CZ2006126A3 - Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody - Google Patents
Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2006126A3 CZ2006126A3 CZ20060126A CZ2006126A CZ2006126A3 CZ 2006126 A3 CZ2006126 A3 CZ 2006126A3 CZ 20060126 A CZ20060126 A CZ 20060126A CZ 2006126 A CZ2006126 A CZ 2006126A CZ 2006126 A3 CZ2006126 A3 CZ 2006126A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- sputter target
- elemental metal
- cobalt
- sputtering
- magnetic
- Prior art date
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 72
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 81
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 51
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 42
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 17
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 14
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020637 Co-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- SQWDWSANCUIJGW-UHFFFAOYSA-N cobalt silver Chemical compound [Co].[Ag] SQWDWSANCUIJGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004448 Ta2C Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N cobalt copper Chemical compound [Co].[Cu] RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFOSJWNBROHOFJ-UHFFFAOYSA-N cobalt gold Chemical compound [Co].[Au] SFOSJWNBROHOFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000249 far-infrared magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
Rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem nebo vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než - 0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustnýv kobaltu (Co). Tímto přídavným elementárním kovem je měď (Cu), stříbro (Ag) nebo zlato (Au) a rozprašovací elektroda je dále tvořena chromem (Cr) a/nebo borem (B). Rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % mědi (Cu), stříbra (Ag) nebo zlata (Au) nebo jiného přídavného elementárního kovu.Na základě toho zlepšená rozprašovací elektroda vykazuje významné zlepšení tepelné stability a poměru signál-šum SNR, prostřednictvímzlepšení magnetokrystalické anizotropie a větší vzájemné separace zrn.
Description
Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody
Oblast techniky [0001] Tento vynález se týká rozprašovacích elektrod, konkrétněji tenkých magnetických filmů pro ukládání dat naprášených z rozprašovacích elektrod, které jsou tvořeny slitinovými kompozicemi s lepšími metalurgickými vlastnostmi.
Dosavadní stav techniky [0002] K vytváření velmi tenkých povlaků na substrátu, které mají přesně řízenou tloušťku a malé tolerance v atomárním složení, je v různých oblastech techniky velmi rozšířen proces DC magnetronového rozprašování. Používá se například k povlékání polovodičů a/nebo k vytváření tenkých vrstev na povrchu magnetických médií pro záznam dat. U jednoho běžně používaného provedení se na rozprašovací elektrodu přivede magnetické pole s oválným rozložením, a to tak, že se na zadní povrch elektrody umístí' magnety. V blízkosti rozprašující elektrody jsou zachycovány elektrony, což vede ke zlepšení produkce iontů argonu a zvýšení rychlosti rozprašování. Ionty uvnitř této plazmy se srážejí s povrchem rozprašovací elektrody, což má za následek, že rozprašovací elektroda emituje atomy ze svého povrchu. Rozdíl napětí mezi katodickou rozprašovací elektrodou a anodickým substrátem, který má být povlékán, způsobí, že emitované atomy vytvoří na povrchu substrátu požadovaný film.
[0003] U reaktivního rozprašovacího procesu se vakuová komora částečně naplní chemicky reaktivní plynnou atmosférou a materiál, který se odpráší z elektrody, chemicky reaguje s reaktivními složkami v plynné směsi za vzniku chemické sloučeniny, která tvoří film.
[0004] Během výroby magnetických záznamových médií známých z dosavadního stavu techniky se vrstvy tenkých filmů postupně naprašuji na substrát pomocí většího počtu rozprašovacích elektrod, přičemž každá rozprašovací elektroda je tvořena různým materiálem, což má za následek nanesení vrstvy tenkých filmů. Obrázek 1 znázorňuje vrstvu tenkých filmů typickou pro magnetická záznamová média známá z dosavadního stavu techniky. Podkladem pro vrstvu je nemagnetický substrát 101, kterým běžně bývá hliník nebo sklo. Vrstva 102 zárodečných krystalů, tj . první nanesená vrstva, uděluje tvar a orientaci struktuře zrn vyšších vrstev a je běžně tvořena NiP nebo NiAl. Dále je nanesena nemagnetická podkladová vrstva 104, která často obsahuje jednu až tři samostatné vrstvy, přičemž touto podkladovou vrstvou běžně bývá nějaká slitina na bázi chrómu, jako například CrMo nebo CrTi. Nad podkladovou vrstvou 104 je vytvořena mezivrstva 105, která obsahuje jednu nebo dvě samostatné vrstvy, přičemž tato mezivrstva 105 je na bázi kobaltu a je mírně magnetická. Na horní straně mezivrstvy 105 je nanesena magnetická vrstva 106 pro ukládání dat, která může obsahovat dvě nebo tři samostatné vrstvy,, a na magnetické vrstvě 106 je vytvořena vrstva 108 uhlíkového lubrikantu.
[0005] Množství dat na jednotku plochy, které může být v magnetickém záznamovém médiu uloženo, je přímo závislé na metalurgických vlastnostech a na složení vrstvy pro ukládání dat a tím je tedy závislé na materiálu rozprašovací elektrody, z něhož je vrstva pro ukládání dat naprášena. K uspokojení neustále se zvyšujících požadavků na růst kapacity ukládání dat se zdá být nejslibnější a nejúčinnější technologií technika známá jako kolmý magnetický záznam (PMR), na rozdíl od konvenčního podélného magnetického záznamu (LMR)' vzhledem k vyšší účinnosti záznamu při použití jednopólové záznamové hlavy, v kombinaci se slabě magnetickou podkladovou vrstvou. Při použití PMR se bity zaznamenávají kolmo k ploše magnetického záznamového média, což umožňuje menší velikost bitu a větší koercitívitu. Do budoucností se očekává, že PMR zvýší koercitivitu disku a zesílí amplitudu signálu disku, což vede v lepší schopnosti archivace dat.
