JPH0641521B2 - 紫外線感光性の光開始剤組成物、その利用および放射線感光性組成物 - Google Patents

紫外線感光性の光開始剤組成物、その利用および放射線感光性組成物

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JPH0641521B2 JP2237302A JP23730290A JPH0641521B2 JP H0641521 B2 JPH0641521 B2 JP H0641521B2 JP 2237302 A JP2237302 A JP 2237302A JP 23730290 A JP23730290 A JP 23730290A JP H0641521 B2 JPH0641521 B2 JP H0641521B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は紫外線感光性の光開始剤組成物に関するもので
ある。本発明の組成物はカチオン重合を促進するため特
に有用である。特に本発明の組成物は、紫外線による画
像状の露光を使用する、ホトレジストのパターン形成に
際して応用性のあることが認められた。本発明の組成物
は高い感光度を示す。また、本発明の光開始剤組成物は
広い範囲のカチオン重合性モノマーとポリマーの重合を
開始させるために有用である。
本発明はまたある種のエポキシ官能性にされたオルガノ
シリコン組成物にも関連し、このものはＥ−ビームを含
む放射線に対し感受性であり、酸素反応性イオンのエッ
チングに対する耐性を示すものである。
発明の背景 エポキシ樹脂、環状ホルマールと環状アセタールのよう
な、環状エーテル、環状エステル、ポリビニルアセター
ル、フェノプラスト、アミノプラスト、ラクトンおよび
シリコンなどのような材料の、カチオン重合を光化学的
に誘起させるための光開始剤として、多数の化合物が提
案されている。
これらについてはCrivello氏の米国特許第4,161,478
号、およびWatt氏他の「カチオン重合用の新規光開始
剤：ビス〔４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル〕−
サルファイド−ビス−ヘキサフルオロホスフェートの合
成と特性」Journal of Polymer Science:Polymer Chemi
stry Edition,Vol.18,p.1789,ジョン ワイレイアンド
サンズ社 1980年刊を参照されたい。
このようなカチオン重合用の開始剤として、ある種のス
ルホニウム塩とヨードニウム塩とが提案されている。こ
れらの既に提案されたスルホニウム塩とヨードニウム塩
に関する論説もあり、例えばPappas氏他の「カチオン重
合の光開始，III．ジフェニルヨードニウムおよびトリ
フェニルスルホニウム塩の光増感」Journal of Polymer
Science:Polymer Chemistry Edition,Vol.22,pp.77〜8
4,ジョン ワイレイ アンド サンズ社 1984年刊；Cr
ivello氏他の「トリアリールスルホニウム塩により光開
始されるカチオン重合」Journal of Poltmer Science:P
olymer Chemistry Edition,Vol.17,pp.977〜999,ジョン
ワイレイ アンド サンズ社1979年刊；Crivello氏他
の「トリアリールスルホニウム複塩光開始剤，Ｉ．新規
トリアリールスルホニウム塩光開始剤の合成と特性」Jo
urnal of Polymer Science:Polymer Chemistry Editio
n,Vol.18,pp.2677〜2695,ジョン ワイレイ アンド
サンズ社 1980年刊；およびCrivello氏の「カチオン重
合−ヨードニウムおよびスルホニウム塩光開始剤」Adva
nces in Polymer Science,シリーズ♯62,pp.1〜48など
がある。
各種の光開始剤は、また米国特許第4,175,972号；同第
4,442,197号；同第4,139,655号；同第4,400,541号；同
第4,197,174号；同第4,173,476号；同第4,069,055号お
よび同第4,299,938号、そして欧州特許出願第84/009491
4号と同第84/0126712号中でも論じられている。
各種の公知オニウム塩は、広い範囲のカチオン重合性材
料に対してはなはだ効果的な光開始剤であるが、300〜4
00nm領域の紫外線を吸収しないという欠点を有してい
