CZ20001853A3 - Zařízení pro plazmatické procesy - Google Patents
Zařízení pro plazmatické procesy Download PDFInfo
- Publication number
- CZ20001853A3 CZ20001853A3 CZ20001853A CZ20001853A CZ20001853A3 CZ 20001853 A3 CZ20001853 A3 CZ 20001853A3 CZ 20001853 A CZ20001853 A CZ 20001853A CZ 20001853 A CZ20001853 A CZ 20001853A CZ 20001853 A3 CZ20001853 A3 CZ 20001853A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- permanent magnet
- plasma
- rotary
- magnetic field
- magnet systems
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 43
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 claims description 23
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 8
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 201000001779 Leukocyte adhesion deficiency Diseases 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 239000003058 plasma substitute Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
ZAŘÍZENÍ PRO PLAZMATICKÉ PROCESY
Oblast techniky
Vynález se týká zařízení pro plazmatické procesy s využitím otočných magnetu, zvláště pro procesy s obloukovým výbojem, pro depozice magnetronovým naprašováním, nebo leptací procesy.
Dosavadní stav techniky
Zdroje hustého plazmatu a zařízení pro nízkotlaké plazmatické procesy opracování povrchů využívají magnetická pole. Magnetické pole lze použít pro magnetické udržení elektronů a iontů v plazmatu. Vektor Lorentzovy síly F, který ovlivňuje pohyby nabitých částic je definován jako:
F = q (v x B), kde v je vektor rychlosti nabité částice (elektronu nebo iontu) s nábojem qej a B je vektor magnetické indukce. Lorentzova síla působí na elektrony a ionty, které mají nenulový vektorový součin (v x B), tj. mají složku rychlosti vnonn (cj) kolmou k vektoru B. Tyto elektrony a ionty (s hmotností m«j) jsou nuceny se otáčet kolem magnetických silokřÍYek s Larmorovým poloměrem definovaným jako rej = Vnonn (cj) mej / qej B.
Nejtypičtější hnací síla pro nabité částice je elektrické pole (vektor E). V tomto případě mají výsledné toky částic směr (drift) daný vektorovým součinem (E x B). Připomeňme, že Čím vyšší je rychlost částice (energie), která závisí na velikosti pole E, srážkách, atd, tím větší musí být magnetická indukce B, aby Lannorův poloměr zůstal stejný. Čím je vyšší indukce B, tím menší je Lannorův poloměr Částic. Tyto vztahy jsou velmi důležité, protože magnetické udržení může být účinné pouze v případech, kdy rozměry komory reaktoru jsou větší než Larmorovy poloměry částic. Jinak částice rekombinují na stěnách reaktoru. V silných magnetických polích jsou Larmorovy poloměry malé a plazma může být udrženo v malých objemech. Díky sníženým rekombinačním ztrátám vede magnetické udržení k hustšímu plazmatu ve srovnání s případy bez magnetických zařízení. Při nízkých tlacích plynu, kdy jsou srážky mezi částicemi méně časté, jsou volné dráhy částic obvykle delší než rozměry komor reaktorů. Částice mohou získat vysokou energii od generujících polí a stěnová rekombinační rychlost může převýšit rychlost ionizace. Takové plazma nemůže existovat bez přídavného magnetického udržení.
ionizace, taxové piazma nemůže existovat ucz pnuavneuu ntagncuuA.cnu uuuciu.
» · · · · · · · · · » ··· · · * » · · · ♦ * • » · · · · * · · ·«· «· »· ··· ·· 99
Magnetické pole může být použito také jak aktivní složka při různých mechanismech generace plazmatu. Například při elektronové a iontové cyklotronní rezonanci (ECR, ICR), kde magnetická indukce B souvisí jak s frekvencí generátoru, tak s hmotností elektronu či iontu;
B = omej/ qci.
Jinými příklady jsou hybridní rezonance, ohřev plazmatu za pomocí Landauovského útlumu, apod. Při optimální hodnotě magnetické indukce a při optimálním tvaru magnetického toku muže být rezonanční generace hustého plazmatu kombinována S jeho udržením v definovaném objemu.
Různé obměny magnetických udržení (plazmatických pastí) pro radiofrekvenční (RF) doutnavé výboje za použití statických magnetických polí generovaných elektromagnetickými cívkami byly patentovány A.S. Penfoldem a J.A. Thortonem (U.S. Patent č, 4,116,794 z 26-09-1978). Patent představuje různá uspořádání magnetických cívek optimalizovaná pro různé geometrie RF elektrod. Účelem této optimalizace je maximalizovat udržení výboje a jeho setrvání do nízkých tlaků plynu ve výbojové komoře. Všechna nárokovaná uspořádání cívek jsou statická jak v čase, tak v prostoru.
Je také možno pohybovat” magnetickým polem v prostoru, buď pomocí pohybu samotné cívky, nebo postupným zapojováním proudu do cívek tvořících jistou řadu. Magnetické pole s pohybující se cívkou bylo například použito v mikrovlnných ECR výbojích (R. Hytry et al, J.Vac.Sci.Technol., 1993). Periodické přemisťování pole ve statickém systému elektromagnetů pomocí postupného přesouvání proudu z generátoru do jednotlivých cívek bylo využito v induktivním RF výboji M. Muratou et al (Vacuum 1997). Tyto pohyby magnetického pole jsou založeny na prostorovém přesunu magnetických prostředků, beze změny tvaru magnetických silokrívek a geometrie pole.
Obecně není návrh vhodného tvaru magnetického pole pomocí elektromagnetických cívek možný v případech, kdy je požadována velká magnetická indukce y malých objemech, nebo na omezených plochách. S ohledem na tyto problémy byl “průlomem” rok 1984, kdy byly objeveny silné permanentní magnety založené na ternániích intermetalických sloučeninách, například Nd-Fe-B (viz kniha Ferromagnctic materials, E.P. Wohlfarth and K.HJ. Buschow, North-HoIIand 1988, Kapitola I, obr.í, str. 4 a 5). Tento typ magnetů může poskytnout velmi silné magnetické pole (více než 0.1 T na povrchu magnetu). Ve většině praktických případů tyto magnety plně nahrazují elektromagnetické cívky a umožňují použití magnetických polí s dobře definovanými tvary ve vybraném prostoru. Nejdůležitější je možnost vytvoření intenzivních lokálních megnetických polí s příslašným tvarem megnetických silokřivek, což není prakticky možné pomocí cívek.
