DE68920807T2 - Klebeband und seine Verwendung. - Google Patents

Klebeband und seine Verwendung.

Info

Publication number
DE68920807T2
DE68920807T2 DE68920807T DE68920807T DE68920807T2 DE 68920807 T2 DE68920807 T2 DE 68920807T2 DE 68920807 T DE68920807 T DE 68920807T DE 68920807 T DE68920807 T DE 68920807T DE 68920807 T2 DE68920807 T2 DE 68920807T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
adhesive layer
molecular weight
adhesive
chips
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE68920807T
Other languages
English (en)
Other versions
DE68920807D1 (de
Inventor
Kazuyoshi Ebe
Mikio Komiyama
Yasunao Miyazawa
Takanori Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of DE68920807D1 publication Critical patent/DE68920807D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE68920807T2 publication Critical patent/DE68920807T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H10P72/742—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01331—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H10W72/07338—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy hardening the adhesive by curing, e.g. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1062—Prior to assembly
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/287—Adhesive compositions including epoxy group or epoxy polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

    Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein neues Klebeband und seine Verwendung. Insbesondere betrifft sie ein Klebeband, geeignet zur Verwendung beim Zerteilen einer Halbleiterwafer in Chips und Stempelbonden der Chips auf einen Anschlußrahmen und die Verwendung eines derartigen Klebebandes.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Wafer aus Halbleitermaterial, wie Silicium und Galliumarsenid mit darauf gebildeten integrierten Schaltkreisen, haben einen relativ großen Durchmesser. Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (IC) wird eine derartige Wafer an ein Klebeband geheftet, das manchmal Dicingband genannt wird, in Chips zerteilt (IC-Chips), die dann von dem Dicingband abgelöst (aufgenommen) werden und auf einen Anschlußrahmen mit einem Klebstoff, wie einem Epoxyharz, geklebt (geheftet) werden.
  • Für Dicingbänder, die für ein solches Wafer-Herstellungsverfahren geeignet sind, ist es erforderlich, daß sie eine starke Haftkraft für die Halbleiterwafer beim Zerteilungsschritt der Wafer in IC-Chips einerseits aufweisen, während sie eine derartig verminderte Haftkraft für die IC-Chips im Schritt der Aufnahme der IC-Chips andererseits aufweisen sollten, so daß die IC-Chips leicht ohne Übertragen von Klebstoffresten von den Dicingbändern abgelöst werden können. Somit sind bei Dicingbändern des Standes der Technik sich entgegengesetzt verhaltende Klebe- und Ablöseeigenschaften erforderlich und die Verwendung eines Dicingbandes, dessen Klebe- und Ablöseeigenschaften nicht gut ausgewogen sind, wirft bei einem Herstellungsverfahren für Wafer ein Problem auf, indem die Zerteilungs- und/oder Aufnahmeschritte des Verfahrens nicht reibungslos ausgeführt werden können. Insbesondere, wenn ein Dicingband des Standes der Technik bei einem Herstellungsverfahren für Wafer verwendet wird, wird ein Teil des Klebstoffes von dem Dicingband auf die aufgenommenen IC-Chips übertragen und beeinträchtigt nachteilig die Eigenschaften des erhaltenen IC. Folglich ist es erforderlich, die unerwünschten Klebstoffreste von den IC-Chips zu entfernen, bevor sie auf einem Anschlußrahmen befestigt wurden. Während die Entfernung des Restklebstoffes schwierig ist, gestaltet der Schritt für das Entfernen des Klebstoffes das Herstellungsverfahren nicht nur kompliziert, sondern ruft auch Umweltverschmutzungsprobleme hervor, wenn ein organisches Lösungsmittel zur Entfernung des restlichen Klebstoffes verwendet wird.
  • Außerdem wurde ein separater Klebstoff, wie ein Epoxyharz, zum Befestigen der IC-Chips auf einem Anschlußrahmen verwendet, wie in der Japanischen Offenlegungsschrift 60- 198757 beschrieben. Die Verwendung eines separaten Klebstoffes birgt ein weiteres Problem in sich, da nicht abgeschlossene Anwendung von geeigneten Mengen an Klebstoff technisch sehr schwierig realisierbar ist, mit dem Ergebnis, daß im Fall eines sehr kleinen IC-Chips der aufgetragene Klebstoff von dem Chip hervorguillt, während in einem Fall eines relativ großen IC die Menge an aufgetragenem Klebstoff zu klein sein kann, um die gewünschte Haftkraft bereitzustellen.
  • Die Erfindung versucht, die vorstehend genannten Probleme, die mit dem Stand der Technik verbunden sind, zu lösen durch Bereitstellung eines Klebebandes, das geeignet ist zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterwafern, das sowohl Härtbarkeit durch harte Strahlung als auch Wärmehärtbarkeit aufweist und das als Dicingband in dem Zerteilungsschritt verwendet werden kann und einen Klebstoff bei dem Befestigungsschritt bereitstellen kann.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Klebeband bereitgestellt, umfassend eine Grundfolie, die für einen Energiestrahl durchlässig ist, mit einer Oberflächenspannung von nicht mehr als 40 dyn/cm und eine Klebstoffschicht, gebildet auf der Oberfläche einer Grundfolie, wobei die Klebstoffschicht umfaßt:
  • (a) ein (Meth)acrylatpolymer mit mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von mindestens einem (Meth)acrylat, und mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 40 000 bis 1 500 000,
  • (b) ein Epoxyharz mit einem Molekulargewicht von 100 bis 10 000,
  • (c) eine photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts mit einem Molekulargewicht von 100 bis 30 000,
  • (d) einen wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für das Epoxyharz und
  • (e) einen Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Verwendung des vorstehend genannten Klebebandes bereitgestellt, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt: Heften einer Halbleiterwafer an das Klebeband, Zerteilen der Wafer in Chips, gemeinsam mit der Klebstoffschicht des Klebebands, Bestrahlen der Klebeschicht des Bandes mit einem Energiestrahl, Aufnehmen der Chips von der Grundfolie zusammen mit Stücken der zerteilten Klebstoffschicht daran geheftet, Anordnen der Chips auf einem Anschlußrahmen, so daß die betreffenden Teile der Klebeschicht mit dem Anschlußrahmen in Kontakt kommen und Veranlassen der Stücke der zerteilten Klebstoffschicht, Klebrigkeit durch Erwärmen zu entwickeln, wodurch die Chips sicher auf dem Anschlußrahmen befestigt werden.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren dient das erfindungsgemäße Klebeband als Dicingband zum Halten der Wafer am Ort während des Zerteilungsschritts (Dicing-Schritt). Jedes Stück des zerteilten und gehärteten Klebstoffbandes, das an jeden Chip geheftet ist und in der Lage ist, nach Erwärmen klebrig zu werden, liefert einen Klebstoff zu deren Befestigung des Chips auf dem Anschlußrahmen bei dem Stempelbond- Schritt.
    • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Figur 1 ist ein schematischer Querschnitt eines Klebebandes gemäß der Erfindung.
  • Figuren 2 bis 7 erläutern Entwicklungsstufen des Klebebandes von Figur 1 bei verschiedenen Schritten des Herstellungsverfahrens für eine Wafer, bei dem es verwendet wird und
  • Figur 8 ist ein Querschnitt eine Modifizierung des Klebebandes von Figur 1.
    • Beschreibung der Erfindung im einzelnen:
  • Das Klebeband und seine Verwendung gemäß der Erfindung werden nun im einzelnen mit Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Wie schematisch in Figur 1 dargestellt, umfaßt das erfindungsgemäße Klebeband 1 eine Grundfolie 2 und eine Klebstoffschicht 3, gebildet auf der Oberfläche der Grundfolie 2. Vor der Verwendung des Klebebandes ist es bevorzugt, übergangsweise eine abstreifbare Ablösefolie (nicht dargestellt) auf die Klebeschlcht 3 zu deren Schutz aufzulegen.
  • Es ist wünschenswert, daß die Haftkraft zwischen der Grundfolie 2 und der Klebeschicht 3 anfänglich hoch ist und durch Bestrahlung in einem ausreichenden Maß geringer gestaltet werden kann, als jene zwischen der Klebstoffschicht und einer Halbleiterwafer. Hierfür sollte Grundfolie 2 eine Oberflächenspannung von nicht mehr als 40 dyn/cm, vorzugsweise nicht mehr als 38 dyn/cm aufweisen. Geeignet als Grundfolie sind außerdem Stoffe, die eine geringe elektrische Leitfähigkeit aufweisen und ausgezeichnete Wasserbeständigkeit sowie Wärmebeständigkeit zeigen. Aus diesen Blickwinkel sind synthetische Harzfolien besonders bevorzugt. Wie später ausgewiesen, wird das erfindungsgemäße Klebeband bei Gebrauch mit einem Energiestrahl, wie einem Elektronenstrahl oder Ultraviolettlichtstrahl, bestrahlt. Wenn es mit Ultraviolettlichtstrahlen bestrahlt wird, muß es lichtdurchlässig sein; es ist jedoch nicht gefordert, daß es lichtdurchlässig sein muß, wenn es mit einem Elektronenstrahl bestrahlt werden soll. Geeignet als Grundfolie 2 sind Folien derartiger synthetischer Harze, wie Polyester, Polyethylen, Polypropylen, Polybuten, Polybutadien, Vinylchloridionomer, Ethylenmethacrylsäurecopolymer, Vinylchloridurethancopolymer sowie vernetzte Folien, wie Harze. Die Folien können mit Silicon behandelt werden oder nicht.
