DE1696609A1

DE1696609A1 - Verfahren zum Abscheiden von isolierenden Schutzschichten aus anorganischem Material auf der Oberflaeche von Halbleiterscheiben

Info

Publication number: DE1696609A1
Application number: DE19681696609
Authority: DE
Inventors: Pammer Erich Dipl-Chem Dr; Helmuth Kirschner
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1968-01-15
Filing date: 1968-01-15
Publication date: 1971-11-18
Also published as: FR1597833A; NL6900587A; CH529223A; JPS507420B1; DE1696609B2; US3578495A; GB1247585A

Description

Verfahren ium Abscheiden von isolierenden"Schutzschichten aus .".norgemisohem. Material auf der Oberfläche von HaIb-

Es ist üblich, die Oberfläche von Halbleiterbauelementen mit einer dünnen "Schutts schicht aus Siliciumoxid oder Siliciumnitrid su vorsehen» Yie¹fach wird diese Schutzschicht be-"eItF bei de-»*" Herstellung" des Halbleiterbauelements, z.U. bei .Anwendung der sogenannten_:Planartechnik, benötigt, um ein lokalisiertes Eindiffundieren von Dotierungsstoffen aus der Gasphase in den ^TIalbleiterkriställ zu ermöglichen. Solche Schichten besitzen bekanntlich die Eigenschaft, daß sie

lArt. 7 al Abs.2 Nr. l Sau 3 des An««f ur

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von einer Reihe der üblichen Dotierungsatoffe unter Bedingungen, wie sie in der Halbleitertechnik bei der Durchführung von Diffusionsprozessen aus der Gasphase angewendet werden., undurchdringbar sind; folglich lassen sich derartige Schutzschichten als Maskierung verwenden.

Neben der Möglichkeit, solche Schutzschichten durch unmittelbare Einwirkung oxydierender bzw. nitrierender Substanzen zu erzeugen, hat sich in der Praxis die Abscheidung dieser Materialien an der erhitzten Oberfläche dor Halbleiterkristalle aus einem mit ihnen in Berührung gebrachten Reaktionsgas eingebürgert. In vielen Fällen gibt man diesem Verfahren den Vorzug und zwar nicht nur dann, wenn sich das Schutzschichtmaterial nicht durch Oxydation bzwJ andere, das Ilalbloitorgrundmaterial an der Oberfläche umwandelnde chemische Einflüsse erzeugen läßt. Der Grund hierfür ist nicht zuletzt darin zu suchen, daß derartige Reaktiansgasevtficlfach bei besonders niedrigen Temperaturen eine das Verlangte in vollem Maße leistende Schutzschicht liefern, was vor allem bei Halbleiterscheiben, in denen bereits ein Teil der pn-Übcrgänge erzeugt ist bzw» sonstige I?ertigungsschritte vorgenommen sind, unbedingt als zweckmäßig zu betrachten ist.

Beispielsweise kann man SiOg-Schichten durch thermische Zersetzung von Kicsolsäureestern erhalten. In der deutschen Patentanmeldung S 103,522 I¥c/12g. (PA 66/2433) ist .2. B. ein Verfahren zun Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silicium- oder Germanium-Stickstoff -Verbindung an der Oberfläche ,eines Halbleiterkriatalls dieser Art beschrieben, völches durch

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die Anwendung einesReaktionsgases gekennzeichnet, ist, das als aktiven Beatandteil eine metallfreie flüchtige Verbindung zwischen Stickstoff und dem Halbleiter enthält.

