CH435457A - Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium

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CH435457A
CH435457A CH1043563A CH1043563A CH435457A CH 435457 A CH435457 A CH 435457A CH 1043563 A CH1043563 A CH 1043563A CH 1043563 A CH1043563 A CH 1043563A CH 435457 A CH435457 A CH 435457A
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CH1043563A 1963-01-26 1963-08-23 Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium CH435457A (de)

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