• · t · ♦ ·· · · · · • ··* «· · · « · * * · • · · * ····· «·« ·· · ··· ·· ··
Lokální magnetické pole bylo použito v zařízení pro generaci lineárního obloukového výboje pro plazmatické procesy (LAD) L. Bárdošem a H- Baránkovon (Švédský patent, publikační Č. SE 503 141, listopad 1994), zvláště pro opracování povrchů pevných substrátů. V tomto zařízení je pár proti sobě umístěných elektrodových desek zapojený na společný pól generátoru a umístěný v magnetickém poli vytvořeném magnety, pro vytvoření lineárních horkých oblastí na elektrodových deskách, kde se generuje obloukový výboj. Elektrodové desky tvoří planparalelní dutou katodu, zápornou vzhledem k okolnímu plazmatu, které představuje virtuální anodu. Horké oblasti se vytvoří v důsledku iontového bombardování povrchu desek ve výboji duté katody mezi těmito deskami. Magnetické pole kolmé k deskám katody v tomto zařízení zesiluje výboj duté katody ve Štěrbině mezi deskami. Poloha magnetů může být nastavena vzhledem k elektrodovým deskám pomocí nastavovače a rozložení magnetického pole je nastaveno magnety a pomocnými magnety. Magnetické pole použité ve zdroji LAD je tedy stacionární jak v prostoru, tak v čase. Pro vybrané hodnoty průtokové rychlosti plynu, tlaku plynu, atd, může být magnetické pole nastaveno a optimalizováno pro rovnoměrné rozložení výsledné hustoty plazmatu podél štěrbiny. Avšak vlivem nenulové síly vxB v mnoha praktických aplikacích mají ionty tendenci se koncentrovat více k některé straně dutokatodoYé štěrbiny. Časově závislé změny parametrů výboje během provozu LAD zdroje mohou způsobit změny jak rychlostí částic, tak rozložení elektrických polí ve výboji. Toto může způsobit nerovnoměrnou erozi katodového materiálu při obloukovém rozprašování a/nebo odpařování, a v důsledku toho i nerovnoměrnou rychlost procesu na substrátech.
Jiným příkladem použití silných permanentních magnetů je dobře známé magnetronové rozprašovací/ieptací zařízení. Principy a parametry různých magnetronových systémů pro leptání rozprašováním / depoziční procesy jsou popsány v mnoha pracech. Bez ohledu na jejich již skoro “klasický” koncept a komerční dostupnost již od roku 1976, jsou magnetrony stále podrobovány konstrukčním změnám. Důvody jsou buď nedostatečná hustota plazmatu na substrátu pro některé aplikace, nebo neefektivní a nerovnoměrné využití magnetronového terče, doprovázené malou erozní zónou na terči během rozprašování. První z uvedených problémů může být Částečně řešen “znerovnovážněním” (otevřením) magnetických silokřivek umožňujícím expanzi plazmatu k substrátu (B. Window a N. Savvides, 1986), nebo dodatečným ionizačním zařízením, například dutou katodou (JJ. Cuomo et al, U.S. Patent no. 4,588,490 přihlášen 22-05-1985), alternativně pomocnou RF cívkou (S.M. Rossnagel a J. Hopwood, Appl. Phys. Lett., 1993). Druhý uvedený problém lze redukovat v magnetroneeh s rotačním válcovým terčem ”C-Mag (M. Wright et al, J. Vac. Sci. Technot, 1986; A. Belkind et al., Thin Solid Films 1991) a v magnetroneeh s dutým terčem (viz U.S. Patent No. 5,073,245, V.L. Hedgcoth, 1991). Pohyb terče vzhledem k magnetickémi poli může být nahrazen posouváním magnetického pole pod terčem. Toto je popsáno v přihlášce Evropského patentu EP-B1-0 603 magnetického pole pod terčem. Toto je popsáno v přihlášce Evropského patentu EP-Bi-0 603
587 (Balzers AG, 1992), kde systém permanentních magnetů tvořící tunelový tvar magnetického pole je přesouván do stran pod terčem. Magnetické póly mohou být navíc pivotovány a synchronizovány se stranovým pohybem tak, aby se prodloužil stranový posun tunelového pole a tím se zvětšila eroze terče. Jiné řešení je založeno na nových tvarech magnetických polí s využitím permanentních magnetů, jak uvádí U.S. Patent No. 5,262,028 od Sierra Applied Sciences, lne. Přehled různých uspořádání magnetických polí ve všech známých magnetronech byl publikován například J. Musilem et al (Vacuum, 1995) nebo R. Kuklou (Surf. Coat. TechnoL, 1997). Ve všech magnetronech se využívá buď stacionární magnetické pole (uzavřené nebo nerovnovážné), nebo se pole během procesu pohybuje vzhledem k terči (např. C-Mag), ale bez podstatné změny svého tvaru. Rozprašovací režimy jsou proto “předurčeny.
Podstata vynálezu
Předmětem tohoto vynálezu je zcela nebo do značné míry odstranit nedostatky ve shora uvedeném stavu techniky, a to pomocí zařízení s otočnými magnety pro dosažení laditelného časově proměnného magnetického pole.
Podle prvního význaku tohoto vynálezu sestává zařízení pro plazmatické procesy, vybavené prostředky pro generaci plazmatického výboje a prostředky pro udržení tohoto plazmatického výboje v magnetickém poli, z nejméně jednoho páru prvního otočného systému permanentních magnetů a druhého otočného systému permanentních magnetů, složených z jednotlivých permanentních magnetů a tyto systémy permanentních magnetů jsou umístěny proti sobě, přičemž jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10'1 Tesla, z řídícího systému který je určen k řízení pohybu permanentních magnetů v otočném systému permanentních magnetů, ze základního zařízení pro plazmatické procesy, které je použito v kombinaci s tímto otočným systémem permanentních magnetů, pro vytvoření časově proměnných magnetických silokřivek a pro ovlivňování plazmatu vytvořeného tímto základním zařízením pro plazmatické procesy, z kontrolního systému, který se skládá ze systému čidel a systému zpětné vazby, je spojený s uvedeným řídícím systémem a je určený k řízení pohybu permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů s ohledem na změny ve zmíněném plazmatu.
