DE69024452T2 - UV-Lichtempfindliche Fotoinitiatorzusammensetzungen, ihre Verwendung und strahlungsempfindliche Zusammensetzungen - Google Patents

UV-Lichtempfindliche Fotoinitiatorzusammensetzungen, ihre Verwendung und strahlungsempfindliche Zusammensetzungen

Info

Publication number
DE69024452T2
DE69024452T2 DE69024452T DE69024452T DE69024452T2 DE 69024452 T2 DE69024452 T2 DE 69024452T2 DE 69024452 T DE69024452 T DE 69024452T DE 69024452 T DE69024452 T DE 69024452T DE 69024452 T2 DE69024452 T2 DE 69024452T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
group
integer
alkyl
radicals
onium salt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69024452T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69024452D1 (de
Inventor
Edward Darko Babich
Jeffrey Donald Gelorme
Michael Hatzakis
Jane Margaret Shaw
Kevin Jay Stewart
David Frank Witman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE69024452D1 publication Critical patent/DE69024452D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69024452T2 publication Critical patent/DE69024452T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/127—Spectral sensitizer containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S502/00—Catalyst, solid sorbent, or support therefor: product or process of making
    • Y10S502/522—Radiant or wave energy activated

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf für ultraviolettes Licht empfindliche Photoinitiatorzusammensetzungen. Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind besonders nützlich zur Unterstützung kationischer Polymerisationen. Insbesondere finden die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung Anwendung bei der Bildung von Strukturen aus Photoresisten, wobei eine bildweise Belichtung mit ultraviolettem Licht eingesetzt wird. Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung weisen eine erhöhte Lichtempfindlichkeit auf. Außerdem sind die Photoinitiatorzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung nützlich zur Einleitung der Polymerisation einer breiten Vielfalt von kationisch polymerisierbaren Monomeren und Polymeren.
  • Es wurden verschiedene Verbindungen als Photomitiatoren für photochemisch induzierte kationische Polymerisationen solcher Materialien wie Epoxidharze, cyclische Ether, cyclische Ester, wie cyclische Formale und cyclische Acetale, Polyvinylacetale, Phenoplaste, Aminoplaste, Lactone und Silicone, vorgeschlagen.
  • Diesbezüglich siehe US-Patent 4 161 478 FFA Novel Photomitiator of Cationic Polymerization: Preparation and Characterization of Bis[4-(diphenylsulfonio)phenyl]-sulfide-Bis-Hexafluorophosphate", Journal of Polymer Science: Polymer Chemistry Edition, Bd. 22, 5. 1789, 198Q John Wiley & Sons, Inc..
  • Als Initiatoren für derartige kationische Polymerisationen wurden bestimmte Sulfonium- und Iodoniumsalze vorgeschlagen. Zusätzliche Erörterungen, die sich auf diese zuvor vorgeschlagenen Sulfonium- und Iodoniumsalze beziehen, sind zum Beispiel in Pappas et al., "Photoinitiation of Cationic Poiymerization. III. Photosensitization of Diphenyliodonium and Triphenylsulfonium Salts", Journal of Polymer Science: Polymer Chemistry Edition, Bd. 22, Seiten 77 bis 84, 1984 John Wiley & Sons, Inc.; Crivello et al., "Photoinitiated Cationic Polymerization with Triarylsulfonium Salts", Journal of Polymer Science: Polymer Chemistry Edition, Bd. 17, Seiten 977 bis 999, 1979 John Wiley & Sons, Inc.; Crivello et al., "Complex Triarylsulfonium Salt Photoinitiators. I. The Identification, Characterization, and Syntheses of a New Class of Triarylsulfonium Salt Photoinitiators", Journal of Polymer Science: Polymer Chemistry Edition, Bd. 18, Seiten 2677 bis 2695, 1980 John Wiley & Sons, Inc.; und Crivello, "Cationic Polymerization - Iodonium and Sulfonium Salt Photoinitiators", Advances in Polymer Science, Series #62, Seiten 1 bis 48 zu finden.
  • Außerdem werden in den US-Patenten 4 175 972; 4 442 197; 4 139 655; 4 400 541; 4 197 174; 4 175 476; 4 069 055 und 4 299 938 sowie den europäischen Patentanmeldungen 84/0094914 und 84/0126712 verschiedene Photomitiatoren erörtert.
  • Wenngleich verschiedene der Oniumsalze des Standes der Technik sehr effiziente Photomitiatoren für einen breiten Bereich kationischer polymerisierbarer Materialien sind, leiden diese an der Unzulänglichkeit, daß eine Absorption des ultravioletten Lichtes im Bereich von 300 nm bis 400 nm fehlt. Dieser Bereich stellt jedoch einen wichtigen Bereich dar, der von Quecksilberlampen abgegeben wird. Um diese Qniumsalze in derartigen Bereichen einsetzbar zu machen, ist es notwendig, ein Photosensibilisierungsmittel, das Licht im Bereich von 300 Nanometer bis 400 Nanometer absorbiert, zu dem Oniumsalz hinzuzufügen. Beispiele für zuvor vorgeschlagene Photosensibilisierungsmittel sind Perylen, Anthracen und verschiedene Alkylderivate von Anthracen.
  • Wenngleich diese Materialien als Photosensibilisierungsmittel effektiv waren, war ihre Verwendung eingeschränkt, da diese entweder unlöslich sind oder nur eine sehr beschränkte Löslichkeit in einem üblichen organischen Lösungsmittel aufweisen. Dieses Problem der Löslichkeit schließt die Verwendung dieser Photosensibilisierungsmittel bei Dünnfilmanwendungen (z.B. Dicke kleiner 10 Mikrometer) aus.
  • Die vorliegende Erfindung stellt für ultraviolettes Licht empfindliche Photoinitiatorzusammensetzungen bereit, die Photosensibilisierungsmittel beinhalten, die nicht nur äußerst effektiv sind, sondern die auch eine hohe Löslichkeit in einer Vielzahl von üblichen organischen Lösungsmitteln aufweisen.
  • Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf lichtempfindliche Photoinitiatorzusammensetzungen, die besonders für kationische Polymerisationen geeignet sind. Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindungen enthalten:
  • A) wenigstens ein Anthracenderivat, das durch die Formel
  • dargestellt wird,
  • wobei X CH=CH&sub2; oder
  • -(CH&sub2;-)-n O-(-R)
  • ist, wobei R ausgewählt wird aus der Gruppe mit H,
  • und n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2 ist;
  • wobei jedes RI, RII und RIII individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl, Aryl,
  • ausgewählt wird, wobei jedes RIV, RV und RVI individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl und Aryl ausgewählt wird; und wobei m eine ganze Zahl zwischen 0 und 4 und p eine ganze Zahl zwischen 0 und 4 ist;
  • B) ein Oniumsalz; und
  • C) ein organisches Lösungsmittel, wobei das Gewichtsverhältnis von A:B etwa 1:2 bis etwa 1:10 beträgt.
  • Außerdem bezieht sich die vorliegende Erfindung auf für ultraviolettes Licht empfindliche Zusammensetzungen, die folgendes enthalten:
  • A) ein kationisch polymerisierbares Material;
  • B) ein Oniumsalz in einer Menge, die ausreicht, um eine Polymerisation des kationisch polymerisierbaren Materials zu bewirken; und
  • C) ein Anthracenderivat, das durch folgende Formel dargestellt wird
  • wobei X CH=CH&sub2; oder
  • -(-CH&sub2;-)-n O-(-R) ist, wobei R ausgewählt wird aus der Gruppe mit H,
  • wobei m, RI, RII und RIII die gleichen Bedeutungen besitzen, wie oben definiert, und n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2 ist; und wobei das Gewichtsverhältnis von B:C etwa 1:2 bis etwa 1:10 beträgt.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich außerdem auf die Bildung einer Struktur aus einem Photoresist. Das Verfahren beinhaltet die Bereitstellung eines ungehärteten Films auf einem Substrat, bestehend aus:
  • 1) einem kationisch polymerisierbaren Material;
  • 2) einem Oniumsalz in einer Menge, die ausreicht, um eine Polymerisation des kationisch polymerisierbaren Materials zu bewirken; und
  • 3) einem Anthracenderivat, das durch folgende Formel dargestellt wird:
  • wobei X CH=CH&sub2; oder
  • -(-CH&sub2;-)-n O-(-R) ist, wobei R ausgewählt wird aus der Gruppe mit H,
  • wobei m, RI, RII und RIII die gleichen Bedeutungen besitzen, wie oben definiert, und n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2 ist; und
  • wobei das Gewichtsverhältnis der Komponenten 2 und 3 etwa 1:2 bis etwa 1:10 beträgt.
  • Der ungehärtete Film wird bildweise mit ultraviolettem Licht in einer Struktur belichtet, um dadurch eine kationische Polymensation des Films in der belichteten Struktur zu bewirken. Das Photoresist wird dann durch Entfernen des unbelichteten Teils des Films entwickelt.
