DE3888990T2

DE3888990T2 - Verfahren zur Herstellung eines magnetischen scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers und resultierender Aufzeichnungsträger.

Info

Publication number: DE3888990T2
Application number: DE3888990T
Authority: DE
Inventors: Tu Chen; Tsutomu Tom Yamashita
Original assignee: Komag Inc
Current assignee: WD Media LLC
Priority date: 1987-02-25
Filing date: 1988-02-10
Publication date: 1994-11-03
Anticipated expiration: 2008-02-11
Also published as: EP0280438A3; JPS63217525A; DE3888990D1; EP0280438B1; EP0280438A2; US4786564A; JP2601491B2

Description

Technisches Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft metallische Dünnschichtmagnetaufzeichnungsträger und Verfahren zum Herstellen von metallischen Dünnschichtmagnetaufzeichnungsträgern

Beschreibung des Standes der Technik

Es ist auf dem Gebiet der Magnetaufzeichnung bekannt, daß Magnetplatten, die metallische Dünnschichtmagnetträger verwenden, eine höhere Aufzeichnungsdichte als Platten haben, die herkömmliches Eisenoxid oder andere Metallteilchen verwenden, die in einem Bindemittel suspendiert sind. Der Grund dafür besteht darin, daß metallische Magnetdünnschichten mit einem wesentlich höheren magnetischen Sättigungsmoment (und damit einer höheren magnetischen Remanenz) und wesentlich dünner als Bindemittelträger hergestellt werden können. Typische Dünnschichten von Magnetträgern schließen Kobaltlegierungen wie Co-Ni, Co-Ni-Cr, Co-Pt, Co-Ni-Pt, Co-Sm und Co-Re ein, die durch Niederschlagen im Vakuum ausgebildet werden.
Damit Magnetträger eine höhere lineare Aufzeichnungsdichte tragen können, ist es notwendig, die Schichtstärke so klein wie möglich (beispielsweise unter 1000 Å) zu halten und muß die magnetische Koerzitivkraft Hc groß genug sein, um eine hohe Dichte von Flußumkehrungen pro linearem Inch aufrecht zu erhalten. Um beispielsweise eine Packungsdichte von 10.000 bis einigen 10.000 Flußumkehrungen pro Inch aufrecht zu erhalten, sollte die Koerzitivkraft zwischen 600 und 2000 Oersted liegen. Wenn weiterhin die Träger bei einer Aufzeichnung mit hoher Dichte verwandt werden sollen, sollten sie in der Lage sein, ein starkes Ausgangssignal beim Rücklesen unter Verhältnissen hoher Packungsdichte zu liefern.
Damit die Träger ein starkes Ausgangssignal beim Rücklesen liefern, sollten sie eine hohe Eigensättigungsmagnetisierung Ms von beispielsweise mehr als 400 elektromagnetischen Einheiten pro Kubikzentimeter (E.M.E./cm³) und vorzugsweise mehr als 800 E.M.E/cm³ haben. Die Träger sollten gleichfalls eine hohe Rechteckigkeit der Hystereseschleife S (S=Mr/Ms) von beispielsweise wenigstens 80% haben, um eine hohe magnetische Remanenz Mr zu liefern. Die Stärke des magnetischen Feldes, das vom Plattenlesekopf (oder vom Schreib/Lesekopf, in dem Fall, in dem ein einziger induktiver Kopf sowohl zum Schreiben als auch zum Lesen verwandt wird) empfangen wird, ist proportional zur Schichtdicke T multipliziert mit der magnetischen Remanenz Mr. MrT sollte im allgemeinen größer als annähernd 2·10&supmin;³ E.M.E. pro cm² sein, um ein ausreichend starkes Signal für einen Plattenantrieb in der Praxis zu liefern.
Die oben beschriebenen magnetischen Parameter sind mehr im einzelnen in einem Aufsatz beschrieben, der den Titel hat: "Thin Film for Magnetic Recording Technology: A Review" von J. K. Howard, veröffentlicht im Journal of Vacuum Science and Technology im Januar 1985, auf den hierin Bezug genommen wird.
Bei der Magnetaufzeichnung werden Daten im Magnetträger dadurch gespeichert oder aufgezeichnet, daß eine Folge kleiner Zellen entgegengesetzt gepolter magnetisierter Bereiche gebildet werden. Die Größe der Bereiche ist durch die Breite des induktiven Schreibkopfes bestimmt und ist im typischen Fall in der Größenordnung von 1 um lang und über 10 um breit. Ein Bit einer gespeicherten Information wird durch einen Übergang zwischen zwei entgegengesetzt gepolten magnetisierten Bereichen wiedergegeben. Der Übergang zwischen zwei entgegengesetzt magnetisierten Bereichen hat eine gegebene charakteristische physikalische Länge aufgrund des Entmagnetisierungseffektes, der im Übergangsbereich als Folge der Tatsache auftritt, daß zwei entgegengesetzte magnetische Dipole vorhanden sind. Diese charakteristische Länge des Übergangsbereiches wird im allgemeinen Übergangslänge L genannt und die kleinste Übergangslänge Lmin kann in einen Bezug zu den Trägerparametern im Fall der Sättigungsaufzeichnung auf der Grundlage eines Arkustangens-Übergangsmodells gebracht werden, wie es in "Analysis of Saturation Magnetic Recording Based on Arctangent Magnetization Transition" von R. I. Potter im J. Appl. Phys., Band 41, Seite 1647 - 1651, 1970 oder in "A Theory of Digital Magnetic Recording on Metallic Films" von P.
I. Bonyhard, et al., in IEEE Trans Magn., Band MAG-2, Seite 1-5, 1966, beschrieben ist, worauf hierin Bezug genommen wird. Dieses Modell kann in der folgenden Weise zusammengefaßt werden:
Lmin = 2πMrT/Hc (1)
wobei Mr die remanente Magnetisierung bezeichnet, T die Magnetschichtstärke ist und Hc die Koerzitivkraft der Magnetschicht bezeichnet. Diese Gleichung wurde auf der Grundlage einer makromagnetischen Theorie abgeleitet und liefert eine Beziehung zwischen der charakteristischen Übergangslänge L und den Trägerparametern. Trägern mit einer kleinen charakteristischen Übergangslänge L erlauben eine höhere lineare Packungsdichte infolge einer verringerten Bit-Verdichtung durch benachbarte Bits.
Es sei darauf hingewiesen, daß zwar die Gleichung 1 qualitativ die Abhängigkeit der Übergangslänge L (und damit der Packungsdichte) von der Trägerstärke, der Remanenz und der Koerzitivkraft der Träger voraussagt, daß sie das allerdings nicht quantitativ für metallische Dünnschichtträger tut. Das beruht auf der Tatsache, daß die Gleichung 1 auf der Grundlage von makromagnetischen Überlegungen abgeleitet wurde, die den Zustand komplexer mikromagnetischer Bereiche nicht berücksichtigen, die im Übergangsbereich vorhanden sind.
