DE3200613C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine energieunabhängige Schreib/ Lesespeicherschaltung für tragbare elektronische Geräte, insbesondere zum nachträglichen Einspeichern von Pro­ grammdaten in elektronische Uhren, mit einem flüchtigen Mehrbit-Speicher zum Empfangen von Daten und einem beim Einschreiben verhältnismäßig hohe Ansteuerspannungen er­ fordernden, nichtflüchtigen Mehrbit-Speicher, der jeder Bitstelle des flüchtigen Speichers zugeordneten Speicher­ plätze aufweist und die Daten vom flüchtigen Speicher über Übertragungsglieder übernimmt, wobei der flüchtige Speicher, der nichtflüchtige Speicher und die Übertra­ gungsglieder auf demselben Halbleitersubstrat ausgebildet sind.

Für tragbare elektronische Geräte, wie bei­ spielsweise elektronische Uhren, sind bislang aus­ schließlich nur Masken-Festwertspeicher (ROMs) angewendet worden, die lediglich zum Auslesen der Daten verwendet werden, so daß sich das Problem bezüglich der Anzahl der Anschlüsse zum Einschreiben der Daten nicht gestellt hat.

Ein Schreib/Lesespeicher bietet jedoch bei elektronischen Uhren die zusätzliche Möglichkeit, Korrekturdaten für die individuellen Uhren einzugeben. Auf diese Weise kann die Leistungsfähigkeit der Uhren ganz erheblich gesteigert werden. Bei dem derzeit be­ kannten energieunabhängigen Schreib/Lesespeichern muß jedoch zum Einschreiben der Daten eine Spannung von mehr als 20 Volt aufgebracht werden. Demgegen­ über sind die derzeit bekannten energieunabhängigen Speicherschaltungen lediglich für den Anschluß an eine Versorgungsspannung von ungefähr 5 Volt geeignet, dafür jedoch in der Lage, eine Einschreibspannung von mehr als 20 Volt auszuhalten.

Aus diesem Grunde konnten bislang die peripheren Schaltungen der energieunabhängigen Speicher ohne besondere Beachtung der Hochspannungsfestigkeit entworfen werden. Darüber hinaus wurden bislang nur relativ wenige Anschlüsse zum Einschreiben der Daten verlangt.

Schaltungen für elektronische Uhren sind jedoch für eine Versorgungsspannung von etwa 1,5 Volt ausgelegt und nicht in der Lage, einer Schreibspannung von mehr als 20 Volt zu widerstehen. Versucht man daher, die Daten in der gleichen Weise wie bei den konventionellen peripheren Schaltungen einzuschreiben, so ist es erforderlich, die gesamte periphere Schaltung so auszulegen, daß sie einer besonders hohen Spannung standhalten kann. Ein derartiger Schaltungsentwurf wirft jedoch Probleme bezüglich der Fläche von hochintegrierten Schalt­ kreisen (LSI) und bezüglich des Stromverbrauches auf. Umgeht man das Problem eines möglichen Spannungs­ zusammenbruches in der Weise, daß man für jeden Speicherplatz des energieunabhängigen Speichers jeweils einen externen Anschluß zur Schreibspannungsver­ sorgung vorsieht, so wird die Anzahl der Anschlüsse zu groß.

Darüber hinaus weisen konventionelle energieun­ abhängige Schreib/Lesespeicher Adressenanschlüsse zur Auswahl des Wortes und Datenanschlüsse für ein einzuschreibendes Wort oder zum Lesen der Daten auf. Bei intetrierten Schaltkreisen für elektronische Uhren ist es jedoch aus Platzgründen erwünscht, selbst derartige Adressenanschlüsse zu eliminieren.

