CH436429A - Verfahren zur Herstellung von Isolierfugen in feststoffisolierten Hochspannungsleitern und Hochspannungsleiter mit Isolierfugen, hergestellt nach dem Verfahren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Isolierfugen in feststoffisolierten Hochspannungsleitern und Hochspannungsleiter mit Isolierfugen, hergestellt nach dem VerfahrenInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von Isolierfugen in feststoffisolierten Hochspannungsleitern und Hochspannungsleiter mit Isolierfugen, hergestellt nach dem Verfahren Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel lung von Isolierfugen in feststoffisolierten Hochspan nungsleitern. Sie betrifft weiterhin den Hochspannungs leiter mit Isolierfugen, hergestellt nach dem Verfahren.
Es ist bekannt, dass Hochspannungsleiter mit festen Isolierstoffen, insbesondere mit Giessharz, ganz oder teilweise isoliert werden. Die Leiter sind in ihrem gesamten Verlauf oder einem Teil davon mit festen Isolierungen umgeben und bei ganz feststoffisolierten Anlagen mit einem leitenden Aussenbelag versehen, der im allgemeinen geerdet ist. Die einzelnen Geräte einer solchen Anlage sind z. B. zum Zwecke der Montage steckerartig miteinander verbunden.
An den Verbin dungsstellen entstehen in der festen Isolierung Fugen, die mit gasförmigen, flüssigen oder festen Fugenfüllun- gen versehen sind, die in der Regel eine geringere elektrische Festigkeit aufweisen als die übrige feste Isolierung. Um trotzdem die nötige Spannungsfestigkeit in Fugen zu erhalten, werden diese verschieden gestal tet. Fugen werden z. B. so ausgebildet, d'ass über ihre gesamte Länge eine konstante Tangentialfeldstärke auf tritt.
Sie nehmen dann einen etwa hyperbolischen Ver lauf, was Schwierigkeiten in der Herstellung mit sich bringt. Um dies zu umgehen, werden an die für die konstante Tangentialfeldstärke errechneten Fugenkur ven in den Punkten des geringsten Anstieges, die in der Regel am Leiter liegen, Tangenten gelegt, an denen entlang die Fugen verlaufen. Dadurch werden zwar gerade Fugen erreicht, die aber entsprechend länger werden und wertvollen Platz in Anspruch nehmen, d. h.
die Fugen werden schlechter ausgenützt, da vom Tan- gierungspunkt aus die Tangentialfeldstärke in gerade Fugen abnimmt. Durch Konstruktionen weiterer Tan genten, d. h. durch Einarbeiten von Knicken in gerade Fugen, können deren Länge verkürzt und die Aus nutzung der Fugenfüllungen erhöht werden.
Die Erfindung besteht aus einem Verfahren zur Herstellung von Isolierfugen in feststoffisolierten Hoch spannungsleitern, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische Potential des Isolierstoffes in der Fuge durch örtliche Veränderung der elektrischen Eigenschaften des Isoliermaterials nahe der Fuge oder in der Fuge selbst in Abhängigkeit vom radialen und axialen Abstand von der Mitte der Fuge gesteuert wird.
Weiter betrifft die Erfindung einen Hochspannungs leiter mit Isolierfugen, hergestellt nach dem beschriebe nen Verfahren, dadurch gekennzeichnet, dass die elektri- schen Eigenschaften der Kabelisolierung oder der Fu genfüllung sich vom Leiter nach der Oberfläche des Isoliermantels stetig oder sprunghaft ändern.
Die erwähnte Anordnung soll nachstehend beispiels weise an Zeichnungen näher erläutert werden. Es zei gen: Fig. 1 den Schnitt durch den Fugenbereich eines feststoffisolierten Leiters, bei. dem die feste Isolierung aus einer Schicht besteht, Fig. 2 .den Schnitt durch den Fugenbereich eines feststoffisolierten Leiters, bei dem die feste Isolierung aus mehreren Schichten und Zwischenschichten besteht,
Fig. 3 den Schnitt durch die Fuge eines. fes'tstoff- isolierten Leiters, bei dem die feste Fugenfüllung aus einer Schicht besteht, Fig. 4 den Schnitt durch die Fuge eines feststoff- isolierten Leiters, bei dem die feste Fugenfüllung aus mehreren Schichten beseht.
In Fäg. 1 äst die feste Isolierung 1 im Fugenbereich 2 aus einem Stoff aufgebaut, dessen Dielektrizitätskon- stante oder dessen Dielektrizitätskonstante und dessen spezifischer Leitwert mit steigendem Abstand zum stromführenden Leiter 3 kontinuierlich kleiner wird (beispielsweise durch Änderung des Magerungsmittels im Giessharz). Dadurch wird das elektrische Feld im Fugenbereich 2 so gesteuert,
dass auch eine Steuerung des elektrischen Feldes, in der Fuge 4 selbst und da durch eine höhere elektrische Festigkeit erreicht wird. Es tritt trotz eines geraden. Verlaufs der Fuge in der selben eine konstante oder annähernd konstante Tan- gentialfeldstärrke auf.