Viele Aufsätze, die mikromagnetische Strukturen untersuchen, berichten, daß der Übergangsbereich in metallischen Dünnschichtträgern eine sägezahnartige mikromagnetische Struktur mit gezackten Rändern statt glatter Ränder ähnlich einer Bereichswand haben, die für die theoretische Berechnung nach der Gleichung 1 angenommen sind. (Siehe beispielsweise "Transition Region in Recorded Magnetization Pattern" von Curland, et al., herausgegeben in J. Appl. Phys., Band 41, Seite 1099 - 1101, 1970, "Electron Microscopy on High Coercive Force Co-Cr Composite Film" von Daval, et al., herausgegeben in IEEE Trans. Magn., Band MAG- 6, Seite 708 - 773, 1970 und "A Study of Digitally Recorded Transition in Thin Magnetic Film" von Dressler, et al., her- 1974, auf die hierin Bezug genommen wird). Der Ursprung des gezackten sägezahnartigen Übergangs steht mit der Bildung von magnetischen Clustern in Verbindung, die durch eine starke Zwischenteilchenwechselwirkung der magnetischen kristallinen Teilchen verursacht wird, wie es von Chen et. al. in "High Coercivity and High Hysteresis Loop Squareness of Sputtered Co-Re Thin Film" J. Appl. Phys., Band 50, Seite 4285 - 4290, 1979, beschrieben wird, worauf hierin Bezug genommen wird. (Der Begriff eines magnetischen Clusters wird hierbei als ein Teil des Trägers verwandt, der aus vielen Körnern mit nahezu konstanter Magnetisierungsrichtung besteht.) Diese magnetischen Cluster verursachen die Bildung von komplexen wirbelartigen Bereichsstrukturen im Übergangsbereich und somit das Auftreten von sägezahnartigen Rändern wie es von Chen in "The Micromagnetic Properties of High- Coercivity Metallic Thin Films and Their Effects on the Limit of Packing Density in Digital Recording" IEEE Trans. Magn., Band MAG-17, Seite 1181 - 1191, 1981, beschrieben wird, worauf hierin Bezug genommen wird.
Die Bildung einer wirbelförmigen mikromagnetischen Bereichsstruktur im Übergangsbereich und der sägezahnartigen gezackten Struktur im Rand des Übergangsbereiches setzt nicht nur die Übergangslänge (und damit die Fähigkeit zum Aufnehmen einer hohen Packungsdichte) herab, sondern führt zu einem exzessiven Rauschen und einer Bitverschiebung. (Eine Bitverschiebung tritt auf, wenn ein Übergangsbereich zwischen magnetisierten Zellen aus einer gewünschten Position versetzt wird. Wenn der Übergangsbereich über eine zu große Strecke versetzt wird, dann können die Daten auf der Platte fehlgelesen werden.) Um das Trägerrauschen, die Bitverschiebung und die Übergangsbereichslänge, die vom gezackten Übergangsbereich verursacht werden, zu verringern, ist es notwendig, ein Plattenherstellungsverfahren zu entwickeln, das Träger erzeugt, bei denen die Größe des gezackten Übergangsbereiches so klein wie möglich ist. Um dieses Ziel zu erreichen, ist es notwendig, das Kristallwachstum und die Morphologie der Mikrostruktur des magnetischen kristallinen Materials während des Plattenherstellungsverfahrens zu steuern.
Ein weiterer Faktor, die die Arbeit des Trägers beeinträchtigen kann, da er ein übermäßiges Rauschen und eine Bitverschiebung verursacht, ist die Bildung von kleinen, abnormen Bereichen mit magnetischen Eigenschaften, die von denen der anderen Teile der Plattenoberfläche verschieden sind. Wie es im vorherigen erwähnt wurde, werden Daten, die in Magnetplatten gespeichert werden, im typischen Fall als Folge kleiner Zellen (oder magnetisierter Bereiche) aufgezeichnet, die im typischen Fall 1 um lang und 10 um breit sind. Eine typische 5 ¼'' Diskette mit hoher Leistungsfähigkeit, die einen dünnen Metallschichtträger verwendet, speichert mehr als 10&sub8; Bits auf jeder Plattenfläche. Wenn die Magnetschicht einen abnormen Bereich mit einer Größe in der Größenordnung der oben erwähnten Zellengröße aufweist (d. h., wenn die magnetischen Eigenschaften des abnormen Bereiches von den magnetischen Eigenschaften des Restes der dünnen Schicht verschieden sind), dann werden die Aufzeichnungscharakteristiken im abnormen Bereich von den Aufzeichnungscharakteristiken des Restes der Plattenoberfläche verschieden sein. Derartige abnorme Bereiche führen zu einer schlechten Plattenfunktion.
Wenn beispielsweise die Koerzitivkraft Hc und die Rechteckigkeit S der Hystereseschleife in einem abnormen Bereich der Platte bezeichnend von der Koerzitivkraft und der Rechteckigkeit in dem Umgebungsbereich der Platte verschieden sind, dann können der Zustand der Magnetisierung und die Position des Übergangsbereiches jeder Zelle in diesem abnormen Bereich von denen des umgebenden normalen Bereiches selbst bei konstanten Schreibwellenformbedingungen verschieden sein. Das kann insbesondere am Übergang oder in der Nähe des Überganges zwischen dem normalen und dem abnormen Bereich zutreffen, wo der Übergang zwischen den Zellen aus der gewünschten Position infolge des Unterschiedes in der Koerzitivkraft Hc zwischen dem normalen Bereich und dem abnormen Bereich verschoben sein kann. Das hat zur Folge, daß das in einem abnormen Bereich gespeicherte Bit eine übermäßige Bitverschiebung zeigen wird und eine verringerte Signalerfassungsfensterspanne die Folge ist. (Das Signalerfassungsfenster ist ein Zeitfenster, in dem ein Übergang erfaßt werden muß, um Daten richtig auszulesen. Die Signalerfassungsfensterspanne ist die Zeitspanne zwischen der Erfassung eines Übergangsbereiches und dem Rand des Signalerfassungsfensters.) Weiterhin werden das Signalrauschverhältnis, die Auflösung und die Überschreibcharakteristik im abnormen Bereich von denen im umgebenden Bereich verschieden sein.
Ein typisches Beispiel, wie ein abnormer Bereich ein Rauschen beim Rücklesen bewirken kann, tritt dann auf, wenn die Koerzitivkraft Hc im abnormen Bereich der Platte bezeichnend höher als die mittlere Koerzitivkraft über die Plattenoberfläche ist. In diesem Fall kann die Magnetisierung der Zelle durch den Schreibkopf nicht gesättigt werden und wird die Ausgangssignalamplitude vom Lesekopf während des Rücklesens im abnormen Bereich kleiner als die des Ausgangssignals, das der Rest der Platte liefert. Darüber hinaus kann das Überschreiben in einem abnormen Bereich hoher Hc schlechter sein und wird folglich das Signalrauschverhältnis des abnormen Bereiches niedriger als das Signalrauschverhältnis für den Rest der Platte werden. Wenn folglich die Koerzitivkraft im abnormen Bereich niedriger als die mittlere Plattenkoerzitivkraft ist, dann ist die Auflösung beeinträchtigt, die der Träger am abnormen Bereich zeigt.
Bei typischen auf dem Markt befindlichen Plattenantrieben ist der Lese/Schreibkopf für eine bestimmte Koerzitivkraft optimiert und kann der Plattenantrieb Abweichungen in der Koerzitivkraft von mehr als ± 50 Oe nicht tolerieren. Eine Abweichung der Koerzitivkraft über die vorgeschriebenen Grenzen offenbart sich üblicherweise als Phasenrandfehler (d. h. als Weichfehler), der durch eine Verschiebung im Plattenausgangssignalimpuls (der einen Übergangsbereich angibt) aus dem Signalerfassungsfenster heraus verursacht wird.