  • Die Grundfolie 2 kann entweder eine einzelne Schicht sein oder laminiert sein. Die Dicke der Grundschicht beträgt normalerweise 25 bis 200 um.
  • Die Klebstoffschicht 3 des erfindungsgemäßen Klebebandes umfaßt ein (Meth)acrylatpolymer, ein Epoxyharz, eine photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekuiargewichts, einen wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für das Epoxyharz und einen Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts.
  • Der hier verwendete Begriff "(Meth)acrylatpolymer" bedeutet Polymere, die hauptsächlich (mindestens 50 Mol-%) von mindestens einem (Meth)acrylat abgeleitete Struktureinheiten umfassen. Beispiele des geeigneten (Meth)acrylats sind Glycidylacrylat und Methacrylate sowie Alkyl- und Hydroxyalkyl(meth)acrylate, in denen der Alkylrest 1 bis 14 Kohlenstoffatome aufweist, wie Methyl-, Ethyl- und Butylacrylate und Methacrylate und 2-Hydroxyethylacrylat und -methacrylat.
  • Das (Meth)acrylatpolymer, das hier verwendet werden kann, kann ein Homopolymer von einem (Meth)acrylat oder kann ein Copolymer von mindestens 2 (Meth)acrylaten sein. Alternativ kann es ein Copolyner sein von mindestens einem (Meth)acrylat und mindestens einem Comonomer, das damit copolymerisierbar ist und mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von dem mindestens ein (Meth)acrylat enthält. Beispiele des Comonomers schließen Acryl- und Methacrylsäure, Acrylnitril, Methacrylnitril, Vinylacetat, Vinylpyrrolidone und Vinylgruppen enthaltende Siloxane ein. Besonders bevorzugte (Meth)acrylatpolymere, die verwendet werden können, sind Copolymere von mindestens einem Alkyl(meth)acrylat, bei dem der Alkylrest 1 bis 8 Kohlenstoffatome aufweist und mindestens einem Glycidyl(meth)acrylat mit bis zu 80 Mol-%, insbesondere 5 bis 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von dem einem Glycidyl(meth)acrylat und Copolymere von mindestens einem Alkyl(meth)acrylat, wobei der Alkylrest 1 bis 8 Kohlenstoffatome aufweist und mindestens einer (Meth)acrylsäure, enthaltend bis zu 50 Mol-%, insbesondere 5 bis 20 Mol-% Einheiten, abgeleitet von der einen (Meth)acrylsäure.
  • Das hier verwendete Alkyl(meth)acrylatpolymer ist im wesentlichen frei von einer C-C-Doppelbindung und normalerweise weist es ein Molekulargewicht von etwa 40 000 bis etwa 1 500 000, vorzugsweise etwa 100 000 bis 1 000 000, auf.
  • Das Epoxyharz, das hier verwendet werden kann, ist ein organischer Stoff mit im Durchschnitt mindestens 1,8 vicinalen Epoxygruppen pro Molekül. Normalerweise weist es ein durchschnittliches Molekulargewicht von 100 bis 10 000 auf. Beispiele für das Epoxyharz schließen Glycidylether eines Phenols, wie Bisphenol A, Bisphenol F, Resorcin, Phenolnovolac und Resorcinnovolac, Glycidylether von einem mehrwertigen Alkohol, wie Butandiol, Polyethylenglycol und Polypropylenglycol, Glycidylester von einer Polycarbonsäure, wie Terephthalsäure, Isophthalsäure und Tetrahydrophthalsäure, N,N- Diglycidyl- und N-Alkyl-N-glycidylverbindungen eines aromatischen Amins, wie Anilinisocyanurat und alicyclische Epoxide, abgeleitet von einem alicyclischen Olefin durch Oxidation von dessen olefinischer Doppelbindung oder Bindungen, wie Vinylcyclohexendiepoxid, 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3,4-dicyclohexancarboxylat und 2-(3,4-Epoxy)cyclohexyl-5,5-spiro(3,4-epoxy)cyclohexan-m-dioxan, ein. Die vorstehend erläuterten Epoxyverbindungen können einzeln oder in Kombination verwendet werden. Von diesen sind Diglycidylether von einem Bisphenol besonders bevorzugt. Als derartiges bevorzugtes Epoxyharz sind kommerziell verfügbare "Epikote" 828 mit einem Molekulargewicht von 380, "Epikote" 834 mit einem Molekulargewicht von 470, "Epikote" 1001 mit einem Molekulargewicht von 900, "Epikote" 1002 mit einem Molekulargewicht von 1060, "Epikote" 1055 mit einem Molekulargewicht von 1350 und "Epikote" 1007 mit einem Molekulargewicht von 2900.
  • Das Epoxyharz wird in der Klebstoffzusammensetzung zur Herstellung der Klebstoffschicht 3 in einer Menge von normalerweise 5 bis 2 000 Gewichtsteilen, vorzugsweise 100 bis 1 000 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile, des (Meth)acrylatpolymers verwendet.
  • Die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts, die hier verwendet werden kann, ist eine Verbindung mit mindestens einer Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung, die durch Bestrahlung mit einem Energiestrahl, wie Ultraviolettlichtstrahlen, und einem Elektronenstrahl vernetzbar ist und hat ein Molekulargewicht von normalerweise 100 bis 30 000, vorzugsweise 300 bis 10 000. Beispiele für ein bevorzugtes photopolymerisierbares Oligomer sind jene mit funktionellen Gruppen, wie Hydroxy und Carboxy, und schließen beispielsweise Urethanacrylat, Epoxyacrylat, Polyesteracrylat, Polyetheracrylat, Oligomere von (Meth)acrylsäure und Oligomere von Itaconsäure ein. Von diesen sind Epoxyacrylat und Urethanacrylat besonders bevorzugt.
  • Die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts wird in der Klebstoffzusammensetzung zur Herstellung der Klebstoffschicht 3 in einer Menge von normalerweise 10 bis 100 Gewichtsteilen, vorzugsweise 50 bis 600 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des (Meth)acrylatpolymers verwendet.
  • Der wärmeaktivierbare potentielle Härter für das Epoxyharz ist eine Verbindung, die mindestens 2 aktive Wasserstoffatome oder potentiell aktive Wasserstoffatome aufweist, die bei Raumtemperatur inaktiv sind, jedoch beim Erwärmen aktiviert werden unter Umsetzung mit dem Epoxyharz, wodurch Härtung oder Beschleunigung der Härtung des Epoxyharzes bewirkt wird. Als ein derartiger wärmeaktivierbarer potentieller Härter für das Epoxyharz kann von verschiedenen Oniumsalzen Gebrauch gemacht werden, insbesondere von aliphatischen und aromatischen Sulfoniumsalzen und anderen hochschmelzenden aktiven Wasserstoff enthaltenden Verbindungen, einzeln oder in Kombination. Unter anderen sind aliphatische Sulfoniumsalze bevorzugt.
  • Die Menge an wärmeaktivierbarem potentiellem Härter, die in der Klebstoffzusammensetzung zur Herstellung der Klebstoffschicht 3 verwendet wird, kann praktisch im Bereich von 0,1 bis 50 Gewichtsteilen, vorzugsweise 1 bis 10 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile Epoxyharz liegen, ungeachtet der Anwesenheit anderer Epoxygruppen in dem (Meth)acrylatpolymer und/oder der photopolymerislerbaren Verbindung niederen Molekulargewichts.
  • Zusätzlich zu dem wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für die Epoxyfunktionalität kann ein wärmehärtbares Mittel, wie eine Polyisocyanatverbindung, in die Klebstoffzusammensetzung zum Modifizieren der Klebstoffeigenschaften der Klebstoffschicht eingemischt werden. Bei der Verwendung kann die Menge an wärmehärtbarem Mittel normalerweise 0,1 bis 30 Gewichtsteile und vorzugsweise 5 bis 20 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile, des (Meth)acrylatpolymers ausmachen.