[0006] Aby se u PMR médií dosáhlo vysoké hustoty záznamu, měly by vykazovat vysokou tepelnou stabilitu a hladina šumu média by měla být nízká. Jedním přístupem k zajištění základní tepelné stability a požadavků na šum u PMR médií je vytvořit zrnitá magnetická média s magnetickými doménami majícími vysokou magnetokrystalickou anizotropii a adekvátně zapouzdřit jemnou mikrostrukturu zrn ve strukturně, magneticky a elektricky izolující matrici. K dosažení tohoto cíle se ke zvýšení koercitivity přidávaly prvky s relativně velkými poloměry atomů a dostatečnou rozpustností v pevném stavu v kobaltu (Co).
[0007] Kromě zlepšení anizotropní energie, realizovaného konvenčními LMR, vyžaduje PMR mnohem jemnější mikrostrukturu zrn s odpovídající vzájemnou segregací zrn a zanedbatelnými přeslechy mezi magnetickými doménami. Inkluze oblasti hranic zrn bohaté na kyslík a obsahující stechiometrické oxidy, které se srážejí v oblasti hranic zrn vzhledem k zanedbatelné rozpustnosti v pevném stavu v magnetické fázi, má výrazně lepší jemnost zrn a vykazuje vynikající mikrostrukturní, magnetickou a elektrickou izolaci. Těmito a dalšími konvenčními postupy se dosáhlo významných zlepšení v dosažení dobře izolované struktury zrn a vysokých hodnot magnetické anizotropní energie (Κμ) v magnetických záznamových médiích obsahujících kyslík, jako jsou například magnetická záznamová média tvořená CoPtCrO, CoPtCr-SiCk nebo CoPtTazOs.
4 · 4 44 4444 44 • 444 444 444 [0008] Vzhledem k tomu, že jemnost zrn v zrnitých magnetických médiích se blíží mezi stability magnetického dipólu, musí být zajištěna natolik dostatečná vzájemná separace zrn, aby nebyla jednotlivá zrna ovlivněna svými nejbližšími sousedními zrny, a musí být zvýšena magnetokrystalická anizotropie. Ačkoliv bylo pozorováno, že vnášení kyslíku do hranic zrn vede k lepšímu poměru signál-šum (SNR), což je způsobeno dalším zapouzdřením magnetických zrn, je běžným přístupem k dosažení těchto požadovaných vlastností médií použití jednosložkového oxidu, jako například SÍO2, Y2O3, AI2O3, T1O2, Ta2C>5, Nb2Os. U zrnitých magnetických médiích obsahujících CoPt, CoPtCr, CoPtB a/nebo CoPtCrB prokázaly výzkumy z nedávné doby příznivý účinek vnesení kyslíku pomocí reaktivního rozprašování a/nebo pomocí rozprašovacích elektrod obsahujících jednosložkový oxid. Tímto přístupem se dosahuje významného zlepšení v realizaci dobře izolované struktury zrn, avšak u zrnitých médií se těmito oxidy nedosahuje těch nej lepších výsledků s ohledem na poměr signál-šum SNR a tepelnou stabilitu v PMR médiích. Další zlepšení vzájemné mikrostrukturní, magnetické a elektrické izolace zrn pomocí modulace vlastností oxidu v zrnitých médiích obsahujících jednosložkový nebo vícesložkový oxid přinášejí například postupy popsané v patentové přihlášce USA č. 11/110,105, s názvem Zlepšené slitinové kompozice na bázi jednosložkového nebo vícesložkového oxidu pro rozprašovací elektrody, podané 19. dubna 2005.
[0009] Proto je vysoce žádoucí vytvořit nějaké magnetické záznamové médium s hustou strukturou zrn v magnetické vrstvě pro ukládání dat, čímž by se zlepšil poměr signál-šum (SNR) a zvýšila dosažitelná kapacita ukládání dat. Obzvláště je žádoucí vytvořit jednosložkové nebo vícesložkové slitiny obsahující kyslík, které by mohly být použity v rozprašovacích elektrodách a naprášeny do tenkých filmů.
• ·
Podstata vynálezu [0010] Tento vynález se týká rozprašovacích elektrod a konkrétněji se týká magnetických tenkých filmů pro ukládání dat naprášených z rozprašovacích elektrod, které jsou tvořeny slitinovými kompozicemi s lepšími metalurgickými vlastnostmi.
[0011] Podle prvního provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0012] Z uvedeného vyplývá, že významného zlepšení tepelné stability a poměru signál-šum SNR prostřednictvím zlepšení magnetokrystalické anizotropie a větší vzájemné separace zrn lze dosáhnout při použití kompozice obsahující jednosložkový nebo vícesložkový oxid s přídavkem elementárního kovu, který je nerozpustný v magnetické fázi obsahující kobalt (Co) a je odolný vůči oxidaci. Předmětný vynález vytváří zlepšené slitinové kompozice pro rozprašovací elektrodu za použití kovových přísad, jejichž přítomnost v PMR médiích vyrobených pomocí magnetronového rozprašování má za následek jejich lepší magnetické vlastnosti.
[0013] Tato rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) a/nebo borem (B) . Tato rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % přídavného elementárního kovu, přičemž touto elementární přísadou měď (Cu), stříbro (Ag) nebo zlato (Au).
[0014] PMR média mají přísnější požadavky ohledně tepelné stability a poměru signál-šum SNR než LMR média, a proto vyžadují vnášení nových přísad do běžných záznamových médií, • · l ····¥···· ···· ··¥· ·· ··· ·· ·· aby se zajistila vyšší magnetokrystalická anizotropie, jemná struktura zrn a zlepšená vzájemná mikrostrukturní magnetická a elektrická izolace zrn. Přídavek elementárních kovů, jako je například měď (Cu), stříbro (Ag) a zlato (Au), v přiměřených množstvích do systémů na bázi CoPt vykazuje významné zlepšení projevující se zvýšením magnetokrystalické anizotropie a koercitivity (Hc) a dosažením jemné mikrostruktury zrn v LMR médiích.
