BE830000A - Matrice a relais pour reseau de selecteur - Google Patents

Matrice a relais pour reseau de selecteur

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BE830000A BE157132A BE157132A BE830000A BE 830000 A BE830000 A BE 830000A BE 157132 A BE157132 A BE 157132A BE 157132 A BE157132 A BE 157132A BE 830000 A BE830000 A BE 830000A
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/0008Selecting arrangements using relay selectors in the switching stages
    • H04Q3/0012Selecting arrangements using relay selectors in the switching stages in which the relays are arranged in a matrix configuration

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Relay Circuits (AREA)

Description


   <EMI ID=1.1>   <EMI ID=2.1> 

  
 <EMI ID=3.1> 

  
sélecteur de centraux téléphoniques comprenant des étages de matrices à relais.

  
On connaît déjà différents types de matrices à relais à tige et leur fonctionnement peut être réalisé de différentes façons. Il est connu de disposer des relais à tige électromagnétiques bistables aux points de croisement de la matrice et de les faire fonctionner par coïncidence de courant entre un fil de rangée et un fil de colonne. Cette disposition présente cependant un inconvénient : les relais électromagnétiques bistables et leur fonctionnement sont relativement compliqués et coûteux. 

  
Dans une autre solution connue, chaque ensemble de relais monostable de la matrice est muni de contacts pour les fils de conversation ainsi que d'un contact supplémentaire servant de contact de maintien du relais. Une telle solution est décrite par exemple dans la demande de brevet allemand publiée n2 1 047 851. Cette solution présente l'inconvénient d'avoir à réaliser un contact à lame supplémentaire plus une diode à chaque point de croisement nécessaire ainsi que des fils de maintien bout à bout entre les étages du sélecteur du central téléphonique.

  
Le but de la présente invention est de fournir une matrice à relais perfectionnée, considérablement moins coûteuse et plus compacte que les dispositifs connus.

  
Les caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description qui va suivre faite en regard des dessins annexés sur lesquels :
la figure 1 représente un schéma synoptique de trois matrices faisant partie d'un étage de sélecteur, avec l'unité centrale de traitement ; la figure 2 représente un schéma général d'une matrice à relais d'un étage de sélecteur ; la figure 3 représente un schéma général des organes d'un ensemble de commande et d'un ensemble de maintien associé à un point de croisement ; la figure 4 représente un schéma d'une seconde forme de réalisation du circuit de commande ;

    la figure 5 représente une forme de réalisation de l'ensemble de maintien muni de circuits de maintien selon la figure 3 ; la figure 6 représente une seconde forme de réalisation de-l'ensemble de maintien ; la figure 7 représente l'ensemble de maintien selon la figure 6 destiné à, mettre en oeuvre d'une certaine manière l'organisation de la matrice ; la figure 8 représente une forme de réalisation d'un circuit de commande selon la figure 2 ;  la figure 9 représente une forme de réalisation de la partie de l'ensemble de maintien HU qui est associé à un point de croisement ; la figure 10 représente un schéma d'un circuit d'une troisième forme de réalisation du circuit de commande ; et la figure 11 représente une variante de l'ensemble de maintien selon la figure 5.

  
Dans la description qui suit, on suppose que les matrices de relais font partie de sélecteurs de centraux téléphoniques. Cela n'implique bien entendu aucune limitation du champ d'application de la présente invention.

  
La condition de l'exemple représenté est de ne jamais laisser fonctionner plus d'un relais de point de croisement de la matrice par rangée. Dans l'autre direction perpendiculaire de la matrice, dite colonne, il doit être possible d'accéder au circuit dans certaines circonstances, par exemple dans le cas d'appels de conférence. Cela implique qu'un ou plusieurs abonnés ou qu'une opératrice aient la possibilité de faire passer un appel et, lorsque c'est fait, il soit possible d'avoir deux ou plusieurs relais de points de croisement de la même colonne de la matrice excités en même temps. Les conditions concernant les rangées permettent de n'avoir qu'un seul dispositif de commande par rangée si chaque relais de point de croisement de la rangée est muni d'un dispositif de maintien propre.

   Tous les dispositifs de commande pour une carte qui, conformément à cette forme de réalisation, est équi- <EMI ID=4.1> 

  
unité de commande qui, dans la technique des circuits intégrés, est. réalisée dans un seul boîtier. Les dispositifs de maintien étant combinés rangée par rangée en unités de maintien sont réalisés dans un boîtier commun par ensemble.

  
La figure 1 représente un schéma synoptique de trois matrices faisant partie d'un étage de sélecteur, avec l'unité centrale de traitement. Les matrices M1, M2, M3 sont adressées par l'intermédiaire d'un bus commun de données DB venant de l'unité centrale de traitement, destinée au contrôle et à  la supervision, CP. Chaque matrice comprend le réseau de points de croisement CPN, l'ensemble de commande CU et l'ensemble de maintien HU communs à ce réseau. Le réseau de points de croisement comprend les dispositifs de commutation des différen- <EMI ID=5.1> 

  
de réalisation en relais monostables à tige commandés par un électro-aimant. La connexion est bipolaire, c'est-à-dire que chaque point de croisement ne comprend que deux contacts établis et que par conséquent il n'y pas de contact de maintien, ni électromagnétique ni électromécanique. L'unité de commande CU commune à la matrice est, dans la mesure où des fonctions Font concernées, divisée en deux ensembles, un ensemble logique de commande CLU qui est adressé à partir de l'unité centrale de traitement CP et une source d'alimentation. L'unité de commande sera décrite ci-dessous sans qu'elle soit divisée selon les parties mentionnées ci-dessus. Dans la mesure où des fonctions sont concernées, l'ensemble de maintien HU, commune la matrice, est également divisé en deux parties, un ensemble logique de maintien HLU et le circuit de connexion de tension.

   De la même façon, l'ensemble de maintien sera décrit ci-dessous sans le diviser selon les fonctions ci-dessus.

  
Il est entendu que l'unité centrale de traitement CP commande également les autres étages de sélecteurs du central. En outre, les différents étages de sélecteurs peuvent être disposés de nombreuses façons différentes et l'exemple représenté n'est qu'un exemple parmi plusieurs formes de réalisation. 