Podle druhého význaku tohoto vynálezu sestává zařízení pro plazmatické procesy, vybavené prostředky pro generaci plazmatického výboje a prostředky pro udržení tohoto plazmatického
PtOStreUKy pro generaci piazniuuvuciiu YJUUJC a plUSUtUr,.)' pit? uuiz.oin ιυηυιυ picu.uiaitun.i>uu « 9 9 9 999 9 9 9 9
999 99 9 9·· 9* 9
9 99 9 9999 *99 99 99 999 99 99 výboje v magnetickém poli, z nejméně jednoho páru prvního otočného systému permanentních magnetů a druhého otočného systému permanentních magnetů, složených z jednotlivých permanentních magnetů, tyto systémy permanentních magnetů jsou umístěny proti sobě, přičemž jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10'1 Tesla, z řídícího systému, který je určen k řízení pohybu těchto permanentních magnetů v otočném systému permanentních magDetů, ze základního zařízení pro plazmatické procesy, sestávajícího ze zdroje lineárního obloukového Yýboje s nejméně jedním párem desek duté katody a umístěného v magnetickém poli, ve kterém jsou stacionární magnetické silokrivky bud' nahrazeny nebo ovlivněny časově proměnnými magnetickými silokřivkami vytvořenými pomocí zmíněných otočných systémů permanentních magnetů pro generaci časově proměnného plazmatu duté katody, z kontrolního systému, který se skládá ze systému čidel a systému zpětné va2by, je spojený s uvedeným řídícím systémem a je určený k řízení pohybu permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů s ohledem na změny ve zmíněném časově závislém plazmatu duté katody.
Podle třetího význaku tohoto vynálezu sestává základní zařízení pro plazmatické procesy z magnetronového zdroje se stacionárním systémem magnetů, ve kterém jsou otočné systémy permanentních magnetů určeny k vytvoření časově proměnných magnetických silofcnvek, které procházejí terčem magnetronu pro generaci časově závislého magnetronového plazmatu.
Podle Čtvrtého význaku tohoto vynálezu sestává základní zařízení pro plazmatické procesy z magnetronového zdroje s otáčivým magnetronovým terčem, ve kterém jsou otočné systémy permanentních magnetů instalovány na držáku spolu se stacionárním systémem magnetů.
Podle pátého výzDaku tohoto vynálezu sestává základní zařízení pro plazmatické procesy z aktivního plazmatu v reaktoru, kde otočné systémy permanentních magnetů jsou umístěny vně a/nebo uvnitř tohoto reaktoru k vytvoření časově proměnných magnetických silokřivek, pro generování časově závislých oblastí hustého plazmatu.
Podle šestého význaku tohoto vynálezu jsou otočné systémy permanentních magnetů sestaveny z individuálních permanentních magnetů s rozdílnými magnetickými indukcemi a/nebo rozdílnými směiy magnetických silokřivek.
« * « · · ··· · · · · ····· * · « · · · · • « · · ····· ··· ·· »· ··· ·· ··
Podle sedmého význaku tohoto vynálezu řídící systém pro řízení pohybu permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů umožňuje řízení těchto otočných systémů permanentních magnetů v krokovém pohybu, nebo ve vibračním operačním módu kolem vybraných poloh.
Popis obrázků na výkresech
Předměty, vlastnosti a výhody tohoto shora uvedeného vynálezu se stanou zjevnými z jeho popisu ve spojení s připojenými obrázky, kde:
OBR. 1 je schematický obrázek prvního ztělesnění tohoto vynálezu, ukazující příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety, pro procesy v lineárním obloukovém výboji (LAD) v časově závislém plazmatu duté katody;
OBR. 2 je schematický obrázek druhého ztělesnění tohoto vynálezu, ukazující jiný příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety, ve spojení s magnetronóvým zařízením, pro generaci časově závislého magnetronového plazmatu;
OBR. 3 je schematický obrázek třetího ztělesnění tohoto vynálezu, ukazující další příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety, které jsou instalovány v magnetronovém zařízení s otáčivým terčem, pro generaci časově závislého magnetronového plazmatu;
OBR. 4 je schematický obrázek čtvrtého ztělesnění tohoto vynálezu, ukazující jiný další příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety v reaktoru s aktivním plazmatem pro generaci časově závislých oblastí hustého plazmatu;
OBR. 5 ukazuje příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle prvního ztělesnění tohoto vynálezu pro postupné 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0 do 315°, vliv na rozložení magnetických silokřivek, vliv na rozložení plazmatu a na rozložení horkých oblastí na elektrodových deskách v plazmatu duté katody, generovaném zařízením podle OBR. 1;
• *·· • · · • ·«· »· · ··« t · · • · · · *·*·« ··· ·· ·· ··· ·♦ ··
OBR. 6 ukazuje příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle prvního ztělesnění tohoto vynálezu pro postupně 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0’ do 315’, vliv Da rozložení magnetických silokřivek a magnetických silokřivek vytvořených stacionárním magnetickým systémem, a vliv na rozložení plazmatu;
OBR. 7 ukazuje příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle druhého ztělesnění tohoto vynálezu pro postupné 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0’ do 315° s ohledem na stacionární systém magnetů v magnetronovém zařízení, vliv na rozložení magnetických silokřivek a na rozložení magnetronového plazmatu v zařízení podle OBR. 2;
OBR. 8 ukazuje příklad zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle druhého ztělesnění tohoto vynálezu pro postupné 45’ změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0° do 315’ 5 ohledem na stacionární systém magnetů v magnetronovém zařízení, vliv na rozložení magnetických silokřivek a na rozložení plazmatu v zařízení podle OBR. 2;
OBR. 9 je jiný příklad, který ukazuje zjednodušený pohled na otočné systémy permanentních magnetů v zařízení pro plazmatické procesy podle tohoto J vynálezu a uspořádání jednotlivých permanentních magnetů.
