JPH08236554A - 半導体装置，及び半導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディング方法 - Google Patents

半導体装置，及び半導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディング方法

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JPH08236554A
JPH08236554A JP7039950A JP3995095A JPH08236554A JP H08236554 A JPH08236554 A JP H08236554A JP 7039950 A JP7039950 A JP 7039950A JP 3995095 A JP3995095 A JP 3995095A JP H08236554 A JPH08236554 A JP H08236554A
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JP
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semiconductor device
thermoplastic
resin layer
manufacturing
conductive
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Kei Goto
慶 後藤
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Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高歩留りで，生産性よく，安価にダイボンデ
ィングを行なうことができる半導体装置，及び半導体装
置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディング方
法を提供する。 【構成】 ウエハ１ｂの裏面にスピンコート法を用いて
熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層７ａを形成したあと、
このウエハ１ｂをチップ単位に分離して、裏面に熱可塑
性導電性ポリイミド樹脂層７ａを備えた半導体装置１を
得る構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置，及び半
導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディ
ング方法に関し、特に、パッケージもしくはキャリア上
にダイボンディングされる半導体装置，及びその製造方
法，並びに半導体装置のダイボンディング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置のダイボンディ
ング方法を示す工程図である。図において、１００は図
示しないウエハからチップ単位で切り出された半導体装
置であり、半導体基板上に単一または複数の半導体素子
が形成されたものである。４は半導体装置１００を封止
するパッケージの一部となるダイパッドであり、このダ
イパッド４上に半導体装置１００が固着される。１０は
エポキシ系樹脂からなる導電性ペースト（以下、エポキ
シ系導電性ペーストと称す）であり、エポキシ系樹脂
と，溶剤と，Ａｇ等の導電性のフィラーが含まれてい
る。また、１００ａはダイパッド４上に半導体装置１０
０を固着してなるダイボンディング済半導体装置であ
る。
【０００３】次に製造方法について説明する。まず、図
４(a) に示すように、半導体装置１００とダイパッド４
を用意する。次に、スタンピングによる転写法，もしく
はディスペンスニードルによるポッティングによってダ
イパッド４上の半導体装置を取り付ける位置に、図４
(b) に示すように、エポキシ系導電性ペースト１０を塗
布した後、このペースト１０上に半導体装置１００を配
置し、これら全体をキュア炉に入れて１５０℃程度の温
度でキュアを行なってエポキシ系導電性ペースト１０を
硬化させることにより、ダイボンディングを行い、図４
(c) に示すダイボンディング済半導体装置１０００を得
る。
【０００４】従来の半導体装置のダイボンディング方法
は以上のように構成されており、エポキシ系導電性ペー
スト１０を、その塗布する形状を半導体装置の大きさに
合わせてコントロールしながら、各パッケージごとに塗
布する必要があるので、実装方法が複雑となるととも
に、ダイボンディング時に半導体装置１００をエポキシ
系導電性ペースト１０に軽く押しつける際に、半導体装
置１００の側面に沿ってその表面にまで上記エポキシ系
導電性ペースト１０がはい上がるため、該エポキシ系導
電性ペースト１０により不要な部分が導通されてしま
い、半導体装置の歩留りが低くなってしまうという問題
があった。
【０００５】また、上記エポキシ系導電性ペースト１０
はその中に溶剤を含んでおり、該ペースト１０上に上記
半導体装置１００を置いてキュアする際に、該ペースト
１０中の溶剤が揮発し、揮発した溶剤により上記半導体