[0015] Podle druhého provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda. Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0016] Předmětný vynález vytváří zlepšené slitinové kompozice, které mohou být použity k naprašování zrnitých magnetických médií obsahujících kompozice na bázi CoPt, což přináší lepší tepelnou stabilitu a poměr signál-šum SNR' ve srovnání s běžnými kompozicemi. Média na bázi CoPt obsahující kyslík vykazují významné zlepšení jemnosti a segregace zrn. Tyto příznivé účinky jsou dále zvýšeny, jsou-li v kombinaci se zvýšením magnetokrystalické anizotropní energie, když jsou k magnetické slitinové kompozici přidány přídavné kovy.
[0017] Podle třetího provedení je předmětem vynálezu magnetické záznamové médium, zahrnující substrát a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na tomto substrátu. Rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co) , platinou (Pt) ,· jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než ·· ·· • · · • · · · · •9 ··«· • · • · · ·
-0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0018] Podle čtvrtého provedení je předmětem vynálezu magnetické záznamové médium, zahrnující substrát a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na tomto substrátu. Rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) , vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0019] Předmětný vynález se používá k výrobě nových zrnitých magnetických médií se zlepšenými slitinovými kompozicemi pro rozprašovací elektrody, což přináší lepší tepelnou stabilitu a poměr signál-šum SNR. Konkrétně předmětný vynález vytváří zlepšení magnetokrystalické anizotropie, jemnosti struktury zrn a jejich segregace v zrnitých magnetických médiích, pomocí vnášení elementárních kovů, jako například měď (Cu), stříbro (Ag) a zlato (Au), ve spojení s oblastí hranic zrn obsahující oxid v systému na bázi CoPt. Navíc tento vynález vylepšuje běžná komerční LMR média tím, že zlepšuje oblast hranic zrn obsahující kyslík pomocí kovů, které zajišťují jemnou strukturu zrn a jejich izolaci, přičemž zároveň zlepšují magnetické vlastnosti.
[0020] Podle pátého provedení je předmětem vynálezu způsob výroby magnetického záznamového média. Tento způsob zahrnuje krok naprášení alespoň první vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, přičemž rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem ·· ·· ·* u··· ·· ·· «··· ·«· « » » • · ····· · β ··· • · β · « ···«·· • · · · ····· r··· ·«·· »· ··· ·· ·8 a přídavkem elementárního kovu. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0021] Podle šestého provedení je předmětem vynálezu způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok naprášení alespoň první vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody. Rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0022] V následujícím popisu výhodného provedení jsou uvedeny odkazy na připojené obrázky, které tvoří součást popisu příkladu provedení a na nichž je názorně zobrazeno příkladné konkrétní provedení vynálezu. Příklady je třeba chápat tak, že lze použít i jiná provedení a provést v nich změny, aniž by došlo k odchýlení se od rozsahu tohoto vynálezu.
Přehled obrázků na výkresech [0023] Vynález je dále popsán s použitím obrázků, přičemž na všech obrázcích jsou pro odpovídající části použity stejné vztahové značky:
[0024] Obrázek 1 znázorňuje vrstvu tenkých filmů typickou pro magnetická záznamová média podle dosavadního stavu techniky;
[0025] Obrázek 2 znázorňuje vrstvu tenkých filmů, u níž byla magnetická vrstva pro ukládání dat naprášena rozprašovací elektrodou tvořenou zlepšenou slitinovou kompozicí obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody podle jednoho provedení tohoto vynálezu;
• ·
| [0026] Obrázek 3 pro systém na bázi | znázorňuj e kobalt-měď | rovnovážný (Co-Cu); | diagram | binární | fáze |
| [0027] Obrázek 4 | znázorňuj e | rovnovážný | diagram | binární | fáze |
| pro systém na bázi | kobalt-stříbro (Co-Ag) | r | |||
| [0028] Obrázek 5 | znázorňuj e | rovnovážný | diagram | binární | fáze |
| pro systém na bázi | kobalt-zlato (Co-Au); | a |
[0029] Obrázek 6 je blokové schéma znázorňující způsob výroby magnetického záznamového média, podle druhého provedení tohoto vynálezu.
Podrobný popis příkladů provedení [0030] Předmětný vynález vytváří magnetické záznamové médium s hustou strukturou zrn v magnetické vrstvě pro ukládání dat, což zlepšuje poměr signál-šum SNR a zvyšuje kapacitu ukládání dat. Dále předmětný vynález vytváří zlepšené slitiny obsahující kyslík, které mohou být použity v rozprašovacích elektrodách a naprášeny do tenkých filmů.
[0031] Obrázek 2 znázorňuje vrstvu tenkých filmů, u níž byla magnetická vrstva pro ukládání dat naprášena rozprašovací elektrodou tvořenou zlepšenou slitinovou kompozicí obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody podle jednoho provedení tohoto vynálezu. Toto magnetické záznamové médium zahrnuje substrát a tenkou filmovou vrstvu pro ukládání dat vytvořenou na tomto substrátu. Rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem nebo vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0032] Konkrétně zahrnuje magnetické záznamové médium 200 substrát 201 a vrstvu 206 tenkého filmu pro ukládáni dat vytvořenou na substrátu 201. Vrstva 206 tenkého filmu pro ukládáni dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt) , jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0, 03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co) .
[0033] Alternativně je vrstva 206 tenkého filmu pro ukládání dat tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0034] V obou případech znázorňuje obrázek 2 vrstvu 206 tenkého filmu pro ukládání dat tvořenou Co-Pt-Cr-B-MOy-X, kde ΜΟγ představuje jednosložkový oxid nebo vícesložkový oxid a kde X představuje přídavný elementární kov,, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0035] Jak je uvedeno výše, mohou magnetická záznamová média 200 obsahovat další vrstvy tenkých filmů, včetně vrstvy 202 zárodečných krystalů, nemagnetické podkladové vrstvy 204, mezivrstvy 205 a vrstvy 208 uhlíkového lubrikantu. U alternativních provedení tohoto vynálezu jsou některé nebo všechny tyto vrstvy vynechány. Prvky, které mají omezenou rozpustnost v pevném stavu v primární magnetické kobaltové (Co) fázi a které se srážejí v oblasti hranic zrn, čímž se separují magnetická zrna, představují významná zlepšení poměru signál-šum SNR.
