CS237003B1 - Controlled semiconductor logical circuit mis - Google Patents

Controlled semiconductor logical circuit mis Download PDF

Info

Publication number
CS237003B1
CS237003B1 CS821594A CS159482A CS237003B1 CS 237003 B1 CS237003 B1 CS 237003B1 CS 821594 A CS821594 A CS 821594A CS 159482 A CS159482 A CS 159482A CS 237003 B1 CS237003 B1 CS 237003B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
mis
logic
controlled
load transistor
parallel
Prior art date
Application number
CS821594A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS159482A1 (en
Inventor
Martin Janda
Original Assignee
Martin Janda
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Martin Janda filed Critical Martin Janda
Priority to CS821594A priority Critical patent/CS237003B1/en
Publication of CS159482A1 publication Critical patent/CS159482A1/en
Publication of CS237003B1 publication Critical patent/CS237003B1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Vynález řeší zapojení řízeného logického polovodičového obvodu MIS, sestávajícího ze zatěžovacího tranzistoru MIS a diskrétních polovodičových součástek MIS podle čs. autorského osvědčení číslo 237 002, jehož podstata je v tom, že zatěžovací tranzistor MIS je uzemněn přes soustavu sériově zapojených diskrétních polovodičových součástek MIS, k jejímž jednotlivým řídicím elektrodám jsou připojeny jednotlivě vodiče příslušné vstupní proměnné, a společně paralelně vodič externího řídicího signálu. Řízený polovodičový logický obvod MIS lze použít v logických systémech s neparalelním průběhem logických operací NAND a OR nebo AND a NOR.The invention solves the connection of a controlled logic semiconductor circuit MIS, consisting of a load transistor MIS and discrete semiconductor components MIS according to the Czechoslovak author's certificate number 237 002, the essence of which is that the load transistor MIS is grounded via a system of serially connected discrete semiconductor components MIS, to whose individual control electrodes are connected individually the wires of the relevant input variable, and together in parallel the wire of the external control signal. The controlled semiconductor logic circuit MIS can be used in logic systems with non-parallel course of logical operations NAND and OR or AND and NOR.

Description

Vynález se týká řízeného polovodičového logického obvodu MIS, který v závislosti na externím řídicím signálu, mění svou funkční podstatu.The present invention relates to a controlled semiconductor logic circuit MIS which, depending on the external control signal, changes its functional nature.

Současné logické systémy MIS jsou založeny na invertoru MIS, jehož buzený tranzistor je nahrazen soustavou sériově nebo paralelně zapojených tranzistorů MIS, což odpovídá realizaci základních logických obvodů NAND a NOR. Ostatní logické obvody jsou tvořeny syntézou těchto základních logických obvodů, tzn., že jsou tvořeny určitým počtem zatěžovacích tranzistorů MIS, ke kterým jsou připojeny soustavy buzených tranzistorů MIS s jejich sériovým, paralelním nebo sériově-paralelním zapojením.Current MIS logic systems are based on an MIS inverter whose excited transistor is replaced by a series of MIS transistors connected in series or in parallel, which corresponds to the realization of the basic NAND and NOR logic circuits. The other logic circuits consist of a synthesis of these basic logic circuits, that is, they consist of a number of MIS load transistors to which the excited MIS transistors are connected with their serial, parallel or serial-parallel connections.

Výhodnější realizace logických systémů MIS, se dosáhne syntézou řízených polovodičových logických obvodů MIS, sestávajících se ze zatěžovacího tranzistoru MIS a diskrétních polovodičových součástek MIS podle čs. autorského osvědčení č. 237 002, jejichž podstata spočívá v tom, že zatěžovací tranzistor MIS je uzemněn přes soustavu sériově zapojených diskrétních polovodičových součástek MIS, k jejímž jednotlivým řídicím elektrodám jsou připojeny jednotlivě vodiče příslušných vstupních proměnných a společně paralelně vodič externího řídicího signálu.A more advantageous implementation of MIS logic systems is achieved by synthesis-controlled MIS semiconductor logic circuits, consisting of a load transistor MIS and discrete MIS semiconductor components according to Ms. No. 237 002, which is based on the fact that the load transistor MIS is grounded through a series of discrete MIS semiconductor devices connected to the individual control electrodes of which the wires of the respective input variables are connected in parallel and the external control signal wires in parallel.

