CH413801A - Verfahren zur Erzeugung einer epitaxialen Halbleiterschicht - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung einer epitaxialen Halbleiterschicht

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CH413801A
CH413801A CH805562A CH805562A CH413801A CH 413801 A CH413801 A CH 413801A CH 805562 A CH805562 A CH 805562A CH 805562 A CH805562 A CH 805562A CH 413801 A CH413801 A CH 413801A
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CH
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producing
semiconductor layer
epitaxial semiconductor
epitaxial
layer
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CH805562A
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Handelman Eileen Tannenbaum
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Western Electric Co
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3447977A (en) * 1962-08-23 1969-06-03 Siemens Ag Method of producing semiconductor members
DE1289829B (de) * 1963-05-09 1969-02-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht durch Abscheidung aus einem Reaktionsgas
DE1238105B (de) * 1963-07-17 1967-04-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von pn-UEbergaengen in Silizium
US3428500A (en) * 1964-04-25 1969-02-18 Fujitsu Ltd Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side
DE1289832B (de) * 1964-08-21 1969-02-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Herstellung planer Oberflaechen von aus der Gasphase abgeschiedenen Halbleiterkristallschichten
DE1287047B (de) * 1965-02-18 1969-01-16 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
US3765960A (en) * 1970-11-02 1973-10-16 Ibm Method for minimizing autodoping in epitaxial deposition
JP5017950B2 (ja) * 2005-09-21 2012-09-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置の温度管理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99536C (de) * 1951-03-07 1900-01-01
BE527032A (de) * 1953-03-19
NL133151C (de) * 1959-05-28 1900-01-01

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DE1231676B (de) 1967-01-05
BE617621A (fr) 1962-08-31

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