CH555747A - Masque, pour tracer des lignes de largeur constante par impression d'une couche photosensible notamment pour la fabrication de negatifs de circuits imprimes. - Google Patents

Masque, pour tracer des lignes de largeur constante par impression d'une couche photosensible notamment pour la fabrication de negatifs de circuits imprimes.

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CH555747A
CH555747A CH1040872A CH1040872A CH555747A CH 555747 A CH555747 A CH 555747A CH 1040872 A CH1040872 A CH 1040872A CH 1040872 A CH1040872 A CH 1040872A CH 555747 A CH555747 A CH 555747A
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CH
Switzerland
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photosensitive layer
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negatives
annular opening
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CH1040872A
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Blattner & Picard
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    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • HELECTRICITY
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    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548Masks
    • H05K2203/056Using an artwork, i.e. a photomask for exposing photosensitive layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description


  
 



   Pour la fabrication de négatifs de circuits imprimés, il est bien connu de tracer des lignes de largeur constante sur un matériau photographique. A l'aide d'une optique on éclaire un masque ou diaphragme dont on projette l'image sur une couche photosensible. Puis par un déplacement relatif entre cette image et la couche photosensible, on impressionne sur cette couche photosensible une trace qui peut ensuite être développée. La largeur de cette trace correspond à la plus grande dimension de l'ouverture du masque mesurée perpendiculairement à la direction du déplacement. La dimension de l'ouverture du masque comptée dans la direction du déplacement n'a d'influence que sur le temps d'exposition.



   La fig. 1 illustre le traçage d'une ligne par le déplacement d'un masque ayant une ouverture rectangulaire par rapport au matériau sensible.



   La largeur du trait 1 est déterminée par la largeur b de l'ouver ture 2 du masque 2' qui s'étend perpendiculairement à la direction du déplacement qui correspond avec l'axe du trait 1.



   Lorsque   l'on    désire réaliser des traits incurvés en changeant de direction, il faut déplacer le masque par rapport à la couche photosensible de telle façon que l'axe de l'ouverture du masque, perpendiculaire à la direction de déplacement, passe constamment par le centre de courbure de la ligne à tracer.



   Bien qu'il soit possible de réaliser un dispositif mécanooptique permettant d'effectuer de tels déplacements du masque, il est évident que cela entraîne un dispositif de commande et de contrôle complexe.



   Pour tracer des lignes de largeur constante suivant une direction quelconque, il est bien entendu plus facile d'utiliser un masque présentant une ouverture circulaire. Toutefois un tel masque entraîne un éclairement non uniforme de la trace sur le matériau photographique.



   En effet, dans le cas d'un masque à ouverture rectangulaire, et si   l'on    considère que la vitesse du déplacement relatif entre l'image du masque et la couche photosensible est constante, l'éclairement de toute la surface de la trace est proportionnel à la largeur b de l'ouverture du masque, il est donc constant. Cet éclairement est ainsi constant quelle que soit la largeur b de l'ouverture du masque.



   Ceci n'est malheureusement pas le cas pour un masque   grésez    tant une ouverture circulaire 3.



   La fig. 2 illustre une ouverture circulaire 3 d'un masque sur la partie gauche, et sur la partie droite l'intensité de l'éclairement obtenu. Dans ce cas l'éclairement est:
EMI1.1     

 Si.K= constante
 r= distance entre l'axe de la trace et l'endroit dans la trace où
 la valeur B de l'éclairement est obtenue.



   b= diamètre de l'ouverture 3.



   Des essais ont montré que le facteur Sin.Arc.cos (2r/b) peut introduire des irrégularités d'un facteur 1 à 3 quelle que soit la valeur de b, mais que le facteur b (variable en fonction des largeurs de traces désirées) fait intervenir un facteur pouvant varier de
I à   30 voir même de    1 à 50. Ces grandes inégalités dans l'éclairement de la couche photosensible sont très gênantes et entraînent les erreurs suivantes:   - Les    traces larges sont très fortement surexposées, elles devien
 nent trop larges et présentent des bords qui ne sont pas francs.



  - La lumière perdue est relativement grande et fausse l'éclaire
 ment; elle diminue le pouvoir de définition de l'optique.



     - Il    peut arriver que l'exposition soit telle que le domaine de
 la solarisation soit atteint de sorte qu'il n'est plus possible de
 contrôler le noircissement de la couche photosensible lors du
 développement.



   Il est ainsi absolument nécessaire, lors de l'utilisation de masques à ouverture circulaire, de varier l'intensité lumineuse approximativement en fonction inverse du diamètre de l'ouverture du masque. Ceci entraîne une complication indésirée des appareils de projection.