  
La figure 2 représente schématiquement et de façon synoptique une matrice à relais selon la figure 1 ainsi que  l'unité de commande associée CU et les ensembles de maintien HU. Cette matrice à relais fait partie d'un étage de sélecteur. Le réseau de points de croisement représenté contient 64 relais disposés en huit rangées, chaque rangée consistant en huit relais. Seuls le premier et le dernier relais des rangées 1 et 8 ont été représentés. Les rangées intermédiaires, qui ne sont pas représentées, comportent des ensembles de maintien propres, mais utilisent la même unité de commande. Les relais portent la référence R suivie d'un indice à deux chiffres, dont le premier chiffre indique une rangée et le second chiffre une colonne.

   Dans l'exemple représenté, le réseau de points de croisement avec l'unité de commande ainsi que les unités de maintien sont montés sur un circuit imprimé commun et forment ainsi un ensemble. Dans un réseau de sélecteurs à plusieurs étages, chaque étage de sélecteur comprend une ou plusieurs matrices du type représenté.'Comme mentionné ci-dessus, les relais de points de croisement sont munis de contacts bipolaires qui peuvent connecter les fils de conversation d'une rangée aux fils correspondants d'une colonne aux points de croisement. Une entrée de la matrice, c'est-à-dire les fils de .  conversation appartenant à une colonne (XOàX7), est connectée à une sortie de la matrice, c'est-à-dire les fils de conversation d'une rangée YO à Y7 lors du fonctionnement du relais du point de croisement correspondant.

   Cette fonction est réalisée au moyen d'un signal sous forme d'impulsion venant de l'unité centrale de commande, puis le relais est maintenu au travail au moyen d'un circuit de maintien spécial. L'unité de commande électronique CU de la matrice à relais reçoit des informations de l'unité centrale de traitement en ce qui concerne la rangée du réseau de points de croisement dans lequel le relais qui doit être opéré et mis au repos, respectivement, doit être trouvé. Au moyen d'un signal sur les ensembles de . maintien HU, une colonne du réseau de points de croisement est adressée en conséquence. La logique de commande de l'unité de ............ commande est adressée à partir de l'unité centrale de traitement, avec une adresse sous forme binaire. Un premier bit de <EMI ID=6.1> 

  
nité de contrôle, c'est-à-dire la carte de l'étage de sélecteur, 3 bits de ladite adresse sur l'entrée de repère de rangée YAO-YA2 constituent une partie d'adresse qui choisit le circuit de commande dans l'unité de commande, c'est-à-dire

  
une rangée du réseau de points de croisement de la matrice choisie. Un bit supplémentaire de ladite adresse sur l'entrée de commande RLS indique si une mise au travail ou une mise au repos doit être effectuée.

  
De même, l'ensemble de maintien est adressé à partir de l'unité centrale de traitement pour le choix d'un circuit

  
de maintien associé à un relais de la rangée choisie. Cet ensemble est adressé au moyen d'une adresse à 6 bits. Dans l'exemple représenté, l'adresse est divisée en deux parties. La première partie est composée de 2 bits et la seconde partie des

  
4 bits restants. Ce type d'adresse a été choisi afin de simplifier la logique de décodage. Ce dernier mode d'adressage est décrit plus en détail ci-après.

  
Les huit paires de fils de conversation XO à X7 constituant les entrées de la matrice considérée sont connectés aux entrées du central ou aux fils de conversation YO à Y7, c'est-à-dire les fils de conversation des rangées de l'étage de sélecteur précédent. De façon analogue, les sorties de la matrice, c'est-à-dire les huit paires de fils de conversation YO à Y7, sont connectées aux entrées d'une matrice de l'étage suivant. Les tensions de commande, pour le maintien et la mise au repos respectivement d'un relais d'une rangée considérée, peuvent être envoyées à partir de l'unité de commande CU de

  
 <EMI ID=7.1> 

  
points de croisement. C'est ce qui a été indiqué sur la figure au moyen des transistors T8 et T11, qui sont disposés en paires pour chaque rangée et qui sont commandés à partir de la logique de l'unité de commande comme ce sera décrit plus en détail ci-après. Le transistor T8, lorsqu'il est conducteur, envoie sensiblement la tension +E1 au fil de rangée YHO en adressant un relais de la rangée du point de croisement cor-

  
 <EMI ID=8.1> 

  
la source de tension de commande +E1, une chute de tension

  
qui est fonction du courant est créée dans un but de détection. Un détecteur DE détermine si le courant de commande est dans un intervalle permis donné. Une forme de réalisation du circuit de détection selon ce qui précède sera décrit plus en détail ci-après. 

  
Les circuits de maintien HU associés chacun à une rangée du/réseau de points de croisement contiennent, comme indiqué schématiquement, plusieurs dispositifs de maintien HO à

  
 <EMI ID=9.1> 

  
valents de thyristors bipolaires. Sur la figure 2, on a représenté ces dispositifs sous la forme de semi-conducteurs commandés à quatre couches mais,dans la description qui suit,ces dispositifs seront représentés et appelés équivalents thyristors réalisés selon la technique bipolaire.

  
La figure 3 représente plus en détail la façon dont un circuit de commande CO, c'est-à-dire la partie de l'unité de commande CU selon la figure 2, associée avec une rangée de la matrice, peut être réalisé. On a déjà indiqué qu'un circuit de maintien est commun à tous les relais d'une rangée et, sur la figure 3, on a représenté un circuit de maintien HC, c'est-à-dire la partie d'un circuit de maintien qui est associée à un relais individuel de la rangée. L'unité de commande commune à l'ensemble de la matrice contient également des circuits de commande identiques C1 à C7, un pour chaque rangée

  
de la matrice. Les relais de points de croisement R11 à R18

  
 <EMI ID=10.1> 

  
appartenant à la rangée 0 du réseau de points de croisement. Par leur second pôle respectif, le relais est connecté à une

  
 <EMI ID=11.1> 

  
cuit de maintien associé à la rangée. Le circuit de commande CO qui fait partie de l'unité de commande CU et qui est associé au conducteur de rangée YHO comporte trois bornes d'ali- <EMI ID=12.1> 

  
sion&#65533; de commande extérieures destinées à la mise au travail et au maintien. Dans le cas représenté, ces tensions sont constituées par une tension positive +E1, une tension négative -E2 ainsi que la tension 0 V. A part ces bornes de connexion sur le circuit CO, l'ensemble comporte également une entrée de repère de carte CM, trois entrées de repères de rangées YAO, YA1, YA2 et deux entrées de commande RLS et RLS respectivement. La sortie Y du circuit de commande CO est connectée au fil de rangée associé YHO.

