CH274360A - Elément électriquement dyssymétrique du type à contact sec. - Google Patents

Description

      Elément    électriquement     dyssymétrique    du type à contact sec.    L'invention est relative à un élément  électriquement     dyssymétrique    tel qu'un re  dresseur, une cellule photoélectrique ou un  couple thermoélectrique, du type à contact sec  et notamment à ceux dont la couche     semi-          conductrice    est constituée par un revêtement  de sélénium.  



  Les éléments revêtus de sélénium tels  qu'on les utilise en     général    dans les redres  seurs, les cellules photoélectriques et les  couples     thermoélectriques        comprennent        d'ha.-          bit.ude    une plaque de support métallique qui  peut être de fer, d'acier ou d'aluminium et  dont la surface, convenablement préparée  pour recevoir une couche semi-conductrice,  peut être revêtue d'une antre substance telle  que du nickel.

   Une couche ou revêtement de  matière     semi-conductrice    telle que le sélénium  ou un composé de sélénium est étendue à la  surface     (l'une    plaque de support de ce type,  par exemple par fusion de la matière ou con  densation de ses vapeurs ou encore par     coin-          pression    d'une couche de matière en poudre à       unie        température    élevée. Une telle couche peut  être     également    appliquée par galvanoplastie.

    Une plaque de support, revêtue -de cette ma:  mère, est soumise en général à un traitement  thermique de manière qu'on obtienne la struc  ture cristalline convenable du sélénium ou du       composé,    après quoi un autre traitement peut  être appliqué pour constituer un élément re  dresseur ou une cellule photoélectrique. Ainsi,  on peut appliquer une     contre#-électrode    à la    surface de la couche susmentionnée, par  exemple en étendant sur ladite surface une  substance conductrice telle que le métal de  Wood,     après,    quoi on peut soumettre l'élément  à un traitement de formation électrique par  application d'une tension entre la plaque de  support et la contre-électrode.  



  Selon l'invention, cet élément est caracté  risé en ce qu'il comporte une couche semi-con  ductrice munie de deux électrodes et renforcée  par une couche de support non conductrice.  



  L'électrode faisant contact avec la couche  non conductrice peut être appliquée sur la  dite couche par revêtement électrolytique, par  vaporisation ou par d'autres moyens conve  nables, avant l'application de la couche     semi-          conductrice    et. de la, seconde électrode. Toute  fois, il peut être désirable, dans certains cas,  d'appliquer la couche semi-conductrice di  rectement sur la couche de     support    non con  ductrice, les deux électrodes étant appliquées  à des stades ultérieurs de la fabrication.  



  La couche non conductrice peut être  revêtue     complètement    on partiellement de la  couche     semi-conductrice    ou     imprégnée    de     celle-          ci,    avec laquelle deux électrodes assurent le       contact.     



  Les deux     électrodes    peuvent être disposées  de part et d'a-Litre de la couche non conduc  trice qui peut, aussi comporter un ou plusieurs       prolongements    au moyen desquels l'élément  peut être fixé et supporté. Il peut également  être désirable que l'une des électrodes ou les      deux s'étendent sur un ou plusieurs pro  longements de ce genre     pour    faciliter la  connexion électrique.  



  Le dessin ci-joint représente, à titre  d'exemples, deux formes d'exécution de l'ob  jet de l'invention.  



  La     fig.    1 est une vue en coupe d'un élé  ment selon la première forme d'exécution.  La     fig.    2 est une vue en coupe d'un élé  ment selon la deuxième forme d'exécution.  La.     fig.    3 est une vue en plan d'un élé  ment.  



  A la     fig.    1, la référence 7. désigne une  plaque de matière non conductrice, telle que  de la céramique, de dimensions et de forme  convenables. La référence 2 indique un re  vêtement. de nickel ou de zinc, appliqué à la  surface     @de    -la plaque 1 par revêtement élec  trolytique ou par d'autres moyens conve  nables. Ledit revêtement s'étend     par-dessus     les bords 5 et 5' de la plaque, dans un but  qui sera décrit ci-après. Une couche 3 d'un  semi-conducteur, tel que du sélénium, est ap  pliquée à la surface du revêtement 2 d'une  manière connue et traitée     thermiquement    ou,  à la fois,     thermiquement    et par pression, de  manière à lui donner un degré de conducti  bilité convenable.

   Une     contre-électrode    4 d'un  alliage à point de fusion peu élevé est appli  quée à la surface de la couche     semi-condiic-          trice    3. Un contact électrique     petit    être réa  lisé avec l'élément sur les bords 5 et 5' de  la plaque et à la surface de la     contre-élec-          trode    4. Le cas échéant, on     petit    également       appliquer    le revêtement de nickel 2 au dos 6  de la plaque 1 pour faciliter     l'établissement     du     contact    de raccordement électrique avec  ledit revêtement de nickel.  