Wenn sich die Rechteckigkeit S der Hystereseschleife örtlich ändert, ändert sich auch die magnetische Remanenz Mr (die proportional zur Amplitude des Ausgangssignales ist), was zu einer Signalmodulation führt. Wenn die Remanenz im abnormen Bereich aufgrund einer schlechten Rechteckigkeit der Hysterese kleiner als die mittlere Plattenremanenz ist, dann ist die Ausgangssignalamplitude vom abnormen Bereich zu niedrig. Es ist daher notwendig sicherzustellen, daß es keine Bereiche auf der Platte gibt, die größer als einige um² sind und magnetische -Eigenschaften haben, die von den magnetischen Eigenschaften des Restes der Platte stark verschieden sind.
Die magnetischen Eigenschaften von Dünnschichtträgern stehen in einer engen Beziehung zur Schichtmikrostruktur (beispielsweise zu Parametern wie der Korngröße, der Kristallphase, der Stärke der Korntrennung und der Kornorientierung). Es wird allgemein angenommen, daß die Steuerung der Kristallisationskernbildung oft der Schlüsselfaktor bei der Bestimmung der letztendlichen Struktur einer im Vakuum niedergeschlagenen magnetischen Dünnschicht ist. Umgekehrt sind die Zusammensetzung, die kristalline Struktur und die Morphologie der Substratoberfläche, auf der die dünne Schicht ausgebildet ist, Schlüsselfaktoren zur Steuerung der Kristallisationskernbildung. Magnetische Dünnschichten, die unter Identischen Prozeßbedingungen ausgebildet werden, können somit vollständig verschiedene Mikrostrukturen und somit verschiedene magnetische Eigenschaften in Abhängigkeit von den Oberflächenverhältnissen der Substrate haben, auf denen die Schichten ausgebildet werden.
Die Oberflächeneigenschaften von Substraten, die dazu verwandt werden, Magnetplatten zu bilden, können von einer Anzahl von Faktoren beeinflußt werden. Beispielsweise kann eine Substratoberfläche dadurch verschmutzt werden, daß sie Plattenreinigungsmittel oder Wasser während der Substratreinigung oder Umgebungsgaselemente während der Substrattrocknung absorbiert oder mit diesen Stoffen reagiert. Eine derartige Verschmutzung kann die Kristallstruktur der dünnen Magnetschicht beeinflussen, die auf dem Substrat niedergeschlagen wird, und somit einen Einfluß auf die magnetischen Eigenschaften der Schicht haben.
Weiterhin werden Substratoberflächen im typischen Fall poliert und texturiert, bevor die dünne Magnetschicht niedergeschlagen wird, um für aerodynamische Verhältnisse zu sorgen, die es dem Lese/Schreibkopf erlauben zu fliegen. Ein derartiges Polieren und Texturieren kann Spannungen und Änderungen des Gefüges im mikroskopischen Maßstab induzieren und dadurch das -Kristallwachstum der magnetischen Dünnschicht beeinflussen. Wenn Verschmutzungen und Oberflächenspannungen nicht gleichmäßig über die gesamte Plattenoberfläche verteilt sind oder die Substratzusammensetzung über die Plattenoberfläche variiert, wird die sich ergebende Dünnschicht keine gleichmäßigen magnetischen Eigenschaften zeigen und Bereiche einschließen, die abnorme magnetische Eigenschaften haben.
Ein weiterer Faktor, der dazu führen kann, daß die magnetische Schicht ungleichmäßige magnetische Eigenschaften zeigt, ist die Ungleichförmigkeit der Kristallstruktur oder der Morphologie des darunter liegenden Substrates bei kristallinen Substraten.
Es werden gegenwärtig zwei Verfahren angewandt, die Ungleichförmigkeiten in Plattensubstraten zu mildern. Ein Verfahren besteht darin, das Substrat kurz vor dem Aufbringen der dünnen magnetischen Schicht durch Sputtern zu ätzen oder plasmazuätzen. Während derartiger Arbeitsvorgänge wird ein Teil der Substratoberfläche entfernt. Leider sind die oben beschriebenen Ätzverfahren schwierig durchzuführen, da sie das Anlegen einer negativen Spannung an das Substrat erfordern und es schwierig ist, eine negative Spannung gleichmäßig über die Substratoberfläche zu legen.
Das zweite Verfahren, die Einflüsse von Ungleichförmigkeiten in der Substratoberfläche zu mildern, besteht darin, eine dicke Chromschicht auf das Substrat zu sputtern, kurz bevor die dünne magnetische Schicht ausgebildet wird. Derartige Verfahren werden im typischen Fall in Verbindung mit dünnen Magnetschichten aus Co-Ni oder Co-Ni-Cr-Legierungen angewandt. Bei derartigen Verfahren ist der Hauptzweck der Chromschicht nicht die Maskierung von Ungleichförmigkeiten in der Substratoberfläche, sondern vielmehr die Steuerung und Erhöhung der Koerzitivkraft der Co-Ni oder Co-Ni-Cr-Legierung. (Siehe zum Beispiel "Thin Film Memory Disc Development" Opfer et al., veröffentlicht im Hewlett Packard Journal, November 1985, worauf hier Bezug genommen wird.) Als sekundären Effekt markiert jedoch das Chrom teilweise die Ungleichförmigkeiten in der Substratoberfläche. Die Chromschicht umfaßt Kristallkörner, die durch die Morphologie der Substratoberfläche beeinflußt werden. Somit kann die Chromkristallstruktur bezeichnend durch die Oberflächenverhältnisse des Substrates beeinflußt werden und ihrerseits die Verhältnisse der Substratoberfläche auf die dünne Magnetschicht übertragen. Selbst wenn somit eine Chromschicht zwischen dem Substrat und dem Magnetträger verwandt wird, können dennoch Ungleichmäßigkeiten in der Substratoberfläche zu Ungleichmäßigkeiten in den magnetischen Eigenschaften des Trägers führen.
Zusammengefaßt heißt das, daß magnetische Aufzeichnungsträger, die mit dünnen magnetischen Metallschichten arbeiten, eine höhere lineare Packungsdichte liefern. Aufgrund von Ungleichmäßigkeiten in der Substratoberfläche können jedoch kleine abnorme Bereiche erzeugt werden, die abnorme magnetische Eigenschaften zeigen. Das hat zur Folge, daß eine übermäßige Bitverschiebung und ein übermäßiges Aufzeichnungsträgerrauschen auftreten können und die Funktion des Aufzeichnungsträgers für eine hochdichte Aufzeichnung beeinträchtigt ist. Obwohl die theoretische Übergangslänge der Dünnschichtträger verglichen mit Bindemittelträgern klein sein kann, führen darüber hinaus sägezahnartige gezackte Übergangsbereiche zu einer übermäßigen Bitverschiebung und zu einem Aufzeichnungsträgerrauschen während der hochdichten Aufzeichnung. Diese gezackten Übergangsbereiche begrenzen auch die Aufzeichnungsdichte, die mit dünnen magnetischen Metallschichten erzielbar ist.
Um diese Probleme zu überwinden, ist es wünschenswert, eine dünne magnetische Metallschicht zu erzeugen, die eine gleichmäßige kristalline Struktur über die gesamte Oberfläche der Platte hat, wobei Struktur und Morphologie der kristallinen Struktur so zugeschnitten sein sollten, daß gezackte Übergänge verringert sind.
Die DE-A-3616006 beschreibt einen magnetischen Aufzeichnungsträger mit einem Substrat, einer Nickel-Phosphor-Wolfram-Unterlageschicht unter einem Magnetträger und einem Schutzfilm über dem Magnetträger. Je nach Wunsch kann eine Schicht aus Cr, Ti, SiO&sub2;, Ca, Zn, Au oder Pt zwischen der Unterlageschicht und dem Magnetträger und/oder zwischen der Unterlageschicht und dem Substrat ausgebildet sein.