  • Beispiele für strahlungsempfindliche, epoxidfunktionalisierte, siliciumorganische Glasharze werden durch die folgenden Formeln II und III dargestellt:
  • R¹, R², R³, R&sup4;, R&sup5;, R&sup6;, R&sup7;, R&sup8;, R&sup9;, R¹&sup0;, R¹¹ und R¹² in den obigen Formeln II und III sind jeweils allgemein bekannt und werden durch Radikale verkörpert, die üblicherweise mit siliciumgebundenen organischen Gruppen und siliciumgebundenen Wasserstoffgruppen verknüpft sind. Jedes Radikal R¹, R², R³, R&sup4;, R&sup5;, R&sup6;, R&sup7;, R&sup8;, R&sup9;, R¹&sup0;, R¹¹ und R¹² in den obigen Formeln II und III wird individuell aus der Gruppe mit Wasserstoff, einwertigen Kohlenwasserstoffradikalen, Epoxidgruppen, Mercaptoradikalen und Cyanoalkylradikalen ausgewählt.
  • Jedes a ist eine ganze Zahl zwischen 0 und 12 und bevorzugt zwischen 0 und 3. Z ist eine ganze Zahl zwischen 1 und 10² und vorzugsweise etwa 10 bis etwa 20. Jedes x ist eine ganze Zahl zwischen 0 und 2.
  • Außerdem bezieht sich die vorliegende Erfindung auf die Bildung einer Struktur aus einem Photoresist aus den obigen siliciumorganischen Verbindungen der Formeln II und III. Das Verfahren beinhaltet die Bereitstellung eines ungehärteten Films aus einem siliciumorganischen Material der Formeln II oder III auf einem Substrat. Der Film wird bildweise mit Strahlung, wie derjenigen eines Elektronenstrahls, belichtet, um dadurch eine Polymerisation des Films in der belichteten Struktur zu bewirken. Das Photoresist wird dann durch Entfernen des unbelichteten Teils des Films entwickelt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden bestimmte Anthracenderivate in für ultraviolettes Licht empfindlichen Photoininiatorzusammensetzungen verwendet. Diese Anthracenderivate wirken dahingehend, daß die Zusammensetzungen für ultraviolettes Licht im Bereich von 300 Nanometer bis 400 Nanometer empfindlich werden. Außerdem sind die speziellen, für die vorliegende Erfindung erforderlichen Anthracenderivate ohne weiteres in einer breiten Vielzahl von üblichen organischen Lösungsmitteln löslich. Für den Erfolg der vorliegenden Erfindung ist entscheidend, daß das verwendete Anthracenderivat aus einer oder mehreren Verbindungen besteht, die durch die Formel:
  • dargestellt werden, wobei X CH=CH&sub2; oder -(-CH&sub2;-)-n O-(-R) ist, wobei R H oder
  • ist, n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2; m eine ganze Zahl zwischen 0 und 4 und vorzugsweise 0 ist; und wobei RI, RII und RIII individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl, Aryl,
  • ausgewählt wird, wobei jedes RIV, RV und RVI individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl und Aryl ausgewählt wird und wobei p eine ganze Zahl zwischen 0 und 4 und vorzugsweise eins ist. Jedes RI, RII und RIII ist vorzugsweise eine Alkylgruppe und am bevorzugtesten Methyl.
  • Beispiele geeigneter Alkylgruppen enthalten 1 bis 6 Kohlenstoffatome und beinhalten Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl und Pentyl.
  • Beispiele für Alkenylgruppen enthalten 2 bis 6 Kohlenstoffatome und beinhalten Ethylen, Propylen und Butylen.
  • Beispiele für Arylgruppen enthalten 6 bis 14 Kohlenstoffatome und beinhalten Phenyl, Naphthyl und Anthracyl.
  • Spezielle Anthracenderivate, die zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung geeignet sind, sind:
  • 9-Anthracenmethanol;
  • 9-Vinylanthracen und der Trimethylsiloxyether von 9-Anthracenmethanol.
  • Die für ultraviolettes Licht empfindlichen Photomitiatorzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung enthalten außerdem ein strahlungsempfindliches Oniumsalz.
  • Beispiele geeigneter Oniumsalze umfassen aromatische Oniumsalze von Elementen der Gruppe VI, die im US-Patent 4 175 972 erörtert sind, dessen Offenbarung durch Verweis hierin aufgenommen wird, und aromatische Oniumsalze von Elementen der Gruppe Va, die im US-Patent 4 069 055 erörtert sind, dessen Offenbarung durch Verweis hierin aufgenommen wird.
  • Aromatische Oniumsalze der Gruppe VIa beinhalten jene, die durch die Formel:
  • [(R)a(R¹)b(R²)cX]d&spplus;[MQe]-(e-f)
  • dargestellt werden, wobei R ein einwertiges aromatisches organisches Radikal ist, R¹ ein einwertiges organisches aliphatisches Radikal ist, das aus Alkyl, Cycloalkyl und substituiertem Alkyl ausgewählt wird, R² ein mehrwertiges organisches Radikal ist, das eine heterocyclische oder verbundene Ringstruktur bildet und aus aliphatischen Radikalen und aromatischen Radikalen ausgewählt wird, X ein Element der Gruppe VIA ist, das aus Schwefel, Selen und Tellur ausgewählt wird, M ein Metall oder Metalloid, Q ein Halogenradikal, a eine ganze Zahl gleich 0 bis einschließlich 3, b eine ganze Zahl gleich 0 bis einschließlich 2, c eine ganze Zahl gleich 0 oder 1, wobei die Summe von a+b+c ein Wert gleich 3 oder der Valenz von X,
  • d=e-f
  • ist, f gleich der Valenz von M und eine ganze Zahl gleich 2 bis einschließlich 7, e größer f und eine ganze Zahl mit einem Wert bis zu 8 ist.
  • Durch R umfaßte Radikale sind zum Beispiel C(6-14), aromatische Kohlenwasserstoffradikale, wie Phenyl&sub1; Tolyl, Naphthyl, Anthryl und solche Radikale, die mit bis zu 1 bis 4 einwertigen Radikalen substituiert sind, wie C(1-8)-Alkoxy, C(1-8)-Alkyl, Nitro, Chloro und Hydroxy; Arylacyl-Radikale, wie Benzyl und Phenylacyl; aromatische heterocyclische Radikale, wie Pyridyl und Furfuryl. R¹-Radikale beinhalten C(1-8)-Alkyl, wie Methyl und Ethyl, substituierte Alkyle, wie -C&sub2;H&sub4;OH&sub3;, -CH&sub2;COOC&sub2;H&sub5;, -CH&sub2;COCH&sub3; etc.. R²-Radikale beinhalten solche Strukturen wie:
  • etc.
  • Komplexanionen, die von MQe-(e-f der Formel I umfaßt sind, sind zum Beispiel BF&sub4;&supmin;, PF&sub6;&supmin;, SbF&sub6;&supmin;, FeCl&sub4;&supmin;, SnCl&sub6;²&supmin;, SbCl&sub6;&supmin;, BiCl&sub6;&supmin;, AlF&sub6;³&supmin;, GaCl&sub4;&supmin;, InF&sub4;&supmin;, TiF&sub6;&supmin;, ZrF&sub6;&supmin; etc., wobei M ein Metall wie Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sc, V, Cr, Mn, Cs, Elemente der Seltenen Erden, wie Lanthanide, zum Beispiel Ce, Pr, Nd etc., Actinide, wie Th, Pa, U, Np etc., und Metalloide, wie B, P und As, ist.
  • Oniumsalze der Gruppe VIA, die in Formel I enthalten sind, sind zum Beispiel:
  • Aromatische Oniumsalze der Gruppe Va umfassen jene, die durch die Formel:
  • dargestellt werden, wobei R ein einwertiges aromatisches organisches Radikal ist, das aus carbocyclischen Radikalen und heterocyclischen Radikalen ausgewählt wird, R¹ ein einwertiges organisches aliphatisches Radikal ist, das aus Alkyl, Alkoxy, Cycloalkyl und substituierten Derivaten derselben ausgewählt wird, R² ein mehrwertiges organisches Radikal ist, das eine aromatische heterocyclische oder verbundene Ringstruktur mit X¹ bildet, X¹ ein Element der Gruppe Va ist, das aus N, P, As, Sb und Bi ausgewählt wird, M ein Metall oder Metalloid, Q ein Halogenradikal, a eine ganze Zahl gleich 0 bis einschließlich 4, b eine ganze Zahl gleich 0 bis einschließlich 2, c eine ganze Zahl gleich bis einschließlich 2 und die Summe von a+b+c ein Wert gleich 4 oder gleich der Valenz von X¹,
  • d=e-f,
  • f gleich der Valenz von M und eine ganze Zahl gleich 2 bis einschließlich 7, e größer f und eine ganze Zahl mit einem Wert bis zu 8 ist.
