DE19756830A1 - Vakuumtechnisches Trocknen von Halbleiterbruch - Google Patents

Description

Für die Herstellung von Solarzellen oder elektronischen Bau­ elementen, wie beispielsweise Speicherelementen oder Mikropro­ zessoren, wird hochreines Halbleitermaterial benötigt. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um Halbleiter­ material, wie Silicium, Indiumphosphid, Germanium, Galliumar­ senid oder Galliumphosphid.

Die gezielt eingebrachten Dotierstoffe sind die einzigen "Ver­ unreinigungen", die ein derartiges Material im günstigsten Fall aufweisen sollte. Man ist daher bestrebt, die Konzentra­ tionen schädlicher Verunreinigungen so niedrig wie möglich zu halten.

Häufig wird beobachtet, daß bereits hochrein hergestelltes Halbleitermaterial im Verlauf der weiteren Verarbeitung zu den Zielprodukten erneut kontaminiert bzw. verunreinigt wird. So werden immer wieder aufwendige Behandlungs-/Reinigungs­ schritte mit anschließendem Trocknungsvorgang notwendig, um die ursprüngliche Reinheit zurückzuerhalten. Fremdmetallatome, die in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eingebaut werden, stören die Ladungsverteilung und können die Funktion des späteren Bauteils vermindern oder zu dessen Ausfall füh­ ren. Infolgedessen sind insbesondere Kontaminationen des Halb­ leitermaterials durch metallische Verunreinigungen zu vermei­ den. Aber auch sonstige Verunreinigungen oder Partikel auf/in der Oberfläche des Halbleiterbruchmaterials können den nach­ folgenden Schmelzprozeß nachhaltig beeinträchtigen und zu Aus­ schußmaterial führen.

Dies gilt insbesondere für Silicium, das in der Elektronikin­ dustrie mit deutlichem Abstand am häufigsten als Halbleiterma­ terial eingesetzt wird.

Hochreines Silicium erhält man durch chemische Umwandlung des Roh-Silicium in eine flüssige Siliciumverbindung (beispiels­ weise Trichlorsilan), die mit Hilfe von Destillationsverfahren in höchstreiner Form aufbereitet werden kann. In einem an­ schließenden chemischen Abscheideprozess wird diese hochreine Siliciumverbindung dann in hochreines Silicium übergeführt. Es fällt dabei als polykristallines Silicium in Form von Stäben als Zwischenprodukt an.

Analoges gilt für die anderen Halbleitermaterialien. Auch sie werden überwiegend zunächst als polykristallines Zwischenpro­ dukt hergestellt.

Der überwiegende Teil des polykristallinen Halbleitermaterials wird zur Produktion von tiegelgezogenen Einkristallen, von Bändern und Folien oder zur Herstellung von polykristallinem Solarzellengrundmaterial verwendet.

Da diese Produkte aus hochreinem, schmelzflüssigem Halbleiter­ material hergestellt werden, ist es notwendig, festes Halblei­ termaterial in Tiegeln aufzuschmelzen.

Um diesen Vorgang möglichst effektiv zu gestalten, müssen großvolumige, massive Halbleiterstücke definierter Bruchgrö­ ßenverteilung hergestellt werden, wobei aus verfahrenstechni­ schen Gründen genau spezifizierte Anforderungen an die Ober­ flächenreinheit bestehen. Mit dem Halbleiterbruchmaterial dür­ fen keine Verunreinigungen in den Tiegel gelangen; die Ober­ fläche des Halbleiterbruches muß trocken, staub- und säurefrei sein, da ansonsten - insbesondere bei der Einkristallzucht - Fremdpartikel zu Versetzungen und Gitterstörungen führen und eine erfolgreiche Kristallzucht unmöglich machen.

Zur Herstellung von hochreinem Halbleiterbruchmaterial wird das polykristalline Halbleitermaterial (wie beispielsweise die erwähnten polykristallinen Siliciumstäbe) aber auch einkri­ stallines Halbleiter-Recyclingmaterial vor dem Aufschmelzen zerkleinert. Dies ist üblicherweise immer mit einer oberfläch­ lichen Verunreinigung des Halbleiterbruchmaterials verbunden, weil die Zerkleinerung überwiegend mit mechanischen Brechwerk­ zeugen, wie metallischen oder keramischen Backen- oder Walzen­ brechern, Hämmern oder Meißeln, erfolgt. Durch den Zerkleine­ rungsvorgang werden Fremdatome (Eisen, Chrom, Nickel, Kupfer etc.) in die Oberfläche des Halbleitermaterials eingearbeitet oder haften auf der Oberfläche. Aber auch bei den alternativen Brechverfahren, wie z. B. Wasserstrahlbrechen, Stoßwellenzer­ kleinerung etc., läßt sich nicht gänzlich ausschließen, daß derartige Kontaminationen mit Fremdatomen erfolgen oder daß schädlicher Staub und/oder Partikel auf die Bruchoberfläche gelangen kann.