Detailní půdís
Podle OBR. 1 bude popsáno první ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle tohoto vynálezu. Nejméně jeden pár prvního otočnéhj systému permanentních magnetů 1 a druhého otočného systému permanentních magnetů 2 obsahujících jednotlivé permanentní magnety 2 je umístěn proti sobě. Aby se zajistil dostatečný magnetický tok v prostoru mezi otočnými systémy permanentních magnetů, jednotlivé permanentní magnety by měly mít maximální magnetickou indukci vyšší než 10'1 Tesla (1000 Gauss). Silné permanentní magnety NdFeB, které vykazují na svém povrchu indukci kolem 0.5 Tesla, nebo dokonce víc, jsou vhodné pro tento účel. Otočné systémy permanentních magnetů jsou poháněny řídícím systémem 4, který například uděluje rotaci otočným systémům permanentních magnetů ve směru proti sobě. Otočné systémy permanentních magnetů jsou použity v kombinaci se základním zařízením pro plazmatické procesy 1, například se zařízením pro lineární obloukový základním zařízením pro plazmatické procesy 5, například se zařízením pro lineární obloukový ftftft · ft ftftft ft ft · ft • ·♦· · · ft ·«« ftft ft • ftftft ····· ft· ftft ftft ftftft ft· ft* výboj (LAD), představeným v OBR. 1, jako první ztělesnění tohoto vynálezu. Pohyby otočných systémů permanentních magnetů způsobují, že jak rozložení magnetického toku, tak hodnota magnetické indukce v prostoru mezi otočnými systémy permanentních magnetu se mění v čase.
Časově proměnné magnetické silokňvky 6 ovlivňují plazma 7, vytvořené základním zařízením pro plazmatické procesy, V případě zařízení LAD se statické permanentní magnety vytvářející magnetické pole napříč deskami duté katody 8, mohou výhodně nahradit otočnými systémy permanentních magnetů. V tomto případě je vývoj lineárních horkých oblastí na elektrodových deskách zařízení LAD závislý na změnách magnetických sílokřívek 6 a genemje se tak časově závislé plazma duté katody IQ. Navíc jsou magnetické silokřivky 9, generované pomocí stacionárního systému magnetů J4, rovněž ovlivněny otočnými systémy permanentních magnetů. Tento vliv způsobuje časově závislé změny plazmatu generovaného zařízením. V nejjednoduSSím případě, rovnoměrné otáčení otočných systémů permanentních magnetů způsobuje symetrizaci hustoty plazmatu duté katody podél katodové Štěrbiny, nezávisle na změnách experimentálních parametrů, například průtoku plynu, tlaku plynu, výkonu, atd.
Frekvence otáčení otočných permanentních magnetů představuje nový parametr pro řízení procesu, který neexistuje v zařízeních LAD se statickým polem. Otočné systémy permanentních magnetů mohou být řízeny rovněž v krokovém pohybu, nebo ve vibračním operačním módu kolem vybraných poloh. Tyto pohyby mohou být s výhodou použity pro automatické řízení parametrů, například parametrů plazmatu, pri použití kontrolního systému H> který se skládá ze systému čidel J2 pro detekci vybraných parametrů a systému zpětné va2by 13 pro ovládání řídícího systému 4. Taková uzavřená smyčka ovládačů reaguje na změny parametru plazmatu a pres řídící systém změní polohu otočných permanentních magnetů tak, aby se parametry vrátily na předvolené hodnoty.
Podle OBR. 2 bude popsáno druhé ztělesnění zařízení, pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle tohoto vynálezu, ve schématickém pohledu. Pár prvního otočného systému permanentních magnetů 1 a druhého otočného systému permanentních magnetů 2 obsahujících jednotlivé permanentní magnety 3 je umístěn proti sobě. Jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšSí než 10'1 Tesla (1000 Gauss). Otočné systémy permanentních magnetů jsou poháněny řídícím systémem 4, který například provádí rotaci otočných systémů permanentních magnetů proti sobě. Otočné systémy permanentních, magnetů jsou použity v kombinaci se základním zařízením pro plazmatické procesy 5, které, ve druhém ztělesnění tohoto vynálezu, představuje magnetronové zařízení se stacionárním systémem magnetů 14. Pohyby otočných systémů permanentních magnetů mění magnetické pole stacionárního systému magnetů a dělá jak rozložení magnetického toku, tak i hodnotu stacionárního systému magnetů a dělá jak rozložení magnetického toku, tak i hodnotu i
• · · 4 4 444 · 4 4 · • «·9 4 * 4 444 4« 4
4 44 · 4 · 4 ·
444 44 4* 4·4 »4 44 magnetické, indukce na povrchu ínagnetronového terce l£j, časově závislými. Časově proměnné magnetické silokřivky 6 způsobují časově závislé magnetronové plazma 12, jak v jeho tvaru, tak parametrech. Tato časová závislost vede k časově závislé erozi terče v erozní zóně 18. Erozní zóna se může zvětšit a navíc, maguetron se může periodicky Stát otevřený a kompenzovaný, v závislosti na poloze otočných systémů permanentních magnetů ve stacionárním systému magnetů v magnetronu. Ovládání paramtetrů plazmatu a/nebo eroze terče je umožněno kontrolním systémem 11 skládajícím se ze systému čidel 12 a systému zpětné vazby 13. ve spojení s řídícím systémem.
Podle OBR. 3 bude popsáno třetí ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle tohoto vynálezu, ve schématickém pohledu. Pár prvního otočného systému permanentních magnetu i a druhého otočného systému permanentních magnetů 2, umístěných proti sobě, je použit v kombinaci se základním zařízením pro plazmatické procesy 5, které je ve třetím ztělesnění tohoto vynálezu magnetron s otáčivým terčem 12. Otočné systémy permanentních magnetů jsou instalovány na držáku 2Ω, spolu se stacionárním systémem magnetů 14. Otočné systémy permanentních magnetů ovlivňují magnetické pole stacionárního systému magnetů a způsobují časovou závislost jak v rozložení magnetického toku, tak v hodnotě magnetické indukce na otáčivém terči magnetronu. V případech, kdy se má použít jednoduchá rotace otočných systémů permanentních magnetů, je též možné vynechat řídící systém a rotovat systémem permanentních magnetů pomocí samotného otáčivého terče magnetronu. Otočné systémy permanentních magnetů dovolují provoz magnetronu jak v otevřeném, tak v kompenzovaném režimu, simultánně se změnou jejích polohy vzhledem k terči. Toto je unikátní vlastnost, která není možná v konvenčních magnetronech.
