CH409884A - Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes, insbesondere aus Silizium - Google Patents

Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes, insbesondere aus Silizium

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CH409884A
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CH1113261A
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Arnulf Dr Hoffmann
Konrad Dr Reuschel
Schmidt Otto
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Siemens Ag
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials

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CH1113261A 1960-11-30 1961-09-25 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes, insbesondere aus Silizium CH409884A (de)

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