JPS63302521A - 半導体基板の乾燥装置 - Google Patents
半導体基板の乾燥装置Info
- Publication number
- JPS63302521A JPS63302521A JP13848387A JP13848387A JPS63302521A JP S63302521 A JPS63302521 A JP S63302521A JP 13848387 A JP13848387 A JP 13848387A JP 13848387 A JP13848387 A JP 13848387A JP S63302521 A JPS63302521 A JP S63302521A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drying chamber
- chamber
- semiconductor substrate
- vacuum pump
- drying
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
この発明は、半導体基板の乾燥装置に関するものである
。
。
従来の半導体基板の乾燥装置を第２図について説明する
。同図において、１は乾燥チャンバ、２はその開閉ドア
、３は乾燥チャンバ１内に設置したモータ、４はモータ
３の回転軸３ａに取り付けたカセット支持枠、５は支持
枠４にセットされろ半導体ウニへ収納用のカセットで、
これには多数のウェハ６が収納されている。また上記乾
燥チャンバ１には図示しない送風機に接続される送風口
１ａ及び排気口１ｂが形成されている。
。同図において、１は乾燥チャンバ、２はその開閉ドア
、３は乾燥チャンバ１内に設置したモータ、４はモータ
３の回転軸３ａに取り付けたカセット支持枠、５は支持
枠４にセットされろ半導体ウニへ収納用のカセットで、
これには多数のウェハ６が収納されている。また上記乾
燥チャンバ１には図示しない送風機に接続される送風口
１ａ及び排気口１ｂが形成されている。
上記のように構成された従来の半導体基板乾燥装置にお
いて、半導体ウェハ６を乾燥する場合は、カセッｌ−５
内に収納されたウェハ６をカセット５ごと洗浄工程にお
いて、洗浄液により洗浄したものを、ドア２を開いて乾
燥チャンバ１内のカセット支持枠４にセットシ、ドア２
を閉める。その後、モータ３を起動すると共に図示しな
い送風機を起動して乾燥チャンバ１内に清浄な乾燥用エ
ア〜を送風する。従って、モータ３が回転することによ
り、これを一体のカセット支持枠４及びこれにセットさ
れたカセット５６回転されるため、ウェハ６に付着した
水分は遠心力により振り切られると同時に、送風される
エアーによってウェハ６ば乾燥されることになる。また
、ウェハ６の乾燥に供すしたエアーは排気口１ｂからチ
ャンバ１外へ排出される。
いて、半導体ウェハ６を乾燥する場合は、カセッｌ−５
内に収納されたウェハ６をカセット５ごと洗浄工程にお
いて、洗浄液により洗浄したものを、ドア２を開いて乾
燥チャンバ１内のカセット支持枠４にセットシ、ドア２
を閉める。その後、モータ３を起動すると共に図示しな
い送風機を起動して乾燥チャンバ１内に清浄な乾燥用エ
ア〜を送風する。従って、モータ３が回転することによ
り、これを一体のカセット支持枠４及びこれにセットさ
れたカセット５６回転されるため、ウェハ６に付着した
水分は遠心力により振り切られると同時に、送風される
エアーによってウェハ６ば乾燥されることになる。また
、ウェハ６の乾燥に供すしたエアーは排気口１ｂからチ
ャンバ１外へ排出される。
上記のような従来の半導体基板乾燥装置では、乾燥チャ
ンバ１内にモータ３が設置されているため、モータ３の
駆動に伴い回転部等から発生する摩耗微粒、その他の塵
埃が洗浄ウェハ６に付着され、ウェハ６の洗浄度を低下
させてしまうほか、ウェハ６に付着した塵埃がウェハ上
に形成される素子に重大な悪影響を及ぼす問題があった
。
ンバ１内にモータ３が設置されているため、モータ３の
駆動に伴い回転部等から発生する摩耗微粒、その他の塵
埃が洗浄ウェハ６に付着され、ウェハ６の洗浄度を低下
させてしまうほか、ウェハ６に付着した塵埃がウェハ上
に形成される素子に重大な悪影響を及ぼす問題があった
。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、乾燥チャンバ内のクリーン度を向上させ、
半導体基板の清浄乾燥を可能にした半導体基板の乾燥装
置を提供することを目的とする。
れたもので、乾燥チャンバ内のクリーン度を向上させ、
半導体基板の清浄乾燥を可能にした半導体基板の乾燥装
置を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体基板の乾燥装置は、乾燥チャンバ
に、その内部を減圧して半導体基板の付着水分を蒸発吸
引する真空ポンプを設けたものである。
に、その内部を減圧して半導体基板の付着水分を蒸発吸
引する真空ポンプを設けたものである。
この発明においては、真空ポンプが駆動されろと、密閉
状態にある乾燥チャンバ内が減圧され、これに伴い半導