る。しかしこの領域は水銀燈により放出される重要な領
域の１つなのである。このような領域中でオニウム塩を
利用できるようにするために、300〜400nmの領域中の光
を吸収する光増感剤を、オニウム塩に対して添加するこ
とが必要である。従来提案された光増感剤の例はペリレ
ン、アンスラセンおよびアンスラセンの各種アルキル誘
導体などである。
これらの物質は光増感剤として効果的であるが、これら
は通常の有機溶剤中に不溶性であるか、または非常に限
定された溶解性を示すかのいずれかであるためその利用
が限定されていた。この溶解性の問題は、うすい被膜
（例えば、厚み10ミクロン以下）への利用に際してこれ
ら光増感剤の使用を妨げている。
発明の要点 本発明は、極めて効果的であるとともに各種の通常の有
機溶剤中に高い溶解性を示す光増感剤を含む、紫外線感
光性の光開始剤組成物を提供するものである。
特に、本発明はカチオン重合のために好適な感光性光開
始剤組成物に関するものである。本発明の組成物は： A)次の式で表わされる少なくとも１つのアンスラセン誘
導体： ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨおよび の群から選ばれるものであり、そしてｎは１〜２の整数
であり、ＲＩ，ＲIIおよびＲIIIの各々は個々にアルキ
ル、アルケニル、アリール、 および の群から選ばれるものであり、ここでＲIV，ＲＶおよび
ＲVIの各々は個々にアルキル、アルケニルおよびアリー
ルの群から選ばれるものであり；そしてｍは０〜４の整
数であり、ｐは０〜４の整数である。
B)オニウム塩；および C)有機溶剤 とからなり、Ａ：Ｂの重量比は約１：２〜約１：10であ
るものを含んでいる。
これに加え、本発明は A)カチオン重合性の材料； B)カチオン重合性材料の重合を起こさせるのに充分な量
のオニウム塩；および C)次の式で表わされるアンスラセン誘導体： ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨ および の群から選ばれるものであり、ここでｍ，ＲＩ，ＲIIお
よびＲIIIは前に規定したものと同じ意味を有し、ｎは
１〜２の整数であり、そしてＢ：Ｃの重量比は約１：２
〜約１〜10である、 ものを含む紫外線感光性の組成物に関する。
本発明はまたホトレジストにパターンを形成させること
にも関する。この方法はまず以下のものからなる未硬化
の被膜を基体上に準備し： 1)カチオン重合性の材料； 2)カチオン重合性材料の重合を起こさせるのに充分な量
のオニウム塩；および 3)次の式で表わされるアンスラセン誘導体： ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨ および の群から選ばれるものであり、ここでｍ，ＲＩ，ＲIIお
よびＲIIIは前に規定したものと同じ意味を有し、ｎは
１〜２の整数であり、そして2)：3)の重量比は約１：２
〜約１〜10である。
この未硬化の被膜をパターン状に紫外光線に対して画像
状露光し、これにより露光パターン状に被膜のカチオン
重合を起こさせる。このホトレジストは、ついで被膜の
未露光部分を除去するために現像されるのである。
本発明のいま１つの見地から、本発明は以下の式IIと式
IIIで表わされる、放射線感光性のエポキシ官能性化オ
ルガノシリコンガラス樹脂に関連している： および 前記の式IIと式III中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，
Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１および
Ｒ１２の各々は良く知られているものであり、普通シリ
コン−結合有機基およびシリコン−結合水素基に関連し
た基で代表される。式IIと式III中のＲ１，Ｒ２，
Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，
Ｒ１１およびＲ１２の基の各々は、個々に水素、１価の
炭化水素基、エポキシ基、メルカプト基、およびシアノ
アルキル基の群から選ばれたものである。各ａは０〜1
2、好ましくは０〜３の整数であり、ｚは１〜102、好ま
しくは約10〜約20の整数であり、各ｘは０〜２の整数で
ある。
この他、本発明は前記の式IIと式IIIのオルガノシリコ
ン化合物からの、ホトレジストのパターン形成法にも関
連している。この方法は、式IIまたは式IIIのオルガノ