装置１００が腐食されたり、該半導体装置１００表面の
ワイヤボンディングパッドに溶剤が薄く再堆積したり
し、後工程において良好なワイヤボンディングができな
くなるという問題があった。またエポキシ系導電性ペー
スト１０中に含まれる溶剤は室温でも揮発しやすく、該
ペースト１０の室温での保存が困難であるという問題が
あった。
【０００６】さらに、半導体装置１００をパッケージの
ダイパッド４に載置したあと、半導体装置１００に対し
てワイヤボンディング工程を行なう必要があり、このワ
イヤボンディング工程は、通常２００度程度の温度で行
なわれるが、上記エポキシ系導電性ペースト１０を構成
するエポキシ系樹脂の耐熱温度が２００度程度と低いた
め、該ペースト１０のエポキシ系樹脂が上記温度により
ワイヤボンディング工程において分解してしまい、上記
半導体装置１００の表面を汚染してしまうという問題が
あった。
【０００７】図５は上述した図４の従来例における問題
点を解決できる、例えば特開昭59−117240号公報や、特
開平1 −272124号公報に記載された従来の他の半導体装
置のダイボンディング方法を摸式的に示す図であり、図
において、図４と同一符号は同一または相当する部分を
示す。１１は熱可塑性導電性ペーストであり、熱可塑性
樹脂からなるとともに、その中に、溶剤と、フィラーと
しての導電性材料からなる粒子とを含んでいる。また、
１１ａは該導電性ペースト１１中の溶剤を揮発させ、該
ペースト１１を硬化させてなる熱可塑性導電性樹脂層で
ある。
【０００８】このダイボンディング方法においては、ま
ず、図５(a) に示すように、熱可塑性樹脂からなる導電
性ペースト１１をダイパッド４上の半導体装置が固着さ
れる部分に塗布し、これを加熱してその中の溶剤を除去
して熱可塑性導電性樹脂層１１ａを形成し、さらに、図
５(b) に示すように、この上に上記半導体装置１００を
載置して、加熱処理を行なうことにより、上記熱可塑性
導電性樹脂層１１ａを軟化させ、上記ダイパッド４と半
導体装置１００とを接合させる。
【０００９】このような従来の他の半導体装置のダイボ
ンディング方法では、半導体装置１００とダイパッド４
との接合に熱可塑性樹脂からなる熱可塑性導電性ペース
ト１１を用いており、該熱可塑性導電性ペースト１１内
の溶剤は、半導体装置をボンディングする前にすでに除
去されているため、該溶剤の揮発により発生するガスに
よって半導体装置１００が悪影響を受けることがない。
また、すでに硬化した熱可塑性導電性樹脂層１１ａ上に
半導体装置１００を配置するようにしているので、ペー
スト状の樹脂上に半導体装置１００を載置する場合と異
なり、樹脂が半導体装置１００の側面から上面にはい上
がることにより、製造歩留りを低下させてしまうという
ことがない。また、熱可塑性樹脂は硬化させた後は、変
質することがほとんどないため、一旦ダイパッド４上に
塗布し硬化させた後は、保存や取り扱いが極めて容易で
あり、さらに熱可塑性樹脂は耐熱温度が２００度以上の
ものが多いため、該熱可塑性樹脂の耐熱温度を高くする
ことにより、ワイヤボンディング等の後工程における高
温処理においても、分解や変質が起こらないようにする
ことができる。
【００１０】このように、図５に示す従来の他の半導体
装置のダイボンディング方法では、上述した図４に示す
従来のダイボンディング方法における問題点を解決する
ことができるものである。
【００１１】また、特開昭59−107528号公報や、特開昭
60−52028 号公報にはＡｇを含む熱可塑性樹脂からなる
ペレットやリボンをダイパッドと半導体チップとの間に
挟み込み、該熱可塑性樹脂を熱により軟化させてダイボ
ンディングを行なう方法が開示されており、このような
方法においても、上記図５に示す半導体装置のダイボン
ディング方法と同様、上記図４に示す従来のダイボンデ
ィング方法における問題点を解決することができるもの
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の他の半導体装置のダイボンディング方法等に
おいては、ダイパッド４上に熱可塑性導電性樹脂層ある
いは熱可塑性導電性樹脂からなるペレット等を配置する
ようにしているため、半導体装置を取り付ける際の位置
ずれ、即ち、熱可塑性導電性樹脂層やペレット等の位置
に対する半導体装置の取り付け位置にずれが発生する
と、所望の放熱性や、導電性、強度を提供するダイボン
ディングができなくなり、歩留りが低下してしまうとい
う問題があった。また、このような位置ずれによる歩留
りの低下を防ぐためには熱可塑性導電性樹脂層やペレッ
ト等の大きさを半導体装置の大きさよりも大きくして位
置ずれに対するマージンを持たせることも考えられる
が、この場合は、パッケージの大きさが必要以上に大き
くなってしまい、半導体パッケージの小型化を図ること
が困難となるという問題があった。
【００１３】また、上記従来の他の半導体装置のダイボ
ンディング方法においては、各パッケージごとに熱可塑
性導電性樹脂層を形成する，あるいは熱可塑性導電性樹
脂からなるペレット等を配置する工程が必要で、作業工
程が複雑となり、生産性が悪いという問題を生じるのと