体基板等に付着している水分は蒸発シ、ホンプの吸引作
用によってチャンバ外へ排出される。従って、この発明
によれば従来のように外部からエアーを供給したり、或
いはモータのような塵埃発生源がチャンバ内にないため
、チャンバ内を常にクリーンにでき、半導体基板の清浄
乾燥が可能になる。
状態にある乾燥チャンバ内が減圧され、これに伴い半導
体基板等に付着している水分は蒸発シ、ホンプの吸引作
用によってチャンバ外へ排出される。従って、この発明
によれば従来のように外部からエアーを供給したり、或
いはモータのような塵埃発生源がチャンバ内にないため
、チャンバ内を常にクリーンにでき、半導体基板の清浄
乾燥が可能になる。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１は乾燥チャンバ、２はその開閉ドア
であり、７は乾燥チャンバ１内に設置したカセット支持
枠である。カセット支持枠７には、半導体ウェハ６を多
段に収納したカ七ン１−５がセットされるようになって
いる。
であり、７は乾燥チャンバ１内に設置したカセット支持
枠である。カセット支持枠７には、半導体ウェハ６を多
段に収納したカ七ン１−５がセットされるようになって
いる。
また、８は上記乾燥チャンバ１にバルブ９を介して接続
した真空ポンプで、その排気側には排気管１０を介して
大気に開放されている。１１は清浄空気又は窒素ガス（
Ｎ２）等をチャンバ１内に導入するため、チャンバ１に
接続した気体導入管で、この導入管１１の途中にはバル
ブ１２が設けられている。
した真空ポンプで、その排気側には排気管１０を介して
大気に開放されている。１１は清浄空気又は窒素ガス（
Ｎ２）等をチャンバ１内に導入するため、チャンバ１に
接続した気体導入管で、この導入管１１の途中にはバル
ブ１２が設けられている。
次に、上記のように構成された本実施例の乾燥装置の動
作について説明する。
作について説明する。
洗浄後のウェハ６を乾燥する場合は、乾燥チャンバ１の
ドア２を開いた状態で、洗浄後のウェハ６をカセット５
ごとチャンバ内のカセット支持枠７にセットし、ドア２
を閉じる。この時バルブ９及び１２は閉成されている。
ドア２を開いた状態で、洗浄後のウェハ６をカセット５
ごとチャンバ内のカセット支持枠７にセットし、ドア２
を閉じる。この時バルブ９及び１２は閉成されている。
かかる状態で真空ポンプ８を起動し、バルブ９を開くと
乾燥チャンバ１内は真空引きされるため、その内部圧力
は常圧（７８０ｔｏｒｒ）からそれ以下に減圧されると
共に、減圧によってウェハ６及びカセット５に付着して
いる水分が蒸発し、この蒸発水分は真空ポンプ８により
吸引され大気へ排出される。これによりウェハ６はクリ
ーンな雰囲気で乾燥されることになる。
乾燥チャンバ１内は真空引きされるため、その内部圧力
は常圧（７８０ｔｏｒｒ）からそれ以下に減圧されると
共に、減圧によってウェハ６及びカセット５に付着して
いる水分が蒸発し、この蒸発水分は真空ポンプ８により
吸引され大気へ排出される。これによりウェハ６はクリ
ーンな雰囲気で乾燥されることになる。
また、乾燥終了後のウェハ６をチャンバ１から取出す場
合は、バルブ９を閉め、且つバルブ１２を開いて窒素ガ
スあるいは清浄空気を導入管１１からチャンバ１内に導
入し、チャンバ１内を常圧にする。この状態でドア２を
開き、カセッｌ−５を取出せば良い。
合は、バルブ９を閉め、且つバルブ１２を開いて窒素ガ
スあるいは清浄空気を導入管１１からチャンバ１内に導
入し、チャンバ１内を常圧にする。この状態でドア２を
開き、カセッｌ−５を取出せば良い。
なお、減圧乾燥後にチャンバ１内を常圧に戻す手段とし
ては、上記実施例に示す方式のものに限定されない。
ては、上記実施例に示す方式のものに限定されない。
以上のように、この発明によ尤ば密閉可能な半導体基板
乾燥用チャンバに真空ポンプを接続し、この真空ポンプ
を起動してチャンバ内を減圧することにより、チャンバ
内の洗浄後の半導体基板を乾燥させるようにしたもので
あるから、チャンバ内のクリーン度を向上でき、半導体
基板を清？′ｐ乾燥できる効果がある。
乾燥用チャンバに真空ポンプを接続し、この真空ポンプ
を起動してチャンバ内を減圧することにより、チャンバ
内の洗浄後の半導体基板を乾燥させるようにしたもので
あるから、チャンバ内のクリーン度を向上でき、半導体
基板を清？′ｐ乾燥できる効果がある。
第１図はこの発明に係る半導体基板乾燥装置の一例を示
す概略断面図、第２図は従来の半導体基板乾燥装置の概
略断面図である。 １・・乾燥チャンバ、２ ・ドア、５−・カセット、６
半導体ウェハ、７・カセット支持枠、８・真空ポンプ
、９．１２−・バルブ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す概略断面図、第２図は従来の半導体基板乾燥装置の概
略断面図である。 １・・乾燥チャンバ、２ ・ドア、５−・カセット、６
半導体ウェハ、７・カセット支持枠、８・真空ポンプ
、９．１２−・バルブ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 密閉可能な半導体基板乾燥用チャンバに、その内部を減