   La présente invention a pour objet un masque destiné à être utilisé notamment dans la fabrication de circuits imprimés, pour tracer des lignes de largeur constante par impression d'une couche photosensible tendant à obvier aux inconvénients précités des masques à ouverture rectangulaire ou circulaire. Ce masque se distingue par le fait qu'il comporte une ouverture annulaire laissant passer un faisceau cylindrique de rayons actiniques émis par la source pour impressionner la couche photosensible.



   Les fig. 3 à 5 du dessin annexé illustre schématiquement et à titre d'exemple un jeu de trois masques pour le traçage de lignes de largeurs différentes.



   Pour chacune de ces figures, la partie de gauche illustre la forme de l'ouverture du masque tandis que la partie de droite illustre l'intensité de l'éclairement obtenu.



   Ces figures illustrent des ouvertures de masques annulaires pour le traçage de lignes de largeur allant en augmentant, ainsi que l'intensité de l'éclairement qu'ils produisent (partie inférieure des figures), comparés à un masque de même dimension à ouverture circulaire (partie supérieure des figures).



   La partie supérieure des fig. 3 à 5 montre, pour des masques à ouvertures circulaires 4, 4a, 4b, les éclairements obtenus B, Ba,
Bb qui sont très différents les uns des autres.



   Par contre, avec le masque proposé qui présente une surface transparente annulaire 5,   Sa,    5b (dont seul   1/4    est illustré sur les fig. 4 et 5), dont la périphérie externe correspond à la largeur de la trace désirée et dont la largeur e est constante quelle que soit la largeur de cette trace, on obtient en première approximation pour toute les largeurs de trace un éclairement E d'intensité pratiquement constante. Pour corriger des effets secondaires fonction de la largeur de la trace et influençant la valeur de l'éclairement, on peut modifier la largeur e de la surface annulaire.



   Ainsi on a réalisé un masque avec lequel il est possible de tracer des lignes suivant n'importe quelle direction et sans avoir besoin de modifier l'intensité de l'éclairement quelle que soit la largeur de la trace désirée.



   Dans l'exemple illustré, la surface annulaire transparente constituant l'ouverture du masque est de forme circulaire.



   Enfin si des lignes doivent être tracées suivant certains angles prédéterminés seulement, la surface transparente annulaire du masque peut présenter la forme d'un polygone.



   Direction de traçage   0     +   n.45t:    surface annulaire polygone
 régulier à 8 côtés;
   0 +n.30 :    surface annulaire polygone
 régulier à 12 côtés;
   O"+n.15":    surface annulaire polygone
 régulier a 24 cotés;
 etc.    régulier à 24 côtés;   
   U    est évident que l'ouverture annulaire du masque peut être constituée par une surface transparente d'un support non transparent ou par une découpe. Dans ce dernier cas, la portion centrale non transparente située à l'intérieur de l'ouverture annulaire est reliée à la portion externe du masque par des bras fins traversant l'ouverture annulaire. La direction de ces bras ne devra pas être confondue avec la direction de la trace. 

Claims (1)

  1. REVENDICATION
    Masque destiné à être placé entre une source actinique et une couche photosensible pour tracer des lignes de largeur constante par impression de cette couche photosensible lors d'un déplacement relatif entre ce masque et la couche photosensible, notamment pour la fabrication de négatifs de circuits imprimés, caractérisé par le fait qu'il comporte une ouverture annulaire laissant passer un faisceau cylindrique de rayons actiniques émis par la source pour impressionner la couche photosensible.
    SOUS-REVENDICATIONS 1. Masque selon la revendication, caractérisé par le fait que l'ouverture annulaire est circulaire.
    2. Masque selon la revendication, caractérisé par le fait que l'ouverture annulaire est polygonale.
    3. Masque selon la revendication, caractérisé par le fait que l'ouverture annulaire est constituée par une surface transparente.
    4. Masque selon la revendication, caractérisé par le fait que l'ouverture annulaire est constituée par une découpe, la partie centrale non transparente étant reliée à la partie externe non transparente du masque par au moins un bras.
CH1040872A 1972-07-12 1972-07-12 Masque, pour tracer des lignes de largeur constante par impression d'une couche photosensible notamment pour la fabrication de negatifs de circuits imprimes. CH555747A (fr)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0279224A1 (fr) * 1987-02-12 1988-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Procédé de photopolymérisation de matériaux durcisables sur l'influence de rayonnement UV

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0279224A1 (fr) * 1987-02-12 1988-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Procédé de photopolymérisation de matériaux durcisables sur l'influence de rayonnement UV

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