  • Die Klebstoffzusammensetzung zur Herstellung der Klebstoffschicht 3 umfaßt zusätzlich einen Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts. Beispiele für den Photopolymerisationsstarter sind Benzophenon, Acetophenon, Benzoin, Benzoinalkylether, Benzil und Benzildimethylketal, einzeln oder in Kombination. Von diesen sind alphasubstituierte Acetophenone bevorzugt.
  • Der Photopolymerisationsstarter wird in der Klebstoffzusammensetzung zur Herstellung der Klebstoffschicht in einer Menge von normalerweise 0,1 bis 10 Gewichtsteilen, vorzugsweise 1 bis 5 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile der photopolymerisierbaren Verbindung niederen Molekulargewichts verwendet.
  • Neben den vorstehend genannten Bestandteilen kann die Klebstoffschicht 3 zusätzlich mit einem Leukofarbstoff, einer lichtstreuenden anorganischen Verbindung, einem Treibmittel und einem antistatischen Mittel versehen sein.
  • Beispiele für den Leukofarbstoff sind 3-[N-(p-Tolylamino)]-7-anilinofluoran und 4,4',4"-Trisdimethylaminotriphenylmethan. Die Menge an Leukofarbstoff beträgt bei Verwendung normalerweise 0,01 bis 10 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile des (Meth)acrylatpolymers.
  • Als lichtstreuendes Mittel ist eine feine teilchenförmige anorganische Verbindung, wie Quarz- und Aluminiumoxid mit einer Teilchengröße von 1 bis 100 um, vorzugsweise 1 bis 20 um, geeignet. Die Menge an lichtstreuender anorganischer Verbindung beträgt bei Verwendung normalerweise 0,1 bis 10 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile (Meth)acrylatpolymer.
  • Als Treibmittel können höhere Fettsäuren und Derivate davon, Siliconverbindungen und Polyolverbindungen verwendet werden. Die Menge an Treibmittel beträgt bei Verwendung 0,1 bis 10 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile des (Meth)acrylatpolymers.
  • Geeignet als Antistatikmittel sind Ruß und anionische und kationische Tenside. Die Menge an antistatischem Mittel beträgt bei Verwendung normalerweise von 0,05 bis 10 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile (Meth)acrylatpolymer.
  • Falls erwünscht, werden elektrische Leitfähigkeit der Klebstoffschicht 3 durch Einsatz eines elektrisch leitfähigen Stoffes, wie Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Aluminium, rostfreiem Stahl und Kohlenstoff, verliehen. Ein derartiger elektrisch leitfähiger Stoff wird vorzugsweise in einer Menge von 10 bis 400 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichtsteile, des (Meth)acrylatpolymers verwendet.
  • Das erfindungsgemäße Klebeband kann durch Beschichten der Grundfolie 2 auf der Oberfläche davon mit einer geeigneten Klebstoffzusammensetzung unter Herstellung der gewünschten Klebstoffschicht 3 mit Hilfe eines Gravurbeschichters oder Stabbeschichters hergestellt werden. Falls gewünscht, können erforderliche Mengen der erforderlichen Komponenten zur Herstellung der Klebstoffschicht 3 in einem geeigneten Lösungsmittel aufgelöst oder dispergiert werden und die erhaltene Zusammensetzung kann auf die Grundfolie 2 aufgetragen werden.
  • Die Dicke der Klebstoffschicht 3 beträgt normalerweise 3 bis 100 um und vorzugsweise 10 bis 60 um.
  • Das Verfahren zur Verwendung des Klebebandes 1 von Figur 1 bei der Herstellung von Wafern wird nun beschrieben. Die Bezugsziffern betreffen die beigefügten Zeichnungen.
  • Wenn eine abstreifbare Ablösefolie bereitgestellt wird, wird sie zunächst entfernt und das Klebeband 1 wird unter Drehen der Klebstoffschicht 3 aufwärts (Figur 1) angeordnet.
  • Auf der Oberseite der Klebstoffschicht 3 wird eine Halbleiterwafer A, die bearbeitet werden soll, aufgelegt (Figur 2).
  • In diesem Stadium wird die Wafer A zusammen mit der Klebstoffschicht 3 des Klebebandes 1 in Chips A&sub1;, A&sub2;, A&sub3; usw. durch geeignete Zerteilungsvorrichtungen, wie einer Dicing- Säge (Figur 3), zerteilt. Bei diesem Schritt wird die Wafer A vollständig in Chips zerteilt, während Klebstoffschicht 3 im wesentlichen zerteilt wird. Mit anderen Worten, mindestens 50 %, vorzugsweise 100 %, der gesamten Dicke der Klebstoffschicht wird zerschnitten. Je tiefer der Schnitt, desto besser.
  • Die Grundfolie 2 wird dann in den zwei senkrecht aufeinander stehenden, sich schneidenden Richtungen innerhalb der Ebene der Folie gedehnt, um den anschließenden Aufnahmevorgang zu erleichtern (Figur 4). Während das veranschaulichte Verfahren einen Ausdehnungsschritt einschließt ist dieser Schritt nicht immer erforderlich. In einem Fall, bei dem dieser Schritt ausgeführt wird, sollte die Grundfolie 2 natürlich in Maschinen- und Querrichtung streckbar sein. Grundfolien ohne Streckbarkeit können jedoch auch verwendet werden, wenn keine Ausdehnungsbehandlung ausgeführt wird.
  • Bevor die Chips aufgenommen werden, wird die Klebstoffschicht 3 mit einem Energiestrahl B zum Polymerisieren oder Härten der in der Klebstoffschicht 3 enthaltenen photopolymerisierbaren Verbindung von der Seite der Grundfolie 2, auf der die Klebstoffschicht 3 nicht gebildet ist (Figur 4) bestrahlt. Als Energiestrahl sind Ultraviolettlichtstrahlen mit einer mittleren Wellenlänge von etwa 365 nm bevorzugt und nach Bestrahlung mit solchen Ultraviolettlichtstrahlen werden Intensität der Strahlung und Bestrahlungszeit vorzugsweise im Bereich von 20 bis 500 mW/cm² bzw. 0,1 bis 150 Sekunden eingestellt.
  • Obwohl der Zerteilschritt vor dem Bestrahlungsschritt in dem veranschaulichten Verfahren ausgeführt wird, kann Bestrahlung vor dem Zerteilen erfolgen, insbesondere wenn keine Ausdehnung ausgeführt wird. Obwohl die Bestrahlung in dem veranschaulichten Verfahren ausgeführt wird bevor die Chips in die Aufnahmestelle kommen, bei der der Aufnahmevorgang ausgeführt wird, kann die Bestrahlung außerdem bei der Aufnahmestelle ausgeführt werden, insbesondere wenn die Ausdehnung ausgeführt wird.
  • Wenn der hier verwendete Klebstoff durch Bestrahlung mit einem Energiestrahl gehärtet wird, wird seine Haftfestigkeit zur Wafer deutlich über ein Maß seiner Haftfestigkeit zu der Grundschicht erhöht. Es wird angenommen, daß dies auf die Anwesenheit des Epoxyharzes in dem Klebstoff zurückzuführen ist.
  • Anschließend werden in einer Aufnahmestelle die Waferchips A&sub1;, A&sub2;, A&sub3; usw., nacheinander durch einen Schiebestab (nicht gezeigt) von der Grundschicht 2 weggeschoben, durch eine geeignete Vorrichtung aufgenommen, wie einer Vakuumhülse 6, wie in Figur 5 gezeigt, und in einer Waferbox (nicht dargestellt) gesammelt. Da der gehärtete Klebstoff eine größere Haftkraft zur Wafer als zu der Grundfolie 1 aufweist, können die Waferchips leicht zusammen mit dem gehärteten Klebstoff, der daran geheftet ist, von der Grundfolie 1 abgelöst werden. Figur 6 zeigt den Waferchip A&sub1;, aufgenommen durch die Vakuumhülse 6. Wie aus Figur 6 ersichtlich, trägt der aufgenommene Waferchip A&sub1; ein Stück 3&sub1; der zerteilten und bestrahlten Haftschicht 3. Da der bestrahlte Klebstoff, der an den Waferchips geheftet ist, nicht mehr klebrig ist, haften die in der Waferbox gesammelten Waferchips nicht aneinander.
  • Bei dem veranschaulichten Verfahren wird Energiestrahlbestrahlung einmal bewirkt, kann jedoch teilweise mehrmals erfolgen. Insbesondere im Fall, wenn die Ausdehnung der Grundfolie ausgeführt wurde, kann beispielsweise nur ein Teil der Grundfolie 1 entsprechend jeder der Waferchips A&sub1;, A&sub2;, A&sub3; usw. von der Rückseite der Grundfolie 1 mit einer Bestrahlungsröhre bestrahlt werden, von derselben Röhre fortgeschoben werden und durch die Vakuumhülse aufgenommen werden, so daß die Bestrahlung bei der Aufnahmestelle ausgeführt werden kann.
