CS237003B1 - Controlled semiconductor logical circuit mis - Google Patents
Controlled semiconductor logical circuit mis Download PDFInfo
- Publication number
- CS237003B1 CS237003B1 CS821594A CS159482A CS237003B1 CS 237003 B1 CS237003 B1 CS 237003B1 CS 821594 A CS821594 A CS 821594A CS 159482 A CS159482 A CS 159482A CS 237003 B1 CS237003 B1 CS 237003B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- mis
- logic
- controlled
- load transistor
- parallel
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Vynález řeší zapojení řízeného logického polovodičového obvodu MIS, sestávajícího ze zatěžovacího tranzistoru MIS a diskrétních polovodičových součástek MIS podle čs. autorského osvědčení číslo 237 002, jehož podstata je v tom, že zatěžovací tranzistor MIS je uzemněn přes soustavu sériově zapojených diskrétních polovodičových součástek MIS, k jejímž jednotlivým řídicím elektrodám jsou připojeny jednotlivě vodiče příslušné vstupní proměnné, a společně paralelně vodič externího řídicího signálu. Řízený polovodičový logický obvod MIS lze použít v logických systémech s neparalelním průběhem logických operací NAND a OR nebo AND a NOR.The invention solves the connection of a controlled logic semiconductor circuit MIS, consisting of a load transistor MIS and discrete semiconductor components MIS according to the Czechoslovak author's certificate number 237 002, the essence of which is that the load transistor MIS is grounded via a system of serially connected discrete semiconductor components MIS, to whose individual control electrodes are connected individually the wires of the relevant input variable, and together in parallel the wire of the external control signal. The controlled semiconductor logic circuit MIS can be used in logic systems with non-parallel course of logical operations NAND and OR or AND and NOR.
Description
Vynález se týká řízeného polovodičového logického obvodu MIS, který v závislosti na externím řídicím signálu, mění svou funkční podstatu.The present invention relates to a controlled semiconductor logic circuit MIS which, depending on the external control signal, changes its functional nature.
Současné logické systémy MIS jsou založeny na invertoru MIS, jehož buzený tranzistor je nahrazen soustavou sériově nebo paralelně zapojených tranzistorů MIS, což odpovídá realizaci základních logických obvodů NAND a NOR. Ostatní logické obvody jsou tvořeny syntézou těchto základních logických obvodů, tzn., že jsou tvořeny určitým počtem zatěžovacích tranzistorů MIS, ke kterým jsou připojeny soustavy buzených tranzistorů MIS s jejich sériovým, paralelním nebo sériově-paralelním zapojením.Current MIS logic systems are based on an MIS inverter whose excited transistor is replaced by a series of MIS transistors connected in series or in parallel, which corresponds to the realization of the basic NAND and NOR logic circuits. The other logic circuits consist of a synthesis of these basic logic circuits, that is, they consist of a number of MIS load transistors to which the excited MIS transistors are connected with their serial, parallel or serial-parallel connections.
Výhodnější realizace logických systémů MIS, se dosáhne syntézou řízených polovodičových logických obvodů MIS, sestávajících se ze zatěžovacího tranzistoru MIS a diskrétních polovodičových součástek MIS podle čs. autorského osvědčení č. 237 002, jejichž podstata spočívá v tom, že zatěžovací tranzistor MIS je uzemněn přes soustavu sériově zapojených diskrétních polovodičových součástek MIS, k jejímž jednotlivým řídicím elektrodám jsou připojeny jednotlivě vodiče příslušných vstupních proměnných a společně paralelně vodič externího řídicího signálu.A more advantageous implementation of MIS logic systems is achieved by synthesis-controlled MIS semiconductor logic circuits, consisting of a load transistor MIS and discrete MIS semiconductor components according to Ms. No. 237 002, which is based on the fact that the load transistor MIS is grounded through a series of discrete MIS semiconductor devices connected to the individual control electrodes of which the wires of the respective input variables are connected in parallel and the external control signal wires in parallel.
Výhodou zapojení je, že použitím řízeného polovodičového logického obvodu MIS podle vynálezu, realizujícího v závislosti na externím signálu dvojici logických funkcí, se při neparalelním průběhu těchto dvou počtu realizovaných logických f unkcí na jednotku rozměru.The advantage of the wiring is that by using a controlled semiconductor logic circuit MIS according to the invention, which realizes a pair of logic functions depending on the external signal, these two numbers of realized logic functions per unit of dimension are realized in a parallel.
Na připojeném výkresu je znázorněno schematické zapojení řízeného polovodičového obvodu MIS podle vynálezu.The attached drawing shows a schematic connection of a MIS controlled semiconductor circuit according to the invention.
