CH383718A - Verfahren zur Herstellung von p-n-Übergängen in Silizium durch Legieren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von p-n-Übergängen in Silizium durch Legieren

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CH383718A
CH383718A CH7103859A CH7103859A CH383718A CH 383718 A CH383718 A CH 383718A CH 7103859 A CH7103859 A CH 7103859A CH 7103859 A CH7103859 A CH 7103859A CH 383718 A CH383718 A CH 383718A
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silicon
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CH7103859A
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Intermetall
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    • C22CALLOYS
    • C22C21/00Alloys based on aluminium
    • C22C21/02Alloys based on aluminium with silicon as the next major constituent
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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CH7103859A 1958-04-16 1959-03-20 Verfahren zur Herstellung von p-n-Übergängen in Silizium durch Legieren CH383718A (de)

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DEI14694A DE1182501B (de) 1958-04-16 1958-04-16 Verfahren zum Herstellen eines p-n-UEberganges in einer Siliziumplatte durch Anlegieren einer Al-Si-Legierung

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US3154444A (en) 1964-10-27

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