Výhodou zapojení je, že použitím řízeného polovodičového logického obvodu MIS podle vynálezu, realizujícího v závislosti na externím signálu dvojici logických funkcí, se při neparalelním průběhu těchto dvou počtu realizovaných logických f unkcí na jednotku rozměru.The advantage of the wiring is that by using a controlled semiconductor logic circuit MIS according to the invention, which realizes a pair of logic functions depending on the external signal, these two numbers of realized logic functions per unit of dimension are realized in a parallel.

Na připojeném výkresu je znázorněno schematické zapojení řízeného polovodičového obvodu MIS podle vynálezu.The attached drawing shows a schematic connection of a MIS controlled semiconductor circuit according to the invention.

Řízený polovodičový logický obvod MIS se podle vynálezu sestává ze zatěžovacího tranzistoru 3 MIS a soustavy sériově zapo4 jených diskrétních polovodičových součástek 4 až n MIS. Na řídicí elektrody každé diskrétní polovodičové součástky 4 až n MIS je připojen vodič D externího řídicího signálu a vodič xi až xn příslušné vstupní proměnné. Každá diskrétní polovodičová součástka 4, až n MIS se, vzhledem ke svým vlastnostem nachází ve vodivém stavu pouze při vzájemné nonekvivalenci řídicího signálu a příslušné vstupní proměnné.The controlled semiconductor logic circuit MIS according to the invention consists of a MIS load transistor 3 and a series of discrete semiconductor devices 4 to n of the MIS. The control electrode of each discrete semiconductor component 4 to n of the MIS is connected to the external control signal conductor D and the xi to x n conductor of the respective input variable. Because of its properties, each discrete semiconductor device 4 to n of the MIS is in a conductive state only when the control signal and the respective input variable are not equivalents.

Pracovní činnost uvedeného řízeného polovodičového logického obvodu MIS jje vysvětlena na alternativě s vodivostí typu P a realizací záporné logiky.The operation of said controlled semiconductor logic circuit MIS is explained on an alternative with P-type conductivity and negative logic implementation.

Při nulové úrovni řídicího signálu ve vodiči D externího řídicího signálu se soustava diskrétních polovodičových součástek 4 až n MIS nachází ve vodivém stavu pouze při jednotkové úrovni všech vstupních proměnných ve vodiči xi až xn příslušné vstupní proměnné, čímž obvod realizuje logickou funkci NAND.At zero control signal level D in the external control signal, the discrete semiconductor device set 4 to n of the MIS is conductive only at the unit level of all input variables in wire xi to x n of the respective input variable, thereby implementing the NAND logic function.

Při jednotkové úrovni řídicího signálu se soustava diskrétních polovodičových součástek 4 až n MIS nachází ve vodivém stavu pouze při nulové úrovni všech vstupních proměnných, čímž obvod realizuje logickou funkci OR.At the unit level of the control signal, the array of discrete semiconductor devices 4 to n of the MIS is in a conductive state only at the zero level of all input variables, whereby the circuit performs a logic OR function.

Při realizaci kladné logiky, která se musí samozřejmě týkat i řídicího signálu, tzn., že nulovou úroveň řídicího signálu bude reprezentovat napětí —UGG, zatímco jeho jednotkovou úroveň napětí blízké potenciálu země, bude řízený polovodičový logický obvod MIS, při nulové úrovni řídicího signálu ve vodiči D externího řídicího signálu realizovat logickou funkci AND, zatímco při jeho jednotkové úrovni logickou funkci NOR.In the implementation of positive logic, which of course must also apply to the control signal, i.e. the zero level of the control signal will be represented by the -U GG voltage, while its unit voltage level near the ground potential will be controlled by the MIS semiconductor logic circuit in conductor D of the external control signal to execute the logic AND function, while at its unit level the logic function NOR.

