DE10357044A1 - Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten - Google Patents
Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten Download PDFInfo
- Publication number
- DE10357044A1 DE10357044A1 DE10357044A DE10357044A DE10357044A1 DE 10357044 A1 DE10357044 A1 DE 10357044A1 DE 10357044 A DE10357044 A DE 10357044A DE 10357044 A DE10357044 A DE 10357044A DE 10357044 A1 DE10357044 A1 DE 10357044A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- formula
- compound
- organic
- group
- compound according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 0 CC(N=C(C(*)=C1*)C(*)=C(*)C1=C(*)C(*)=*)=* Chemical compound CC(N=C(C(*)=C1*)C(*)=C(*)C1=C(*)C(*)=*)=* 0.000 description 6
- VEFRPEOWCXYJAC-UHFFFAOYSA-N CC(C1=C(C)O[B](OC2=O)(OC2=O)[O+]=C1C)=O Chemical compound CC(C1=C(C)O[B](OC2=O)(OC2=O)[O+]=C1C)=O VEFRPEOWCXYJAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEQXPGGOLWIXON-UHFFFAOYSA-N CC(C=C(c1cc(C(O[B]2(F)F)=CC(C)=[O]2I)cc(C(O2)=CC(C)=[O+]S2(F)F)c1)O1)=[O][B]1(F)F Chemical compound CC(C=C(c1cc(C(O[B]2(F)F)=CC(C)=[O]2I)cc(C(O2)=CC(C)=[O+]S2(F)F)c1)O1)=[O][B]1(F)F JEQXPGGOLWIXON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBYVHTGRMHHBKS-UHFFFAOYSA-N Clc(cc1)ccc1C1=[O][B]2(Oc3ccccc3O2)OC(c(cc2)ccc2Cl)=C1 Chemical compound Clc(cc1)ccc1C1=[O][B]2(Oc3ccccc3O2)OC(c(cc2)ccc2Cl)=C1 XBYVHTGRMHHBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/50—Alloying conductive materials with semiconductor bodies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
- C09B69/101—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing an anthracene dye
- C09B69/102—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing an anthracene dye containing a perylene dye
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
- C09B69/105—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing a methine or polymethine dye
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
- C09B69/109—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing other specific dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
- H10K85/6565—Oxadiazole compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Die
Erfindung betrifft die Verwendung einer organischen mesomeren Verbindung
als organischer Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden
Matrixmaterials zur Veränderung
der elektrischen Eigenschaften desselben. Um mit Dotanden zu versehene organische
Halbleiter im Produktionsprozess leichter handhaben zu können und
elektronische Bauteile mit dotierten organischen Halbleitern reproduzierbarer
herstellen zu können,
wird vorgeschlagen, als mesomere Verbindung ein Chinon oder Chinonderivat
oder ein 1,2,3-Dioxaborin oder ein 1,3,2-Dioxaborinderivat zu verwenden,
das unter gleichen Verdampfungsbedingungen eine geringere Flüchtigkeit
als Tetrafluorotetracyanochinodimethan (F4TCNQ) aufweist.
Description
- Die Erfindung betrifft die Verwendung einer organischen mesomeren Verbindung als organischer Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials zur Veränderung der elektrischen Eigenschaften desselben, ein dotiertes halbleitendes Matrixmaterial sowie ein aus diesem hergestelltes elektronisches Bauelement.
- Schon seit einigen Jahrzehnten ist das Dotieren von Siliziumhalbleitern Stand der Technik. Danach wird durch Erzeugung von Ladungsträgern im Material eine Erhöhung der zunächst recht niedrigen Leitfähigkeit sowie je nach Art des verwendeten Dotanden eine Veränderung im Fermi-Niveau des Halbleiters erreicht.
- Seit einigen Jahren ist nun aber auch bekannt geworden, dass man organische Halbleiter ebenfalls durch Dotierung hinsichtlich ihrer elektrischen Leitfähigkeit stark beeinflussen kann. Solche organischen halbleitenden Matrixmaterialien können entweder aus Verbindungen mit guten Elektronendonator-Eigenschaften oder aus Verbindungen mit guten Elektronenakzeptor-Eigenschaften aufgebaut werden. Zum Dotieren von Elektronendonator-Materialien sind starke Elektronen-Akzeptoren wie Tetracyanochinondimethan (TCNQ) oder 2,3,5,6-Tetrafluoro tetracyano-1,4-benzochinondimethan (F4TCNQ) bekannt geworden. M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3202-3204 (1998). und J. Blochwitz, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (6), 729-731 (1998). Diese erzeugen durch Elektronentransferprozesse in elektronendonatorartigen Basismaterialien (Löchertransportmaterialien) sog. Löcher, durch deren Anzahl und Beweglichkeit sich die Leitfähigkeit des Basismaterials mehr oder weniger signifikant verändert. Als Matrixmaterialien mit Löchertransporteigenschaften sind beispielsweise N,N'-perarylierte Benzidine TPD oder N,N',N''-perarylierte Starburstverbindungen, wie die Substanz TDATA, oder aber auch bestimmte Metallphthalocyanine, wie insbesondere Zinkphthalocyanin ZnPc bekannt.
- Die bisher untersuchten Verbindungen haben jedoch für eine technische Anwendung Nachteile in der Produktion dotierter halbleitender organischer Schichten oder von entsprechenden elektronischen Bauteilen mit derartigen dotierten Schichten, da die Fertigungsprozesse in großtechnischen Produktionsanlagen oder solchen im Technikumsmaßstab nicht immer ausreichend präzise gesteuert werden können, was zu hohem Steuerungs- und Regelaufwand innerhalb der Prozesse führt, um eine gewünschte Produktqualität zu erzielen, oder zu unerwünschten Toleranzen der Produkte. Ferner bestehen Nachteile bei der Verwendung bisher bekannter organischer Donatoren bezüglich der elektronischen Bauelementstrukturen wie Leuchtdioden (OLEDs), Feldeffekttransistor (FET) oder Solarzellen selber, da die genannten Produktionsschwierigkeiten bei der Handhabung der Dotanden zu unerwünschten Ungleichmäßigkeiten in den elektronischen Bauteilen oder unerwünschten Alterungseffekten der elektronischen Bauteile führen können. Gleichzeitig ist jedoch zu beachten, dass die zu verwendenden Dotanden geeignete Elektronenaffinitäten und andere für den Anwendungsfall geeignete Eigenschaften aufweisen, da beispielsweise die Dotanden unter gegebenen Bedingungen auch die Leitfähigkeit oder andere elektrische Eigenschaften der organisch halbleitenden Schicht mit bestimmen.
- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, organische Dotanden zur Dotierung organischer Halbleiter bereitzustellen, die im Produktionsprozess leichter handhabbar sind und die zu elektronischen Bauteilen führen, deren organische halbleitende Materialien reproduzierbarer herstellbar sind.
- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Verwendung einer organischen mesomeren Verbindung als organischer Dotand gelöst, die ein Chinon oder Chinonderivat, insbesondere ein unsubstituiertes, substituiertes oder anelliertes Chinon oder Chinonderivat, oder ein 1,3,2-Dioxaborin oder 1,3,2-Dioxaborinderivat, insbesondere ein unsubstituiertes, substituiertes oder anelliertes 1,3,2-Dioxaborin oder 1,3,2-Dioxaborinderivat ist und die unter gleichen Verdampfungsbedingungen eine geringere Flüchtigkeit als Tetrafluorotetracyanochinondimethan (F4TCNQ) aufweist. Als Chinonderivat im Sinne der Erfindung sind insbesondere chinoide Systeme zu verstehen, bei denen ein, zwei oder mehr chinoide Sauerstoffatome durch einen mesomer und/oder induktiv elektronenziehenden, doppelbindungsgebundenen Substituenten ersetzt ist/sind, insbesondere durch einen solchen weiter unten angegebenen Substituenten. Unter induktiv elektronenziehend sind solche Reste zu verstehen, die gegenüber Kohlenstoff einen, insbesondere ungesättigten, Kohlenwasserstoff einen -I-Effekt aufweisen. Durch die höhere Verdampfungstemperatur bzw, geringere Flüchigkeit unter gleichen Bedingungen können die Produktionsprozesse besser kontrolliert und damit mit geringerem Aufwand und reproduzierbarer durchgeführt werden, wobei durch die Bereitstellung von Chinonen bzw. deren Derivaten oder 1,3,2-Dioxaborinen bzw. deren Derivaten als Dotanden diese in den jeweiligen Bauteilen bei geringen Diffusionskoeffizienten, die zeitlich gleichbleibende Bauelementstrukturen gewährleisten, eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit der organischen halbleitenden Matrix bei günstiger Elektronenaffinität der Dotanden ermöglichen. Ferner kann durch die Dotanden die Ladungsträgerinjektion von Kontakten in die dotierte Schicht verbessert werden. Ferner kann das dotierte organische Halbleitermaterial bzw. das resultierende elektronische Bauteil aufgrund der erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen eine verbesserte Langzeitstabilität aufweisen. Dies betrifft beispielsweise eine Verringerung der Dotandenkonzentration mit der Zeit. Ferner betrifft dies die Stabilität der dotierten Schicht, die benachbart zu undotierten Schichten eines elektrooptischen Bauteils angeordnet ist, so dass elektrooptische Bauteile mit erhöhter Langzeitstabilität der elektrooptischen Eigenschaften wie Lichtausbeute bei einer vorgegebenen Wellenlänge, Wirksamkeit einer Solarzelle oder dergleichen resultieren.
- Bevorzugte Fortbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Die Flüchtigkeit kann hierbei als der unter gleichen Bedingungen (beispielsweise einem Druck von 2 × 10-4 Pa und einer vorgegebenen Verdampfungstemperatur, beispielsweise 150°C) gemessene Verdampfungsrate oder als Bedampfungsrate eines Substrats gemessen als Schichtdickenwachstum je Zeiteinheit (nm/s) unter sonst gleichen Bedingungen bestimmt werden. Vorzugsweise beträgt die Flüchtigkeit der erfindungsgemäßen Verbindungen das ≤ 0,95- oder 0,9-fache, besonders bevorzugt das ≤ 0,8-fache, weiter bevorzugt das ≤ 0,5-fache, besonders bevorzugt das ≤ 0,1-fache oder das ≤ 0,05-fache oder ≤ 0,01-fache von F4TCNQ oder weniger.
- Die Bedampfungsrate des Substrats mit den erfindungsgemäßen Verbindungen kann beispielsweise unter Verwendung eines Quartzdickenmonitors bestimmt wird, wie er beispielsweise bei der Herstellung von OLEDs üblicherweise eingesetzt wird. Insbesondere kann das Verhältnis der Bedampfungsraten von Matrixmaterialien und Dotanden durch unabhängige Messungen derselben unter Verwendung von zwei getrennten Quartzdickenmonitoren gemessen werden, um das Dotierungsverhältnis einzustellen.
- Die Flüchtigkeit relativ zu der von F4TCNQ kann sich jeweils auf die der reinen Verbindung oder auf die Flüchtigkeit aus einem gegebenen Matrixmaterial, beispielsweise ZnPc, beziehen.
- Es versteht sich, dass die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen vorzugsweise derart beschaffen sind, dass sie mehr oder weniger oder praktisch unzersetzt verdampfen. Es können unter Umständen jedoch auch zielgerichtet Precursor als Dotandenquelle eingesetzt werden, die die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen freisetzen, beispielsweise Säureadditionssalze, beispielsweise einer flüchtigen oder nichtflüchtigen anorganischen oder organischen Säure, oder Charge-Transfer-Komplexe derselben, wobei die Säuren bzw. Elektronen-Donatoren vorzugsweise nicht oder nur gering flüchtig sind oder der Charge-Transfer-Komplex selber als Dotand wirkt.
- Vorzugsweise ist der Dotand derart ausgewählt, dass er unter sonst gleichen Bedingungen wie insbesondere Dotierungskonzentration (Molverhältnis Dotand:Matrix, Schichtdicke, Stromstärke) bei gegebenem Matrixmaterial (beispielsweise Zinkphtalocyanin oder einem anderen weiter unten genannten Matrixmaterial) eine genau so hohe oder vorzugsweise eine höhere Leitfähigkeit erzeugt als F4TCNQ, beispielsweise eine Leitfähigkeit (S/cm) von größer/gleich dem 1,1-fachen, 1,2-fachen oder größer/gleich dem 1,5-fachen oder zweifachen derjenigen von F4TCNQ als Dotand.
- Vorzugsweise ist der erfindungsgemäß verwendete Dotand derart ausgewählt, dass das mit diesem dotierte halbleitende organische Matrixmaterial nach einer Temperaturänderung von 100°C auf Raumtemperatur (20°C) noch ≥ 20%, vorzugsweise ≥ 30%, besonders bevorzugt ≥ 50% oder 60% der Leitfähigkeit (S/cm) des Wertes bei 100°C aufweist.
- Als Dotanden für die genannten bevorzugten Lochtransportmaterialen HT können erfindungsgemäß zum einen verschiedene Chinonderivate und desweiteren 1,3,2-Dioxaborine zum Einsatz kommen.
- Chinoide Strukturen
- In erfindungsgemäß verwendeten chinoiden Verbindungen können ein, zwei, drei oder vier oder sämtliche chinoide =O-Gruppen der chinoiden Verbindung, die ein ortho- oder para-chinoides System darstellen kann, wobei bei mehrkernigen chinoiden Systemen auch gemischte ortho-para chinoide Systeme auftreten können, aus der Gruppe ausgewählt sein, wie sie nachfolgend für die Substituenten S1 bis S11, S13 bis S21 definiert sind, gegebenenfalls auch ohne S1, wobei die Substituenten untenstehend definiert sind.
- Für eine erfindungsgemäß verwendete chinoide Verbindung können ein, zwei, drei, vier oder mehr oder sämtliche Substituenten für eine chinoide =O-Gruppe ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus S1-S11, S14-S16, gegebenenfalls auch ohne S1, oder ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus S1, S5-S14 und S16, gegebenenfalls auch ohne S1, oder ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus S3, S4, S6-S10, S15, S16, gegebenenfalls auch ohne S1.
- Es können auch für eine erfindungsgemäß verwendete chinoide Verbindung ein, zwei, drei, vier oder mehr oder sämtliche Substituenten für eine chinoide =O-Gruppe ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus S1, S5, S7-S9, S11, S14, S16-21, gegebenenfalls auch ohne S1, oder aus der Gruppe S1, S5, S8, S9, S11, S14, S16, S18, gegebenenfalls auch ohne S1.
- Insbesondere können ein, zwei, drei, vier oder mehr oder sämtliche Substituenten für eine chinoide Gruppe =O sein =C(CN)2 oder =N (CN) oder =N(NO2) oder =C(CN) (C(O)R) oder =N(C(O)R). Vorzugsweise enthalten ein, zwei, drei oder vier oder mehr oder sämtliche chinoide Substituenten des chinoiden Systems eine mesomer verbundene -NO2 und/oder -C(O)R Gruppe.
- Verbindungen mit folgenden chinoiden Grundgerüsten können er findungsgemäß eingesetzt werden. wobei in den Verbindungen 3, 3b, 3c m sein kann: 0,1,2,3,4 bis 6 oder größer,
und wobei ferner in den Verbindungen 25-27 der Substituent Z einer Gruppe M gleich oder verschieden sein kann von einem anderen Substituenten X, Y, V, W,
wobei in Verbindung 25 die beiden Gruppen M oder für M gleich =C=Z die beiden Gruppen Z gleich oder verschieden sein können, und wobei in Verbindung 32 vorzugsweise eine oder beide Gruppen M nicht =C=Z sind. - Es versteht sich, dass die angegebenen Verbindungen jeweils sämtliche Stereoisomere umfassen können, insbesondere syn- und anti-Isomere, sofern diese jeweils sterisch möglich sind.
- Die Substituenten T, U, V, W, X, Y und Z stellen hierbei vorzugsweise mesomer und/oder bezogen auf Kohlenstoff oder einen Kohlenwasserstoff, insbesondere einen gesättigten Kohlenwasserstoff, induktiv ziehende doppelbindungsgebundene Substituenten dar.
- Insbesondere können für die Verbindungen 1-33 die Substituenten T, U, V, W, X, Y und/oder Z jeweils unterschiedlich oder gleich sein und ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus: wobei R vorzugsweise ein organischer Rest oder Wasserstoff ist. R17 kann insbesondere auch -CF3 oder Perfluoralkyl, insbesondere mit C1-C6, sein. Ist der Substituent S17, so sind X und Y des Substituenten S17 vorzugsweise nicht wiederum S17 und/oder S18 bis S21.
- Die Substituenten T, U, V, W, X und/oder Z können in den Verbindungen 1-33 insbesondere jeweils gleich oder verschieden sein und ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus wobei R vorzugsweise ein organischer Rest oder Wasserstoff ist, wobei R17 der Gruppe S8 insbesondere auch -CF3 oder allgemein Perfluoralkyl, insbesondere mit C1 bis C6, sein. Insbesondere können ein, zwei, drei, vier oder sämtlich der Substituenten aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können X und Y gleich oder verschieden sein und X oder Y oder X und Y können aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können alternativ oder zusätzlich V und W gleich oder verschieden sein und V oder W oder V und W können aus dieser Gruppe ausgewählt sein.
- Die Substituenten T, U, V, W, X, Y und/oder Z können in den Verbindungen 1 bis 33 jeweils gleich oder verschieden sein und ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus wobei R vorzugsweise ein organischer Rest oder Wasserstoff ist, wobei R17 der Gruppe S8 insbesondere auch -CF3 oder allgemein Perfluoralkyl, insbesondere mit C1 bis C6 sein kann. Insbesondere können ein, zwei, drei, vier oder sämtliche der Substituenten aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können X und Y gleich oder verschieden sein und X oder Y oder X und Y können aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können alternativ oder zusätzlich V und W gleich oder verschieden sein und V oder W oder V und W können aus dieser Gruppe ausgewählt sein.
- Die Substituenten T, U, V, W, X, Y und/oder Z können in den Verbindungen 1 bis 33 jeweils gleich oder verschieden sein und ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus wobei R vorzugsweise ein organischer Rest oder Wasserstoff ist, wobei R17 der Gruppe S8 insbesondere auch -CF3 oder allgemein Perfluoralkyl, insbesondere mit C1 bis C6 sein kann. Insbesondere können ein, zwei, drei, vier oder sämtliche der Substituenten aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können X und Y gleich oder verschieden sein und X oder Y oder X und Y können aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können alternativ oder zusätzlich V und W gleich oder verschieden sein und V oder W oder V und W können aus dieser Gruppe ausgewählt sein.