同時に、ボンディング装置に、樹脂ペーストを塗布する
装置，あるいは樹脂ペレットを配置する装置等を設ける
必要があり、ボンディング装置が複雑，高価なものとな
るという問題があった。
【００１４】さらに、熱可塑性導電性樹脂からなるペー
ストを用いる場合には、ダイパッド上にペーストを塗布
した後に、ペースト中に含まれる溶剤が揮発するもので
あるため、該溶剤が揮発してなるガスにより、ダイパッ
ド表面，特にワイヤボンディング等に用いられる金属パ
ッド表面が汚染されてしまい、半導体装置の品質が劣化
し、製造歩留りが悪くなるという問題があった。
【００１５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高歩留りで，生産性よく，安価
にダイボンディングを行なうことができる半導体装置，
及び半導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボ
ンディング方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、半導体基板の一主面上に、導電性材料からなる粒
子を含む熱可塑性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を
備えたものである。
【００１７】また、上記半導体装置において、上記半導
体基板が、上記一主面と反対側の面に素子を有するもの
である。
【００１８】また、上記半導体装置において、上記導電
性材料を銀（Ａｇ）とし、上記熱可塑性樹脂を熱可塑性
ポリイミド樹脂としたものである。
【００１９】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体基板の一主面上に、導電性材料からなる粒
子を含む熱可塑性樹脂を塗布した後、該樹脂を硬化させ
て、薄膜状の熱可塑性導電性樹脂層を形成するようにし
たものである。
【００２０】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記導電性樹脂を塗布する工程は、上記半導体基板
を上記一主面と平行に回転させながら導電性材料からな
る粒子を含む熱可塑性樹脂を滴下して行なうようにした
ものである。
【００２１】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記熱可塑性導電性樹脂層を、上記半導体基板の一
主面と反対側の面を、該基板を保持しこれを回転させる
回転台に密着させて、該面が外気に触れないようにした
状態で形成するようにしたものである。
【００２２】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記半導体基板が、ウエハ状であり、上記熱可塑性
導電性樹脂層を形成した後、上記ウエハ状の基板をチッ
プ単位に分離するようにしたものである。
【００２３】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記導電性材料を銀（Ａｇ）とし、上記熱可塑性樹
脂を熱可塑性ポリイミド樹脂としたものである。
【００２４】また、この発明に係る半導体装置のダイボ
ンディング方法は、導電性材料からなる粒子を含む熱可
塑性導電性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を半導体
基板の一主面上に備えた半導体装置を作製し、該半導体
装置がダイボンドされる支持部材を、上記熱可塑性導電
性樹脂層のガラス転移点以上の温度で保持した状態で該
支持部材上に上記半導体装置の熱可塑性導電性樹脂層を
有する面を押圧して、上記半導体装置を接着するように
したものである。
【００２５】
【作用】この発明に係る半導体装置においては、半導体
基板の一主面上に、導電性材料からなる粒子を含む熱可
塑性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を備えたから、
該半導体装置をダイボンディングする際の、ダイボンデ
ィング用の樹脂層に対する半導体装置のの位置ずれをな
くすことができるとともに、該ダイボンディングのため
に、パッケージに樹脂を配置する装置、及び製造工程を
無くすることができる。
【００２６】また、上記半導体装置において、上記半導
体基板が、上記一主面と反対側の面に素子を有するよう
にしたから、ダイボンディング用の樹脂層に対する半導
体装置の位置ずれをなくすことができるとともに、該ダ
イボンディングの際に、パッケージに樹脂を配置する装
置、及び製造工程を無くすることができる。
【００２７】また、上記半導体装置において、上記導電
性材料を銀（Ａｇ）とし、上記熱可塑性樹脂を熱可塑性
ポリイミド樹脂としたから、耐熱性に優れた接着を行な
うことができる。
【００２８】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法においては、半導体基板の一主面上に、導電性材料か
らなる粒子を含む熱可塑性樹脂を塗布した後、該樹脂を
硬化させて、薄膜状の熱可塑性導電性樹脂層を形成する
ようにしたから、該半導体装置をダイボンディングする
際の、ダイボンディング用の樹脂層に対する半導体装置