In der deutschen Patentanmeldung S 108,862 VIIIc/2Ig (PA 67/ 2200) ist schließlich ein Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleitcrkorpers besehrieben, bei den beide Teilschichten auf der Oberfläche des HaIbleitcrkristalls unmittelbar übereinander durch Abscheiden der Schutzschichtmaterialien aus der Gasphase angeordnet werden* Dieses Verfahren sieht vor, daß während des gesaraten Abscheidungsprozesses ein zur Abscheidung-von Siliciumnitrid befähigtes Reaktionsgas verwendet und diesem Reaktionsgas während eines Teils des Abseheidungsprozesses ein zur Abgabe von Sauerstoff befähigtes Reaktionsgas in einer solchen Konzentration zugcraischt wird, daß neben mindestens einer zusammenhängenden Schicht aus Siliciumnitrid mindestens eine zusammenhängende Schicht aus Siliciumoxid an der gleichen Stelle der Halbleiteroberfläche abgeschieden wird...

Heben der Herstellung solcher Schutzschichten ist die Erfindung auch für die Herstellung von epitaktischen Halbleiterschichten von Bedeutung, bei denen Halbleitermaterial an der Oberfläche einer Halbleiterscheibe aus der Gasphase niedergeschlagen wird. ·

Aus technischen Gründen ist die Anwendung einer Reaktionsanordnung bei solchen Prozessen erwünscht, die aus einem in ei- ·

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ncra Rohrofen angeordneten, aus Quarz bestehenden horizontalen Rohr besteht, an dessen einem Ende das Reaktionsgas eingeleitet wird, dann über die im Reaktionsrohr liegenden und durch Kontakt mit dessen Wandung erhitzton Halbleiterscheiben unter Abgabe des betreffenden Abscheidungsmaterials strömt und schließlich das Reaktionsrohr am anderen Ende wieder verläßt. Hier ist es jedoch im allgemeinen schwierig, eine gleichmäßige Beschichtung der Halbleiterscheiben zu erreichen, weil sich das Rcäktionsgas vielfach vorzeitig zersetzt und sein Gehalt an abzuscheidendem Material am Ort der zu beschichtenden Halbleiterscheiben bereits erschöpft ist. Es ist Aufgabe der Erfindung, diesen Nachteil zu beheben.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abscheiden von isolierenden Schutzschichten aus anorganischem Material auf der Oberfläche von erhitzten Halbleiterscheiben aus einem das Material abscheidenden Reaktionsgas (das die zu beschichtenden Halbleiterscheiben insbesondere turbulent umströmt), bei dem die Halbleiterscheiben durch Vermittlung der aus hochreinem Quarz oder dergl. bestehenden Wand den ReaktiOnsraumes erhitzt werden. Erfindungsgemäß ist dabei vorgesehen, daß das in den Reaktionsraum .eingeleitete, frische und noch mindestens- 100 ° C unterhalb der Temperatur der zu beschichtenden Scheiben befindliche Reaktionsgas durch mindestens ein auf seinem.Weg zu den zu beschichtendon Halbleiterscheiben angeordnetes Hindernis radial gegen die höchstens 50 ⁰C unterhalb der . Temperatur der zu beöchichtenden Halbleiterscheiben tem-"

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perierte Wand des ReaktIonsraunes geleitet und von dort so rasch den mit Abstand hintex¹ diesem Hindernis befindlichen Halbleiterscheiben zugeführt wird,·daß trotz der nunmehr hohen Temperatur des Reaktionsgases die Abscheidung erst am Ort der Halbleiterscheiben einsetzt.

Zur Erklärung der Erfindung wird auf die in der Figur 1 dargestellte Anordnung zur Durchführung des erfindungsgemäßen. Verfahrens Bezug genommen. .. . .