Zusammenfassung

Die vorliegende Erfindung liefert die Verfahren der unabhängigen Ansprüche 1 und 4, auf die nun Bezug genommen wird. Die unabhängigen Ansprüche zeigen bevorzugte, jedoch wahlfreie Merkmale der Erfindung.
Ein Verfahren nach der Erfindung kann somit den Schritt des Sputterns einer dünnen amorphen oder nahezu amorphen Materialschicht auf eine Substratoberfläche kurz vor dem Niederschlagen eines dünnen magnetischen Schichtträgers umfassen, um die Kristallisationskernbildung und das Wachstum der kristallinen Struktur des Magnetträgers zu steuern und gleichfalls zu verhindern, daß Ungleichmäßigkeiten in der Substratoberfläche die magnetischen Eigenschaften des Trägers beeinflussen. Die dünne Schicht umfaßt im typischen Fall eine Nickel-Phosphor-Legierung. (Hierbei umfaßt der Begriff "Nickel-Phosphor" Legierungen, die Nickel und Phosphor in irgendeinem Verhältnis enthalten.) Die dünne Nickel-Phosphor-Schicht wird im typischen Fall von einem Target aus einer Nickel-Phosphor-Legierung gesputtert, die durch stromloses Galvanisieren einer Nickel-Phosphor-Lösung gebildet ist. Das Target kann auch dadurch gebildet werden, daß verschiedene Nickel-Phosphor-Legierungen, wie beispielsweise Ni&sub2;P, Ni&sub5;P&sub2; und Ni&sub3;P&sub2; gesintert werden, so daß das Target einen gewünschten prozentualen Anteil an Phosphor enthält. Der Phosphorgehalt in der gesputterten Nickel-Phosphor-Schicht sollte vorzugsweise im Bereich von 5 bis 30 Gewichts-% und insbesondere im Bereich von 10 bis 20 Gewichts-% liegen.
Die gesputterte Nickel-Phosphor-Schicht ist amorph oder nahezu amorph und die Schichtstärke ist groß genug (z. B. zwischen 5 und 200 nm) um zu vermeiden, daß Ungleichmäßigkeiten in der darunter liegenden Substratfläche auf die Magnetschicht übertragen werden. Das gesputterte Nickel-Phosphor liefert eine reproduzierbare und konsistente Oberfläche, auf der der Magnetträger Kristallisationskerne bildet und wächst. Diese Nickel- Phosphor-Unterschicht stellte somit die Bildung der gewünschten Mikrostruktur und Morphologie in der kristallinen Struktur des Magnetträgers sicher. Das hat die Bildung einer dünnen Magnetschicht mit überlegenen magnetischen Aufzeichnungseigenschaften zur Folge, die eine geringe Bitverschiebung, eine hohe Auflösung und ein niedriges Rauschen zeigt, wobei die magnetischen Eigenschaften über die gesamte Oberfläche der Platte eine höhere Gleichmäßigkeit haben.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 zeigt im Querschnitt eine Magnetplatte mit einer gesputterten Unterschicht aus einer Nickel-Phosphor-Legierung, die gemäß unserer Erfindung ausbildet ist.
Fig. 2a zeigt ein Röntgenstrahlbeugungsmuster, das eine 200 nm starke Nickel-Phosphor-Legierungsschicht liefert, die auf ein Glassubstrat gesputtert ist. Auf der Y-Achse in Fig. 2a sind willkürliche Einheiten aufgetragen.
Fig. 2b zeigt die Vorrichtung, die dazu benutzt wird, das in Fig. 2a dargestellte Beugungsmuster zu erzeugen.
Fig. 3a zeigt eine Darstellung der Bitverschiebung einer bekannten dünnen Magnetschicht aus einer Co-Ni-Pt-Legierung ohne gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht.
Fig. 3b zeigt im Querschnitt die Magnetplatte, die dazu benutzt wurde, die Bitverschiebungskurve von Fig. 3a zu erzeugen.
Fig. 4 zeigt die Darstellung der Bitverschiebung einer dünnen magnetischen Schicht aus einer Co-Ni-Pt-Legierung, die auf einer gesputterten Nickel-Phosphor-Unterschicht ausgebildet ist, die von einem stromlos galvanisierten Nickel-Phosphor-Target gesputtert wurde, das 10 Gewichts-% Phosphor enthält.
Fig. 5 zeigt die Darstellung der Bitverschiebung einer dünnen Magnetschicht aus einer Co-Ni-Pt-Legierung, die auf einer -Nickel-Phosphor-Unterschicht ausgebildet ist, die von einem gesinterten Ni&sub2;P-Target gesputtert wurde, das 20 Gewichts-% enthält.
Fig. 6a zeigt das Signalrauschspektrum des Ausgangssignals einer bekannten Platte mit einer Co-Ni-Pt-Schicht ohne eine gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht.
Fig. 6b zeigt das Signalrauschspektrum des Ausgangssignals einer dünnen Co-Ni-Pt-Schicht auf einer gesputterten Nickel- Phosphor-Unterschicht.
Fig. 7 zeigt die Beziehung zwischen dem Maß an Bitverschiebung, das eine Magnetplatte zeigt, und der Stärke einer gesputterten Unterschicht aus einer Nickel-Phosphor-Legierung, die von einem stromlos galvanisierten Nickel-Phosphor-Target gebildet ist, das 10 Gewichts-% Phosphor hat.
Fig. 8 zeigt die Beziehung zwischen dem Maß an Bitverschiebung, das eine Magnetplatte zeigt, und der Stärke einer gesputterten Ni&sub2;P-Unterschicht, die von einem gesinterten Ni&sub2;P- Target gebildet ist.