  • Radikale, die von R umfaßt sind, sind zum Beispiel C(6-14), aromatische Kohlenwasserstoffradikale, wie Phenyl, Tolyl, Naphthyl, Anthryl und solche Radikale, die mit bis zu 1 bis 4 einwertigen Radikalen substituiert sind, wie C(1-8)-Alkoxy, C(1-8)-Alkyl, Nitro, Chloro und Hydroxy; Arylacyl-Radikale, wie Phenylacyl; Arylalkyl-Radikale wie Phenylethyl; aromatische heterocyclische Radikale, wie Pyridyl und Furfuryl; R¹-Radikale beinhalten C(1-8)Alkyl, C(3-8)-Cycloalkyl, substituierte Alkyle, wie Halogenalkyl, zum Beispiel Chiorethyl; Alkoxy, wie OCH&sub2;C&sub6;H&sub5; und OCH&sub3;; Alkoxyalkyl, wie -C&sub2;H&sub4;OH&sub3;; Alkylacyl, wie -CH&sub2;COOC&sub2;H&sub5;; Ketoalkyl, wie -CH&sub2;COCH&sub3;.
  • Radikale, die von R² umfaßt sind, sind zum Beispiel:
  • wobei Q' aus O, CH&sub2;, N, R und S ausgewählt wird; Z aus -O-, -Sund
  • ausgewählt wird und R' ein einwertiges Radikal ist, das aus Wasserstoff und Kohlenwasserstoff ausgewählt wird. Komplexanionen, die von MQ-(e-f) umfaßt sind, sind zum Beispiel BF&sub4;&supmin;, PF&sub6;&supmin;, ASF&sub6;&supmin;, FeCl&sub4;&supmin;, SnCl&sub6;²&supmin;, SbCl&sub6;&supmin;, BiCl&sub6;&supmin;, wobei M spezieller ein Übergangsmetall, wie Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sc, V, Cr, Mn und Co; eines der Elemente der Seltenen Erden, wie die Lanthanide, zum Beispiel Ce, Pr und Nd; der Actinide, wie Th, Pa, U und Np; oder ein Metalloid, wie B, P und As, ist.
  • Anionen, die leicht hydrolysiert sind, z.B. SbF&sub5;OH&supmin;, werden für die Zwecke der vorliegenden Erfindung als vollständiges Äquivalent zu der nicht hydrolysierten Form des Anions angesehen.
  • Das Gewichtsverhältnis des Anthracenderivates zu dem Oniumsalz beträgt üblicherweise etwa 1:2 bis etwa 1:10 und vorzugsweise etwa 1:4 bis etwa 1:5.
  • Außerdem beinhalten die Photoinitiatorzusammensetzungen üblicherweise ein organisches Lösungsmittel, um eine Mischung der Komponenten der obigen Zusammensetzungen mit einer polymerisierbaren Zusammensetzung für den Gebrauch des Initiators zu erleichtern.
  • Geeignete organische Lösungsmittel beinhalten gesättigte aliphatische Alkohole mit einer einzelnen Hydroxylgruppe, wie Methanol; Ethanol, n-Propanol, Iso-Propanolund n-Butanol, aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Benzen, Toluol und Xylen; Propylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonomethyletheracetat, 2- Methoxyethanol und 2-Methoxyethylether.
  • Die organischen Lösungsmittel werden üblicherweise in Mengen von etwa 30 % bis etwa 90 % und vorzugsweise etwa 60 % bis etwa 75 % verwendet, bezogen auf das Gesamtgewicht aller Komponenten.
  • Die lichtempfindlichen Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind einsetzbar als Photomitiatoren für kationische Polymerisationen, wie Polymerisationen von Epoxidpolymeren, Phenoplast, Aminoplast, Polyvinylacetalen, Laktonen, cyclischen Ethern und cyclischen Estern, wie cyclischen Acetaten und cyclischen Formalen, und Siliconen.
  • Typische Beispiele für Epoxidpolymere beinhalten die epoxidierten Novolak-Polymere und die Polyepoxide von Halogenepoxidalkanen, wie Epichlorhydrin, und ein polynukleares Phenol mit zwei Hydroxylgruppen, wie Bisphenol A. Gemische von Epoxiden können verwendet werden, wenn gewünscht.
  • Die epoxidierten Novolak-Polymere sind kommerziell erhältlich und können mittels bekannter Verfahren durch die Reaktion eines thermoplastischen Phenolaldehyds eines Phenols mit einem Halogenepoxidalkan hergestellt werden. Das Phenol kann aus einem mononuklearen oder polynuklearen Phenol bestehen. Beispiele von mononuklearen Phenolen besitzen die Formel:
  • wobei X, Y und R&sub5; Kohlenwasserstoffe sind, die nicht mehr als etwa 12 Kohlenstoffatome enthalten.
  • Wasserstoffsubstituierte Phenole mit zwei verfügbaren Positionen, nämlich ortho oder para, für eine Phenolhydroxygruppe zur Aldehyd-Kondensation, um Polymere bereitzustellen, die zur Herstellung von Epoxid-Novolakharzen geeignet sind, beinhalten ound p-Kresole, o- und p-Ethylphenole, o- und p-Isopropylphenole, o- und p-Tertbutylphenole, o- und p-Secbutylphenole, o- und p- Amylphenole, o- und p-Octylphenole, o- und p-Nonylphenole, 2,5- Xylenol, 3,4-Xylenol, 2,5-Diethylphenol, 3,4-Diethylxylenol, 2,5-Diisopropylphenol, 4-Methylresorcinol, 4-Ethylresorcinol, 4-Isopropylresorcinol, 4-Tertbutylresorcinol, o- und p-Benzylphenol, o- und p-Phenethylphenole, o- und p-Phenylphenole, o- und p-Tolylphenole, o- und p-Xylylphenole, o- und p-Cyclohexylphenole, o- und p-Cyclopentylphenole, 4-Phenethylresorcinol, 4- Tolylresorcinol und 4-Cyclohexylresorcinol.
  • Verschiedene chlorsubstituierte Phenole, die ebenfalls bei der Herstellung von Phenol-Aldehydharzen, die zur Herstellung der Epoxid-Novolakharze geeignet sind, verwendet werden können, umfassen o- und p-Chlorphenole, 2,5-Dichlorphenol, 2,3-Dichlorphenol, 3,4-Dichlorphenol, 2-Chlor-3-methylphenol, 2-Chlor-5-methylphenol, 3-Chlor-2-methylphenol, 5-Chlor-2-methylphenol, 3-Chlor4-methylphenol, 4-Chlor-3-methylphenol, 4 -Chlor-3-ethylphenol, 4-Chlor-3-isopropylphenol, 3-Chlor-4-phenylphenol, 3- Chlor-4-chlorphenylphenol, 3,5-Dichlor-4-methylphenol, 3,5-Dichlor-5-methylphenol, 3,5-Dichlor-2-methylphenol, 2,3-Dichlor-5- methylphenol, 2,5-Dichlor-3-methylphenol, 3-Chlor-4,5-dimethylphenol, 4-Chlor-3,4-dimethylphenol, 2-Chlor-3,5-dimethylphenol, 5-Chlor-2,3-dimethylphenol, 5-Chlor-3,5-dimethylphenol, 2,3,5- Trichlorphenol, 3,4,5-Trichlorphenol, 4-Chlorresorcinol, 4,5-Dichlorresorcinol, 4-Chlor-5-methylresorcinol, 5-Chlor-4-methylresorcinol.
  • Typische Phenole, die mehr als zwei Positionen, nämlich ortho oder para, für eine Phenolhydroxygruppe zur Aldehyd-Kondensation zur Verfügung haben und die durch gesteuerte Aldehyd-Kondensation ebenfalls verwendet werden können, sind: Phenol, m-Kresol, 3,5-Xylenol, m-Ethyl- und m-Isopropylphenole, m,m'-Diethyl- und Diisopropylphenole, m-Butylphenole, m-Amylphenole, m-Octylphenole, m-Nonylphenole, Resorcinol, 5-Methylresorcinol, 5-Ethylresorcinol. Beispiele für polynukleare Dihydroxyphenole sind jene mit der Formel:
  • wobei Ar ein aromatischer, zweiwertiger Kohlenwasserstoff, wie Naphthylen und vorzugsweise Phenylen, ist; A und A&sub1;, die gleich oder verschieden sein können, Alkyl-Radikale, vorzugsweise mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, Halogenatome, d.h. Fluor, Chlor, Brom und Iod, oder Alkoxy-Radikale, vorzugsweise mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, sind; x und y ganze Zahlen mit einem Wert von 0 bis zu einem maximalen Wert entsprechend der Anzahl von Wasserstoffatomen auf dem aromatischen Radikal (Ar), die durch Substituenten ersetzt werden können, sind und R&sub6; eine Bindung zwischen benachbarten Kohlenstoffatomen, wie in Dihydroxydiphenyl, oder ein zweiwertiges Radikal ist, das zum Beispiel
  • - -, -O-, -S-, -SO-, -SO&sub2;, und -S-S-
  • und zweiwertige Kohlenwasserstoffradikale, wie Alkylen-, Alkyliden-, cycloaliphatische, z.B. Cycloalkylen- und Cycloalkyliden-, halogenierte, alkoxy- oder aryloxy-substituierte Alkylen-, Alkyliden- und cycloaliphatische Radikale, ebenso wie Alkarylen- und aromatische Radikale beinhaltet, einschließlich halogenierter, alkyl-, alkoxy- oder aryloxy-substituierter aromatischer Radikale und eines Rings, der mit einer Ar-Gruppe verbunden ist; oder R&sub6; können Polyalkoxy- oder Polysiloxy- oder zwei oder mehr Alkyliden-Radikale sein, die durch einen aromatischen Ring, eine tertiäre Aminogruppe, eine Etherbrücke, eine Carbonylgruppe oder eine schwefelhaltige Gruppe, wie Sulfoxid, und dergleichen getrennt sind.