Das Reaktionsgefäß besteht aus einem'horizontal gehalterten Quarzrohr 1, dessen mittlerer Teil 1a sich in einem Rohrofen 2 befindet und durch dessen Einwirkung auf die erforderliche Reaktionstenperatur erhitzt wird. Mit 1b ist die heißeste Zone im Reaktionsraum bezeichnet, in der sich die zu beschichtenden, beispielsweise aus Silicium bestehenden, Scheiben 3 befinden. Sie werden durch thermische Leitung"bzw. Konvektion der Reaktionsgase unter Vermittlung der Wand des Reaktionsgefäßes 1 erhitzt. In einer Weiterbildung der Erfindung ist zur Durchführung des erfindungsgenäßen Verfahrens eine noch näher zu beschreibende, aus wärmeleitendem Material, ζ. B. Quarz, bestehende Unterlage 4 vorgesehen, in der die zu beschichtenden Seheiben in an sich bekannter Weise gehordot sind. Das frische Reaktionsgas betritt den Reaktionsraum, im Beispiolsfal-Ie von linko, art der Stelle 5. Zu diesem Zweck ragt ein Reaktionsgaszuführungsrohr 6 in den Reaktionsraum etwa so weit, daß sich dessen Mündung 6a etwa zu Beginn der heißesten Zone 1b des Reaktionsraumes befindet. Das Zuleitungsrohr 6 endet zweckmäßig in einer Düse. Das ffaszuführungs—

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rohr 6 ist in möglichst großem Abstand von der Wandung des Reaktionarohres 1,(das heißt, in der Mitte des Rohreo), gehalten, um eine zu starke Erhitzung zu vermeiden. Es iat nämlich angestrebt, daß im Innern des Zuleitungsrohres 6 das Reaktionsgas sich noch weit unterhalb der Reaktionstemperatur befindet. Infolge dieser Anordnung strömt das Reaktionsgas, im Beispielsfalle horizontal und.in der Zentralachse des Reaktionsraumes, aus den Zuloitungsrohr 6 und gelangt unmittelbar nach Verlassen des Zuführungsrohres gegen ein als Prallplatte 7 ausgestaltetes Ströraungshindcrnis aus Quarz, dieses lenkt das frische Reaktionsgas radial gleichmäßig nach außen, so daß das frische Reäktlonsgas mit der an dieser Stelle prak tisch auf der Reaktionstemperatur (der Temperatur der zu beschichtenden Halbleiterscheiben) gehaltenen Reaktionsraunwand in Berührung gelangt. Der Abstand zwischen der Prallplatte 7 und der Reaktionsraurawand ist derart gering, daß sich das Reaktionsgas infolge des hier erzwungenen Kontakts mit der sehr heißen Rohrwand praktisch sofort auf die Reaktionstemperatur erhitzt und hierdurch aktiviert wird. Um jedoch eine Abscheidung bereits an dieser Stelle zu verhindern, wird eine hohe Geschwindigkeit des Reaktionsgases eingestellt, welche die Abscheidung erst dann ermöglicht, wenn das frische Reaktionsgas den Ort der Scheiben 3 im Teil 1b des Reaktionsraumes angelangt ist.

Für die Beschichtung rait SiO₂ wird als Henktionsgas vorzugsweise ein mit einem inerten Gas wie Argon oder Stick-• stoff vermischter Kieselsäureester, z. B. Tetraäthoxiallan,

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verwendet. Sobald dieses Reaktionsgas durch die Wirkung der Prallplatte gegen die heiße Wand des Reaktioiisraumes gelenkt wird, ist das Reaktionsgas aktiviert. Nach erfolgter Aktivierung dauert es jedoch erfahrungsgemäß eine endliche Zeit, bevor sich die ersten Spuren der Abscheidung zeifcen. Biese Zeit wird ausgenutzt, um eine Abscheidung unmittelbar hinter der Prallplatte au unterbinden. Ist nänlich die Geschwindigkeit des Reaktionsgases genügend groß, dann werden die zwischen der Prallplatte 7 und den Halbleiterscheiben 3 befindlichen Teile der Wandung des Reaktionsrohres keine Abscheidung erfahren und zwar aus dem Grund, weil der Reaktionsmechanismus Ms zur vollständigen Abscheidung genau die gleiche Zeit benötigt, die das Reaktionsgas braucht, um von der Prallplatte 7 zu den Scheiben 3 zu gelangen. \ -.·.