Aus der Zeitschrift Elektronic Design 4, vom 15. Februar 1980, Seiten 91 bis 95 ist bereits ein energieunabhängiger Schreib/Lesespeicher bekannt, der eine Kombination aus einem flüchtigen Speicher und einem nichtflüchtigen Speicher und entsprechenden Übertragungsgliedern auf einem Halbleiterchip enthält. Diese Speicheranordnung ist jedoch für normale Datenverarbeitungsgeräte mit den üb­ lichen Stromversorgungen von 5 V eingerichtet und ist für die z. B. in elektronischen Uhren gängigen Betriebsspan­ nungen von 1,5 V nicht darstellbar. Das Ein- und Ausspeichern erfolgt in paralleler Weise über Zeilen- und Spalten­ auswahlschaltungen, so daß für die Eingabe von Daten eine Vielzahl von Ansteuerleitungen angesteuert werden muß.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine energieunabhängige Schreib/Lesespeicherschaltung für tragbare elektronische Geräte vorzuschlagen, die mit einem geringen Platzbedarf und sehr niedrigen Betriebs­ spannungen auskommt, und in die von außen nachträglich Daten eingespeichert werden können, ohne daß die Anzahl der Anschlüsse wesentlich erhöht werden muß.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der flüchtige Speicher mit gegenüber dem nichtflüchtigen Speicher niedrigerer Versorgungsspannung arbeitet und für eine serielle Dateneingabe über nur einen Anschluß eingerichtet ist, daß die Übertragungsglieder zwischen den beiden Speichern aus zwischen den Bitstellen und den entsprechenden Speicherplätzen angeordneten Transistoren mit hoher Durchbruchspannung bestehen, und daß allen Transistoren gemeinsam Signale höherer Spannung zuführ­ bar sind, um ein Übernehmen der im flüchtigen Speicher enthaltenen Daten in den nichtflüchtigen Speicher vorzu­ nehmen.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unter­ ansprüchen zu entnehmen.

Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungs­ beispieles soll der der Erfindung zugrundeliegende Ge­ danke näher erläutert werden.

Es zeigt

Fig. 1 eine grafische Darstellung der Eigenschaften eines energieunabhängigen Speichers gemäß der vor­ liegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Beispiel einer Schreibschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung, mit der die in Fig. 1 dargestellten Eigenschaften er­ zielt werden können,

Fig. 3 eine Prinzipschaltung einer energieunab­ hängigen Speicherschaltung gemäß der vor­ liegenden Erfindung,

Fig. 4 eine Darstellung des Kurvenverlaufs der von der Speicherschaltung gemäß Fig. 3 gesteuerten Versorgungsspannung,

Fig. 5 ein Blockschaltbild eines energieunabhängigen Speicherschaltkreises gemäß der vorliegenden Erfindung für eine elektronische Uhr, und

Fig. 6 ein Blockschaltbild eines weiteren Aus­ führungsbeispieles der Anordnung gemäß Fig. 5.

Fig. 1 zeigt eine grafische Darstellung der Eigen­ schaften eines in der Schaltung gemäß eines Ausführungs­ beispieles der vorliegenden Erfindung angewandten P-Kanal-MNOS-Speichers. Wird eine über den Wert V₁ hin­ ausgehende Spannung angelegt, so wechselt die Schwell­ spannung in Richtung auf eine Abnahme der Spannung und nimmt einen Wert V_th0 an. Wird eine Steuerspannung von weniger als -V₂ angelegt, so wechselt die Schwell­ spannung in Richtung auf eine Vergrößerung der Spannung und nimmt einen Wert V_th1 an.

Die Schwellenspannung wird jedoch nicht verändert, wenn sich die Steuerspannung zwischen den Werten V₁ und -V₂ befindet.

Der Zustand, in dem die Schwellenspannung den Wert V_th0 annimmt, wird als Löschzustand "0" und der Zustand, in dem die Schwellenspannung den Wert V_th1 annimmt, als Schreibzustand "1" bezeichnet.

In Fig. 2 ist eine Schaltungsanordnung für die Schreibschaltung in einem energieunabhängigen (nichtflüchtigen) Speicherschaltkreis gemäß der vorliegenden Er­ findung dargestellt. Die Schreibschaltung gemäß Fig. 2 besteht aus einem Inverter, der aus einem N-Kanal-MOSFET 2 aufgebaut ist, der eine große Durchbruchspannung aufweist und mit einem Wider­ stand 6 verbunden ist, der mit einer Hochspannungs­ versorgungsklemme V_DDH beaufschlagt ist. Darüber hinaus ist der N-Kanal-MOSFET 2 mit einer Nieder­ spannungsversorgung V_SSH verbunden und erhält als Eingangssignal ein Signal S. Schließlich weist die Schaltungsanordnung noch einen P-Kanal-MNOS-Speicher 4 auf, der mit dem Ausgangssignal des Inverters über ein Gatter verbunden ist und dessen Source- Elektrode an eine Spannung V_DD angeschlossen ist. Die Funktionsweise der Schreibschaltung gemäß Fig. 2 wird nachstehend anhand der Tabelle 1 näher erläutert.