  
Afin d'alimenter en tension un conducteur de rangée choisi, dans ce cas le conducteur de rangée YHO, une tension positive, par exemple la tension +E1,est envoyée par l'intermédiaire d'un ordre de l'unité centrale de traitement à la matrice et elle est distribuée au sein de la matrice à toutes les entrées de repères de cartes CM des circuits de commande CO à C7 de l'unité de commande CU. De ce fait, une carte de matrice de l'étage de sélecteur est choisie. Pour toutes les cartes, c'est-à-dire les matrices de l'étage de sélecteur, une adresse est envoyée afin de marquer la rangée au sein de la matrice. Cette adresse est alors distribuée sur tous les circuits de commande CO à C7 compris dans l'unité de commande CU sur une carte respective.

   Chaque circuit de commande comporte, comme dans l'exemple représenté, le circuit de commande CO, trois entrées de repères de rangées YAO à YA2. L'adresse binaire de la rangée choisie est envoyée à ces entrées, sous forme codée de façon telle que le circuit de commande de la rangée choisie reçoive un niveau élevé sur toute ces entrées de repères de rangées tandis que le reste des circuits de commande de la carte reçoit une adresse à .niveau.- bas sur

  
au moins l'une des entrées de repères de rangées. Il ressort de ce qui précède qu'en même temps que le-conducteur de rangée YHO est marqué, la rangée correspondante de toutes les matrices appartenant au même étage de sélecteur est également marquée. Au sein de l'étage de sélecteur,une seule carte seulement reçoit cependant en même temps une tension positive +E1  <EMI ID=13.1> 

  
 <EMI ID=14.1> 

  
soit la mise au repos: Le choix entre ces deux possibilités est réalisé au moyen de l'application d'une tension faible ou élevée, respectivement, sur l'entrée de commande RLS.

  
En principe, le circuit de commande est composé de deux circuits de décodage identiques qui sont alimentés en parallèle par tous les signaux d'entrée du circuit de commande. Chaque circuit de décodage est constitué d'un transistor multi-émetteur T5, T6, suivi par une combinaison de transistors NPN-PNP. Le transistor multi-émetteur est du type NPN. Le circuit de décodage peut être considéré comme un circuit

  
 <EMI ID=15.1> 

  
T6 comme entrées. La sortie binaire, c'est-à-dire le collecteur dudit transistor PNP,ne prend alors son niveau supérieur que lorsque toutes les entrées sont à un niveau supérieur. Pour le fonctionnement, le circuit de décodage, qui est constitué par le circuit de décodage supérieur sur la figure 3, commande directement au moyen de sa sortie un dispositif actif, représenté ici sous la forme d'un transistor NPN T8, dont le collecteur est alimenté avec la tension de commande +E1 venant de la borne d'alimentation en tension U1. Le circuit de décodage correspondant pour la mise au repos, commande par l'intermédiaire de sa sortie,un dispositif à changement de niveau consistant en une combinaison de transistors PNP-NPN.

  
Si l'on suppose que le circuit de commande considéré dans le présent exemple a été adressé pour l'activation d'un dispositif de la rangée 1 associée, une tension positive, par exemple la tension +E1,a donc été envoyée sur l'entrée de repère de carte. Des tensions positives correspondant à un un binaire ont également été envoyées sur toutes les entrées de repères de rangées et une tension 0, correspondant à un zéro binaire, a été envoyée sur l'entrée de commande RLS. Il y a donc lieu de noter que l'entrée de commande inversée RLS présente un potentiel élevé correspondant à un un binaire. Dans  <EMI ID=16.1> 

  
 <EMI ID=17.1> 

  
du transistor multi-émetteur, reçoit des tensions correspon-

  
 <EMI ID=18.1> 

  
le transistor T5 est bloqué dans cette position. Cependant, la diode base-collecteur conduit du courant à la base du transistor NPN suivant. Ce transistor est conducteur et transfère le

  
 <EMI ID=19.1> 

  
tor PNP suivant T7. Ce transistor devient à son tour conducteur et transfère le potentiel +E1 de son émetteur sur le collecteur. Ainsi, le dispositif actif reçoit un potentiel élevé sur la base et conduit la tension de commande +E1 à la sortie Y du circuit de commande CO.

  
En considérant le fait que l'entrée de commande RLS présente un faible niveau conformément à ce qui précède, le transistor multi-émetteur faisant partie du circuit de décodage pour la mise au repos, c'est-à-dire le ci*rcuit de décodage inférieur dans l'exemple représenté, sera conducteur. Le faible potentiel de l'entrée de commande est alors transféré sur le collecteur dudit transistor. De façon analogue, conformément à ce qui précède, il ressort que le transistor de sortie T9 du circuit de décodage est bloqué et que la tension de sortie provenant du circuit de décodage est faible. Dans ces conditions, le potentiel appliqué au transistor PNP suivant est réduit au-dessous du niveau zéro au moyen de la résistance R10 et de la source de tension -E2.

   Le transistor PNP T10 est conducteur et de ce fait augmente le potentiel de la base du transistor suivant T11. Conformément à ce qui précède,cependant, la tension sur l'émetteur de ce transistor étant directement connectée à, la sortie Y du circuit de commande CO est égale

  
à la tension de commande +E1 et, par conséquent,le transistor NPN T11 dans la phase de changement de niveau sera maintenu bloqué. Cependant, comme le relais marqué est venu au travail au moyen du circuit de maintien décrit ci-dessus, l'unité de commande est transférée à l'état de maintien en réduisant la tension de l'entrée de repère de carte CM à 0 V. Il en résulte  <EMI ID=20.1> 

  
 <EMI ID=21.1> 

  
 <EMI ID=22.1> 

  
niveau devient conducteur. Le potentiel 0 Y est transféré de

  
 <EMI ID=23.1> 

  
 <EMI ID=24.1> 

  
circuit de commande assurent le fait, avec les sources de tension +E1 et -E2, que la tension de sortie ne dépasse jamais +E1 et ne soit jamais inférieure à -E2 respectivement. 

