CH429953A - Dispositif semiconducteur - Google Patents

Dispositif semiconducteur

Info

Publication number
CH429953A
CH429953A CH231666A CH231666A CH429953A CH 429953 A CH429953 A CH 429953A CH 231666 A CH231666 A CH 231666A CH 231666 A CH231666 A CH 231666A CH 429953 A CH429953 A CH 429953A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Application number
CH231666A
Other languages
English (en)
Inventor
Teszner Stanislas
Original Assignee
Teszner Stanislas
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teszner Stanislas filed Critical Teszner Stanislas
Publication of CH429953A publication Critical patent/CH429953A/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83FETs having PN junction gate electrodes
    • H10D30/831Vertical FETs having PN junction gate electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83FETs having PN junction gate electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/965Shaped junction formation
CH231666A 1963-07-26 1966-02-17 Dispositif semiconducteur CH429953A (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR942896A FR1377330A (fr) 1963-07-26 1963-07-26 Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés
FR6722A FR87873E (fr) 1963-07-26 1965-02-23 Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH429953A true CH429953A (fr) 1967-02-15

Family

ID=26162207

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH970464A CH414872A (fr) 1963-07-26 1964-07-24 Dispositif semi-conducteur à effet de champ à canaux multiples intégrés
CH231666A CH429953A (fr) 1963-07-26 1966-02-17 Dispositif semiconducteur

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH970464A CH414872A (fr) 1963-07-26 1964-07-24 Dispositif semi-conducteur à effet de champ à canaux multiples intégrés

Country Status (6)

Country Link
US (2) US3372316A (fr)
CH (2) CH414872A (fr)
DE (2) DE1293900B (fr)
FR (2) FR1377330A (fr)
GB (2) GB1045314A (fr)
NL (2) NL143734B (fr)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1377330A (fr) * 1963-07-26 1964-11-06 Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés
US3430113A (en) * 1965-10-04 1969-02-25 Us Air Force Current modulated field effect transistor
US3443172A (en) * 1965-11-16 1969-05-06 Monsanto Co Low capacitance field effect transistor
CH568659A5 (fr) * 1972-03-10 1975-10-31 Teszner Stanislas
JPS5017771A (fr) * 1973-06-15 1975-02-25
US4635084A (en) * 1984-06-08 1987-01-06 Eaton Corporation Split row power JFET
US4633281A (en) * 1984-06-08 1986-12-30 Eaton Corporation Dual stack power JFET with buried field shaping depletion regions
US4670764A (en) * 1984-06-08 1987-06-02 Eaton Corporation Multi-channel power JFET with buried field shaping regions
EP0167810A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance comportant plusieurs pincements latéraux
US4959697A (en) * 1988-07-20 1990-09-25 Vtc Incorporated Short channel junction field effect transistor
JP2713205B2 (ja) * 1995-02-21 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2930950A (en) * 1956-12-10 1960-03-29 Teszner Stanislas High power field-effect transistor
FR1210880A (fr) * 1958-08-29 1960-03-11 Perfectionnements aux transistors à effet de champ
GB912114A (en) * 1960-09-26 1962-12-05 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices
FR1317256A (fr) * 1961-12-16 1963-02-08 Teszner Stanislas Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs dits tecnetrons multibâtonnets
FR1329626A (fr) * 1962-04-04 1963-06-14 Europ Des Semi Conducteurs Soc Perfectionnements aux transistors à effet de champ, de hautes performances
US3268374A (en) * 1963-04-24 1966-08-23 Texas Instruments Inc Method of producing a field-effect transistor
FR1377330A (fr) * 1963-07-26 1964-11-06 Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés

Also Published As

Publication number Publication date
GB1090696A (en) 1967-11-15
CH414872A (fr) 1966-06-15
DE1514932B2 (de) 1974-06-12
US3407342A (en) 1968-10-22
NL6408428A (fr) 1965-01-27
US3372316A (en) 1968-03-05
FR87873E (fr) 1966-07-08
GB1045314A (en) 1966-10-12
NL143734B (nl) 1974-10-15
DE1514932A1 (de) 1969-09-11
DE1514932C3 (de) 1975-01-30
NL6602337A (fr) 1966-08-24
FR1377330A (fr) 1964-11-06
DE1293900B (de) 1969-04-30
NL152119B (nl) 1977-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1398424A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1386650A (fr) Dispositif semiconducteur
FR1377764A (fr) Dispositif semi-conducteur
CH429953A (fr) Dispositif semiconducteur
FR1420785A (fr) Dispositif thermo-électrique
FR1389820A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1373729A (fr) Dispositif évaporateur-dépolymériseur
FR1356625A (fr) Dispositif mélangeur-agitateur
CH427043A (de) Halbleitervorrichtung
CH399601A (de) Halbleiteranordnung
FR1350412A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1401089A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1409138A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1381896A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1348742A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1380350A (fr) Dispositif semiconducteur épitaxial
AT243859B (de) Halbleiteranordnung
CH440479A (de) Halbleitervorrichtung
FR1422845A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1418641A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR1372216A (fr) Dispositif semi-conducteur
FR96114E (fr) Dispositif semi-conducteur.
FR1390677A (fr) Dispositif à semi-conducteurs
FR1416861A (fr) Dispositif à semi-conducteurs
FR1388459A (fr) Dispositif à semi-conducteur