Tabelle 1

In der vorstehenden Tabelle 1 dient das Signal S als einzuschreibendes Zeichen, das Signal L (-1,5 V) wird zum Löschen der Daten im Speicher angelegt, während das Signal H (0 V) zum Einschreiben der Daten angelegt wird.

Der MNOS-Speicher 4 gibt die einzuschreibenden oder zu löschenden Daten dann frei, wenn die Steuerspannung mehr als 20 V beträgt. Beträgt daher zunächst die Span­ nung V_SSH -25 V und die Spannung V_DDH 0 V, so nimmt die Ausgangsspannung V₀ des Inverters den Wert -25 V unabhängig vom Signal S an. Dadurch gelangt der MNOS- Speicher 4 in den Schreibzustand. Wird dann die Spannung V_SSH auf -1,5 V und die Spannung V_DDH auf +25 V gelegt, so beträgt die Ausgangsspannung des Inverters V₀ 25 V, wenn das Signal S einen niedrigen Pegel aufweist, so daß der Speicher den Löschzustand annimmt. Weist das Signal S dagegen einen hohen Pegel auf, so nimmt die Spannung V₀ den Wert -1,5 V an und der vorangegangene Zustand wird aufrechterhalten, d. h. in diesem Falle wird der Schreibzustand erhalten.

Betragen jedoch beide Spannungen V_DDH und V_SSH -1,5 V, so nimmt die Ausgangsspannung V₀ des Inverters den Wert -1,5 V an und der vorangegangene Zustand wird eben­ falls erhalten. Um daher den Speicher in den Schreib­ zustand zu überführen, muß ein Signal S mit einem hohen Pegel eingegeben werden. Um den Speicher in dem Löschzustand zu halten, muß dagegen ein Signal S mit niedrigem Pegel angelegt werden und die Spannungen V_DDH V_SSH müssen in der obenerwähnten Weise gesteuert werden.

In Fig. 3 ist ein Schaltbild eines energieunabhängigen Speicherschaltkreises gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt, in dem ein energieabhängiger (flüchtiger) Mehrbit-Speicher 8, der Daten in serieller Form empfängt, eine mit hoher Durchbruch­ spannung versehene Transistorgruppe 10, die als Übertragungsglieder die Daten vom energieabhängigen Speicher 8 erhält, ein energieunabhängiger (nichtflüchtiger) Mehrbit-Speicher 12, in die Ausgangssignale der Transistorgruppe 10 eingegeben werden und ein energieabhängiger (flüchtiger) Mehrbit-Speicher 14 zum Auslesen der Daten aus dem energieunabhängigen Speicher 12 vorgesehen ist.

Der am Eingang vorgesehene energieabhängige Speicher 8 ist nach der Art eines rücksetzbaren Zählers aufgebaut. Wird das Potential der Eingangsklemme R an einen hohen Pegel gelegt, um den Zähler zurückzusetzen und wird die Anschlußklemme Φ mit einer gewünschten Anzahl von Impuls­ signalen beaufschlagt, so können die Ausgangsan­ schlüsse 16, 18 und 20 den gewünschten Zustand einnehmen.

Der energieabhängige Eingangsspeicher 8 ist an Versor­ gungsspannungsquellen V_DD und V_SS angeschlossen. Insbe­ sondere wird der energieabhängige Eingangsschieber 8 von denselben Spannungsquellen versorgt wie die elektro­ nischen Schaltkreise der tragbaren elektronischen Vor­ richtung, beispielsweise einer elektronischen Uhr, und das Ausgangssignal des energieabhängigen Eingangsspeichers 8 entspricht dem Signal S gemäß Fig. 2.

Die eine hohe Durchlaßspannung aufweisende Transistor­ gruppe 10 entspricht dem Inverter gemäß Fig. 2. Werden die Daten im energieabhängigen oder flüchtigen Eingangs­ speicher 8 gespeichert, so legt die mit hoher Durchbruch­ spannung versehene und an Hochspannungsquellen V_DDH und V_SSH angeschlossene Transistorgruppe 10 selektiv eine Hochspannung an die Gatter des energieunabhängigen MNOS- Speichers 12 in Abhängigkeit von den Eingangsdaten und überschreibt bzw. löscht die entsprechenden Daten. Die P^--Trägerschicht der mit hoher Durchbruchspannung ver­ sehenen Transistoren ist von der P^--Trägerschicht der anderen Blöcke getrennt und mit der Spannungsquelle V_SSV verbunden. Die Potentiale V_DDH und V_DD während dieser Periode sind nachstehend im Zusammenhang mit der Fig. 4 näher erläutert.

