DE60215019T2 - Trennung von integrierten optischen modulen und strukturen - Google Patents

Trennung von integrierten optischen modulen und strukturen Download PDF

Info

Publication number
DE60215019T2
DE60215019T2 DE60215019T DE60215019T DE60215019T2 DE 60215019 T2 DE60215019 T2 DE 60215019T2 DE 60215019 T DE60215019 T DE 60215019T DE 60215019 T DE60215019 T DE 60215019T DE 60215019 T2 DE60215019 T2 DE 60215019T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
electro
optical
optically active
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60215019T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60215019D1 (de
Inventor
D. Alan Charlotte KATHMAN
Hongtao Mooresville HAN
Jay Huntersville MATHEWS
Barnett John Charlotte HAMMOND
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DigitalOptics Corp East
Original Assignee
Tessera North America Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tessera North America Inc filed Critical Tessera North America Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE60215019D1 publication Critical patent/DE60215019D1/de
Publication of DE60215019T2 publication Critical patent/DE60215019T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

  • Fachgebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Techniken zum Trennen von Modulen auf einem Wafer, insbesondere zur Verwendung beim Herstellen einer auf der Wafer-Ebene vorgesehenen Anordnung elektrooptischen Module mit handhabbarem Eingang/Ausgang, und der dadurch gebildeten Strukturen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die Schaffung einer mechanischen Halteleiste zum Integrieren eines optischen Moduls mit einer anderen Struktur, z.B. einer Schaltungsplatine.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Eine Schwierigkeit beim Integrieren elektrischer Vorrichtungen mit optischen Komponenten auf der Wafer-Ebene besteht darin, wie man die elektrischen Verbindungen handhaben soll. Das typische Wafer-Zusammenfügen und -Trennen kann in einer ausgezeichneten optischen Vorrichtung resultieren, die jedoch keine praktikable Stelle für die elektrischen Verbindungen aufweist, wie 1 zeigt. In 1 enthält das Modul ein aktives Element 10, das an einer Unterbefestigungsvorrichtung 20 befestigt ist, und ein über diesem angeordnetes optisches Element 40. Auf der Unterbefestigungsvorrichtung 20 sind Verbindungsleitungen 22 ausgebildet, um elektrische Signale zu und/oder von dem aktiven Element 10 zu übertragen. Das aktive Element 10, bei dem es sich z.B. um einen Vertikalhohlraumflächen-Ausgabe-Laser (VCSEL) handelt, kann auf der Wafer-Ebene mit der Unterbefestigungsvorrichtung 20 verbondet werden, und die Optik und sämtliche Abstandhalter können mit diesem ausgerichtet und in dieses integriert werden. Wenn die einzelnen Module getrennt werden, ist es schwierig, auf die elektrischen Verbindungen 22 zu dem aktiven Element 10 zuzugreifen.
  • Ein weiteres Problem ergibt sich bei dem Versuch, auf einer Wafer-Ebene angeordnete optische Elemente mit ebenen Systemen auszurichten, wie z.B. mit einer gedruckten Schaltungsplatine, oder mit jedem System, das keine Fortsetzung der gestapelten Struktur der auf Wafer-Ebene vorgesehenen Strukturen bildet. Bei dieser Integration sind sowohl Halterung als auch Ausrichtung problematisch.
  • Ein möglicher Lösungsansatz besteht darin, die optischen Vorrichtungen und Abstandhalter auf der Wafer-Ebene zusammenzufügen und dann das Trennen und das Verbonden mit den einzelnen Unterbefestigungsvorrichtung vorzunehmen. In dieser Weise jedoch werden die Vorteile der Wafer-Ebenen-Untervorrichtung nicht voll genutzt.
  • EP 0 975 072 beschreibt ein integriertes elektrooptisches Modul mit einem VCSEL auf einem ersten Substrat und einem Abstandhalter-Substrat, das Mikrolinsen und einen Verbondungsweg aufweist, der sich in einer Richtung weiter als das erste Substrat erstreckt, wobei ein zweites Substrat Öffnungen mit darin angeordneten optischen Fasern aufweist und das erste und das zweite Substrat in vertikaler Richtung aneinander befestigt sind und dabei der Abstandhalter zwischen ihnen angeordnet ist.
  • WO 00/11714 beschreibt ein elektronisches Modul, das einen ersten Substrat-Wafer mit einer elektronischen Komponente und mit der Komponente verbundenen Kontakt-Pads, und einen zweiten Substrat-Wafer aufweist, der mit dem ersten Wafer zusammengefügt ist, wobei der zweite Wafer Streifenleiter aufweist, die elektrisch mit den Kontakt-Pads verbunden sind und sich über ein Verbindungs-Pad des zweiten Wafers erstrecken, das relativ zu dem ersten Wafer vorsteht.
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft somit Verfahren und Strukturen zum Bilden gegenseitiger Verbindungen elektrooptischer Elemente in einem auf einer Wafer-Ebene ausgebildeten elektrooptischen Modul, wobei die Verfahren und Strukturen mindestens einen der oben angeführten Nachteile beseitigen.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner Verfahren und Strukturen zum Ausrichten und Halten auf Wafer-Basis ausgebildeter integrierter optischer Untervorrichtungen mit nichtgestapelten Systemen, wobei die Verfahren und Strukturen mindestens einen der oben angeführten Nachteile beseitigen.