  
Sur la figure 3, comme mentionné ci-dessus, les parties du circuit de maintien HU associé à un point de croise-. ment du réseau de points de croisement, dans ce cas le point de croisement 11 avec la résistance R11, sont également représentées. Cette partie du circuit de maintien sera appelée ciaprès circuit de maintien HC et, sur la figure 3, elle est représentée à l'intérieur d'un carré en pointillé. Les symboles des conducteurs en pointillé, à l'intérieur des carrés, indiquent des points de connexion pour d'autres circuits de maintien de l'ensemble. Le dispositif de maintien du circuit a été

  
 <EMI ID=25.1> 

  
sistors bipolaires comprenant les transistors T4 et T3, munis des résistances de base et d'émetteur R4 et R3 respectivement. Le circuit de maintien considéré au sein de l'ensemble de maintien est adressé comme mentionné ci-dessus sur un certain nom-

  
 <EMI ID=26.1> 

  
plus haut, l'adresse est divisée en deux parties. Une première partie consiste en 2 bits sur les entrées de repères de relais XM4 et XM5. Ces bits indiquent auquel d'un premier et d'un second groupe, respectivement, chacun consistant en quatre relais, le relais considéré appartient. Les quatre entrées de

  
 <EMI ID=27.1> 

  
si à l'intérieur du groupe. Dans l'exemple selon la figure 3,

  
 <EMI ID=28.1> 

  
entrées du relais marqué. Cela signifie que la tension envoyée à ces entrées est modifiée à partir du potentiel de repos +E1 à la tension de commande 0 V à l'état de marquage.

  
Conformément à ce qui précède, le conducteur de ran-gée YHO présente la tension +E1 à l'état de marquage. L'émetteur du transistor T1 qui,par l'intermédiaire de la résistance Rl,est connecté au conducteur de rangée par l'intermédiaire

  
 <EMI ID=29.1> 

  
un niveau élevé et le transistor T1 conduit du courant à l'émetteur du transistor suivant T2. De même, ce transistor pré-  sente une tension de base faible due à l'adressage, du fait que ce transistor est également conducteur. Ainsi, le transistor NPN T3 de l'équivalent thyristor reçoit un courant de commande et ce thyristor devient conducteur et fait passer du courant par la bobine du relais R11, la borne de connexion du relais XHO et vers la source de tension -E2 connectée à la borne d'alimentation en tension U4. Ainsi, le courant de commande passant par la bobine de relais R11 s'accroît entre les tensions +E1 et -E2. Lorsqu'un changement à l'état de maintien intervient conformément à ce qui précède, le relais R11 est maintenu au travail entre la tension 0 V sur le conducteur de rangée YHO et la tension -E2.

  
Lors de la mise au repos du relais, le circuit de commande est adressé de la même façon que précédemment, sauf que l'entrée de commande RLS reçoit maintenant un signal à niveau élevé. Cela amène le transistor T6 à être bloqué, ce dont il résulte que, conformément à ce qui précède, le transistor T11 est également bloqué.. De ce fait, le circuit de maintien du relais R11 est bloqué et le relais revient à sa position de repos. Du fait que le transistor T5 du circuit de commande CO est conducteur lorsque le circuit est adressé pour la mise au repos, le transistor T8, conformément à ce qui précède, est bloqué. A un premier instant suivant l'adressage de mise au repos du circuit de commande CO, la bobine du relais est mise en court-circuit par la diode D2 et le thyristor.

   Le courant passant dans le relais et dans le thyrfstor décroît alors vers zéro et lorsque le courant de maintien du thyristor

  
 <EMI ID=30.1> 

  
tien étant bloqué, le passage du courant pour l'alimentation du relais passe alors par la résistance R4, la diode D3, la  <EMI ID=31.1> 

  
DZ bloque ce passage de courant jusqu'à ce que le dispositif

  
de maintien soit passé à un état non conducteur. Il y a lieu

  
de noter à ce sujet que la raison la plus importante de l'utilisation de thyristors pour la fonction de maintien réside dans le fait que le circuit peut être réalisé de façon à présenter une insensibilité élevée au bruit sans composants supplémentaires,comme par exemple des condensateurs. L'inductance empêche notamment le courant de changer instantanément au-dessous ou au-dessus de la valeur du courant de maintien du thyristor pendant une brève -perturbation". Avec les amplitudes existant dans les sources de perturbations, par exemple une perturbation due à, l'éclairage de 800 V pendant 10 microsecondes ou bien la coupure d'un signal de sonnerie de 90 V par un contact

  
 <EMI ID=32.1> 

  
faire fonctionner le circuit avec des moyens convenables. Cependant, les perturbations n'ont aucun effet car le thyristor, après une perturbation, revient à son état précédent.

  
Sur la figure 4, on a représenté un schéma d'un circuit d'une seconde forme de réalisation du circuit de commande. La différence entre cette forme de réalisation et celle précédemment décrite réside dans une autre conception du stade

  
de changement de niveau LS qui est commandé par le décodeur pour sa déconnexion.

  
Comme précédemment, les résistances base-émetteur

  
de l'équivalent thyristor ne sont pas représentées. Le processus de décodage et l'application d'une tension de commande sont les mêmes que dans le dispositif selon la figure 3. Cependant, le changement de niveau destiné à l'application d'u-

  
 <EMI ID=33.1> 

  
autre façon. En fonctionnement, l'adressage du transistor T17 est coupé comme précédemment, de même que le reste des transistors T12, T13, T14 et T15. En fonctionnement, le transistor T8 délivre du courant par la sortie du circuit de commande vers le relais. Lorsque, conformément à ce qui est mentionné ci-dessus, la tension +E1 disparaît de l'entrée de repère de carte CM, le transistor T8 est bloqué et la tension de commande +E1 chute sur la sortie du circuit de commande. L'inductance du relais tend alors à faire passer du courant par l'enroulement dans le même sens que précédemment. Ainsi, sur l'enroulement du relais, une force électromotrice/de polarité négative est induite vers la sortie du circuit de commande.