Die Spannung V_DD wird auf 0 V und die Spannung V_SS auf -1,5 V festgelegt. In der Periode der Datenübertragung, in der die Daten im energieabhängigen Eingangsspeicher 8 gespeichert werden, wird eine Spannung von -1,5 V an die Anschlüsse V_DDH und V_SSH angelegt. Aus diesem Grunde wird der Inhalt des energieabhängigen Speichers 12 während der Periode der Datenübertragung nicht verändert. In der nachfolgenden Schreibperiode wird eine Spannung von 0 V an den Anschluß V_DDH und eine Spannung von -25 V an den Anschluß V_SSH angelegt. Daraufhin werden alle Transistoren der Transistorgruppe 10 in den leitenden Zustand überführt, wodurch die Ausgänge auf -25 V gelegt werden und der energieun­ abhängige Speicher 12 gelangt in den Schreibzu­ stand.

Anschließend werden die Daten selektiv gelöscht. Inner­ halb der Periode des selektiven Löschens wird eine Spannung von +25 V an den Anschluß V_DDH und eine Spannung von -1,5 V an den Anschluß V_SSH angelegt. Die mit hoher Durchbruchspannung versehenen Transistoren der Transistorgruppe 10 werden selektiv leitfähig gehalten in Abhängigkeit vom Ausgangssignal des energieabhängigen Eingangsspeichers 8 und die Ausgänge der Transistorgruppe 10 wechseln selek­ tiv von +25 V auf -1,5 V, so daß der energieunabhängige Speicher 12 selektiv gelöscht wird. Anschließend werden die in den energieunabhängigen Speicher eingeschriebenen Daten geprüft. Während der Prüfperiode wird eine Spannung von 0 V an den Anschluß V_DDH angelegt, während der Anschluß V_SSH mit einer Spannung von -1,5 V versorgt wird. Der sogenannte "Normalzustand" stellt den Zustand dar, in dem die tragbare elektronische Vorrichtung üblicher­ weise verwendet wird. Die Anschlüsse V_DDH und V_SSH sind dabei offen und werden mit einer Spannung von -1,5 V über die Widerstände 22 und 24 versorgt. In diesem Zustand verbrauchen daher weder die Inverter innerhalb der Transistorgruppe 10 noch die Widerstände 22 und 24 elektrische Energie.

Der energieunabhängige Speicher 12 weist SOURCE-Elektrode auf, die miteinander verbunden sind. Die miteinander verbundenen SOURCE-Elektroden sind gemeinsam an den Prüfanschluß und darüber hinaus an den Spannungsanschluß V_DD über einen P-Kanaltransistor 26, der eine große Steilheit g_m aufweist, und einen großen Widerstand 28 angeschlossen.

Der Gate-Anschluß des P-Kanal-Transistors 26 wird mit einem Prüfartsignal beaufschlagt, das nur während der Prüfperiode einen hohen Pegel annimmt, um den P-Kanal- Transistor 26 in dem Sperrzustand zu halten. Dies hat zur Folge, daß die SOURCE-Elektrode des energieunabhängigen Speichers 12 über den P-Kanal-Tran­ sistor 26 mit der Spannung V_DD beaufschlagt ist.

Jeder der Speicherplätze des energieunabhängigen Speichers 12 besteht aus zu einem Ring verbundenen In­ verter 30 und einem NOR-Gatter 32. Ein von einem Gatter 34 abgegebenes Signal wird einem weiteren Eingang des NOR-Gatters 32 zugeführt. Das vom Gatter 34 abgegebene Signal weist einen hohen Pegel auf, wenn das Lesebefehl-Signal einen niedrigen Pegel und das Prüfartsignal einen hohen Pegel annimmt. Im sogenannten "Normalzustand" nehmen die Spannungsanschlüsse V_DDH und V_SSH eine Spannung von -1,5 V an, während die Steuer­ spannung des energieunabhängigen Speichers 12 einen Spannungswert von -1,5 V aufweist. Dies hat zur Folge, daß der energieunabhängige Speicher 12 im Schreibzu­ stand sich im AUS-Zustand befindet, während er sich im Lösch-Zustand im EIN-Zustand befindet.