  • Beispiele für spezielle polynukleare Dihydroxyphenole umfassen neben anderen die Bis-(hydroxyphenyl)alkane, wie 2,2'-Bis-(4- hydroxyphenyl)propan, 2,4'-Dihydroxydiphenylmethan, Bis-(2-hydroxyphenyl)methan, Bis-(4-hydroxyphenyl)methan, Bis(4-hydroxy- 2,6-dimethyl-3-methoxyphenyl)methan, 1,1'-Bis-(4-hydroxyphenyl)ethan, 1,2'-Bis-(4-hydroxyphenyl)ethan, 1,1'-Bis-(4-hydroxy- 2-chlorphenyl)ethan, 1,1'-Bis-(3-methyl-4-hydroxyphenyl) ethan, 1,3'-Bis-(3-methyl-4-hydroxyphenyl)propan, 2,2'-Bis-(3-phenyl- 4-hydroxyphenyl)propan, 2,2'-Bis-(3-isopropyl-4-hydroxyphenyl)propan, 2,2'-Bis-(2-isopropyl-4-hydroxyphenyl)pentan, 2,2'- Bis-(4-hydroxyphenyl)heptan, Bis-(4-hydroxyphenyl)phenylmethan, Bis-(4-hydroxyphenyl)cyclohexylmethan, 1,2'-Bis-(4-hydroxyphenyl)-1,2'-bis-(phenyl)propan und 2,2'-Bis-(4-hydroxyphenyl)-1- phenyl-propan; Di(hydroxyphenyl)sulfone, wie Bis-(4-hydroxyphenyl)sulfon, 2,4'-Dihydroxydiphenylsulfon, 5'-Chlor-2,4'-dihydroxydiphenylsulfon und 5'-Chlor-4,4'-dihydroxydiphenylsulfon; Di(hydroxyphenyl)ether, wie Bis-(4-hydroxyphenyl)ether, die 4,4'-, 4,2'-, 2,2'-, 2,3'-Dihydroxydiphenylether, 4,4'-Dihydroxy-2,6-dimethyldiphenylether, Bis-(4-hydroxy-3-isobutylphenyl)ether, Bis-(4-hydroxy-3-isopropylphenyl)ether, Bis-(4-hydroxy-3-chlorphenyl)ether, Bis-(4-hydroxy-3-fluorphenyl)ether, Bis-(4-hydroxy-3-bromphenyl)ether, Bis-(4-hydroxynaphthyl)ether, Bis-(4-hydroxy-3-chlornaphthyl)ether, Bis-(2-hydroxydiphenyl)ether, 4,4'-Dihydroxy-2,6-dimethoxydiphenylether und 4,4'-Dihydroxy-2,5-diethoxydiphenylether.
  • Die bevorzugten polynuklearen Phenole mit zwei Hydroxylgruppen werden durch die Formel:
  • dargestellt, wobei A und A&sub1; wie zuvor definiert sind, x und y Werte zwischen 0 und einschließlich 4 aufweisen und R&sub6; ein zweiwertiges, gesättigtes, aliphatisches Kohlenwasserstoffradikal ist, insbesondere Alkylen- und Alkyliden-Radikale mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen und Cycloalkylen-Radikale mit bis zu einschließlich 10 Kohlenstoffatomen. Das am meisten bevorzugte Phenol mit zwei Hydroxylgruppen ist Bisphenol A, d.h. 2,2'-Bis(p- hydroxyphenyl)propan.
  • Als kondensierendes Agens kann ein beliebiges Aldehyd verwendet werden, das mit dem speziellen Phenol, das verwendet wird, kondensiert, was Formaldehyd, Acetaldehyd, Propionaldehyd, Butyraldehyd, Heptaldehyd, Cyclohexanon, Methylcyclohexanon, Cyclopentanon, Benzaldehyd und mit nuklearem Alkyl substituierte Benzaldehyde, wie Tolylaldehyd, Naphthaldehyd, Furfuraldehyd, Glyoxal, Acrolein, oder Verbindungen, die in der Lage sind, Aldehyde hervorzubringen, wie para-Formaldehyd und Hexamethylentetramin, umfaßt.
  • Die Aldehyde können außerdem in Form einer Lösung, wie dem kom- merziell erhältlichen Formalin, verwendet werden. Das bevorzugte Aldehyd ist Formaldehyd.
  • Das Halogen-Epoxidalkan kann durch die Formel:
  • dargestellt werden, wobei X ein Halogenatom (z.B. Chlor, Brom und dergleichen) ist, p eine ganze Zahl zwischen 1 und 8 ist, jedes R&sub2; individuell Wasserstoff oder eine Alkylgruppe von bis zu 7 Kohlenstoffatomen ist; wobei die Anzahl von Kohlenstoffatomen in einer beliebigen Epoxid-Alkylgruppe insgesamt nicht mehr als 10 Kohlenstoffatome beträgt.
  • Wenngleich Glycidylether, wie sie z.B. von Epichlorhydrin abgeleitet werden, bei der Ausführung dieser Erfindung besonders bevorzugt sind, sind die Epoxidpolymere, die Epoxidalkoxygruppen mit einer größeren Anzahl von Kohlenstoffatomen enthalten, ebenfalls geeignet. Diese werden dadurch hergestellt, daß Epichlorhydrin durch solche repräsentativen entsprechenden Chloride oder Bromide von Monohydroxyepoxyalkanen substituiert wird wie 1- Chlor-2,3-epoxybutan, 1-Chlor-3,4-epoxybutan, 2-Chlor-3,4-epoxybutan, 1-Chlor-2-methyl-2,3-epoxypropan, 1-Brom-2,3-epoxypentan, 2-Chlormethyl-1,2-epoxybutan, 1-Brom-4-methyl-3,4-epoxypentan, 1-Brom-4-ethyl-2,3-epoxypentan, 4-Chlor-2-methyl-2,3-epoxypentan, 1-Chlor-2,3-epoxyoctan, 1-Chlor-2-methyl-2,3-epoxyoctan oder 1-Chlor-2,3-epoxydecan. Obwohl es möglich ist, Halogen- Epoxidalkane mit einer größeren Anzahl von Kohlenstoffatomen als den oben angegebenen zu verwenden, besteht im allgemeinen kein Vorteil bei der Verwendung jener mit einer Gesamtzahl von mehr als 10 Kohlenstoffatomen.
  • Zusätzlich können die Polyepoxide von Halogen-Epoxidalkan des oben erörterten Typs und ein polynukleares Phenol mit zwei Hydroxylgruppen des obigen Typs verwendet werden. Die bevorzugten Polyepoxide dieser Klasse sind die Polyepoxide von Epichlorhydrin und Bisphenol A, d.h. 2,2-Bis(p-hydroxyphenyl)propan.
  • Die Initiatorzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind bei Polymerisationen von siliciumorganischen Harzen und am speziellsten der Polysilsesquioxan-Vorpolymere, wie jenen mit Hydroxylendgruppen, besonders geeignet. Beispiele für diese können durch die Strukturformel:
  • dargestellt werden.
  • Jedes R und R¹ in der obigen Formel ist allgemein bekannt und wird von Radikalen verkörpert, die üblicherweise mit siliciumgebundenen organischen Gruppen und siliciumgebundenen Hydroxylgruppen verknüpft sind. Jedes R- und R¹-Radikal in der obigen Formel wird individuell aus der Gruppe aus Wasserstoff, einwertigen Kohlenwasserstoffradikalen, halogenierten einwertigen Kohlenwasserstoffradikalen, Epoxidgruppen, Mercapto-Radikalen und Cyanoalkyl-Radikalen ausgewählt. Somit können die Radikale R und R¹ Alkyl, wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl und Octyl; Aryl-Radikale, wie Phenyl-, Tolyl-, Xylyl- und Naphthyl-Radikale, Aralkyl-Radikale, wie Benzyl- und Phenylethyl-Radikale; olefinisch ungesättigte einwertige Kohlenwasserstoffradikale, wie Vinyl-, Allyl-, Cyclohexenyl-Radikale; Cycloalkyl-Radikale, wie Cyclohexyl, Cycloheptyl; halogenierte einwertige Kohlenwasserstoffradikale, wie Dichlorpropyl, 1,1,1-Trifluorpropyl, Chlorphenyl, Dibromphenyl und Chlormethyl; Cyanoalkyl-Radikale, wie Cyanoethyl und Cyanopropyl, sein. Die durch R und R¹ dargestellten Radikale weisen vorzugsweise weniger als acht Kohlenstoffatome auf, und insbesondere ist es bevorzugt, daß R und R¹ Methyl, Ethyl oder Phenyl ist.