Beschreibung im einzelnen

Fig. 1 zeigt im Querschnitt eine Magnetplatte, die gemäß eines Ausführungsbeispiels unserer Erfindung ausgebildet ist. Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, ist ein Aluminiumsubstrat 10 mit einer ersten Schicht 11 aus einer Nickel-Phosphor-Legierung beschichtet. Die Nickel-Phosphor-Schicht 11 ist im typischen Fall auf dem Substrat 10 durch stromloses Galvanisieren ausgebildet und über einer Stärke zwischen 10 und 20 um vorgesehen. Es ist von Bedeutung, daß die Nickel-Phosphor-Schicht 11 mechanisch fest, leicht texturiert und kratzfest ist. Die Nickel-Phosphor- Schicht 11 liefert weiterhin die Unterlage für den anschließend ausgebildeten Magnetträger, so daß die sich ergebende Platte weniger Gefahr läuft, durch den Aufschlag eines Lese/Schreibkopfes gegen die Plattenoberfläche beschädigt zu werden. Die Oberfläche der Nickel-Phosphor-Schicht 11 wird anschließend in herkömmlicher Weise poliert und gereinigt. Die Oberfläche der Schicht 11 wird darüber hinaus texturiert, damit die sich ergebende Platte eine aerodynamische Oberflächentextur zeigen kann, die es erlaubt, daß der magnetische Plattenlese/schreibkopf über der Oberfläche der Platte fliegt.
Danach wird eine zweite Nickel-Phosphor-Schicht 12 auf die Schicht 11 gesputtert. Bei einem Ausführungsbeispiel wird die Schicht 12 in einer Stärke zwischen 5 und 200 nm ausgebildet. Es ist erwünscht sicherzustellen, daß die Nickel-Phosphor-Schicht 12 wenigstens 5 nm stark ist, um sicher zu sein, daß die Schicht 11 angemessen überzogen ist. Darüber hinaus ist es wünschenswert sicherzustellen, daß die Schicht 12 eine Stärke hat, die kleiner oder gleich 200 nm ist, um das Maß so klein wie möglich zu halten, in dem das Nickel-Phosphor-Sputtertarget verbraucht wird. Es sei darauf hingewiesen, daß dann, wenn die Nickel-Phosphor- Schicht 12 auf die Schicht 11 gesputtert wird, die Nickel- Phosphor-Legierung um so schneller auf Teilen der Sputtervorrichtung niedergeschlagen wird, je mehr Nickel-Phosphor gesputtert wird, und daß daher um so öfter die Sputtervorrichtung geöffnet und gereinigt werden muß. Durch die Ausbildung der Schicht 12 derart, daß diese dünn ist, kann die Häufigkeit verringert werden, mit der die Sputtervorrichtung gereinigt werden muß. Das zur Ausbildung der Schicht 12 benutzte Sputtertarget kann durch stromloses Galvanisieren einer Nickel-Phosphor- Lösung oder durch Sintern von Nickel-Phosphor-Pulver gebildet werden.
Unmittelbar nach der Bildung der Schicht 12 wird eine Schicht aus einer Co-Ni-Pt-Legierung 13 auf die Nickel-Phosphor- Schicht 12 beispielsweise in einer Stärke zwischen 30 und 70 nm gesputtert. Bei einem Ausführungsbeispiel ist die Legierung 13 Co&sub8;&sub0;Ni&sub1;&sub0;Pt&sub1;&sub0;. Die Co-Ni-Pt-Legierung dient als magnetischer Aufzeichnungsträger. Bei anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung dient ein anderes magnetisches Material als Aufzeichnungsträger wie beispielsweise andere Legierungen auf Kobalt- oder Eisenbasis wie Co-Pt, Fe-Pt, Co-Re und Co-Cr. -Derartige Legierungen zeigen im typischen Fall eine hohe Eigenkoerzitivkraft beispielsweise zwischen 600 und 2000 Oe, so daß der Aufzeichnungsträger eine hohe Aufzeichnungsdichte haben kann.
Die Schicht 13 wird im typischen Fall auf der Nickel- Phosphor-Schicht 12 gebildet, unmittelbar nachdem die Schicht 12 auf der Nickel-Phosphor-Schicht 11 gebildet worden ist. Die Magnetplatte wird daher im typischen Fall nicht von der Sputtervorrichtung zwischen dem Zeitpunkt der Bildung der Nickel- Phosphor-Schicht 12 und dem Zeitpunkt der Bildung der Aufzeichnungsträgerschicht 13 entfernt. Aufgrund dieser Tatsache besteht keine Möglichkeit der Ablagerung von Schmutzstoffen, der Reaktion mit Schmutzstoffen oder einer anderweitigen Beeinflussung der Oberfläche der Nickel-Phosphor-Schicht 12 vor der Ausbildung der Trägerschicht 13. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die Platte von der Sputtervorrichtung zwischen den Zeitpunkten der Bildung der Schichten 12 und 13 entfernt, wobei jedoch dafür Sorge getragen wird, daß eine Verschmutzung der Oberfläche der Nickel-Phosphor-Schicht 12 verhindert wird, indem die Platte in einer trockenen Schutzkassette angeordnet wird, nachdem die Schicht 12 ausgebildet ist.
Eine Schutzschicht beispielsweise eine Kohlenstoffschicht 14 wird dann auf die Trägerschicht 13 beispielsweise mit einer Stärke zwischen 20 und 30 nm gesputtert. Die Schicht 14 kann auch aus einem keramischen Material wie gesputtertem ZrO&sub2; bestehen, das einen Stabilisator wie beispielsweise Y&sub2;O&sub3; enthält. (Der Stabilisator verhindert eine Phasentransformation des ZrO&sub2; in die monokline Phase, so daß das ZrO&sub2;-Sputtertarget und die sich ergebende dünne Schicht weniger brüchig sind.) Die Schicht 14 ist hart und schützt daher die darunter liegende magnetische Legierung 13.
Es versteht sich, daß die Nickel-Phosphor-Schicht 12 entweder amorph (d. h. nichtkristallin) oder nahezu amorph ist und daher Ungleichmäßigkeiten in der Morphologie der darunter -liegenden galvanisierten Nickel-Phosphor-Schicht maskiert. Aufgrund dieser Tatsache dient die Nickel-Phosphor-Schicht 12 als amorphe, gleichmäßige Kristallkernbildungsfläche zum Aufwachsen der gesputterten Co-Ni-Pt-Legierung 13, da es in der Schicht 12 keine Kristallstruktur gibt, an die sich die Legierung 13 anzuschließen neigt. Die Magnetschicht 13 zeigt daher gleichmäßige magnetische Eigenschaften. Weiterhin können die Verhältnisse der Mikrostruktur der Kristalle in der dünnen Schicht so gering wie möglich gehalten werden, die eine Ausbildung der oben erwähnten sägezahnartigen gezackten Randstrukturen zwischen den magnetischen Zellen verursachen.