  • Mindestens eine der oben angeführten Aufgaben sowie weiterer Aufgaben kann realisiert werden durch ein Verfahren zum Herstellen eines elektrooptischen Moduls mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafers, auf dem mehrere elektrooptisch aktive Elemente angeordnet sind; Bereitstellen eines Abstandhalter-Wafers mit Durchlässen und Vertiefungen; Ausrichten eines optischen Wafers, auf dem optische Elemente angeordnet sind, mit dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer, wobei die Durchlässe des Abstandhalter-Wafers zwischen optischen Elementen und entsprechenden elektrooptisch aktiven Elementen angeordnet sind; Anordnen eines elektrischen Bondungs-Pads auf mindestens dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer und/oder dem mit einer entsprechenden Vertiefung ausgerichteten optischen Wafer; Befestigen des optischen Wafers, des Abstandhalter-Wafers und des für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafers zur Bildung eines integrierten Wafers, wobei durch das Befestigen das elektrooptisch aktive Element umgeben wird; und Trennen von Chips von dem integrierten Wafer, wobei mindestens ein Chip mindestens ein elektrooptisch aktives Element und ein optisches Element enthält, wobei das Trennen ein Trennen entlang verschiedener rechtwinklig zu einer Oberfläche des integrierten Wafers durch den integrierten Wafer verlaufender Wege einschließt, derart, dass sich mindestens ein Teil des Wafers, der das elektrische Bondungs-Pad aufweist, über den anderen Wafer hinaus erstreckt. Mindestens eine der oben angeführten Aufgaben sowie weiterer Aufgaben kann realisiert werden durch Schaffung eines integrierten elektrooptischen Moduls mit: einem elektrooptisch aktiven Element auf einem ersten Substrat; einem optischen Element auf einem zweiten Substrat; einem zwischen den ersten und zweiten Substraten angeordneten Abstandhalter, der in einem Abstandhaltersubstrat ausgebildet ist, wobei das erste Substrat, das zweite Substrat und der Abstandhalter das elektrooptisch aktive Element umgeben; einem Durchlass, der in dem Abstandhalter zwischen dem elektrooptisch aktiven Element und dem optischen Element ausgebildet ist; und einem Bondungs-Pad auf einem der ersten und zweiten Substrate, wobei das erste Substrat und das zweite Substrat in einer rechtwinklig zu einer Oberfläche der ersten und zweiten Substrate verlaufenden Richtung befestigt sind, wobei der Teil der ersten und zweiten Substrate, auf dem das Bondungs-Pad angeordnet ist, sich in mindestens einer Richtung weiter erstreckt als das andere Substrat.
  • Mindestens eine der oben angeführten Aufgaben sowie weiterer Aufgaben kann realisiert werden durch Schaffung einer Vorrichtung, die aufweist: eine ebene Struktur, in der eine Öffnung ausgebildet ist, ein optisches Element, das auf einer Oberfläche eines Substrats ausgebildet ist, wobei sich die Oberfläche, auf der das optische Element angeordnet ist, durch die Öffnung der ebenen Struktur erstreckt, eine Anbringungsfläche, die integriert mit dem das optische Element aufweisenden Substrat ausgebildet ist, wobei sich die Anbringungsfläche in mindestens einer Richtung über das Substrat hinaus erstreckt, und einen Befestigungsmechanismus zum Befestigen des optischen Elements an der ebenen Struktur über die Anbringungsfläche.
  • Diese und weitere Aufgaben werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung deutlicher ersichtlich. Es ist jedoch zu beachten, dass die detaillierte Beschreibung und die speziellen Beispiele, obwohl sie die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung betreffen, lediglich zur Veranschaulichung aufgeführt sind, da Fachleuten auf dem Gebiet aus dieser detaillierten Beschreibung verschiedene Änderungen und Modifikationen ersichtlich sein werden, welche innerhalb des Geistes und des Schutzumfangs der Erfindung liegen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorstehend genannten sowie weitere Aufgabe, Aspekte und Vorteile werden anhand der Zeichnungen erläutert, in denen folgendes gezeigt ist:
  • 1 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines elektrooptischen Moduls, das auf der Wafer-Ebene ausgebildet und in herkömmlicher Weise getrennt ist;
  • 2A zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module, bevor sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 2B zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module gemäß 2A, nachdem sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 3A zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module, bevor sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 3B zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module gemäß 3A, nachdem sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 4A zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module, bevor sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 4B zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module gemäß 4A, nachdem sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 5 zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module, bevor sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 6A zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module, bevor sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 6B zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module gemäß 6A, nachdem sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 7A zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module, bevor sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 7B zeigt eine schematische Seitenansicht mehrerer elektrooptischer Module gemäß 7A, nachdem sie gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt worden sind;
