DE69007764T2 - Packungsmaterial für umgekehrte Phasechromatographie und Verfahren zu dessen Herstellung. - Google Patents

Packungsmaterial für umgekehrte Phasechromatographie und Verfahren zu dessen Herstellung.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Packungsmaterial für Umkehrphasen-Chromatographie sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Mehr im besonderen bezieht sie sich auf ein Packungsmaterial für Umkehrphasen-Chromatographie, das dadurch charakterisiert ist, daß die gesamte Oberfläche des Siliciumdioxidgel-Packungsmaterials mit einem Polycarbosilan überzogen ist, sowie auf ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • Packungsmaterialien für die Chromatographie werden in zwei Arten eingeteilt, d.h. organische Träger, die durch ein Styrolpolmer repräsentiert sind und anorganische Träger, die zum Beispiel durch Siliciumdioxidgel oder Aluminiumoxid repräsentiert sind. Träger jeder Klasse werden als Packungsmaterialien zur Adsorption und Trennung in weitem Rahmen eingesetzt. Die ersteren organischen Träger haben eine Grundstruktur, die gegenüber Säuren oder Alkali chemisch stabil ist. Der pH-Bereich der einzusetzenden Elutionslösung ist daher breit, verglichen mit Siliciumdioxid-Trägern. Insbesondere haben sie den Vorteil, daß die Packungsmaterialien mit einer alkalischen Lösung gewaschen werden können. Dies ist einer der Gründe, weshalb sie häufig für Analysen von Polymersubstanzen benutzt werden. Ihre mechanische Festigkeit ist jedoch gering, verglichen mit dem Siliciumdioxid-Substrat, und es ist daher schwierig, die Teilchen zu feinen Teilchen zu pulverisieren. Es ist daher kaum möglich, ein Packungsmaterial für eine Säule mit einer hohen theoretischen Bodenzahl zu erhalten. Insbesondere ist keine angemessene Leistungsfähigkeit bei der Trennung von Substanzen mit geringem Molekulargewicht erhältlich, bei der eine hohe Trennfähigkeit erforderlich ist. Weiter haben sie Quell- und Schrumpf-Eigenschaften in Abhängigkeit vom organischen Lösungsmittel. Es ist daher erforderlich, bei ihrer Handhabung sorgfältig zu sein, insbesondere, wenn das Lösungsmittel geändert wird.
  • Als anorganische Träger werden am häufigsten Packungsmaterialien eingesetzt, die Siliciumdioxidgel als das Grundmaterial benutzen. Träger vom Typ mit chemischen Bindungen, die funktionelle Gruppen aufweisen, die mittels verschiedener Silan-Kupplungsmittel an der Oberfläche eingeführt werden, werden häufig benutzt. Von diesen werden Träger mit Octadecyl-, Octyl- oder Phenylgruppen häufig in Packungsmaterialien für die Umkehrphasen-Chromatographie benutzt. Im allgemeinen haben Packungsmaterialien, die Siliciumdioxidgel als das Grundmaterial verwenden, eine hohe mechanische Festigkeit. Die Teilchen können daher fein sein, und es ist daher möglich, eine hohe Trennfähigkeit zu erhalten. Weiter gibt es kein Quellen oder Schrumpfen aufgrund des benutzten organischen Lösungsmittels, und es ist einfach, das Lösungsmittel zu ändern. Sie haben daher den Vorteil, daß sie auch in einem Falle leicht eingesetzt werden können, bei dem die analytischen Bedingungen zu untersuchen sind.
  • Solche Siliciumdioxid-Träger mit einer chemischen Bindung können erhalten werden durch Modifikation der Oberfläche von Siliciumdioxidgel. Als ein übliches Verfahren ist es zum Beispiel bekannt, geeignete funktionelle Gruppen durch die Umsetzung der Silanolgruppen der Siliciumdioxidgel-Oberfläche mit einem Silan-Kupplungsmittel einzuführen.
  • Das Siliciumdioxidgel-Grundmaterial wird jedoch unter alkalischen oder stark sauren Bedingungen gelöst. Bei den Packungsmaterialien mit chemischer Bindung, die erhalten werden durch die Umsetzung der Silanolgruppen des Siliciumdioxidgels mit einem Silan-Kupplungsmittel oder einem Siliconharz ist die Bindung im wesentlichen eine Siloxanbindung (Si-O-Si). Ihr Gebrauch unter alkalischen oder stark sauren Bedingungen ist daher begrenzt. Dies stellt einen ernsten Nachteil für Packungsmaterialien dar, die Siliciumdioxidgel als Grundmaterial benutzen.
  • Für die Analysen, die Packungsmaterialien zur Chromatographie benutzen, ist ein Packungsmaterial erwünscht, das chemisch stabiler ist und eine ausgezeichnete Trennfähigkeit aufweist.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Packungsmaterial für umkehrphasen-Chromatographie zu schaffen, das chemisch stabil ist und eine hohe Trennfähigkeit aufweist.