の位置ずれをなくすことができるとともに、該ダイボン
ディングのために、パッケージに樹脂を配置する装置、
及び製造工程を無くすることができる。
【００２９】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記導電性樹脂ペーストを塗布する工程は、上記半
導体基板を上記一主面と平行に回転させながら導電性材
料からなる粒子を含む熱可塑性樹脂を滴下して行なうよ
うにしたから、均一で厚さの薄い熱可塑性導電性樹脂膜
を形成することができ、半導体装置とダイパッドの熱伝
導性を向上させることができる。
【００３０】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記熱可塑性導電性樹脂層を、上記半導体基板の一
主面と反対側の面を、該基板を保持しこれを回転させる
回転台に密着させて、該面が外気に触れないようにした
状態で形成するようにしたから、半導体装置表面が硬化
する前に熱可塑性導電性樹脂に含まれる溶剤が揮発して
発生するガスによる半導体装置表面の汚染を防ぐことが
できる。
【００３１】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記半導体基板が、ウエハ状であり、上記熱可塑性
導電性樹脂層を形成した後、上記ウエハ状の基板をチッ
プ単位に分離するようにしたから、裏面に熱可塑性導電
性樹脂層を備えた半導体装置を一度に複数得ることがで
きる。
【００３２】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記導電性材料を銀（Ａｇ）とし、上記熱可塑性樹
脂を熱可塑性ポリイミド樹脂としたから、耐熱性に優れ
た接着を行なうことができる半導体装置を得ることがで
きる。
【００３３】また、この発明に係る半導体装置のダイボ
ンディング方法においては、導電性材料からなる粒子を
含む熱可塑性導電性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層
を半導体基板の一主面上に備えた半導体装置を作製し、
この半導体装置がダイボンドされる支持部材を、上記熱
可塑性導電性樹脂層のガラス転移点以上の温度に保持し
た状態で該支持部材上に上記半導体装置の熱可塑性導電
性樹脂層を有する面を押圧して上記半導体装置を接着す
るようにしたから、パッケージの半導体装置の載置部に
樹脂層を設ける工程を無くすることができ、ダイボンデ
ィング工程を簡略化することができる。
【００３４】
【実施例】図１は本発明の一実施例による半導体装置の
構造を示す断面図であり、図において、１ａは図示しな
いウエハから切り出された半導体チップであり、半導体
基板上に単一または複数の半導体素子が形成されたもの
である。７ａは半導体チップ１ａの裏面に設けられた、
導電性材料からなる粒子入りの熱可塑性ポリイミド樹脂
層（以下、熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層と称す）で
あり、本実施例では特に導電性材料からなる粒子とし
て、その形状が厚さ０．５〜３μｍで、面積が数十平方
μｍの鱗片状、あるいは直径数μｍの球状の銀（Ａｇ）
粒子を用いており、その量は必要に応じて調整される。
なお、本実施例の熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層７ａ
の比抵抗は１０-4〜１０-6Ωｃｍで、熱伝導度は１０-3
〜１０-1cal/cm・sec ℃となっている。
【００３５】また、図２は本発明の一実施例による半導
体装置を用いたダイボンディング方法を説明するための
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示す。７ａは半導体装置１を吸着させて移
動させるためのコレットであり、半導体装置１を吸着さ
せるための真空吸着手段を備えている。３は加熱手段を
内部に備えたヒートステージ、４は半導体装置１００を
封止するパッケージの一部となるダイパッドであり、こ
のダイパッド４上に半導体装置１が固着される。
【００３６】また、図３は本発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を示す工程図であり、図において、図
１と同一符号は同一または相当する部分を示しており、
１ｂはその表面に複数の素子が形成されたウエハ状の半
導体基板（以下ウエハと称す）、５はガラス板、１５は
該ガラス板に上記半導体装置を固定するためのワック
ス、６は通常のフォトレジスト塗布工程において用いら
れるものと同様のスピンコータ（図示せず）の載置台
で、水平方向において回転可能であり、その表面にウエ
ハを真空吸着させるための真空吸着手段（図示せず）を
備えている。７は上記熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層
７ａと同じ材料の樹脂に、導電性材料と溶剤とを加えて
なる熱可塑性導電性樹脂ペーストである。
【００３７】次に製造方法について図３を用いて説明す
る。まず図３(a) に示すように、ウエハ１ｂの表面、例