  • 8 zeigt eine Draufsicht die Verbindung eines elektrooptischen Moduls gemäß 2B mit einer flexiblen gedruckten Schaltungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung; und
  • 9 zeigt eine schematische Draufsicht auf die Befestigung einer optischen Untervorrichtung mit einer Schaltungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • In der folgenden Beschreibung werden zu Zwecken der Erläuterung und nicht zwecks Einschränkung spezielle Einzelheiten dargelegt, um ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Fachleuten auf dem Gebiet wird jedoch ersichtlich sein, dass die vorliegende Erfindung auch durch andere Ausführungsformen praktiziert werden kann, die von diesen speziellen Einzelheiten abweichen. In anderen Fällen werden detaillierte Beschreibungen weithin bekannter Vorrichtungen und Verfahren weggelassen, um die Beschreibung der vorliegenden Erfindung nicht mit unnötigen Einzelheiten zu belasten. In der hier vorliegenden Verwendung ist mit dem Ausdruck "Wafer" jedes Substrat gemeint, auf dem mehrere Komponenten ausgebildet werden, die vor der endgültigen Verwendung getrennt werden sollen.
  • 2A zeigt eine explodierte Seitenansicht der für die Wafer-Ebene vorgesehenen Anordnung mehrerer elektrooptischen Module. Gemäß 1 ist auf dem Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafer 20 ein elektrooptisches Element 10 mit Verbindungsleitern 22 angeordnet. Ferner ist ein optischer Wafer 30 vorgesehen, auf dem entsprechende optische Elemente 40 ausgebildet sind. Ein Abstandhalter-Wafer 50 trennt den optischen Wafer 30 und den Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafer 20. In dem Abstandhalter-Wafer sind Durchlässe 52 ausgebildet, die den Durchtritt von Licht zwischen dem optischen Element 40 und dem aktiven Element 10 erlauben. Gemäß 2A können diese Durchlässe 52 durch Ätzen ausgebildet sein, wenn der Abstandhalter-Wafer 50 aus Silizium besteht.
  • In 2A weist der Abstandhalter-Wafer 50 ferner Einkerbungen 54 auf, die ebenfalls durch Ätzen ausgebildet sind. Diese Einkerbungen 54 sind über der Verbondungs-Stelle 24 angeordnet, so dass nach dem Trennen entlang der Linien 62, 64 die Verbondungs-Stelle 24 in dem getrennten Modul zugänglich ist, wie 2B zeigt. Dadurch werden die elektrischen Verbindungen erleichtert, die zu dem elektrooptischen Element 10 hin erforderlich sind. Der Trennvorgang kann ein Dicing des optischen Wafers 30 und des Abstandhalter-Wafers 50 entlang der Linie 62 ein Dicing durch sämtliche drei Wafer entlang der Linie 64 enthalten. Alternativ kann eine breite Klinge für ein Dicing der gesamten Breite zwischen den Linien 62, 64 durch den optischen Wafer 30 und den Abstandhalter-Wafer 50 verwendet werden, und dann kann eine dünne Klinge verwendet werden, um ein Dicing nur des Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafers 20 durchzuführen. Die befestigte Struktur kann umgedreht werden, damit ein Dicing nur des Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafers 20 erleichtert wird.
  • In 3A und 3B ist eine alternative Konfiguration gezeigt, bei der in dem Abstandhalter-Wafer über der Verbondungs-Stelle 24 Öffnungen 56 statt der Einkerbungen 54 ausgebildet sind. Die Trennlinien 65, 64 bleiben die gleichen und können durch jeden der oben angegebenen Vorgänge realisiert werden. Jedoch weist die resultierende Struktur keine Ränder an dem optischen Wafer 30 und dem Abstandhalter-Wafer 50 auf.
  • Eine weitere Konfiguration ist in den 4A und 4B gezeigt. Hier sind – anstelle einer Ausbildung der gleichen Paare aus aktivem Element 10 und Verbondungs-Stelle 24 auf dem Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafer 20 – benachbarte Strukturen als gegenseitiges Spiegelbilder ausgebildet. Dadurch wird es möglich, große Einkerbungen 58 über den beiden Verbondungs-Stellen 24, 24' anzuordnen. Das Trennen entlang der Trennlinie 76 kann in herkömmlicher Weise vorgenommen werden. Das Trennen entlang der Trennlinie 70, 72 erfolgt nur durch den optischen Wafer 30 und den Abstandhalter-Wafer 50 hindurch und kann entweder mittels Dicing entlang einer der Linien oder mittels einer dicken Dicing-Klinge vorgenommen wer den, welche die Breite des Spalts zwischen den Trennlinien 70, 72 abdeckt. Der Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafer 20 wird dann entlang der Trennlinie 74 getrennt, vorzugsweise mittels einer dünnen Klinge.