  • Die Waferchips A&sub1;, A&sub2;, A&sub3; usw. werden auf den Anschlußrahmen 7 mit Hilfe eines Stempelbonders (nicht dargestellt) angeordnet, so daß die betreffenden Stücke 3&sub1;, 3&sub2;, 3&sub3; usw. der Klebstoffschicht mit dem Anschlußrahmen in Kontakt kommen und auf eine Temperatur von normalerweise 100 bis 300ºC erwärmt werden, vorzugsweise 150 bis 250ºC, für einen Zeitraum von normalerweise 1 bis 120 Minuten, vorzugsweise 5 bis 60 Minuten, so daß der in den Stücken der zerteilten Klebstoffschicht enthaltene gehärtete Klebstoff wiederum Klebrigkeit entwickelt (Figur 7). Durch dieses Erwärmen wird die Haftfestigkeit der Klebstoffschicht zu dem Waferchip um mindestens 1000 g/25 mm erhöht und gleichzeitig werden die Waferchips eng an den Anschlußrahmen 7 bei einer Haftfestigkeit von im wesentlichen demselben Grad gebunden. Somit können die Waferchips sicher auf dem Anschlußrahmen 7 befestigt werden.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Klebstoffzusammensetzung bereitgestellt, umfassend:
  • (a) 100 Gewichtsteile eines (Meth)acrylatpolymers mit mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von mindestens einem (Meth)acrylat und mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 40 000 bis 1 500 000,
  • (b) 5 bis 2 000 Teile eines Epoxyharzes mit einem Molekulargewicht von 100 bis 10 000,
  • (c) 10 bis 1 000 Gewichtsteile einer photopolymerisierbaren Verbindung niederen Molekulargewichts mit einem Molekulargewicht von 100 bis 30 000,
  • (d) ein wärmeaktivierbarer potentieller Härter für das Epoxyharz und
  • (e) ein Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts
  • Die erfindungsgemäße Klebstoffzusammensetzung stellt eine Klebstoffschicht bereit, die durch Bestrahlung mit einem Energiestrahl härtbar ist und die so gehärtete Klebstoffschicht ist in der Lage, Klebrigkeit bei Erhitzen zu entwikkeln.
  • Die Erfindung wird nun durch die nachstehenden Beispiele beschrieben, worin Teile auf das Gewicht bezogen sind, sofern nicht anders ausgewiesen.
    • Beispiel 1
  • (Meth)acrylatpolymer mit einem Feststoffanteil von 35 Gew.-% und enthaltend ein Copolymer von Methylacrylat und Glycidylmethacrylat, das Copolymer enthält 20 Mol-% Methylacrylat und weist ein Molekulargewicht von etwa 300 000 auf
  • 100 Teile
  • (Feststoffbasis).
  • Bisphenoldiglycidylether, auf der Grundlage von Epoxyharz, mit einem zahlenmittleren Molekulargewicht von 500 (bezogen von YUKA SHELL EPOXY K.K. unter dem Warenzeichen Epikote 834)
  • 600 Teile.
  • Photopolymerisierbares Epoxyacrylatoligomer mit zwei C-C-Doppelbindungen und einem Molekulargewicht von 730, gemessen durch GPC unter Verwendung von Polystyrol als Standard (bezogen von SHIN-NAKAMURA CHEMICAL Co, Ltd. unter dem Warenzeichen NK- Ester EA-800)
  • 100 Teile.
  • Wärmeaktivierbarer potentieller Härter für Epoxyharze: aliphatisches Sulfoniumsalz (bezogen von ASAHI DENKA KOGYO K.K. unter dem Warenzeichen CP-66) 18 Teile.
  • Photopolymerisationsstarter: 2,2-Dimethoxy-2- phenylacetophenon
  • 5 Teile.
  • Eine Klebstoffzusammensetzung, umfassend die vorstehend ausgewiesenen Komponenten in den ausgewiesenen Mengen wurde auf eine Polyethylenfolie mit einer Oberflächenspannung von 32 dyn/cm und einer Dicke von 100 um aufgetragen und unter Erhitzen bei 100ºC für 1 Minute unter Herstellung eines Klebebandes mit einer Klebeschicht in einer Dicke von 30 um getrocknet.
  • Eine Siliciumwafer wurde auf die Klebstoffschichtoberfläche des so hergestellten Klebebandes aufgelegt. Das Klebeband haftete an der Siliciumwafer mit einer Haftkraft von 360 g/25 mm, gemessen gemäß JIS Z 0237. Die Klebstoffschicht wurde anschließend mit 200 mW/cm² mit Ultraviolettlichtstrahlen für 2 Sekunden unter Verwendung einer 80 W/cm Hochdruckquecksilberdampflampe bestrahlt. Durch diese Bestrahlung erhöhte sich die Haftkraft zwischen der Klebstoffschicht und der Siliciumwafer auf 900 g/25 mm, während die Haftkraft zwischen der Klebstoffschicht und der Polyethylengrundfolie nach der Bestrahlung 60 g/25 mm betrug.
  • Das Klebeband wurde bei der Verarbeitung einer Siliciumwafer wie nachstehend angewendet. Eine Siliciumwafer derselben Qualität mit einem Durchmesser von 5 inch wurde auf die Klebstoffschicht des Bandes aufgelegt und vollständig zusammen mit der Klebstoffschicht mit Hilfe einer Dicing-Säge, bezogen von DISCO Co., Ltd., mit einem Vorschub von 50 mm /s in IC-Chips von 5 mm im Quadrat zerschnitten. Die Klebstoffschicht wurde anschließend durch die Polyethylengrundfolie mit den vorstehend genannten Ultraviolettlichtstrahlen für 2 Sekunden bestrahlt. Die IC-Chips wurden aufgenommen und anschließend direkt auf einen Anschlußrahmen mit Hilfe eines Stempelbonders angeordnet, so daß die Stücke der an den Chips gebundenen gehärteten Klebstoffschicht mit dem Anschlußrahmen in Kontakt kommen. Die Chips wurden dann für einen Zeitraum von 30 Minuten auf eine Temperatur von 170ºC erwärmt, wodurch sie fest auf dem Anschlußrahmen befestigt wurden,
    • Beispiel 2
  • (Meth)acrylatpolymer mit einem Feststoffanteil von 35 Gew.-% und enthaltend ein Copolymer von Butylacrylat und Acrylsäure, wobei das Copolymer 80 Mol-% Butylacrylat enthält und ein Molekulargewicht von etwa 500 000 aufweist
  • 100 Teile
  • (Feststoffbasis).
  • Epoxyharz auf Bisphenoldiglycidyletherbasis, mit einem Feststoffgehalt von 30 Gew.-% und einem zahlenmittleren Molekulargewicht von 900 (bezogen von YUKA SHELL EPOXY K.K. unter dem Warenzeichen Epikote 1001)
  • 400 Teile
  • (Feststoffbasis).
  • Photopolymerisierbares Urethanacrylatoligomer mit zwei C-C-Doppelbindungen und einem Molekulargewicht von 5000, gemessen durch GPC unter Verwendung von Polystyrol als Standard (bezogen von DAINICHISEIKA COLOR & MFG. Co., Ltd. unter dem Warenzeichen Nr. 14-33)
  • 70 Teile.
  • Wärmeaktivierbarer potentieller Härter für Epoxyharze: aliphatisches Sulfoniumsalz (bezogen von ASAHI DENKA KOGYO K.K. unter dem Warenzeichen CP-66)
  • 8 Teile.
  • Photopolymerisationsstarter: 2,2-Dimethoxy-2- phenylacetophenon
  • 5 Teile.
  • Wärmehärtbares Mittel: aromatisches Polyisocyanat (bezogen von TOYO INK MFG. Co. Ltd. unter dem Warenzeichen BHS-8515)
  • 5 Teile.
  • Elektrisch leitfähiger Füllstoff: teilchenförmiges Nickel mit einer Teilchengröße von 5 um
  • 750 Teile.
  • Eine Klebstoffzusammensetzung, umfassend die vorstehend ausgewiesenen Komponenten in den ausgewiesenen Mengen wurde auf eine Polypropylenfolie mit einer Oberflächenspannung von 35 dyn/cm und einer Dicke von 60 um aufgetragen und unter Erwärmen bei 100ºC für 1 Minute getrocknet, unter Herstellung eines Klebebandes mit einer Klebstoffschicht in einer Dicke von 30 um darauf.