Insbesondere ist die Kontamination durch Metallatome als kri­ tisch anzusehen, da diese die elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials in schädlicher Weise verändern können. Staub und/oder Partikel auf der Oberfläche kann nachhaltig den nachfolgenden Ziehprozeß beeinträchtigen (Versetzungen etc.).

Um mechanisch bearbeitetes Halbleitermaterial als Ausgangsma­ terial für den weiteren Fertigungsprozeß einsetzen zu können, ist es notwendig, vorab die Konzentration an Metallionen und Partikel herabzusetzen, die durch den Bearbeitungsvorgang und die Handhabung auf bzw. in die Oberfläche des mechanisch bear­ beiteten Halbleitermaterials gelangt sind.

So müssen die Halbleiterbruchstücke vor dem Aufschmelzen einer chemischen Oberflächenbehandlung mit anschließender Reinigung und Trocknung unterzogen werden, um die spezifizierten Rein­ heitswerte der Oberfläche zu erreichen.

Die Oberfläche des mechanisch bearbeiteten Halbleitermaterials wird dazu mit diversen Säuren wie zum Beispiel einer Mischung aus Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure geätzt. Dieses Verfahren wird weithin angewendet. Danach wird üblicherweise das Halbleiterbruchmaterial, wie beispielsweise polykristalli­ ner Siliciumbruch, mit Reinstwasser gespült und getrocknet. Da mit dem Halbleitermaterial keine Verunreinigung in den Tiegel gelangen dürfen, muß die Oberfläche/Oberflächenstruktur des Halbleiterbruchmaterial absolut trocken, staub-, flecken- und säurefrei sein.

Halbleitermaterial ist in der Regel sehr spröde, daher ent­ steht durch den Bruchvorgang ein scharfkantiges, zerklüftetes Halbleiterbruchmaterial mit einer Vielzahl feiner Haarrisse, die sich bis in cm-Bereich unter der Oberfläche ausgebreitet haben. Insbesondere in diesen Rissen bildet sich aufgrund der Kapillarwirkung Restfeuchtigkeit (Wasser-, Säurereste), die im Nachhinein zu Verunreinigung (Flecken) d. h. zu Ausschußmateri­ al oder gar zu Verätzungen führen kann. Um die hohen Quali­ tätsanforderungen, die ständig verschärft werden, zu erfüllen, ist eine einwandfreie Trocknung, d. h. säure- und fleckenfreies Halbleiterbruchmaterial, zwingend notwendig.

Die herkömmliche Konvektionstrocknung (das Trocknungsgut wird mit Reinstluft überströmt bzw. durchströmt) bringt nicht den erhofften Erfolg in einer angemessener Zeitspanne (unter einer Stunde), was u. a. an der Färbung von Lackmus-Papier erkennbar ist, es sei denn, daß aufwendige, voluminöse und damit kost­ spielige Einrichtungen errichtet werden, oder das Gut lagert für einen längeren Zeitraum unverpackt "im Freien", wobei das Risiko der verstärkten Staubkontamination sehr hoch ist. Ein weiterer Nachteil der Konvektionstrocknung besteht darin, daß Feuchtigkeit in den feinsten Haarrissen verbleibt und so die Gefahr der nachträglichen Fleckenbildung/Staubbelastung erhöht wird.

Dies führt zu einer Qualitätsverschlechterung gegebenenfalls zu Ausschuß.

Bei der Strahlungstrocknung wird vorrangig die obere Schicht erwärmt, so daß Flächen auf der "Schattenseite" des Halblei­ terbruchmaterials bzw. bei Schüttungen tiefer liegende Schich­ ten nicht ausreichend erfaßt werden. Des weiteren ist eine Säureentfernung aus den Haarrißen nicht einwandfrei gegebenen. Dies führt ebenfalls zur Fleckenbildung, das heißt zu Ausschußmaterial.