Fig. 2a zeigt das Röntgenstrahlbeugungsmuster, das von Röntgenstrahlen gebildet wird, die von der Oberfläche einer 200 nm starken Nickel-Phosphor-Schicht 19 reflektiert werden, die 10 Gewichts-% Phosphor enthält und auf einem Glassubstrate 21 ausgebildet ist (Fig. 2b). Das Muster von Fig. 2a zeigt, daß die Schicht 19 in Fig. 2b amorph oder nahezu amorph ist.
Fig. 2b zeigt die Vorrichtung, die dazu benutzt wurde, die in Fig. 2a dargestellten Informationen zu erzeugen. Es ist ersichtlich, daß in Fig. 2b eine 35 kV Röntgenstrahlquelle 16 mit einem Kupfertarget Röntgenstrahlen 17 liefert, die auf die gesputterte Nickel-Phosphor-Schicht 19 auftreffen und davon anschließend reflektiert werden. Eine Röntgenstrahlsensoreinrichtung 20 nimmt die Intensität der Röntgenstrahlen wahr. Das Glassubstrat 21 und die Sensoreinrichtung 20 sind so angeordnet, daß sie bezüglich der Röntgenstrahlquelle 16 drehbar sind. Während das Substrat 21 und die Sensoreinrichtung 20 gedreht werden, wird die Intensität der von der Sensoreinrichtung 20 empfangenen Röntgenstrahlen gemessen. Fig. 2a zeigt eine grafische Darstellung der Beziehung zwischen dem Reflektionswinkel 2 R und der Stärke der Röntgenstrahlen bei diesem Reflektionswinkel. Der Winkel 2 R ist derjenige Winkel, der zwischen den Röntgenstrahlen, die durch das Nickel-Phosphor überzogene Substrat 21 gehen und den Röntgenstrahlen gebildet wird, die von der Nickel-Phosphor-Schicht 19 reflektiert werden und auf die Sensoreinrichtung 20 fallen (z. B. wie es in Fig. 2b dargestellt ist). Wenn die Nickel-Phosphor-Schicht 19 kristallin wäre, dann würde Fig. 2a das Auftreten einer Röntgenstrahlbeugungslinie im Muster aufgrund der Bragg'schen Reflektion zeigen, wie es beispielsweise in "Elementary Modern Physics" von Weidner et al., Alternate Second Edition, herausgegeben von Allyn und Bacon, Inc. 1974, Seite 145 - 149, beschrieben ist. Ersichtlich ist Fig. 2a eine relativ ebene, grafische Linie, so daß die Struktur der Nickel-Phosphor-Schicht 19 in Fig. 2b amorph oder nahezu amorph ist. Es wird angenommen, daß eine gesputterte Nickel-Phosphor-Schicht wie die Schicht 12 in Fig. 1 die gleiche nahezu amorphe Struktur wie die Schicht 19 in Fign. 2a und 2b hat.
Wie es oben erwähnt wurde, setzt die gesputterte Nickel- Phosphor-Schicht, die gemäß unserer Erfindung ausgebildet wird, das Maß an Bitverschiebung herab. Sie verringert die Anzahl der Bitverschiebungsfehler. Fig. 3a zeigt die Darstellung der Bitverschiebung einer typischen Co&sub8;&sub0;Ni&sub1;&sub0;Pt&sub1;&sub0;-Legierung 22 (Fig. 3b), die direkt auf einer galvanisierten Nickel-Phosphor-Schicht 23 ohne eine gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht ausgebildet ist. Die Co&sub8;&sub0;Ni&sub1;&sub0;Pt&sub1;&sub0;-Legierung 22 ist 60 nm stark und hat eine Koerzitivkraft etwa 1100 Oe. Die Platte von Fig. 3b, die benutzt wurde, um die Informationen von Fig. 3a zu erzeugen, hatte eine gesputterte Kohlenstoffüberzugsschicht zum mechanischen Schutz. Auf der X-Achse in Fig. 3a ist das Maß an Bitverschiebung in ns aufgetragen, während auf der Y-Achse die Häufigkeit aufgetragen ist, in der dieses Maß an Bitverschiebung angetroffen wird. Bezüglich der Kurve 30 in Fig. 3a zeigt somit 1 Bit in 10&sup9; Bits eine Bitverschiebung von wenigstens 15,0 ns, während bezüglich der Kurve 31 1 Bit in 10&sup9; Bits eine Bitverschiebung von wenigstens 13,6 ns zeigt. Die Informationen der Kurve 30 wurden dadurch erzeugt, daß eine Wiederholung des Bitmusters B6D9 (hexadezimal) aufgezeichnet und das Muster rückgelesen wurde. Die Kurve 31 wurde dadurch erzeugt, daß das Bitmuster FFFF (hexadezimal) geschrieben und rückgelesen wurde. Diese Muster wurden auf die Spur 2400 - die innerste Spur (d. h. bei einem 1,2''-Radius) auf eine 5 ¼''-Platte geschrieben. Die Daten wurden mit 6 Millionen Bits pro Sekunde geschrieben, während die Platte mit 3600 Umdrehungen pro Minute gedreht wurde.
Fig. 4 zeigt die Darstellung der Bitverschiebung einer dünnen Magnetschicht aus einer Co&sub8;&sub0;-Ni&sub1;&sub0;-Pt&sub1;&sub0;-Legierung mit einer Koerzitivkraft Hc und einer Stärke T, die identisch mit der dünnen Schicht 22 in Fig. 3 ist. Die dünne Schicht von Fig. 4 wurde jedoch auf einer gesputterten Nickel-Phosphor-Unterschicht ausgebildet, wie sie beispielsweise in Fig. 1 dargestellt ist. Die gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht war etwa 120 nm stark. Das Sputtertarget, das dazu benutzt wurde, die gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht zu erzeugen, wurde durch stromloses Galvanisieren einer Nickel-Phosphor-Legierung mit 10 Gewichts-% Phosphor gebildet.
Wie es in Fig. 4 dargestellt ist, wurden 2 Kurven (Kurven 32 und 33) dadurch gebildet, daß eine Wiederholung des Bitmusters B6D9 (hexadezimal) und des Bitmusters FFFF (hexadezimal) jeweils aufgezeichnet wurde. Es ist ersichtlich, daß die Magnetplatte von Fig. 4 eine wesentlich geringer Bitverschiebung als die Magnetplatte von Fig. 3a zeigt. Insbesondere zeigt ein Bit in 10&sup9; in der Platte von Fig. 4 eine Bitverschiebung von 12.0 ns für beide Muster B6D9 und FFFF (hexadezimal), wohingegen in Fig. 3 für das Bitmuster B6D9 1 Bit in 10&sup9; eine Bitverschiebung von 14.9 ns und für das Bitmuster FFFF 1 Bit in 10&sup9; Bits eine Bitverschiebung von 13.6 ns zeigte. Das gibt die Hauptverbesserung in den Bitverschiebungscharakteristiken der Magnetplatte wieder.