  • 5 zeigt eine weitere Konfiguration, die ein geringeres Trennen erfordert. Hier weist der Abstandhalter-Wafer wiederum die Öffnungen 56 auf. Ferner weist der optische Wafer 30 Öffnungen 36 auf, die hier in den optischen Wafer 30 geätzt sind, wobei die verschiedenen optischen Vorrichtungen, die für jedes Modul benötigt werden, isoliert sind. Wie hier ebenfalls gezeigt ist, weist die Unterbefestigungsvorrichtung 20 zwei elektrooptische Elemente 10, 12 auf, die eine gegenseitige Verbindung erfordern. Hier unterscheiden sich die elektrooptischen Elemente voneinander, wobei das elektrooptische Element 12 monolithisch mit dem Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafer 20 integriert ist. Auf dem optischen Wafer 30 sind zusätzliche optische Elemente 42 für das elektrooptische Element 12 vorgesehen. Es ist hier nur eine Trennung des Unterbefestigungsvorrichtungs-Wafers 20 entlang der Trennlinie 80 erforderlich, um die einzelnen Module zu realisieren.
  • Eine weitere Alternative ist in 6A–6B gezeigt. Hier ist ein Verbondungs-Pad 124 auf dem optischen Wafer 30 vorgesehen. Eine Verbindungsleitung 122, die das aktive Element 10 und das Verbondungs-Pad 124 miteinander verbindet, ist sowohl an dem Befestigungs-Wafer 20 als auch an dem optischen Wafer 30 vorgesehen. Wie in 6A und 6B gezeigt, erfolgt die Verbondung zwischen dem Befestigungs-Wafer 20 und dem optischen Wafer 30 über ein elektrisch leitfähiges Material, bei dem es sich hier um Lötmaterial-Kügelchen 90 handelt. Alternativ könnte der bei den vorherigen Konfigurationen verwendete Abstandhalter an den erforderlichen Stellen mit Metall beschichtet sein, um die Leitung von dem aktiven Element 10 zu dem Verbondungs-Pad 24 auf dem optischen Wafer 30 zu bilden. Nun bewirken die Trennlinien 92, 94 eine Trennung des Moduls, die darin resultiert, das sich der optische Wafer 30 in mindestens einer Richtung über den Befestigungs-Wafer 20 hinaus erstreckt, so dass das Verbondungs-Pad 124 leicht zugänglich ist.
  • Eine weitere Alternative ist in 7A–7B gezeigt. Hier ist ein Verbondungs-Pad 124 an dem optischen Wafer 30 vorgesehen, während ein weiteres Verbondungs-Pad 24 an dem Befestigungs-Wafer 20 vorgesehen ist. In dieser Konfiguration ist ferner ein Abstandhalter-Wafer 50 vorgesehen. Die Verbindungsleitung 122, die das Verbondungs-Pad 124 und das aktive Element 10 verbindet, befindet sich auf dem Befestigungs-Wafer 20, dem Abstandhalter-Wafer 50 und dem optischen Wafer 30. Gemäß 7A und 7B folgt die Verbindungsleitung 122 dem Abstandhalter-Wafer 50 zwischen dem Befestigungs-Wafer 20 und dem optischen Wafer 30. Alternativ kann ein Metall oder ein anderes elektrisch leitfähiges Material auf dem Wafer gemustert angeordnet sein und die Verbindungsleitung 122 nur auf dem Befestigungs-Wafer 20 und dem Abstandhalter-Wafer 30 angeordnet sein, wobei das elektrisch leitfähige Material auf dem Abstandhalter-Wafer 50 die Verbindung zwischen diesen herstellt. Nun führen die Trennlinien 93, 95, 97, 99 zu einer Trennung des Moduls, die darin resultiert, dass sich der optische Wafer 30 in mindestens einer Richtung über den Befestigungs-Wafer 20 hinaus erstreckt, d.h. derart, dass das Verbondungs-Pad 124 leicht zugänglich ist, und darin, dass sich der Befestigungs-Wafer 20 in mindestens einer Richtung über den optischen Wafer 30 hinaus erstreckt, d.h. derart, dass das Verbondungs-Pad 24 leicht zugänglich ist.
  • Gemäß 8 kann eine flexible gedruckte Schaltungsplatine (PCB) 100 direkt an den durch eine der obigen Konfigurationen gebildeten Modulen befestigt sein. Obwohl die obigen Konfigurationen einen Querschnitt der Module zeigen, wird darauf hingewiesen, dass jede der Paare aus elektrooptischem Element und Verbondungs-Stelle ein Array der Module bilden kann, wie bei dem Modul 110 gemäß 8 gezeigt. Aufgrund der oben erläuterten Trennung bildet eine durch die Verlängerung des Wafers erzeugte Stufe 26, an der die Verbondungs-Stellen 24 angeordnet sind, problemlos eine elektrische Verbindung mit einer weiteren Vorrichtung, bei der es sich hier um eine PCB 100 handelt. Ferner kann das Modul 110 getrennt werden, um Stufen 28 in dem hier als Befestigungs-Wafer 20 gezeigten Wafer zu bilden, an denen die Verbondungs-Pads 124 angeordnet sind, und zwar an einer der Seiten des hier als optischer Wafer 30 gezeigten anderen Wafers, um die mechanische Spannungsentlastung der Flex-Leitung der PCB zu erleichtern. Die Stufen 28 können sich um den gesamten Umfang herum erstrecken.
  • Selbst falls die elektrischen Verbindungen nicht an den Stufen 28 vorgesehen sind, können, wenn eine auf einer Wafer-Ebene ausgebildete optische Untervorrichtung mit einem System integriert wird, das nicht wie der Rest der Wafer-Vorrichtung zu stapeln ist, diese Stufen 128 verwendet werden, um Halte- und Ausrichtungs-Merkmale zu bilden.
  • Es ist offensichtlich, dass die Erfindung in vielfacher Hinsicht variiert werden kann, wie z.B. durch Verwendung unterschiedlicher Verbondungsmaterialien, Verlängerungen in einer oder mehreren Richtungen, und unterschiedliche oder keine Abstandhalter-Konfigurationen. Solche Variationen sind nicht als Abweichung vom Schutzumfang der Erfindung zu verstehen. Sämtliche derartigen Modifikationen sind, wie Fachleuten auf dem Gebiet offensichtlich sein wird, in den Schutzumfang der angefügten Patentansprüche einzubeziehen.