[0036] Zrnitá magnetická média podle tohoto vynálezu jsou tvořena zlepšenými slitinovými kompozicemi pro rozprašovací elektrody, což přináší lepší tepelnou stabilitu a lepší poměr signál-šum SNR. Tato magnetická záznamová média konkrétně vykazují zlepšení magnetokrystalické anizotropie, jemnosti struktury zrn a jejich segregace v zrnitých magnetických médiích, pomocí vnášení elementárních kovů, ve spojení s oblastí hranic zrn obsahující oxid v systému na bázi CoPt. U běžných komerčních LMR médií rovněž dochází k přínosu, neboť zlepšením oblasti hranic zrn obsahující kyslík pomocí kovů, které zajišťují jemnou strukturu zrn a jejich izolaci, se zlepší magnetické chování.
[0037] Pokud se týká tepelné stability a poměru signál-šum SNR, jsou na ně u PMR médií kladeny přísnější požadavky než u LMR médií. U konvenčních médií obsahujících CoPt je třeba pro dosažení vyšší magnetokrystalické anizotropie, zlepšení jemné struktury zrn a zvýšení vzájemné mikrostrukturální magnetické a elektrické izolace zrn vnesení nových přísad. Přídavek výše uvedených elementárních kovů do systémů na bázi CoPt vykázal významná zlepšení projevující se zvýšením magnetokrystalické anizotropie a koercitivity (Hc) a způsobil zlepšenou jemnou mikrostrukturu zrn v PMR i LMR médiích.
[0038] Vrstva 206 tenkého filmu pro ukládání dat je vhodná obzvláště pro PMR aplikace. Výběr prvků použitých v oxidu kovu je založen na několika kritériích, přičemž nejlepších vlastností zrnitých médií s ohledem na poměr signál-šum SNR a tepelnou stabilitu v kolmých magnetických médiích se dosahuje použitím různých oxidů s kompenzačními a zesilujícími účinky.
[0039] Aby se u PMR dosáhlo vysoké hustoty záznamu, musí být tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat tvořena materiálem • · s vysokou tepelnou stabilitou a nízkou hladinou šumu média. Zrnitá magnetická média obsahující slitiny na bázi CoCrPt nebo CoPt s magnetickými doménami zapouzdřenými v izolační matrici jsou nejen vysoce odolná vůči tepelnému toku vzhledem k jejich vysoké magnetokrystalické anizotropii, ale v důsledku snížení velikosti zrn vykazují rovněž i lepší poměr signál-šum SNR. Avšak vzhledem k tomu, že jemnost zrn v zrnitých magnetických médiích se blíží mezi stability magnetického dipólu, vyvstává stále naléhavější potřeba vyvinout materiály s natolik dostatečnou vzájemnou separací zrn, aby v celém objemu materiálu nebyla jednotlivá zrna ovlivněna svými nejbližšími sousedními zrny.
[0040] U PMR, kde jsou požadavky na jemnost struktury zrn a separaci mnohem přísnější než u LMR, bylo pozorováno, že hranice zrn obsahující kyslík způsobují v zrnitých médiích lepší magnetické vlastnosti, takže je výhodné pomocí reaktivního rozprašování a/nebo pomocí elektrod obsahujících jednosložkový oxid (jako například SÍO2, AI2O3, Ta2Os nebo Nb2O5) vnášet kyslík. Tento vynález dále zlepšuje účinek oblastí hranic zrn bohatých na kyslík v magnetických médiích použitím rozprašovacích elektrod obsahujících jednosložkové nebo vícesložkové oxidy. Tohoto cíle se dosahuje pomocí modulace různých vlastností oxidů týkajících se náchylnosti k oxidaci, tendence k vytváření skelné fáze a magnetickodielektrického chování v matricích na bázi vícesložkového oxidu vneseného do magnetických médií s použitím rozprašovacích elektrod obsahujících vícesložkové oxidy vybrané na základě konkrétních kritérií.
[0041] Z různých kovů, které mají při pokojové teplotě omezenou rozpustnost v pevném stavu v kobaltu (Co), mají relativně vysokou odolnost vůči oxidaci měď (Cu), stříbro (Ag) • ·
a zlato (Au). Níže v tabulce 1 jsou uvedeny standardní redukční potenciály těchto kovů:
Tabulka 1
| Standardní redukční potenciál | |
| Cu+ | 0, 52 |
| Cu+2 | 0, 34 |
| Ag+ | 0,799 |
| Au+ | 1,83 |
| Átú3 | 1,52 |
[0042] Obrázek 3 znázorňuje rovnovážný diagram binární fáze pro systém na bázi Co-Cu, obrázek 4 znázorňuje rovnovážný diagram binární fáze pro systém na bázi Co-Ag a obrázek 5 znázorňuje rovnovážný diagram binární fáze pro systém na bázi Co-Au. Při pokojové teplotě, za kterou je považováno přibližně 21 °C až 23 °C (68 °F až 72 °F nebo 295 K až 296 K) , jsou měď (Cu) , stříbro (Ag) a zlato (Au) v podstatě nerozpustné v kobaltu (Co). Jak je znázorněno na příslušných obrázcích, 'v podstatě nerozpustný' znamená stav, kdy rozpustnost tohoto přídavného elementárního kovu je dost blízká nule.