Nachdem, wie bemerkt, jede chemische Reaktion eine endliche Zeit benötigt, folgt, daß auch eine endliche Zeit vergeht, bis nach Herstellung der für die Reaktion erförderlichen Bedingungen das durch die Reaktion zu erzielende Produkt in merklichen Umfang auftritt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden offensichtlich durch die Wirkung der Prallplatte 7 die für die Reaktion notwendigen Bedingungen sehr plötzlich eingestellt!nämlich dann, wenn durch die Wirkung der Prallplatte das Eeaktionsgas an die heiße Wand des Reaktionsraums gelangt« Bis sich dann die ersten Spuren der Abscheidung bemerkbar machen_f vergeht noch etwas Zelt, so daß hinter 4«F, Prallplatte % ein gewisser Bereich noch abscheidungof^oi ist. Dte Aufgabe der Erfindung ist es, zu erreichen, däö 4ei in der figttr 1 mit A bezeichnete

Bereich zwischen der Prallplatte 7 und der ersten der zu "beschichtenden Scheiben 3 noch keine Abscheidung erzeugt, sondern diene genau an Ort der ersten Scheibe beginnt. Nachdem die Zeitspanne t, die zwischen der Herstellung der Reaktionsbedingimgen bio sum Auftreten der ersten Abscheidung sehr kurz ist, nuß nan nit beträchtlicher Stromungsgasgeschwindigkeit arbeiten, un sicherzustelllin, daß in einer Strecke A von einigen Zentimetern Länge noch keine Abscheidung stattfindet*

Kennt man t, dann hängen t, die Länge der Strecke A und die Strömungsgeschwindigkeit ν des Reaktionsgases durch die Beziehung

.A« v.t .

zusammen. Die VerzÖgerungszeit t ist eine !Funktion der Temperatur T des betreffenden Teils des Reaktionsraumes und hängt außerdem von der Art der Reaktion ab. Der Wert von t muß entweder empirisch oder theoretisch ermittelt werden. Zu einer empirischen Ermittlung wird man das betreffende Reaktiontgas in einem Probeversuch plötzlich auf die gewünschte Temperatur erhitzen und dann mit einer bekannten Geschwindigkeit v* längs einer zur Abscheidung geeigneten Fläche, beispielsweise aus Quarz, führen, die auf dieser Temperatur T (die der Temperatur am Ort der Scheiben entspricht) gehalten ist. Durch in bekannter Weise vorzunehmende analytische Untersuchungen erkennt man, in welchem Abstand vom Beginn der Abscheidungsstrecke die Abscheidung merklich wird. Diese Strecke habe den Wert A*. Dann wird offensicht-.lich t durch die Beziehung

' ^f t = AW¹

bestimmt. 109"847/039O ^ ^0RfGi*f

.^pA9A93/9o°

Im Beispiel der Verwendung von Te.tr aäthoxi si lan und inertem Gas, z. B. Stickstoff, als Reaktionsgas und einer Reaktionötemperatur von T = 600-700° C findet man für die Verzögerungszeit t den Viert t = 100-200 Sek.. Wählt man dann die Strecke A zu 15-35 cm, so nuß die Reaktionsgasgeschwindigkeit mindestens 3,5-5 m/min "betragen.

Die in Richtung der Strömung des Reaktionsgases liegende . Dimension D der Reihe der Siliciumseheiben 3: wird nach anderen Gesichtspunkten bemessen. Je nach Beschaffenheit und Ergiebigkeit des Reaktionsgases ist nach einiger Zeit eine Erschöpfung der Abscheidung zu verzeichnen. Dieser \ tragt man Rechnung, indem man die Strecke D nicht allzu groß wählt. Für eine Abscheidungstemperatur von T- 600-700 ⁰G sollte D nicht größer als 20 cm sein.