Podle OBR. 4 bude popsáno čtvrté ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle tohoto vynálezu. Několik párů prvního otočného systému permanentních magnetů 1 a druhého otočného systému permanentních magnetů 2, umístěných proti sobě, je použito v základním zařízení pro plazmatické procesy i které, ve čtvrtém ztělesnění tohoto vynálezu představuje aktivní plazma 21 v reaktoru 22. Páry otočných systémů permanentních magnetů mohou být umístěny vně a/nebo uvnitř reaktoru. Pohyby otočných systémů permanentních magnetů, například jejich jednoduchá rotace ukázána v OBR. 4, způsobují periodické změny v udržení plazmatu, což vede k vytvoření časově závislých oblastí hustého plazmatu 23. Časově závislé změny hustoty plazmatu, například pulzování, mohou být korelovány s jinými parametry, například s pulzním napouštěním plynných reaktantů, s pnlzní &UKCAU Vduy H JliljMlLL ptuanicu y t uapii&jau a j/iviiaiAKi, iiu^vujvvuuri jsijwxijvi' * · » ’ - ---·· · ♦ * · * · · ·· · • ··· « · · · · · · · · • · · * · * · * · ·»» «· ·· · ·· ·· generací plazmatu, atd. Tento druh režimu při opracováni plazmatem muže byt velmi důležitý v mnoha aplikacích, například když se vyžaduje časoví proměnná interakce plazmatu s povrchy substrátů pro přerušované depozice, nízkoteplotní opracování, atp.
Příklady
Podle OBR. 5 bude popsán první příklad, vztahující se k prvnímu ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy dle OBR. 1. Schematický obrázek ukazuje pohled v řezu na otočné systémy permanentních magnetů 1 a 2 v různých úhlových polohách vzhledem k dutokatodovým deskám H, v tomto případě pro postupné 45° změny od O“ do 315°, a odpovídající boční pohled na elektrodovou desku £. Časově proměnná úhlová poloha otočných systémů permanentních magnetů způsobuje časově proměnné tvary magnetických silokřivek £ mezi otočnými systémy permanentních magnetů a v důsledku toho i časově závislý tvar dutokatodového výboje IHZměny ve výboji duté katody mají za následek změny v parametrech horkých oblastí 15 na katodových deskách £, ve kterých je zvýšený iontový bombard, terraionická a sekundární emise elektronů, a také zvýšená eroze materiálu katodové desky. Pohyb otočných systémů permanentních magnetů, například jednoduchá rotace, výhodně vyrovnává rozložení teploty podél horkých oblastí a v důsledku toho i výslednou rovnoměrnost plazmatických procesů podél duté katody.
Podle OBR. 6 bude popsán druhý příklad, vztahující se k prvnímu ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy dle OBR. 1. Schematický obrázek ukazuje pohled v řezu na otočné systémy permanentních magnetů 1 a 2 v různých úhlových polohách vzhledem k dutokatodovým deskám 8, v tomto případě pro postupné 45’ změny od 0° do 315°, a vzhledem ke stacionárnímu systému magnetů 14. Časově proměnná úhlová poloha otočných systémů permanentních magnetů způsobuje časově proměnné tvary magnetických silokřivek £j mezi otočnými systémy permanentních magnetů, což ovlivňuje též stacionární magnetické silokřivky 2· Důsledkem jsou časově závislé tvary jak dutokatodového výboje 10, tak i plazmatu 7 produkovaného tímto zařízením.
Podle OBR. 7 bude popsán třetí příklad, vztahující se ke druhému ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy dle OBR. 2, Schematický obrázek ukazuje pohled v řezu na otočné systémy permanentních magnetů 1 a 2, instalované v kombinaci s magnetronovým zařízením, v různých úhlových polohách, v tomto případě ρτο postupné 45“ změny od 0° do 315® vzhledem ke úhlových polohách, v tomto případě pro postupné 45“ změny od 0° do 315° vzhledem ke «··« φ - - ---• * · * · ··· · · 9 • «*·»· · · · » 9» · • β » · · · · · • «Β ·· ·· ·«« «9 ·· stacionárnímu systému magnetu 14 a k magnetronovemu terci J6. Časově proměnné úhlové polohy otočných systémů permanentních magnetů způsobují časově proměnné tvary magnetických silokřivek é které procházejí terčem magnetronu 1£. Toto má za následek časově závislý tvar magnetronového výboje 17. V tomto příkladě jsou otočné systémy permanentních magnetů instalovány v magnetronu s kompenzovaným uspořádáním pole a způsobují otevření části stacionárního magnetického pole. Pohyb otočných systémů permanentních magnetů, například jednoduchá rotace, vytváří časově závislé přechody mezi kompenzovanými a otevřenými Částmi pole. V důsledku toho se může erozní zóna magnetronu roztáhnout a otevřená i kompenzovaná oblast magnetronového výboje se periodicky pohybují přes terčPodle OBR. 8 bude popsán čtvrtý příklad, vztahující se ke druhému ztělesnění zařízení pro plazmatické procesy dle OBR, 2. Schematický obrázek ukazuje pohled v řezu na otočné systémy permanentních magnetů 1 a 2, instalované v kombinaci s magnetronovým diodovým zařízením, v různých úhlových polohách, v tomto případě pro postupné 45° změny od 0° do 315° vzhledem ke stacionárnímu systému magnetů 14 a k magnetronovému terči 1£. Časově proměnné úhlové polohy otočných systémů permanentních magnetů způsobují Časově proměnné tvary magnetických silokřivek 6 které procházejí terčem magnetronu 16. Toto má za následek časově závislý tvar magnetronového výboje 12.v tomto příkladě jsou otočné systémy permanentních magnetů instalovány v magnetronu s otevřeným uspořádáním pole a způsobují kompenzování části stacionárního magnetického pole. Pohyb otočných systémů permanentních magnetů, například jednoduchá rotace, vytváří časově závislé přechody mezi uzavřenými a otevřenými Částmi pole. V důsledku toho se může erozní zóna magnetronu roztáhnout a otevřená i kompenzovaná oblast magnetronového výboje se periodicky pohybují přes terč.