Die Informationen von Fig. 5 wurden von einer Platte erzeugt, die mit der Platte von Fig. 4 identisch ist, mit der Ausnahme, daß die gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht von gesintertem Ni&sub2;P (20 Gewichts-% Phosphor) erzeugt wurde. Für die Platte von Fig. 5 ist ersichtlich, daß dann, wenn das Bitmuster B6D9 geschrieben wird (Kurve 34), 1 Bit in 10&sup9; eine Bitverschiebung von annähernd 12.0 ns zeigt und daß dann, wenn das Bitmuster FFFF geschrieben wird (Kurve 35), 1 Bit in 10&sup9; eine Bitverschiebung von etwa 10.4 ns zeigt. Es ist somit ersichtlich, daß die Bitverschiebung, die eine Platte zeigt, die eine gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht aufweist, wie es beispielsweise in Fig. 4 und 5 dargestellt ist, kleiner als bei einer Platte ist, der die gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht fehlt.
Wie es oben erwähnt wurde, zeigt eine Magnetplatte, die nach unserer Erfindung ausgebildet ist und eine gesputterte Nickel- Phosphor-Unterschicht enthält, ein geringeres Rauschen. Fig. 6a und 6b zeigten die Spektren des Ausgangssignals von Magnetplatten mit und ohne gesputterte Nickel-Phosphor-Unterschicht jeweils. In Fig. 6a und 6b ist die X-Achse eine lineare Achse, die ein Frequenzband zwischen 0 Hz und 10 MHz wiedergibt. Die Spitze in Fig. 6a und 6b gibt den Signalanteil wieder, während der Rest der Spektren den Rauschanteil des Ausgangssignals wiedergibt. Der Rauschanteil im Signal von Fig. 6a ist größer als der Rauschanteil des Signals in Fig. 6b, was daraus erkennbar ist, daß der Bereich unter den spektralen Kurven von Fig. 6a und 6b abseits der Spitze, die den Signalanteil darstellt, verglichen wird. Fig. 7 zeigt die Beziehung zwischen der Bitverschiebung und der Stärke der gesputterten Nickel-Phosphor-Unterschicht. Das Sputtertarget, das dazu benutzt wurde, die Unterschicht in Fig. 7 zu erzeugen, enthielt 10 Gewichts-% Phosphor und wurde durch stromloses Galvanisieren gebildet. Die in Fig. 7 grafisch dargestellten Informationen wurden gewählt, indem das Maß an Bitverschiebung gemessen wurde, das von einem Bit in 10&sup9; Bits für verschiedene Stärken von Nickel-Phosphor festgestellt wurde. Fig. 7 enthält eine erste Kurve 40, die durch Aufzeichnen des Bitmusters B6D9 erzeugt wurde, und eine zweite Kurve 41, die durch Aufzeichnen des Bitmusters FFFF erzeugt wurde. Es ist ersichtlich, daß das größte Maß an Bitverschiebung dann auftritt, wenn die Stärke der gesputterten Nickel-Phosphor-Schicht gleich 0 ist (d. h. keine Nickel-Phosphor-Schicht vorhanden ist) und allmählich abnimmt, bis die Nickel-Phosphor-Schicht eine Stärke von 120 nm erreicht. Für Stärken von mehr als 120 nm führt eine weitere Zunahme der Stärke der NiP-Schicht nur zu minimalen Änderungen in der Bitverschiebung.
Fig. 8 ist mit der Ausnahme Fig. 7 ähnlich, daß eine dünne Ni&sub2;P-Schicht vor der Ausbildung der dünnen Co-Ni-Pt-Schicht gesputtert wurde. Wie im Fall von Fig. 7 ist ersichtlich, daß die Bitverschiebung am größten ist, wenn die Stärke der dünnen Ni&sub2;P- Schicht in Fig. 8 gleich 0 ist und abnimmt, wenn die Stärke der dünnen Ni&sub2;P-Schicht auf 40 nm zunimmt. Für Ni&sub2;P-Schicht mit einer Stärke von mehr als 40 nm ergibt sich nahezu keine weitere Abnahme der Bitverschiebung, wenn die Stärke der Ni&sub2;P-Schicht weiter zunimmt. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel unserer Erfindung werden statt der Ausbildung einer gesputterten Unterschicht, die eine Nickel-Phosphor-Legierung umfaßt, andere Nickel-Verbindungen oder Nickel-Legierungen benutzt. Das Sputtertarget, das zur Bildung der Unterschicht verwandt wird, kann beispielsweise Nickel und wenigstens ein anderes Element aus den Gruppen III B, IV B, V B und VI B der Tabelle des periodischen Systems wie beispielsweise B, Al, Ga, In, C, Si, Ge, Sn, Pb, P, As, Sb, Bi, S, Se oder Te umfassen. Die sich ergebende gesputterte Unterschicht ist amorph oder nahezu amorph.
Während die Erfindung unter Bezug auf spezielle Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist es für den Fachmann ersichtlich, daß geringfügige Änderungen in der Ausbildung und im einzelnen vorgenommen werden können, ohne den Bereich der Erfindung zu verlassen. Beispielsweise können Nickel-Phosphor-Legierungen mit variierenden prozentualen Anteilen an Nickel und Phosphor auf das darunter liegende Substrat gesputtert werden. Statt Sputtern kann auch ein anderes Niederschlagsverfahren im Vakuum beispielsweise Aufdampfen dazu verwandt werden, die Unterschicht auszubilden. Es versteht sich gleichfalls, daß eine Nickel-Phosphor-Legierung auf ein Substrat, das andere Materialien als auf Aluminium stromlos galvanisiertes Nickel-Phosphor umfaßt, beispielsweise auf ein Glassubstrat oder ein keramisches Substrat oder auf ein Band gesputtert werden kann. Derartige Änderungen liegen somit im Bereich der vorliegenden Erfindung.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer dünnen Magnetaufzeichnungsträgerschicht, welches Verfahren den Schritt der Bildung einer Unterlageschicht auf einem Substrat umfaßt und dadurch gekennzeichnet ist, daß eine zweite Schicht mit einer Stärke von 5 bis 200 nm auf der Unterlageschicht durch Niederschlagen im Vakuum gebildet wird, wobei die zweite Schicht Nickel und wenigstens eines der Elemente B, Al, Ga, In, C, Si, Ge, Sn, Pb, P, As, Sb, Bi, S, Se und Te enthält und auf der zweiten Schicht eine Schicht eines Magnetaufzeichnungsträgers ausgebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Magnetaufzeichnungsträger eine Legierung mit einer Eigenkoerzitivkraft von mehr als etwa 600 Oe (47,7 kA/m) umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Magnetaufzeichnungsträger eine Legierung ist, die Kobalt und Platin umfaßt.