  • Eine Siliciumwafer wurde auf die Klebebandoberfläche des so hergestellten Klebebandes aufgelegt. Das Klebeband wurde an die Siliciumwafer mit einer Haftkraft von 150 g/25 mm geheftet. Die Klebstoffschicht wurde dann mit Ultraviolettlichtstrahlen, wie in Beispiel 1, bestrahlt. Durch diese Bestrahlung erhöhte sich die Haftkraft zwischen der Klebstoffschicht und der Siliciumwafer auf 500 g/25 mm, während die Haftkraft zwischen der Haftschicht und der Polypropylengrundschicht nach der Bestrahlung 40 g/25 mm betrug.
  • Das Klebeband wurde bei der Verarbeitung einer Siliciumwafer in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise verwendet. Gute Ergebnisse wurden wie in Beispiel 1 erhalten.
    • Wirkung der Erfindung
  • Die Klebstoffschicht des erfindungsgemäßen Klebebandes kann durch Bestrahlung mit Energiestrahlen gehärtet werden und die so gehärtete Klebstoffschicht ist in der Lage, eine Klebrigkeit nach wiederholtem Erwärmen zu entwickeln. Das Klebeband weist außerdem eine einzigartige Eigenschaft auf, daß, wenn es an eine Halbleiterwafer geheftet ist und mit einem Energiestrahl bestrahlt wurde, die Haftkraft der Klebstoffschicht zu der Wafer viel höher wird als zu der Grundfolie. Diese Eigenschaften des erfindungsgemäßen Klebebandes können vorteilhafterweise bei der Verarbeitung einer Halbleiterwafer gemäß der Erfindung benutzt werden.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren dient das erfindungsgemäße Klebeband als Dicingband zum Halten der Wafer in einer Stellung während des Zerteilungsschritts. Jedes Stück der zerteilten und gehärteten Klebstoffschicht, das an jeden Chip geheftet ist und in der Lage ist, durch Erwärmen klebrig zu werden, liefert einen Klebstoff, der zum sicheren Befestigen der Chips auf dem Anschlußrahmen bei dem Stempelbond- Schritt erforderlich ist. Somit kann die Erfindung zahlreiche Probleme, die mit dem Stand der Technik verbunden sind, lösen, einschließlich der Entfernung von Restklebstoff von zerteilten IC-Chips und hinreichende Bereitstellung eines separaten Klebstoffs auf den IC-Chips.
    • Modifizierung der Erfindung
  • Gemäß einer Modifizierung der Erfindung wird ein Klebeband bereitgestellt, umfassend eine Klebstoffschicht, bestehend aus:
  • (a) einem (Meth)acrylatpolymer mit mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von mindestens einem (Meth)acrylat und mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht van 40 000 bis 1 500 000,
  • (b) einem Epoxyharz mit einem Molekulargewicht von 100 bis 10 000,
  • (c) einer photopolymerisierbaren Verbindung niederen Molekulargewichts mit einem Molekulargewicht von 100 bis 30 000,
  • (d) einem wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für das Epoxyharz und
  • (e) einem Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts.
  • Ein solches grundfolienfreies Klebeband kann leicht durch Herstellen eines Klebebands 3 auf einer Ablösegrundlage 8 (Figur 8) hergestellt werden und kann ebenfalls bei der Verarbeitung einer Halbleiterwafer eingesetzt werden. Normalerweise wird ein grundfolienfreies Klebeband an die Verbraucher in sandwichartiger Form zwischen einem Paar von Ablösefolien geliefert. Nach der Verwendung davon bei der Waferbearbeitung wird eine Ablösefolie entfernt unter Freilegen der Klebeschicht 3; eine Halbleiterwafer, die zu verarbeiten ist, wird auf die Klebeschicht geheftet, die Klebeschicht wird mit einem Energiestrahl, der durch die verbliebene Ablöseschicht dringt, bestrahlt; die Wafer wird in Chips zusammen mit der Klebstoffschicht zerteilt; die Chips werden aufgenommen, zusammen mit den Teilen der bestrahlten und zerteilten Klebstoffschicht von der Ablöseschicht und auf einem Anschlußrahmen angeordnet, so daß die betreffenden Teile der Klebstoffschicht, die daran haften, mit den Rahmen in Kontakt kommen und die Stücke der zerteilten Klebstoffschicht werden durch Erwärmen veranlaßt, Klebrigkeit zu entwickeln, wodurch die Chips sicher auf dem Anschlußrahmen befestigt werden.
  • Gemäß einer weiteren Modifizierung der Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt zur Verwendung eines grundschichtfreien Klebebandes, wie vorstehend definiert, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt Heften einer Halbleiterwafer an das Klebeband, gebildet auf einer Ablösefolie durch Bestrahlen der Klebeschicht mit einem Energiestrahl, Zerteilen der Wafer in Chips zusammen mit der Klebstoffschicht, Aufnehmen der Chips zusammen mit den Stücken der zerteilten Klebstoffschicht, die an der Ablösefolie haftet, Anordnen der Chips zusammen mit den Stücken der zerteilten Klebstoffschicht, die daran haftet auf einen Anschlußrahmen, so daß die betreffenden Stücke der Klebstoffschicht mit dem Anschlußrahmen in Kontakt kommen und Veranlassen der Stücke der zerteilten Klebstoffschicht, durch Erwärmen Klebrigkeit zu entwickeln, wodurch die Chips auf dem Anschlußrahmen sicher befestigt werden.

Claims (9)

1. Klebeband, umfassend eine Grundfolie, die für einen Energiestrahl durchlässig ist, mit einer Oberflächenspannung von nicht mehr als 40 dyn/cm und eine Klebstoffschicht, gebildet auf einer Oberfläche der Grundfolie, wobei die Klebstoffschicht umfaßt:
(a) ein (Meth)acrylatpolymer mit mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von mindestens einem (Meth)acrylat, und mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 40 000 bis 1 500 000,
(b) ein Epoxyharz mit einem Molekulargewicht von 100 bis 10 000,
(c) eine photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts mit einem Molekulargewicht von 100 bis 30 000,
(d) einen wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für das Epoxyharz und
(e) einen Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts.
2. Verfahren zur Herstellung eines Klebebandes nach Anspruch 1, umfassend die Schritte: Heften einer Halbleiterwafer an das Klebeband, Zerteilen der Wafer in Chips, gemeinsam mit der Klebeschicht des Klebebands, Bestrahlen der Klebeschicht des Bandes mit einem Energiestrahl, Aufnehmen der Chips zusammen mit Stücken der zerteilten Klebstoffschicht von der Grundfolie daran geheftet, Anordnen der Chips auf einem Anschlußrahmen, so daß die betreffenden Teile der Klebstoffschicht mit dem Anschlußrahmen in Kontakt kommen und Veranlassen der Stücke der zerteilten Klebstoffschicht, Klebrigkeit durch Erwärmen zu entwickeln, wodurch die Chips sicher auf dem Anschlußrahmen befestigt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Grundfolie lichtdurchlässig ist und der Energiestrahl Ultraviolettlichtstrahlung ist.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei der Zerteilungsschritt vor dem Bestrahlungsschritt ausgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei der Bestrahlungsschritt vor dem Zerteilungsschritt ausgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5 zusätzlich umfassend, zwischen dem Zerteilungsschritt und dem Aufnahmeschritt, einen Ausdehnungsschritt der Grundfolie des Bandes, das die Chips zusammen mit den Stücken der zerteilten Klebstoffschicht trägt in zwei sich rechtwinklig schneidenden Richtungen innerhalb der Ebene der Grundfolie.
7. Klebeband, umfassend eine Klebstoffschicht bestehend aus:
(a) einem (Meth)acrylatpolymer mit mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von mindestens einen (Meth)acrylat und mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 40 000 bis 1 500 000,
(b) einem Epoxyharz mit einem Molekulargewicht von 100 bis 10 000,
(c) einer photopolymerisierbaren Verbindung niederen Molekulargewichts mit einem Molekulargewicht von 100 bis 30 000,
(d) einem wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für das Epoxyharz und
(e) einem Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts.
8. Verfahren zur Herstellung eines Klebebandes nach Anspruch 7, umfassend die Schritte: Heften einer Halbleiterwafer an das Klebeband, gebildet auf einer Ablösefolie, Bestrahlen der Klebstoffschicht mit einem Energiestrahl, Zerteilen der Wafer in Chips zusammen mit der Klebstoffschicht, Aufnehmen der Chips zusammen mit Stücken der zerteilten Klebstoffschicht der Ablösefolie daran geheftet, Anordnen der Chips zusammen mit den daran haftenden Stücken der zerteilten Klebstoffschicht auf einem Anschlußrahmen, so daß die betreffenden Stücke der Klebstoffschicht mit dem Anschlußrahmen in Kontakt kommen und Veranlassen der Stücke der zerteilten Klebstoffschicht, durch Erwärmen Klebrigkeit zu entwickeln, wodurch die Chips auf dem Anschlußrahmen sicher befestigt werden.
