CH383718A - Verfahren zur Herstellung von p-n-Übergängen in Silizium durch Legieren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von p-n-Übergängen in Silizium durch LegierenInfo
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=7185686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH7103859A CH383718A (de) | 1958-04-16 | 1959-03-20 | Verfahren zur Herstellung von p-n-Übergängen in Silizium durch Legieren |
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