   L'inductance fait alors passer du courant dans la diode D4 dont l'anode est connectée à la source de tension -E2 puis par la diode base-émetteur du transistor T15. Ainsi, le thyristor change d'état, c'est-à-dire que le transistor T14 est conducteur éga-

  
 <EMI ID=34.1> 

  
circuit de commande.

  
Lors de l'adressage de déconnexion, comme précédemment, le transistor T17 est conducteur de même que les transis&#65533;ors T12 et T13. Le transistor T13 une fois conducteur met en court-circuit la jonction base-émetteur du transistor T15. Ce transistor ne reçoit aucun courant de base et, par conséquent, il est bloqué. Le transistor T14 est également bloqué et le courant de maintien sur le relais chute. De la même façon que précédemment, l'inductance du relais tend alors à faire passer du courant par ledit relais dans le même sens que précédemment et un passage de courant par la diode D4 et par le transistor T13 est alors disponible. Dans ce circuit, l'énergie emmagasinée dans l'inductance est consommée et le courant décroît vers zéro.

   L'avantage de cette forme de réalisation du stade de changement de niveau réside dans le fait que la consommation en puissance d'un transistor T15 pendant la phase de déconnexion est réduite.

  
On a représenté sur la figure 5 une forme de réalisation du circuit de maintien comprenant des circuits de maintien selon la figure 3. Les huit dispositifs de maintien pour une rangée du réseau de points de croisc.nent ont été groupés  en deux rangées. A la partie supérieure, les symboles de rangées des constituants ont été représentés. Ces constituants sont les mêmes que les constituants correspondants de la figure 3. 

  
On a représenté sur la figure 6 une seconde forme de réalisation du circuit de maintien. Comme dans la figure 5, les résistances base-émetteur de l'équivalent thyristor ont été supprimées sur cette figure. Les symboles concernant les constituants associés au premier point de croisement ont été représentés sur cette figure. Ainsi, les transistors de l'é-

  
 <EMI ID=35.1> 

  
mes symboles que dans la figure 3. Les symboles des conducteurs portant le signe plus sont destinés à être connectés à la borne d'alimentation en tension U5 du circuit et les symboles des conducteurs portant le signe moins sont destinés à être connectés à la borne d'alimentation en tension U4. Comme précédemment, la tension extérieure -E2 est connectée à la borne d'alimentation en tension U4 et la tension extérieure +E1 est connectée à la borne U5. Dans cette forme de réalisation, le thyristor du point de croisement choisi est déclenché par le courant du relais lorsque la tension 0 V est appliquée à la base du transistor PNP. Cependant, le thyristor n'est pas conducteur jusqu'à ce que le courant du relais ait atteint la valeur du courant de maintien du thyristor.

   A cet instant, le courant du relais traverse la résistance baseémetteur du transistor T4, la diode D6 et le transistor T18 vers la terre. Ainsi, le circuit de maintien de cette forme de réalisation ne comporte pas l'entrée spéciale YH selon la figure 3. En conséquence, l'état de l'entrée donné par le circuit de commande sur la logique de commande du circuit de maintien passe par la bobine du relais. Le circuit de maintien à l'intérieur de l'ensemble de maintien est choisi de la même façon que précédemment au moyen d'une adresse sur les entrées de repères de relais XM. En adressant par exemple le point de croisement 1, la tension +E1 est appliquée sur l'entrée de repère de relais XM4 et la tension 0 V sur l'entrée de repère de relais XMO.

   Lors de la déconnexion, le thyristor étant bloqué, la bobine de relais est mise en court-circuit par l'entrée XHO, la résistance base-émetteur du transistor T4, la diode D5 et vers la source de tension +E1. Avec la connexion représentée de le. diode D5, on obtient le fait que, lorsqu'une courte perturbation coupe le courant du thyristor, ce dernier est a nouveau conducteur lorsque le courant se rétablit.

  
On a représenté sur la figure 7 un ensemble de maintien semblable à celui de la figure 6. Cet ensemble de maintien est destiné à une partie du réseau de points de croisement consistant en 4 x 4 relais. Sur cette figure, les résistances base-émetteur des transistors des équivalents thyristors sont supprimées. Cette forme de réalisation de l'ensemble de maintien, qui peut également être utilisée par exemple 

  
 <EMI ID=36.1> 

  
nes, comporte une logique de décodage particulièrement simple consistant en diodes connectées aux équivalents thyristors. Dans cette forme de réalisation comme dans celle selon la figure 6, les thyristors ne sont pas conducteurs jusqu'à ce que le courant de relais dépasse une valeur de courant de maintien des thyristors. Sur la figure 2, on a représenté la manière dont la tension de commande +E1 est connectée à l'unité de commande par l'intermédiaire d'une résistance de mesure RD afin de créer une chute de tension en fonction d'un courant dans des buts de détection. Comme il ressort de la description ci-dessus, les différents ensembles de circuits ne comprennent pas de fonctions de commande. Au lieu de cela, la disposition a été réalisée afin de pouvoir effectuer une vérification pour voir si le courant de commande présente la valeur convenable.

    On a représenté sur la figure 8 une forme de réalisation d'u-  nités de commande. Ce circuit de commande contient la résis-  tance de mesure et les dispositifs de détection. Le circuit de  commando reçoit du courant de la source de tension +E1 seule- j ment lorsqu'il est excité par un signal présent sur l'entrée 

  
de repère de carte CM. Deux comparateurs K1, K2 sont destinés 

  
 <EMI ID=37.1> 

  
 <EMI ID=38.1> 

  
sur leurs autres entrées. Les comparateurs sont ajustés de façon telle que le comparateur K1 présente un signal à sa sortie si le courant passant par la résistance de mesure est su- <EMI ID=39.1> 

  
 <EMI ID=40.1> 

  
élevé que-le courant de commande le plus important pour un relais de point de croisement donné.

