CH435457A - Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus SiliziumInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0083438 | 1963-01-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH435457A true CH435457A (de) | 1967-05-15 |
Family
ID=7511040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH1043563A CH435457A (de) | 1963-01-26 | 1963-08-23 | Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| GB (1) | GB1014289A (de) |
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-
1963
- 1963-08-23 CH CH1043563A patent/CH435457A/de unknown
-
1964
- 1964-01-07 GB GB749/64A patent/GB1014289A/en not_active Expired
- 1964-01-23 FR FR961326A patent/FR1428479A/fr not_active Expired
- 1964-01-24 SE SE090964A patent/SE219415C1/sv unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1428479A (fr) | 1966-02-18 |
| GB1014289A (en) | 1965-12-22 |
| SE219415C1 (de) | 1968-03-12 |
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