  • Besonders bevorzugte siliciumorganische Polymere sind bestimmte epoxidfunktionelle siliciumorganische Glasharze. Diese weisen hohe Glasübergangstemperaturen, hohen Kontrast und hohe Empfindlichkeit sowie eine erhöhte Beständigkeit gegenüber reaktivem lonenätzen mit Sauerstoff auf.
  • Beispiele für diese können durch die Strukturformeln II und III dargestellt werden:
  • R¹, R², R³, R&sup4;, R&sup5;, R&sup6;, R&sup7;, R&sup8;, R&sup9;, R¹&sup0;, R¹¹ und R¹² in den obigen Formeln II und III sind jeweils allgemein bekannt und werden durch Radikale verkörpert, die üblicherweise mit siliciumgebundenen organischen Gruppen und siliciumgebundenen Wasserstoffgruppen verknüpft sind. Jedes Radikal R¹, R², R³, R&sup4;, R&sup5;, R&sup6;, R&sup7;, R&sup8;, R&sup9;, R¹&sup0;, R¹¹ und R¹² in den obigen Formeln II und III wird individuell aus der Gruppe mit Wasserstoff, einwertigen Kohlenwasserstoffradikalen, Epoxidgruppen, Mercaptoradikalen und Cyanoalkylradikalen ausgewählt. Somit können die Radikale R¹ bis R¹² Alkyl, wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl und Octyl; Aryl-Radikale, wie Phenyl-, Tolyl-, Xylyl- und Naphthyl-Radikale, Aralkyl-Radikale, wie Benzyl- und Phenylethyl-Radikale; olefinisch ungesättigte einwertige Kohlenwasserstoffradikale, wie Vinyl-, Allyl-, Cyclohexenyl-Radikale; Cycloalkyl-Radikale, wie Cyclohexyl, Cydoheptyl; halogenierte einwertige Kohlenwasserstoffradikale, wie Dichlorpropyl, 1,1,1-Trifluorpropyl, Chlorphenyl, Dibromphenyl und Chlormethyl; Cyanoalkyl-Radikale, wie Cyanoethyl und Cyanopropyl, sein. Die durch R¹ bis R¹² dargestellten Radikale weisen vorzugsweise weniger als acht Kohlenstoffatome auf, und insbesondere ist es bevorzugt, daß R¹ bis R¹² Methyl, Ethyl oder Phenyl ist.
  • Jedes a ist eine ganze Zahl zwischen 0 und 12 und vorzugsweise zwischen 0 und 3. Z ist eine ganze Zahl zwischen 1 und 10² und vorzugsweise zwischen etwa 10 und etwa 20. Jedes x ist eine ganze Zahl zwischen 0 und 2.
  • Die epoxidhaltigen siliciumorganischen Glasharze, die durch die obige Formel II dargestellt werden, können dadurch hergestellt werden, daß Glasharze (IIb) mit HO-Si-Endgruppe mit mono- oder polyfunktionellen Alkoxy-Silicium-Verbindungen (IIa), die einen Glycido-Überschuß enthalten, in Lösungen ( 20 % an Feststoffen, zum Beispiel Diglycolether) während etwa 17 Stunden bis 24 Stunden bei 70 ºC oder während 3 Stunden bei 120 ºC reagiert werden.
  • Die epoxidhaltigen Glasharze, die durch die Formel III oben dargestellt werden, können dadurch hergestellt werden, daß monofunktionelle Chlorsilane, wie [2-(3-Cyclohexenyl)-ethyl]dimethylchlorsilan (IIIa) mit Glasharzen (IIb) mit HO-Endgruppe in Gegenwart von HCl-Akzeptoren (wie Alkalimetallcarbonaten, was Na- und K-Carbonate einschließt, oder organischen dreifach substituierten Ammen, was Pyridin oder Triethylamin einschließt) im Überschuß in Etherlösung (20 %) bei Raumtemperatur gemäß dein Schema: reagiert werden.
  • Das Produkt (Ilib) der obigen Reaktion wird dann durch Reaktion mit 3-Chlorperoxybenzoesäure epoxidiert.
  • Bei kationischen Polymerisationen werden die Oniumsalze im allgemeinen in Mengen von etwa 0,5 Gewichtsprozent bis etwa 10 Gewichtsprozent und vorzugsweise von etwa 4 Gewichtsprozent bis etwa 6 Gewichtsprozent verwendet, bezogen auf das Material, das polymerisiert wird.
  • Die kationisch polymerisierbaren Zusammensetzungen können außerdem herkömmliche Additive, wie Filter, Plastifizierungsmittel und Verdünnungsmittel, beinhalten.
  • Bei Verwendung als lithographisches Material werden die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung zur Bereitstellung von Filmen, im allgemeinen mit einer Dicke von etwa 1 Mikrometer bis etwa 25 Mikrometer, an einem gewünschten Substrat angebracht, zum Beispiel durch Sprühen, Aufschleudern, Eintauchen oder irgendein anderes bekanntes Mittel zum Anbringen einer Beschichtung. Einige geeignete Substrate beinhalten jene, die bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltkreisen verwendet werden, was Wafer oder Chips einschließt, die mit Oxiden und Nitriden (Siliciumoxid und/oder Siliciumnitrid für Diffusionsinasken und Passivierung) und/oder Metallen überzogen sind, die normalerweise bei den Metallisierungsschritten zur Bildung von Kontakten und Leiterstrukturen auf dein Halbleiterchip eingesetzt werden.
  • Außerdem können die Materialien der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit jenen Substraten verwendet werden, die als Chipträger eingesetzt werden und die Keramiksubstrate und insbesondere keramische Mehrschichtbauelemente beinhalten. Außerdem sind dielektrische Substrate umfaßt, die aus thermoplastischen und/oder wärmehärtbaren Polymeren bestehen können. Typische wärmehärtbare polymere Materialien beinhalten Epoxid, auf Phenol basierende Materialien, Polyamide und Polyimide. Die dielektrischen Materialien können Gießprodukte aus den polymeren Materialien sein, die Füllmittel und/oder Verstärkungsmaterialien, wie glasgefülltes Epoxid oder auf Phenol basierende Materialien, enthalten. Beispiele für einige phenolartige Materialien beinhalten Copolymere von Phenol, Resorcinol und Kresol. Beispiele für einige geeignete thermoplastische polymere Materialien beinhalten Polyolefine, wie Polypropylen; Polysulfone; Polycarbonate; Nitrilkautschuk; und ABS-Polymere.
  • Die Zusammensetzungen werden nach Anbringen auf dem gewünschten Substrat mit ultravioletter Lichtstrahlung im nahen UV-Bereich von etwa 300 Nanometer bis etwa 400 Nanometer mit Dosierungen von etwa 20 Millijoule/cm² bis etwa 100 Millijoule/cm² bildweise belichtet. Die Zusammensetzungen werden dann in einem geeigneten Lösungsmittel entwickelt. Bei negativen Resistmaterialien verbleibt jener Teil, der mit dem ultravioletten Licht belichtet wurde, an Ort und Stelle und stellt die gewünschte Struktur bereit.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind die bevorzugten epoxidfunktionellen Silicone der vorliegenden Erfindung, wie sie durch die obigen Formeln II und III dargestellt sind, zusätzlich zu dem nahen ultravioletten Licht empfindlich für Strahlung wie tiefes UV-Licht, Röntgenstrahlung und vorzugsweise für Strahlung eines Elektronenstrahls. Diese Materialien werden, wenn sie als solche verwendet werden, an einem gewünschten Substrat angebracht, zum Beispiel durch Sprühen, Aufschleudem, Eintauchen oder beliebige andere bekannte Mictel zum Anbringen einer Beschichtung, um Filme von im allgemeinen etwa 1 Mikrometer bis etwa 25 Mikrometer Dicke bereitzustellen. Einige geeignete Substrate beinhalten jene, die bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltkreisen verwendet werden, was Wafer oder Chips einschließt, die mit Oxiden und Nitriden (Siliciumoxid und/oder Siliciumnitrid für Diffusionsmasken und Passivierung) und/oder Metallen überzogen sind, die normalerweise bei den Metallisierungsschritten zur Bildung von Kontakten und Leiterstrukturen auf dem Halbleiterchip eingesetzt werden.