  
Dans les conditions ci-dessus, un cycle de commande peut être réalisé par exemple de la façon suivante. En premier lieu, le circuit de commande concerné est déclenché, mais aucune information de marquage, c'est-à-dire aucune adresse, n'est donnée aux circuits de maintien. Si le comparateur K1 présente un signal à sa sortie, il est probable qu'un relais de la rangée ayant déjà été concerné est au travail et qu'un autre relais donne probablement une mise en circuit de l'appel semblable à celle décrite ci-dessus. Cette partie du cycle de commande dure environ 1 milliseconde du fait de la constante de temps de la bobine du relais. Au moyen d'un signal provenant du comparateur K1, la commande de mise au repos est faite ainsi qu'une nouvelle vérification de fonctionnement afin de voir si le défaut est permanent ou non.

  
Si le comparateur K1 n'émet pas de signal comme décrit ci-dessus, une information de marquage, c'est-à-dire une adresse, est envoyée aux circuits de maintien. Un relais de point de croisement ne reçoit pas de courant de commande et le comparateur K1 émet un signal. Si cependant le comparateur K2 émet également un signal sur sa sortie, il est probable qu'il y a double marquage et un ordre de mise au repos est donné.

  
Dans la forme de réalisation du circuit de commande décrit, le comparateur K2 peut être utilisé pour protéger les circuits de la surcharge, par exemple lorsqu'un enroulement de relais est mis en court-circuit. Le signal de sortie du comparateur, dans ce cas, annule immédiatement et sans autre condition le signal provenant du décodeur de repère de carte.

  
La première phase du cycle de commande, c'est-à-dire lorsqu'au moyen du comparateur K1 il est établi si un relais de la rangée marquée est déjà au travail, peut être considéra-

  
 <EMI ID=41.1>   <EMI ID=42.1> 

  
 <EMI ID=43.1> 

  
est ajusté de façon telle qu'il délivre un signal de sortie pour des courants supérieurs au courant de maintien minimum d'un relais. Lorsqu'un relais de la rangée marquée reçoit déjà un courant de maintien, ce courant de maintien est direc-

  
 <EMI ID=44.1> 

  
lorsque l'ordre de mise au travail est donné au circuit de commande. On obtient ainsi une indication immédiate sur le fait qu'un relais de la rangée est déjà au travail.

  
Les tensions de référence pour le comparateur respectif peuvent être engendrées au moyen d'un diviseur de tension entre les sources de tension extérieures +E1 et -E2, comme représenté sur la figure.

  
On a représenté sur la figure 9 une forme de réalisation d'une partie de l'ensemble de maintien HU relatif à un point de croisement. Le -processus d'adressage est le même que dans le dispositif selon la figure 3. Les transistors T1, T2 et la résistance R1 correspondent directement aux constituants ayant les mêmes références sur la figure 3. Le dispositif de maintien de cette forme de réalisation n'est pas composé d'un équivalent thyristor PNP-NPN mais il est muni de transistors

  
 <EMI ID=45.1> 

  
l'adressage de mise au travail de la même façon que dans le dispositif selon la figure 3. Ainsi, le transistor T19 est bloqué et le transistor T20 est conducteur. De ce fait, le courant de relais peut passer par le transistor T20 et la résistance R3 vers la source de tension -E2 connectée à la borne d'alimentation en tension U4. Le courant de relais passant par la résistance R3 maintient le'transistor T3 conducteur et, de

  
 <EMI ID=46.1> 

  
Lors du passage à l'état de maintien, le circuit reste dans l'état décrit.

  
L'adressage de mise au repos coupe le courant de relais provenant du circuit de commande CO. Lorsque le courant de relais a chuté au-dessous de la valeur du courant de maintien du dispositif, et qui peut être.influencé par le choix de la  <EMI ID=47.1> 

  
T20. Lorsque le dispositif de maintien est coupé, le courant du relais décroît vers zéro par l'intermédiaire d'une diode Zener DZI individuelle propre à chaque dispositif de maintien. La

  
 <EMI ID=48.1> 

  
sistor T20.

  
On a représenté sur la figure 10 un schéma d'une troisième forme de réalisation du circuit de commande. Le décodeur AK, à l'intérieur du carré en pointillé, peut être réalisé

  
de la même façon que la forme de réalisation selon la figure 4.

  
 <EMI ID=49.1> 

  
l'effet des signaux d'entrée comme dans le cas de la forme de réalisation selon la figure 4, présente respectivement un niveau haut et un niveau bas. Le shunt R66 base-émetteur détermi-

  
 <EMI ID=50.1> 

  
T15 a été représenté au stade de changement de niveau LS". La valeur de la résistance du shunt a été choisi de façon que le courant de maintien du dispositif PNPN soit du même ordre de grandeur que celui des relais de la rangée associée et réciproquement. Ainsi, des perturbations courtes n'entraînent pas la mise au travail ou au repos du relais, car le courant, du fait de l'inductance du relais, ne peut pas rapidement s'accroître et diminuer respectivement, vers la valeur du courant de maintien du dispositif PNPN.

  
Le transistor T13 qui shunte la jonction base-émetteur du transistor T14 ainsi que le dispositif PNPN T14-T15 sont maintenus bloqués par l'adressage de mise au travail. Lorsqu'il y a commutation à l'état de maintien conformément

  
à la description précédente, la tension de commande +E1 de la sortie Y chute. La bobine du relais reçoit alors du courant par l'intermédiaire de la diode D4 et de la résistance R67 à partir de la terre. Le point commun de la résistance et de la diode D4 est alors maintenu au moyen d'une diode de blocage

  
D9 connectée à la source de tension -E2 à une tension supérieure à la tension -E2 avec une chute de tension dans le

  
sens direct d'une diode afin de limiter la tension de la cathode du dispositif PNPN T14-T15. Cette disposition empêche l'apparition de courant de support dans des dispositifs de maintien non marqués connectés à la même sortie Y du circuit

  
de commande. Lorsque le relais reçoit du courant conformément à ce qui précède, le thyristor est débloqué et transfère le potentiel de la terre à la sortie du circuit de commande et le relais est maintenu. Par adressage de mise au repos, la sortie B assure le niveau élevé, moyennant quoi le transistor T13 est conducteur et il met en court-circuit la jonction base-émetteur du transistor T14 ; en conséquence, ce transistor ne reçoit plus de courant de base et, de ce fait, il est bloqué. Le transistor T14 étant bloqué, le courant du relais par les transistors T13 et T15 décroît vers zéro.