Nachdem es Aufgabe der Prallplatte 7 ist, das Gas durch einen engen Spalt 7a zwischen der heißen Wandung des Reaktions rohres 1 und der Prallplatte 7 zu zwingen, wird es verständlich, daß auch der Abstand zwischen Prallplatte und Wandung des Reaktionsrohres nicht zu groß gewählt sein darf. Es empfiehlt sich, wenn der Zwischenraum zwischen Prallplatte und Innenwand des Reaktionsraumes an keiner Stelle größer als 5-10 °/₀ 3es an der gleichen Stelle gemessenen lichten Durchmessers des Reaktionsrohres beträgt, so daß auf jeden Fall eine rasche und gründliche Erhitzung des Reaktionsgases bei entspechender Enge des oder der Kanäle gesichert ist. Äußer-" -dem wird durch den engen Kanal 7a eine Rückdiffusion von Bestandteilcn .aus dem Heaktionsraum in den feil vor der Prallplatte 7 weitgehend unterbunden. Weiter ist in Fig« -1 eine

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in der Nähe der Mündung 6a des Zuführungsrohres angebrach-

to, zweckmäßig ebenfalls aus Quarz bestehende Blende 6b vorgesehen, welche dafür sorgt, daß möglichst das ganze Beaktionsgas in Richtung auf die Prallplatte und die zu beschichtenden Scheiben 3 geführt wird. Gegebenenfalls kann diese Blende einen vollständigen Abschluß des Reaktionsraumes darstellen.

Erfahrungsgemäß ist die Abscheidung an SiO₂ nicht auf die heißeren Teile Reaktionsapparatur und die zu beschichtenden Scheiben beschränkt, sondern findet in erheblichen Maße an kälteren Stellen der Reaktionsrohrwand statt. Diese Abscheidungen sind jedoch erfahrungsgemäß locker und un-, dicht und können sich leicht von ihrer Abscheidungsunterläge, z. B. der Wand des Reaktionsraumes, lösen. Beim Einbringen zu beschichtender Scheiben können sie auf diese fallen und bedeuten dann eine "Verunreinigung der Scheibenoberfläche, die sieh auch an der Güte der herzustellenden Schutzschichten nachteilig bemerkbar machen können. Um diesen Hach— teil zu vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung einer Horde für die zu beschichtenden Scheiben, die sich nach dem Ende des Reaktionsrohres hin in einen rohrförmigen, zugleich den Abschluß des Reaktionsrohres und die Austrittsstelle 8a für das verbrauchte Reaktionsgas bildenden Teil 8 aus Quarz fortsetzt, welchen das gesamte Reaktionsgas durchströmon muß. Die Abscheidung von lockerem SiO₂ läßt sich durch entsprechende Temperierung (sie setzt etwa unterhalb 500 ⁰O ein) auf diesen rohrförmigen Horden^öil beschränken. (Sie soll auf jeden Fall an der \7and des ReaktiqnsgefäßeB am Ort der · zu beschichtenden Halbleiterscheiben vermieden werden). Die-

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scr wird jedoch mit der Horde nach jeder Beschichtung von Halbleiterkristallen, vorzugsweise bei strömendem Reaktionsgas, ausgefahren. Yox jeder Heubelegung der Horde können die SiO2-Hiederschläge in bekannter Y/eiso, z. B. durch Ätzen mit Flußsäure, entfernt werden. Evtl. sich an heißeren Teilen der Wandung des Eeaktionsrohres abscheidendes SiO₉

ist jedoch festhaftend und bewirkt die oben beschriebene Störung nicht. Eine ständige Beseitigung solcher Hiederschlägo ist an sieh nicht erforderlich.

Das Zuführungsrohr β kann doppelwandig ausgebildet sein, so daß zwischen den beiden Wänden eine Kühlflüssigkeit oder ein kühlendes Gas eingebracht werden kann. Eine andere Möglichkeit besteht darin, den Raun zwischen den beiden Vfändeir.Ätt evakuieren und zu verspiegeln. Man erreicht dann, daß das Reaktionsgas innerhalb des Zuführungsrohres kühl, d.h. praktisch auf Zimmertemperatur, bleibt.