Da die Widerstandswerte des Transistors 26 und des ener­ gieunabhängigen Speichers 12 im Leitzustand wesent­ lich geringer als der Widerstandswert des im Leitzustand befindlichen NOR-Gatters 32 sind, liegt an den Ausgängen 36, 38 und 40 des energieabhängigen Lesespeichers 14 in Abhängigkeit vom Lesebefehlsignal ein hoher Pegel an, wenn sich der energieunabhängige Speicher 12 im Schreib­ zustand befindet und einen niedrigen Pegel unabhängig vom Lesebefehlsignal, wenn der energieunabhängige Speicher 12 sich im Löschzustand befindet. Mittels der Ausgänge 36, 38 und 40 wird eine Vielzahl von Steuerfunktionen durch­ geführt.

Während des "Prüfabschnitts" nimmt das Prüfartsignal einen hohen Pegel an. Das Prüfartsignal hält den Transistor 26 im Sperrzustand, wodurch der SOURCE-Anschluß und der Prüfanschluß des energieunabhängigen Speichers 12 über den hohen Widerstand 28 an die Spannungsklemme V_DD angeschlossen sind, so daß das NOR-Gatter 32 an seinem Ausgang einen niedrigen Pegel abgibt. Da schließlich der Spannungsanschluß V_DDH 0 V und der Spannungsanschluß V_SSH -1,5 V abgibt, arbeitet die Transistorgruppe 10 mit Transistoren hoher Durchbruchspannung als Inverter.

Anschließend wird eine bestimmte Anzahl von Impulssig­ nalen an den Anschluß Φ angelegt, so daß der zu prüfende energieunabhängige Speicherplatz an eine Steuerspannung von -1,5 V angelegt wird, während die anderen nicht zu prüfenden energieunabhängigen Speicherplätze eine Steuerspan­ nung von 0 V erhalten. Dadurch werden bis auf die zu prü­ fenden energieunabhängigen Speicherplätze alle anderen ener­ gieunabhängigen Speicherplätze im Sperrzustand gehalten.

Weist der zu prüfende Speicherplatz einen Schreibbefehl auf, so befindet er sich im Sperrzustand und der Prüfanschluß nimmt das Potential V_DD an. Befindet sich dagegen der zu prüfende Speicherplatz unter einer Löschbedingung, so be­ findet er sich im leitfähigen Zustand und die am Prüf­ anschluß anliegende Spannung fällt ab.

Auf diese Weise kann jede gewünschte Anzahl von Impuls­ signalen an den Anschluß Φ zur Überprüfung der Bedingungen bzw. Zustände jedes der Speicherplätze des energie­ unabhängigen bzw. nichtflüchtigen Speicher 12 angelegt werden.

Fig. 5 zeigt das Blockschaltbild eines Ausführungsbei­ spiels des energieunabhängigen Speichers gemäß der vorliegenden Erfindung für eine elektronische Uhr, in dem ein Block 50 auf derselben Halbleiter-Träger­ schicht wie die sonstige Steuerschaltung für die elek­ tronische Uhr ausgebildet ist.

Die von einer Oszillatorschaltung 54 unter Verwendung eines Quarzes 52 als Referenzoszillator abgegebene Fre­ quenz der Schwingungssignale wird von einem ersten Fre­ quenzteiler I 56 und von einem weiteren, rücksetzbaren Frequenzteiler II 58 heruntergeteilt. Eine Treiberschaltung 60 treibt einen Motor 62 in Abhängigkeit von den Ausgangssignalen des zweiten Frequenzteilers II 58 an, wobei der Motor 62 wiederum eine Zeitanzeigevorrichtung 63 antreibt.

Die Funktionsweise des zweiten Frequenzteilers II 58 ent­ spricht der des in Fig. 3 dargestellten, energieabhängigen Eingangsspeichers 8. Die Transistoren 10 hoher Durchbruchspannung, der energieunabhängige Speicher 12 und der energieabhängige Lesespeicher 15 sind in der gleichen Weise wie die in Fig. 3 dargestellten und mit den gleichen Bezugsziffern versehenen Blöcke aufgebaut. Ein dem Lesesignal gemäß Fig. 3 entsprechendes Signal wird von einer Differentiationsschaltung 61 erzeugt, wobei dieses Signal für einen kurzen Zeitraum einen niedrigen Pegel in Abhängigkeit von der Betätigung des Rücksetzanschlusses R annimmt. Die von dem zweiten Fre­ quenzteiler II 58 periodisch erzeugten Signale können als Lesesignale Verwendung finden.