  • Die vorliegenden Erfinder haben festgestellt, daß es durch Über ziehen der gesamten Oberfläche der feinen Teilchen des Siliciumdioxidgel-Trägers mit einem Polycarbosilan mit Säurebeständigkeit und Alkalibeständigkeit möglich ist, ein Packungsmaterial für Umkehrphasen- Chromatographie zu erhalten, das eine hohe Trennfähigkeit aufweist und mit Säure- und Alkalibeständigkeit chemisch stabil ist. Die vorliegende Erfindung wurde auf der Grundlage dieser Feststellung gemacht.
  • Die vorliegende Erfindung schafft somit ein Packungsmaterial für Umkehrphasen-Chromatographie, umfassend Siliciumdioxidgel, dessen gesamte Oberfläche im wesentlichen mit wiederkehrenden Einheiten eines Polycarbosilans der Formel (I) überzogen ist:
  • worin R&sub1; eine Octyl-; Octadecyl- oder eine Phenylgruppe ist, R&sub2; eine Methylgruppe oder ein Wasserstoffatom ist und n eine ganze Zahl ist. Vorzugsweise ist R&sub2; des Polycarbosilans der Formel (I) eine Methylgruppe.
  • Weiter schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Packungsmaterials für Umkehrphasen-Chromatographie, umfassend das Behandeln eines mit einem Polysilan überzogenen Siliciumdioxidgels bei einer Temperatur von 200 bis 500ºC in einer inerten Atmosphäre.
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die bevorzugten Ausführungsformen beschrieben.
  • Das in der vorliegenden Erfindung einzusetzende Polycarbosilan kann hergestellt werden unter Verwendung eines linearen Polysilans der Formel (II):
  • worin R&sub3; eine Octyl-, Octadecyl- oder eine Phenylgruppe ist und m eine positive ganze Zahl ist, oder eines cyclischen Polysilans der Formel (III):
  • worin R&sub3; die oben genannte Bedeutung hat und l eine positive ganze Zahl ist.
  • Die in der vorliegenden Erfindung einzusetzenden Polysilane können erhalten werden durch in Berührung bringen der entsprechenden Dichlorsilan-Verbindungen mit Natriummetall oder Lithiummetall, wie zum Beispiel im "Journal of American Chemical Society" 71, 963 (1949) oder im "Journal of Polymer Science: Polymer Letters Edition", Band 21, Seite 819 (1983) offenbart. Durch Auswahl einer Octyl-, Octadecyl oder einer Phenylgruppe für die Seitenkette der einzusetzenden Dichlorsilan-Verbindung ist es möglich, die funktionellen Gruppen auf der Oberfläche des schließlich erhaltenen Siliciumdioxidgels wahlweise zu bestimmen. Dieses Polysilan wird ein Molekulargewicht von mehreren Hundert bis zu mehreren Hunderttausend haben, obwohl das Molekulargewicht in Abhängigkeit von dem als Ausgangsmaterial eingesetzten Dichlorsilan oder der Temperatur oder Zeit für die Herstellung variieren wird.
  • Das Molekulargewicht des in der vorliegenden Erfindung einzusetzenden Polysilans liegt üblicherweise im Bereich von mehreren Hundert bis zu mehreren Zehntausend, vorzugsweise von mehreren Hundert bis zu mehreren Tausend. Ist das Molekulargewicht zu gering, dann ist der Überzug auf der Oberfläche des Siliciumdioxidgels unangemessen. Ist es andererseits zu groß, dann werden Poren des Siliciumdioxids verstopft, und es wird schwierig, ein angemessenes Porenvolumen aufrechtzuerhalten.
  • Es ist bekannt, daß dieses Polysilan durch Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 200 bis 1.000ºC unter atmosphärischem Druck oder erhöhtem Druck in einer inerten Gasatmosphäre, wie Stickstoff, Helium oder Argon oder durch Behandlung mit UV-Strahlen in ein Polycarbosilan der folgenden Formel (IV) umgewandelt werden kann:
  • worin R³ die oben genannte Bedeutung hat, R&sup4; eine Methylgruppe oder Wasserstoff ist und k eine positive ganze Zahl ist.
  • Das Polycarbosilan enthält in seinem Molekül keine Siloxanbindung und hat daher eine ausgezeichnete Säure- und Alkalibeständigkeit, verglichen mit den eine chemische Bindung aufweisenden Siliciumdioxidgel-Trägern.
  • Die Umwandlung des Polysilans in das Polycarbosilan kann durch das Auftreten eines Si-CH&sub2;-Si-Peaks mit einer Absorption bei 1355 cm&supmin;¹ mittels eines IR-Absorptionsphotometers sichergestellt werden. Sie kann weiter durch das NMR-Spektrum aufgrund des Verschwindens eines Peaks sichergestellt werden, der einem Siliciumatom von Si-*Si-Si mit einer Absorption um -35 bis -39 ppm zuzuschreiben ist und aufgrund des Erscheinens eines quartären Siliciums (SiC&sub4;) und eines tertiären Siliciums (SiC&sub3;), die eine Absorption um -0,75 ppm bzw. -17,5 ppm aufweisen.