Claims (16)

  1. Verfahren zum Herstellen eines elektrooptischen Moduls, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafers (20), auf dem mehrere elektrooptisch aktive Elemente (10) angeordnet sind; Bereitstellen eines Abstandhalter-Wafers (50) mit Durchlässen (52) und Vertiefungen (54, 56); Ausrichten eines optischen Wafers (30), auf dem optische Elemente (40) angeordnet sind, mit dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer (20), wobei die Durchlässe (52) des Abstandhalter-Wafers zwischen optischen Elementen (40) und entsprechenden elektrooptisch aktiven Elementen (10) angeordnet sind; Anordnen eines elektrischen Bondungs-Pads (24) auf mindestens dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer (20) und/oder dem mit einer entsprechenden Vertiefung (54, 56) ausgerichteten optischen Wafer (30); Befestigen des optischen Wafers (30), des Abstandhalter-Wafers (50) und des für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafers (20) zur Bildung eines integrierten Wafers, wobei durch das Befestigen das elektrooptisch aktive Element (10) umgeben wird; und Trennen von Chips von dem integrierten Wafer, wobei mindestens ein Chip mindestens ein elektrooptisch aktives Element (10) und ein optisches Element (40) enthält, wobei das Trennen ein Trennen entlang verschiedener rechtwinklig zu einer Oberfläche des integrierten Wafers durch den integrierten Wafer verlaufender Wege (62, 64, 70, 72, 76, 80, 92, 93, 95, 96) einschließt, derart, dass sich mindestens ein Teil des Wafers, der das elektrische Bondungs-Pad (24) aufweist, über den anderen Wafer hinaus erstreckt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Trennen ein Dicing einschließt.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Dicing ein Dicing von zwei Seiten des integrierten Wafers her einschließt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit dem Herstellen einer Zwischenverbindungsleitung (22) zwischen dem elektrooptisch aktiven Element (10) und dem elektrischen Bondungs-Pad (24).
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das elektrische Bondungs-Pad (24) auf dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer (20) angeordnet ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Bondungs-Pad (24) auf dem optischen Wafer (30) angeordnet ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, ferner mit dem Anordnen eines elektrisch leitenden Materials (90) zwischen dem optischen Wafer (30) und dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer (20).
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem das Anordnen das Anordnen des elektrisch leitenden Materials auf einem Element zwischen dem optischen Wafer (30) und dem für elektrooptisch aktive Elemente vorgesehenen Wafer (20) enthält.
  9. Integriertes elektrooptisches Modul mit: einem elektrooptisch aktiven Element (10) auf einem ersten Substrat (20); einem optischen Element (40) auf einem zweiten Substrat (30); einem zwischen den ersten und zweiten Substraten angeordneten Abstandhalter (50), der in einem Abstandhalter-Substrat ausgebildet ist, wobei das erste Substrat (20), das zweite Substrat (30) und der Abstandhalter (50) das elektrooptisch aktive Element (10) umgeben; einem Durchlass (52), der in dem Abstandhalter (50) zwischen dem elektrooptisch aktiven Element (10) und dem optischen Element (40) ausgebildet ist; und einem Bondungs-Pad auf einem der ersten und zweiten Substrate, wobei das erste Substrat und das zweite Substrat in einer rechtwinklig zu einer Oberfläche der ersten und zweiten Substrate verlaufenden Richtung befestigt sind, wobei der Teil der ersten und zweiten Substrate, auf dem das Bondungs-Pad angeordnet ist, sich in mindestens einer Richtung weiter erstreckt als das andere Substrat.
  10. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 9, bei dem die ersten und zweiten Substrate über das Abstandhalter-Substrat befestigt sind.
  11. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 9, ferner mit einer Zwischenverbindungsleitung (22) zwischen dem elektrooptisch aktiven Element (10) und dem elektrischen Bondungs-Pad (24).
  12. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 9, bei dem das elektrische Bondungs-Pad (24) auf dem ersten Substrat angeordnet ist.
  13. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 9, bei dem das Bondungs-Pad (24) auf dem zweiten Substrat angeordnet ist.
  14. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 13, ferner mit einem elektrisch leitenden Material zwischen den ersten und zweiten Substraten.
  15. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 14, bei dem das elektrisch leitende Material auf einem zwischen den ersten und zweiten Substraten gelegenen Element angeordnet ist.
  16. Integriertes elektrooptisches Modul nach Anspruch 9, bei dem der Teil der ersten und zweiten Substrate, auf dem das Bondungs-Pad angeordnet ist, sich in mindestens zwei Richtungen weiter erstreckt als das andere Substrat.
DE60215019T 2001-03-06 2002-03-05 Trennung von integrierten optischen modulen und strukturen Expired - Lifetime DE60215019T2 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US27332101P 2001-03-06 2001-03-06
US273321P 2001-03-06
US09/983,278 US6798931B2 (en) 2001-03-06 2001-10-23 Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
US983278 2001-10-23
PCT/US2002/006688 WO2002071560A2 (en) 2001-03-06 2002-03-05 Separating of optical integrated modules and structures formed thereby