- Es können die Substituenten T, U, V, W, X, Y und/oder Z in den Verbindungen 1 bis 33 auch jeweils gleich oder verschieden sein und ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus S1, S5, S7-S9, S11, S14, S16-21, gegebenenfalls auch ohne S1, oder aus der Gruppe S1, S5, S8, S9, S11, S14, S16, S18, gegebenenfalls auch ohne S1. Insbesondere können ein, zwei, drei, vier oder sämtliche der Substituenten aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können X und Y gleich oder verschieden sein und X oder Y oder X und Y können aus dieser Gruppe ausgewählt sein. Insbesondere können alternativ oder zusätzlich V und W gleich oder verschieden sein und V oder W oder V und W können aus dieser Gruppe ausgewählt sein.
- Für die Verbindungen 1 bis 33 können die folgenden Beziehungen zwischen den Subsituenten gelten. Die folgenden Substituentenbeziehungen können insbesondere gelten für die Gruppe der Substituenten S1 bis S21. Die folgenden Substituentenbeziehungen können gelten für die Gruppe der Substituenten S1 bis S11, S14 bis S16. Die folgenden Substituentenbeziehungen können gelten für die Gruppe der Substituenten S1, S5-S14, S16. Die folgenden Substituentenbeziehungen können gelten für die Gruppe S3, S4, S6-S10, S15, S16.
- Es können X und/oder Y nicht oder nicht gleichzeitig =O oder =C(CN)2 sein. Dies gilt insbesondere für einen einkernigen chinoiden Dotanden, dessen Substituenten vorzugsweise ein oder kein aromatisches Ringsystem bilden oder darstellen. Insbesondere kann dies für die Verbindungen 1 und 20 gelten. Alternativ oder zusätzlich können V und/oder W nicht oder nicht gleichzeitig =O oder =C(CN)2 sein.
- Vorzugsweise sind in der erfindungsgemäß verwendeten Verbindung jeweils = X und = X gleich und/oder es sind = U und = T gleich und/oder es sind = V und = W gleich.
- Vorzugweise sind jeweils die Substituenten AA und BB gleich, sie können auch verschieden voneinander sein.
- Es können zumindest einer oder zwei der Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z oder sämtliche Substi tuenten aus der genannten Gruppe verschieden von = O sein.
- Es können = X und = Y verschieden von = 0 sein.
- Vorzugsweise ist zumindest einer oder zwei der Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe verschieden von = S.
- Vorzugsweise ist zumindest einer oder beide Substituenten aus der Gruppe =X und =Y verschieden von =S.
- Es kann zumindest einer oder zwei der Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe verschieden sein von = C(CN)2.
- Es kann zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y verschieden sein von = C(CN)2.
- Vorzugsweise ist zumindest einer oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y gleich = N(CN). Vorzugsweise ist alternativ oder zusätzlich einer oder beide Substituenten = V und = W gleich = N(CN) und/oder einer oder beide Substituenten = U und = T gleich = N(CN).
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y und/oder ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = V und = W gleich = N(NO2).
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y und/oder ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = V und = W gleich = NR, wobei R auch -CF3 oder allgemein Perfluoralkyl, insbesondere mit C1-C6, sein kann.
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y und/oder ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = V und = W gleich = N (C(O)R18.
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y und/oder ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = V und = W gleich = C(NO2)2.
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y und/oder ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = V und = W gleich = C (C(O)R13) (C(O)R14).
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = X und = Y und/oder ein oder beide Substituenten aus der Gruppe = V und = W gleich = C(CF3)2 oder allgemein = C(Perfluoraklyl)2, insbesondere mit C1-6, sein.
- Vorzugsweise sind zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich = N(CN).
- Vorzugsweise sind zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich = C(NO2)2 oder enthalten eine mit dem chinoiden System konjugierte NO2-Gruppe.
- Vorzugsweise sind zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich = N(NO2).
- Vorzugsweise sind zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich = NR, wobei R insbesondere auch -CF3 oder Perfluoralkyl mit insbesondere C1-6, sein kann.
- Vorzugsweise sind zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich =N(C(O)R18).
- Vorzugsweise sind zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich = C (C(O)R13) (C(O)R14) oder enthalten eine mit dem chinoiden System konjugierte C(O)R-Gruppe.
- Vorzugsweise ist zumindest ein oder zwei oder mehr oder sämtliche Substituenten aus der Gruppe = X, = Y, = U, = V, = T, = W, = Z gleich = C(CF3)2 oder allgemein = C(Perfluoralkyl)2, insbesondere mit C1-6.
- Insbesondere können für die Verbindungen 1-31 jeweils X = Y sein oder es können alle Substituenten X, Y, U, V, T, W, Z gleich sein, ohne hierauf beschränkt zu sein. Entsprechend können bei einer chinoiden Verbindung allgemein alle chinoide Substituenten gleich sein.
- Gegebenenfalls sind X oder Y oder X und Y nicht gleich 0, insbesondere für die Verbindungen oder 1 oder 20 oder für Verbindungen mit nur einem chinoiden Ring. Gegebenenfalls sind X oder Y oder X und Y nicht gleich S, insbesondere für die Verbindungen 1 oder 20. Gegebenenfalls sind X oder Y oder X und Y nicht gleich = C(CN)2, insbesondere für die Verbindungen 1 oder 20. Dies gilt insbesondere für eine Verbindung mit nur einem 6-gliedrigen chinoiden Ring, insbesondere für einen Ring mit 6 C-Atomen.
- Weist die Verbindung zumindest eine oder zwei oder mehr chinoide =O-Gruppen und/oder =S-Gruppen auf, insbesondere wenn dies in einer der Verbindungen 1 bis 33 für T, U, V, W, X, Y oder Z gilt, besonders im Falle wenn X oder Y oder X und Y gleich O oder S ist, so ist der chinoide Ring, insbesondere wenn nur ein chinoider Ring vorliegt, vorzugsweise mit mindestens einem oder mindestens zwei Arylresten, von denen einer, mehrere oder sämtliche auch Heteroatome aufweisen können, anelliert oder substituiert.
- Die Substituenten AA und/oder BB sind doppelbindige, mesomer und/oder induktiv elektronenziehende Substituenten, vorzugsweise ausgewählt aus der nachfolgend angegebenen Gruppe wobei gegebenenfalls auch andere geeignete zweibindige, insbesondere auch doppelbindige, Substituenten eingestzt werden können. R28 kann insbesondere auch -CF3 oder eine andere Perfluoroalkylgruppe, vorzugsweise mit C1-6, sein.
- Die erfindungsgemäße Verbindung kann ein chinoides System mit einem chinoiden Ring und 1, 2 oder 3 oder mehr anellierten und/oder jeweils einen Rest R bildenden aromatischen Ringen darstellen. Die aromatischen Ringe können jeweils ein oder mehrere Heteroatome aufweisen und substituiert oder unsubstituiert sein. Das chinoide System kann ein ortho- oder para-chinoides System sein. Das chinoide System kann insbesondere aus der Gruppe der Verbindungen 1-33 ausgewählt sein, ohne hierauf beschränkt zu sein. Ein, zwei, drei oder mehr oder sämtliche der aromatischen Ringe können auch durch eine Gruppe -M1-C(R)=C(R)-M2- oder -M1-C(=Z)-M2- mit M1, M2 gleich und/oder ungleich und ausgewählt aus der Gruppe -O-, -S-, -NR- sein.
- Die Erfindung umfasst ferner Verbindungen mit einem chinoiden System aus zwei Ringen aus jeweils 5 oder 6 Ringatomen, die mit 1,2,3,4,5 oder 6 oder mehr aromatischen Ringen anelliert und/oder unter Bildung eines Restes R substituiert sein können. Die aromatischen Ringe können substituiert oder unsubstituiert sein.
- Die Ringe weisen vorzugsweise jeweils 6 Atome, die 6 Kohlenstoffatome sein können, auf. In einem oder mehreren Ringen oder je Verbindung insgesamt können 1, 2, 3 oder 4 oder mehr C-Atome durch Heteroatome wie O, S, N ersetzt sein. Verschiedene chinoide Systeme können anelliert, durch eine oder mehrere Doppel- oder Dreifachbindungen, die C-C-Bindung oder Heteroatom-C-Bindungen sein können, mesomer verbunden oder anderweitig verknüpft sein. Die Verbindung kann insbesondere ausgewählt sein aus der Gruppe der Verbindungen 1-33, ohne hierauf beschränkt zu sein. Ein, zwei, drei oder mehr oder sämtliche der aromatischen Ringe können auch durch eine Gruppe -M1-C(R)=C(R)-M2- oder -M1-C(=Z)-M2- mit M1, M2 gleich und/oder ungleich und ausgewählt aus der Gruppe -O-, -S-, -NR- sein.
- Ferner betrifft die Erfindung Verbindungen mit 3 oder 4 chinoiden Ringen aus jeweils unabhängig voneinander 5 oder 6 Atomen, die 1,2,3,4,5,6,7,8,9 oder 10 anellierte oder einen Rest R bildenden aromatische Ringe mit 6 Atomen aufweisen können. Die aromatischen Ringe können substituiert oder unsubstituiert sein. Von den Kohlenstoffatomen eines Ringes, mehrerer Ringe oder der Verbindung insgesamt können 1,2,3 oder 4 Atome Heteroatome wie O, N oder P sind. Die Verbindung kann insbesondere ausgewählt sein aus der Gruppe der Verbindungen 1-33, ohne hierauf beschränkt zu sein. Ein, zwei, drei oder mehr oder sämtliche der aromatischen Ringe können auch durch eine Gruppe -M1-C(R)=C(R)-M2- oder -M1-C(=Z)-M2- mit M1, M2 gleich und/oder ungleich und ausgewählt aus der Gruppe -O-, -S-, -NR- sein.
- Unabhängig hiervon können die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen 1,2,3,4,5,6,7,8,9 oder 10 Arylreste aufweisen, von denen vorzugsweise zumindest einer, mehrere oder besonders be vorzugt sämtliche mit einem oder mehreren chinoiden Systemen und/oder untereinander anelliert sind und/oder die Reste R bilden. Die aromatischen Ringe können substituiert oder unsubstituiert sein. Unter Arylresten seien hier auch Heteroarylreste verstanden. Die Arylreste können jeweils zwei chinoide Ringe miteinander verknüpfen, vorzugsweise unter mesomerer Verknüpfung der chinoiden Ringe. Das chinoide System kann insbesondere aus der Gruppe der Verbindungen 1-33 ausgewählt sein, ohne hierauf beschränkt zu sein. Ein, zwei, drei oder mehr oder sämtliche der aromatischen Ringe können auch durch eine Gruppe -M1-C(R)=C(R)-M2- oder -M1-C(=Z)-M2- mit M1, M2 gleich und/oder ungleich und ausgewählt aus der Gruppe -O-, -S-, -NR- sein. So können beispielsweise in den Verbindungen 4, 22 oder 23 jeweils 2 oder 3 oder mehr (Hetero)arylringe zwischen den chinoiden Ringen, diese verbrückend, angeordnet sein.
- Die aromatischen Ringe der genannten chinoiden Systeme und/oder die Gruppen -M1-C(R)=C(R)-M2- oder -M1-C(= Z)-M2- sind vorzugsweise perhalogeniert, insbesondere perfluoriert oder percyanosubstituiert. Vorzugsweise sind keine weiteren nicht-aromatischen und/oder nicht-chinoiden Ringe enthalten.
- Unabhängig hiervon können die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen 2,3,4,5 oder 6 oder mehr chinoide Ringsysteme aufweisen. Vorzugsweise sind einer, mehrere oder sämtliche der chinoiden Ringe 5- oder 6-gliedrig. Ringkohlenstoffatome können durch Heteroatome ersetzt sein. Zumindest zwei, mehrere oder sämtliche der chinoiden Ringe können miteinander unter mesomerer Verknüpfung zu einem größeren chinoiden System anelliert oder durch eine oder mehrere Brücken miteinander mesomer verknüpft oder nicht unter Bildung eines größeren mesomeren Systems verknüpft sein. Die Verbindung kann insbesondere ausgewählt sein aus der Gruppe der Verbindungen 1-33, ohne hierauf beschränkt zu sein. Das chinoide System kann insbesondere aus der Gruppe der Verbindungen 1-33 ausgewählt sein, ohne hierauf beschränkt zu sein. Ein, zwei, drei oder mehr oder sämtliche der aromatischen Ringe können auch durch eine Gruppe -M1-C(R)=C(R)-M2- oder -M1-C(=Z)-M2- mit M1, M2 gleich und/oder ungleich und ausgewählt aus der Gruppe -O-, -S-, -NR- sein.
- Die Substituenten A, B, K, D, E, F, G; H der Verbindungen 14 und 15 können unterschiedlich oder auch gleich sein und folgende Strukturen annehmen, Imin-Stickstoff =N- , Phosphin =P- oder substituierten Methylenkohlenstoff =C-R1-8.
- Es versteht sich, dass in allen erfindungsmäßen Verbindungen ein, mehrere oder sämtliche N-Atome jeweils durch P-Atome ersetzt sein können.
- Insbesondere können folgende Verbindungen mit folgenden Substitutionsmustern erfindungsgemäß verwendet werden:
Die Verbindungen 1, 2, 3(m=0), 3(m=1), 3(m=3), 3(m=4), 3b(m=1), 3b (m=2), 3b(m=3), 3b (m=4), 3c(m=1), 3c(m=2), 3c(m=3), 3c(m=4), 6, 7, 10, 11, 11a, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21 (für M ungleich =C=Z), 26 (für M ungleich =C=Z), 27 (für M gleich -O-, -S-, -NR- oder =C=Z mit Z = S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20 oder S21) , 28 (für U = S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20 oder S21), 30 (mit M gleich -O-, -S-, -NR- oder =C=T mit T = S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20 oder S21), 32, 33
weisen insbesondere jeweils folgende konkrete Substitutionsmuster auf, wobei jeder einzelnen der Verbindungen nachfolgend der Substituent X einer ersten Zeile und der darunterstehende Substituent Y der nachfolgenden Zeile zugeordnet ist
mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9
Y: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13,
Y: S1, S2, S3, S4, 55, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S21
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit jeweils X und Y wie folgt:
X: S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21,
Y: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21
Y: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21. - Die Verbindungen 4, 5, 5b, 5c, 8, 9, 12, 21 (wobei 2 Reste M gleich V und W sind), 22, 23, 24, 24a, 24b, 25 und 26 (für M ungleich =C=Z), 27 (für M ungleich =C=Z), 29, 31 weisen insbesondere jeweils folgende konkrete Substitutionsmuster auf, wobei jeder einzelnen der Verbindungen nachfolgend der Substituent X einer ersten Zeile und der darunterstehende Substituent V, wie jeweils am Zeilenbeginn angegeben, der nachfolgenden Zeile zugeordnet ist
mit X=Y und V=W
und mit X und V wie folgt:
X: S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S1, S1, S1, S1, S1, S1, S1
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S2, S2, S2, S2, S2, S2, S2
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3, 53, S3, S3,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S3, S3, S3, S3, S3, S3, S3
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S4, S4, S4, S4, S4, S4, S4
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S5, S5, S5, S5, S5, S5, S5
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S6, 56, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S6, S6, S6, S6, S6, S6, S6
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S7, S7, S7, S7, S7, S7, S7
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S8, S8, S8, S8, S8, S8, S8
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14,
X: S9, S9, S9, S9, S9, S9, S9
V: S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10, S10
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11, S11
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12, S12
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13, S13
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14, S14
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15, S15
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16, S16
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17, S17
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18, S18
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19, S19
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, 57, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S20, S21
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21
oder mit X und V wie folgt:
X: S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21,
V: S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,
X: S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21, S21
V: S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20, S21. - Die Erfindung umfasst ferner die genannten Verbindungen 4, 5, 5b, 5c, 8, 9, 12, 21 (wobei 2 Reste M gleich V und W sind), 22, 23, 24, 24a, 24b, 25 und 26 (für M ungleich =C=Z), 27 (für M ungleich =C=Z), 29, 31 wenn für die Substituenten gilt X = V und Y = W mit den konkreten Substitutionsmustern, wenn in den oben genannten Tabellen für diese Verbindungen V durch Y ersetzt wird und wenn jeder einzelnen der Verbindungen nachfolgend der Substituent X einer ersten Zeile und der darunterstehende Substituent Y der nachfolgenden Zeile zugeordnet ist.
- Die Erfindung umfasst ferner die genannten Verbindungen 4, 5, 5b, 5c, 8, 9, 12, 21 (wobei 2 Reste M gleich V und W sind), 22, 23, 24, 24a, 24b, 25 und 26 (für M ungleich =C=Z), 27 (für M ungleich =C=Z), 29, 31 wenn für die Substituenten gilt X = W und Y = V mit den konkreten Substitutionsmustern, wenn jeder einzelnen der Verbindungen nachfolgend der Substituent X einer ersten Zeile und der darunterstehende Substituent Y der nachfolgenden Zeile zugeordnet ist.
- In den Verbindungen 21, 25 und 26 können hierbei beide Reste gleich oder unabhängig voneinander sein: -S-, -O-, -NR- oder =C =Z mit Z=S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12, S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20 oder S21.
- Die Reste R1 bis R32 können gleich oder verschieden und ausge wählt sein aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, Halogen, (insbesondere -F, -Cl), Cyano, Nitro, Nitroso, Sulfamid (unsubstituiert oder substituiert, insbesondere C1-C6 mono oder di-Alkyl substituiert), Carboxy, C1-C7 Carbalkoxy, C1-C7 Sulfo, Sulfohalogen (insbesondere -F oder -Cl), Halogencarbonyl (insbesondere F oder -Cl), Carbamoyl (unsubstituiert oder substituiert, insbesondere C1-C6 N monosubstituiert oder gleich oder unabhängig voneinander N-C1-C6 disubstituiert), Formyl, Amidinformyl, C1-C6 Alkylsulfanyl, C1-C6 Alkylsulfonyl, C1-C25 Kohlenwasserstoff, vorzugsweise C1-C14 Kohlenwasserstoff oder C1 bis C10 oder C1 bis 6 Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder sämtliche der Kohlenstoffatome der Gruppe mit einem oder mehreren oben genannten Resten substituiert sein kann, wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungestättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff sein kann. Die Kohlenwasserstoffgruppen können jeweils insbesondere perhalogeniert, perchloriert oder perfluoriert (insbesondere Trifluormethyl) sein. Die Kohlenwasserstoffgruppen können linear oder verzweigt oder cyclisch sein, beispielsweise Cyclohexyl oder Cyclopentyl. Ein oder mehrere Kohlenstoffatome können jeweils durch Heteroatome, insbesondere N, O, S, -(O)S(O)- oder P(R) ersetzt sein. Die (Hetero)kohlenwasserstoffreste können untereinander oder mit einem chinoiden oder anderem Ring, beispeelsweise einem (Hetero)arylring cyclisch verknüpft sein.