  • Das so durch die Umlagerungsreaktion des Polysilans auf dem Siliciumdioxidgel erhaltene Polycarbosilan bildet eine Polymersubstanz mit verschiedenen Seitenketten, wie linearen oder cyclischen Kohlenwasserstoffgruppen oder Phenylgruppen an der Hauptkette -Si-CH&sub2;-Si. Weiter bilden sich bei der Umlagerung auch Hydrosilangruppen (Si-H). Durch eine Additionsreaktion mit einem geeigneten Alken können daher weitere funktionelle Gruppen nach der Umlagerung eingeführt werden, wie durch die folgende Reaktionsgleichung gezeigt:
  • worin R&sub3; die oben genannte Bedeutung hat und R&sub5; eine Alkylgruppe ist.
  • Als der Träger für die vorliegende Erfindung ist Siliciumdioxidgel vom Standpunkt der Technik des Pulverisierens kugelförmigen Pulvers zu feinen Teilchen und der Kontrolle der Porengröße am meisten bevorzugt.
  • Im Falle eines Siliciumdioxidgel-Trägers liegt die Teilchengröße üblicherweise von 1 bis 100 um, vorzugsweise von 2 bis 30 um. Ist die Teilchengröße zu groß, dann kann eine hohe Trennfähigkeit nicht erhalten werden, und ist sie zu gering, dann ist der Rückdruck beim Packen zu hoch, und es wird in einigen Fällen schwierig, eine gepackte Säule mit einer angemessenen Trennfähigkeit zu erhalten.
  • Siliciumdioxidgel hat in seinen Teilchen feine Poren. Im Falle des in der vorliegenden Erfindung einzusetzenden Siliciumdioxidgels liegt die Porengröße üblicherweise bei 2 bis 1.000 nm (20-10.000 Å) und vorzugsweise von 3 bis 500 nm (30-5.000 Å). Ist die Porengröße zu gering, dann ist ein im wesentlichen vollständiges Überziehen mit einem Polysilan schwierig, und ist die Porengröße zu groß, dann verschlechtert sich die mechanische Festigkeit des Siliciumdioxidgels, wodurch es schwierig wird, feine Teilchen zu erhalten.
  • Um das Polysilan gleichmäßig auf das Siliciumdioxidgel aufzubringen, wird das Polysilan in einem geeigneten organischen Lösungsmittel gelöst und Siliciumdioxidgel mit durch Trimethylsilylchlorid eingeführten Trimethylsilylgruppen wird darin dispergiert, gefolgt von der Entfernung des organischen Lösungsmittel unter vermindertem Druck. Das mit dem Polysilan überzogene Siliciumdioxidgel wird unter vermindertem Druck entlüftet und dann einer Wärmebehandlung in einem inerten Gas für 4 bis 10 Stunden unterworfen. Das organische Lösungsmittel, das zum Auflösen des Polysilans brauchbar ist, schließt THF, Chloroform, Hexan, Benzol, Toluol und Xylol ein. Bevorzugt ist ein niedrigsiedendes organisches Lösungsmittel, das unter vermindertem Druck leicht abdestilliert werden kann. Als das inerte Gas können zum Beispiel Stickstoff, Helium oder Argon benutzt werden.
  • Das durch die Wärmebehandlung umgelagerte und polymerisierte Polycarbosilan ist unlöslich in einem organischen Lösungsmittel, wie Methanol oder Acetonitril, und kann daher angemessen als ein Träger für die Chromatographie eingesetzt werden. Weiter ist es bei der Umwandlung des Polysilans in das Polycarbosilan auf dem Siliciumdioxidgel möglich, das Lösen des Polycarbosilans durch vorheriges Einführen verschiedener funktioneller Gruppen in die Oberfläche des Siliciumdioxidgels zu verhindern, die die Bindung zwischen dem Polycarbosilan und dem Siliciumdioxidgel-Träger verstärken. So ist es zum Beispiel möglich, einen Träger mit kurzkettigen Alkylgruppen, wie Methyl- oder Ethylgruppen oder Alkenylgruppen, wie Vinyl- oder Allylgruppen zu verwenden, die durch das entsprechende Silan-Kupplungsmittel eingeführt worden sind.
  • worin R&sub3; und n die oben genannte Bedeutung haben.
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben. Es sollte jedoch klar sein, daß die vorliegende Erfindung durch solche spezifischen Beispiele in keiner Weise eingeschränkt ist.
    • Beispiel 1
  • Octadecylmethylsilyldichlorid wurde mit Natriummetall in Toluol gemäß einem üblichen Verfahren umgesetzt, um ein Polysilan (1) zu erhalten. Das Molekulargewicht des Polysilans wurde durch Gelpermeations-Chromatographie (GPC) gemessen, wobei das Zahlenmittel des Molekulargewichtes zu 1.810 bestimmt wurde.
