CH440908A - Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkörpern, insbesondere Halbleiterscheiben - Google Patents
Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkörpern, insbesondere HalbleiterscheibenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES84437A DE1216651B (de) | 1963-03-28 | 1963-03-28 | Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkoerpern, insbesondere Halbleiterscheiben |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH440908A true CH440908A (de) | 1967-07-31 |
Family
ID=7511706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH10164A CH440908A (de) | 1963-03-28 | 1964-01-07 | Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkörpern, insbesondere Halbleiterscheiben |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3436286A (de) |
| CH (1) | CH440908A (de) |
| DE (1) | DE1216651B (de) |
| FR (1) | FR1389835A (de) |
| GB (1) | GB987556A (de) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3549439A (en) * | 1967-09-15 | 1970-12-22 | North American Rockwell | Chemical lapping method |
| US3629023A (en) * | 1968-07-17 | 1971-12-21 | Minnesota Mining & Mfg | METHOD OF CHEMICALLY POLISHING CRYSTALS OF II(b){14 VI(a) SYSTEM |
| US3765984A (en) * | 1968-07-17 | 1973-10-16 | Minnesota Mining & Mfg | Apparatus for chemically polishing crystals |
| US3911562A (en) * | 1974-01-14 | 1975-10-14 | Signetics Corp | Method of chemical polishing of planar silicon structures having filled grooves therein |
| US4108716A (en) * | 1976-12-22 | 1978-08-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Polishing of CdS crystals |
| JPS54110783A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor substrate and its manufacture |
| US4256535A (en) * | 1979-12-05 | 1981-03-17 | Western Electric Company, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| JPH01187930A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 研磨剤及び研磨方法 |
| US4910155A (en) * | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
| DE3929484A1 (de) * | 1989-09-05 | 1991-03-14 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum zweiseitigen chemomechanischen polieren von halbleiterscheiben, sowie vorrichtung zu seiner durchfuehrung und dadurch erhaeltliche halbleiterscheiben |
| US5783497A (en) * | 1994-08-02 | 1998-07-21 | Sematech, Inc. | Forced-flow wafer polisher |
| US5562530A (en) * | 1994-08-02 | 1996-10-08 | Sematech, Inc. | Pulsed-force chemical mechanical polishing |
| WO1996025270A1 (en) * | 1995-02-15 | 1996-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Abrasive-free selective chemo-mechanical polish for tungsten |
| US6221171B1 (en) | 1996-06-04 | 2001-04-24 | Ebara Corporation | Method and apparatus for conveying a workpiece |
| EP1218144A1 (de) | 2000-01-18 | 2002-07-03 | Rodel Holdings, Inc. | Auflösen von durch polieren erzeugte metallteilchen |
| KR20040000009A (ko) * | 2002-06-19 | 2004-01-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라티늄-cmp용 용액 |
| US6910951B2 (en) * | 2003-02-24 | 2005-06-28 | Dow Global Technologies, Inc. | Materials and methods for chemical-mechanical planarization |
| FR2876610A1 (fr) * | 2004-10-20 | 2006-04-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de polissage d'une surface de germanium et utilisation |
| CN116497461A (zh) * | 2023-04-18 | 2023-07-28 | 广东先导微电子科技有限公司 | 腐蚀法制备低粗糙度锗的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2740699A (en) * | 1949-07-23 | 1956-04-03 | Sylvania Electric Prod | Surface processing |
| DE1119625B (de) * | 1956-08-25 | 1961-12-14 | Sony Kabushiki Kaisha | Verfahren zum AEtzen der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers |
| US3226277A (en) * | 1961-11-27 | 1965-12-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Machine for chemically polishing glass |
| US3156596A (en) * | 1961-12-29 | 1964-11-10 | Bell Telephone Labor Inc | Method for polishing gallium arsenide |
-
1963
- 1963-03-28 DE DES84437A patent/DE1216651B/de active Granted
-
1964
- 1964-01-07 CH CH10164A patent/CH440908A/de unknown
- 1964-02-19 GB GB6846/64A patent/GB987556A/en not_active Expired
- 1964-03-20 FR FR968091A patent/FR1389835A/fr not_active Expired
-
1967
- 1967-04-17 US US633669A patent/US3436286A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1389835A (fr) | 1965-02-19 |
| US3436286A (en) | 1969-04-01 |
| GB987556A (en) | 1965-03-31 |
| DE1216651C2 (de) | 1969-04-24 |
| DE1216651B (de) | 1966-05-12 |
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