9. Klebstoffzusammensetzung zur Herstellung einer Klebstoffschicht, die durch Bestrahlung mit einem Energiestrahl härtbar ist und die anschließend in der Lage ist, Klebrigkeit nach Erwärmen zu entwickeln, wobei die Zusammensetzung umfaßt:
(a) 100 Gewichtsteile eines (Meth)acrylatpolymers mit mindestens 50 Mol-% Einheiten, abgeleitet von mindestens einem (Meth)acrylat und mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 40 000 bis 1 500 000,
(b) 5 bis 2 000 Teile eines Epoxyharzes mit einem Molekulargewicht von 100 bis 10 000,
(c) 10 bis 1 000 Gewichtsteile einer photopolymerisierbaren Verbindung niederen Molekulargewichts mit einem Nolekulargewicht von 100 bis 30 000,
(d) einen wärmeaktivierbaren potentiellen Härter für das Epoxyharz und
(e) einen Photopolymerisationsstarter für die photopolymerisierbare Verbindung niederen Molekulargewichts.
DE68920807T 1988-07-21 1989-07-21 Klebeband und seine Verwendung. Expired - Lifetime DE68920807T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63183158A JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1988-07-21 粘接着テープおよびその使用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE68920807D1 DE68920807D1 (de) 1995-03-09
DE68920807T2 true DE68920807T2 (de) 1995-06-29

Family

ID=16130813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE68920807T Expired - Lifetime DE68920807T2 (de) 1988-07-21 1989-07-21 Klebeband und seine Verwendung.

Country Status (6)

Country Link
US (3) US5118567A (de)
EP (1) EP0359373B1 (de)
JP (1) JPH0715087B2 (de)
KR (1) KR950009551B1 (de)
DE (1) DE68920807T2 (de)
MY (1) MY105793A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004059599B3 (de) * 2004-12-09 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf dünngeschliffene Halbleiterchips eines Halbleiterwafers

Families Citing this family (179)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277972B1 (en) * 1988-09-29 1996-11-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive tapes
EP0361975B1 (de) * 1988-09-29 1995-05-24 Tomoegawa Paper Co. Ltd. Klebebänder
CA2009566A1 (en) * 1989-03-09 1990-09-09 Shinobu Sato Epoxy-acrylate blend pressure-sensitive thermosetting adhesives
DE3923023A1 (de) * 1989-07-12 1991-01-24 Siemens Ag Uv-haertbarer klebstoff fuer ein halbleiterchipmontageverfahren
JP2665062B2 (ja) * 1991-02-12 1997-10-22 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5300172A (en) * 1991-11-01 1994-04-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. Surface-protection method during etching
US5762744A (en) * 1991-12-27 1998-06-09 Rohm Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device using an expand tape
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP2994510B2 (ja) * 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
WO1993023487A2 (en) * 1992-05-05 1993-11-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Topographical method
US5283467A (en) * 1992-06-05 1994-02-01 Eaton Corporation Heat sink mounting system for semiconductor devices
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
US5435876A (en) * 1993-03-29 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Grid array masking tape process
US6485589B1 (en) 1993-04-15 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Melt-flowable materials and method of sealing surfaces
JP3410202B2 (ja) * 1993-04-28 2003-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
US5466325A (en) * 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
DE69424438T2 (de) * 1993-11-10 2001-04-19 Minnesota Mining And Mfg. Co., Saint Paul Topographisches verfahren
US6870272B2 (en) 1994-09-20 2005-03-22 Tessera, Inc. Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces
US5659952A (en) 1994-09-20 1997-08-26 Tessera, Inc. Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip
US5915170A (en) * 1994-09-20 1999-06-22 Tessera, Inc. Multiple part compliant interface for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US6169328B1 (en) 1994-09-20 2001-01-02 Tessera, Inc Semiconductor chip assembly
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
JPH08236554A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置，及び半導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディング方法
JPH08267668A (ja) * 1995-03-29 1996-10-15 Nitta Ind Corp 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法
US5670260A (en) * 1995-04-21 1997-09-23 Adhesives Research, Inc. Radiation-cured adhesive film having differential surface adhesion
AU704598B2 (en) * 1995-04-24 1999-04-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive adhesives for polyolefin surfaces
US6017603A (en) * 1995-04-28 2000-01-25 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Ultraviolet-curing adhesive composition and article
WO1997040115A1 (en) * 1996-04-25 1997-10-30 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Ultraviolet-curing adhesive composition and article
JP3197788B2 (ja) * 1995-05-18 2001-08-13 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US6126772A (en) * 1995-06-15 2000-10-03 Nitto Denko Corporation Method for resist removal, and adhesive or adhesive sheet for use in the same
WO1997000923A1 (en) * 1995-06-21 1997-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adhesive compositions, bonding films made therefrom and processes for making bonding films
JPH0917752A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp 偏平な被切削物の切断方法及びその装置
TW310481B (de) * 1995-07-06 1997-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd
US6717242B2 (en) 1995-07-06 2004-04-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and process for fabrication thereof
WO1997003143A1 (en) 1995-07-10 1997-01-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Screen printable adhesive compositions
DE69610712T2 (de) * 1995-08-11 2001-04-26 Smith & Nephew Plc, London Klebstoffe
JP3641033B2 (ja) * 1995-09-29 2005-04-20 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 熱硬化性組成物、熱硬化性組成物の調製用組成物、及び熱硬化性フィルム接着剤
US6284563B1 (en) * 1995-10-31 2001-09-04 Tessera, Inc. Method of making compliant microelectronic assemblies
US6211572B1 (en) * 1995-10-31 2001-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip package with fan-in leads
US6551845B1 (en) * 1996-01-02 2003-04-22 Micron Technology, Inc. Method of temporarily securing a die to a burn-in carrier
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
US6007920A (en) * 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
DE69609047T2 (de) * 1996-03-29 2001-03-08 Minnesota Mining And Mfg. Co., St. Paul Wärmehärtbarer Klebstoff mit verbessertem Beschichtbarkeit
FR2748350B1 (fr) * 1996-05-06 2000-07-13 Solaic Sa Composant electronique sous forme de circuit integre pour insertion a chaud dans un substrat et procedes pour sa fabrication
KR100483106B1 (ko) * 1996-05-16 2005-12-21 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 접착제조성물및그의사용방법
AU711287B2 (en) * 1996-05-16 1999-10-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adhesive compositions and methods of use
TW422874B (en) * 1996-10-08 2001-02-21 Hitachi Chemical Co Ltd Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film
US6686015B2 (en) 1996-12-13 2004-02-03 Tessera, Inc. Transferable resilient element for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US6312800B1 (en) 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
US6226452B1 (en) 1997-05-19 2001-05-01 Texas Instruments Incorporated Radiant chamber for simultaneous rapid die attach and lead frame embed for ceramic packaging
JP3955659B2 (ja) 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US6760086B2 (en) * 1998-03-26 2004-07-06 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Attachment film for electronic display device
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
WO2000002243A1 (en) * 1998-07-01 2000-01-13 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacture, circuit board, and electronic device
JP4275221B2 (ja) 1998-07-06 2009-06-10 リンテック株式会社 粘接着剤組成物および粘接着シート
KR100339183B1 (ko) 1998-07-13 2002-05-31 포만 제프리 엘 접착제 번짐이 감소된 다이 부착법
KR20000041299A (ko) * 1998-12-22 2000-07-15 윤종용 감광성 접착층을 이용한 반도체 칩 접착방법
JP2000349101A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Lintec Corp 転写用テープおよびその使用方法
DE60025720T2 (de) 1999-06-18 2006-11-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält
US6517656B1 (en) * 1999-10-05 2003-02-11 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package using a batch step for curing a die attachment film and a tool system for performing the method
US6723620B1 (en) * 1999-11-24 2004-04-20 International Rectifier Corporation Power semiconductor die attach process using conductive adhesive film
JP4409014B2 (ja) 1999-11-30 2010-02-03 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4911811B2 (ja) * 2000-02-28 2012-04-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 熱活性接着剤および光架橋性熱活性接着剤
US6383833B1 (en) 2000-05-23 2002-05-07 Silverbrook Research Pty Ltd. Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
WO2001089987A1 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one uv curable tape
US6938783B2 (en) 2000-07-26 2005-09-06 Amerasia International Technology, Inc. Carrier tape
JP3906962B2 (ja) 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
FR2815468B1 (fr) * 2000-10-12 2003-10-03 Gemplus Card Int Procede pour le report de microcircuit sur un support
US20020156144A1 (en) * 2001-02-09 2002-10-24 Williams Kevin Alan UV-curable, non-chlorinated adhesion promoters
US8058354B2 (en) * 2001-02-09 2011-11-15 Eastman Chemical Company Modified carboxylated polyolefins and their use as adhesion promoters
US7060352B2 (en) * 2001-03-14 2006-06-13 3M Innovative Properties Company Method of detackifying an edge face of a roll of tape using a radiation curable composition
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP2002299378A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Lintec Corp 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
DE10121556A1 (de) 2001-05-03 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Rückseitenschleifen von Wafern
JP4869517B2 (ja) 2001-08-21 2012-02-08 リンテック株式会社 粘接着テープ
JP2004043761A (ja) * 2001-08-27 2004-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP2003086538A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Hitachi Ltd 半導体チップの製造方法
KR20040039494A (ko) * 2001-10-09 2004-05-10 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전자 부품 및 이의 제조 방법
US6709953B2 (en) * 2002-01-31 2004-03-23 Infineon Technologies Ag Method of applying a bottom surface protective coating to a wafer, and wafer dicing method
JP2003234359A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4115711B2 (ja) * 2002-02-14 2008-07-09 日東電工株式会社 フレキシブルプリント配線板固定用接着シート及びフレキシブルプリント配線板への電子部品の実装方法
JP2004175866A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Nippon Kayaku Co Ltd 光ディスク用接着剤組成物、硬化物および物品
KR101170845B1 (ko) 2003-02-05 2012-08-02 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 다이싱 다이본딩 테이프
US20040222518A1 (en) * 2003-02-25 2004-11-11 Tessera, Inc. Ball grid array with bumps
DE10311433B4 (de) * 2003-03-15 2016-08-04 Lohmann Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von haftklebender Materialien und Dichtungsmaterialien mit dreidimensionaler Struktur
KR101177251B1 (ko) * 2003-06-06 2012-08-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체 장치의 제조방법
GB2404280B (en) 2003-07-03 2006-09-27 Xsil Technology Ltd Die bonding
DE10336375A1 (de) * 2003-08-06 2004-12-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestücken von Probenhaltern mit Biochips und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens
DE10349394A1 (de) * 2003-10-21 2005-05-25 Marabuwerke Gmbh & Co. Kg UV-härtendes Bindemittel für Farben oder Lacke zur Bedruckung von Glas und Verfahren zur Bedruckung von Glassubstraten
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
KR100885099B1 (ko) 2003-12-15 2009-02-20 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프 및 그 제조방법
MY138566A (en) 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4027332B2 (ja) * 2004-03-19 2007-12-26 リンテック株式会社 半導体用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR100590198B1 (ko) 2004-03-25 2006-06-19 엘에스전선 주식회사 수축성 이형필름을 갖는 다이싱 필름 및 이를 이용한반도체 패키지 제조방법
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7106021B2 (en) * 2004-05-04 2006-09-12 International Business Machines Corporation Method, system, and program product for feedback control of a target system utilizing imposition of a periodic modulating signal onto a command signal
US20060252234A1 (en) * 2004-07-07 2006-11-09 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
JP4776188B2 (ja) 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
US7101620B1 (en) 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
US8058355B2 (en) 2004-10-06 2011-11-15 Eastman Chemical Company Modified chlorinated carboxylated polyolefins and their use as adhesion promoters
TWI273662B (en) * 2004-12-06 2007-02-11 Advanced Semiconductor Eng Method for chip bonding
US20060131709A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Caron Michael R Semiconductor die positioning system and a method of bonding a semiconductor die to a substrate
KR101357765B1 (ko) * 2005-02-25 2014-02-11 테세라, 인코포레이티드 유연성을 갖는 마이크로 전자회로 조립체
JP4650024B2 (ja) * 2005-02-28 2011-03-16 住友ベークライト株式会社 ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。
DE102006000867A1 (de) * 2006-01-05 2007-07-12 Marabuwerke Gmbh & Co. Kg UV-härtende Glasdruckfarbe und UV-härtender Glasdrucklack sowie Verfahren zum Bedrucken von Glassubstraten
US7871899B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-18 Amkor Technology, Inc. Methods of forming back side layers for thinned wafers
US7932615B2 (en) 2006-02-08 2011-04-26 Amkor Technology, Inc. Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers
US7674701B2 (en) 2006-02-08 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns
JP5098361B2 (ja) * 2006-03-08 2012-12-12 日立化成工業株式会社 ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4846406B2 (ja) * 2006-03-28 2011-12-28 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
KR101370245B1 (ko) 2006-05-23 2014-03-05 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JP5005258B2 (ja) * 2006-05-23 2012-08-22 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
US7923488B2 (en) * 2006-10-16 2011-04-12 Trillion Science, Inc. Epoxy compositions
JP4879702B2 (ja) 2006-10-20 2012-02-22 リンテック株式会社 ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法
KR101271225B1 (ko) * 2006-10-31 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법
JP5005325B2 (ja) * 2006-11-27 2012-08-22 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR20080047990A (ko) 2006-11-27 2008-05-30 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
JP5005324B2 (ja) * 2006-11-27 2012-08-22 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5250202B2 (ja) * 2006-12-18 2013-07-31 電気化学工業株式会社 多層粘着シート、及び電子部品の製造方法。
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
KR100815383B1 (ko) * 2006-12-28 2008-03-20 제일모직주식회사 점착필름 형성용 광경화성 조성물 및 이를 포함하는 다이싱다이본딩 필름
JP5101111B2 (ja) * 2007-01-05 2012-12-19 日東電工株式会社 半導体基板加工用粘着シート
JP2008235398A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP2008247936A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR100828025B1 (ko) * 2007-06-13 2008-05-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 절단 방법
US7799612B2 (en) * 2007-06-25 2010-09-21 Spansion Llc Process applying die attach film to singulated die
US7674859B2 (en) 2007-06-28 2010-03-09 Lintec Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
JP5126960B2 (ja) * 2007-11-28 2013-01-23 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
US20090146234A1 (en) * 2007-12-06 2009-06-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units having an infrared-absorbing layer and associated systems and methods
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
JP4995067B2 (ja) * 2007-12-27 2012-08-08 日立化成工業株式会社 回路接続材料
JP5467720B2 (ja) 2007-12-28 2014-04-09 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
TW200933866A (en) * 2008-01-16 2009-08-01 Lingsen Precision Ind Ltd Chip stacking method using light hardened glue
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
JP5237647B2 (ja) * 2008-01-25 2013-07-17 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
CN102015943A (zh) * 2008-03-07 2011-04-13 3M创新有限公司 具有图案化背衬的切割带和晶粒附连粘合剂
JP5314308B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-16 リンテック株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法
JP5314307B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-16 リンテック株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法
JP2009242605A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4806815B2 (ja) * 2008-03-31 2011-11-02 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5090241B2 (ja) * 2008-04-17 2012-12-05 リンテック株式会社 ダイソート用シート
JP5500787B2 (ja) * 2008-06-03 2014-05-21 リンテック株式会社 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
GB0904582D0 (en) * 2008-09-24 2009-04-29 Lumina Adhesives Switchable adhesives
JP5089560B2 (ja) 2008-11-28 2012-12-05 リンテック株式会社 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物
TWI390005B (zh) * 2008-12-31 2013-03-21 Eternal Chemical Co Ltd 無溶劑導電膠組成物及使用該組成物之太陽能電池元件
US8415235B2 (en) * 2009-05-12 2013-04-09 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive, adhesive sheet, and process for producing electronic components
JP5679696B2 (ja) * 2009-05-22 2015-03-04 日東電工株式会社 紫外線硬化型粘着剤組成物、粘着剤層、粘着シートおよびその製造方法
JP2011111474A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
EP2371920A1 (de) 2010-03-31 2011-10-05 Lumina Adhesives AB Umschaltbare Klebstoffe
KR101494244B1 (ko) * 2010-03-31 2015-02-17 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
CN103109353B (zh) 2010-07-13 2015-11-25 日立化成株式会社 切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法