  • 5 g Siliciumdioxidgel-Träger mit eingeführten Vinylgruppen (Teilchendurchmesser: 5 um, Porendurchmesser: 12 nm) wurden in 10 ml THF, in dem 2 g des Polysilans (1) gelöst waren, dispergiert. Dann wurde das THF mittels eines Verdampfers entfernt. Der Siliciumdioxidgel-Träger mit daran adsorbiertem Polysilan wurde 1 Stunde bei 100ºC unter vermindertem Druck getrocknet. Dann wurde Argongas in das System eingeführt und der Träger für 2 Stunden auf 250ºC erhitzt. Die Wärmebehandlung wurde 120 Stunden bei 250ºC ausgeführt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur wurde der Siliciumdioxidgel-Träger mit THF und Toluol und weiter mit Methanol gewaschen und dann 24 Stunden lang bei 100ºC getrocknet.
  • Es wurde das IR-Spektrum des so erhaltenen Siliciumdioxidgel-Trägers gemessen, wobei eine Absorption von Si-CH&sub2;-Si bei 1355 cm&supmin;¹ beobachtet wurde.
  • Weiter wurde das ²&sup9;Si-Feststoff NMR-Spektrum gemessen, wobei die Absorption von Si-*Si-Si bei -39,9 ppm verschwunden war.
  • Dieses Siliciumdioxidgel-Packungsmaterial wurde in eine Säule aus korrosionsbeständigem Stahl mit einem Innendurchmesser von 4,6 mm und einer Länge von 150 mm gepackt, und es wurde Naphthalin gemessen, indem man als eine Elutionslösung eine Mischung benutzte, die 70 Gewichtsteile Methanol und 30 Gewichtsteile Wasser umfaßte, wobei die Elutionsposition 8,43 Minuten betrug und die Zahl der theoretischen Böden 12.400 war. Die Elutionspositionen und die theoretischen Bodenzahlen für andere Verbindungen sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1 Elutionsposition (min) Zahl der theoretischen Böden Phenol Benzol Toluol Naphthalin
    • Beispiel 2
  • Ein Polysilan (2) mit Octylgruppen wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, ausgenommen, daß anstelle von Octadecylmethylsilyldichlorid, wie in Beispiel 1, Octamethylsilyldichlorid eingesetzt wurde. Das Molekulargewicht dieses Polysilans wurde mittels GPC gemessen und dabei ein Zahlenmittel des Molekulargewichtes von 970 ermittelt.
  • 5 g Siliciumdioxidgel mit in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 eingeführten Silylgruppen (Teilchendurchmesser: 5 um, Porendurchmesser 12 nm) wurden in 10 ml THF, in denen 1,5 g des Polysilans (2) gelöst waren, dispergiert. Dann wurde THF mittels eines Verdampfers entfernt. Der Siliciumdioxidgel-Träger mit daran adsorbiertem Polysilan (2) wurde 1 Stunde lang bei 100ºC unter vermindertem Druck getrocknet. Dann führte man Argongas in das System ein und erhitzte den Träger weiter 2 Stunden lang bei 250ºC. Die Wärmebehandlung wurde dann 120 Stunden lang bei 450ºC ausgeführt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur wurde der Siliciumdioxidgel-Träger mit THF und Toluol und weiter mit Methanol gewaschen und dann 24 Stunden lang bei 100ºC getrocknet.
  • Das IR-Spektrum des so erhaltenen Siliciumdioxidgel-Trägers wurde gemessen und dabei eine Absorption von Si-CH&sub2;-Si bei 1355 cm&supmin;¹ beobachtet. Weiter wurde das ²&sup9;Si-Feststoff NMR-Spektrum gemessen und dabei festgestellt, daß die Absorption von Si-*Si-Si bei -39,9 ppm verschwunden war.
  • Dieses Siliciumdioxidgel-Packungsmaterial wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 in eine Säule aus korrosionsbeständigem Stahl gepackt und Naphthalin gemessen, wobei die Elutionsposition 5,99 min betrug und die theoretische Bodenzahl 12.100 war. Die Elutionspositionen und die theoretischen Bodenzahlen für andere Verbindungen sind auch in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2 Elutionsposition (min) Zahl der theoretischen Böden Phenol Benzol Toluol Naphthalin
    • Beispiel 3
  • Ein Polysilan (3) mit Phenylgruppen wurde in der gleichen Weisse wie in Beispiel 1 hergestellt, ausgenommen, daß anstelle von Octadecylmethyldichlorsilan, wie in Beispiel 1, Phenylmethyldichlorsilan eingesetzt wurde. Das Molekulargewicht dieses Polysilans wurde mittels GPC gemessen und dabei ein Zahlenmittel des Molekulargewichtes von 830 ermittelt.
  • 5 g Siliciumdioxidgel mit in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 eingeführten Silylgruppen wurden in 10 ml THF, in denen 1 g des Polysilans (3) gelöst waren, dispergiert. Dann wurde THF entfernt. Der Siliciumdioxidgel-Träger mit daran adsorbiertem Polysilan (3) wurde 1 Stunde lang bei 100ºC getrocknet. Dann führte man Argongas ein und erhitzte das Siliciumdioxidgel weiter 2 Stunden lang bei 200ºC. Die Wärmebehandlung wurde dann 90 Stunden lang bei 450ºC ausgeführt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur wurde das erhaltene Siliciumdioxidgel mit THF und Toluol und weiter mit Methanol gewaschen und dann 24 Stunden lang bei 100ºC unter vermindertem Druck getrocknet.
  • Im Feststoff kernmagnetischen Absorptionsspektrum des dabei erhaltenen Siliciumdioxidgels wurde festgestellt, daß die Absorption bei -39,9 ppm wie in Beispiel 1 verschwunden war.
  • Dieses Siliciumdioxidgel-Packungsmaterial wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 in eine Säule aus korrosionsbeständigem Stahl gepackt und Naphthalin gemessen, wobei die Elutionsposition 4,87 Minuten betrug und die theoretische Bodenzahl 11.500 war. Die Elutionspositionen und die theoretischen Bodenzahlen für andere Verbindungen sind auch in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3 Elutionsposition (min) Zahl der theoretischen Böden Phenol Benzol Toluol Naphthalin
    • Vergleichsbeispiel 1
  • 5 g des gleichen Siliciumdioxidgels, wie es in Beispiel 1 benutzt wurde (Teilchendurchmesser 5 um, Porendurchmesser 12 nm) wurden in 100 ml Toluol dispergiert, und es wurden 2 mg Octadecylmethylchlorsilan hinzugegeben. Die Mischung wurde 3 Stunden lang bei 80ºC umgesetzt. Dann wusch man das Siliciumdioxidgel mit 200 ml Toluol und 200 ml Methanol und dispergierte dann in 100 ml Pyridin. Es wurde 1 ml Trimethylchlorsilan hinzugegeben und die Mischung 4 Stunden lang bei 60ºC umgesetzt. Das Produkt wurde dann mit 200 ml Toluol und 200 ml Methanol gewaschen und 12 Stunden lang bei 80ºC getrocknet, um einen Siliciumdioxidgel-Träger mit eingeführten Octadecyl-Gruppen zu erhalten.
  • Dieses Siliciumdioxidgel-Packungsmaterial wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 in eine Säule aus korrosionsbeständigem Stahl gepackt und Naphthalin gemessen, wobei die Elutionsposition 9,12 Minuten war und die Zahl der theoretischen Böden 11.300 betrug.
    • Vergleichsbeispiel 2
  • Ein Packungsmaterial mit in das Siliciumdioxidgel eingeführten Octylgruppen wurde in der gleichen Weise wie im Vergleichsbeispiel 1 hergestellt, ausgenommen, daß anstatt des Octadecylmethylchlorsilans des Vergleichsbeispiels 1,2 g Octyldimethylchlorsilan eingesetzt wurden.
  • Dieses Siliciumdioxidgel-Packungsmaterial wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 in eine Säule aus korrosionsbeständigem Stahl gepackt und Naphthalin gemessen, wobei die Elutionsposition 6,86 Minuten war und die Zahl der theoretischen Böden 11.500 betrug.
    • Vergleichsbeispiel 3
  • Ein Packungsmaterial mit in das Siliciumdioxidgel eingeführten Phenylgruppen wurde in der gleichen Weise wie im Vergleichsbeispiel 1 hergestellt, ausgenommen, daß anstelle des im Vergleichsbeispiel 1 eingesetzten Octadecyldimethylchlorsilans 1,5 g Phenyldimethylchlorsilan verwendet wurden.
  • Dieses Siliciumdioxidgel-Packungsmaterial wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 in eine Säule aus korrosionsbeständigem Stahl gepackt und Naphthalin gemessen, wobei die Elutionsposition 5,04 Minuten war und die Zahl der theoretischen Böden 11.200 betrug.
    • Testbeispiel hinsichtlich Alkalibeständigkeit
  • Unter Verwendung der Siliciumdioxidgel-Pakkungsmaterialien, die in den Beispielen und Vergleichsbeispielen erhalten wurden, und von im Handel erhältlichen Packungsmaterialien für Umkehrphasen-Chromatographie wurde eine Elutionslösung, umfassend 70 Gewichtsteile Methanol und 30 Gewicht steile einer 50 mM Borsäure-Pufferlösung (pH: 11,0) mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 1 ml/min hindurchgeleitet und Naphthalin wurde in vorbestimmten Intervallen injiziert, wodurch die Elutionspositionen und die theoretischen Bodenzahlen ermittelt wurden.