- Insbesondere können die Reste R1 bis R32 eine der Gruppen Acetyl-, Trifluoracetyl-, Benzoyl-, Pentafluorbenzoyl-, Naphthoyl- oder Alkoxycarbonyl, wobei der Alkylrest ein Alkyl mit einem bis sechs oder bis zehn, insbesondere bis vier, unverzweigt oder verzweigt miteinander verbundenen C-Atomen sein kann, sowie Trialkylphosphoryl mit Alkylresten, die ebenfalls aus einer Kette mit bis zu fünf oder sechs oder acht unverzweigt oder verzweigt oder cyclisch miteinander verknüpften Kohlenstoffatomen bestehen können, oder Triarylphosphoryl mit Arylresten mit vorzugsweise 6 bis 14 C-Atomen, insbesondere bis 10 C-Atomen.
- Weiterhin können die Reste R1 – R32, die gleich oder untereinander verschieden sein können, entweder Aryl oder Heteroaryl, wie z.B. Phenyl, Naphthyl, Anthranyl, Pyridyl, Chinoxalyl, Pyrazolyl, Oxazolyl, 1,3,2-Dioxaborinyl oder 1,3,4 Oxdiazolyl sein, die entweder durch Wasserstoff oder ein niederes Alkyl mit einem bis acht gesättigten Kohlenstoffatomen, die unverzweigt oder verzweigt oder cyclisch miteinander verbunden sein können, vorzugsweise jedoch durch Halogen, dabei vor allen Fluor oder Chlor, Trichlormethyl, Perfluoralkyl mit einem bis zu sechs Kohlenstoffatomen, dabei insbesonders Trifluormethyl, aber auch durch Cyano, Nitro, Nitroso, Sulfo, Carboxy, Carbalkoxy, Halogencarbonyl, Carbamoyl, Formyl, Amidinformyl, Alkylsulfanyl und Alkylsulfonyl, wobei die Alkylreste hier wiederum aus einer Kette mit bis zu fünf oder sechs oder bis zu acht unverzweigt oder verzweigt oder cyclisch miteinander verknüpften Kohlenstoffatomen bestehen können, sowie durch Trialkylphosphoryl mit Alkylresten, die ebenfalls aus einer Kette mit bis zu fünf oder sechs oder bis zu acht unverzweigt oder verzweigt miteinander verknüpften Kohlenstoffatomen bestehen können, substituiert sein. Insbesondere können die Aryl- oder Heteroarylreste perhalogeniert, insbesondere perfluoriert sein.
- Die Reste R2, R3, R4, R5, R6 in den Verbindungen 3, 3b, 3c oder Formeln IV, V oder VI können für verschiedene n oder m gleich oder unterschiedlich sein.
- Die Reste R1 bis R32, die mit einem chinoiden oder aromatischen System einer erfindungsgemäß verwendeten Verbindung verbunden und zueinander benachbart angeordnet und durch zwei, drei oder vier Atome der chinoiden oder aromatischen Gerüststruktur getrennt sind, können miteinander unter Ausbildung eines carbocyclischen, insbesondere aromatischen Ringes, oder heterocyclischen, insbesondere heterocarbocyclischen Ringes verbunden sein. Dies gilt insbesondere für die Verbindungen 1 bis 33, aber auch für andere erfindungsgemäß verwendete Chinone oder Chinonderivate. Dies gilt beispielsweise jeweils paarweise al ternativ oder gleichzeitig für die Reste R1, R2 und/oder R3, R4 der Verbindungen 1, 3, 3b, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 23, 24, 25, 27, 28, die Reste R1, R2; R2, R3; R4, R5 und/oder R5, R6 der Verbindung 2, die Reste R1, R2; R3, R4; R5, R6; R7, R8 der Verbindung 3, die Reste R5, R6; R7, R8 der Verbindungen 28, 29 oder andere. Die überbrückende Atomgruppe kann insbesondere eine Gruppe bilden, die ausgewählt ist aus
-L1-C(R1) = C(R2)-L2- mit L=O, S, NR oder CR14R15,
oder -C(XC(Y) -C(R1) = C(R2)-
oder -C(= X)C(R3) = C(R4)-C(= Y)-
oder -C(= X)-L-C (= Y)- mit L=O, S, NR, CR14R15
mit X und Y wie oben definiert und vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe wobei die Reste R13 der verschiedenen Gruppen verschieden sein können. Die angegebenen überbrückenden Atomgruppen können insbesondere vorgesehen sein, wenn X und/oder Y gleich =O oder =S oder =C(CN)2 ist. Insbesondere kann dann L gleich -O- oder -S- oder -NR- sein. - Je zwei benachbarte Reste von R1 – R32 können aber auch über eine Carboxy- -(CO)- oder eine Carbimidgruppe -(CNR)- , wobei für dieses R das analoge Substitutionsmuster wie für R1 – R30 gilt, miteinander verbunden sein. Es ist aber auch möglich, das zwei benachbarte Reste R so über Kohlenstoffatome oder Heteroatome miteinander verknüpft sind, dass ein neues carbocyclisches oder heterocyclisches Strukturelement an das jeweilige cyclische Grundgerüst ankondensiert ist. Beispielsweise können im Verbin dungstyp 1 die Reste R1 und R2 sowie auch R3 und R4 für einen ankondensierten Benzo- oder Naphthorest, aber auch für einen ankondensierten Thiophen-, Furan-, 1,3,4-Oxdiazol-, Pyridin-, Pyrazin-, Triazin-, Tetrazin-, Pyran-, Thiopyran-, Dithiin-, Phosphorin-, Phthalsäureanhydrid, Phthalsäureimid bzw. Dithiazol-Rest stehen, wobei diese Reste wieder ausschließlich oder teilweise durch weitere elektronenziehende Gruppierungen, wie Halogen, darunter vorzugsweise Fluor oder Chlor, Trifluormethyl oder Cyan, Nitro, Nitroso, Sulfo, Carboxy, Carbalkoxy, Halogencarbonyl, Carbamoyl, Formyl, Amidinformyl substituiert sein können. Analoges gilt für die Reste R1 und R2 bzw. R2 und R3 oder für die Reste R4 und R5 bzw. R5 und R6 im Verbindungstyp 2 sowie für die Reste R1 und R2, R3 und R4, R5 und R6 sowie R7 und R8 im Verbindungstyp 3, sowie für die Reste R2 und R3 bzw. R5 und R6 im Verbindungstyp 4 bzw. 5, sowie für die entsprechenden Paare der Reste R der anderen Verbindungen, die einander ausreichend nahe kommen, um einen 5- oder 6-gliedrigen Ring zu bilden.
- Die verbrückte Trans-Diketoform von Verbindung 8 kann z.B. zu den Strukturen 28 oder 29 führen. In der Formel 26 kann der Carbonsäureanhydrid-Sauerstoff auch durch eine substituierte Stickstoffgruppe =N-R1 ersetzt werden und damit eine Carbonsäureimidstruktur ausbilden.
- Die aromatischen Reste, mit denen die chinoiden Systeme substituiert und/oder anelliert sein können, können perhalogeniert sein, insbesondere perfluoriert, perchloriert oder perfluorochloriert. Gegebenenfalls können einige, beispielsweise bis zur Hälfte oder mehr der Halogenatome durch Wasserstoff ersetzt sein. Entsprechendes kann auch alternativ oder gleichzeitig für die Reste R der chinoiden Systeme gelten. Anstelle der Halogenatome können an den aromatischen Resten und/oder den chinoiden Systemen auch CN-Gruppen vorgesehen sein.
- Jeweils zwei chinoide Systeme Ch1 und Ch2 können unter Bildung einer Verbindung Ch1-ZB-Ch2 über einen Rest ZB miteinander verknüpft sein, wobei die chinoiden Reste Ch1 und Ch2 mesomer miteinander verknüpft sein können oder mesomer voneinander unabhängig sein können. Die chinoiden Reste Ch1 und Ch2 können gleich oder verschieden sein und können ausgewählt sein aus der Gruppe der Verbindungen 1 bis 4 und 5 bis 33, wobei gegebenenfalls auch weitere chinoide Systeme miteinander verknüpft sein können, beispielsweise unter Ausbildungen von Strukturen wie Ch1-ZB1-Ch2-ZB2-Ch3, wobei Ch1, Ch2, Ch3 gleich oder verschieden sein können und jeweils die Verbindungen 1 bis 4 und 5 bis 33 darstellen können, ohne hierauf beschränkt zu sein. ZB1 und ZB2 können gleich oder verschieden sein.
- Die Brücke -Z- kann 1, 2 bis 4, bis 6 oder bis 10 oder auch mehr Brückenatome aufweisen, die Kohlenstoffatome oder zumindest teilweise Heteroatome sein können.
- Wenn zwei chinoide Verbindungen, wie in Formel 5, 5b oder 5c, über einen Rest Z miteinander verknüpft sind, kann diese Brücke -Z- aus Alkenylen, Halogenalkenylen, Acetylen, Alkylen, Halogenalkylen, insbesondere Perfluoralkylen mit einem bis acht gesättigten Kohlenstoffatomen, die unverzweigt oder verzweigt miteinander verbunden sein können, oder aus Arylen, Hetarylen, die entweder mit Wasserstoff oder mit niederen Alkylresten mit einem bis sechs oder bis acht gesättigten Kohlenstoffatomen, die unverzweigt oder verzweigt oder cyclisch miteinander verbunden sein können, vorzugsweise jedoch mit Halogen, dabei vor allen Fluor oder Chlor, Trichlormethyl, Perfluoralkyl mit einem bis zu sechs Kohlenstoffatomen, dabei insbesonders Trifluormethyl, aber auch Cyano, Nitro, Nitroso, Sulfo, Carboxy, Carbalkoxy, Halogencarbonyl, Carbamoyl, Formyl, Amidinformyl, Alkylsulfanyl und Alkylsulfonyl, wobei die Alkylreste hier wiederum aus einer Kette mit bis zu acht unverzweigt oder verzweigt oder cyclisch miteinander verbundenen Kohlenstoffatomen bestehen können, sowie Trialkylphosphoryl mit Alkylresten, die ebenfalls aus einer Kette mit bis zu acht unverzweigt oder verzweigt miteinander verknüpften Kohlenstoffatomen bestehen, substituiert sein können, bestehen. Die Alkenylen-Gruppe und die Alkylen-Gruppe können eine oder mehrere C-C-Mehrfachbindungen aufweisen. Die Brückenatome der Gruppe Z können nur aus ungesättigen Kohlenstoff- oder Heteroatomen besteht, wobei die genannten Gruppen unsubstituiert oder substituiert sein können. Die Brückenatome der Gruppe Z können nur aus gesättigen oder aromatischen Kohlenstoff- oder Heteroatomen besteht, wobei die genannten Gruppen unsubstituiert oder substituiert sein können, so dass die beiden chinoiden Systeme mesomerisch miteinander verbunden sein können.
- Die Brücke -Z- kann eine oder mehrere Gruppen, insbesondere der untenstehenden Gruppen in der Form -(Z)n- umfassen, beispielsweise mit n gleich 1, 2, 3 oder 4 oder mehr, die jeweils gleich oder verschieden voneinander sein können.
- Z kann ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus und/oder ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus und/oder ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus wobei die angegebenen Brücken auch substituierte Brücken wie beispielsweise -NR-, -(C=X)-, -CR1=CR2- mit umfassen, und/oder ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carboxy- -(CO)-, Carbimid- -(CNR)-, Thiophenylen-, Furanylen-, 1,3,4-Oxdiazolylen-, Triazin-, Tetrazinylen-, Pyranylen-, Thiopyranylen-, Dithiinylen-, Phosphorinylen-, Phthalsäureanhydrid, Phthalsäureimid bzw. Dithiazol-Rest.
- Die aromatischen Ringe oder angegebenen Carbo- oder Heterobrücken können jeweils substituiert oder unsubstituiert sein. X kann ein einfach oder doppelt substituiertes Kohlenstoffatom, ein einfach substituiertes Stickstoffatom oder =O oder =S sein, vorzugsweise ausgewählt aus einer der obenstehenden Gruppen oder Untergruppen.
- Die Reste R1 bzw R2 können verschieden von den Resten R1 bzw R2 der Verbindungsgrundstrukturen 1 bis 33 sein.
- Außerdem besteht die Möglichkeit, dass die beiden chinoiden Strukturen auf irgendeine Art und Weise direkt miteinander verknüpft sind.
- Darstellung der chinoiden Strukturen
- Sämtliche nachfolgend beschriebenen Synthesen von Chinonverbindungen sind hiermit vollumfänglich durch Inbezugnahme in die vorliegende Erfindung mit eingeschlossen und von dieser erfasst.
- Häufig werden die entsprechenden Substitutionsmuster im zu oxidierendem Edukt erzeugt. 1,4-Chinone lassen sich am Besten durch Oxidation der entsprechenden Hydrochinone (W. T. Sumerford, D. N. Dalton, J. Am. Chem. Soc. 1944, 66, 1330; J. Miller, C. Vasquez, 1991 Patent US506836;K. Koch, J. Vitz, J. Prakt. Chem. 2000, 342/8 825-7) oder der fluorierten und/oder chlorierten Aromaten darstellen. (A. Roedig at al. Chem. B. 1974, 107, 558-65; O.I.Osina, V.D. Steingarz, Zh. Org. Chim. 1974, 10, 329; V.D. Steingarz at al Zh. Org. Chim. 1970, 6/4, 833).
- 1,3-Indandionverbindungen wurden von V. Khodorkovsky at al synthetisiert.(V. Khodorkovsky at al Tetrahedron Lett. 1999, 40, 4851-4)
- N,N'-Dicyan-1,4-chinondiimine sind entweder durch Einwirkung von N,N'-Bistrimethylsilylcarbodiimid auf 1,4-Chinonverbindungen (A. Aumüller, S. Hünig, Liebigs Ann. Chem., 1986, 142-64,) oder durch Oxidation entsprechender N,N'-Dicyan-1,4-diaminverbindungen (G. D. Adreetti, S. Bradamante, P. C. Pizzarri, G. A. Pagani, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1985, 120, 309-14) zugänglich, wobei die N,N'-Dicyan-1,4-diaminverbindungen durch Cyanierung von Phenylen-1,4-diamin mit Cyanhalogeniden oder durch Entschwefelung entsprechender Thioharnstoffderivate erhalten werden können.
- Einfache Tetracyanochinondimethane können über das 1,4-Cyclohexandion durch Kondensation in Benzen mit Ammoniumacetatpuffer am Wasserabscheider und nachfolgender Oxidation durch Brom dargestellt werden (D. S. Acker, W. R. Hertler, J. Am. Chem. Soc. 1962, 84, 3370). Weiterhin konnten ebenfalls Hertler und Mitarbeiter zeigen, dass diese Verbindungen über 1,4-Xylen und deren Analoge durch Seitenkettenbromierung, Substitution mittels Cyanid, Kondensation mit Kohlensäurediethylester, Überführung der Carbonsäuremethylestergruppierungen in Cyanidgruppen und anschließender Oxidation synthetisierbar sind (J. Org. Chem. 1963, 28, 2719).
- Akzeptor-substituierte Tetracyanochinondimethane können aus dem Natriumsalz des t-Butyl-malonsäuredinitril's und Akzeptorsubstituierten 1,4-Dihalogenaromaten dargestellt werden (R. C. Wheland, E. L. Martin, J. Org. Chem , 1975, 40, 3101).
- Es gelang außerdem aus 1,4-Dihalogenaromaten Pd-katalysiert mit Malodinitril-Anion und nachfolgender Oxidation Tetracyanochinondimethane darzustellen (S. Takahashi at. al., Tetrahedron Letters, 1985, 26, 1553).
- Chinoide 1,4-Polyphenylene E. A. Shalom, J. Y. Becker, I, Agranat, Nouveau Journal de Chimie 1979, 3, 643-5.
- Heteroannelierte Chinone wurden über mehrstufige Syntheseweg dargestellt. (B. Skibo at al, J. Med. 1991, 34, 2954-61; H. Bock, P. Dickmann, H. F. Herrmann, Z. Naturforsch. 1991, 46b, 326-8, J. Druey, P. Schmidt, Helv. Chim. Acta 1950, 140, 1080-7)
- Verbrückte chinoide Verbindungen werden dargestellt von M. Matsuoka, H. Oka, T. Kitao, Chemistry Letters, 1990, 2061-4; J. Dieckmann, W. R. Hertler, R. E. Benson, J. A. C. S. 1963, 28, 2719-24; K. Takahashi, S. Tarutani, J. C. S. Chem. Comm. 1994, S19-20; N.N. Woroschzov, W. A. Barchasch, Doklady Akad. SSSR 1966, 166/3, 598.
- Annelierte TCNQ-Verbindungen werden dargestellt von M. Matsuoka, H. Oka, T. Kitao, Chemistry Letters, 1990, 2061-4; B. S. Ong, B. Koeshkerian,, J. Org. Chem. 1984, 495002-3.
- Pyrazino-TCNQ-Verbindungen lassen sich über 5,8-Diiodochinoxaline Palladium-katalysiert mit dem Natriumsalz des Malodinitrils darstellen. (T. Miyashi at al, J. Org. Chem. 1992, 57, 6749-55)
- Pyrazino-TCNQ-Verbindungen sowie weitere heteroannelierte Derivate lassen sich auf verschiedene Weise herstellen (Y. Yamashita at al Chemistry Letters, 1986, 715-8, F. Wudl at al, J. Org. Chem. 1977, 421666-7).
- Annelierte DCNQI-Verbindungen lassen sich über die entsprechenden Chinone nach Hünig synthetisieren (J. Tsunetsugu at al, Chemistry Letters, 2002, 1004-5).
- Heteroannelierte DCNQI-Verbindungen lassen sich über die entsprechenden Chinone nach Hünig synthetisieren (T. Suzuki at al, J. Org. Chem. 2001, 66, 216-24; N. Martin at al, J. Org. Chem. 1996, 61, 3041-54; K. Kobayashy at al, Chemistry Letters, 1991, 1033-6; K. Kobayashy, K. Takahashi, J. Org. Chem. 2000, 65, 2577-9).
- Heterocyclische Chinoide Derivate lassen sich herstellen nach N. F. Haley, J. C. S. Chem. Comm. 1979, 1031, F. Weydand, K. Henkel Chem. B. 1943, 76, 818; H. J. Knackmuss Angew. Chem. 1973, 85, 16; K.Fickentscher, Chem. B. 1969, 102, 2378-83, D. E. Burton at al J. Chem. Soc. (C) 1968, 1268-73.
- Chinoide Strukturen mit unterschiedlichen Resten X, Y wurden in verschiedenen Arbeitskreisen synthetisiert (T. Itoh, N. Tanaka, S. Iwatsuki, Macromolecules 1995, 28, 421-4; J. A. Hyatt, J. Org. Chem. 1983, 48 129-31; M. R. Bryce et al, J. Org. Chem. 1992, 57, 1690-6; A. Schönberg, E. Singer, Chem. Ber. 1970, 103, 3871-4; S. Iwatsuki, T. Itoh, H. Itoh Chemistry Letters, 1988, 1187-90; T. Itoh, K. Fujikawa, M. Kubo, J. Org. Chem. 1996, 61, 8329-31; S. Iwatsuki, T. Itoh, T. Sato, T. Higuchi, Macromolecules, 1987, 20, 2651-4; T. Itoh et al Macromolecule2000, 33, 269-77; B. S. Ong, B. Koeshkerian,, J. Org. Chem. 1984, 495002-3; H. Junek, H. Hamböck, B. Hornischer, Mh.Chem.1967, 98, 315-23; P.W.Pastors et al Doklady Akad. SSSR 1972, 204, 874-5; A. R. Katritzky et al Heterocyclic Chem. 1989, 26, 1541-5; N. N. Vorozhtsov, V. A. Barkash, S. A. Anichkina, Doklady Akad. SSSR 1966, 166, 598).
- Tetraacetylchinonmethan-Verbindungen bzw. deren reduzierte Formen sind über 1,4-Benzochinon und Acetylaceton erhältlich (J. Jenik, Chemicky prumysl 1985 35/60 1547, R. J. Wikholm J. Org. Chem. 1985, 50, 382-4; E. Bernatek, S. Ramstad Acta Chem. Scand. 1953, 7, 1351-6).
- Ditrifluoracetamide lassen sich mittels Trifluoressigsäure über aromatische 1,4-Diamine herstellen (R. Adams, J. M. Stewart J. A. C. S. 19S2,20, 3660-4). Durch Oxidation mit Pb(IV)-acetat kann das Diimin erhalten werden.
- Weitere Diimid- bzw. amidstrukturen wurden hergestellt von B.C.McKusick at al J. A. C. S. 1958, 80, 2806-15.
- Beispiel 1
- N,N'-Dicyan-2,5-dichlor-1,4-benzochinondiimin
- 3 Einheiten N,N'-Dicyan-2,5-dichlorbenzen-1,4-diamin in 200 Einheiten Eisessig unter Rühren bei 20°C suspendieren, 13 Einheiten Blei-(IV)-tetraacetat zusetzen. So lange rühren bis der gesamte Ausgangsstoff oxidiert ist. Das ausgefallene gelb/braune Produkt absaugen und aus Benzen umkristallisieren. Ausbeute: 64 % Fp.: 225°C
- Beispiel 2
- N,N'-Dicyan-2,3,5,6-tetrafluor-1,4-benzochinondiimin
- 1,5 Einheiten 2,3,5,6-Tetrafluor-1,4-benzochinon werden mit 7,6 Einheiten Titantetrachlorid in 70 Einheiten Methylenchlorid versetzt. Der gebildete gelbe Komplex wird mit 7,5 Einheiten Bis-(trimethylsilyl)-carbodiimid in 15 Einheiten Methylenchlorid bei Raumtemperatur unter Rühren zur Reaktion gebracht und nach 4h auf Eis gegeben. Die wässrige Phase wird zweimal mit Methylenchlorid extrahiert. Die vereinigten organischen Phasen werden mit Magnesiumchlorid getrocknet, filtriert, im Vakuum eingeengt und mit Petrolether ausgefällt und erneut abgesaugt. Der erhaltene Feststoff wird aus einem Gemisch von Toluen/Methylcyclohexan umkristallisiert.
Ausbeute: 48%, Fp.: 205°C - 1,3,2-Dioxaborine
- Erfindungsgemäß können ferner 1,3,2-Dioxaborinverbindungen zur Dotierung von halbleitenden organischen Materialien eingesetzt werden.
- Die erfindungemäß verwendeten 1,3,2-Dioxaborinverbindungen können die allgemeine Formel L aufweisen, wobei A ein bivalenter Rest ist, der ein oder mehrere Kohlenstoffatome aufweisen kann, die teilweise oder vollständig durch Heteroatome ersetzt sein können, wobei m = 0 oder eine ganze Zahl größer 0 ist, beispielsweise 1,2,3,4,5,6 oder größer ist, beispielsweise bis 10 oder bis 20, und wobei X ein einzähliger Ligand ist oder zwei Liganden X zusammen einen zweizähligen Liganden bilden können. Die Brücke Am kann hierbei bis zu 6, bis zu 10 oder bis zu 20 Brückenatome, die die beiden 1,3,2-Dioxaborinringe miteinander verbinden, aufweisen, wobei die Brückenatome insbesondere Kohlenstoffatome und/oder Heteroatome sein können.
-
-
-
- Die angegebenen Symbole bedeuten folgendes:
die Reste X einen einzähligen Liganden mit einem vorzugsweise elektronegativen Haftatom, wie beispielsweise Fluor, Alkoxy, Acyloxy, Aryloxy oder Aroyloxy, einen zweizähligen Liganden, dessen Haftatome vorzugsweise Sauerstoff darstellen, die über eine Brücke mit unterschiedlichen Atomgruppierungen und variabler Anzahl von Brückenatomen miteinander verknüpft sind, wobei durch die Brücke vorzugsweise ein 5- oder 6-gliedriger Ring erzeugt wird, wobei zumindest ein Atom oder alle Atome der Brücke vorzugsweise ein Kohlenstoffatom sind,
die Reste R1 – R6, die jeweils voneinander unabhängig sein können, entweder Wasserstoff, eine Kohlenwasserstoffgruppe, die gegebenenfalls ein oder mehrere Heteroatome aufweisen kann, insbesondere Alkyl- oder Cycloalkylgruppe, die vorteilhafterweise teilweise oder vollständig durch Fluor oder Chlor substituiert, insbesondere perhalogeniert, besonders bevorzugt perfluoriert, sein kann und aus bevorzugt einem bis sechs oder acht oder zehn Kohlenstoffatomen (vorzugsweise maximal zehn Kohlenstoffatomen), die entweder verzweigt oder unverzweigt miteinander verknüpft sind, besteht, eine unsubstituierte oder substituierte Arylgruppe Ar, einschließlich Heteroarylgruppe, die ebenfalls vorteilhafterweise durch Halogen, insbesondere Fluor oder Chlor substituiert sein können, insbesondere perhalogeniert, im Besonderen perfloriert sein können, aber auch gemeinsam bei benachbarter Stellung am 1,3,2-Doxaborin-Gerüst mit den sie verbindenden Kohlenstoffatomen ein aromatisches, heteroaraomatisches oder nichtaromatisches Molekülfragment bilden kann, wie beispielsweise ein Benzo-, Naphtho-, Anthraceno-, Thieno-, Furano-, Benzothiopheno-, Benzofurano-, Indolo-, Carbazolo-, Chinolino-, Tetrahydronaphtho- oder Tetrahydrochinoli no-Fragment, wobei diese Fragmente noch in sehr flexibler Weise, wie beispielsweise durch Halogene, wie Fluor oder Chlor, sowie durch andere heteroatomhaltige Gruppierungen, wie Alkyoxy-, Aryloxy-, Dialkylamino- oder Diarylamino-Gruppierungen, substituiert sein können,
die Gruppierung A entweder eine Bindung zwischen den 1,3,2-Dioxaborin-Resten oder aber eine Brücke mit vorzugsweise bis zu zehn Atomen, wobei die Brücke Kohlenstoffatome oder auch Heteroatome wie beispielsweise O, N, S oder P aufweisen kann, und wobei die Kohlenstoffatome teilweise oder vollständig durch Heteroatome ersetzt sein können. Gegebenenfalls kann die Brücke mehrere oder ausschließlich ungesättigte Brückenatome aufweisen. Die Brücke stellt vorzugsweise, ebenso wie Q, ein die Konjugation zwischen den 1,3,2-Dioxaborin-Resten vermittelndes Molekülfragment dar, beispielsweise dadurch, dass sämtliche Brückenatome der Brücke ungesättigt sind,
die Gruppierung Q entweder einen trivalenten Rest wie ein Stickstoff- oder Phosphoratom, eine Trialkylen- oder Triarylen- bzw. Triheteroarylenamino- oder Phosphorgruppe. Die Brücke vor Q stellt vorzugsweise ein die Konjugation zwischen den 1,3,2-Dioxaborin-Resten vermittelndes Molekülfragment dar. - Stellen die Reste X in den Verbindungen der Formeln L, LI oder LII, insbesondere in Verbindungen des Formeltyps 30 – 33 einen zweizähligen Liganden dar, handelt es sich vorzugsweise um die Reste von organischen Dicarbonsäuren, wie insbesondere Oxalsäure oder Malonsäure, Bernsteinsäure sowie Glutarsäure, wobei diese Dicarbonsäuren mit Ausnahme der erstgenannten Verbindungen in ihren Alkylengruppierungen noch durch Alkyl- oder Arylgruppierungen substituiert sein können, um die Reste von aromatischen Dicarbonsäuren, wie Phthalsäure und ihren im Ring vorzugsweise durch Halogen substituierten Derivaten, organischen Hydroxysäuren, wie Salicylsäure und ihren Ringsubstituierten Derivaten, 1-Hydroxy-naphthalin-2-carbonsäure, 2-Hydroxy-naphthalin-1-carbonsäure, Mandelsäure, Weinsäure, Benzilsäure und ihren in den Phenylresten substituierten Deri vaten, um 1,2-Dioxyaren- oder Dioxyhetaren-Reste, die sich vom Brenzkatechin und seinen im Ring substituierten oder durch Benzoreste kondensierten Derivaten, aber auch von 3,4-Dioxythiophenen ableiten, um Reste von cyclischen Oxodicarbonsäuren, wie Quadrat-, Krokonsäure oder dergleichen.
- Die Gruppierungen A bzw. Q, deren Aufgabe vorzugsweise die Herstellung der Konjugation zwischen den einzelnen, sie verbindenden 1,3,2-Dioxaborin-Resten ist, können eine sehr große strukturelle Vielfalt aufweisen und stellen bevorzugt eine bi- bzw. tri-valente Atomgruppierung, wie Sauerstoff, Schwefel bzw. Stickstoff oder mehrere miteinander in konjugativer Weise verknüpfte bivalente bzw. trivalente Arylgruppierung(en), Heteroarylgruppierung(en), Polyenyl- oder Polymethinyl-Gruppierung(en) dar, wobei die jeweiligen Gruppierungen noch weitere Substituenten tragen können, die insbesondere Alkylgruppen mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, die zudem noch durch Fluor oder Chlor substituiert sein können, insbesondere perhalogeniert oder perfluoriert, unsubstituierte oder vorzugsweise durch Fluor oder Chlor sowie durch elektronenziehende Substituenten modifizierte Aryl- oder Heteroaryl-Gruppierungen sein können, wobei die Heteroatome in letzteren bevorzugt Sauerstoff, Schwefel oder Stickstoff sein und sowohl einzeln als auch in Kombination miteinander auftreten können, oder aber auch in geeignete Brückengruppierungen, wie Cycloalkylen-Gruppierungen oder ihren heterocyclischen Analoga eingebaut sein können.
- Symbolisiert A oder Q eine Arylgruppierung, so ist diese im Falle von A bevorzugt eine oder mehrere der Gruppierungen 34 – 36 und im Falle von Q eine oder gegebenenfalls auch mehrere der Gruppierungen 37 – 39, wobei diese durch übliche Substituenten, die vorzugsweise elektronegative Haftatome tragen, substituiert sein können und in den Fragmenten des Typs 36 die Reste R5 und R6, die gleich oder verschieden sein können, entweder Wasserstoff, Alkyl oder Fluor sowie Chlor, aber vorzugsweise auch gemeinsam ein durch n-, iso- oder cylco-Alkylgruppen mit 1 – 10 C-Atomen substituiertes Kohlenstoffatom sein kann, wobei in Verbindung 35 oder 39 vorzugsweise n eine ganze Zahl zwischen 1 und 4 sein kann. W kann eine trivalente Gruppe oder ein trivalentes Atom wie insbesondere N oder P oder die Gruppe 42 sein, ohne hierauf beschränkt zu sein.
- Symbolisiert A oder Q eine Hetarylgruppe, so stellen diese bevorzugt im Falle von A eine Gruppierung der allgemeinen Formel 40 oder 41 dar, wobei gegebenenfalls in der Gruppe A auch Einleiten nach den Formeln 40 und 41 kombiniert auftreten können, und im Falle von Q eine Gruppierung der allgemeinen Formel 42 dar, in denen die Reste R1 bzw. R8 beliebige Substituenten, wie beispielsweise Alkyl- Aryl- oder Heteroaryl- sowie Halogen oder Alkoxy, Aryloxy, Dialkylamino oder Diarylamino, und die Gruppierungen Z1 – Z6 bivalente Heteroatome, wie vorzugsweise Sauerstoff, Schwefel oder unsubstituierter oder substituierter Stickstoff oder Phosphor, sowie n eine ganze Zahl, bevorzugt zwischen 1 und 4 oder 6 sein können, insbesondere 1, 2 oder 3.
- Zu den erfindungsgemäßen Verbindungen des Typs 30 – 33 gehören auch solche, bei denen die vorgenannten Brückengruppierungen auch in Kombination miteinander angetroffen werden können, wie das beispielsweise für eine Oxybiphenylen- oder Thiophenylen-Einheit sowie eine Aminotriphenylen-Einheit der Fall ist, wobei die Verknüpfung mit dem jeweiligen 1,3,2-Dioxaborinsystem in jeder beliebigen Stellung zum Heteroatom, vorzugsweise jedoch in einer 1,4-Verknüpfung, möglich ist. Zu den erfindungsgemäßen Verbindungen gehören auch solche, bei denen neben den genannten Brückengruppierungen A und Q noch einer der am 1,3,2-Dioxaborin-System haftenden Reste mit in die jeweilige Brückengruppierung einbezogen werden, so dass Verbindungen der allgemeinen Formeln 43 – 46 entstehen, in denen die Gruppierungen X sowie R1 – R3 die oben angegebene und R4 eine der Reste R1 – R3 entsprechende Bedeutung besitzen.
- Das Symbol K steht für eine Gruppierung, die die beiden flankierenden 1,3,2-Dioxaborin-haltigen Molekülstrukturen verknüpft, vorzugsweise konjugativ miteinander verknüpft, was beispielsweise durch eine direkte Fusion der beiden Flankengruppierungen oder unter Einbau eines Aryl- oder Hetarylfragmentes möglich ist.
-
- Die Verbindungen 31f bis i stellen Verbindungen des Formeltyps L mit m = 0 dar.
- Die Verbindungen 30g, 31a bis e und 31j stellen Verbindungen des Formeltyps L mit m = 1 dar, wobei im Falle der Verbindung 31 b A gleich -C(=CR1R2)- und m gleich 1 ist, wobei im Falle der Verbindung 31 d und j A gleich -CR1=CR2- und m gleich 1 ist.
- Die Verbindungen 32a und b stellen Verbindungen des Formeltyps LI dar.
- Die Verbindungen 31k bis n und o, p stellen Verbindungen des Formeltyps LII dar.
- Darstellung der 1,3,2-Dioxaborine
- Zu einer Lösung von 1,4-Diacetylbenzol (0,01 Mol) in Acetanhydrid (50 mL) wird bei Raumtemperatur unter Rühren Bortrifluorid-Etherat (10 mL) zugetropft. Nach Stehen über Nacht wird der ausgefallene Feststoff abgesaugt und dieser mit Ether gewaschen. F. 293-298 °C.
- Zu einer Lösung von 1,3,5-Trimethoxy-benzol (0,1 Mol) in Ace tanhydrid (0,9 Mol) wird bei Raumtemperatur unter Rühren Bortrifluorid/Essigsäure (0,3 Mol) zugetropft. Nach Stehen über Nacht wird der ausgefallene Feststoff abgesaugt, mit Ether. gewaschen und aus Toluol/Nitromethan umkristallisiert. F. 217-219 °C.
- 1g 5,8-Dihydroxy-1,4-naphthochinon und 1,5ml BF3-Etherat wurden in trockenen Toluen 2 h auf dem Wasserbad unter Rühren erhitzt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur scheidet sich ein rotbrauner kristalliner Niederschlag ab, der aus trockenem Eisessig umkristallisiert werden kann. F. 163-165 °C.
- 10g Chinizarin und 10 ml BF3-Etherat wurden in trockenem Toluen 2 h auf dem Wasserbad unter Rühren erhitzt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur scheidet sich ein rot-brauner kristalliner Niederschlag ab, der aus trockenem Eisessig umkristallisiert werden kann. F. 249-251 °C.
- 10g 1,5-Dihydroxy-9,10-anthrachinon und 10 ml BF3-Etherat wurden in trockenem Toluen 2 h auf dem Wasserbad unter Rühren erhitzt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur scheidet sich ein rot kristalliner Niederschlag ab, der aus trockenem Eisessig umkristallisiert werden kann. F. > 350 °C.
- Zu einer Lösung von Triphenylamin (0,1 Mol) in Acetanhydrid (0,9 Mol) wird bei Raumtemperatur unter Rühren Bortrifluorid/Essigsäure (0,3 Mol) zugetropft. Nach Stehen über Nacht wird der ausgefallene Feststoff abgesaugt, mit Ether gewaschen und aus Eisessig/Nitromethan umkristallisiert. F. 305-307 °C.
- Zu einer Mischung aus Acetanhydrid (0,6 Mol) und Bortrifluorid-Essigsäure (0,2 Mol) werden unter Rühren bei 45 °C 1,3,5-Triaceteylbenzol (0,05 Mol) langsam zugetropft. Die resultierende Mischung wird noch 8 Std. weiter gerührt und dann Erkalten gelassen. Das nach Zugabe von Diethylether (100 mL) ausfallende Produkt wird abgesaugt, mit Essigester gewaschen und aus Nitromethan umkristallisiert, F. > 360 °C.
- Acetylaceton (0,1 Mol), Oxalsäure (0,1 Mol) und Borsäure (0,1 Mol) werden in Toluol (200 mL) solange erhitzt, bis eine klare Lösung entstanden ist und sich kein Wasser mehr abscheidet. Nach dem Erkalten wird das ausgefallene Produkt abgesaugt und mit Cyclohexan gewaschen. F. 187-189 °C.
- Triacetylmethan (0,1 Mol) und Bortrifluorid-Etherat (0,15 Mol) werden in Ether (200 mL) 20 Std. bei Raumtemperatur gerührt. Anschießend wird das ausgefallene Produkt abgesaugt und mit Cyclohexan gewaschen. F. > 250°C.
- Brenzkatechin (0,1 Mol), Bis-(4-chlorbenzoyl)-methan (0,1 Mol), und Borsäure (0,1 Mol) werden in Toluol (250 mL) solange erhitzt, bis eine klare Lösung entstanden ist und sich kein Wasser mehr abscheidet. Nach dem Erkalten wird das ausgefallene Produkt abgesaugt und mit Cyclohexan gewaschen. F. 312-315 °C.
- Matrixmaterialien
- In der vorliegenden Erfindung werden geeignete Dotanden für organische halbleitende Materialien wie Lochtransportmaterialen HT beschrieben, die üblicherweise in OLEDs oder organischen Solarzellen verwendet werden. Die halbleitenden Materialien sind vorzugsweise intrinsisch lochleitend. Sowohl für erfindungsgemäße Dotanden des Chinon-Typs als auch des Dioxaborin-Typs kann das Folgende gelten.
- Das Matrixmaterial kann teilweise (> 10 oder > 25 Gew.-%) oder im Wesentlichen (> 50 Gew.-% oder > 75 Gew.-%)) oder vollständig bestehen aus einem Metallphtalocyanin-Komplex, einem Porphyrin-Komplex, insbesondere Metallporphyrinkomplex, einer Oligothiophen-, Oligophenyl-, Oligophenylenvinylen oder Oligofluoren-Verbindung, wobei das Oligomere vorzugsweise 2-500 oder mehr, vorzugsweise 2-100 oder 2-50 oder 2-10 monomere Einheiten umfasst. Gegebenenfalls kann das Oligomer auch > 4, > 6 oder > 10 oder mehr monomere Einheiten umfassen, insbesondere auch für die oben angegebenen Bereiche, also beispielsweise 4 oder 6-10 monomere Einheiten, 6 oder 10-100 monomere Einheiten oder 10-500 monomere Einheiten. Die Monomere bzw. Oligomere können substituiert oder unsubstituiert sein, wobei auch Block- oder Mischpolymerisate aus den genannten Oligomeren vorliegen können, einer Verbindung mit einer Triarylamin-Einheit oder eine Spiro-Bifluoren-Verbindung. Die genannten Matrixmaterialien können auch in Kombination miteinander vorliegen, gegebenenfalls auch in Kombination mit anderen Matrixmaterialien. Die Matrixmaterialien können elektronenschiebende Substituenten wie Alkyl- oder Alkoxy-Reste aufweisen, die eine verminderte Ionisierungsenergie aufweisen oder die Ionisierungsenergie des Matrixmaterials vermindern.
- Die als Matrixmaterial eingesetzten Metallphtalocyaninkomplexe oder Porphyrinkomplexe können ein Hauptgruppenmetallatom oder Nebengruppenmetallatom aufweisen. Das Metallatom Me kann jeweils 4-, 5- oder 6-fach koordiniert sein, beispielsweise in Form von Oxo- (Me=O), Dioxo- (O=Me=O), Imin-, Diimin-, Hydroxo-Dihydroxo-, Amino- oder Diaminokomplexen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Der Phtalocyaninkomplex oder Porphyrinkomplex kann jeweils teilweise hydriert sein, wobei jedoch vorzugsweise das mesomere Ringsystem nicht gestört wird. Die Phtalocyaninkomplexe können als Zentralatom beispielsweise Magnesium, Zink, Eisen, Nickel, Kobalt, Magnesium, Kupfer oder Vanadyl (= VO) enthalten. Die gleichen oder andere Metallatome bzw. Oxometallatome können im Falle von Porphyrinkomplexen vorliegen.
- Insbesondere können solche dotierbaren Lochtransportmaterialen HT arylierte Benzidine, beispielsweise N,N'-perarylierte Benzidine oder andere Diamine wie des Typs TPD (wobei eine, mehrere oder sämtliche der Arylgruppen aromatische Heteroatome aufweisen können), geeignete arylierte Starburst-Verbindungen wie N,N',N''-perarylierte Starburstverbindungen, wie die Verbindung TDATA (wobei eine, mehrere oder sämtliche der Arylgruppen aromatische Heteroatome aufweisen können), sein. Die Arylreste können insbesondere für jede der oben genannten Verbindungen Phenyl, Naphtyl, Pyridin, Chinolin, Isochinolin, Peridazin, Pyrimidin, Pyrazin, Pyrazol, Imidazol, Oxazol, Furan, Pyrrol, Indol oder dergleichen umfassen. Die Phenylgruppen der jeweiligen Verbindungen können durch Thiophengruppen teilweise oder vollständig ersetzt sein.
- Vorzugsweise besteht das verwendete Matrixmaterial vollständig aus einem Metallphtalocyanin-Komplex, einem Porphyrin-Komplex, einer Verbindung mit einer Triarylamin-Einheit oder einer Spiro-Bifluoren-Verbindung.
- Es versteht sich, dass auch geeignete andere organische Matrixmaterialien, insbesondere lochleitende Materialien verwendet werden können, die halbleitende Eigenschaften aufweisen.
- Dotierung
- Die Dotierung kann insbesondere derart erfolgen, dass das molare Verhältnis von Matrixmolekül zu Dotand oder im Falle von oligomeren Matrixmaterialien das Verhältnis von Matrixmonomerenanzahl zu Dotand 1:100000, vorzugsweise 1:1 bis 1:10000, besonders bevorzugt 1:5 bis 1:1000 beispielsweise 1:10 bis 1:100, beispielsweise ca. 1:50 bis 1:100 oder auch 1:25 bis 1:50 beträgt.
- Verdampfung der Dotanden
- Die Dotierung des jeweiligen Matrixmaterials (hier vorzugsweise angegeben als löcherleitendes Matrixmaterial HT) mit den erfindungsgemäß zu verwendenden Dotanden kann durch eines oder eine Kombination der folgenden Verfahren hergestellt wird:
- a) Mischverdampfung im Vakuum mit einer Quelle für HT und einer für den Dotand.
- b) Sequentielles Deponieren von HT und Dotand mit anschliessender Eindiffusion des Dotanden durch thermische Behandlung
- c) Dotierung einer HT-Schicht durch eine Lösung von Dotanden mit anschliessendem Verdampfen des Lösungsmittels durch thermische Behandlung
- d) Oberflächendotierung einer HT-Schicht durch eine oberflächlich aufgebrachte Schicht von Dotanden
- Die Dotierung kann derart erfolgen, dass der Dotand aus einer Precursor-Verbindung heraus verdampft wird, die beim Erhitzen und/oder Bestrahlung den Dotanden freisetzt. Die Bestrahlung kann mittels elektromagnetischer Strahlung, insbesondere sichtbarem Licht, UV-Licht oder IR-Licht erfolgen, beispielsweise jeweils Laserlicht, oder auch durch andere Strahlungsarten. Durch die Bestrahlung kann im wesentlichen die zur Verdampfung notwendige Wärme bereitgestellt werden, es kann auch gezielt in bestimmte Banden der zu verdampfenden Verbindungen bzw. Precursor oder Verbindungskomplexe wie Charge-Transfer-Komplexe eingestrahlt werden, um beispielsweise durch Überführung in angeregte Zustände die Verdampfung der Verbindungen durch Dissoziation der Komplexe zu erleichtern. Es versteht sich, dass die nachfolgend beschriebenen Verdampfungsbedingungen sich auf solche ohne Bestrahlung richten und für Vergleichszwecke einheitliche Verdampfungsbedingungen heranzuziehen sind.
- Als Precursorverbindungen könne beispielsweise zum Einsatz kommen:
- a) Gemische oder stöchiometrische oder mischkristalline Verbindungen aus dem Dotand und einer inerten, nicht-flüchtigen Substanz, z.B. einem Polymer, Molsieb, Aluminiumoxid, Kieselgel, Oligomeren oder einer anderen organischen oder anorganischen Substanz mit hoher Verdampfungstemperatur, wobei der Dotand vorwiegend durch van-der-Waals Kräfte und/oder Wasserstoffbrückenbindung an dieser Substanz gebunden ist.
- b) Gemisch oder stöchiometrische oder mischkristalline Verbindung aus dem Dotand und einer mehr oder weniger Elektronendonor-artigen, nicht flüchtigen Verbindung V, wobei ein mehr oder weniger vollständiger Ladungstransfer zwischen dem Dotanden und der Verbindung V auftritt, wie in Charge-Transfer-Komplexen mit mehr oder weniger elektronenreichen Polyaromaten oder Heteroaromaten oder einer anderen organischen oder anorganischen Substanz mit hoher Verdampfungstemperatur.
- c) Gemisch oder stöchiometrische oder mischkristalline Verbindung aus dem Dotand und einer Substanz, welche zusammen mit dem Dotand verdampft und eine gleiche oder höhere Ionisierungsenergie aufweist wie die zu dotierende Substanz HT, so dass die Substanz in dem organischen Matrixmaterial keine Haftstelle für Löcher bildet. Hierbei kann die Substanz erfindungsgemäß auch mit dem Matrixmaterial identisch sein, beispielsweise ein Me tallphtalocyanin oder Benzidin-Derivat darstellen. Weitere geeignete flüchtige Co-Substanzen, wie Hydrochinone, 1,4-Phenylendiamine oder 1-Amino-4-hydroxybenze oder sonstige Verbindungen bilden Chinhydrone oder andere Charge-Transfer-Komplexe.
- Elektronisches Bauelement
- Unter Verwendung der erfindungsgemäßen organischen Verbindungen zur Herstellung dotierter organischer halbleitender Materialien, die insbesondere in Form von Schichten oder elektrischen Leitungspfaden angeordnet sein können, können eine Vielzahl elektronischer Bauelemente oder diese enthaltende Einrichtungen hergestellt werden. Insbesondere können die erfindungsgemäßen Dotanden zur Herstellung von organischen lichtemitierenden Dioden (OLED), organischen Solarzellen, organischen Dioden, insbesondere solchen mit hohem Gleichrichtungsverhältnis wie 103-107, vorzugsweise 109-107 oder 105-107 oder organischen Feldeffekttransistoren verwendet werden. Durch die erfindungsgemäßen Dotanden kann die Leitfähigkeit der dotierten Schichten und/oder die Verbesserung der Ladungsträgerinjektion von Kontakten in die dotierte Schicht verbessert werden. Insbesondere bei OLEDs kann das Bauelement eine pin-Struktur oder eine inverse Struktur aufweisen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Die Verwendung der erfindungsgemäßen Dotanden ist jedoch auf die oben genannten vorteilhaften Ausführungsbeispiele nicht beschränkt.
- Ausführungsbeispiele
- Die Erfindung soll an einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
- Die erfindungsgemäß zu verwendenden Verbindungen, insbesondere die vorstehend beispielhaft angebenen Verbindungen aus der vorstehend beschriebenen Stoffklasse der Chinone oder 1,3,2- Dioxaborine, werden nun in folgender Weise als Dotanden für verschiedene Lochleiter verwendet, die ihrerseits zum Aufbau bestimmter mikroelektronischer oder optoelektronischer Bauelemente, wie z.B. einer OLED, benutzt werden. Hierbei können die Dotanden gleichzeitig nebeneinander mit dem Lochtransportmaterialien der Matrix im Hochvakuum (ca. 2 × 10-4Pa) bei erhöhten Temperaturen verdampft werden. Eine typische Substratbedampfungsrate für das Matrixmaterial ist 0,2 nm/s (Dichte ca. 1,5 g/cm3). Die Bedampfungsraten für die Dotanden können variieren zwischen 0.001 und 0.5 nm/s bei gleicher angenommener Dichte, jeweils entsprechend dem gewünschten Dotierungsverhältnis. Im nachfolgenden werden die Verdampfungstemperaturen der Verbindungen in einer Substratbedampfungseinrichtung angegeben, wobei F4TCNQ unter sonst identischen Bedingungen eine Verdampfungstemperatur von 80°C aufweist, um bei gleicher vorgegebener Zeiteinheit (z.B. fünf Sekunden) eine gleiche Schichtdicke (z.B. 1 nm) auf dem Substrat abzuscheiden, wie die erfindungsgemäß verwendeten Dotanden.
- In den folgenden Beispielen wurden die Strommessungen über einen 1 mm langen und ca. 0,5 mm breiten Strompfad aus dem dotierten HT-Material bei 1V durchgeführt. Unter diesen Bedingungen leitet ZnPc praktisch keinen elektrischen Strom.
- Beispiel 1
- Dotierung von ZnPc mit N,N'-Dicyan-2,3,5,6-tetrafluoro-1,4-chinondiimin (F4DCNQI)
- Die Verdampfungstemperatur T(evap.) beträgt 85°C. Die beiden Komponenten Matrix und Dotand wurden in einem Verhältnis von 50:1 im Vakuum aufgedampft. Die Leitfähigkeit beträgt hierbei 2.4 × 10-2 S/cm.
- Beispiel 2
- Dotierung von ZnPc mit N,N'-Dicyan-2,5-dichloro-1,4-chinondiimin (C12DCNQI)
- Die Verdampfungstemperatur T(evap.) beträgt 114°C. Das Verhältnis der beiden Verbindungen in der aufgedampften Schicht beträgt 1:50 zu Gunsten der Matrix. In der Schicht wurde eine Leitfähigkeit von 1.0 × 10-2 S/cm gemessen.
- Beispiel 3
- Dotierung von ZnPc mit N,N'-Dicyan-2,5-dichloro-3,6-difluoro-1,4-chinondiimin (C12F2DCNQI)
- Die Verdampfungstemperatur T(evap.) beträgt 118°C. Die Schicht wurde im Verhältnis 1:25 (Dotand:Matrix) im Vakuum aufgedampft. Dabei wurde eine Leitfähigkeit von 4.9 × 10-4 S/cm gemessen.
- Beispiel 4
- Dotierung von ZnPc mit N,N'-Dicyan-2,3,5,6,7,8-hexafluoro-1,4-naphthochinondiimin (F6DCNNQI)
- Die Verdampfungstemperatur T(evap.) beträgt 122°C. Dotand und Matrix wurden im Verhältnis 1:25 auf den Träger im Vakuum aufgedampft. Dabei wurde eine Leitfähigkeit von 2 × 10-3 S/cm erreicht.
- Beispiel 5
- Dotierung von ZnPc mit 1,4,5,8-Tetrahydro-1,4,5,8-tetrathia-2,3,6,7-tetracyanoanthrachinon (CN4TTAQ).
- Die Verdampfungstemperatur T(evap.) beträgt 170°C. Die Schicht wurde im Verhältnis 1:25 (Dotand:Matrix) im Vakuum aufgedampft. Dabei wurde eine Leitfähigkeit von 4.5 × 10-4 S/cm gemessen.
- Beispiel 6
- Dotierung von ZnPc mit 2,2,7,7-Tetrafluor-2,7-dihydro-1,3,6,8-doxa-2,7-dibora-pentachloro-benzo[e]pyren.
- Die Verdampfungstemperatur T(evap.) beträgt 140°C. Die Schicht wurde im Verhältnis 1:25 (Dotand:Matrix) im Vakuum aufgedampft. Dabei wurde eine Leitfähigkeit von 2.8×10-5 S/cm gemessen.
Claims (25)
- Verwendung einer organischen mesomeren Verbindung als organischer Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials zur Veränderung der elektrischen Eigenschaften desselben, dadurch gekennzeichnet, dass die mesomere Verbindung ein Chinon oder Chinonderivat oder ein 1,3,2-Dioxaborin oder ein 1,3,2-Dioxaborinderivat ist und dass die mesomere Verbindung unter gleichen Verdampfungsbedingungen eine geringere Flüchtigkeit als Tetrafluorotetracyanochinondimethan (F4TCNQ) aufweist.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mesomere chinoide Verbindung die allgemeine Formel I oder Formel II oder Formel III oder Formel IV oder Formel V oder Formel VI mit m = 1,2,3,4 für Formel IV und mit m = 0,1,2,3,4 für Formel V oder VI oder Formel VII oder Formel VIII oder Formel IX oder Formel X oder Formel XI oder Formel XII oder Formel XIII oder Formel XIV oder Formel XV oder Formel XVI oder Formel XVII oder Formel XVIII oder Formel XIX oder Formel XX oder Formel XXI oder Formel XXII oder Formel XXIII oder Formel XXIV oder Formel XXV oder Formel XXVI oder Formel XXVII oder Formel XXVIII oder Formel XXIX oder Formel XXX oder Formel XXXI oder Formel XXXII oder Formel XXXIII oder Formel XXXIV oder Formel XXXV oder Formel XXXVI oder Formel XXXVII oder Formel XXXVIII oder Formel XXXIX oder Formel XXXX oder Formel XXXXI aufweist, wobei der chinoide oder aromatische Ring substituiert oder unsubstituiert (R=H) oder mit mindestens einem aromatischen Ring anelliert sein kann, wobei -M- ein bivalentes Atom oder eine Gruppe mit einem bivalenten Brückenatom ist und wobei = T, = U, = V, = X, = Y oder = Z doppelbindungsgebundene Atome oder Atomgruppen mit mesomer und/oder induktiv ziehenden Resten sind, und wobei ZB ein zweibindiges Atom oder eine zweibindige mehratomige Brücke ist.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Symbole folgende Bedeutung haben: -M- ist -O-, -S-, -NR- oder -C(=Z)-, vorzugsweise -O-, -S- oder -NR- oder vorzugsweise -C(=Z)-, und = T, = U, = V, = W, = X, = Y oder = Z sind gleich oder verschieden und ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus wobei der Substituent AA ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus wobei AA mit einem anderen Rest R der Verbindung einen mehrgliedrigen Ring bilden kann, wobei Z in den Formeln VIII; IX oder X eine direkte Bindung, oder eine einatomige oder mehratomige Gruppe darstellt, die gesättigt oder ungesättigt sein kann, und wobei A, B, D, E, F, G, H, K in den Formeln XX und XXI gleich oder verschieden ist und ausgewählt ist aus der Gruppe =N-, =P-, oder =CR-, wobei R ein Wasserstoffatom oder einen Rest darstellen kann.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Reste T, U, V, W, X, Y und Z gleich oder verschieden sind und ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus wobei R ein organischer Rest oder Wasserstoff ist, wobei R13 der Gruppe S8 ein organischer Rest, Wasserstoff oder -CF3 sein kann.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung ein Chinon oder Chinonderivat mit mindestens zwei nicht-anellierten chinoiden Systeme darstellt, die unmittelbar oder durch eine Brücke – ZB – mit 1 bis 10 Brückenatomen miteinander verbunden sind, die Kohlenstoffatome oder Heteroatome oder Kohlenstoffatome und Hetreoatome sind.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung 2, 3, 4, 5 oder 6 chinoide Ringsysteme mit jeweils 5 oder 6 Kohlenstoffatomen aufweist, die zumindest teilweise durch Heteroatome ersetzt sein können.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest 2, mehrere oder sämtliche der chinoiden Ringsysteme unter mesomerer Verknüpfung zu einem größeren chinoiden System anelliert oder durch eine ungesättigte Brücke miteinander mesomer verknüpft sind.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung 1, 2, 3, 4, 5 oder 6 1,3,2-Dioxaborinringe enthält.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest 2, mehrere oder sämtliche der 1,3,2-Dioxaborinringe unter mesomerer und/oder aromatischer Verknüpfung, gegebenenfalls über weitere aromatische Ringe anelliert oder durch eine ungesättigte Brücke miteinander mesomer verknüpft sind.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mesomere 1, 3, 2-Dioxaborinverbindung die allgemeine Formel L hat, wobei A ein bivalenter Rest ist, der ein oder mehrere Kohlenstoffatome aufweisen kann, die teilweise oder vollständig durch Heteroatome ersetzt sein können, wobei m = 0 oder eine ganze Zahl größer 0 ist, und wobei X ein einzähliger Ligand ist, wobei zwei Liganden X einen zweizähligen Liganden bilden können, oder dass die mesomere 1,3,2-Dioxaborinverbindung die allgemeine Formel LI hat, wobei Q ein trivalenter Rest ist und wobei X ein einzähliger Ligand ist, wobei zwei Liganden X einen zweizähligen Liganden bilden können.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass A ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus und -(C(R1)=C(R2)-)n mit n gleich 1,2,3,4, 5 oder 6 und -NR1-, wobei Z1 , Z2 und Z3 bi- oder trivalente Atome sind, und wobei einer oder beide Reste R1, R2 mit einem oder beiden benachbarten 1,3,2-Dioxaborinringen einen Ring bilden kann.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass Q ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Stickstoff, N(Aryl)3, wobei Aryl Heteroaryl umfasst, Phosphor und P(Aryl)3, wobei Aryl Heterorayl umfasst, wobei Z4, Z5 und Z6 trivalente Atome sind, und wobei W ein trivalentes Atom oder eine trivalente Atomgruppe ist, wobei n gleich 0, 1, 2, 3 oder 4 sein kann.
- Verwendung einer Verbindung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mesomere 1, 3, 2-Dioxaborinverbindung die allgemeine Formel LII hat, wobei X ein einzähliger Ligand ist, wobei zwei Liganden X einen zweizähligen Liganden bilden können und wobei die R4, R5 organische Reste sind, die 1,3,2-Dioxaborinringe aufweisen können.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung 1,2,3,4,5 oder 6 Arylreste aufweist, die jeweils untereinander oder mit einem oder mehreren chinoiden Systemen oder mit einem oder mehreren 1,3,2-Dioxaborinringen der Verbindung anelliert sind.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung eine der folgenden Verbindungen ist: N,N'-Dicyan-2,3,5,6-tetrafluoro-1,4-chinondiimin, N,N'-Dicyan-2,5-dichloro-1,4-chinondiimin, N,N'-Dicyan-2,5-dichloro-3,6-difluoro-1,4-chinondiimin, N,N'-Dicyan-2,3,5,6,7,8-hexafluoro-1,4-naphthochinondiimin, 1,4,5,8-Tetrahydro-1,4,5,8-tetrathia-2,3,6,7-tetracyanoanthrachinon und/oder 2,2,7,7-Tetrafluor-2,7-dihydro-1,3,6,8-doxa-2,7-diborapentachloro-benzo[e]pyren.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Matrixmaterial lochleitend ist.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Matrixmaterial teilweise oder vollständig besteht aus einem Metallphtalocyanin-Komplex, einem Porphyrin-Komplex, einer Oligothiophenverbindung, Oligophenylverbindung, Oligophenylenvinylenverbindung, Oligofluoren-Verbindung, einer Pentazenverbindung, einer Verbindung mit einer Triarylamin-Einheit und/oder einer Spiro-Bifluoren-Verbindung.
- Verwendung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das molare Dotierungsverhältnis von Dotand zu Matrixmolekül bzw. monomeren Einheit eines polymeren Matrixmoleküls zwischen 1:1 und 1:10.000 beträgt.
- Organisches halbleitendes Material enthaltend ein organisches Matrixmolekül und einen organischen Dotanden, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotand eine oder mehrere Verbindungen nach einem der Ansprüche 1 bis 19 sind.
- Organisches halbleitendes Material nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das molare Dotierungsverhältnis von Dotand zu Matrixmolekül bzw. monomeren Einheit eines polymeren Matrixmoleküls zwischen 1:1 und 1:10.000 beträgt.
- Verfahren zur Herstellung eines organischen halbleitenden Materials enthaltend ein organisches Matrixmolekül und einen organischen Dotanden nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotand aus einer Precursor-Verbindung heruas verdampft wird, die beim Erhitzen und/oder Bestrahlung den Dotanden freigibt.
- Elektronisches Bauelement mit einem organischen halbleitenden Material, welches mit einem organischen Dotanden zur Veränderung der elektronischen Eigenschaften des halb leitenden Matrixmaterials dotiert ist, wobei die Dotierung unter Verwendung zumindest einer oder mehrerer der Verbindungen nach einem der Ansprüche 1 bis 20 erfolgte.
- Elektronisches Bauelement nach Anspruch 24 in Form einer organischen lichtemitierenden Diode (OLED), einer photovoltaischen Zelle, einer organischen Solarzelle, einer organischen Diode oder eines organischen Feldeffekttransistors.
Priority Applications (21)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10357044A DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
| EP05008447.4A EP1596445B2 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinonderivaten |
| DE502004010037T DE502004010037D1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinonderivaten |
| EP10176990A EP2270894A1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verwendung von organischen mesomeren Verbindungen als Dotanden |
| DE502004008632T DE502004008632D1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Dioxaborinderivaten |
| AT05008447T ATE442674T1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur dotierung von organischen halbleitern mit chinonderivaten |
| EP09002596A EP2083458A1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Organische mesomere Verbindungen als Dotanden |
| AT04002303T ATE417366T1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur dotierung von organischen halbleitern mit dioxaborinderivaten |
| EP04002303A EP1538684B1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Dioxaborinderivaten |
| TW093102560A TWI276142B (en) | 2003-12-04 | 2004-02-04 | Method of doping organic semiconductors with derivatives of diiminoquinones |
| KR20040013756A KR100622179B1 (ko) | 2003-12-04 | 2004-02-28 | 퀴논다이이민 유도체를 유기반도체에 도핑하기 위한 방법 |
| US10/792,133 US6908783B1 (en) | 2003-12-04 | 2004-03-03 | Method of doping organic semiconductors with quinonediimine derivatives |
| JP2004059625A JP2005167175A (ja) | 2003-12-04 | 2004-03-03 | 有機半導体をキノンジイミン誘導体によってドーピングする方法 |
| CNB2004100077014A CN100530742C (zh) | 2003-12-04 | 2004-03-05 | 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法 |
| IN382MU2004 IN2004MU00382A (de) | 2003-12-04 | 2004-03-29 | |
| CA2462745A CA2462745C (en) | 2003-12-04 | 2004-03-31 | Method of doping organic semi-conductors with quinonediimine derivatives and the dopand thereof |
| US11/047,972 US20050139810A1 (en) | 2003-12-04 | 2005-01-31 | Method of doping organic semiconductors with quinone derivatives and 1, 3, 2 - dioxaborine derivatives |
| IN1652MU2005 IN2005MU01652A (de) | 2003-12-04 | 2005-06-16 | |
| HK05108886.5A HK1078988B (en) | 2003-12-04 | 2005-10-06 | Process for doping organic semiconductors with derivatives of dioxaborine |
| HK05111912.7A HK1082839B (en) | 2003-12-04 | 2005-12-22 | Process for doping organic semiconductors with derivatives of diiminoquinones |
| JP2009165062A JP5465940B2 (ja) | 2003-12-04 | 2009-07-13 | 有機メソメリー化合物の使用、有機半導体物質、及び、電子素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10357044A DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10357044A1 true DE10357044A1 (de) | 2005-07-14 |
Family
ID=34442480
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10357044A Ceased DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
| DE502004008632T Expired - Lifetime DE502004008632D1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Dioxaborinderivaten |
| DE502004010037T Expired - Lifetime DE502004010037D1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinonderivaten |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE502004008632T Expired - Lifetime DE502004008632D1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Dioxaborinderivaten |
| DE502004010037T Expired - Lifetime DE502004010037D1 (de) | 2003-12-04 | 2004-02-03 | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinonderivaten |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6908783B1 (de) |
| EP (4) | EP1596445B2 (de) |
| JP (2) | JP2005167175A (de) |
| KR (1) | KR100622179B1 (de) |
| CN (1) | CN100530742C (de) |
| AT (2) | ATE417366T1 (de) |
| CA (1) | CA2462745C (de) |
| DE (3) | DE10357044A1 (de) |
| IN (2) | IN2004MU00382A (de) |
| TW (1) | TWI276142B (de) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005059608B4 (de) * | 2005-12-12 | 2009-04-02 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisches elektronisches Bauelement mit verbesserter Spannungsstabilität und Verfahren zur Herstellung dazu |
| US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
| DE102008011185A1 (de) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht |
| DE102009051142A1 (de) | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Heliatek Gmbh | Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP2264806A2 (de) | 2005-04-13 | 2010-12-22 | Novaled AG | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
| DE102010031829A1 (de) | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Novaled Ag | Thermoelektrische Bauelemente mit dünnen Schichten |
| WO2011044867A2 (de) | 2009-10-14 | 2011-04-21 | Novaled Ag | Elektrooptisches, organisches halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen |
| WO2011073219A1 (de) | 2009-12-16 | 2011-06-23 | Heliatek Gmbh | Photoaktives bauelement mit organischen schichten |
| DE102010004453A1 (de) | 2010-01-12 | 2011-07-14 | Novaled AG, 01307 | Organisches lichtemittierendes Bauelement |
| EP2385556A1 (de) | 2010-05-04 | 2011-11-09 | Heliatek GmbH | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| EP2398056A1 (de) | 2010-06-21 | 2011-12-21 | Heliatek GmbH | Organische Solarzelle mit mehreren Transportschichtsystemen |
| DE102010031979A1 (de) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Novaled Ag | Halbleiterbauelement |
| WO2012092972A1 (de) | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Heliatek Gmbh | Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten |
| DE102012101652A1 (de) | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Novaled Ag | Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement |
| DE102012100642A1 (de) | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Novaled Ag | Anordnung mit mehreren organischen Halbleiterbauelementen und Verfahren zum Herstellen |
| WO2013135237A1 (de) | 2012-03-15 | 2013-09-19 | Novaled Ag | Aromatische amin-terphenyl-verbindungen und verwendung derselben in organischen halbleitenden bauelementen |
| DE102012103448A1 (de) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Heliatek Gmbh | Verfahren zur Optimierung von in Reihe geschalteten, photoaktiven Bauelementen auf gekrümmten Oberflächen |
| WO2013168084A1 (de) | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Heliatek Gmbh | Optoelektronische baulemente mit organischem lochtransportmaterial |
| DE102012104247A1 (de) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Heliatek Gmbh | Halbleitendes organisches Material für optoelektronische Bauelemente |
| WO2013179220A2 (de) | 2012-05-30 | 2013-12-05 | Heliatek Gmbh | Solarmodul zur anordnung auf formteilen |
| DE102012105022A1 (de) | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Heliatek Gmbh | Fahrzeug mit flexiblen organischen Photovoltaik-Modulen |
| WO2013186668A1 (de) | 2012-06-11 | 2013-12-19 | Heliatek Gmbh | Filtersystem für photoaktive bauelemente |
| DE102012105812A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Heliatek Gmbh | Elektrodenanordnung für optoelektronische Bauelemente |
| DE102012105809A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Heliatek Gmbh | Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente |
| DE102012105810A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Heliatek Gmbh | Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente |
| WO2014006565A2 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-09 | Heliatek Gmbh | Transparente elektrode für optoelektronische bauelemente |
| WO2015044377A1 (de) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Heliatek Gmbh | Photoaktives; organisches material für optoelektronische bauelemente |
| DE102008036063B4 (de) * | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
| DE102007031220B4 (de) | 2007-07-04 | 2022-04-28 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
| DE102007063993B4 (de) | 2007-07-04 | 2024-09-12 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
Families Citing this family (287)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721656B1 (ko) | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
| KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
| US7560175B2 (en) | 1999-12-31 | 2009-07-14 | Lg Chem, Ltd. | Electroluminescent devices with low work function anode |
| US20100026176A1 (en) | 2002-03-28 | 2010-02-04 | Jan Blochwitz-Nomith | Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers |
| TWI265753B (en) * | 2004-05-11 | 2006-11-01 | Lg Chemical Ltd | Organic electronic device |
| DE112005002603A5 (de) | 2004-08-13 | 2007-08-09 | Novaled Gmbh | Schichtanordnung für ein Lichtemittierendes Bauelement |
| JP2008510312A (ja) | 2004-08-19 | 2008-04-03 | エルジー・ケム・リミテッド | バッファ層を含む有機発光素子およびその製作方法 |
| DE602004006275T2 (de) | 2004-10-07 | 2007-12-20 | Novaled Ag | Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium |
| WO2006081780A1 (de) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Novaled Ag | Dotanden für organische halbleiter |
| DE502005002342D1 (de) * | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
| EP1729346A1 (de) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
| KR101174871B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 반도체의 패터닝 방법 |
| EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
| US20090015150A1 (en) * | 2005-07-15 | 2009-01-15 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
| TWI321968B (en) * | 2005-07-15 | 2010-03-11 | Lg Chemical Ltd | Organic light meitting device and method for manufacturing the same |
| EP1925044A2 (de) * | 2005-08-01 | 2008-05-28 | Plextronics, Inc. | Latentes dotieren von leitenden polymeren |
| DE102005040411A1 (de) | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE502006007053D1 (de) | 2005-09-05 | 2010-07-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Neue materialien zur verbesserung der lochinjektion in organischen elektronischen bauelementen und verwendung des materials |
| DE102005043163A1 (de) | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
| EP1786050B1 (de) * | 2005-11-10 | 2010-06-23 | Novaled AG | Dotiertes organisches Halbleitermaterial |
| DE502005004675D1 (de) * | 2005-12-21 | 2008-08-21 | Novaled Ag | Organisches Bauelement |
| US7919010B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-04-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
| EP1804308B1 (de) * | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | Organische lichtemittierende Vorrichtung mit mehreren aufeinander gestapelten organischen elektrolumineszenten Einheiten |
| DE602006001930D1 (de) * | 2005-12-23 | 2008-09-04 | Novaled Ag | tur von organischen Schichten |
| WO2007071450A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Novaled Ag | Electronic device with a layer structure of organic layers |
| EP1803789A1 (de) * | 2005-12-28 | 2007-07-04 | Novaled AG | Verwendung von Metallkomplexen als Emitter in einem elektronischen Bauelement und elektronisches Bauelement |
| EP1808909A1 (de) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
| US8680693B2 (en) | 2006-01-18 | 2014-03-25 | Lg Chem. Ltd. | OLED having stacked organic light-emitting units |
| WO2007095061A2 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Qd Vision, Inc. | Device including semiconductor nanocrystals and a layer including a doped organic material and methods |
| EP1837926B1 (de) * | 2006-03-21 | 2008-05-07 | Novaled AG | Heterocyclisches Radikal oder Diradikal, deren Dimere, Oligomere, Polymere, Dispiroverbindungen und Polycyclen, deren Verwendung, organisches halbleitendes Material sowie elektronisches Bauelement |
| EP1837927A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Novaled AG | Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern |
| KR101361710B1 (ko) | 2006-03-21 | 2014-02-10 | 노발레드 아게 | 도핑된 유기 반도체 물질을 제조하는 방법 및 이러한 방법에 사용되는 포뮬레이션 |
| DE102006013802A1 (de) | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| JPWO2007116750A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2009-08-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7884209B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-02-08 | Novaled Ag | Use of bora-tetraazapentalenes |
| US7572482B2 (en) * | 2006-04-14 | 2009-08-11 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Photo-patterned carbon electronics |
| EP1848049B1 (de) | 2006-04-19 | 2009-12-09 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
| EP1860709B1 (de) * | 2006-05-24 | 2012-08-08 | Novaled AG | Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand |
| DE102006031990A1 (de) | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102006035018B4 (de) * | 2006-07-28 | 2009-07-23 | Novaled Ag | Oxazol-Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen |
| DE102006053320B4 (de) * | 2006-11-13 | 2012-01-19 | Novaled Ag | Verwendung einer Koordinationsverbindung zur Dotierung organischer Halbleiter |
| DE102006059509B4 (de) * | 2006-12-14 | 2012-05-03 | Novaled Ag | Organisches Leuchtbauelement |
| DE102007002714A1 (de) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102007012794B3 (de) | 2007-03-16 | 2008-06-19 | Novaled Ag | Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial |
| DE102007019260B4 (de) * | 2007-04-17 | 2020-01-16 | Novaled Gmbh | Nichtflüchtiges organisches Speicherelement |
| DE102007018456B4 (de) * | 2007-04-19 | 2022-02-24 | Novaled Gmbh | Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und/oder -pseudohalogeniden, organisches halbleitendes Matrixmaterial, elektronische und optoelektronische Bauelemente |
| EP3076451B1 (de) | 2007-04-30 | 2019-03-06 | Novaled GmbH | Oxokohlenstoff, pseudooxokohlenstoff- und radialenverbindungen sowie deren verwendung |
| EP1990847B1 (de) * | 2007-05-10 | 2018-06-20 | Novaled GmbH | Verwendung von chinoiden Bisimidazolen und deren Derivaten als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials |
| US8044390B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-10-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display |
| DE102007024850A1 (de) | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| EP2009014B1 (de) * | 2007-06-22 | 2018-10-24 | Novaled GmbH | Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, Precursor und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement |
| DE102007037905B4 (de) | 2007-08-10 | 2011-02-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Dotiertes Halbleitermaterial und dessen Verwendung |
| WO2009066779A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機el素子 |
| JP5315729B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-10-16 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイス |
| AU2009233324B2 (en) * | 2008-03-31 | 2015-01-22 | Council Of Scientific & Industrial Research | Donor-acceptor fluorene scaffolds : a process and uses thereof |
| DE102008017591A1 (de) | 2008-04-07 | 2009-10-08 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102008018670A1 (de) | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US8057712B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-11-15 | Novaled Ag | Radialene compounds and their use |
| DE102008024182A1 (de) | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtung |
| JP2011525918A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-29 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 架橋可能なイオンドーパント |
| DE102008033943A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| GB2467316B (en) | 2009-01-28 | 2014-04-09 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic devices, circuits and their manufacture |
| DE102008036062B4 (de) | 2008-08-04 | 2015-11-12 | Novaled Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor |
| GB2462591B (en) * | 2008-08-05 | 2013-04-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors and methods of making the same |
| DE102008050841B4 (de) | 2008-10-08 | 2019-08-01 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US8119037B2 (en) * | 2008-10-16 | 2012-02-21 | Novaled Ag | Square planar transition metal complexes and organic semiconductive materials using them as well as electronic or optoelectric components |
| KR101762964B1 (ko) | 2008-10-27 | 2017-07-28 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 전하 주입 및 수송 층 |
| DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2018-01-18 | Novaled Gmbh | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
| DE102009005290A1 (de) | 2009-01-20 | 2010-07-22 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
| DE102009005289B4 (de) | 2009-01-20 | 2023-06-22 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, Verfahren zu deren Herstellung und elektronische Vorrichtungen, enthaltend diese |
| DE102009005288A1 (de) | 2009-01-20 | 2010-07-22 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102009005746A1 (de) | 2009-01-23 | 2010-07-29 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| EP2401254B1 (de) * | 2009-02-26 | 2013-06-19 | Novaled AG | Chinonverbindungen als dotierstoff in der organischen elektronik |
| DE102009013685B4 (de) | 2009-03-20 | 2013-01-31 | Novaled Ag | Verwendung einer organischen Diode als organische Zenerdiode und Verfahren zum Betreiben |
| DE102009023155A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| JP5591328B2 (ja) | 2009-06-18 | 2014-09-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | エレクトロルミネセントデバイスのための正孔輸送材料としてのフェナントロアゾール化合物 |
| US20120104380A1 (en) | 2009-06-22 | 2012-05-03 | Merck Patent Gmbh | Conducting formulation |
| DE102009032922B4 (de) | 2009-07-14 | 2024-04-25 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, Verfahren zu deren Herstellung, deren Verwendung sowie elektronische Vorrichtung |
| DE102009034194A1 (de) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische Vorrichtungen |
| DE102009034625A1 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| WO2011134458A1 (de) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Novaled Ag | Organisches halbleitendes material und elektronisches bauelement |
| DE102010023619B4 (de) | 2009-08-05 | 2016-09-15 | Novaled Ag | Organisches bottom-emittierendes Bauelement |
| GB2473200B (en) | 2009-09-02 | 2014-03-05 | Pragmatic Printing Ltd | Structures comprising planar electronic devices |
| DE102009053644B4 (de) | 2009-11-17 | 2019-07-04 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| KR101097315B1 (ko) * | 2009-10-12 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR101097316B1 (ko) * | 2009-10-12 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| DE102009053191A1 (de) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische Vorrichtungen |
| CN102668152A (zh) | 2009-12-23 | 2012-09-12 | 默克专利有限公司 | 包括聚合粘结剂的组合物 |
| WO2011076324A1 (en) | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Merck Patent Gmbh | Compositions comprising organic semiconducting compounds |
| DE102010005697A1 (de) | 2010-01-25 | 2011-07-28 | Merck Patent GmbH, 64293 | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
| DE102010009903A1 (de) | 2010-03-02 | 2011-09-08 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
| EP2367215A1 (de) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | Novaled AG | Organische photoaktive Vorrichtung |
| DE102010013068A1 (de) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
| KR101182446B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR101896723B1 (ko) | 2010-04-12 | 2018-09-07 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전자 소자 제조용 조성물 및 방법 |
| WO2011128034A1 (en) | 2010-04-12 | 2011-10-20 | Merck Patent Gmbh | Composition having improved performance |
| DE102010014933A1 (de) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische Vorrichtungen |
| WO2011147071A1 (zh) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种醌型硅芴类有机半导体材料及其制备方法和应用 |
| SG185680A1 (en) | 2010-05-27 | 2012-12-28 | Merck Patent Gmbh | Formulation and method for preparation of organic electronic devices |
| DE102010023620B4 (de) | 2010-06-14 | 2016-09-15 | Novaled Ag | Organisches, bottom-emittierendes Bauelement |
| KR101805144B1 (ko) | 2010-06-14 | 2017-12-05 | 노발레드 게엠베하 | 유기 발광 장치 |
| DE102010024335A1 (de) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
| DE102010024542A1 (de) | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische Vorrichtungen |
| US20110315967A1 (en) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Basf Se | Organic field effect transistor with improved current on/off ratio and controllable threshold shift |
| JP6406824B2 (ja) | 2010-06-24 | 2018-10-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 改良された電流オン/オフ比及び制御可能な閾値変動を有する有機電界効果トランジスタ |
| DE102010033548A1 (de) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische Vorrichtungen |
| DE102010048607A1 (de) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
| KR101979037B1 (ko) | 2011-01-27 | 2019-05-15 | 제이엔씨 주식회사 | 신규 안트라센 화합물 및 이것을 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR101884496B1 (ko) | 2011-05-05 | 2018-08-01 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 소자용 화합물 |
| JP5780132B2 (ja) | 2011-05-19 | 2015-09-16 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子 |
| KR101908384B1 (ko) | 2011-06-17 | 2018-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
| US9583717B2 (en) | 2011-07-11 | 2017-02-28 | Merck Patent Gmbh | Compounds for organic electroluminescent devices |
| EP2740165B1 (de) | 2011-08-03 | 2018-11-07 | Merck Patent GmbH | Materialien für elektronische vorrichtungen |
| US9403795B2 (en) | 2011-08-05 | 2016-08-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Carbazole-based compound and organic light-emitting diode comprising the same |
| EP2782975B1 (de) | 2011-10-27 | 2018-01-10 | Merck Patent GmbH | Materialien für elektronische vorrichtungen |
| DE102011055233A1 (de) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Novaled Ag | Lichtemittierende Vorrichtung und flächige Anordnung mit mehreren lichtemittierenden Vorrichtungen |
| EP2780409A4 (de) | 2011-11-15 | 2015-09-16 | Basf Se | Organisches halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür |
| US10305040B2 (en) | 2011-11-17 | 2019-05-28 | Merck Patent Gmbh | Spiro dihydroacridine derivatives and the use thereof as materials for organic electroluminescence devices |
| KR101927943B1 (ko) | 2011-12-02 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
| JP6139552B2 (ja) | 2011-12-06 | 2017-05-31 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | 有機発光素子およびその製造方法 |
| CN103159920B (zh) * | 2011-12-09 | 2015-11-25 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 蒽醌基共聚物太阳能电池材料及其制备方法和应用 |
| KR101927941B1 (ko) | 2011-12-19 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
| JP2015508119A (ja) | 2012-02-22 | 2015-03-16 | メルク パテント ゲーエムベーハー | ジベンゾシクロヘプタン構造単位を含むポリマー |
| DE102013203149A1 (de) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Olaf Zeika | Oligomere Verbindungen sowie deren Verwendung |
| DE102013205093A1 (de) | 2012-03-28 | 2013-10-02 | Olaf Zeika | Herstellung und Verwendung chinoider N-Heterozyklen, chinoider N-Heteropolyzyklen und chinoider Phenanthrenderivate |
| DE102012011335A1 (de) | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für Organische Elekronische Vorrichtungen |
| US9695274B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-07-04 | Merck Patent Gmbh | Polymers containing 2,7-pyrene structural units |
| EP2684932B8 (de) | 2012-07-09 | 2016-12-21 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Diarylamino matrix material dotiert mit einer mesomeren radialenverbindung |
| US10622567B2 (en) | 2012-07-10 | 2020-04-14 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
| KR20150038193A (ko) | 2012-07-23 | 2015-04-08 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 2-디아릴아미노플루오렌의 유도체 및 이를 함유하는 유기 전자 화합물 |
| KR102583348B1 (ko) | 2012-07-23 | 2023-09-26 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 화합물 및 유기 전계 발광 디바이스 |
| KR102155492B1 (ko) | 2012-07-23 | 2020-09-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 플루오렌 및 이를 함유하는 전자 소자 |
| CN107266481B (zh) | 2012-09-11 | 2020-04-14 | 捷恩智株式会社 | 有机电场发光元件用材料、有机电场发光元件、显示装置、以及照明装置 |
| WO2014047616A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | Metal compounds, methods, and uses thereof |
| US20150274762A1 (en) | 2012-10-26 | 2015-10-01 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Metal complexes, methods, and uses thereof |
| CN104183736A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| JP5972230B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2016-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 |
| JP5972229B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2016-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 |
| CN105378962B (zh) * | 2013-07-19 | 2017-06-27 | 富士胶片株式会社 | 有机膜晶体管、有机半导体膜及有机半导体材料以及它们的应用 |
| JP6804823B2 (ja) | 2013-10-14 | 2020-12-23 | アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーArizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 白金錯体およびデバイス |
| EP3077382B1 (de) | 2013-12-06 | 2018-12-26 | Merck Patent GmbH | Substituierte oxepine |
| US20160301003A1 (en) | 2013-12-06 | 2016-10-13 | Merck Patent Gmbh | Compositions containing a polymeric binder which comprises acrylic and/or methacrylic acid ester units |
| KR102445509B1 (ko) | 2013-12-06 | 2022-09-20 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 화합물 및 유기 전자 소자 |
| JP6644688B2 (ja) | 2013-12-12 | 2020-02-12 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 電子素子のための材料 |
| US10020455B2 (en) | 2014-01-07 | 2018-07-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues |
| TWI636056B (zh) | 2014-02-18 | 2018-09-21 | 學校法人關西學院 | 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用 |
| US9941479B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-04-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues |
| US9923155B2 (en) | 2014-07-24 | 2018-03-20 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues |
| WO2016025921A1 (en) | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes |
| US11329244B2 (en) | 2014-08-22 | 2022-05-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters |
| US10033003B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-07-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands |
| WO2016120007A1 (en) | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Merck Patent Gmbh | Formulations with a low particle content |
| US9929361B2 (en) | 2015-02-16 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11056657B2 (en) | 2015-02-27 | 2021-07-06 | University Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US9859510B2 (en) | 2015-05-15 | 2018-01-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| JP2018524280A (ja) | 2015-05-18 | 2018-08-30 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料 |
| US10418568B2 (en) | 2015-06-01 | 2019-09-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US9879039B2 (en) | 2015-06-03 | 2018-01-30 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues |
| CN107836046B (zh) | 2015-07-15 | 2020-08-04 | 默克专利有限公司 | 包含有机半导体化合物的组合物 |
| US11127905B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-09-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US10211411B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-02-19 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Thermally activated delayed fluorescent material based on 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine analogues for prolonging device longevity |
| US10361381B2 (en) | 2015-09-03 | 2019-07-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP3182478B1 (de) | 2015-12-18 | 2018-11-28 | Novaled GmbH | Elektroneninjektionsschicht für eine organische leuchtdiode (oled) |
| US20170229663A1 (en) | 2016-02-09 | 2017-08-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP3208861A1 (de) | 2016-02-19 | 2017-08-23 | Novaled GmbH | Elektronentransportschicht mit einer matrixverbindungsmischung für eine organische leuchtdiode (oled) |
| US10236456B2 (en) | 2016-04-11 | 2019-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11335865B2 (en) | 2016-04-15 | 2022-05-17 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | OLED with multi-emissive material layer |
| US10672997B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-06-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11482683B2 (en) | 2016-06-20 | 2022-10-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US10862054B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR101872962B1 (ko) | 2016-08-31 | 2018-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치 |
| US10608186B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-03-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US10680187B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11196010B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-12-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11011709B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-05-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20210083134A (ko) | 2016-10-12 | 2021-07-06 | 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 | 협대역 적색 인광성 4좌 백금(ii) 착물 |
| US12317745B2 (en) | 2016-11-09 | 2025-05-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US10680188B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11183670B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-11-23 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light emitting diode with split emissive layer |
| US11780865B2 (en) | 2017-01-09 | 2023-10-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| WO2018140765A1 (en) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Jian Li | Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues |
| US10844085B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-11-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR102608491B1 (ko) | 2017-04-13 | 2023-11-30 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전자 디바이스용 조성물 |
| US10944060B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-03-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| JP7202572B2 (ja) | 2017-05-16 | 2023-01-12 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
| US11101435B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-08-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues |
| US10516117B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-12-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues |
| US10615349B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-04-07 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Donor-acceptor type thermally activated delayed fluorescent materials based on imidazo[1,2-F]phenanthridine and analogues |
| US10392387B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-08-27 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Substituted benzo[4,5]imidazo[1,2-a]phenanthro[9,10-c][1,8]naphthyridines, benzo[4,5]imidazo[1,2-a]phenanthro[9,10-c][1,5]naphthyridines and dibenzo[f,h]benzo[4,5]imidazo[2,1-a]pyrazino[2,3-c]isoquinolines as thermally assisted delayed fluorescent materials |
| DE102017111137B4 (de) | 2017-05-22 | 2025-07-10 | Novaled Gmbh | Organische elektrolumineszente Vorrichtung |
| US12098157B2 (en) | 2017-06-23 | 2024-09-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| CN110770363A (zh) | 2017-06-26 | 2020-02-07 | 默克专利有限公司 | 均质混合物 |
| KR102633060B1 (ko) | 2017-06-30 | 2024-02-02 | 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 | 유기 전계 발광 소자 |
| TWI813576B (zh) | 2017-07-03 | 2023-09-01 | 德商麥克專利有限公司 | 具有低含量苯酚類雜質的調配物 |
| EP4186898A1 (de) | 2017-07-05 | 2023-05-31 | Merck Patent GmbH | Zusammensetzung für organische elektronische verbindungen |
| EP3649213B1 (de) | 2017-07-05 | 2021-06-23 | Merck Patent GmbH | Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen |
| US11228010B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11744142B2 (en) | 2017-08-10 | 2023-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| WO2019079508A2 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Jian Li | PREFERRED MOLECULAR ORIENTATED PHOSPHORESCENT EXCIMERS AS MONOCHROMATIC TRANSMITTERS FOR DISPLAY AND LIGHTING APPLICATIONS |
| US11647643B2 (en) | 2017-10-17 | 2023-05-09 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Hole-blocking materials for organic light emitting diodes |
| TWI785142B (zh) | 2017-11-14 | 2022-12-01 | 德商麥克專利有限公司 | 用於有機電子裝置之組成物 |
| US12180230B2 (en) | 2017-11-28 | 2024-12-31 | University Of Southern California | Carbene compounds and organic electroluminescent devices |
| US11937503B2 (en) | 2017-11-30 | 2024-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| CN119504783A (zh) | 2017-12-13 | 2025-02-25 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料和器件 |
| US11897896B2 (en) | 2017-12-13 | 2024-02-13 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11466009B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-10-11 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11466026B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-10-11 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11542289B2 (en) | 2018-01-26 | 2023-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12037348B2 (en) | 2018-03-09 | 2024-07-16 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Blue and narrow band green and red emitting metal complexes |
| US11165028B2 (en) | 2018-03-12 | 2021-11-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12595256B2 (en) | 2018-05-30 | 2026-04-07 | Merck Patent Gmbh | Composition for organic electronic devices |
| US12453279B2 (en) | 2018-08-22 | 2025-10-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| CN110759919B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-12-07 | 广州华睿光电材料有限公司 | 芘醌类有机化合物及其应用 |
| US11737349B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-08-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11878988B2 (en) | 2019-01-24 | 2024-01-23 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues |
| US11594691B2 (en) | 2019-01-25 | 2023-02-28 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters |
| US11780829B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-10 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12477890B2 (en) | 2019-02-01 | 2025-11-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20220127286A1 (en) | 2019-03-04 | 2022-04-28 | Merck Patent Gmbh | Ligands for nano-sized materials |
| JP2020158491A (ja) | 2019-03-26 | 2020-10-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
| US12281128B2 (en) | 2019-07-30 | 2025-04-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20210020830A (ko) * | 2019-08-14 | 2021-02-24 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
| US12139501B2 (en) | 2019-08-16 | 2024-11-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11785838B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-10-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters |
| CN117042491A (zh) | 2019-10-17 | 2023-11-10 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| US20210135130A1 (en) | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12538698B2 (en) | 2020-01-06 | 2026-01-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12426495B2 (en) | 2020-01-28 | 2025-09-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12168661B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-12-17 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Functional materials based on stable chemical structure |
| US11945985B2 (en) | 2020-05-19 | 2024-04-02 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes |
| CN113683625B (zh) | 2020-05-19 | 2025-06-10 | 亚利桑那州立大学董事会 | 用于有机发光二极管的金属辅助延迟荧光发射体 |
| CN113809246B (zh) * | 2020-06-15 | 2024-06-11 | Tcl科技集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 |
| EP3937268B1 (de) | 2020-07-10 | 2025-05-07 | Universal Display Corporation | Plasmonische oleds und vertikale dipolstrahler |
| US12545678B2 (en) | 2020-09-09 | 2026-02-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizon State University | Blue thermally activated delayed fluorescent emitters and hosts based on functionalized imidazolyl groups |
| US12497420B2 (en) | 2020-10-02 | 2025-12-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12187748B2 (en) | 2020-11-02 | 2025-01-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20220158096A1 (en) | 2020-11-16 | 2022-05-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12325717B2 (en) | 2020-11-24 | 2025-06-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20220165967A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12575316B2 (en) | 2021-02-03 | 2026-03-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP4060758A3 (de) | 2021-02-26 | 2023-03-29 | Universal Display Corporation | Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen |
| EP4059915B1 (de) | 2021-02-26 | 2025-12-24 | Universal Display Corporation | Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen |
| US12606582B2 (en) | 2021-03-05 | 2026-04-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12428599B2 (en) | 2021-03-09 | 2025-09-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20220298190A1 (en) | 2021-03-12 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12421262B2 (en) | 2021-03-15 | 2025-09-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20220340607A1 (en) | 2021-04-05 | 2022-10-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12480042B2 (en) | 2021-04-09 | 2025-11-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP4075531A1 (de) | 2021-04-13 | 2022-10-19 | Universal Display Corporation | Plasmonische oleds und vertikale dipolstrahler |
| US20220352478A1 (en) | 2021-04-14 | 2022-11-03 | Universal Display Corporation | Organic eletroluminescent materials and devices |
| US20220407020A1 (en) | 2021-04-23 | 2022-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20230006149A1 (en) | 2021-04-23 | 2023-01-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| CN113206201B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-09-06 | 南京邮电大学 | 一种优化无铅钙钛矿太阳能电池薄膜的方法 |
| US20230133787A1 (en) | 2021-06-08 | 2023-05-04 | University Of Southern California | Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors |
| EP4106027B1 (de) * | 2021-06-18 | 2025-12-31 | Novaled GmbH | Oled-anzeige mit aktiver matrix |
| US12550611B2 (en) | 2021-08-03 | 2026-02-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP4151699A1 (de) | 2021-09-17 | 2023-03-22 | Universal Display Corporation | Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen |
| US12473318B2 (en) | 2021-10-08 | 2025-11-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US12509628B2 (en) | 2021-12-16 | 2025-12-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP4223739A1 (de) | 2022-02-02 | 2023-08-09 | Novaled GmbH | 3,6-bis(cyanomethyliden)cyclohexa-1,4-dien-verbindungen und ihre verwendung in organischen elektronischen vorrichtungen |
| EP4231804A3 (de) | 2022-02-16 | 2023-09-20 | Universal Display Corporation | Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen |
| US20230292592A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20230337516A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20230389421A1 (en) | 2022-05-24 | 2023-11-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20230168204A (ko) | 2022-06-03 | 2023-12-12 | 노발레드 게엠베하 | 화학식 (i)의 화합물 및 화학식 (ii)의 화합물을 포함하는유기 전계발광 장치, 유기 전계발광 장치를 포함하는 디스플레이 장치 |
| EP4287811B1 (de) | 2022-06-03 | 2025-10-08 | Novaled GmbH | Organische elektrolumineszenzvorrichtung mit einer verbindung der formel (i) und einer verbindung der formel (ii) sowie anzeigevorrichtung mit der organischen elektrolumineszenzvorrichtung |
| KR102878720B1 (ko) | 2022-06-03 | 2025-10-29 | 노발레드 게엠베하 | 화학식 (i)의 화합물 및 화학식 (ii)의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 장치, 유기 전계발광 장치를 포함하는 디스플레이 장치 |
| EP4293001A1 (de) | 2022-06-08 | 2023-12-20 | Universal Display Corporation | Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen |
| US20240016051A1 (en) | 2022-06-28 | 2024-01-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20240107880A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-03-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP4333591A1 (de) | 2022-08-30 | 2024-03-06 | Novaled GmbH | Organische elektrolumineszenzvorrichtung mit einer verbindung der formel (i) und einer verbindung der formel (ii) sowie anzeigevorrichtung mit der organischen elektrolumineszenzvorrichtung |
| US20240188319A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20240188419A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20240180025A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20240188316A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US20240196730A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| EP4387414A1 (de) | 2022-12-12 | 2024-06-19 | Novaled GmbH | Organische elektrolumineszenzvorrichtung mit einer verbindung der formel (i) und einer verbindung der formel (ii) und anzeigevorrichtung mit der organischen elektrolumineszenzvorrichtung |
| US20240247017A1 (en) | 2022-12-14 | 2024-07-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20250124161A (ko) | 2022-12-16 | 2025-08-19 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 | 다환 방향족 화합물 |
| KR20250128345A (ko) | 2022-12-23 | 2025-08-27 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 디바이스 |
| WO2024166913A1 (ja) | 2023-02-07 | 2024-08-15 | 国立大学法人京都大学 | 多環芳香族化合物 |
| EP4557928A1 (de) | 2023-11-17 | 2025-05-21 | Novaled GmbH | Organische elektronische vorrichtung mit einer verbindung der formel (i) und einer verbindung der formel (iii) und anzeigevorrichtung mit der organischen elektronischen vorrichtung |
| EP4501921A1 (de) | 2023-07-31 | 2025-02-05 | Novaled GmbH | Verbindung der formel (i) und deren verwendung in einer organischen elektronischen vorrichtung |
| EP4501907A1 (de) | 2023-07-31 | 2025-02-05 | Novaled GmbH | Verbindung der formel (i) und deren verwendung in einer organischen elektronischen vorrichtung |
| US20250204238A1 (en) | 2023-12-15 | 2025-06-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminscent materials and devices |
| US20250204239A1 (en) | 2023-12-15 | 2025-06-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20250124680A (ko) * | 2024-02-13 | 2025-08-20 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 p도펀트용 신규 화합물 및 이의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE20121631U1 (de) * | 2001-11-09 | 2003-06-18 | Friz Biochem GmbH, 82152 Planegg | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe und elektronische Schaltung |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3408367A (en) * | 1965-07-12 | 1968-10-29 | Du Pont | Tetraaryl-1, 4-bis(dicyano-methylene)cyclohexadienes and their dihydro derivatives |
| JPS5810553A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テトラシアノアントラキノジメタン誘導体の製造方法 |
| JPS57149259A (en) † | 1981-03-13 | 1982-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tetracyanoquinodimethane derivative |
| EP0061264B1 (de) | 1981-03-13 | 1985-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tetracyanoanthrachinodimethanverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und davon abgeleitete Polymere und Ladungsübertragungskomplexe |
| US4394428A (en) * | 1981-09-24 | 1983-07-19 | Eastman Kodak Company | Photoconductive composition and elements comprising two different compounds having a dioxaborin nucleas on a derivative thereof |
| JPS5855450A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テトラシアノアントラキノジメタン誘導体の製造方法 |
| US4578220A (en) * | 1983-10-19 | 1986-03-25 | Basf Aktiengesellschaft | Charge transfer complexes of tetrathio/seleno-fulvalene derivatives and biscyanimine derivatives; biscyanimine derivatives and method for producing same |
| DE3522232A1 (de) * | 1985-06-21 | 1987-01-02 | Basf Ag | Radikalionensalze |
| DE3718365A1 (de) * | 1987-06-02 | 1988-12-22 | Basf Ag | N,n'-biscyano-p-benzochinonbisimine, diese enthaltende charge-transfer-komplexe und radikalionensalze der biscyano-benzochinonbisimine |
| JP2699429B2 (ja) * | 1988-08-02 | 1998-01-19 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
| JPH02213088A (ja) † | 1989-02-13 | 1990-08-24 | Nec Corp | 有機薄膜el素子及びその製造方法 |
| US5068367A (en) | 1990-01-31 | 1991-11-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tetracyano-1,4-hydroquinone and tetracyano-1, 4-benzoquinone |
| JP2846503B2 (ja) † | 1990-06-14 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法 |
| US5068366A (en) | 1990-08-06 | 1991-11-26 | Texaco Chemical Company | Simultaneous epoxide and carboxylic acid manufacture by co-oxidation in the presence of a cobalt catalyst |
| JP2923339B2 (ja) * | 1990-08-17 | 1999-07-26 | 汪芳 白井 | ジアセチレン基を含む複核フェロセンおよびそのポリマーならびにそれらの電荷移動錯体 |
| JPH07116496B2 (ja) | 1990-10-09 | 1995-12-13 | 三井金属鉱業株式会社 | 磁気記録用磁性金属粉末の製造方法 |
| US5216661A (en) * | 1991-07-22 | 1993-06-01 | The Johns Hopkins University | Electron density storage device using a stm |
| JPH08250016A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-27 | Tdk Corp | 過電流保護素子およびその製造方法 |
| US5849403A (en) * | 1995-09-13 | 1998-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic thin film device |
| JP2000159777A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-06-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
| DE10058578C2 (de) * | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
| DE10105916A1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Siemens Ag | Amorphe organische 1,3,2-Dioxaborinluminophore, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung davon |
| CN101108783B (zh) * | 2001-08-09 | 2012-04-04 | 旭化成株式会社 | 有机半导体元件 |
| DE10152938C1 (de) * | 2001-10-26 | 2002-11-21 | Infineon Technologies Ag | Dioxaborine, diese enthaltende Halbleiterbauelemente sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2003264085A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
| TW538551B (en) * | 2002-06-13 | 2003-06-21 | Lightronik Technology Inc | Organic electroluminescence (OEL) device |
-
2003
- 2003-12-04 DE DE10357044A patent/DE10357044A1/de not_active Ceased
-
2004
- 2004-02-03 AT AT04002303T patent/ATE417366T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-02-03 EP EP05008447.4A patent/EP1596445B2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-03 EP EP10176990A patent/EP2270894A1/de not_active Withdrawn
- 2004-02-03 DE DE502004008632T patent/DE502004008632D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-03 EP EP04002303A patent/EP1538684B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-03 EP EP09002596A patent/EP2083458A1/de not_active Withdrawn
- 2004-02-03 DE DE502004010037T patent/DE502004010037D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-03 AT AT05008447T patent/ATE442674T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-02-04 TW TW093102560A patent/TWI276142B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-28 KR KR20040013756A patent/KR100622179B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-03 US US10/792,133 patent/US6908783B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-03 JP JP2004059625A patent/JP2005167175A/ja active Pending
- 2004-03-05 CN CNB2004100077014A patent/CN100530742C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-29 IN IN382MU2004 patent/IN2004MU00382A/en unknown
- 2004-03-31 CA CA2462745A patent/CA2462745C/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-31 US US11/047,972 patent/US20050139810A1/en not_active Abandoned
- 2005-06-16 IN IN1652MU2005 patent/IN2005MU01652A/en unknown
-
2009
- 2009-07-13 JP JP2009165062A patent/JP5465940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE20121631U1 (de) * | 2001-11-09 | 2003-06-18 | Friz Biochem GmbH, 82152 Planegg | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe und elektronische Schaltung |
Cited By (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
| EP2264806A2 (de) | 2005-04-13 | 2010-12-22 | Novaled AG | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
| EP2284923A2 (de) | 2005-04-13 | 2011-02-16 | Novaled AG | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
| DE102005059608B4 (de) * | 2005-12-12 | 2009-04-02 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisches elektronisches Bauelement mit verbesserter Spannungsstabilität und Verfahren zur Herstellung dazu |
| DE102007031220B4 (de) | 2007-07-04 | 2022-04-28 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
| DE102007063993B4 (de) | 2007-07-04 | 2024-09-12 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
| US8841153B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-09-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a doped organic semiconducting layer |
| DE102008011185A1 (de) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht |
| DE102008036063B4 (de) * | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
| DE102009051142B4 (de) | 2009-06-05 | 2019-06-27 | Heliatek Gmbh | Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102009051142A1 (de) | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Heliatek Gmbh | Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102010031829B4 (de) | 2009-07-21 | 2021-11-11 | Novaled Gmbh | Thermoelektrische Bauelemente mit dünnen Schichten |
| DE102010031829A1 (de) | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Novaled Ag | Thermoelektrische Bauelemente mit dünnen Schichten |
| WO2011044867A2 (de) | 2009-10-14 | 2011-04-21 | Novaled Ag | Elektrooptisches, organisches halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen |
| WO2011073219A1 (de) | 2009-12-16 | 2011-06-23 | Heliatek Gmbh | Photoaktives bauelement mit organischen schichten |
| US10756284B2 (en) | 2009-12-16 | 2020-08-25 | Heliatek Gmbh | Photoactive component having organic layers |
| DE102010004453A1 (de) | 2010-01-12 | 2011-07-14 | Novaled AG, 01307 | Organisches lichtemittierendes Bauelement |
| US9024181B2 (en) | 2010-05-04 | 2015-05-05 | Heliatek Gmbh | Photoactive component comprising organic layers |
| EP2385556A1 (de) | 2010-05-04 | 2011-11-09 | Heliatek GmbH | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| WO2011138021A2 (de) | 2010-05-04 | 2011-11-10 | Heliatek Gmbh | Photoaktives bauelement mit organischen schichten |
| WO2011161108A1 (de) | 2010-06-21 | 2011-12-29 | Heliatek Gmbh | Photoaktives bauelement mit mehreren transportschichtsystemen |
| US9112163B2 (en) | 2010-06-21 | 2015-08-18 | Heliatek Gmbh | Photoactive component having a plurality of transport layer systems |
| EP2398056A1 (de) | 2010-06-21 | 2011-12-21 | Heliatek GmbH | Organische Solarzelle mit mehreren Transportschichtsystemen |
| DE102010031979A1 (de) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Novaled Ag | Halbleiterbauelement |
| WO2012022342A1 (de) | 2010-07-22 | 2012-02-23 | Novaled Ag | Halbleiterbauelement |
| WO2012093180A1 (de) | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Heliatek Gmbh | Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten |
| WO2012092972A1 (de) | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Heliatek Gmbh | Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten |
| DE102012101652B4 (de) | 2011-03-01 | 2019-09-19 | Novaled Gmbh | Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement |
| DE102012101652A1 (de) | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Novaled Ag | Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement |
| WO2013110268A1 (de) | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Novaled Ag | Anordnung mit mehreren organischen halbleiterbauelementen und verfahren zum herstellen |
| DE102012100642A1 (de) | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Novaled Ag | Anordnung mit mehreren organischen Halbleiterbauelementen und Verfahren zum Herstellen |
| WO2013135237A1 (de) | 2012-03-15 | 2013-09-19 | Novaled Ag | Aromatische amin-terphenyl-verbindungen und verwendung derselben in organischen halbleitenden bauelementen |
| DE102012103448A1 (de) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Heliatek Gmbh | Verfahren zur Optimierung von in Reihe geschalteten, photoaktiven Bauelementen auf gekrümmten Oberflächen |
| DE102012104118A1 (de) | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Heliatek Gmbh | Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente |
| WO2013168084A1 (de) | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Heliatek Gmbh | Optoelektronische baulemente mit organischem lochtransportmaterial |
| DE102012104118B4 (de) | 2012-05-10 | 2021-12-02 | Heliatek Gmbh | Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente |
| DE102012104247A1 (de) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Heliatek Gmbh | Halbleitendes organisches Material für optoelektronische Bauelemente |
| WO2013179220A2 (de) | 2012-05-30 | 2013-12-05 | Heliatek Gmbh | Solarmodul zur anordnung auf formteilen |
| WO2013186668A1 (de) | 2012-06-11 | 2013-12-19 | Heliatek Gmbh | Filtersystem für photoaktive bauelemente |
| DE102012105022A1 (de) | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Heliatek Gmbh | Fahrzeug mit flexiblen organischen Photovoltaik-Modulen |
| WO2014006565A2 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-09 | Heliatek Gmbh | Transparente elektrode für optoelektronische bauelemente |
| DE102012105812A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Heliatek Gmbh | Elektrodenanordnung für optoelektronische Bauelemente |
| DE102012105809A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Heliatek Gmbh | Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente |
| DE102012105810A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Heliatek Gmbh | Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente |
| WO2014006566A1 (de) | 2012-07-02 | 2014-01-09 | Heliatek Gmbh | Elektrodenanordnung für optoelektronische bauelemente |
| US11355719B2 (en) | 2012-07-02 | 2022-06-07 | Heliatek Gmbh | Transparent electrode for optoelectronic components |
| DE102013110693A1 (de) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Heliatek Gmbh | Photoaktives, organisches Material für optoelektronische Bauelemente |
| DE102013110693B4 (de) | 2013-09-27 | 2024-04-25 | Heliatek Gmbh | Photoaktives, organisches Material für optoelektronische Bauelemente |
| WO2015044377A1 (de) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Heliatek Gmbh | Photoaktives; organisches material für optoelektronische bauelemente |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050054427A (ko) | 2005-06-10 |
| EP1538684A1 (de) | 2005-06-08 |
| IN2005MU01652A (de) | 2007-12-21 |
| EP1596445B1 (de) | 2009-09-09 |
| HK1078988A1 (en) | 2006-03-24 |
| EP1538684B1 (de) | 2008-12-10 |
| CA2462745A1 (en) | 2005-06-04 |
| KR100622179B1 (ko) | 2006-09-08 |
| JP2010021554A (ja) | 2010-01-28 |
| EP2083458A1 (de) | 2009-07-29 |
| US6908783B1 (en) | 2005-06-21 |
| CN1624948A (zh) | 2005-06-08 |
| TW200520020A (en) | 2005-06-16 |
| US20050121667A1 (en) | 2005-06-09 |
| IN2004MU00382A (de) | 2006-09-29 |
| HK1082839A1 (zh) | 2006-06-16 |
| US20050139810A1 (en) | 2005-06-30 |
| CA2462745C (en) | 2010-06-01 |
| EP1596445A1 (de) | 2005-11-16 |
| TWI276142B (en) | 2007-03-11 |
| DE502004010037D1 (de) | 2009-10-22 |
| DE502004008632D1 (de) | 2009-01-22 |
| ATE417366T1 (de) | 2008-12-15 |
| JP2005167175A (ja) | 2005-06-23 |
| ATE442674T1 (de) | 2009-09-15 |
| EP2270894A1 (de) | 2011-01-05 |
| JP5465940B2 (ja) | 2014-04-09 |
| CN100530742C (zh) | 2009-08-19 |
| EP1596445B2 (de) | 2015-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10357044A1 (de) | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten | |
| EP1988587B1 (de) | Oxokohlenstoff-, Pseudooxokohlenstoff- und Radialenverbindungen sowie deren Verwendung | |
| WO2006081780A1 (de) | Dotanden für organische halbleiter | |
| DE102006053320B4 (de) | Verwendung einer Koordinationsverbindung zur Dotierung organischer Halbleiter | |
| Chen et al. | Optimization of opto‐electronic property and device efficiency of polyfluorenes by tuning structure and morphology | |
| EP2837046A1 (de) | Organisch elektronische bauelemente mit organischen superdonoren mit mindestens zwei gekoppelten carben-gruppen und deren verwendung als n-dotierstoffe | |
| DE10343606A1 (de) | Weiß emittierende Copolymere, deren Darstellung und Verwendung | |
| WO2004058911A2 (de) | Organisches elektrolumineszenzelement | |
| WO2005014688A2 (de) | Konjiugierte block copolymere, deren darstellung und verwendung | |
| DE10249723A1 (de) | Arylamin-Einheiten enthaltende konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung | |
| EP2009014A1 (de) | Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, Precursor und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement | |
| EP2877552A1 (de) | Elektrolumineszente zusammensetzungen | |
| Fu et al. | Chiral Co‐Assembled Liquid Crystal Polymer Network Enabled by In‐Situ Photopolymerization for High‐Performance CP‐OLEDs | |
| DE10330761A1 (de) | Mischungen von organischen zur Emission befähigten Halbleitern und Matrixmaterialien, deren Verwendung und Elektronikbauteile enthaltend dieses | |
| DE102013205093A1 (de) | Herstellung und Verwendung chinoider N-Heterozyklen, chinoider N-Heteropolyzyklen und chinoider Phenanthrenderivate | |
| WO2025159172A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR101289975B1 (ko) | 스피로바이플루오렌의 올리고머 유도체, 이의 제조 및 용도 | |
| HK1082839B (en) | Process for doping organic semiconductors with derivatives of diiminoquinones |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN, DE Owner name: NOVALED AG, 01307 DRESDEN, DE |
|
| R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
| R003 | Refusal decision now final |























