Nakonec, podle OBR. 9 bude popsán pátý příklad, vztahující se ke všem ztělesněním zařízení pro plazmatické procesy podle tohoto vynálezu. Obrázek ukazuje příklad otočných systémů permanentních magnetů 1 a 2, které mají jednotlivé permanentní magnety 3 instalovány podél rotačních os 24 a 25 příslušných otočných systémů permanentních magnetů 1 a 2- Jednotlivé magnety mají určitý úhel vzhledem k oběma sousedním magnetům, například 22,5°. Toto speciální uspořádání jednotlivých magnetů vede k osové závislosti tvarů časově proměnných magnetických silokřivek £. Tento druh uspořádám magnetů muže být výhodně využit pro řízení výbojů v zařízeních pro plazmatické procesy. Způsobuje to komplexnější tvary Časově závislých výbojů, které se mohou například pohybovat periodicky podél výstupu duté katody, nebo podél i napříč terče magnetronu, atp.
φ φφφ ·· φ * · φ · φ φ φ φ φ φφ
Zařízení pro plazmatické procesy s otočnými magnety podle tohoto vynálezu má mnoho možných použití v plazmové technologii. Otočné systémy permanentních magnetu umožňují nahradit “rigidní” koncepce výbojů pro plazmatické opracování časově a prostorově řízenými aktivními médii. Charakter těchto médií připomíná pulzní typ procesů, ale umožňuje lepší stabilitu i ovládání na základě časově řízených změn. Zlepší se také rovnoměrnost plazmatických procesů. Na rozdíl od “perfektní uspořádanosti”, obvykle vyžadované od plazmatu pro výbojové opracování, může být využita přirozenější “neuspořádanost” a řízena specielními uspořádáními otočných systémů permanentních magnetů. Taková uspořádání mohou být založena například na planetovém typu pohybu otočných systémů permanentních magnetů, na rozdílných magnetických indukcích jednotlivých permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů, nebo na simultánních pohybech všech magnetů v zařízení, atp. Otočné systémy permanentních magnetů mohou být využity v nových typech plazmatických zdrojů, kde se vyžaduje časové nebo prostorové řízení výboje.
Claims (6)
1. Zařízení pro plazmatické procesy, sestávající z prostředků pro generaci píazmatického yýboje a prostředku pro udržení tohoto píazmatického výboje v magnetickém poli, vy znaí e né tím,že:
nejméně jeden pár prvního otočného systému permanentních magnetů (1) a druhého otočného systému permanentních magnetů (2) obsahuje jednotlivé permanentní magnety (3) a tyto systémy permanentních magnetů jsou umístěny proti sobé;
řečené jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10'1 Tesla;
řídíc! systém (4) je určen k řízení pohybu řečených permanentních magnetů v řečeném otočném systému permanentních magnetů;
základní zařízení pro plazmatické procesy (5) je použito v kombinaci s řečeným otočným systémem permanentních magnetů pro vytvoření časově proměnných magnetických silokrivek (6) a pro ovlivňování plazmatu (7) vytvořeného řečeným základním zařízením pro plazmatické procesy;
kontrolní systém (II) skládající se ze systému čidel (12) a systému zpětné vazby (13) je spojený s řečeným řídícím systémem a je určený k řízení pohybu řečených permanentních magnetů v řečených otočných systémech permanentních magnetů, s ohledem na změny v řečeném plazmatu.
2. Zařízení pro plazmatické procesy, sestávající z prostředků pro generaci píazmatického výboje a prostředků pro udržení tohoto píazmatického výboje v magnetickém poli, zvláště pro procesy v obloukovémplazmatickém výboji,vyznačené tím,že:
nejméně jeden pár prvního otočného systému permanentních magnetů (1) a druhého otočného systému permanentních magnetu (2) obsahuje jednotlivé permanentní magnety (3) a tyto systémy permanentních magnetů jsou umístěny oproti sobě;
řečené jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10'1 Tesla;
řídící systém (4) je určen k řízení pohybu řečených permanentních magnetů v řečeném otočném systému permanentních magnetů;
základní zařízení pro plazmatické procesy (5), sestávající ze zdroje lineárního obloukového výboje s nejméně jedním párem desek duté katody (8), je umístěno v magnetickém poli, ve kterém jsou stacionární magnetické silokřivky (9) buď nahrazeny nebo ovlivněny časově proměnnými magnetickými silokřivkami (6) vytvořenými pomocí řečených otočných systémů permanentních magnetů pro generaci časově proměnného plazmatu duté katody (10);
kontrolní systém (11) skládající se ze systému čidel (12) a systému zpětné vazby (13) je spojený s řečeným řídícím systémem a je určený k řízení pohybu řečených permanentních spojený s řečeným řídícím systémem a je určený k řízeni pohybu fecenycn permanentnicn * · « » · «·· » * · * v · · · ··« · · * · · * » » » » ··· ·« 99 999 99 99 magnetů v řečených otočných systémech permanentních magnetů, s ohledem na změny v řečeném plazmatu duté katody.
3. Zařízení pro plazmatické procesy podle nároku 1,vyznačené tím. Že řečené základní zařízení pro plazmatické procesy (5) sestává z magnetronového zdroje se stacionárním systémem magnetů (14), ve kterém řečené otočné systémy permanentních magnetů jsou určeny k vytvoření řečených časové proměnných magnetických silokřivek, které procházejí terčem magnetronu (16) pro generaci časově závislého magnetronového plazmatu (17).
4. Zařízení pro plazmatické procesy podle nároků 1 nebo 3,vyznačené tím, že řečené základní zařízení pro plazmatické procesy (5) sestává z magnetronového zdroje s otáčivým magnetronovým terčem (19), ve kterém řečené otočné systémy permanentních magnetů jsou instalovány na držáku (20) spolu s řečeným stacionárním systémem magnetů,
5. Zařízení pro plazmatické procesy podle kteréhokoli z předchozích nároků, vyznačené t í m, že řečené základní zařízení pro plazmatické procesy (5) sestává z aktivního plazmatu (21) v reaktoru (22), kde řečené otočné systémy permanentních magnetů jsou umístěny vně a/nebo uvnitř řečeného reaktoru k vytvoření řečených časově proměnných magnetických silokřivek, pro generování časově závislých oblastí hustého plazmatu (23).
6. Zařízení pro plazmatické procesy podle kteréhokoli z předchozích nároků, vyznačené t í m, že řečené otočné systémy permanentních magnetů jsou sestaveny z individuálních permanentních magnetů s rozdílnými magnetickými indukcemi a/nebo rozdílnými směry magnetických silokrivek7. Zařízení pro plazmatické procesy podle kteréhokoli z předchozích nároků, vyznačené t í m, že řečený řídící systém pro řízení pohybů řečených permanentních magnetů v řečených otočných systémech permanentních magnetů umožňuje řízení řečených otočných systémů permanentních magnetů v krokovém pohybu, nebo ve vibračním operačním módu kolem vybraných poloh.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9704260A SE511139C2 (sv) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | Plasmabearbetningsapparat med vridbara magneter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20001853A3 true CZ20001853A3 (cs) | 2000-08-16 |
| CZ298474B6 CZ298474B6 (cs) | 2007-10-10 |
Family
ID=20409052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20001853A CZ298474B6 (cs) | 1997-11-20 | 1998-11-03 | Zarízení na zpracování plazmatem |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6351075B1 (cs) |
| EP (1) | EP1033068B2 (cs) |
| JP (1) | JP4491132B2 (cs) |
| AU (1) | AU1182099A (cs) |
| CZ (1) | CZ298474B6 (cs) |
| DE (1) | DE69828904T3 (cs) |
| SE (1) | SE511139C2 (cs) |
| WO (1) | WO1999027758A1 (cs) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067034B2 (en) * | 2000-03-27 | 2006-06-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for plasma forming inner magnetic bucket to control a volume of a plasma |
| CZ296094B6 (cs) * | 2000-12-18 | 2006-01-11 | Shm, S. R. O. | Zarízení pro odparování materiálu k povlakování predmetu |
| SE525231C2 (sv) * | 2001-06-14 | 2005-01-11 | Chemfilt R & D Ab | Förfarande och anordning för att alstra plasma |
| US6777885B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Drive circuit, display device using the drive circuit and electronic apparatus using the display device |
| US6811657B2 (en) * | 2003-01-27 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Device for measuring the profile of a metal film sputter deposition target, and system and method employing same |
| US6864773B2 (en) * | 2003-04-04 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Variable field magnet apparatus |
| JP3508110B1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-03-22 | 卓三 岩田 | イオン化可能物質の活性化装置 |
| JP2006024775A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、該装置の制御方法及び該方法を実行するプログラム |
| US20070209927A1 (en) | 2004-07-09 | 2007-09-13 | Masayuki Kamei | Magnetron Sputtering Device In which Two Modes Of Magnetic Flux Distribution (Balanced Mode/Unbalanced Mode) Can Be Switched From One To The Other And Vice Versa, A Film Formation Method For Forming A Film From An Inorganic Film Formation Material Using The Device, And A Dual Mode Magnetron Sputtering Device And Film Formation Method For Forming A Film From An Inorganic Film Formation Material At A Low Temperature Using The Device |
| DE102005019101A1 (de) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Steag Hama Tech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
| CN100460557C (zh) * | 2005-09-28 | 2009-02-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 操作物理气相沉积工艺的方法与系统 |
| RU2385967C2 (ru) * | 2005-10-07 | 2010-04-10 | Тохоку Юниверсити | Аппарат магнетронного распыления |
| EP1969613B1 (en) * | 2005-12-22 | 2012-08-22 | Oerlikon Solar AG, Trübbach | Method of manufacturing at least one sputter-coated substrate and sputter source |
| US20090194409A1 (en) * | 2006-06-08 | 2009-08-06 | Shibaura Mechatronics Corporation | Magnetron sputtering magnet assembly, magnetron sputtering device, and magnetron sputtering method |
| US10043642B2 (en) * | 2008-02-01 | 2018-08-07 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Magnetron sputtering source and arrangement with adjustable secondary magnet arrangement |
| KR101009642B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비 |
| US8698400B2 (en) * | 2009-04-28 | 2014-04-15 | Leybold Optics Gmbh | Method for producing a plasma beam and plasma source |
| PT2251454E (pt) | 2009-05-13 | 2014-10-01 | Sio2 Medical Products Inc | Revestimento e inspeção de vaso |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| KR20120085254A (ko) * | 2009-09-05 | 2012-07-31 | 제너럴 플라즈마, 인크. | 플라스마 증강 화학적 기상 증착 장치 |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| WO2011156877A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| WO2011156876A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| DE112012001988T5 (de) * | 2011-05-30 | 2014-02-20 | Hitachi Metals Ltd. | Racetrack-förmige Magnetfeld-erzeugende Vorrichtung für Magnetron-Sputtern |
| KR101241049B1 (ko) | 2011-08-01 | 2013-03-15 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
| KR101246191B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2013-03-21 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치 |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| CA2855353C (en) | 2011-11-11 | 2021-01-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, ph protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| EP2846755A1 (en) | 2012-05-09 | 2015-03-18 | SiO2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US20150297800A1 (en) | 2012-07-03 | 2015-10-22 | Sio2 Medical Products, Inc. | SiOx BARRIER FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE AND COATING PROCESS |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| WO2014078666A1 (en) | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| AU2013352436B2 (en) | 2012-11-30 | 2018-10-25 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| EP2778253B1 (de) * | 2013-02-26 | 2018-10-24 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Zylinderförmige Verdampfungsquelle |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| CN105392916B (zh) | 2013-03-11 | 2019-03-08 | Sio2医药产品公司 | 涂布包装材料 |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| US9508532B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-11-29 | Bb Plasma Design Ab | Magnetron plasma apparatus |
| EP2971227B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-15 | Si02 Medical Products, Inc. | Coating method. |
| CN103269555B (zh) * | 2013-04-28 | 2016-07-06 | 哈尔滨工业大学 | 用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统和方法 |
| RU2554085C2 (ru) * | 2013-09-20 | 2015-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ нагрева электродов и создания самостоятельного дугового разряда с поджигом от тонкой металлической проволочки в свободном пространстве в магнитном поле |
| WO2015148471A1 (en) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| US9533909B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-01-03 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor |
| US9550694B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-01-24 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using plasma thermal source |
| US10410889B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors |
| RU2577040C2 (ru) * | 2014-07-29 | 2016-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Магнитный гаситель самостоятельного дугового разряда |
| JP6403269B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-10-10 | 株式会社神戸製鋼所 | アーク蒸発源 |
| US20160200618A1 (en) | 2015-01-08 | 2016-07-14 | Corning Incorporated | Method and apparatus for adding thermal energy to a glass melt |
| KR102786617B1 (ko) | 2015-08-18 | 2025-03-26 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 엘엘씨 | 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기 |
| RU2614526C2 (ru) * | 2015-08-31 | 2017-03-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ отклонения тепловой кумулятивной струи расплавленного металла и образованного ей канала на металлической поверхности катода в дуговом импульсном разряде при взрыве проволочки между электродами действием поперечного магнитного поля |
| CA3027669A1 (en) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | Medident Technologies Inc. | Plasmaclave device |
| FR3079775B1 (fr) * | 2018-04-06 | 2021-11-26 | Addup | Dispositif de chauffage a confinement magnetique pour appareil de fabrication additive selective |
| CN111411338B (zh) * | 2020-04-07 | 2023-04-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备 |
| US11784033B2 (en) | 2021-05-28 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
| CN118480675A (zh) * | 2024-07-09 | 2024-08-13 | 河南通达电缆股份有限公司 | 一种防止铜线氧化的退火系统及方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143371A (en) * | 1974-10-12 | 1976-04-14 | Daido Steel Co Ltd | Netsushorihohooyobi netsushorisochi |
| US4588490A (en) * | 1985-05-22 | 1986-05-13 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced magnetron sputter device |
| JPH02243762A (ja) † | 1989-03-17 | 1990-09-27 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02246216A (ja) | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | プラズマ装置 |
| JPH0688229A (ja) * | 1991-01-29 | 1994-03-29 | Boc Group Inc:The | 二重円筒マグネトロンに於けるスパッタリングターゲットの磁場ゾーン回転の電気制御 |
| JPH04346662A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-02 | Ube Ind Ltd | スパッタリング方法およびその装置 |
| US5411624A (en) * | 1991-07-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
| JPH05148642A (ja) † | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Hitachi Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| NO174450C (no) * | 1991-12-12 | 1994-05-04 | Kvaerner Eng | Anordning ved plasmabrenner for kjemiske prosesser |
| JP3311064B2 (ja) * | 1992-03-26 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法 |
| EP0566143B1 (en) * | 1992-04-17 | 1999-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for generating plasma |
| JPH06181187A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | スパッタリング装置 |
| US5399253A (en) * | 1992-12-23 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma generating device |
| JPH06212420A (ja) | 1993-01-13 | 1994-08-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタ及びエッチング方法 |
| JP2704352B2 (ja) | 1993-01-22 | 1998-01-26 | 信越化学工業株式会社 | 磁場発生装置 |
| JP3174982B2 (ja) | 1993-03-27 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2970317B2 (ja) * | 1993-06-24 | 1999-11-02 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| US5518547A (en) * | 1993-12-23 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing particulates in a plasma tool through steady state flows |
| JP3124204B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2001-01-15 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置 |
| ZA956811B (en) † | 1994-09-06 | 1996-05-14 | Boc Group Inc | Dual cylindrical target magnetron with multiple anodes |
| SE9403988L (sv) * | 1994-11-18 | 1996-04-01 | Ladislav Bardos | Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning |
| JPH08319552A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-12-03 | Nagata Tekko Kk | プラズマトーチおよびプラズマ溶射装置 |
-
1997
- 1997-11-20 SE SE9704260A patent/SE511139C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-11-03 US US09/554,666 patent/US6351075B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 WO PCT/SE1998/001983 patent/WO1999027758A1/en not_active Ceased
- 1998-11-03 JP JP2000522766A patent/JP4491132B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-03 AU AU11820/99A patent/AU1182099A/en not_active Abandoned
- 1998-11-03 EP EP98954885A patent/EP1033068B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 DE DE69828904T patent/DE69828904T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 CZ CZ20001853A patent/CZ298474B6/cs not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6351075B1 (en) | 2002-02-26 |
| JP4491132B2 (ja) | 2010-06-30 |
| WO1999027758A1 (en) | 1999-06-03 |
| AU1182099A (en) | 1999-06-15 |
| JP2001524743A (ja) | 2001-12-04 |
| SE9704260D0 (sv) | 1997-11-20 |
| CZ298474B6 (cs) | 2007-10-10 |
| EP1033068B1 (en) | 2005-02-02 |
| SE511139C2 (sv) | 1999-08-09 |
| DE69828904T3 (de) | 2012-02-09 |
| DE69828904T2 (de) | 2006-01-12 |
| SE9704260L (sv) | 1999-05-21 |
| EP1033068B2 (en) | 2011-03-09 |
| DE69828904D1 (de) | 2005-03-10 |
| EP1033068A1 (en) | 2000-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ20001853A3 (cs) | Zařízení pro plazmatické procesy | |
| Baranov et al. | Plasma under control: Advanced solutions and perspectives for plasma flux management in material treatment and nanosynthesis | |
| KR101001743B1 (ko) | 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착장치 | |
| US6143140A (en) | Method and apparatus to improve the side wall and bottom coverage in IMP process by using magnetic field | |
| Keidar et al. | Electron transport phenomena in plasma devices with E/spl times/B drift | |
| KR100361620B1 (ko) | 진공아크방전장치,진공아크방전용플라즈마도관,플라즈마빔발생장치및아크방전제어방법 | |
| JP3159949B2 (ja) | 陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置 | |
| US20090200158A1 (en) | High power impulse magnetron sputtering vapour deposition | |
| US6238526B1 (en) | Ion-beam source with channeling sputterable targets and a method for channeled sputtering | |
| JPH0211760A (ja) | マグネトロン式スパッタ装置 | |
| EP1120811B1 (en) | Planar-type magnetron sputtering apparatus | |
| JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
| EP2729955B1 (en) | Apparatus and method for the pretreatment and/or for the coating of an article in a vacuum chamber with a hipims power source | |
| US6962648B2 (en) | Back-biased face target sputtering | |
| WO2018112184A1 (en) | High-efficiency ion discharge method and apparatus | |
| KR100480357B1 (ko) | 동기화된 이온 빔 소스와 듀얼 마그네트론 스퍼터를가지는 박막 형성 장치 | |
| KR100963413B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| JPS61177728A (ja) | 低エネルギイオン化粒子照射装置 | |
| US20060081467A1 (en) | Systems and methods for magnetron deposition | |
| Tereshin et al. | Thin films deposition with ECR planar plasma source | |
| CN215103503U (zh) | 一种靶材溅射装置 | |
| JP2552700B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置 | |
| JP2602267B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置 | |
| Barankova et al. | New Magnets-in-Motion (MM) Plasma Sources | |
| CN211897094U (zh) | 一种物理溅射的硬件配置及系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic | ||
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20131103 |