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60215019D1 DE60215019D1 (de) 2006-11-09
DE60215019T2 true DE60215019T2 (de) 2007-04-05

Family

ID=26956107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60215019T Expired - Lifetime DE60215019T2 (de) 2001-03-06 2002-03-05 Trennung von integrierten optischen modulen und strukturen

Country Status (9)

Country Link
US (4) US6798931B2 (de)
EP (1) EP1415374B1 (de)
JP (2) JP4474588B2 (de)
CN (1) CN100440651C (de)
AT (1) ATE341118T1 (de)
AU (1) AU2002252197A1 (de)
CA (1) CA2439010C (de)
DE (1) DE60215019T2 (de)
WO (1) WO2002071560A2 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
US7224856B2 (en) 2001-10-23 2007-05-29 Digital Optics Corporation Wafer based optical chassis and associated methods
US7961989B2 (en) * 2001-10-23 2011-06-14 Tessera North America, Inc. Optical chassis, camera having an optical chassis, and associated methods
WO2004068665A2 (en) * 2003-01-24 2004-08-12 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Research And Sponsored Programs Wafer scale packaging technique for sealed optical elements and sealed packages produced thereby
EP1611468B1 (de) * 2003-03-26 2008-05-21 Digital Optics Corporation Gehäuse für optoelektronisches bauteil auf waferebene
JP2007165789A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Olympus Corp 半導体装置の製造方法
US20070236591A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Tam Samuel W Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby
US7278853B1 (en) 2006-06-20 2007-10-09 International Business Machines Corporation Power card connection structure
WO2008060630A2 (en) * 2006-11-17 2008-05-22 Tessera North America, Inc. Internal noise reducing structures in camera systems employing an optics stack and associated methods
US8456560B2 (en) * 2007-01-26 2013-06-04 Digitaloptics Corporation Wafer level camera module and method of manufacture
WO2008133943A1 (en) 2007-04-24 2008-11-06 Flextronics Ap Llc Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip chip assembly
US20090159200A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
US7710667B2 (en) * 2008-06-25 2010-05-04 Aptina Imaging Corp. Imaging module with symmetrical lens system and method of manufacture
US7773317B2 (en) * 2008-07-01 2010-08-10 Aptina Imaging Corp. Lens system with symmetrical optics
EP2261977A1 (de) 2009-06-08 2010-12-15 STMicroelectronics (Grenoble) SAS Kameramodul und sein Herstellungsverfahren
US9419032B2 (en) 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
CN102738013B (zh) * 2011-04-13 2016-04-20 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其制作方法
TW201417250A (zh) * 2012-07-17 2014-05-01 海特根微光學公司 光學模組，特別是光電模組，及其製造方法
EP3710859B1 (de) 2018-04-28 2023-04-19 SZ DJI Technology Co., Ltd. Lichtdetektions- und entfernungsmesssensoren mit mehreren emittern und mehreren empfängern sowie zugehörige systeme und verfahren
WO2019205153A1 (zh) * 2018-04-28 2019-10-31 深圳市大疆创新科技有限公司 激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备
US11525967B1 (en) 2018-09-28 2022-12-13 Apple Inc. Photonics integrated circuit architecture
CN116134356A (zh) * 2020-07-20 2023-05-16 苹果公司 具有受控塌陷芯片连接的光子集成电路
US12111210B2 (en) 2021-07-08 2024-10-08 Apple Inc. Light source modules for noise mitigation
US12111207B2 (en) 2022-09-23 2024-10-08 Apple Inc. Despeckling in optical measurement systems

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422115B2 (de) * 1972-05-19 1979-08-04
US3947840A (en) * 1974-08-16 1976-03-30 Monsanto Company Integrated semiconductor light-emitting display array
US4945400A (en) * 1988-03-03 1990-07-31 At&T Bell Laboratories Subassembly for optoelectronic devices
US5023881A (en) * 1990-06-19 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Photonics module and alignment method
US5214535A (en) * 1991-12-17 1993-05-25 Xerox Corporation Lens cover assembly for binary diffractive optic lenses
DE4220284C1 (de) 1992-06-20 1993-09-30 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Zerteilen von Verbundwafern
US5739048A (en) * 1994-05-23 1998-04-14 International Business Machines Corporation Method for forming rows of partially separated thin film elements
DE19508222C1 (de) * 1995-03-08 1996-06-05 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
JP3613838B2 (ja) * 1995-05-18 2005-01-26 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP3233837B2 (ja) * 1995-10-05 2001-12-04 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置
DE19601955C2 (de) * 1996-01-09 1997-12-11 Siemens Ag Optoelektronische Sendebaugruppe
US5801800A (en) * 1996-04-29 1998-09-01 Motorola, Inc. Visual display system for display resolution enhancement
US5703394A (en) * 1996-06-10 1997-12-30 Motorola Integrated electro-optical package
US6025767A (en) * 1996-08-05 2000-02-15 Mcnc Encapsulated micro-relay modules and methods of fabricating same
US6096155A (en) * 1996-09-27 2000-08-01 Digital Optics Corporation Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
JPH10335383A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH1140520A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
US6669803B1 (en) * 1997-10-03 2003-12-30 Digital Optics Corp. Simultaneous provision of controlled height bonding material at a wafer level and associated structures
JPH11163412A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
TW408497B (en) * 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
JPH11237850A (ja) * 1998-02-23 1999-08-31 Nokeg & G Opt Electronics Kk Ｌｅｄ表示装置
US6150188A (en) * 1998-02-26 2000-11-21 Micron Technology Inc. Integrated circuits using optical fiber interconnects formed through a semiconductor wafer and methods for forming same
US6271102B1 (en) 1998-02-27 2001-08-07 International Business Machines Corporation Method and system for dicing wafers, and semiconductor structures incorporating the products thereof
JPH11261110A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Omron Corp 発光装置およびそれに用いられる上面電極接続部材
JP2000049414A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Canon Inc 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置
US6597713B2 (en) * 1998-07-22 2003-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus with an optical functional device having a special wiring electrode and method for fabricating the same
JP3516592B2 (ja) 1998-08-18 2004-04-05 沖電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
FR2783354B1 (fr) * 1998-08-25 2002-07-12 Commissariat Energie Atomique Procede collectif de conditionnement d'une pluralite de composants formes initialement dans un meme substrat
JP2000106458A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Matsushita Electronics Industry Corp 画像書込み用発光装置
JP2000114604A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子アレイおよびその製造方法
US6588949B1 (en) * 1998-12-30 2003-07-08 Honeywell Inc. Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices
JP4144676B2 (ja) * 1999-01-18 2008-09-03 ローム株式会社 チップ型発光ダイオードの製造方法
JP2000236111A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP2000294831A (ja) * 1999-04-08 2000-10-20 Omron Corp 半導体発光装置、半導体発光装置アレイ、フォトセンサおよびフォトセンサアレイ
US6496612B1 (en) * 1999-09-23 2002-12-17 Arizona State University Electronically latching micro-magnetic switches and method of operating same
DE69933380T2 (de) * 1999-12-15 2007-08-02 Asulab S.A. Verfahren zum hermetischen Einkapseln von Mikrosystemen vor Ort
US20020068373A1 (en) * 2000-02-16 2002-06-06 Nova Crystals, Inc. Method for fabricating light emitting diodes
US6780661B1 (en) * 2000-04-12 2004-08-24 Finisar Corporation Integration of top-emitting and top-illuminated optoelectronic devices with micro-optic and electronic integrated circuits
US6472758B1 (en) * 2000-07-20 2002-10-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including stacked semiconductor dies and bond wires
US6600224B1 (en) * 2000-10-31 2003-07-29 International Business Machines Corporation Thin film attachment to laminate using a dendritic interconnection
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
US6580153B1 (en) * 2001-03-14 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Structure for protecting a micromachine with a cavity in a UV tape
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
US6972480B2 (en) * 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices

Also Published As

Publication number Publication date
US6777311B2 (en) 2004-08-17
ATE341118T1 (de) 2006-10-15
CA2439010A1 (en) 2002-09-12
WO2002071560A2 (en) 2002-09-12
JP2010068001A (ja) 2010-03-25
CA2439010C (en) 2009-10-27
US6798931B2 (en) 2004-09-28
US20020126940A1 (en) 2002-09-12
US20050035463A1 (en) 2005-02-17
EP1415374B1 (de) 2006-09-27
US20020126941A1 (en) 2002-09-12
JP4474588B2 (ja) 2010-06-09
CN100440651C (zh) 2008-12-03
CN1666391A (zh) 2005-09-07
DE60215019D1 (de) 2006-11-09
WO2002071560A3 (en) 2004-02-19
AU2002252197A1 (en) 2002-09-19
EP1415374A2 (de) 2004-05-06
JP2004535660A (ja) 2004-11-25
US7208771B2 (en) 2007-04-24
US20070200132A1 (en) 2007-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60215019T2 (de) Trennung von integrierten optischen modulen und strukturen
DE19648728C2 (de) Halbleiteranordnung, Stapel aus Halbleiteranordnungen, und Verfahren zu ihrer bzw. seiner Herstellung
DE3880234T2 (de) Ausrichten von glasfaser-arrays.
DE60022479T2 (de) Verfahren zum aufbau einer optoelektronischen anordnung
DE69018287T2 (de) Verpackungstechniken für optische Sender/Empfänger.
DE69618035T2 (de) Vorrichtung zur ausrichtung eines optoelektronischen bauteils
DE2843144C2 (de)
EP0335104A2 (de) Vorrichtung zum optischen Verbinden eines oder mehrerer optischer Sender mit einem oder mehreren optischen Detektoren eines oder mehrerer integrierter Schaltkreise
DE69413601T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement von Flip-Chip-Typ
DE2542518C3 (de)
DE69132083T2 (de) Optisches system
DE69937305T2 (de) Verbinderadaptor für optisches modul, optisches modulprodukt und substratprodukt zur montage eines optischen moduls
DE3390103C2 (de)
DE69433543T2 (de) Halbleitervorrichtung.
DE102004013681B3 (de) Halbleitermodul mit einem Kopplungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005016439B4 (de) Halbleiterbauelementpackung und Herstellungsverfahren
DE60303140T2 (de) Optische verbindungsanordnung
DE69933176T2 (de) Optische Wellenleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
DE3511722A1 (de) Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen
DE112008000304T5 (de) Integration elektronischer und optischer Schaltungen mittels Waferbonden
DE10349692A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE69508379T2 (de) Zusammenbau einer hochintegrierten schaltung, der leiter eines leiterrahmens mit leitenden bahnen verbindet
DE69833611T2 (de) Ein Mikro-Photonikmodul mit einer Trennwand
DE3587180T2 (de) Faseroptischer Stecker.
DE69618872T2 (de) Integrierte packung mit steckerleitern

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TESSERA NORTH AMERICA.INC.(N. D. GES. D. STAAT, US

R082 Change of representative

Ref document number: 1415374

Country of ref document: EP

Representative=s name: PATENTANWAELTE VON KREISLER, SELTING, WERNER, 5066