Wird die Strahlungsintensität verstärkt, d. h. die Oberflächen­ temperatur wird auf über 100°C erhöht, dann diffundieren bei zunehmender Temperatur nicht abgereinigte Metallionen in die Oberfläche des Halbleiterbruchmaterials und kontaminieren nachhaltig das reine Halbleitermaterial. Dies führt zu einer Qualitätsverschlechterung gegebenenfalls zu Ausschuß.

Analoges gilt für die Trocknung mit Hilfe von Mikrowellen. Auch hier muß, aufgrund der Erwärmung des Materials, mit der Eindiffusion von schädlichen Metallionen d. h. mit Ausschußma­ terial gerechnet werden.

Auch die Trommeltrocknung ist nicht praktikabel, da durch die Bewegung des Stückgutes einerseits zwischen Halbleiterbruchma­ terial und Prozeßtrommel bzw. andererseits zwischen den Halb­ leiterbruchstücken selber nachhaltig Trommelabrieb bzw.

Halbleiter-Feinbruch/-Staub entsteht, wodurch der nachfolgende Ziehprozeß stark beeinträchtigt wird (hohe Versetzungsrate) und ebenfalls zu Ausschußmaterial führt.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden, insbesondere ein staub-, flecken- und säurefreies Trocknen von Halbleiterbruchmaterial zu ermögli­ chen, wobei dies in einer effizienten und wirtschaftlichen Weise erfolgt.

Diese Aufgabe wird durch die Erfindung gelöst.

Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zum Trocknen von Halbleiterbruchmaterial, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Vorrichtung zumindest eine vakuumdichte Vorrichtung mit zumindest einer Aufnahmevorrichtung für Halbleiterbruchmateri­ al aufweist und daß in der Vorrichtung ein Vakuum herrschen kann.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Trocknen von Halbleiter­ bruchmaterial weist zumindest eine vakuumdichte Vorrichtung auf, die eine Vakuumtrockenkammer sein kann, die einen Deckel aufweist, der geöffnet werden kann, um das Halbleiterbruchma­ terial einzubringen und die vakuumdicht verschließbar ist, wo­ bei die Vakuumtrockenkammer vorzugsweise wandbeheizt ist. Vor­ zugsweise im oberen Bereich der Vakuumtrockenkammer befindet sich eine Öffnung, durch die trockene Reinstluft mit einer re­ lativen Feuchtigkeit von kleiner 20% oder vorzugsweise reine, inertisierende Gase (z. B. Stickstoff, Argon etc.) und einer Temperatur von 20°C bis 90°C bevorzugt ca. 80°C und einem Gas-Volumenstrom von vorzugsweise 2 bis 20 m³/h einströmen können. Im unteren Bereich befindet sich eine Vakuum-Pumpe ho­ her Saugleistung, die einen Druck von 10^-2 bis 10^-5 mbar, be­ vorzugt 10^-3 bis 10^-4 mbar erzeugt und eine Saugleistung von 30 m³/h bis 250 m³/h, bevorzugt 100 m³/h bis 200 m³/h auf­ weist (die Saugleistung ist u. a. abhängig von der Anzahl der zu trocknenden Aufnahmevorrichtungen (Prozeßschalen) und der darin zu trocknenden Menge an Halbleiterbruchmaterial (dem Produktdurchsatz), der Materialschichtung (einschichtig oder mehrschichtig) bzw. der Halbleiterbruchstruktur/-größe; d. h. der sich daraus ergebenden Vakuumtrockenkammergröße). In diese Vakuumtrockenkammer wird vorzugsweise eine Aufnahmevorrich­ tung, die vorzugsweise Öffnungen aufweist, wobei diese Öffnun­ gen vorzugsweise im Boden (Lochboden) sind, eingesetzt, in der sich das Halbleiterbruchmaterial befindet, das vorzugsweise eine Korngrößenverteilung von 2 mm bis 150 mm aufweist. Diese Vakuumtrockenkammer ist vorzugsweise ein Behälter aus VA-2 oder VA-4 Stahl, der entweder elektropoliert wird oder mit reinraumtauglichen und temperaturbeständigen Materialien wie vorzugsweise Silicium oder die Kunststoffe Teflon und PFA aus­ gekleidet ist. Die eingesetzte Aufnahmevorrichtung (Prozeß­ schale) sitzt auf einer Dichtleiste auf, so daß die Aufnahme­ vorrichtung d. h. das Halbleiterbruchmaterial zwangsweise über den Lochboden mit erwärmter Reinstluft und/oder reinem Inert­ gas durchströmt wird. Die Zykluszeit liegt hierbei vorzugswei­ se in einem Bereich von 2 bis 10 min. (u. a. abhängig von Bruchstruktur, -größe, Saugleistung der Vakuumpumpe, Einsatz­ menge und des Gas-Volumenstromes).