Ein von der Steuerschaltung 64 in Abhängigkeit von dem Potential an einem Testanschluß T abgegebenes Signal entspricht dem Prüfartsignal gemäß Fig. 3.

Die in dem energieunabhängigen Speicher 12 gespeicherten Daten werden einer Frequenzsteuerschaltung 66 zuge­ führt und ein Schwingungs/Frequenzteilerblock 68 wird in Abhängigkeit von diesen Daten gesteuert.

Das in Fig. 6 dargestellte Blockschaltbild zeigt eine Schaltung, die dann Verwendung findet, wenn die Anzahl der Bits der zweiten Frequenzteilerschaltung II in be­ zug auf die Anzahl der Bits des energieunabhängigen Speichers nicht ausreicht. Mittels einer Verteilerschal­ tung 70 werden die eingegebenen Daten auf zwei Blöcke 72 und 74 verteilt. Die sonstige Funktionsweise der ein­ zelnen Blöcke 72 und 74 entspricht weiterhin der in Fig. 5 dargestellten, die Transistorgruppe 10, den energieunabhängigen Speicher 12 und den energieabhän­ gigen Lesespeicher 14 umfassenden und gestrichelt ein­ gerahmten Anordnung. Eine in dieser Weise aufgebaute Schaltung macht es erforderlich, daß der Anschluß V_DDH, der Anschluß V_SSH und der Prüfanschluß jeweils für jeden der Blöcke 72 und 74 vorgesehen wird.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung deutlich hervor­ geht, ist es unter Anwendung der erfindungsgemäßen Lösung möglich, eine energieunabhängige oder nichtflüchtige Speicherschaltung zu schaffen, die weniger elek­ trische Energie verbraucht und die mit einer reduzierten Anzahl von Anschlüssen auskommt.

Um die Anzahl der Schaltkreiselemente zu verringern, kann darüber hinaus ein Frequenzteiler für elektronische Uhren, der üblicherweise andere Funktionen durchführt, als energieabhängiger Speicher zur Eingabe der Daten in den energieunabhängigen Speicher verwendet werden.

Claims (3)

1. Energieunabhängige Schreib/Lesespeicherschaltung für tragbare elektronische Geräte, insbesondere zum nachträglichen Einspeichern von Programmdaten in elektronischen Uhren, mit einem flüchtigen Mehrbit- Speicher zum Empfang von Daten und einem beim Ein­ schreiben verhältnismäßig hohe Ansteuerspannungen erfordernden, nichtflüchtigen Mehrbit-Speicher, der jeder Bitstelle des flüchtigen Speichers zuge­ ordnete Speicherplätze aufweist und die Daten vom flüchtigen Speicher über Übertragungsglieder übernimmt,
wobei der flüchtige Speicher, der nichtflüchtige Speicher und die Übertragungsglieder auf demselben Halbleitersubstrat ausgebildet sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß der flüchtige Speicher (8) mit gegenüber dem nichtflüchtigen Speicher (12) niedrigerer Versorgungsspannung (V_DD, V_SS) arbeitet und für eine serielle Dateneingabe über nur einen Anschluß eingerichtet ist,
daß die Übertragungsglieder (10) zwischen den beiden Speichern (8, 12) aus zwischen den Bit­ stellen und den entsprechenden Speicherplätzen angeordneten Transistoren (10-1, 10-2, 10-3) mit hoher Durchbruchspannung bestehen,
und daß allen Transistoren (10-1, 10-2, 10-3) gemeinsam Signale (V_DDH, V_SSH) höherer Spannung (±25 V) zuführbar sind, um ein Übernehmen der im flüchtigen Speicher (8) enthaltenen Daten in den nichtflüchtigen Speicher (12) vorzunehmen.

2. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Source-Elektroden der einzelnen Speicherplätze des nichtflüchtigen Speichers (12) miteinander verbunden und über einen Widerstand (28) an die Versorgungsspannung (V_DD) angeschlossen sind, und daß auf dem Halb­ leitersubstrat ein externer Ausgangsanschluß vorgesehen ist, der als Prüfanschluß dient und mit den Source-Elektroden verbunden ist.

3. Speicherschaltung nach Anspruch 1 für elektronische Uhren, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Abschnitt (58) eines Frequenzteilers (56, 58) der Uhrenschaltung als flüchtiger Speicher (8) aus­ genutzt wird.