Řízený polovodičový logický obvod MIS se podle vynálezu sestává ze zatěžovacího tranzistoru 3 MIS a soustavy sériově zapo4 jených diskrétních polovodičových součástek 4 až n MIS. Na řídicí elektrody každé diskrétní polovodičové součástky 4 až n MIS je připojen vodič D externího řídicího signálu a vodič xi až xn příslušné vstupní proměnné. Každá diskrétní polovodičová součástka 4, až n MIS se, vzhledem ke svým vlastnostem nachází ve vodivém stavu pouze při vzájemné nonekvivalenci řídicího signálu a příslušné vstupní proměnné.The controlled semiconductor logic circuit MIS according to the invention consists of a MIS load transistor 3 and a series of discrete semiconductor devices 4 to n of the MIS. The control electrode of each discrete semiconductor component 4 to n of the MIS is connected to the external control signal conductor D and the xi to x n conductor of the respective input variable. Because of its properties, each discrete semiconductor device 4 to n of the MIS is in a conductive state only when the control signal and the respective input variable are not equivalents.
Pracovní činnost uvedeného řízeného polovodičového logického obvodu MIS jje vysvětlena na alternativě s vodivostí typu P a realizací záporné logiky.The operation of said controlled semiconductor logic circuit MIS is explained on an alternative with P-type conductivity and negative logic implementation.
Při nulové úrovni řídicího signálu ve vodiči D externího řídicího signálu se soustava diskrétních polovodičových součástek 4 až n MIS nachází ve vodivém stavu pouze při jednotkové úrovni všech vstupních proměnných ve vodiči xi až xn příslušné vstupní proměnné, čímž obvod realizuje logickou funkci NAND.At zero control signal level D in the external control signal, the discrete semiconductor device set 4 to n of the MIS is conductive only at the unit level of all input variables in wire xi to x n of the respective input variable, thereby implementing the NAND logic function.
Při jednotkové úrovni řídicího signálu se soustava diskrétních polovodičových součástek 4 až n MIS nachází ve vodivém stavu pouze při nulové úrovni všech vstupních proměnných, čímž obvod realizuje logickou funkci OR.At the unit level of the control signal, the array of discrete semiconductor devices 4 to n of the MIS is in a conductive state only at the zero level of all input variables, whereby the circuit performs a logic OR function.
Při realizaci kladné logiky, která se musí samozřejmě týkat i řídicího signálu, tzn., že nulovou úroveň řídicího signálu bude reprezentovat napětí —UGG, zatímco jeho jednotkovou úroveň napětí blízké potenciálu země, bude řízený polovodičový logický obvod MIS, při nulové úrovni řídicího signálu ve vodiči D externího řídicího signálu realizovat logickou funkci AND, zatímco při jeho jednotkové úrovni logickou funkci NOR.In the implementation of positive logic, which of course must also apply to the control signal, i.e. the zero level of the control signal will be represented by the -U GG voltage, while its unit voltage level near the ground potential will be controlled by the MIS semiconductor logic circuit in conductor D of the external control signal to execute the logic AND function, while at its unit level the logic function NOR.
Řízený polovodičový logický obvod MIS podle vynálezu lze používat v logických systémech s neparalelním průběhem logických operací NAND a OR, nebo AND a NOR.The controlled semiconductor logic circuit MIS according to the invention can be used in logical systems with non-parallel course of logical operations NAND and OR, or AND and NOR.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS821594A CS237003B1 (en) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | Controlled semiconductor logical circuit mis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS821594A CS237003B1 (en) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | Controlled semiconductor logical circuit mis |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS159482A1 CS159482A1 (en) | 1984-10-15 |
| CS237003B1 true CS237003B1 (en) | 1985-06-13 |
Family
ID=5350712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS821594A CS237003B1 (en) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | Controlled semiconductor logical circuit mis |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS237003B1 (en) |
-
1982
- 1982-03-09 CS CS821594A patent/CS237003B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS159482A1 (en) | 1984-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69326710D1 (en) | Semiconductor device with short circuit for a voltage stress test | |
| US3329835A (en) | Logic arrangement | |
| KR880011800A (en) | Semiconductor device with data output buffer circuit | |
| US4010385A (en) | Multiplexing circuitry for time sharing a common conductor | |
| US4862241A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| KR910003516A (en) | Data processing device | |
| US4069426A (en) | Complementary MOS logic circuit | |
| CS237003B1 (en) | Controlled semiconductor logical circuit mis | |
| CS237004B1 (en) | Controlled semiconductor logic circuit MIS | |
| US3358154A (en) | High speed, low dissipation logic gates | |
| US3050641A (en) | Logic circuit having speed enhancement coupling | |
| US2952792A (en) | Universal logic block | |
| US3073970A (en) | Resistor coupled transistor logic circuitry | |
| US3411019A (en) | Electronic converter and switching means therefor | |
| EP0153802B1 (en) | Logic circuits | |
| US3281607A (en) | Nand nor logic circuit for use in a binary comparator | |
| US3280316A (en) | High-speed tunnel diode adder | |
| US3418492A (en) | Logic gates | |
| US3445816A (en) | Arrangement for connection of at least two conductors | |
| ES424765A1 (en) | A SEMICONDUCTIVE PAD ARRANGEMENT MOUNTED IN A FLAT SUBSTRATE. | |
| JPH0793562B2 (en) | Output buffer circuit | |
| US3519845A (en) | Current mode exclusive-or invert circuit | |
| US3506844A (en) | Circuit device for contact-free integrated circuit control modules | |
| US3562548A (en) | Circuit arrangement with semiconductor elements | |
| CS237005B1 (en) | MIS semiconductor logic circuit |