Dieser Vakuumtrockenkammer kann (gleichsam zur Vortrocknung) auch noch eine übliche Vorrichtung zur Konvektionstrocknung vorausgehen, wobei diese Vorrichtung eine Kammer ist, durch die von oben durch vorzugsweise eine temperaturbeständige La­ minarairflow-Decke trockene Reinstluft mit einer Luftfeuchtig­ keit kleiner 20% und mit einer Temperatur von 60 bis 100°C, vorzugsweise von 70 bis 90°C einströmen kann. Deren Einsatz und die Trocknungszeit sind abhängig von der Menge und Art des Materials (Bruchgröße/-struktur) und beträgt bei einem Durch­ satz von 250 kg/h vorzugsweise 0 min bis 1 h.

Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Trocknung von Halbleiterbruchmaterial, das dadurch gekenn­ zeichnet ist, daß das Halbleiterbruchmaterial in einem Vakuum getrocknet wird.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Trocknung von Halblei­ terbruchmaterial wird das aus der Endreinigung mit vorzugswei­ se 80°C heißem Reinstwasser vorgewärmte Halbleiterbruchmate­ rial in vorzugsweise einer oben beschriebenen Vakuumtrocken­ kammer getrocknet. Diese Vakuumtrockenkammer wird mit Hilfe einer Vakuumpumpe hoher Saugleistung vorzugsweise auf einen Druck von 10^-2 mbar bis 10^-5 mbar, bevorzugt 10^-3 bis 10^-4 mbar evakuiert, wobei die Saugleistung von 30 m³/h bis 250 m³/h, bevorzugt 100 bis 200 m³/h reicht (die Saugleistung ist u. a. abhängig von der Anzahl der zu trocknenden Aufnahmevor­ richtungen (Prozeßschalen) und der darin zu trocknenden Menge an Halbleiterbruchmaterial (dem Produktdurchsatz), der Materi­ alschichtung (einschichtig oder mehrschichtig) bzw. der Halb­ leiterbruchstruktur/-größe; d. h. der sich daraus ergebenden Vakuumtrockenkammergröße). Insbesondere durch diesen Evakuie­ rungsvorgang läßt sich bevorzugt die Restfeuchte aus den soge­ nannten Haarrissen der Halbleiterbruchmaterialien entfernen. Nachdem die Vakuumtrockenkammer evakuiert ist, wird sie mit trockener Reinstluft mit einer relativen Feuchtigkeit kleiner 20% oder reinen, inertisierenden Gasen (z. B. Stickstoff, Ar­ gon etc.) und einer Temperatur von 20 bis 90°C bevorzugt ca. 80°C und einem Gas-Volumenstrom von vorzugsweise 2 bis 20 m³/h geflutet. Das Wechselspiel aus Evakuieren und das Fluten mit Reinstluft und/oder reinem Inertgas erfolgt vorzugsweise 1 bis 3mal u. a. abhängig von der Bruchgröße und/oder der Bruchstruktur. Dadurch daß die Aufnahmevorrichtung auf einer Dichtleiste in der Vakuumtrockenkammer aufsitzt, wird das Halbleiterbruchmaterial beim Fluten bzw. Evakuieren zwangswei­ se durchströmt; dies fördert die Feuchtigkeitsaufnahme der Reinstluft und/oder des Inertgases und beschleunigt und ver­ stärkt den Trocknungsvorgang.

Das Evakuieren und Fluten der Vakuumtrockenkammer dauert vor­ zugsweise 5 bis 60 min. bei einem Durchsatz von 250 kg/h (u. a. abhängig von der Vakuumkammergröße, der Bruchgröße und/oder der Bruchstruktur). Der Reinstluft-/Gas-Volumenstom liegt be­ vorzugt in einem Bereich von 2 bis 20 m³/h.

Bei Bedarf kann der Vakuumtrocknung u. a. abhängig von der Bruchgröße und/oder Bruchstruktur (als Vortrocknung) noch eine herkömmliche Konvektionstrocknung vorausgehen, bei der die Aufnahmevorrichtung ebenfalls zwangsweise vorzugsweise mit trockener Reinstluft mit einer relativen Feuchtigkeit von kleiner 20% und einer Temperatur von 20 bis 90°C bevorzugt von 60 bis 90°C durchströmt wird. Der Zustrom der Reinstluft erfolgt vorzugsweise über eine Laminarairflowdecke.