  
L'ensemble de maintien pour une rangée de matrices de huit éléments de points de croisement représentée sur la figure 11 est une variante du circuit selon la figure 5. Lors d'un double marquage de l'ensemble de maintien selon ladite figure, c'est-à-dire lorsque deux points de croisement par exemple, du fait d'une erreur de l'unité de commande,ont été adressés en même temps pour une mise au travail sur les entrées XMO &#65533; XM15, il est probable que seulement l'un des points de croisement soit excité. En outre, il y a une faible chance de détecter lequel des deux points de croisement est excité.

   Cela dépend du fait que le thyristor T4-T3, du fait de différences dans les paramètres des constituants entre les thyristors, devient tout d'abord conducteur par l'intermédiaire de la jonction collecteur-émetteur du transistor marqué T2 et réduit la tension du collecteur du transistor T1. De cette façon, l'alimentation en courant de commande sur l'autre thy-ristor marqué est empêchée. Ainsi, il n'est pas possible de détecter l'erreur de l'unité de traitement et de commande avec le circuit de commande selon la figure 8. En même temps, il existe le risque qu'un point de croisement erroné soit déclenché.

  
Afin d'éliminer l'effet des différences mutuellesentre les paramètres des constituants des dispositifs PNPN et des transistors T1 et T2 respectivement dans la logique de marquage du circuit selon la figure 11, on introduit un certain nombre de résistances d'équilibrage tout en supprimant la résistance R1 du dispositif selon la figure 5. En conséquence, une résistance RB est connectée à la base du transistor respectif T1 et une résistance RE est insérée dans le circuit émetteur de chaque transistor T2. De cette façon, le courant de contrôle pour deux points de croisement éventuellement doublement marqués sera distribué de façon uniforme et l'excitation des deux points de croisement marqués est empêchée. En conséquence, il est possible de détecter les doubles marquages au moyen d'un circuit de commande selon le mode principal.

  
Une diode D3 pour .chaque dispositif de maintien, ainsi qu'une diode Zener DZ commune à tous les dispositifs de maintien forment un trajet d'e courant dans le circuit selon la figure 5, par lequel, après adressage de mise au repos, le courant de relais peut décroître, le dispositif PNPN étant bloqué. Les fonctions des deux diodes mentionnées ci-dessus sont assurées ici par une diode Zener unique DC" par dispositif PNPN. Cette diode Zener est connectée, comme représenté sur la figure 11, entre les bases de l'équivalent thyristor et, de ce fait, elle limite la tension sur le dispositif PNPN. Si une courte perturbation dérive le courant du dispositif PNPN T4-T3 pendant l'état de maintien, le dispositif PNPN est à nouveau connecté, du fait que le courant est injecté par la bobine du relais par les jonctions base-émetteur du disposi- <EMI ID=51.1> 

  
cessé. On suppose ainsi, cependant, que le courant du relais n'est pas tombé au-dessous du courant de maintien du disposi- <EMI ID=52.1> 

  
Il est bien entendu que la présente invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra y apporter toute modification utile sans sortir de son cadre. 

REVENDICATIONS

  
1. Matrice à relais, en particulier à relais à tige pour des commutateurs à plusieurs étages de centraux téléphoniques à commande électronique, caractérisée par le fait qu'elle comprend :
(a) un premier dispositif pour appliquer une tension de commande de relais sur un conducteur choisi de rangée du réseau de points de croisement de la matrice par l'intermédiaire d'un ordre provenant d'une unité centrale de traitement,
(b) un dispositif de commande destiné à mesurer le courant résultant du conducteur de rangée pour définir si l'un des relais de la rangée marquée est déjà au travail,
(c) un second dispositif destiné à marquer une colonne choisie du réseau de points de croisement de la matrice sous l'effet d'un ordre provenant de l'unité centrale de traitement, afin de former,

   par coïncidence avec l'application de la tension du conducteur de rangée un signal de mise au t ravail sur le point de coïncidence,
(d) des dispositifs à contact électronique bistables, un dans chaque point de croisement du réseau de points de croisement, destinés à être excités par le signal de commande résultant, moyennant quoi le relais du point de croisement associé est mis au travail,
(e) un autre dispositif de commande destiné à remesurer le courant résultant du conducteur de rangée marqué afin de définir si un relais et un seulement reçoit du courant, et
(f) un troisième dispositif destiné à appliquer une tension de maintien sur le conducteur de rangée, sous l'effet d'un ordre provenant de l'unité centrale de traitement.

Claims (1)