In Fig. 2 ist weiterhin die feste Isolierung 1 im Fugenbereich 2 aus mehreren Schichten la, 1b, 1c bis 1n, beispielsweise aus in sich homogenen Schichten, aufgebaut. Dabei ist die Däelektrizitätskonstante bzw.
die Dielektrizitätskonstante und der spezifische Leit wert in den Schichten la, 1b, 1c bis 1n konstant oder annähernd konstant, jedoch von Schicht zu Schicht verschieden, d. h. die Veränderung erfolgt sprunghaft.
Zur Unterstützung der Steuerung des elektrischen Fel des im Fugenbereich 2 und in der Fuge 4 selbst können zusätzlich zwischen den einzelnen Schichten la, 1b, 1c bis 1n der festen Isolierung dünne leitende oder halb leitende Zwischenschichten 5, beispielsweise aus auf gespritztem Metall oder graphitgemagertem Giessharz, angeordnet werden.
Es tritt selbst bei gerader Fuge eine annähernd konstante Tangentialfeldstärke auf, zumindest ist jedoch das Maximum der Tangentialfeld- stärke in jeder Schicht gleich gross. Dieses kommt elek trisch gesehen dem Knicken einer Fuge in der homo genen Isolierung gleich.
In Fig. 3 besteht die feste Fugenfüllung 6 aus einem Stoff, dessen Dielektrizitätskonstanbe und/oder dessen spezifischer Leitwert mit steigendem Abstand zum stromführenden Leiter 3 kontinuierlich kleiner wird. Dadurch wird das elektrische Feld in der Fuge 4 gesteuert und die elektrische Festigkeit erhöht.
In Fig. 4 ist weiterhin die feste Fugenfüllung 6 aus mehreren Schichten 6a, 6b, 6c bis 6n, beispielsweise aus in sich homogenen Schichten, aufgebaut. Dabei ist die Dielektrizitätskonstante und/oder der spezifische Leitwert in den Schichten 6a, 6b, 6c bis 6n konstant oder annähernd konstant, jedoch von Schicht zu Schicht verschieden, d. h. die Veränderung erfolgt sprunghaft.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE I. Verfahren zur Herstellung von Isolierfugen in feststoffisolierten Hochspannungsleitern., dadurch ge kennzeichnet, dass das elektrische Potential des Isolier stoffes in der Fuge durch örtliche Veränderung der elektrischen Eigenschaften des Isoliermaterials nahe der Fuge oder in der Fuge selbst in Abhängigkeit vom radialen und axialen Abstand von der Mitte der Fuge gesteuert wird.1I. Hochspannungsleiter mit Isolierfugen, hergestellt nach dem Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Eigenschaften der Kabelisolierung oder der Fugenfüllung sich vom Leiber nach der Oberfläche des Isoliermantels stetig oder sprunghaft ändern. UNTERANSPRÜCHE 1.Hochspannungsleiter nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die Dielektrizitätskonstante oder die Dielektrizitätskonstante und der spezifische elektrische Leitwert der festen Isolierung (1) in Berei chen (2) beiderseits der Fuge (4) örtlich kontinuierlich veränderlich ist. 2.Hochspannungsleiter nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die feste Isolierung (1) in Bereichen (2) beiderseits der Fuge (4) aus Schichten (la, lb, lc. . . 1n) aufgebaut ist, wobei die Dielektrizi- tätskonstante oder die Dielektrizitätskonstante und der spezifische Leitwert sprunghaft von Schicht zu Schicht sich ändern. 3.Hochspannungsleiter nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass in der Fuge (4) die Dielek- trizitätskonstante und/oder der spezifische Leitwert der festen Fugenfüllung (6) sich kontinuierlich ändern. 4.Hochspannungsleiter nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die feste Fugenfüllung (6) aus Schichten (6a, 6b, 6c<B>...</B> 6n) aufgebaut ist, wobei die Veränderung der Dielektrizitätskonstanten und!/oder des spezifischen Leitwertes sprunghaft von Schicht zu Schicht erfolgt.5. Hochspannungsleiber nach Patentanspruch II und Unteranspruch 2 mit sprunghafter Veränderung der Dielektrizitätskonstanten oder der Dielektrizitätskonstan- ten und des spezifischen Leitwertes der festen Isolierung (1), dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Schich ten (la, 1b, 1e <B>...</B> 1n) dünne elektrisch leibende oder halbleitende Zwischenschichten (5) angeordnet sind.
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1965
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