Falls die Vakuumtrocknung allein erfolgt, beträgt sie vorzugs­ weise 10 min bis 60 min. Falls eine Konvektionstrocknung vor­ aus, beträgt die gesamte Trocknungszeit vorzugsweise 20 min bis 120 min. Diese Zeiten beziehen sich auf einen Durchsatz von Halbleiterbruchmaterial von vorzugsweise 250 kg/h.

Nach der erfindungsgemäßen Trocknung wird das Halbleiter­ bruchmaterial über eine sich anschließende abgeschottete Transportstrecke, die vorzugsweise eine herkömmliche Laminar­ flowdecke der Reinraum-Klasse 10 bis 1000 aufweist, auf eine maximale Temperatur von 30°C abgekühlt, bevor es in einer Verpackungsvorrichtung in Folie eingeschweißt wird.

Zur Verminderung von Kontamination während der einzelnen Pro­ zeßschritte ist die Prozeßstraße vorzugsweise mit einer La­ minarairflowdecke, zum Beispiel der RR - Klasse 100, überbaut.

Der Vorteil der Vakuumtrocknung besteht gegenüber einem Trock­ nen mittels der üblichen Konvektions-/Strahlungstrocknung dar­ in, daß eine vollständige Trocknung des Halbleiterbruchmaterials bei Temperaturen unter 100°C möglich ist. Insbesondere verbleibt keine Restfeuchtigkeit (Wasser-/Säurereste) in der Mikrostruktur, wie den feinen Haarrissen der Oberfläche des Halbleiterbruchmaterials, um so die Gefahr der nachträglichen Fleckenbildung und/oder Verätzung oder Staubbelastung zu ver­ mindern. Des weiteren, da keine Temperaturen über 100°C er­ forderlich sind, tritt der nachteilige Diffusionsvorgang von fremden Metallionen in das Halbleitermaterial - wie bei der Strahlungstrocknung - so gut wie nicht ein. Es kann somit ein Halbleiterbruchmaterial erzeugt werden, was den höchsten Qua­ litätsanforderungen genügt.

Ferner kann der anlagentechnische Aufwand, insbesondere die Größe (räumliche Abmessung), der Trocknungseinrichtung deut­ lich reduziert werden, wodurch Produktionsfläche eingespart wird. (z. B. umfaßt eine herkömmliche Konvektionstrocknung meh­ rere Meter, wohingegen eine Vakuumtrocknung im Meterbereich liegt. Hierbei lassen sich auch Größe und Umfang der Klima­ techgnischen und Reinraum-technischen Einrichtungen dement­ sprechend deutlich reduzieren, wodurch insbesondere Investiti­ onskosten aber auch laufende Betriebs-/Energiekosten einge­ spart werden können.

Die Vakuumtrocknung läßt sich aufgrund ihrer kleinen räumli­ chen Abmessungen vorteilhaft in Modulbauweise errichten und somit relativ einfach in die bestehenden Fertigungsabläufe einbauen.

Claims (7)

1. Vorrichtung zum Trocknen von Halbleiterbruchmaterial, da­ durch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zumindest eine vaku­ umdichte Vorrichtung mit zumindest einer Aufnahmevorrichtung für Halbleiterbruchmaterial aufweist und daß in der Vorrich­ tung ein Vakuum herrschen kann.

2. Vorrichtung zum Trocknen von Halbleiterbruchmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmevorrich­ tung Öffnungen aufweist.

3. Vorrichtung zum Trocknen von Halbleiterbruchmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die, Vorrichtung vor der vakuumdichten Vorrichtung zumindest eine Vorrichtung zur Konvektionstrocknung aufweist.

4. Verfahren zur Trocknung von Halbleiterbruchmaterial, da­ durch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbruchmaterial in einem Vakuum getrocknet wird.

5. Verfahren zur Trocknung von Halbleiterbruchmaterial nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbruchma­ terial zuvor zumindest mittels einer Konvektionstrocknung ge­ trocknet wird.

6. Verfahren zur Trocknung von Halbleiterbruchmaterial nach einem der Ansprüche 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Trocknung von Halbleiterbruchmaterial durch mehrmaliges Anle­ gen eines Vakuums im Wechsel mit dem Fluten mit Reinstluft und/oder inertisierenden Gasen erfolgt.

7. Verfahren zur Trocknung von Halbleiterbruchmaterial nach einem oder mehreren der Ansprüche 4, 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die trockene Reinstluft und/oder inerti­ sierenden Gase eine relative Feuchtigkeit von kleiner 20% aufweisen.