圧して半導体基板の付着水分を蒸発吸引する真空ポンプ
を接続したことを特徴とする半導体基板の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13848387A JPS63302521A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 半導体基板の乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13848387A JPS63302521A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 半導体基板の乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302521A true JPS63302521A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15223138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13848387A Pending JPS63302521A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 半導体基板の乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63302521A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336729A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Hanami Kagaku Kk | 乾燥方法及びその乾燥装置 |
| WO1992020984A1 (fr) * | 1991-05-24 | 1992-11-26 | Nikku Industry Co., Ltd. | Appareil de sechage sous vide |
| US5293697A (en) * | 1991-12-26 | 1994-03-15 | Nikku Industry Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus |
| EP0924487A3 (de) * | 1997-12-19 | 1999-07-07 | Wacker-Chemie GmbH | Vakuumtechnisches Trocknen von Halbleiterbruch |
| US6261007B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate process method and substrate process apparatus |
| JP2009507678A (ja) * | 2005-09-12 | 2009-02-26 | ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド | レンズ型部分をガス抜きするための装置および方法 |
| JP2018048792A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥システム、および減圧乾燥方法 |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP13848387A patent/JPS63302521A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336729A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Hanami Kagaku Kk | 乾燥方法及びその乾燥装置 |
| WO1992020984A1 (fr) * | 1991-05-24 | 1992-11-26 | Nikku Industry Co., Ltd. | Appareil de sechage sous vide |
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| US6443641B2 (en) | 1998-07-29 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate process method and substrate process apparatus |
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| JP2018048792A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥システム、および減圧乾燥方法 |
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