  • Außerdem können die Materialien der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit jenen Substraten verwendet werden, die als Chipträger eingesetzt werden und die Keramiksubstrate und insbesondere keramische Mehrschichtbauelemente beinhalten. Außerdem sind dielektrische Substrate umfaßt, die aus thermoplastischen und/oder wärmehärtbaren Polymeren bestehen. Typische wärmehärtbare polymere Materialien beinhalten Epoxid&sub1; auf Phenol basierende Materialien, Polyamide und Polyimide. Die dielektrischen Materialien können Gießprodukte aus den polymeren Materialien sein, die Füllmittel und/oder Verstärkungsmaterialien, wie glasgefülltes Epoxid oder auf Phenol basierende Materialien, enthalten. Beispiele für einige phenolartige Materialien beinhalten Copolymere von Phenol, Resorcinol und Kresol. Beispiele für einige geeignete thermoplastische polymere Materialien beinhalten Polyolefine, wie Polypropylen; Polysulfone; Polycarbonate; Nitrilkautschuk; und ABS-Polymere. Diese bevorzugten Silicone werden nach Anbringen an dem gewünschten Substrat mit Strahlung und vorzugsweise mit derjenigen eines Elektronenstrahls mit Dosierungen von etwa 2 Mikrocoulomb/cm² bis etwa 4 Mikrocoulornb/cm² und Energiepegeln von etwa 25 Kilowatt bis etwa 50 Kilowatt bildweise belichtet. Die Zusammensetzungen werden dann in einem geeigneten Lösungsmittel entwickelt. Bei negativen Resistinatenahen verbleibt jener Teil, der mit der Strahlung belichtet wurde, an Ort und Stelle und stellt die gewünschte Struktur bereit.
  • Die folgenden, nicht beschränkenden Beispiele werden aufgeführt, um die vorliegende Erfindung weiter zu erläutern:
    • Beispiel 1
  • Zu einer 30%igen Lösung von Quatrex 3450 in Diglycolether werden etwa 5 Gewichtsprozent Triphenylsulfonium SbF&sub6; und etwa 2 Gewichtsprozent Anthracenmethanol hinzugefügt.
  • Diese Lösung wird durch Aufschleudern auf einen Siliciumwafer gegossen und getrocknet, um eine Dicke von etwa 1 Mikrometer bereitzustellen. Bei Belichtung mit einer Dosis von 26 Millijoule/cm² durch ein Schmalbandfilter von 365 Nanometer verbleiben bei Kontakt mit dem Diglycolether-Lösungsmittel 100 % der belichteten Dicke des Resistes.
    • Vergleichsbeispiel 2
  • Beispiel 1 wird wiederholt, mit der Ausnahme, daß die Zusammensetzung kein Anthracenmethanol-Sensibil isierungsmittel beinhaltet. Auch nach Belichtung mit einer Dosis von 1000 Millijoule/cm² durch ein Schmalbandfilter von 365 Nanorneter verbleibt nichts von der belichteten Dicke des Resistes bei Kontakt mit dem Diglycolether-Lösungsmittel.
    • Beispiel 3
  • Zu einer 30%igen Lösung von
  • wobei x gleich 1 ist, in Diglycolether werden 5 Gewichtsprozent Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat und 1,5 Gewichtsprozent Anthracenmethanol hinzugefügt.
  • Die Lösung wird durch Aufschleudern auf einen Siliciumwafer gegossen und bei etwa 90 ºC während etwa 5 Minuten getrocknet, um eine Dicke von etwa 2 Mikrometer bereitzustellen.
  • Die Struktur wurde unter Verwendung von ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von etwa 365 Nanometer mit einer Dosis von etwa 20 Millijoule/cm² belichtet.
  • Das Teil wird dann bei etwa 90 ºC bis etwa 100 ºC während etwa 5 Minuten nachgehärtet, um eine weitere Vernetzung des belichteten Polymers zu bewirken. Die Struktur wird dann in Amylacetat entwickelt, gefolgt von einem Trocknen an Luft, damit sich das endgültige Bild ergibt.
    • Beispiel 4
  • Ein Epoxid-Silicon wird durch Reagieren von
  • in Anwesenheit eines HCl-Akzeptors hergestellt, wobei in gleich 1 ist.
  • Es werden 100 Gramm von: Vorpolymer (Molekulargewicht = 552 Gramm/Mol Hydroxyl-Gewicht = 552/4 = 138 Gramm/Mol.OH) in wenigstens 500 ml Tetarhydrofuran aufgelöst, das 20 % molaren Überschuß Triethylamin enthält. Es werden tropfenweise 72 Mol (145,8 Gramm) hinzugefügt.
  • Es bildet sich sofort eine weiße Ausfällung. Die Lösung wird während wenigstens 24 Stunden kräftig gerührt. Dann wird die Aminsalz-Ausfällung ausgefiltert. Die verbleibende Lösung wird mit 1 % HCl dreimal gewaschen - gefolgt von einer wäßrigen Natriumcarbonatlösung, bis der pH-Wert der Lösung 7 bis 8 ist. Dann wird ein Trocknungsvorgang über CaCl&sub2; oder anderen geeigneten Trocknungsagenzien ausgeführt.
  • Das erhaltene Produkt wird durch Reagieren mit 3-Chlorperoxybenzoesäure in der folgenden Weise epoxidiert:
  • 20 Gramm von:
  • Molekulargewicht = 1216 Gramm/Mol, werden vorab in 180 ml Methylenchlorid gelöst. Dies wird tropfenweise zu einer Lösung aus 10 Gramm 85 % m-Chlorperbenzoesäure, aufgelöst in 100 ml Methylenchlorid hinzugefügt. Die Temperatur wird während 24 Stunden auf 10 ºC gehalten. Es reichert sich langsam eine weiße Ausfällung an, die ausgefiltert und verworfen wird. Die verbleibende Lösung wird einmal mit 100 ml 10%iger Essigsäure, dreimal mit 50 ml deionisiertem Wasser und genügend oft mit gesättigter Natriumbicarbonatlösung gewaschen, um einen neutralen pH-Wert zu erreichen. Die Lösung wird dann über einem Trocknungsagens getrocknet.
  • Das erzielte Polymer kann durch die folgende Formel dargestellt werden:
  • Das obige Polymer wird in Diglycolether aufgelöst, um eine Lösung von etwa 25 Gewichtsprozent bereitzustellen. Zu dieser Lösung werden etwa 5 Gewichtsprozent Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat und etwa 2 Gewichtsprozent 9-Anthracenmethanol hinzugefügt. Die Lösung wird gefiltert, um jegliche nicht gelöste Feststoffe zu entfernen, und dann durch Aufschleudern auf einen Siliciumwafer aufgebracht, um eine Dicke von etwa 5 Mikrometer bereitzustellen. Der Film wird bei etwa 90 ºC während etwa 5 Minuten vorgehärtet und mit ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von etwa 360 Nanometer mit einer Dosis von etwa 60 Millijoule/cm² belichtet. Nach der Belichtung werden die Wafer bei etwa 90 ºC während etwa 3 Minuten gehärtet und in Isoamylacetat während etwa einer Minute entwickelt, gefolgt von einer Spülung in Isopropylalkohol. Es wird ein Bild mit sehr hoher Auflösung erzielt.
  • Außerdem ist die Temperaturstabilität des siliciumorganischen Resistes nach Belichtung und Entwicklung äußerst hoch. Die Strukturen werden auf etwa 400 ºC während etwa 24 Stunden erwärmt, ohne daß irgendeine Verzerrung aus der Erwärmung resultiert, und mit einem Verlust an Dicke von weniger als 10 %.
    • Beispiel 5 - (Belichtung mit Elektronenstrahl)
  • Ein Vorpolymer mit der gleichen Struktur, wie in Beispiel 4 verwendet wurde, wird in Diglycolether aufgelöst, um eine Lösung von etwa 25 Gewichtsprozent bereitzustellen. Die Diglycoletherlösung des Vorpolymers wird durch Aufschleudern auf einen Siliciumwafer aufgebracht, um eine Dicke von etwa 300 Mikrometer bereitzustellen. Der Film wird mit einem Elektronenstrahl mit 25 Kilowatt bei etwa 2 Mikrocoulomb/cm² bis 4 Mikrocoulomb/cm² belichtet. Nach der Belichtung werden die Wafer bei etwa 90 ºC während etwa 3 Minuten gehärtet und in Isoamylacetat entwickelt, um Linien mit etwa 0,5 Mikrometer mit sehr hoher Auflösung bereitzustellen.
  • Außerdem ist die Temperaturstabilität des siliciumorganischen Resistes nach Belichtung und Entwicklung äußerst hoch. Die Strukturen werden bei etwa 400 ºC während etwa 24 Stunden behandelt, ohne daß irgendeine Verzerrung aus der Erwärmung resultierte, und mit einem Verlust an Dicke von weniger als 10 %.
    • Beispiel 6 - (Belichtung mit Elektronenstrahl)
  • Beispiel 5 wird wiederholt, mit der Ausnahme, daß die Diglycoletherlösung des Vorpolymers auf einem Siliciumsubstrat angebracht wird, das bereits mit einer gehärteten, 1,2 Mikrometer dicken Schicht aus Shipley AZ Photoresist beschichtet ist. Das entwickelte siliciumorganische Resist wird als Maske für einen reaktiven Ionenätzvorgang des AZ-Photoresistes mit Sauerstoff verwendet. Dies sorgt für eine ausgezeichnete Auflösung und erlaubt ein Unterätzen der AZ-Schicht ohne Kantenbruch der relativ dünnen siliciumorganischen Schicht.