シリコン材料の未硬化被膜を、基体上に準備することを
含んでいる。電子ビーム線のような放射線に対しこの被
膜を画像状に露光し、これにより露光されたパターン状
に被膜の重合を起こさせる。ホトレジストはついで被膜
の未露光部分の除去により現像をされる。
発明を実行するための最良の方式 本発明によれば、ある種のアンスラセン誘導体が紫外線
感光性の光開始剤組成物中で使用される。これらのアン
スラセン誘導体は、300〜400nmの領域の紫外線に対して
組成物を増感するように作用する。この他、本発明によ
り必要とされるこの特定のアンスラセン誘導体は、広い
範囲の通常の有機溶剤中に容易に溶解する。本発明を成
功させるためには、使用されるこのアンスラセン誘導体
が、以下の式で示される。１つまたはいくつかの化合物
であることが大切である：すなわち ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨまたは であり；ｎは１〜２の整数、好ましくは１〜０であり；
ｍは０〜４の整数、好ましくは０であり；そしてＲＩ，
ＲIIおよびＲIIIはそれぞれアルキル、アルケニル、ア
リール、 および の群から選ばれるものであり、ここでＲIV，ＲＶおよび
ＲVIの各々は個々にアルキル、アルケニルおよびアリー
ルの群から選ばれるものであり、そしてｐは０〜４の整
数、好ましくは１である。ＲＩ，ＲIIおよびＲIIIの各
々は好ましくはアルキル基であり、もっとも好ましくは
メチル基である。
適当なアルキル基の実例は１〜６個の炭素原子を含むも
のであり、メチル、エチル、プロピル、ブチルおよびペ
ンチルなどが含まれる。
アルケニル基の例は２〜６個の炭素原子を含むもので、
エチレン、プロピレンおよびプチレンなどが含まれる。
アリール基の例は６〜14個の炭素原子を含むもので、フ
ェニル、ナフチルおよびアンスラシルなどが含まれる。
本発明で使用するのに適した特定のアンスラセン誘導体
は： ９−アンスラセンメタノール； ９−ビニルアンスラセンおよび９−アンスラセンメタノ
ールのトリメチルシロキシエーテル、などである。
本発明の紫外線感光性の光開始剤組成物はまた放射線感
光性のオニウム塩を含んでいる。
適当なオニウム塩の例には、米国特許第4,175,972号中
で論じられている第IV族元素の芳香族オニウム塩と、米
国特許第4,069,055号中で論じられている第Va族元素の
芳香族オニウム塩が含まれ、これらの特許を参考に挙げ
ておく。
第IVa族芳香族オニウム塩には次の式で表わされるもの
が含まれる： 〔（Ｒ）ａ（Ｒ１）ｂ（Ｒ２）ｃＸ〕d +〔ＭＱｅ〕
-(e-f)ここでＲは１価の芳香族有機基、Ｒ１はアルキ
ル、シクロアルキルおよび置換アルキルから選ばれる１
価の脂肪族有機基、Ｒ２は異項環または脂肪族基および
芳香族基から選ばれ縮合環構造を形成する多価の有機
基、Ｘはイオウ、セレニウム、およびテルリウムから選
ばれる第IVa族元素、Ｍは金属または半金属、Ｑはハロ
ゲン、ａは０〜３の整数、ｂは０〜２の整数、ｃは０ま
たは１に相当する整数であり、ここでａ＋ｂ＋ｃの合計
は３またはＸの原子価に等しい値であり、ｄ＝ｅ−ｆで
ｆはＭの原子価であり、２〜７に相当する整数、そして
ｅはｆより大きく８までの値をもつ整数である。
Ｒに含まれる基は、例えばフェニル、トリル、ナフチ
ル、アンスリルのようなＣ６−１３の芳香族炭化水素
基、Ｃ１−８のアルコキシ、Ｃ１−８のアルキル、ニト
ロ、クロロ、およびヒドロキシのような１価基の１〜４
個で置換された前記の基；ベンジルとフェニルアシルの
ようなアリールアシル基；ピリジルとフルフリルのよう
な芳香性異項環基などである。Ｒ１にはメチルとエチル
のようなＣ１−８のアルキル、−Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３，−
ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，−ＣＨ２ＣＯＣＨ３，等のよう
な置換アルキル基が含まれる。Ｒ２には次のような構造
のものが含まれる： など。
式ＩのＭＱｅ−（ｅ−ｆ）に含まれる錯陰イオンは、例
えばＢＦ4 -，ＰＥ6 -，ＳｂＦ6 -，ＦｅＣｌ4 -，ＳｎＣｌ
6 -，ＳｂＣｌ6 -，ＢｉＣｌ5 -，ＡｌＦ6 -3，ＧａＣ
ｌ4 -，ＩｎＦ4 -，ＴｉＦ6 -，などで、ここでＭはＳｂ，
Ｆｅ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓ
ｃ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏのような遷移金属、例えばＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄなどのランタナイド類、Ｔｈ，Ｐａ，
Ｕ，Ｎｐなどのアクチニド類のような希土類元素、そし
てＢ，ＰおよびＡｓのような半金属などである。
式Ｉに含まれる第VIa族オニウム塩は、例えば： などである。
第Va族芳香族オニウム塩には次の式で表わされるものが
含まれる： 〔（Ｒ）ａ（Ｒ１）ｂ（Ｒ２）ｃＸ１〕d +〔ＭＱｅ〕
−（ｅ−ｆ） (2) ここでＲは炭素環基と異項環基から選ばれた１価の芳香
族有機基、Ｒ１はアルキル、アルコキシ、シクロアルキ
ルおよびこれらの置換誘導体から選ばれた１価の有機脂
肪族基、Ｒ２は芳香系異項環またはＸ１とともに縮合環
構造を形成する多価の有機基、Ｘ１はＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓ
ｂおよびＢｉから選ばれる第Va族元素、Ｍは金属または
半金属、Ｑはハロゲン、ａは０〜４に相当する整数、ｂ
は０〜２に相当する整数、ｃは０〜２に相当する整数、
そしてａ＋ｂ＋ｃの合計は４またはＸ１の原子価に等し
い値であり、ｄ＝ｅ−ｆでｆはＭの原子価であり、２〜
７に相当する整数、そしてｅはｆより大で８までの値を
もつ整数である。
Ｒに含まれる基は、例えばフェニル、トリル、ナフチ
ル、アンスリルのようなＣ６−１３の芳香族炭化水素
基、およびＣ１−８のアルコキシ、Ｃ１−８のアルキ
ル、ニトロ、クロロおよびヒドロキシのような１価の基
の１〜４個で置換された前記の基；フェニルアシルのよ
うなアリールアシル基；フェニルエチルのようなアリー
ルアルキル基；ピリジルおよびフルフリルのような芳香
系異項環基などであり；Ｒ１にはＣ１−８のアルキル、
Ｃ３−８のシクロアルキル、ハロアルキル例えばクロロ
エチルのような置換アルキル；ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５とＯＣ
Ｈ３のようなアルコキシ；−Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３のような
アルコキシアルキル；−ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５のような
アルキルアシル；−ＣＨ２ＣＯＣＨ３のようなケトアル
キルなどが含まれる。
Ｒ２に含まれる基には、例えば などがあり、ここでＱはＯ，ＣＨ２，Ｎ，ＲおよびＳか
ら選ばれ；Ｚは−Ｏ−，−Ｓ−および から選ばれ、そしてＲ′は水素および炭化水素から選ば
れる１価の基である。ＭＱｅ −（ｅ−ｆ）に含まれる錯
陰イオンは、例えばＢＦ4 -，ＰＦ6 -，ＡｓＦ6 -，ＦｅＣ
ｌ4 -2，ＳｎＣｌ6 -，ＳｂＣｌ6 -，ＢｉＣｌ5 -2などで、
ここでＭはＳｂ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｃ，Ｖ，Ｃｒ，ＭｎおよびＣｏのよ
うな遷移金属；ランタナイド例えばＣｅ，Ｐｒ，および
Ｎｄのような希土類元素；Ｔｈ，Ｐａ，ＶおよびＮｐの
ようなアクチニド；そしてＢ，Ｐ，およびＡｓのような
半金属などである。
僅かに加水分解される陰イオン、例えばＳｂＦ５ＯＨ−
は本発明の目的に対してアニオンの未加水分解形のもの
と充分均等なものと見做される。
アンスラセン誘導体のオニウム塩に対する重量比は通常
約１：２〜約１：10で、好ましくは約１：４〜約１：５
である。
この他、光開始剤組成物は開始剤の使用のために、重合
性の組成物と前記組成物各成分との混合を容易とするた
めに、通常有機溶剤を含んでいる。適当な有機溶剤には
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソ−プ
ロパノールおよびｎ−ブタノールのような飽和脂肪族１
価アルコール類；ベンゼン、トルエンおよびキシレンの
ような芳香族炭化水素類；プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−メト
キシエチルエーテルなどが含まれる。
有機溶剤は組成物の全重量を基準に通常約30〜約90重量
％、好ましくは約60〜約75重量％の量で使用される。
本発明の感光性組成物は、エポキシポリマー、フェノプ
ラスト、アミノプラスト、ポリビニルアセタール、ラク
トン、環式エーテル、環式アセタールと環式ホルマール