Řízený polovodičový logický obvod MIS podle vynálezu lze používat v logických systémech s neparalelním průběhem logických operací NAND a OR, nebo AND a NOR.The controlled semiconductor logic circuit MIS according to the invention can be used in logical systems with non-parallel course of logical operations NAND and OR, or AND and NOR.

Claims (1)

Řízený polovodičový logický obvod MIS, sestávající se ze zatěžovacího tranzistoru MIS a diskrétních polovodičových součástek MIS podle čs. autorského osvědčení č. 237 002, vyznačující se tím, že zatěžovací tranzistor (3) MIS je uzemněn přes soustavu sériově zapojených diskrétních polovodičových součástek (4 až n] MIS, k jejímž jednotlivým řídicím elektrodám jsou připojeny jednotlivě vodiče (xi až xn) příslušné vstupní proměnné, a společně paralelně vodič (D ] externího řídicího signálu.Controlled semiconductor logic circuit MIS, consisting of load transistor MIS and discrete semiconductor components MIS according to MS. No. 237 002, characterized in that the load transistor (3) of the MIS is grounded through a series of discrete semiconductor devices (4 to n) of the MIS connected in series to the individual control electrodes of which the respective wires (xi to x n ) are connected individually input variables, and together in parallel the conductor (D) of the external control signal.
CS821594A 1982-03-09 1982-03-09 Controlled semiconductor logical circuit mis CS237003B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS821594A CS237003B1 (en) 1982-03-09 1982-03-09 Controlled semiconductor logical circuit mis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS821594A CS237003B1 (en) 1982-03-09 1982-03-09 Controlled semiconductor logical circuit mis

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS159482A1 CS159482A1 (en) 1984-10-15
CS237003B1 true CS237003B1 (en) 1985-06-13

Family

ID=5350712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS821594A CS237003B1 (en) 1982-03-09 1982-03-09 Controlled semiconductor logical circuit mis

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS237003B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS159482A1 (en) 1984-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69326710D1 (en) Semiconductor device with short circuit for a voltage stress test
US3329835A (en) Logic arrangement
KR880011800A (en) Semiconductor device with data output buffer circuit
US4010385A (en) Multiplexing circuitry for time sharing a common conductor
US4862241A (en) Semiconductor integrated circuit device
KR910003516A (en) Data processing device
US4069426A (en) Complementary MOS logic circuit
CS237003B1 (en) Controlled semiconductor logical circuit mis
CS237004B1 (en) Controlled semiconductor logic circuit MIS
US3358154A (en) High speed, low dissipation logic gates
US3050641A (en) Logic circuit having speed enhancement coupling
US2952792A (en) Universal logic block
US3073970A (en) Resistor coupled transistor logic circuitry
US3411019A (en) Electronic converter and switching means therefor
EP0153802B1 (en) Logic circuits
US3281607A (en) Nand nor logic circuit for use in a binary comparator
US3280316A (en) High-speed tunnel diode adder
US3418492A (en) Logic gates
US3445816A (en) Arrangement for connection of at least two conductors
ES424765A1 (en) A SEMICONDUCTIVE PAD ARRANGEMENT MOUNTED IN A FLAT SUBSTRATE.
JPH0793562B2 (en) Output buffer circuit
US3519845A (en) Current mode exclusive-or invert circuit
US3506844A (en) Circuit device for contact-free integrated circuit control modules
US3562548A (en) Circuit arrangement with semiconductor elements
CS237005B1 (en) MIS semiconductor logic circuit