  A la     fig.    2, une plaque de     céramique    per  forée 10 est enrobée dans du sélénium 11,  par exemple par plongée dans du sélénium  en fusion à une température déterminée et       telle    que la viscosité du liquide permette le  retrait du     sélénium    en excès, ce qui laisse  une mince pellicule uniforme sur la     céra-          mique    dont     les    perforations sont également  remplies de sélénium. Des traitements ther-         miques    ou,. à la fois, thermique et par pres  sion convenables sont appliqués pour ame  ner le sélénium à l'état de conductibilité dé  siré.

   Une électrode arrière métallique 13, par  exemple de nickel, de zinc, de cuivre, d'alu  minium ou d'un alliage quelconque de ces  métaux, est appliquée sur l'une des faces de la  plaque, par exemple par pulvérisation ou va  porisation. Si on le désire, on     petit        effectuer     cette opération avant     les    traitements     ther-          iniques    et par pression susmentionnés.

   Sur  la face opposée de la plaque, on applique,  par vaporisation, une     contre-électrode    12       d'un    alliage à point de fusion peu élevé, tel  que le métal de     Wood.    L'élément. ainsi obtenu       petit    être soumis à     tin    processus     d'électro-          form:ation    pour améliorer ses propriétés de       redressement.     



  A la     fig.    3, l'élément représenté est d'une  construction générale analogue à celui de la       fig.    2, mais il comporte, en outre, une patte  de support 21 et deux pattes de contact 22  et 23, ces trois pattes faisant partie d'une  plaque de céramique perforée 20.

   Ladite       plaque    20 est plongée dans du sélénium en       fusion    jusqu'au niveau de la ligne     A-A.     Une     électrode    arrière 24 se prolonge au dos  de la patte 22, cependant qu'une     contre-élec-          irode    se prolonge sur l'avant de la patte 23,  tandis que la patte 21 peut être utilisée       .uniquement    pour     supporter    l'élément.

   Toute  fois, si on le désire, on peut combiner les  trois pattes 21 et 22 et. 23 en une seule, d'une       -manière    aisément compréhensible, l'électrode  arrière s'étendant sur une face et la     contre-          électrode    sur l'autre face de la. patte unique.  On     petit    aussi se passer de la patte de sup  port 21 et l'élément     petit    être supporté par  22 ou 23, ces organes pouvant comporter des  trous ou des     pi'eces    rapportées à cet effet, ou  en vue de la connexion.  



  La plaque perforée 10 de la     fig.    2 ou la  plaque 20 de la     fig.    3 peuvent être aisément.       .remplacées    par un tissu ou une autre ma  tière poreuse susceptible d'être suffisamment  imprégné de sélénium pour former un       semi-conducteur    uniforme entre l'électrode       arrière    et la     contre-électrode.  

Claims (1)

1. REVENDICATION Elément électriquement dyssymétrique du t# Te à contact sec, caractérisé en ce qu'il comporte une couche semi-conductrice munie de deux électrodes et renforcée par une couche de support non conductrice.

   SOUS-REVENDICATIONS 1. Elément suivant la revendication, ca- ractérisé en ce que ladite couche de support est revêtue, au moins en partie, de ladite couche semi-conductrice. 2. Elément suivant la. revendication, ca ractérisé en ce que ladite couche de support non eonductrice est en matière céramique.

   3. Elément suivant. la revendication, ea- raetérisé en ce que ladite couche non conduc- t.riee est enrobée clans la couche semi-conduc trice et en ce que lesdites électrodes sont dis- posées des deux côtés de la couche non con- duetrice ainsi revêtue.

   4. Elément suivant la revendication, ca- ractérisé en ce que la couche non conductrice est pourvue d'au moins un prolongement. 5. Elément suivant la sous-revendication 4, caractérisé en ce que ledit prolongement est disposé de manière à servir de support pour l'élément.

   6. Elément suivant la sous-revendication 4, caractérisé en ce que ledit prolongement est disposé de manière à pouvoir servir de pièce de connexion électrique pour au moins une desdites électrodes. 7. Elément suivant la sous-revendication 6, caractérisé en ce que ledit prolongement est. destiné à servir également, de pièce de support pour l'élément.

   8. Elément suivant la sous-revendication 4, caractérisé en ce que ledit prolongement comporte au moins une pièce insérée en lui et servant de pièce de connexion. 9. Elément suivant la sous-revendication 4, caractérisé en ce que ledit prolongement comporte au moins une pièce insérée en lui et servant de pièce de support. 10. Elément suivant la revendication, ca ractérisé en ce que ladite couche non conduc trice est constituée par un tissu.

   11. Elément suivant la revendication, ca ractérisé en ce que ladite couche non conduc trice est constituée par une pièce de matière non conductrice perforée. 12. Elément suivant la revendication, ca ractérisé en ce que ladite couche non conduc trice est constituée par une pièce de matière non conductrice poreuse. 13. Elément suivant la sous-revendication 10, caractérisé en ce que la couche non con ductrice est imprégnée de matière semi-con ductrice.

   14. Elément suivant la revendication, ca ractérisé en ce qu'il comporte une plaque de céramique, une couche métallique déposée sur ladite plaque, une couche semi-conductrice étendue sur ladite couche métallique et une contre-électrode étendue sur ladite couche semi-conductrice.