CH398801A - Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper

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CH398801A
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Nagorsen Hans
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Siemens Ag
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    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
    • C23C10/18—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
    • C23C10/20—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being diffused
    • C23C10/22—Metal melt containing the element to be diffused
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CH168962A 1961-03-11 1962-02-12 Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper CH398801A (de)

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DES72936A DE1225393B (de) 1961-03-11 1961-03-11 Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper

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DE1101769B (de) * 1959-05-30 1961-03-09 Duerrwaechter E Dr Doduco Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen und Verwendung dieser Legierungen zur Dotierung von Halbleitermaterialien

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