  • Die Verschlechterungszeit der Säule ist die Zeit, bei der die Elutionsposition um 10% rascher war, verglichen mit der anfänglichen Elutionsposition. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4 Verschlechterungszeit Packungsmaterial von Beispiel Packungsmaterial von Vergleichsbeispiel Handelsübliches Packungsmaterial der Firma A (C&sub1;&sub8;-Typ) Handelsübliches Packungsmaterial der Firma B (C&sub1;&sub8;-Typ) Handelsübliches Packungsmaterial der Firma C (C&sub8;-Typ) Handelsübliches Packungsmaterial der Firma D (Phenyl-Typ)
  • Aus dem Vorhergehenden wird deutlich, daß die Packungsmaterialien für Umkehrphasen-Chromatographie, die in Siliciumdioxidgel eingeführte Polycarbosilane aufweisen, eine Haltbarkeit haben, die gegenüber den Packungsmaterialien, die mit konventionellen Silan-Behandlungsmitteln hergestellt wurden, verbessert ist, und doch haben sie eine angemessene Säulenwirksamkeit.

Claims (5)

1. Packungsmaterial zur Umkehrphasen-Chromatographie, umfassend Siliciumdioxidgel, dessen Oberfläche mit wiederkehrenden Einheiten eines Polycarbosilans der Formel (I) überzogen ist:
worin R&sub1; eine Octylgruppe, eine Octadecylgruppe oder eine Phenylgruppe ist, R&sub2; eine Methylgruppe oder ein Wasserstoffatom ist und n eine ganze Zahl ist.
2. Verfahren zum Herstellen eines Packungsmaterials zur Umkehrphasen-Chromatographie, wie in Anspruch 1 definiert, umfassend das Behandeln eines mit Polysilan überzogenen Siliciumdioxidgels bei einer Temperatur von 200 bis 500ºC in einer inerten Atmosphäre.
3. Verfahren nach Anspruch 2, worin das Polysilan ein lineares Polysilan der Formel (II) ist:
worin R&sub3; eine Octylgruppe, eine Octadecylgruppe oder eine Phenylgruppe ist, und m eine ganze Zahl von mindestens 2 ist.
4. Verfahren nach Anspruch 2, worin das Polysiloxan ein cyclisches Polysiloxan der Formel (III) ist:
worin R&sub3; eine Octylgruppe, eine Octadecylgruppe oder eine Phenylgruppe ist, und l eine ganze Zahl von mindestens 2 ist.
5. Verfahren nach Anspruch 2, worin die inerte Atmosphäre Stickstoff, Helium oder Argon ist.
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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5653875A (en) * 1994-02-04 1997-08-05 Supelco, Inc. Nucleophilic bodies bonded to siloxane and use thereof for separations from sample matrices
CN1082934C (zh) * 1994-04-11 2002-04-17 宇部日东化成株式会社 交联树脂包覆二氧化硅微粒及其制造方法
DE19531173A1 (de) * 1995-08-24 1997-02-27 Boehringer Mannheim Gmbh Verfahren zum Stabilisieren des Gehalts glykierten Proteins einer Probe auf einem Matrixmaterial
US5667674A (en) * 1996-01-11 1997-09-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adsorption medium and method of preparing same
DE19648798C2 (de) * 1996-11-26 1998-11-19 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung von organisch modifizierten Aerogelen durch Oberflächenmodifikation des wäßrigen Gels (ohne vorherigen Lösungsmitteltausch) und anschließender Trocknung
US5993653C1 (en) * 1997-08-11 2001-11-06 Phenomenex Composition and column used in hplc
JP2002517585A (ja) * 1998-06-05 2002-06-18 カボット・コーポレーション ナノ多孔質相互浸透有機−無機網目構造
US6686035B2 (en) 1999-02-05 2004-02-03 Waters Investments Limited Porous inorganic/organic hybrid particles for chromatographic separations and process for their preparation
US6303047B1 (en) * 1999-03-22 2001-10-16 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant multiple carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures, and method of making same
US6524974B1 (en) 1999-03-22 2003-02-25 Lsi Logic Corporation Formation of improved low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material by reaction of carbon-containing silane with oxidizing agent in the presence of one or more reaction retardants
US6204192B1 (en) 1999-03-29 2001-03-20 Lsi Logic Corporation Plasma cleaning process for openings formed in at least one low dielectric constant insulation layer over copper metallization in integrated circuit structures
WO2000071246A1 (en) * 1999-05-25 2000-11-30 Dcv, Inc. Silica-based, endcapped chromatographic packing having improved stability under high ph conditions
US6232658B1 (en) 1999-06-30 2001-05-15 Lsi Logic Corporation Process to prevent stress cracking of dielectric films on semiconductor wafers
US6114259A (en) * 1999-07-27 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Process for treating exposed surfaces of a low dielectric constant carbon doped silicon oxide dielectric material to protect the material from damage
US6391795B1 (en) 1999-10-22 2002-05-21 Lsi Logic Corporation Low k dielectric composite layer for intergrated circuit structure which provides void-free low k dielectric material between metal lines while mitigating via poisoning
US6423628B1 (en) 1999-10-22 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Method of forming integrated circuit structure having low dielectric constant material and having silicon oxynitride caps over closely spaced apart metal lines
US6756674B1 (en) 1999-10-22 2004-06-29 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same
US6316354B1 (en) 1999-10-26 2001-11-13 Lsi Logic Corporation Process for removing resist mask of integrated circuit structure which mitigates damage to underlying low dielectric constant silicon oxide dielectric layer
US6147012A (en) * 1999-11-12 2000-11-14 Lsi Logic Corporation Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant
US6346490B1 (en) 2000-04-05 2002-02-12 Lsi Logic Corporation Process for treating damaged surfaces of low k carbon doped silicon oxide dielectric material after plasma etching and plasma cleaning steps
US6506678B1 (en) 2000-05-19 2003-01-14 Lsi Logic Corporation Integrated circuit structures having low k porous aluminum oxide dielectric material separating aluminum lines, and method of making same
US6426286B1 (en) 2000-05-19 2002-07-30 Lsi Logic Corporation Interconnection system with lateral barrier layer
US6346488B1 (en) 2000-06-27 2002-02-12 Lsi Logic Corporation Process to provide enhanced resistance to cracking and to further reduce the dielectric constant of a low dielectric constant dielectric film of an integrated circuit structure by implantation with hydrogen ions
US6492731B1 (en) 2000-06-27 2002-12-10 Lsi Logic Corporation Composite low dielectric constant film for integrated circuit structure
US6368979B1 (en) 2000-06-28 2002-04-09 Lsi Logic Corporation Process for forming trenches and vias in layers of low dielectric constant carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure
US6350700B1 (en) 2000-06-28 2002-02-26 Lsi Logic Corporation Process for forming trenches and vias in layers of low dielectric constant carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure
US6489242B1 (en) 2000-09-13 2002-12-03 Lsi Logic Corporation Process for planarization of integrated circuit structure which inhibits cracking of low dielectric constant dielectric material adjacent underlying raised structures
US6391768B1 (en) 2000-10-30 2002-05-21 Lsi Logic Corporation Process for CMP removal of excess trench or via filler metal which inhibits formation of concave regions on oxide surface of integrated circuit structure
US6423630B1 (en) 2000-10-31 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Process for forming low K dielectric material between metal lines
US6537923B1 (en) 2000-10-31 2003-03-25 Lsi Logic Corporation Process for forming integrated circuit structure with low dielectric constant material between closely spaced apart metal lines
US6420277B1 (en) 2000-11-01 2002-07-16 Lsi Logic Corporation Process for inhibiting crack formation in low dielectric constant dielectric films of integrated circuit structure
US6528167B2 (en) 2001-01-31 2003-03-04 Waters Investments Limited Porous hybrid particles with organic groups removed from the surface
US6858195B2 (en) 2001-02-23 2005-02-22 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material
US6649219B2 (en) 2001-02-23 2003-11-18 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation
US6572925B2 (en) 2001-02-23 2003-06-03 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon containing silicon oxide dielectric material
US6794044B2 (en) * 2001-03-02 2004-09-21 Selerity Technologies, Inc. Chromatographic packing materials and methods of making and using such packing materials
US6503840B2 (en) 2001-05-02 2003-01-07 Lsi Logic Corporation Process for forming metal-filled openings in low dielectric constant dielectric material while inhibiting via poisoning
US6559048B1 (en) 2001-05-30 2003-05-06 Lsi Logic Corporation Method of making a sloped sidewall via for integrated circuit structure to suppress via poisoning
US6562700B1 (en) 2001-05-31 2003-05-13 Lsi Logic Corporation Process for removal of resist mask over low k carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure, and removal of residues from via etch and resist mask removal
US6583026B1 (en) 2001-05-31 2003-06-24 Lsi Logic Corporation Process for forming a low k carbon-doped silicon oxide dielectric material on an integrated circuit structure
US6566171B1 (en) 2001-06-12 2003-05-20 Lsi Logic Corporation Fuse construction for integrated circuit structure having low dielectric constant dielectric material
US6930056B1 (en) * 2001-06-19 2005-08-16 Lsi Logic Corporation Plasma treatment of low dielectric constant dielectric material to form structures useful in formation of metal interconnects and/or filled vias for integrated circuit structure
US6559033B1 (en) 2001-06-27 2003-05-06 Lsi Logic Corporation Processing for forming integrated circuit structure with low dielectric constant material between closely spaced apart metal lines
US6673721B1 (en) 2001-07-02 2004-01-06 Lsi Logic Corporation Process for removal of photoresist mask used for making vias in low k carbon-doped silicon oxide dielectric material, and for removal of etch residues from formation of vias and removal of photoresist mask
US7250214B2 (en) 2001-08-09 2007-07-31 Waters Investments Limited Porous inorganic/organic hybrid monolith materials for chromatographic separations and process for their preparation
US6723653B1 (en) 2001-08-17 2004-04-20 Lsi Logic Corporation Process for reducing defects in copper-filled vias and/or trenches formed in porous low-k dielectric material
US6881664B2 (en) * 2001-08-28 2005-04-19 Lsi Logic Corporation Process for planarizing upper surface of damascene wiring structure for integrated circuit structures
US6528423B1 (en) 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
US6613665B1 (en) 2001-10-26 2003-09-02 Lsi Logic Corporation Process for forming integrated circuit structure comprising layer of low k dielectric material having antireflective properties in an upper surface
WO2004041398A2 (en) 2002-10-30 2004-05-21 Waters Investments Limited Porous inorganic/organic hybrid materials and preparation thereof
AU2003300295A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-22 Cardiac Inventions Unlimited, Inc. Left ventricular pacing lead and implantation method
US20040238744A1 (en) * 2003-01-15 2004-12-02 Stephen Arnold Perturbation approach to resonance shift of whispering gallery modes in a dielectric microsphere as a probe of a surrounding medium
US20070017870A1 (en) * 2003-09-30 2007-01-25 Belov Yuri P Multicapillary device for sample preparation
EP1677886A1 (de) * 2003-09-30 2006-07-12 Chromba, Inc. Vielfachkapillarsäule für chromatographie und probenvorbereitung
DE112005001838B4 (de) * 2004-07-30 2018-11-29 Waters Technologies Corp. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Poröse anorganische/organische Hybridmaterialien mit geordneten Domänen für chromatographische Auftrennungen, Verfahren für deren Herstellung sowie Auftrennvorrichtung und chromatographische Säule
US10773186B2 (en) 2004-07-30 2020-09-15 Waters Technologies Corporation Porous inorganic/organic hybrid materials with ordered domains for chromatographic separations and processes for their preparation
JP4962490B2 (ja) * 2006-03-29 2012-06-27 ダイソー株式会社 修飾シリカゲル及びその利用
US8480889B2 (en) * 2006-04-27 2013-07-09 Agilent Technologies, Inc. Chromatographic stationary phase
JP2010515804A (ja) 2007-01-12 2010-05-13 ウオーターズ・テクノロジーズ・コーポレイシヨン クロマトグラフ分離用多孔質炭素−ヘテロ原子−ケイ素ハイブリッド無機／有機材料およびその調製のための方法
EP2274098B1 (de) * 2008-03-28 2013-12-25 Biotix, Inc. Multikapillare probenvorbereitungsvorrichtungen und verfahren zur verarbeitung von analyten
WO2010141426A1 (en) 2009-06-01 2010-12-09 Waters Technologies Corporation Hybrid material for chromatographic separations
US11439977B2 (en) 2009-06-01 2022-09-13 Waters Technologies Corporation Hybrid material for chromatographic separations comprising a superficially porous core and a surrounding material
US20130112605A1 (en) 2010-07-26 2013-05-09 Waters Technologies Corporation Superficially porous materials comprising a substantially nonporous core having narrow particle size distribution; process for the preparation thereof; and use thereof for chromatographic separations
US20190015815A1 (en) 2016-03-06 2019-01-17 Waters Technologies Corporation Superficially porous materials comprising a coated core having narrow particle size distribution; process for the preparation thereof; and use thereof for chromatographic separations
CN117563558B (zh) * 2024-01-17 2024-04-16 广州研创生物技术发展有限公司 一种改性多孔球型硅胶及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2426698A1 (de) * 1974-06-01 1975-12-11 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von silanisierten traegermaterialien
JPS5383680A (en) * 1976-12-29 1978-07-24 Toray Silicone Co Filler for gas separation column
GB2039787B (en) * 1978-11-13 1982-12-08 Res Inst For Special Inorganic Producing corrosion resistant articles
JPS6046131B2 (ja) * 1980-11-11 1985-10-14 宇部興産株式会社 ポリカルボシランの製造法
US4782040A (en) * 1984-04-09 1988-11-01 Dow Corning Corporation Porous materials having a dual surface
US4694092A (en) * 1985-12-27 1987-09-15 Chemicals Inspection & Testing Institute Partially hydrophilicized silica gel and process for producing the same
US4920152A (en) * 1986-05-13 1990-04-24 Purdue Research Foundation Reversed-phase packing material and method
US4705725A (en) * 1986-11-28 1987-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Substrates with sterically-protected, stable, covalently-bonded organo-silane films
US4933372A (en) * 1988-09-26 1990-06-12 Supelco, Inc. Porous rigid resins and process of preparation

Also Published As

Publication number Publication date
US5194333A (en) 1993-03-16
EP0436179A1 (de) 1991-07-10
JPH03233354A (ja) 1991-10-17
DE69007764D1 (de) 1994-05-05
EP0436179B1 (de) 1994-03-30
JP2874297B2 (ja) 1999-03-24

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