[0043] Ačkoliv přídavný elementární kov je s výhodou měď (Cu), stříbro (Ag) nebo zlato (Au), mohou být použity i jiné přídavné elementární kovy. Rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) a/nebo borem (B) . Přídavek těchto prvků umožňuje další zlepšení vzájemné mikrostrukturní, magnetické a elektrické izolace zrn v zrnitých médiích obsahujících oxid. Alternativně mohou být chrom (Cr) a/nebo bor (B) vynechány. Rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % přídavného elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov může být měď (Cu), stříbro (Ag) nebo zlato (Au) nebo jiné přísady, vynález zahrnuje i případy, kdy rozprašovací elektrody obsahující kovových přísad méně nebo více. Atomární % kobaltu (Co), platiny (Pt), chrómu (Cr), boru
(B) , jednosložkového oxidu nebo vícesložkového oxidu v této kompozici mohou být různá a vynález není omezen na jakákoliv konkrétní atomární složení.
[0044] Podle alternativního provedení je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem a nějakým přídavným elementárním kovem. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co). Alternativně je předmětem vynálezu rozprašovací elektroda, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a nějakým přídavným elementárním kovem. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0045] Významného zlepšení tepelné stability a poměru signálšum SNR prostřednictvím zlepšení mágnetokrystalické anizotropie a větší vzájemné separace zrn lze dosáhnout při použití rozprašovací elekttody tvořené kompozicí obsahující výše uvedený jednosložkový nebo vícesložkový oxid s nějakým přídavným elementárním kovem, který je nerozpustný v magnetické fázi obsahující Co a je odolný vůči oxidaci. Předmětný vynález vytváří tyto zlepšené slitinové kompozice pro rozprašovací elektrody, které používají kovové přísady, jejichž přítomnost v PMR médiích vyrobených pomocí magnetronového rozprašování má za následek jejich lepší magnetické vlastnosti.
[0046] Předmětný vynález lze využít při zpracování magnetických filmů s použitím rozprašovacích elektrod obsahujících jednosložkové nebo vícesložkové oxidy, obzvláště • · ·· · ·
u PMR aplikací, kde jsou požadavky na jemnost struktury zrn a izolaci přísnější, aby se minimalizovala degradace poměru signál-šum SNR a aby se dosáhlo větší magnetické anizotropní energie (Κμ) . Matrice z vícesložkového oxidu vykazující jemnost struktury a izolaci zrn takové, které zlepšují magnetické vlastnoosti média, mohou být přínosem i pro komerční horizontální záznamová média. Navíc elementární kovy, které jsou nerozpustné v primární magnetické Co fázi, když se přidají do systémů na bázi CoPt, vykazují schopnost významně zlepšit magnetokrystalickou anizotropii, koercitivitu (Hc) a jemnost struktury zrn v LMR médiích.
[0047] Předmětný vynález vytváří zlepšené slitinové kompozice, které mohou být použity k rozprašování zrnitých magnetických médii obsahujících kompozice na bázi CoPt, což přináší lepší tepelnou stabilitu a lepší poměr signál-šum SNR ve srovnání s běžnými kompozicemi. Média na bázi CoPt obsahující oxid vykazují významné zlepšení jemnosti a segregace zrn. Tyto příznivé účinky jsou dále zvýšeny, jsou-li v kombinaci s možností zvýšit magnetokrystalickou anizotropní energii, když jsou k magnetické slitinové kompozici přidány přídavné kovy.
[0048] Obrázek 6 je blokové schéma znázorňující způsob výroby magnetického záznamového média podle dalšího provedení tohoto vynálezu. Tento způsob zahrnuje krok naprášení alespoň první vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, přičemž rozprašovací elektroda pro naprašování vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem a nějakým přídavným elementárním kovem. Tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co). Alternativně může tento způsob zahrnovat krok naprášení alespoň první vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na
substrát z rozprašovací elektrody. Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0049] Předmětný vynález se používá k výrobě nových zrnitých magnetických médií se zlepšenými slitinovými kompozicemi pro rozprašovací elektrody, což přináší lepší tepelnou stabilitu a lepší poměr signál-šum SNR. Konkrétně předmětný vynález vytváří zlepšení magnetokrystalické anizotropie, jemnosti zrn a jejich segregace v zrnitých magnetických médiích, pomocí vnášení elementárních kovů, jako je například měď (Cu) , stříbro (Ag) a zlato (Au), ve spojení s oblastí hranic zrn obsahující kyslík v systému na bázi CoPt.
[0050] Konkrétně tento proces začíná krokem S300, dále se na substrát z rozprašovací elektrody napráší alespoň první vrstva tenkého filmu pro ukládání dat (krok S301) a proces končí (krok 8302). Tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem nebo jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
[0051] V souhlase s tím lze prostřednictvím zlepšení magnetokrystalické anizotropie a větší vzájemné separace zrn dosáhnout významného zlepšení tepelné stability a poměru signál-šum SNR, a to použitím kompozice obsahující jednosložkový nebo vícesložkový oxid s přídavkem elementárního kovu, který je nerozpustný v magnetické fázi obsahující kobalt (Co) a je odolný vůči oxidaci. Předmětem tohoto vynálezu jsou zlepšené slitinové kompozice pro rozprašovací elektrody, přičemž vlastní podstatou vynálezu jsou kovové přísady, jejichž přítomnost v PMR médiích vyrobených pomocí magnetronového rozprašování má za následek jejich lepší magnetické vlastnosti.
[0052] K zajištění vyšší magnetokrystalické anizotropie a vyšší koercitivity (Hc) je tento přídavný kov v elementární formě a není vázán s kyslíkem (O) , aby se dosáhlo menší náchylnosti k oxidaci během rozprašování a v samotné rozprašovací elektrodě. Navíc má tento přídavný elementární kov takovou tendenci k oxidaci, že netvoří substechiometrický oxid, což má za následek, že oxid je v oblasti hranic zrn rovněž substechiometrický. Nestechiometrie kyslíku v magnetických médiích, jakož i parametry elektrod ohledně elektrické vodivosti, kde elektronová nebo děrová vodivost kompenzuje uprázdněná místa po kationtech/aniontech, což je rovněž závislé na parciálním tlaku kyslíku během zpracovávání média, mezi magnetickými zrny, která by při interakci s magnetickým polem aplikovaným během , magnetronového rozprašování nepříznivě ovlivnila magnetické chování médií stejně jako rozprašovací chování elektrod.