4. Verfahren zum Herstellen einer Magnetscheibe, welches Verfahren den Schritt der Bildung einer Unterlageschicht auf einem Substrat umfaßt und dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Nickelphosphorschicht auf die Unterlageschicht gesputtert wird und eine Schicht eines Magnetaufzeichnungsträgers auf der Nickelphosphorschicht ausgebildet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Nickelphosphorschicht etwa 5 Gew. -% bis etwa 30 Gew. -% Phosphor enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Nickelphosphorschicht etwa 10 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-% Phosphor enthält.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem das Sputtern unter Verwendung eines Targets erfolgt, das aufgalvanisiertes Nickelphosphor umfaßt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Sputtern unter Verwendung eines Targets erfolgt, das im wesentlichen aus Ni&sub2;P, Ni&sub5;P&sub2;, Ni&sub3;P&sub2; oder einem Gemisch von Materialien besteht, die wenigstens eines der Materialien Ni&sub2;P, Ni&sub5;P&sub2; und Ni&sub3;P&sub2; umfassen.

9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Materialien in dem Gemisch so gewählt sind, daß das Target etwa 5 Gew.-% bis etwa 30 Gew.-% Phosphor enthält.

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialien in dem Gemisch so gewählt sind, daß das Target etwa 10 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-% Phosphor enthält.

11. Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlageschicht aufgalvanisiertes Nickelphosphor ist.