のような環式エステル、およびシリコンなどの重合のよ
うなカチオン重合のための光開始剤として有用である。
エポキシポリマーの代表的な例にはエポキシ化されたノ
ボラックポリマー、およびエピクロヒドリンのようなハ
ロ−エポキシアルカンとビスフェノールＡのような多核
２価フェノールとからのポリエポキサイドが含まれる。
必要なときにはエポキシサイドの混合物を使用すること
もできる。
エポキシ化されたノボラックポリマーは市場で入手する
ことができ、またハロ−エポキシアルカンとフェノール
の熱可塑性フェノールアルデヒドとの反応による既知の
方法で作ることができる。フェノールは単核または多核
のいずれでも良い。単核フェノールの例は次の式を有し
ている： ここでＸ，Ｙ，およびＲ５は約12個よりも多くない炭素
原子を含む炭化水素である。
エポキシノボラックを作るのに適したポリマーを与える
ための、アルデヒド縮合用のフェノール性水酸基に対し
てオルソまたはパラの２つの有効位置をもつ炭化水素置
換フェノール類には、ｏ−およびｐ−クレゾール、ｏ−
およびｐ−エチルフェノール、ｏ−およびｐ−イソプロ
ピルフェノール、ｏ−およびｐ−ｔ−ブチルフェノー
ル、ｏ−およびｐ−イソブチルフェノール、ｏ−および
ｐ−アミルフェノール、ｏ−およびｐ−オクチルフェノ
ール、ｏ−およびｐ−ノニルフェノール、2,5-キシレノ
ール、3,4-キシレノール、2,5-ジエチルフェノール、3,
4-ジエチルキシレノール、2,5-ジイソプロピルフェノー
ル、４−メチルレゾルシノール、４−エチルレゾルシノ
ール、４−イソプロピルレゾルシノール、４−ｔ−ブチ
ルレゾルシノール、ｏ−およびｐ−ベンジルフェノー
ル、ｏ−およびｐ−フェネチルフェノール、ｏ−および
ｐ−フェニルフェノール、ｏ−およびｐ−トリルフェノ
ール、ｏ−およびｐ−キシリルフェノール、ｏ−および
ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−およびｐ−シクロ
ペンチルフェノール、４−フェネチルレゾルシノール、
４−トリルレゾルシノール、および４−シクロヘキシル
レゾルシノールなどが含まれる。
エポキシノボラックを作るのに適した、フェノール−ア
ルデヒド樹脂の製造に用いることのできる各種のクロロ
置換フェノール類には、ｏ−およびｐ−クロロ−フェノ
ール、2,5-ジクロロ−フェノール、2,3-ジクロロ−フェ
ノール、3,4-ジクロロ−フェノール、２−クロロ−３−
メチル−フェノール、２−クロロ−５−メチル−フェノ
ール、３−クロロ−２−メチル−フェノール、５−クロ
ロ−２−メチル−フェノール、３−クロロ−４−メチル
−フェノール、４−クロロ−３−メチル−フェノール、
４−クロロ−３−エチル−フェノール、４−クロロ−３
−イソプロピル−フェノール、３−クロロ−４−フェニ
ル−フェノール、３−クロロ−４−クロロフェニル−フ
ェノール、3,5-ジクロロ−４−メチル−フェノール、3,
5-ジクロロ−５−メチル−フェノール、3,5-ジクロロ−
２−メチル−フェノール、2,3-ジクロロ−５−メチル−
フェノール、2,5-ジクロロ−３−メチル−フェノール、
３−クロロ−4,5-ジメチル−フェノール、４−クロロ−
3,4-ジメチル−フェノール、２−クロロ−3,5-ジメチル
−フェノール、５−クロロ−2,3-ジメチル−フェノー
ル、５−クロロ−3,5−ジメチルフェノール、2,3,5−ト
リクロロ−フェノール、3,4,5−トリクロロ−フェノー
ル、４−クロロ−レゾルシノール、4,5−ジクロロ−レ
ゾルシノール、４−クロロ−５−メチル−レゾルシノー
ル、５−クロロ−４−メチル−レゾルシノールなどが含
まれる。
アルデヒド縮合のために有効なフェノール性水酸基に対
するオルソまたはパラ位置を２つ以上もち、そしてコン
トロールされたアルデヒド縮合に用いることのできる代
表的なフェノール類はフェノール、ｍ−クレゾール、3,
5−キシレノール、ｍ−エチルおよびｍ−イソプロピル
フェノール、m,m′−ジエチルおよびジイソプロピルフ
ェノール、ｍ−ブチル−フェノール、ｍ−アミルフェノ
ール、ｍ−オクチルフェノール、ｍ−ノニルフェノー
ル、レゾルシノール、５−メチル−レゾルシノール、５
−エチル−レゾルシノール、などである。
多核ジヒドロキシフェノール類の例は次の式を有するも
のである。
ここでＡｒはナフチレンのような２価の芳香族炭化水
素、好ましくはフェニレンであり；ＡとＡ１は同じでも
異なっていてもよい、好ましく１〜４個の炭素原子をも
つアルキル基、ハロゲン原子、すなわちフッ素、塩素、