[0053] Předmětem tohoto vynálezu jsou tedy zlepšené slitinové kompozice vedoucí k zrnitým magnetickým médiím obsahujícím CoPt (Cr) (B) -M0Y-X, kde MOY je jednosložkový nebo vícesložkový oxid kovu a X je měď (Cu) , stříbro (Ag) nebo zlato (Au), vyrobeným pomocí magnetronového rozprašování, což přináší lepší tepelnou stabilitu a lepší poměr signál-šum SNR ve srovnání s běžnými kompozicemi.
[0054] Použití slitinové kompozice obsahující jednosložkový nebo vícesložkový oxid zlepšuje vzájemnou mikrostrukturní magnetickou a elektrickou izolaci zrn, pomocí modulace
vlastností různých oxidů, které jsou součásti magnetických médiíh. Pro tento účel mohou být použity určité oxidy kovů, které mohou být použity ve spojení se známými oxidy, jako je například SÍO2/AI2O3 a jiné, k vytvoření jednosložkové nebo vícesložkové izolační oxidové matrice zapouzdřující magnetická zrna.
[0055] Oxidy, které zřídka tvoří pevné roztoky s kovy, mají sobě vlastní tendenci srážet se v oblastech hranic zrn v zrnitých médiích na bázi CoCrPt nebo CoPt a tím zlepšit mikrostrukturní segregaci magnetických zrn. Tyto oxidy nejsou na překážku epitaxnímu růstu médií tvořených tenkým filmem na bázi CoCrPt nebo CoPt obsahujícím kyslík a vedou proto k potlačení degradace magnetické anizotropní energie (Κμ) .
[0056] Kyslík vnesený pomocí reaktivního rozprašování do magnetických médií tvořených tenkými filmy za účelem obohacení obsahu kyslíku v hranicích zrn a použití jednosložkových oxidů ve spojení s CoCrPt a CoPt způsobují lepší magnetické chování v PMR médiích, z důvodu výše popsaného působení médií obsahujících kyslík. Zrnitá magnetická média obsahující kyslík vyrobená s použitím elektrod obsahujících oxid, však vykázala lepší magnetické vlastnosti než média obsahující kyslík vnesený pomocí reaktivního rozprašování.
[0057] Vynález byl popsán pomocí konkrétních příkladných provedení. Tyto příklady je třeba chápat tak, že vynález není omezen na výše popsaná provedení, přičemž odborník v oboru může provést různé změny a modifikace, aniž by došlo k odchýlení se od duchu rozsahu vynálezu.
PATENTOVÉ NÁROKY
Claims (22)
- PATENTOVÉ NÁROKY- IZ&···· ·· ··1. Rozprašovací elektroda, vyznačující'se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
- 2. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tímto přídavným elementárním kovem je měď (Cu) , stříbro (Ag) nebo zlato (Au).
- 3. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) .
- 4. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je dále tvořena borem (B) .
- 5. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % přídavného elementárního kovu.
- 6. Magnetické záznamové médium zahrnující: substrát; a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na tomto substrátu, přičemž rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co) , platinou (Pt), jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, • · přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
- 7. Magnetické záznamové médium podle nároku 6, vyznačující se tím, že tímto přídavným elementárním kovem je měď (Cu), stříbro (Ag) nebo zlato (Au).
- 8. Magnetické záznamové médium podle nároku 6, vyznačující se tím, že tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále tvořena chromém (Cr).
- 9. Magnetické záznamové médium podle nároku 6, vyznačující se tím, že tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále tvořena borem (B).
- 10. Rozprašovací elektroda podle nároku 6, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % přídavného elementárního kovu.
- 11. Způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok naprášení alespoň první vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), jednosložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).• ·
- 12. Rozprašovací elektroda, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena kobaltem ' (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
- 13. Rozprašovací elektroda podle nároku 12, vyznačující se tím, že tímto přídavným elementárním kovem je měď (Cu) , stříbro (Ag) nebo zlato (Au).
- 14. Rozprašovací elektroda podle nároku 12, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je dále tvořena chromém (Cr) .
- 15. Rozprašovací elektroda podle nároku 12, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je dále tvořena borem (B) .
- 16. Rozprašovací elektroda podle nároku 12, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % přídavného elementárního kovu.
- 17. Magnetické záznamové médium zahrnující: substrát; a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na tomto substrátu, přičemž tato rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční ·» ··*· • · · · » ···· · · · · ·- · ···»·· • · · · ····« ···· ···· ·« ··» ·· potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).'
- 18. Magnetické záznamové médium podle nároku 17, vyznačující se tím, že tímto přídavným elementárním kovem je měď (Cu), stříbro (Ag) nebo zlato (Au).
- 19. Magnetické záznamové médium podle nároku 17, vyznačující se tím, že tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále tvořena chromém (Cr).
- 20. Magnetické záznamové médium podle nároku 17, vyznačující se tím, že tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále tvořena borem (B).
- 21. Rozprašovací elektroda podle nároku 17, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena mezi 2 atomárními % a 10 atomárními % přídavného elementárního kovu.