Claims (15)

1. Für ultraviolettes Licht empfindliche Photomitiatorzusammensetzung, die für kationische Polymerisationsreaktionen geeignet ist und welches beinhaltet:
A) wenigstens ein Anthracenderivat, das durch folgende Formel dargestellt wird
wobei X CH=CH&sub2; oder
-(-CH&sub2;-)-n O-(-R) ist, wobei R gewählt wird aus einer Gruppe mit H, und
wobei jedes RI, RII und RIII individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl, Aryl,
und
ausgewählt wird, wobei jedes RIV, RV und RVI individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl und Aryl ausgewählt wird;
wobei m eine ganze Zahl zwischen 0 und 4, p eine ganze Zahl zwischen 0 und 4; und n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2 ist;
B) ein Oniumsalz; und
C) ein organisches Lösungsmittel, wobei das Gewichtsverhältnis von A:B etwa 1:2 bis ewa 1:10 beträgt.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Anthracenderivat aus der Gruppe mit 9-Anthracenmethanol; 9-Vinylanthracen; und dem Trimethylsiloxyether von 9-Anthracenmethanol ausgewählt wird.
3. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 1 und 2, wobei das Oniumsalz Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat beinhaltet.
4. Zusammensetzung nach Anspruch 3, wobei das Oniumsalz eine 50/50-Mischung aus
ist.
5. Für ultraviolettes Licht empfindliche Zusammensetzung, umfassend:
A) ein kationisch polymerisierbares Material;
B) ein Oniumsalz in einer Menge, die ausreicht, um eine Polymerisation des kationisch polymerisierbaren Materials zu bewirken; und
C) ein Anthracenderivat, das durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei X CH=CH&sub2; oder
-(-CH&sub2;-)-n O-(-R) ist, wobei R aus der Gruppe mit H,
ausgewählt wird, wobei jedes RI, RII, und RIII individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl, Aryl,
ausgewählt wird, wobei jedes RIV, RV und RVI indi- viduell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl und Aryl ausgewählt wird; wobei in eine ganze Zahl zwischen 0 und 4, p eine ganze Zahl zwischen und 4; und n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2 ist;
und wobei das Gewichtsverhältnis von B:C etwa 1:2 bis etwa 1:10 beträgt.
6. Zusammensetzung nach Anspruch 5, wobei das Anthracenderivat aus der Gruppe mit 9-Anthracenmethanol; 9-Vinylanthracen; und dem Trimethylsiloxyether von 9-Anthracenmethanol ausgewählt wird.
7. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 5 und 6, wobei das Oniumsalz Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat beinhaltet.
8. Zusammensetzung nach Anspruch 7, wobei das Oniumsalz eine 50/50-Mischung von
ist.
9. Zusammensetzung nach Anspruch 5, wobei das kationisch polymerisierbare Material ein Epoxidpolymer oder ein Siliconpolymer ist.
10. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 5 und 9, wobei das polymerisierbare Siliconpolymer durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei x zwischen 1 und 100 liegt.
11. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 5 und 9, wobei das Siliconpolymer durch folgende Formel dargestellt wird:
12. Verfahren zur Bildung einer Photoresiststruktur, das umfaßt:
A) Bereitstellen eines ungehärteten Films auf einem Substrat, bestehend aus:
1) einem kationisch polymerisierbaren Material;
2) einem Oniumsalz in einer Menge, die ausreicht, um eine Polymerisation des kationisch polymerisierbaren Materials zu bewirken; und
3) einem Anthracenderivat, das durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei X CH=CH&sub2; oder
-(-CH&sub2;-)-n O-(-R) ist, wobei R aus der Gruppe mit H,
ausgewählt wird, wobei jedes RI, RII und RIII individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl, Aryl,
ausgewähli wird, wobei jedes RIV, RV und RVI individuell aus der Gruppe von Alkyl, Alkenyl und Aryl ausgewählt wird; wobei in eine ganze Zahl zwischen 0 und 4, p eine ganze Zahl zwischen und 4; und n eine ganze Zahl zwischen 1 und 2 ist; und wobei das Gewichtsverhältnis von 2:3 etwa 1:2 bis etwa 1:10 beträgt;
B) bildweises Belichten des ungehärteten Films mit ultraviolettem Licht mit einer Struktur, um dadurch eine kationische Polymerisation des Films in der Struktur zu bewirken; und
C) Entwickeln des Photoresistes.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Wellenlänge des ultravioletten Lichtes etwa 300 Nanometer bis etwa 400 Nanometer beträgt.
14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das kationisch polymerisierbare Material ein Epoxid- oder ein Siliconpolymer ist.
15. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Strahlung diejenige eines Elektronenstrahls ist.
DE69024452T 1989-10-10 1990-10-08 UV-Lichtempfindliche Fotoinitiatorzusammensetzungen, ihre Verwendung und strahlungsempfindliche Zusammensetzungen Expired - Fee Related DE69024452T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/419,047 US5059512A (en) 1989-10-10 1989-10-10 Ultraviolet light sensitive photoinitiator compositions, use thereof and radiation sensitive compositions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69024452D1 DE69024452D1 (de) 1996-02-08
DE69024452T2 true DE69024452T2 (de) 1996-07-11

Family

ID=23660582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69024452T Expired - Fee Related DE69024452T2 (de) 1989-10-10 1990-10-08 UV-Lichtempfindliche Fotoinitiatorzusammensetzungen, ihre Verwendung und strahlungsempfindliche Zusammensetzungen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5059512A (de)
EP (1) EP0422570B1 (de)
JP (1) JPH0641521B2 (de)
DE (1) DE69024452T2 (de)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69131658T2 (de) * 1990-06-25 2000-04-27 Matsushita Electronics Corp., Kadoma Licht- oder strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE69130966T2 (de) * 1990-07-06 1999-09-16 Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo Resistmaterial, Methode zu seiner Herstellung und Verfahren zum Herstellen von Resistbildern mit diesem Material
US5457003A (en) * 1990-07-06 1995-10-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Negative working resist material, method for the production of the same and process of forming resist patterns using the same
JP2752786B2 (ja) * 1990-11-19 1998-05-18 三菱電機株式会社 カラーフィルターの表面保護膜
US5229251A (en) * 1991-04-29 1993-07-20 International Business Machines Corp. Dry developable photoresist containing an epoxide, organosilicon and onium salt
US5286599A (en) * 1991-09-26 1994-02-15 International Business Machines Corporation Base developable negative photoresist composition and use thereof
US5414069A (en) * 1993-02-01 1995-05-09 Polaroid Corporation Electroluminescent polymers, processes for their use, and electroluminescent devices containing these polymers
DE69511141T2 (de) * 1994-03-28 2000-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resistzusammensetzung für tiefe Ultraviolettbelichtung
DE4435487A1 (de) * 1994-10-04 1996-04-11 Hoechst Ag Mit Silikonen kompatible Photoinitiatoren und diese enthaltende lichtempfindliche Gemische
JP2697680B2 (ja) * 1995-05-31 1998-01-14 日本電気株式会社 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物
US5707780A (en) * 1995-06-07 1998-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photohardenable epoxy composition
US5583195A (en) * 1995-09-29 1996-12-10 General Electric Company Photocurable epoxy silicones functionalized with fluorescent or photosensitizing marker dyes
US6136498A (en) * 1996-06-28 2000-10-24 International Business Machines Corporation Polymer-bound sensitizer
US5919601A (en) * 1996-11-12 1999-07-06 Kodak Polychrome Graphics, Llc Radiation-sensitive compositions and printing plates
US5976770A (en) * 1998-01-15 1999-11-02 Shipley Company, L.L.C. Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same
US6383712B1 (en) 1998-06-05 2002-05-07 International Business Machines Corporation Polymer-bound sensitizer
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
JP4130030B2 (ja) 1999-03-09 2008-08-06 富士フイルム株式会社 感光性組成物および１，３−ジヒドロ−１−オキソ−２ｈ−インデン誘導体化合物
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
EP1190277B1 (de) 1999-06-10 2009-10-07 AlliedSignal Inc. Spin-on-glass antireflektionsbeschichtungen aufweisender halbleiter für photolithographie
DE60130187T2 (de) * 2000-12-13 2008-05-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Strahlenhärtbare Siliconzusammensetzungen
US6582890B2 (en) 2001-03-05 2003-06-24 Sandia Corporation Multiple wavelength photolithography for preparing multilayer microstructures
DE10148894A1 (de) * 2001-10-04 2003-04-30 Fraunhofer Ges Forschung Photochemisch und/oder thermisch strukturierbare Harze auf Silanbasis, einstufiges Verfahren zu deren Herstellung, dabei einzetzbare Ausgangsverbindungen und Herstellungsverfahren für diese