えば、素子等が形成された面とガラス板５とをワックス
１５を用いて貼り合わせ、これを載置台６に載置し、真
空吸着して固定する（図３(b))。次に、レジスト塗布工
程に一般的に用いられるスピンコート法を用いてウエハ
１上にポリイミド樹脂層を形成する。即ち、図３(c) に
示すように、載置台６を回転させて、該載置台６ととも
にウエハ１ａを回転させながら、熱可塑性導電性ポリイ
ミド樹脂ペースト７を滴下して、遠心力を利用して均一
に薄層化した後、加熱乾燥させてウエハ１ｂ裏面にポリ
イミド樹脂層７ａを得る（図３(d))。その後、ワックス
１５を溶かして熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層７ａを
その裏面上に有するウエハ１ｂをガラス板１５から取り
外す（図３(e) ）。この後、ウェハ１ｂの熱可塑性導電
性ポリイミド樹脂層７ａが設けられている面を、紫外線
が照射されることにより接着力が低下するＵＶテープ
（図示せず）に貼付した後、ダイシングによってウエハ
１ｂをチップ単位に分離し、その後、上記ＵＶテープに
紫外光を照射してその接着力を低下させ、上記分離され
たチップごとに半導体装置を上記ＵＶテープから取りは
ずして、熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層７ａをその表
面に備えてなる半導体装置１を得る。
【００３８】次に本実施例による半導体装置のダイボン
ディング方法について説明する。図２に示すように、本
実施例の半導体装置１の，その熱可塑性導電性ポリイミ
ド樹脂層７ａが設けれた面と反対側の面を、コレット２
等により吸着して保持し、これをダイパッド４（これは
あらかじめヒートステージ３等によりその温度が上記熱
可塑性導電性ポリイミド樹脂層のガラス転移点よりも少
し高めの温度、たとえばそのガラス転位点が２００℃の
ものに対して、２１０℃程度となるように温められてい
る）上の、半導体装置を取り付ける位置に押圧し、上記
半導体装置の熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層７ａを該
ダイパッド４の熱により柔らかくして、半導体装置１を
ダイパッド４上にダイボンディングする。なお、ここで
はヒートステージ３内部に備えられた加熱手段によりダ
イパッド４を加熱するようにしているが、このダイパッ
ド４を加熱する方法としては高周波加熱等、その他の方
法を用いるようにしてもよい。
【００３９】本実施例の半導体装置では、半導体装置の
基板のダイボンディングされる面に熱可塑性導電性ポリ
イミド樹脂層７ａを備えているため、上述した従来の他
の技術のように、ダイパッド４上に半導体装置を取り付
ける際に、熱可塑性導電性樹脂に対する半導体装置の位
置ずれが発生することがなく、所望の放熱性や、導電
性、強度を備えたダイボンディングを行なうことがで
き、歩留りを向上させることができる。また、熱可塑性
導電性ポリイミド樹脂層の大きさと半導体装置の大きさ
とが等しく、位置ずれが発生しないため、パッケージの
大きさを半導体装置のサイズに合わせた必要最小限の大
きさとすることができる。
【００４０】また、従来のように、ダイボンディング装
置に樹脂ペーストを塗布，あるいは樹脂ペレットを配置
するための装置を備えることが不要となり、製造装置を
簡略化でき、製造コストを安くすることができる効果が
あり、さらには、半導体装置を載置する各パッケージに
対して樹脂ペーストを塗布，あるいは樹脂ペレットを配
置する工程が不要となるため、製造工程を簡略化するこ
とができ、生産性を向上させることができる。
【００４１】さらには、スピンコート法により熱可塑性
導電性ポリイミド樹脂層７ａを均一な厚さで、かつ厚さ
が薄くなるように制御して形成することができるため、
ダイボンディング後の半導体素子チップ１ａとダイパッ
ド３との熱伝導性を向上させることができる。
【００４２】また、ウエハ１ｂの裏面側に熱可塑性導電
性ポリイミド樹脂層７ａを形成したあとに各素子単位に
該ウエハ１ｂを切り出して複数の半導体装置１を得るよ
うにしたので、裏面に熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層
７ａを備えた半導体装置１を一度に複数形成することが
でき、半導体装置１の生産性を向上させることができ
る。
【００４３】また、ダイボンディングに用いられる樹脂
として、熱可塑性樹脂を用いているため、従来の他の技
術と同様に、半導体装置１をボンディングする前には、
すでに熱可塑性導電性ポリイミド樹脂ペースト７から溶
剤が揮発しており、このため溶剤の揮発により発生する
ガスにより半導体装置１が悪影響を受けることがない。
さらに、ペースト状の樹脂上に半導体装置１を取り付け
る場合と異なり、樹脂が半導体装置１の側面から上面に
はい上がって製造歩留りを低下させることがなく、ま
た、熱可塑性樹脂は硬化した後はほとんど変質すること
がないため、半導体装置１の裏面に塗布した後では保存
や取り扱いが容易であり、さらに熱可塑性ポリイミド樹
脂は熱分解開始温度が４００度以上であるため、ワイヤ
ボンディング等の後工程における高温処理においても分
解や変質が起こらないようにすることができ、上述した
ような従来のダイボンディング方法の問題点を解決する
ことができる。
【００４４】なお、この熱可塑性導電性樹脂層７ａをス
ピンコート法を用いて形成する際にはウエハ１ｂの素子
等が形成されている表面がガラス板５と張り合わせられ
ているため、溶剤が揮発する際に、ウエハ１ｂ表面が溶
剤の揮発により発生したガスにより汚染されることはな
い。
【００４５】このように本発明の第１の実施例によれ
ば、ウエハの裏面にスピンコート法を用いて熱可塑性導
電性ポリイミド樹脂層７ａを形成したあと、これを各素
子ごとに分離して、裏面に熱可塑性導電性ポリイミド樹
脂層７ａを備えた半導体装置１を得るようにしたから、
ダイボンディング工程において半導体装置と樹脂層との
位置ずれをなくして、歩留りよくダイボンディングを行
なうことができる効果があるとともに、ダイボンディン
グ工程において、樹脂ペーストを塗布するための製造装
置、及び製造工程を無くして、製造装置，及び製造工程
を簡略化して、安価に生産性よくダイボンディングを行
なうことができる効果がある。
【００４６】なお、上記実施例においては、熱可塑性樹
脂としては熱可塑性ポリイミド樹脂を用いるようにした
が、本発明はその他の熱可塑性樹脂を用いた場合におい
ても適用できるものであり、このような場合においても
上記実施例と同様の効果を奏する。この際、後工程にお
いてワイヤボンディング等の高温処理が行なわれる場合
においては、該高熱処理により軟化しないようなガラス
転移点を有する熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。
【００４７】また、上記実施例においては、その表面に
複数の素子が形成されたウエハ状の半導体基板にスピン
コート法を用いて熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層を形
成した後、各素子ごとにウエハを切り出したものを半導
体装置として用いるようにしたが、本発明においては、
半導体基板として、その表面に異なった多数の素子等を
形成されたウエハを用い、熱可塑性導電性ポリイミド樹
脂層７ａを形成した後、該ウエハをチップごとに切り出
さずにダイボンディングに用いるようにしてもよく、ま
た、ウエハとしてその表面に素子形成されていないもの
を用い、熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層を形成した
後、その反対側の面に素子を形成し、チップごとに切り
出すか、またはそのままダイボンディングに用いるよう
にしてもよく、このような場合においても上記実施例と
同様の効果を奏する。
【００４８】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
によれば、半導体基板の一主面上に、導電性材料からな
る粒子を含む熱可塑性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂
層を備えたから、該半導体装置をダイボンディングする
際の、ダイボンディング樹脂層に対する半導体装置の位
置ずれをなくして製造歩留りを向上させることができる
とともに、パッケージに樹脂を配置する装置、及び製造
工程を無くして、安価に、生産性良くダイボンディング
を行なえる効果がある。
【００４９】また、上記半導体装置において、上記半導
体基板が、上記一主面と反対側の面に素子を有するよう
にしたから、歩留りよくダイボンディングを行なえると
ともに、生産性よく、安価にダイボンディングを行なえ
る効果がある。
【００５０】また、上記半導体装置において、上記導電
性材料をＡｇとし、上記熱可塑性樹脂を熱可塑性ポリイ
ミド樹脂としたから、耐熱性に優れたダイボンディング
を行なうことができる効果がある。
【００５１】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、半導体基板の一主面上に、導電性材料から
なる粒子を含む熱可塑性樹脂を塗布した後、該樹脂を硬
化させて、薄膜状の熱可塑性導電性樹脂層を形成するよ
うにしたから、該半導体装置をダイボンディングする際
の、ダイボンディング樹脂層に対する半導体装置の位置
ずれをなくして歩留りを向上させることができるととも
に、該ボンディングのために、パッケージに樹脂を配置
する装置、及び製造工程を無くすることができ、安価
に、生産性よくダイボンディングができる効果がある。
【００５２】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記導電性樹脂ペーストを塗布する工程は、上記半
導体基板を上記一主面と平行に回転させながら導電性材
料からなる粒子を含む熱可塑性樹脂を滴下して行なうよ
うにしたから、均一で厚さの薄い熱可塑性導電性樹脂膜
を形成することができ、半導体装置とダイパッドの熱伝
導性を向上させることができる効果がある。
【００５３】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記熱可塑性導電性樹脂層を、該基板を保持しこれ
を回転させる回転台に密着させて、該面が外気に触れな
いようにした状態で形成するようにしたから、半導体装
置表面が硬化する前に熱可塑性導電性樹脂に含まれる溶
剤が揮発して発生するガスによる半導体装置表面の汚染
を防ぐことができる効果がある。
【００５４】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記半導体基板が、ウエハ状であり、上記熱可塑性
導電性樹脂層を形成した後、上記ウエハ状の基板をチッ
プ単位に分離するようにしたから、裏面に熱可塑性導電
性樹脂層を備えた半導体装置を一度に複数得ることがで
き、半導体装置の生産性を向上させることができる効果
がある。
【００５５】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記導電性材料を銀（Ａｇ）とし、上記熱可塑性樹
脂を熱可塑性ポリイミド樹脂としたから、耐熱性に優れ
たダイボンディングを行なうことができる効果がある。
【００５６】また、この発明に係るダイボンディング方
法によれば、導電性材料からなる粒子を含む熱可塑性導
電性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を半導体基板の
一主面上に備えた半導体装置を作製し、この半導体装置
がダイボンドされる支持部材を上記熱可塑性導電性樹脂
層のガラス転移点以上の温度に保持した状態で、該支持
部材上に上記半導体装置の熱可塑性導電性樹脂層を有す
る面を押圧して上記半導体装置を接着するようにしたか
ら、パッケージの半導体装置の載置部に樹脂層を設ける
工程を無くすることができ、ダイボンディング工程を簡
略化して生産性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例による半導体装置の構造を
示す断面図である。
【図２】 本発明の一実施例による半導体装置を用いた
ダイボンディング方法を説明するための主要工程図であ
る。
【図３】 本発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の主要工程を示す図である。
【図４】 従来の半導体装置のダイボンディング方法を
示す製造工程図である。
【図５】 従来の他の半導体装置のダイボンディング方
法を示す製造工程図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置、１ａ 半導体チップ、１ｂ ウエハ、
２ コレット、３ ヒートステージ、４ ダイパッド、
５ ガラス板、６ 載置台、７ 熱可塑性導電性ポリイ
ミド樹脂、７ａ 熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層、１
０ エポキシ系導電性樹脂、１１ 熱可塑性導電性樹
脂、１１ａ 熱可塑性導電性樹脂層、１５ワックス、１
００ 半導体装置、１０００ ダイボンディング済半導
体装置。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の一主面上に、導電性材料か
    らなる粒子を含む熱可塑性樹脂からなる熱可塑性導電性
    樹脂層を備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 上記半導体基板は、上記一主面と反対側の面に素子を有
    することを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置において、 上記導電性材料は銀（Ａｇ）であり、 上記熱可塑性樹脂は熱可塑性ポリイミド樹脂であること
    を特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 半導体基板の一主面上に、導電性材料か
    らなる粒子を含む熱可塑性樹脂を塗布した後、該樹脂を
    硬化させて、薄膜状の熱可塑性導電性樹脂層を形成する
    工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記導電性樹脂を塗布する工程は、上記半導体基板を上
    記一主面と平行に回転させながら導電性材料からなる粒
    子を含む熱可塑性樹脂を滴下して行なわれることを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記熱可塑性導電性樹脂層を形成する工程は、上記半導
    体基板の一主面と反対側の面を、該基板を保持しこれを
    回転させる回転台に密着させて、該面が外気に触れない
    ように行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記半導体基板は、ウエハ状であり、上記熱可塑性導電
    性樹脂層を形成する工程の後、上記ウエハ状の基板をチ
    ップ単位に分離する工程を含むことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記導電性材料は銀（Ａｇ）であり、 上記熱可塑性樹脂は熱可塑性ポリイミド樹脂であること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 導電性材料からなる粒子を含む熱可塑性
    導電性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を半導体基板
    の一主面上に備えた半導体装置を作製する工程と、 上記半導体装置がダイボンドされる支持部材を、上記熱
    可塑性導電性樹脂層のガラス転移点以上の温度で保持す
    る工程と、 上記支持部材上に上記半導体装置の熱可塑性導電性樹脂
    層を有する面を押圧して、上記半導体装置を接着する工
    程とを備えたことを特徴とする半導体装置のダイボンデ
    ィング方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6368890B1 (en) 1999-05-05 2002-04-09 Mitel Semiconductor Ab Top contact VCSEL with monitor
US7514294B2 (en) 2005-08-10 2009-04-07 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and a manufacturing method of the same
JP2011009756A (ja) * 2010-07-12 2011-01-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 磁電変換素子の製造方法
JP2011255296A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Disco Corp 液状樹脂の塗布装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110920033B (zh) * 2019-12-25 2021-11-05 杭州迅达包装有限公司 一种吸塑产品的吸塑成型工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5984532A (ja) * 1982-11-08 1984-05-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体ウエ−ハ
JPS59107528A (ja) 1982-12-13 1984-06-21 Hitachi Ltd 半導体装置のダイボンデイング材料
JPH0691115B2 (ja) 1982-12-24 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS59200438A (ja) * 1983-04-28 1984-11-13 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
IE55524B1 (en) * 1983-06-13 1990-10-10 Minnesota Mining & Mfg Electrically and thermally conductive adhesive transfer tape
JPS6052028A (ja) 1983-09-01 1985-03-23 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造法
JPS6150344A (ja) * 1984-08-18 1986-03-12 Hitachi Chem Co Ltd 集積回路の接続方法
JPS62285429A (ja) * 1986-06-04 1987-12-11 Toshiba Chem Corp 半導体装置の製造方法
JPH01272125A (ja) * 1988-04-22 1989-10-31 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JPH01272124A (ja) 1988-04-25 1989-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6368890B1 (en) 1999-05-05 2002-04-09 Mitel Semiconductor Ab Top contact VCSEL with monitor
US7514294B2 (en) 2005-08-10 2009-04-07 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and a manufacturing method of the same
JP2011255296A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Disco Corp 液状樹脂の塗布装置
JP2011009756A (ja) * 2010-07-12 2011-01-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 磁電変換素子の製造方法

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