Die Prallplatte kann^durch anders geformte Widerstandskörper ersetzt werden. Denkbar sind 2,B*' gekrümmte oder becherförmige 7/Iderstsndskörper, Die Prallplatte oder der V/iiierstandskörper kann von dem Zufühfungsrohr 6 gehalt ert sein. Ba besteht andererseits die Möglichkeit, die Prallplatte oder den sonstigen VfiderstandskÖrper mit der Wand des Reaktionsrohres fest zu verbinden» in diesem Falle genügt es, wenn die Prallplatte 7 als am Band durchlöcherte Trennwand ausgestaltet ist. Me Löeher sind zweckmäßig symmetrisch angeordnet. Ausfiihrungsbeispiele sind in den Figuren 2 und dargestellt» die Beispiele solcher Prallplatten in Aufsicht zeigen. Schließlich k&mt die Horde 0 mehrere zur Lagerung

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von Halbleiterscheiben 3 dienende Stockwerke enthalten. Die Horde ist so ausgestaltet, daß sie sich der Innenwand des Quarzrohres in Interesse eines guten Wärmeübergangs anschmiegt.

Eine zusätzliche Sicherheit zur Vermeidung von Abschei- ..... düngen von porösein SiO₂ außerhalb der Reaktionszone 1b kann durch eine zusätzlich die kühleren Teile der Rohrwandung bespülende Inertgasströmung - erreicht werden.

Bei der Herstellung von Siliciumnitridschichten aus der Gasphase treten die gleichen Probleme auf. Dasselbe kann bei der Herstellung von Aluniniumoxyd aus einen z.B. Aluminiumtetraäthylester enthaltenden Reaktionsgas festgestellt werden. In allen diesen und ähnlichen Fallen kann die Erfindung mit Erfolg angewendet werden. Die obigen Betrachtungen sowie die beschriebene Anordnung können also unmittelbar übernommen/werden. = ι

Im allgemeinen wird man bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens die aktiven Komponenten des Reaktioiisgases so stark mit inertem Gas oder mit Wasserstoff verdünnen und/oder die Temperaturverhältnisse so wählen, daß eine Abscheidung in der freien Gasphase nicht möglich ist. Es kommt somit den zu beschichtenden Scheiben und - in etwas geringerem Maße - der Wandung des Reaktionsrohres eine entscheidende Bedeutung als Abscheidungsunterläge zu. Dabei ist hinsichtlich -der Wirkung mit zwei Phasen zu rechnen: 1. die Aktivierungaphase; diese tritt ein, sobald das Reaktioiisgas infolge der ersten Berührung mit der heißen \7an-" 109847/0390

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dung des Reaktionsrohres erhitzt wird.

2. die Abscheidung3phase; hier setzen sich die während der ersten Phase gebildeten energiereichen Radikale bzw« sonstigen Molekülbruchstücke unter Entstehung des gewünschten Schutzschichtmaterials, z.B. SiOp oder Si^N,, um. Dabei muß vielfach Wärme abgeführt werden, was nach läge der Dinge nur über die nicht reagierenden Teile des Reaktionsgases bzw, die (selbst heiße Wandung des Reaktionsrohrs) möglich ist. Im Interesse einer gründlichen Aktivierung des Reaktionsgases empfiehlt es sich, die Temperatur an der Wandung des Reaktionsgefäßes in der !Tähe der Prallplatte 7 höher als die Temperatur der zu beschichtenden Halbleiterscheiben'zu wählen» Im Fall der Esterpyrolyse, die im obigen Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, kann die Temperaturdifferenz 2O⁰C und mehr betragen, um die die Wand am Ort der Prallplatte heißer als die Wand am Ort der zu beschichtenden Scheiben ist.

In einem Versuch hatte das Reaktionsrohr am Ort der Prallplatte und der Scheiben einen lichten Durchmesser von etwa 5 0 mm und eine Temperatur von 600-700°. Bei Verwendung einer Strömungsgeschwindigkeit von mindestens" 3m pro min» (ungefähr 10 Liter pro min.) für das Gas blieb hinter der Prallplatte ein Abstand von 25 cn, bei 5m pro min. ein Abstand a von 30 cm abscheidungsfrei, wenn SiOp-Schlchten aus einem kieselesterhaltigen Gas abgeschieden wurden. Bei der Abscheidung von Si₇Ii. führten die entsprechenden Bedingungen zu einer etwas geringeren, das heißt 5-15 cm langen, abscheidungsfreien Zone. Allerdings wurden die Temperaturen etwa um 100% erhöht.

9 Patentansprüche · '·».«.

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Claims

Patentansprüche

1. Verfahren zun Abscheiden von isolierenden Schutzschichten aus anorganischen Material auf der Oberfläche von erhitz-

das ten Halbleiterscheiben aus einem Material abscheidenden Reaktionsgas; bei den die Scheiben durch Vermittlung der -aus hochreinem Quarz oder dergleichen bestellenden Wand des Reaktionsraums erhitzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß das in den Reaktionsraum eingeleitete frische und noch mindestens 100 ⁰C unterhalb der Temperatur der zu beschichtenden Halbleiterscheiben befindliche Reaktioncga3 durch mindestens ein auf seinem Weg zu den zu beschichtenden Halbleiterscheiben angeordnetes Hindernis radial gegen die höchstens 50 ⁰C unterhalb der Teraperatui' der zu beschichtenden Halbleiterscheiben temperierte Wand des Reaktionsraumes geleitet und von dort so rasch den mit Abstand hinter diesem Hindernis befindlichen Halbleiterscheiben zugeführt wird, daß trotz der nunmehr hohen Temperatur des Reaktlonsgases die Abscheidung erst am Ort der Halbleiteracheiben stattfindet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hohe Geochwindigkeit deu Reaktionsgases durch den Auotritt auo einer gegen <3as Hindera^«, insbesondere Prallplatte, gerichteten Düao erzeugt wird* . *

3. Verfahren nach Anqpruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beschichtenden Scheiben auf einer aus Quarz bestehenden Horde angeordnet werden, die in Strönungsrichtung

. des Repki|atöit8gäies sich in einen rohrförmigen, den Ausgang

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für das gesamte Reaktionsgas aus den Reaktionsgefäß bildenden Teil fortsetzt.

4. Verfahren nach einen der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Komponente des Reaktionsgases so stark verdünnt wird, daß eine Abscheidung nur an erhitzten Oberflächen nicht hingegen in der freien Gasphase möglich ist«

5. Verfahren nach einen der Ansprüche .1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführung; für das frische Reaktionsgas zusätzlich gekühlt v/ird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeich- - net, daß die Wandstellen, zu denen das Reaktionsgas durch den Widerstandskörper zunächst hingelenkt wird, heißer als die Temperatur der zu beschichtenden Scheiben gehalten wird.

7. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturverhältnisse an der Wandung des Reaktionsrohres so abgestimmt werden, daß lose Abscheidungen sieh nur innerhalb des rohrförmigen Hortenteils bilden können.

8'. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrensnach einem der Ansprüche 1-7, gekennzeichnet durch ein aus Quarz oder dergleichen bestehendes rohrförmiges Reaktionsgefäß, an dessen einem Ende ein Zuführungsrohr für das frische Reaktionsgas zentral in das Innere des Reaktionsraumes ragt und dessen i.Iündung gegen das z.B. als Prallplatte ausgebildete, mindestens teilweise mit Abstand zur Rohrwandung angeordnete Strömungshindernis gerichtet ist. BAD ftöf/M*r*.

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9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beschichtenden Scheiben auf einen Trüger angeordnet sind, daß, von den zu beschichtenden Scheiben aus gesehen, in Richtung der Reaktionsgasströmung sich dieser Träger in einen rohrförmigen, an der Innenwand des Rohren liegenden Teil fortsetzt, der den Ausgang für das gesamte Reaktionsgas aus den Reaktionsgefäß bildet und- außerdem gasdicht an der Innenwand des rohrförmigen Reaktionsgefäßes anliegt. ■

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