GR1004163B (el) * 2001-11-01 2003-02-21 Πολυκυκλικα παραγωγα τροποποιησης των οπτικων ιδιοτητων και των ιδιοτητων αντοχης στο πλασμα των πολυμερων λιθογραφιας
KR20040075866A (ko) 2001-11-15 2004-08-30 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 포토리소그래피용 스핀-온 무반사 코팅
EP1343048A3 (de) * 2002-03-08 2004-01-14 JSR Corporation Anthracenderivate und strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung
US20050074981A1 (en) * 2003-10-06 2005-04-07 Meagley Robert P. Increasing the etch resistance of photoresists
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
JP4452572B2 (ja) 2004-07-06 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物およびそれを用いた画像記録方法
EP1701213A3 (de) 2005-03-08 2006-11-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lichtempfindliche Zusammensetzung
JP4474317B2 (ja) 2005-03-31 2010-06-02 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP5276264B2 (ja) 2006-07-03 2013-08-28 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、平版印刷版の製造方法
JP5028937B2 (ja) * 2006-10-04 2012-09-19 川崎化成工業株式会社 新規なアントラセン化合物、その製造方法およびその用途
US8541063B2 (en) 2007-02-06 2013-09-24 Fujifilm Corporation Undercoat solution, ink-jet recording method and ink-jet recording device
DE602008006279D1 (de) 2007-02-07 2011-06-01 Fujifilm Corp Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung mit Wartungsvorrichtung für Tintenstrahldruckkopf und Wartungsverfahren für einen Tintenstrahldruckkopf
JP5227521B2 (ja) 2007-02-26 2013-07-03 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、インクセット
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP5224699B2 (ja) 2007-03-01 2013-07-03 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び平版印刷版
JP5306681B2 (ja) 2007-03-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 重合性化合物、重合体、インク組成物、印刷物及びインクジェット記録方法
JP5243072B2 (ja) 2007-03-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、並びに、それを用いた画像記録方法及び画像記録物
DE102007043559B4 (de) * 2007-09-13 2012-05-31 Carl Zeiss Vision Gmbh Verwendung eines lichthärtenden thermoplastischen Epoxidharzklebstoffs zum Blocken oder Kleben von optischen Bauelementen
JP4898618B2 (ja) 2007-09-28 2012-03-21 富士フイルム株式会社 インクジェット記録方法
JP5227560B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-03 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物の製造方法
JP5265165B2 (ja) 2007-09-28 2013-08-14 富士フイルム株式会社 塗布装置及びこれを用いるインクジェット記録装置
JP5254632B2 (ja) 2008-02-07 2013-08-07 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物
US20090214797A1 (en) 2008-02-25 2009-08-27 Fujifilm Corporation Inkjet ink composition, and inkjet recording method and printed material employing same
JP5583329B2 (ja) 2008-03-11 2014-09-03 富士フイルム株式会社 顔料組成物、インク組成物、印刷物、インクジェット記録方法、及びポリアリルアミン誘導体
JP4914862B2 (ja) 2008-03-26 2012-04-11 富士フイルム株式会社 インクジェット記録方法、及び、インクジェット記録装置
JP5414367B2 (ja) 2008-06-02 2014-02-12 富士フイルム株式会社 顔料分散物及びそれを用いたインク組成物
JP5383133B2 (ja) 2008-09-19 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
JP2010077228A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、及び、印刷物
JP2010180330A (ja) 2009-02-05 2010-08-19 Fujifilm Corp 非水系インク、インクセット、画像記録方法、画像記録装置、および記録物
JP5350827B2 (ja) 2009-02-09 2013-11-27 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP5349095B2 (ja) 2009-03-17 2013-11-20 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP5349097B2 (ja) 2009-03-19 2013-11-20 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物の製造方法
JP5383289B2 (ja) 2009-03-31 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット用であるインク組成物、インクジェット記録方法、およびインクジェット法による印刷物
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
JP5572026B2 (ja) 2009-09-18 2014-08-13 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP5530141B2 (ja) 2009-09-29 2014-06-25 富士フイルム株式会社 インク組成物及びインクジェット記録方法
JP5343067B2 (ja) 2010-12-28 2013-11-13 日東電工株式会社 光硬化性樹脂組成物および光学材料
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
EP2644664B1 (de) 2012-03-29 2015-07-29 Fujifilm Corporation Durch aktinische Strahlung härtbare Tintenzusammensetzung, Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren, Dekorfolie, Dekorfolienformprodukt, Verfahren zur Herstellung eines In-Mold-Formartikels sowie In-Mold-Formartikel
JP5980702B2 (ja) 2013-03-07 2016-08-31 富士フイルム株式会社 インクジェットインク組成物、インクジェット記録方法、及び、成型印刷物の製造方法
JP5939644B2 (ja) 2013-08-30 2016-06-22 富士フイルム株式会社 画像形成方法、インモールド成型品の製造方法、及び、インクセット
JP6803842B2 (ja) 2015-04-13 2020-12-23 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3294717A (en) * 1963-12-23 1966-12-27 Gen Electric Process and composition for producing organopolysiloxanes
US4318766A (en) * 1975-09-02 1982-03-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process of using photocopolymerizable compositions based on epoxy and hydroxyl-containing organic materials
US4069054A (en) * 1975-09-02 1978-01-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photopolymerizable composition containing a sensitized aromatic sulfonium compound and a cationacally polymerizable monomer
US4100134A (en) * 1977-03-28 1978-07-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Storage-stable epoxy-terminated silane prepolymer
US4173476A (en) * 1978-02-08 1979-11-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Complex salt photoinitiator
US4218531A (en) * 1978-02-08 1980-08-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Addition of ethylenically unsaturated materials to control odor in photopolymerizable epoxy compositions
US4291114A (en) * 1978-10-18 1981-09-22 Minnesota Mining And Manufacturing Co. Imageable, composite-dry transfer sheet and process of using same
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
US4640967A (en) * 1982-05-06 1987-02-03 General Electric Company Ultraviolet radiation-curable silicone release compositions with epoxy and/or acrylic functionality
GB2137626B (en) * 1983-03-31 1986-10-15 Sericol Group Ltd Water based photopolymerisable compositions and their use
DE3561155D1 (de) * 1984-02-10 1988-01-21 Ciba-Geigy Ag
DE3574418D1 (en) * 1984-05-30 1989-12-28 Fujitsu Ltd Pattern-forming material and its production and use
US4623676A (en) * 1985-01-18 1986-11-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Protective coating for phototools
US4745169A (en) * 1985-05-10 1988-05-17 Hitachi, Ltd. Alkali-soluble siloxane polymer, silmethylene polymer, and polyorganosilsesquioxane polymer
US4689289A (en) * 1986-04-30 1987-08-25 General Electric Company Block polymer compositions
US4760013A (en) * 1987-02-17 1988-07-26 International Business Machines Corporation Sulfonium salt photoinitiators
US4882201A (en) * 1988-03-21 1989-11-21 General Electric Company Non-toxic aryl onium salts, UV curable coating compositions and food packaging use

Also Published As

Publication number Publication date
EP0422570B1 (de) 1995-12-27
JPH03237106A (ja) 1991-10-23
EP0422570A2 (de) 1991-04-17
DE69024452D1 (de) 1996-02-08
EP0422570A3 (en) 1991-10-16
US5059512A (en) 1991-10-22
JPH0641521B2 (ja) 1994-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69024452T2 (de) UV-Lichtempfindliche Fotoinitiatorzusammensetzungen, ihre Verwendung und strahlungsempfindliche Zusammensetzungen
DE69131658T2 (de) Licht- oder strahlungsempfindliche Zusammensetzung
EP0214103B1 (de) Geklebte photostrukturierbare Polyimidfolie
DE69326184T2 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen
DE69012873T2 (de) Negativ-Photoresist und seine Anwendung.
DE69231175T2 (de) Vernetzbare, wässrig entwickelbare Photoresistzusammensetzung
US5605781A (en) Photosensitive composition with cyanate esters and use thereof
JP3037518B2 (ja) レイビル基を有するポリマーを含有する放射線感光性組成物
EP0375929B1 (de) Verfahren zur Strukturierung eines kationisch härtbaren Photolacks
DE69220163T2 (de) In basischem Medium entwickelbarer, negativer Photoresist und seine Verwendung
EP0225454B1 (de) Positiv arbeitendes Resistmaterial mit hoher Widerstandsfähigkeit gegen Ätzen mit reaktiven Sauerstoffionen
US5457005A (en) Dry developable photoresist and use thereof
WO2003052519A1 (fr) Solution de developpement pour resine photosensible
KR101322702B1 (ko) 네가티브-형 감광성 수지 조성물
JPH0659444A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4397601B2 (ja) フェノール−ビフェニレン樹脂を含むネガ型感光性樹脂組成物
US5098816A (en) Method for forming a pattern of a photoresist
KR101090153B1 (ko) 에폭시 화합물을 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물
US5110711A (en) Method for forming a pattern
US5115095A (en) Epoxy functional organosilicon polymer
JPH01144044A (ja) ポジ型フオトレジスト材料
JPH0366661B2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee