconductive wafer and method of making the same
DE1114939B (de) * 1960-02-09 1961-10-12 Intermetall Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer flaechenhafter Halbleiteranordnungen
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