- 22. Způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující krok naprášení alespoň první vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda pro naprášení vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena kobaltem (Co), platinou (Pt), vícesložkovým oxidem a přídavkem elementárního kovu, přičemž tento přídavný elementární kov má redukční potenciál větší než -0,03 elektronvoltů a je při pokojové teplotě v podstatě nerozpustný v kobaltu (Co).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/152,104 US20060286414A1 (en) | 2005-06-15 | 2005-06-15 | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2006126A3 true CZ2006126A3 (cs) | 2007-01-17 |
Family
ID=36659946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20060126A CZ2006126A3 (cs) | 2005-06-15 | 2006-02-27 | Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060286414A1 (cs) |
| EP (1) | EP1734513A1 (cs) |
| JP (1) | JP2006351164A (cs) |
| KR (1) | KR20060131609A (cs) |
| CN (1) | CN1880501A (cs) |
| CZ (1) | CZ2006126A3 (cs) |
| SG (1) | SG128541A1 (cs) |
| TW (1) | TW200643206A (cs) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080057350A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Heraeus, Inc. | Magnetic media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds |
| US8394243B1 (en) | 2008-07-24 | 2013-03-12 | Wd Media, Inc. | Sputtered cobalt oxide for perpendicular magnetic recording medium with low media noise |
| US8488276B1 (en) | 2008-09-30 | 2013-07-16 | WD Media, LLC | Perpendicular magnetic recording medium with grain isolation magnetic anistropy layer |
| US8168309B2 (en) * | 2009-08-13 | 2012-05-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular recording media with sublayers of oxide dopant magnetic materials |
| US8993133B1 (en) | 2010-12-23 | 2015-03-31 | WD Media, LLC | Intermediate layer for perpendicular magnetic recording medium with high permeability grain boundaries |
| CN105026589B (zh) * | 2013-04-30 | 2017-07-18 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶 |
| CN104174851B (zh) * | 2014-08-12 | 2016-05-18 | 贵研铂业股份有限公司 | 一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法 |
| US9685184B1 (en) | 2014-09-25 | 2017-06-20 | WD Media, LLC | NiFeX-based seed layer for magnetic recording media |
| MY184033A (en) * | 2015-02-19 | 2021-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for forming magnetic thin film |
| JP2016160530A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 | 磁気合金スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体用記録層 |
| TWI702294B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-08-21 | 日商田中貴金屬工業股份有限公司 | 磁氣記錄媒體用濺鍍靶 |
Family Cites Families (99)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3147112A (en) * | 1961-01-19 | 1964-09-01 | Du Pont | Ferromagnetic mn-ga alloy and method of production |
| JPS5789450A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Amorphous magnetic alloy |
| US4868070A (en) * | 1984-11-29 | 1989-09-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Vertical magnetization type recording medium and manufacturing method therefor |
| JPH06105499B2 (ja) * | 1985-02-22 | 1994-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US4994321A (en) * | 1986-01-24 | 1991-02-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and the method for preparing the same |
| DE3707522A1 (de) * | 1986-03-12 | 1987-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetischer nitridfilm |
| JP2513205B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-07-03 | ソニー株式会社 | 複合磁気ヘツド |
| JP2524514B2 (ja) * | 1987-09-21 | 1996-08-14 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5772797A (en) * | 1989-01-26 | 1998-06-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head |
| KR920003999B1 (ko) * | 1989-03-08 | 1992-05-21 | 알프스 덴기 가부시기가이샤 | 연자성 합금막 |
| JPH02292721A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Tdk Corp | 磁気デイスク |
| JPH03116409A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Canon Electron Inc | 磁気ヘッド |
| JPH03157801A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Tdk Corp | 磁気記録再生方法 |
| CA2030446C (en) * | 1989-11-22 | 2001-01-23 | Yoshihito Yoshizawa | Magnetic alloy with ultrafine crystal grains and method of producing same |
| US5182693A (en) * | 1989-12-29 | 1993-01-26 | Tdk Corporation | Magnetic disk |
| JPH0785452B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1995-09-13 | 日本電気株式会社 | 磁性体膜とその製造方法 |
| JP2789806B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 軟磁性窒化合金膜の作製方法 |
| JPH04214205A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| WO1993011531A1 (fr) * | 1991-12-02 | 1993-06-10 | Nikko Kyodo Company, Limited | Tete magnetique a film mince |
| JP2586367B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 軟磁性材料とその製造方法および磁気ヘッド |
| CA2143847C (en) * | 1992-09-07 | 2004-04-06 | Colin David Tarrant | A fibre reinforced rotor |
| US5931032A (en) * | 1998-04-16 | 1999-08-03 | Gregory; Edwin H. | Cutter and blow resistant lock |
| JPH0850715A (ja) * | 1994-01-28 | 1996-02-20 | Komag Inc | 低ノイズ，高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法 |
| JPH07268610A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-17 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金薄膜 |
| US5620574A (en) * | 1994-08-26 | 1997-04-15 | Stormedia, Inc. | Method of fabricating sputter induced, micro-texturing of thin film, magnetic disc media |
| US5800931A (en) * | 1994-09-29 | 1998-09-01 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium with a MgO sputter deposited seed layer |
| JPH0917632A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
| US5909345A (en) * | 1996-02-22 | 1999-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| KR100262282B1 (ko) * | 1996-04-30 | 2000-10-02 | 니시무로 타이죠 | 자기 저항 효과 소자 |
| US6150046A (en) * | 1997-01-31 | 2000-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination magnetoresistive/inductive thin film magnetic head and its manufacturing method |
| JPH10340431A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| JP3544293B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-07-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
| US6042897A (en) * | 1997-11-17 | 2000-03-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination read/write thin film magnetic head and its manufacturing method |
| JPH11175920A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3263018B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2002-03-04 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| US6232775B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-05-15 | Alps Electric Co., Ltd | Magneto-impedance element, and azimuth sensor, autocanceler and magnetic head using the same |
| US5996213A (en) * | 1998-01-30 | 1999-12-07 | Read-Rite Corporation | Thin film MR head and method of making wherein pole trim takes place at the wafer level |
| US6228515B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-08 | Korea Institute Of Science And Technology | Underlayer for use in a high density magnetic recording media |
| JP3087715B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
| KR100270605B1 (ko) * | 1998-04-23 | 2000-12-01 | 박호군 | 철계연자성박막합금및그의제조방법 |
| JP4082785B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2000187808A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド |
| US6524491B1 (en) * | 1999-04-26 | 2003-02-25 | Headway Technologies, Inc. | Double plate-up process for fabrication of composite magnetoresistive shared poles |
| AU4431100A (en) * | 1999-05-11 | 2000-11-21 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium and its production method, and magnetic recorder |
| JP2000339635A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US6440589B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability |
| US6740353B1 (en) * | 1999-09-10 | 2004-05-25 | Tdk Corporation | Process for producing magnetic recording medium |
| JP3731640B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2006-01-05 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US6620531B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution |
| US6524724B1 (en) * | 2000-02-11 | 2003-02-25 | Seagate Technology Llc | Control of magnetic film grain structure by modifying Ni-P plating of the substrate |
| JP2001236643A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
| US6716543B2 (en) * | 2000-02-23 | 2004-04-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing same |
| US6738234B1 (en) * | 2000-03-15 | 2004-05-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic transducer |
| JP4207140B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2009-01-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| SG91343A1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-09-17 | Toshiba Kk | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| JP4309075B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2009-08-05 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
| JP3665261B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US7029772B2 (en) * | 2000-09-11 | 2006-04-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6821653B2 (en) * | 2000-09-12 | 2004-11-23 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, process for producing the same, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP2002100030A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2002100018A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並び磁気記憶装置 |
| JP2002133645A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US20020076579A1 (en) * | 2000-10-27 | 2002-06-20 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and medium substrate |
| US20020106297A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-08-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-base target and method of producing the same |
| JP3730518B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
| US6777066B1 (en) * | 2001-03-07 | 2004-08-17 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording media with improved interlayer |
| SG115476A1 (en) * | 2001-05-23 | 2005-10-28 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor and magnetic replay apparatus |
| US6682826B2 (en) * | 2001-08-01 | 2004-01-27 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US6692619B1 (en) * | 2001-08-14 | 2004-02-17 | Seagate Technology Llc | Sputtering target and method for making composite soft magnetic films |
| US6723458B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US6818331B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-11-16 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP4626840B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2003099911A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6926977B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-08-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US7138196B2 (en) * | 2001-11-09 | 2006-11-21 | Maxtor Corporation | Layered thin-film media for perpendicular magnetic recording |
| US6567236B1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-20 | International Business Machnes Corporation | Antiferromagnetically coupled thin films for magnetic recording |
| US7842409B2 (en) * | 2001-11-30 | 2010-11-30 | Seagate Technology Llc | Anti-ferromagnetically coupled perpendicular magnetic recording media with oxide |
| JP4019703B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-12-12 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP4157707B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
| JP4011355B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2007-11-21 | 富士通株式会社 | 軟磁性膜および薄膜磁気ヘッド |
| WO2003075263A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Seagate Technology Llc | Chemically ordered, cobalt-platinum alloys for magnetic recording |
| JP4270797B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2009-06-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気検出素子 |
| US6723450B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| US6912106B1 (en) * | 2002-08-06 | 2005-06-28 | Western Digital (Fremont), Inc. | Writer with a hot seed zero throat and substantially flat top pole |
| JP2004079058A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP4047114B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-02-13 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| AU2003291159A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-30 | Honeywell International Inc. | High purity nickel/vanadium sputtering components; and methods of making sputtering components |
| JP2004220656A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US20040191578A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Jingsheng Chen | Method of fabricating L10 ordered fePt or FePtX thin film with (001) orientation |
| WO2004090874A1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Showa Denko K. K. | Magnetic recording medium, method for producing thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus. |
| US7033685B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-04-25 | Seagate Technology Llc | High coercivity perpendicular magnetic recording media on polymer substrates |
| US20050196608A1 (en) * | 2003-10-08 | 2005-09-08 | Dominique Wouters | Sound damping adhesive |
| KR100590530B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록매체 |
| US7297422B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Method for sputtering magnetic recording media |
| US20050181239A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Seagate Technology Llc | Granular magnetic recording media with improved corrosion resistance by pre-carbon overcoat ion etching |
| US7837836B2 (en) * | 2004-02-12 | 2010-11-23 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multi-stage sputter deposition of uniform thickness layers |
| US7310202B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-12-18 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head with clad coil |
| JP2005276365A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | グラニュラ薄膜、垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US20060042938A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Heraeus, Inc. | Sputter target material for improved magnetic layer |
-
2005
- 2005-06-15 US US11/152,104 patent/US20060286414A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-02-14 SG SG200600955A patent/SG128541A1/en unknown
- 2006-02-23 TW TW095106134A patent/TW200643206A/zh unknown
- 2006-02-27 CZ CZ20060126A patent/CZ2006126A3/cs unknown
- 2006-03-08 KR KR1020060021927A patent/KR20060131609A/ko not_active Ceased
- 2006-03-13 CN CNA2006100678227A patent/CN1880501A/zh active Pending
- 2006-03-20 EP EP06251479A patent/EP1734513A1/en not_active Withdrawn
- 2006-03-28 JP JP2006088246A patent/JP2006351164A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1734513A1 (en) | 2006-12-20 |
| JP2006351164A (ja) | 2006-12-28 |
| KR20060131609A (ko) | 2006-12-20 |
| US20060286414A1 (en) | 2006-12-21 |
| SG128541A1 (en) | 2007-01-30 |
| TW200643206A (en) | 2006-12-16 |
| CN1880501A (zh) | 2006-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100853003B1 (ko) | 박막을 위한 개선된 산소 비화학량론적 보충 | |
| EP1930884A1 (en) | Ni-X, NI-Y, and NI-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording | |
| US20090120237A1 (en) | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions | |
| EP1717337A2 (en) | Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions | |
| CZ2006126A3 (cs) | Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody | |
| EP1783748A1 (en) | Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target | |
| CZ2005343A3 (cs) | Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody | |
| CZ2005638A3 (cs) | Vylepšené slitinové kompozice pro rozprašovací elektrody obsahující uhlík | |
| HK1094275A (en) | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions | |
| HK1091236A (en) | Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions | |
| HK1094833B (en) | Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films | |
| HK1099902A (en) | Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target | |
| CZ2005777A3 (cs) | Zlepšená formulace kompozic pro matrice kobaltový slitin | |
| HK1091235B (en) | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions | |
| WO2010134612A1 (ja) | 垂直磁気記録媒体 |