  1. 2. Matrice à relais selon la revendication 1, caractérisée par le fait que les dispositif[deg.] de contact bistables (T3, T4) sont chacun du type comportant une entrée de commande destinée à recevoir le signal de commande et deux électrodes principales entre lesquelles la conductivité du dispositif de contact dépendant des tensions présentes sur <EMI ID=53.1>
    <EMI ID=54.1>
    fériéure, l'une des électrodes principales étant connectée au relais (R11, R12...) du point de croisement associé, et l'au-
    <EMI ID=55.1>
    3. Matrice à relais selon la revendication 2, caractérisée par le fait que les dispositifs de contact (T3, T4) sont destinés chacun à être amenés à un état de conductivité élevée entre les électrodes principales lors de l'occurrence d'une certaine tension faible de polarité donnée entre lesdites électrodes et l'occurrence d'un signal de commande sur
    <EMI ID=56.1>
    té faible entre lesdites électrodes lorsque la tension entre elles, du fait d'un abaissement du courant passant par le dispositif à contact, atteint une certaine valeur, la valeur de maintien.
    4. Matrice à relais selon la revendication 3, caractérisée par le fait que le dispositif de contact (T3, T4) est un dispositif PNPN semi-conducteur à quatre couchesdans lequel deux jonctions PN comportent une résistance de dérivation (R3, R4) la résistance d'un shunt (R4) déterminant principalement
    le courant de maintien correspondant à la tension de maintien du dispositif à quatre couches.
    5. Matrice à relais selon la revendication 3, caractérisée par le fait que les dispositifs à contact (T3, T4) com-
    <EMI ID=57.1>
    opposés (NPN-PNP) dont la base du premier transistor est connectée au collecteur du second transistor et inversement, et
    que chaque transistor est muni d'un shunt base-émetteur, la résistance d'un shunt déterminant principalement le courant de maintien correspondant à la tension de maintien du dispositif
    à quatre couches.
    6. Relais à matrice selon l'une quelconque des revendications 4 et 5, caractérisé par le fait que le shunt (R4) déterminant le courant de maintien a une résistance choisie
    <EMI ID=58.1> <EMI ID=59.1>
    <EMI ID=60.1>
    contact est du même ordre de grandeur que le courant de mai n-
    <EMI ID=61.1>
    7. Matrice à relais selon la revendication 1, caractérisée par le fait que les troisièmes dispositifs sont cha-
    <EMI ID=62.1>
    seau de points de croisement (CPN) et comprend un décodeur
    <EMI ID=63.1>
    traie de traitement et un dispositif de changement de niveau
    <EMI ID=64.1>
    <EMI ID=65.1>
    ducteur de rangée associé et pour la déconnexion de cette tension de'maintien du conducteur de rangée.
    8. Matrice à relais selon la revendication 7, caractérisée par le fait que le dispositif de changement de niveau comprend un dispositif PNPN semi-conducteur à quatre cou- ches connecté entre la source de tension de maintien et le con- ducteur de rangée, que les deux jonctions PN du dispositif à
    quatre couches sont pontées par un shunt résistif, la résistance d'un shunt déterminant principalement le courant de maintien du dispositif à quatre couches, ladite résistance étant
    choisie de façon telle que le courant de maintien soit du même
    ordre de grandeur que pour l'un des relais de la matrice (R11, R12...) connecté à la rangée associée.
    9. Matrice à relais selon la revendication 4, caractérisée par le fait que la couche N de la jonction PN du dispositif de contact qui est pontée par le shunt (R4) déterminant le courant de maintien du dispositif de contact, est connectée au conducteur de rangée (YHO) du point de croisement
    par l'intermédiaire d'une diode (D3) en série avec une diode
    Zener (DZ) commune à tous les dispositifs de contact associés
    a une rangée de matrices afin, lors de courtes interruptions
    de l'alimentation en tension de maintien causées par des per-
    <EMI ID=66.1>
    mande grâce à l'inductance du relais, de façon que ledit dispositif soit maintenu conducteur jusqu'à ce que la perturbation ait disparu.
    <EMI ID=67.1> <EMI ID=68.1>
    <EMI ID=69.1>
    positif à quatre couches est shuntée par un transistor NPN dont la base est connectée au décodeur et qui, sous l'effet d'un signal provenant dudit décodeur résultant d'un adressage de mise au repos met en court-circuit ladite jonction PN, ce qui se traduit par le fait que le dispositif à quatre couches passe à l'état non conducteur et déconnecte la tension de main- tien du conducteur de rangée.
    11. Matrice à relais selon l'une quelconque des re- vendications 8 et 10, caractérisée par le fait que la couche P surmontée de la couche N du dispositif à quatre couches, est connectée par l'intermédiaire d'une diode à une source de tension afin d'alimenter le dispositif à quatre couches en courant de commande de mise au travail, par l'intermédiaire d'une jonction PN du dispositif à quatre couches lorsqu'il y a une interruption d'alimentation de la tension de commande sur le conducteur de rangée associé, du fait de l'arrêt de l'adressage de mise au travail, à partir de l'inductance du relais.
    12. Matrice à relais selon la revendication 2, caractérisée par le fait que le second dispositif comprend au
    <EMI ID=70.1>
    sible d'adresser à partir de l'unité centrale de traitement par l'intermédiaire d'une entrée d'adresse et qui est connecté entre un conducteur de rangée et un certain nombre de seconds dispositifs de connexion (T2) disposés en parallèle, un pour chaque point de croisement, qui peuvent également être adressés par des entrées d'adresse, afin de connecter, lorsqu'ils sont commandés à partir de l'unité centrale de traitement, la tension du conducteur de rangée par l'intermédiaire des premier et second dispositifs de connexion, sur l'entrée de commande du dispositif bistable de contact du point de croisement adressé.
    13. Matrice à relais selon la revendication 12, caractérisée par le fait qu'une résistance est connectée en série avec les entrées d'adresse du premier dispositif le pre-mier et chacun des seconds dispositifs de connexion connectés
    à ce dernier, afin de distribuer uniformément le courant de commande au&#65533;ispositifs à contact de plusieurs points de croisement adressés simultanément, indépendamment de légères différences mutuelles dans les paramètres des dispositifs de connexion et des dispositifs de contact, moyennant quoi on s'assure que les relais des points de croisement adressés simultanément reçoivent un courant de commande.
    14. Matrice à relais selon la revendication 4, caractérisée par le fait que la couche N intermédiaire et la couche P intermédiaire du dispositif à quatre couches sont connectées mutuellement au moyen d'une diode Zener (D") afin d'une part, lors d'une courte interruption dans l'alimentation de la tension de maintien causée par des perturbations,d'offrir .un trajet de courant pour le courant de commande à partir de l'inductance du relais vers le dispositif PNPN afin de maintenir ce dernier conducteur jusqu'à cessation de la perturbation et, d'autre part, de limiter la tension sur ledit dispositif PNPN.
    15. Matrice à relais selon l'une quelconque dos revendications 8 -et 10, caractérisée par le fait que la couche P entourée d'une couche N du dispositif à quatre couches
    est connectée par l'intermédiaire d'une diode (D4) à une prise d'un diviseur de tension consistant en une résistance (R67) et une diode (D9), ledit diviseur de tension étant connecté entre le potentiel de la terre et une source de tension (-E2) afin, par l'intermédiaire d'une jonction PN du dispositif à quatre couches lors d'une interruption de l'alimentation en tension
    de commande sur le conducteur de rangée associé résultant de l'arrêt d'adressage de commande, d'envoyer à partir de l'inductance du relais un courant de commande sur le dispositif à quatre couches, moyennant quoi ledit diviseur de tension empêche la formation de courant de commande dans des dispositifs
    de maintien non marqués connectés au conducteur de rangée as- <EMI ID=71.1>
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Effective date: 19950609