US8883281B2 (en) * 2010-12-17 2014-11-11 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Multilayer film having pressure sensitive adhesive layer
KR101374365B1 (ko) * 2010-12-27 2014-03-17 제일모직주식회사 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
JP5620834B2 (ja) * 2011-01-26 2014-11-05 リンテック株式会社 接着剤組成物および接着シート
KR101908390B1 (ko) 2011-07-25 2018-10-16 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공시트용 기재필름, 반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법
DE102012208597B4 (de) 2012-05-23 2018-05-30 Tesa Se Haftklebemasse für medizinische Zwecke, Verfahren zu ihrer Herstellung und die Haftklebmasse enthaltende Mischung
JP6001964B2 (ja) 2012-09-04 2016-10-05 リンテック株式会社 半導体加工シート及び半導体装置の製造方法
JP5696772B2 (ja) * 2013-12-10 2015-04-08 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
TWI546934B (zh) * 2014-10-20 2016-08-21 錼創科技股份有限公司 Led陣列擴張方法及led陣列單元
EP3056225A1 (de) 2015-02-16 2016-08-17 Nitto Denko Corporation Ablösbares Haftsystem
US9896777B2 (en) 2015-10-30 2018-02-20 Essential Products, Inc. Methods of manufacturing structures having concealed components
US9882275B2 (en) 2015-10-30 2018-01-30 Essential Products, Inc. Antennas for handheld devices
US10158164B2 (en) 2015-10-30 2018-12-18 Essential Products, Inc. Handheld mobile device with hidden antenna formed of metal injection molded substrate
US11884850B2 (en) 2017-09-15 2024-01-30 3M Innovative Properties Company Adhesive film including a (meth)acrylate matrix including a curable epoxy/thiol resin composition, tape, and method
US10896840B2 (en) 2018-09-19 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Tape heating methods
KR102536844B1 (ko) * 2018-10-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020251307A1 (ko) 2019-06-13 2020-12-17 주식회사 엘지화학 비전도성 필름 및 반도체 적층체의 제조 방법
CN112673071B (zh) * 2019-06-13 2023-01-06 株式会社Lg化学 非导电膜和半导体层合体的制造方法
US12454637B2 (en) 2020-05-07 2025-10-28 Dow Silicones Corporation Silicone hybrid pressure sensitive adhesive and methods for its preparation and use in protective films for (opto)electronic device fabrication
US12503554B2 (en) 2020-05-07 2025-12-23 Dow Silicones Corporation (Meth)acrylate functional silicone and methods for its preparation and use
CN115485350B (zh) 2020-05-07 2025-04-22 美国陶氏有机硅公司 有机硅混合压敏粘合剂及其制备方法和在不均匀表面上的用途
US11403694B2 (en) * 2020-07-17 2022-08-02 YUTYBAZAR Limited System and method for intelligent context-based personalized beauty product recommendation and matching
WO2022140856A1 (en) * 2020-12-30 2022-07-07 Vuereal Inc. Microdevice cartridge mapping and compensation
CN113784513A (zh) * 2021-08-10 2021-12-10 信维通信（江苏）有限公司 一种线路板成型方法
CN116135940B (zh) * 2023-02-20 2023-08-22 丹阳市沃德立电工材料有限公司 一种半导体封装胶带及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1587159A (en) * 1977-07-05 1981-04-01 Ciba Geigy Ag Film adhesives containing an epoxide resin
JPS5428356A (en) * 1977-08-05 1979-03-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Heat-curable precursor
US4230814A (en) * 1979-02-12 1980-10-28 General Electric Company Heat curable compositions
US4286047A (en) * 1979-07-25 1981-08-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive adhesive susceptible to ultraviolet light-induced detackification
DE3114931A1 (de) * 1981-04-13 1982-10-28 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Durch strahlung polymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes photopolymerisierbares kopiermaterial
CA1194637A (en) * 1982-04-26 1985-10-01 Charles R. Morgan Uv and thermally curable, thermoplastic-containing compositions
DE3374413D1 (en) * 1982-06-24 1987-12-17 Ciba Geigy Ag Photopolymerisable coating, photopolymerisable material and its use
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US4698113A (en) * 1983-08-11 1987-10-06 Matsushita Electric Method of curing photocurable and heat-curable compositions and a method of adhering members to each other by using them
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60221477A (ja) * 1984-04-18 1985-11-06 Nitto Electric Ind Co Ltd 制振補強用の接着性シ−ト
US5049434A (en) * 1984-04-30 1991-09-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system
US4959008A (en) * 1984-04-30 1990-09-25 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned circuit board device-attach adhesive transfer system
JPS6128572A (ja) * 1984-07-19 1986-02-08 F S K Kk 半導体ウエハー用粘着シートの使用法
DE3671577D1 (de) * 1985-02-14 1990-06-28 Bando Chemical Ind Verfahren zum schneiden einer halbleiterscheibe in wuerfel.
US4687693A (en) * 1985-06-13 1987-08-18 Stauffer Chemical Company Adhesively mountable die attach film
US4688053A (en) * 1985-07-13 1987-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Liquid jet recording head having a layer of a resin composition curable with an active energy ray
US4664239A (en) * 1985-08-08 1987-05-12 Applied Power Inc. System for disabling, enabling and otherwise controlling vehicle functions based upon continuous measurement of clutch wear and clutch position
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
JPH0686505B2 (ja) * 1986-03-10 1994-11-02 キヤノン株式会社 活性エネルギ−線硬化型樹脂組成物
US5030308A (en) * 1986-07-14 1991-07-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
US4793883A (en) * 1986-07-14 1988-12-27 National Starch And Chemical Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
JPS6327580A (ja) * 1986-07-18 1988-02-05 Hitachi Ltd 粘着テ−プ
JP2604173B2 (ja) * 1987-02-25 1997-04-30 東京応化工業株式会社 耐熱性感光性樹脂組成物
JPS6428572A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Hitachi Ltd Burn-in board
EP0307919B1 (de) * 1987-09-16 1993-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Strahlenhärtbare Harzzusammensetzung, enthaltend ein Epoxyharz und ein Monomer mit einer ungesättigten Bindung
FR2626377B1 (fr) * 1988-01-26 1990-06-01 Crouzet Sa Oscillateur nucleaire comprenant une sonde a resonance magnetique nucleaire
JPH0327580A (ja) * 1989-06-24 1991-02-05 Sony Corp 発光ダイオード駆動回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004059599B3 (de) * 2004-12-09 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf dünngeschliffene Halbleiterchips eines Halbleiterwafers

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0232181A (ja) 1990-02-01
EP0359373A2 (de) 1990-03-21
US5356949A (en) 1994-10-18
EP0359373A3 (de) 1992-01-02
KR950009551B1 (ko) 1995-08-24
MY105793A (en) 1995-01-30
KR900001812A (ko) 1990-02-27
EP0359373B1 (de) 1995-01-25
DE68920807D1 (de) 1995-03-09
US5110388A (en) 1992-05-05
US5118567A (en) 1992-06-02
JPH0715087B2 (ja) 1995-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68920807T2 (de) Klebeband und seine Verwendung.
DE60224543T2 (de) Klebeband
EP1384255B1 (de) Verfahren zum rückseitenschleifen von wafern
DE60119955T2 (de) Durch strahlung härtbare, thermisch ablösbare, druckempfindliche klebefolie sowie verfahren zur herstellung geschnittener teile unter verwendung dieser klebefolie
DE69815564T2 (de) Klebefolie zum Einsetzen von Wafern und Herstellungsverfahren von elektronischen Bauteilen
DE69417463T2 (de) Klebeträger für Wafer und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit diesem Träger
DE69915537T2 (de) Druckempfindliche Klebefolie und Verfahren zu deren Verwendung
DE69732872T2 (de) Schicht zum Abtrennen von Halbleiterscheiben bzw. zum Kontaktverbinden und Verfahren zum Herstellen eines Halbeiterbauelements
DE19805146B4 (de) Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung
DE60127602T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
DE3586329T2 (de) Duenne klebefolie fuer die bearbeitung von halbleiterplaettchen.
DE3784796T2 (de) Verfahren zum verbinden eines halbleiterchips mit einem substrat.
DE19940390A1 (de) Selbstklebende doppelt beschichtete Klebefolie und Verfahren zu ihrer Verwendung
DE69914418T2 (de) Dicing tape und Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe
US6139953A (en) Adhesive tape, base material for adhesive tape and their manufacturing methods
JP2011513995A (ja) 模様付き裏材を備えるダイシングテープ及びダイアタッチ接着剤
DE112008003020T5 (de) Klebefolie für das Schneiden von Chips
DE112020000935T5 (de) Klebefolie zum Rückseitenschleifen und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterwafern
JP5607843B2 (ja) 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ
JP3526802B2 (ja) 半導体ウエハー固定用の粘着剤ならびに加工方法
DE60315650T2 (de) Wärmehärtbare klebstoffzusammensetzung, gegenstand, halbleitervorrichtung und verfahren
DE69905985T2 (de) Verfahren zum Entschichten eines Resistmaterials
DE69603177T2 (de) Klebeband und mit aminen vernetzbarer heissschmelzklebstoff
DE69611775T2 (de) Klebstoffzusammensetzung und Klebeschicht
DE112020000934T5 (de) Klebefolie zum Rückseitenschleifen und Herstellungsverfahren für Halbleiterwafer

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: PFENNING MEINIG & PARTNER GBR, 80339 MUENCHEN

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: MAIWALD PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH, 80335 MUENC