臭素およびヨウ素など、または好ましく１〜４個の炭素
原子をもつアルコキシ基；ｘとｙは０から芳香族基（Ａ
ｒ）上の置換基により置換することのできる水素原子数
に相当する最高値までの値の整数、そしてＲ６はジヒド
ロキシジフェニル中の隣接する炭素原子間の結合である
か、または例えば： −Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−，および−Ｓ−
Ｓ−を含む２価の基、およびアルキレン、アルキリデン
のような２価の炭化水素基、シクロ脂肪族基、例えばシ
クロアルキレンとシクロアルキリデン、ハロゲン化され
た、アルコキシまたはアリールオキシ置換されたアルキ
レン、アルキリデンおよびシクロ脂肪族基、同じくハロ
ゲン化された、アルキル、アルコキシまたはアリールオ
キシ置換された芳香族基およびＡｒ基に縮合された環を
含むアルクアリーレンおよび芳香族基；またはＲ６はポ
リアルコキシ、またはポリシロキシ、または芳香環、第
３アミノ基、エーテル結合、カルボニル基、もしくはス
ルホオキサイドのようなイオウを含む基、その他により
分離された２個もしくはそれ以上のアルキリデン基であ
りうる。
特定のジヒドロキシ多核フェノール類の例には、他にも
あるが2,2′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、2,4′−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス−
（２−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−2,6
−ジメチル−３−メトキシフェニル）メタン、1,1′−
ビス−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、1,2′−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、1,1′−ビス
−（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エタン、1,
1′−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、1,3′−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、2,2′−ビス−（３−フェニル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、2,2′−ビス（３−
イソピロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、2,
2′−ビス−（２−イソプロピル−４−ヒドロキシフェ
ニル）ペンタン、2,2′−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）フェ
ニルメタン、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキシルメタン、1,2′−ビス−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−1,2′−ビス−（フェニル）プロパンおよび2,
2′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニ
ル−プロパンのようなビス−（ヒドロキシフェニル）ア
ルカン類；ビス−（４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、2,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、５′−
クロロ−2,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、お
よび５′−クロロ−4,4′ジヒドロキシジフェニルスル
ホンのようなジ（ヒドロキシフェニル）スルホン類；ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、4,4′−，
4,2′−，2,2′−，2,3′−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル類；4,4′−ジヒドロキシ−2,6−ジメチル−ジフ
ェニルエーテル、ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソブ
チルフェニル）エーテル、ビス−（４−ヒドロキシ−３
−イソプロピルフェニル）エーテル、ビス−（４−ヒド
ロキシ−３−クロロフェニル）エーテル、ビス−（４−
ヒドロキシ−３−フロロフェニル）エーテル、ビス−
（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）エーテル、ビ
ス−（４−ヒドロキシナフチル）エーテル、ビス−（４
−ヒドロキシ−３−クロロナフチル）エーテル、ビス−
（２−ヒドロキシジフェニル）エーテル、4,4′−ジヒ
ドロキシ−2,6−ジメトキシジフェニルエーテル、およ
び4,4′−ジヒドロキシ−2,5−ジエトキシジフェニルエ
ーテルなどが含まれる。
好ましいジヒドロキシ多核フェノール類は次の式により
表わされる： ここでＡとＡ１とは前に定義したとおりであり、ｘとｙ
とは０〜４の値をもつものであり、そしてＲ６は２価の
飽和脂肪族炭化水素基、特にＣ１〜３のアルキレンおよ
びアルキリデン基、および10個までの炭素原子をもつシ
クロアルキレン基である。もっとも好ましいジヒドロキ
シフェノールはビスフェノールＡ、すなわち2,2′−ビ
ス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンである。
縮合剤としては、使用されたフェノールと縮合するどの
ようなアルデヒドも用いることができ、これらにはホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド、ヘプトアルデヒド、シクロヘキ
サノン、メチルシクロヘキサノン、シクロペンタノン、
ベンズアルデヒド、およびトルイアルデヒドのような核
アルキル置換ベンズアルデヒド、ナフトアルデヒド、フ
ルフラアルデヒド、グリオキザール、アクロレイン、ま
たはパラ−ホルムアルデヒド、ヘキサメチレンテトラミ
ンのようにアルデヒドを生成しうる化合物などが含まれ
る。アルデヒドはまた市場で入手できるホルマリンのよ
うな溶液の形で使用することもできる。好ましいアルデ
ヒドはホルムアルデヒドである。
ハロ−エポキシアルカンは次の式で表わすことができ
る： ここでＸはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素など）、
ｐは１〜８の整数、各Ｒ２はそれぞれ水素または７個ま
での炭素原子のアルキル基であり；ここでエポキシのア
ルキル基中の炭素原子の数は合計で炭素原子数10個の超
えないものである。
エピクロロヒドリンからの導かれたようなグリシジルエ
ーテル類が、本発明の実施に際して特に好ましいもので
はあるが、さらに大きな炭素原子数エポキシ−アルコキ
シ基を含むエポキシポリマーもまた適当である。これら
はエピクロヒドリンの代わりに、相当するモノヒドロキ
シアルカンの塩化物または臭化物、例えば１−クロロ−
2,3−エポキシブタン、１−クロロ−3,4−エポキシブタ
ン、２−クロロ−3,4−エポキシブタン、１−クロロ−
２−メチル−2,3−エポキシプロパン、１−ブロモ−2,3
−エポキシペンタン、２−クロロメチル−1,2−エポキ
シブタン、１−ブロモ−４−メチル−3,4−エポキシペ
ンタン、１−ブロモ−４−エチル−2,3−エポキシペン
タン、３−クロロ−２−メチル−2,3−エポキシペンタ
ン、１−クロロ−2,3−エポキシオクタン、１−クロロ
−２−メチル−2,3−エポキシオクタン、または１−ク
ロロ−2,3−エポキシデカンなどを用いることにより作
られる。前記したものよりさらに大きな炭素原子をもつ
ハロエポキシアルカンを用いることもできるが、一般的
に合計で10個より多い炭素原子をもつものを用いても利
点はない。
前述のタイプのハロエポキシアルカンと前記タイプの多
核シヒドロキシフェノールとのポリエポキシサイドを用
いることができ、この型式の好ましいポリエポキシサイ
ドはビスフェノールＡ、すなわち2,2−ビス（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）プロパンとエピクロヒドリンとのポリ
エポキシサイドである。
本発明の開始剤組成物はオルガノシリコン樹脂の重合に
特に適しており、末端にヒドロキシル基をもつようなポ
リシルセスキオキザンプレポリマーの重合に好適であ
る。このようなものは次の構造式で表わすことができ
る： 上記式中のＲとＲ１の各々は良く知られたものであり、
シリコン−結合有機基およびシリコン−結合水酸基に通
常関連した基により代表される。式中のＲとＲＵ１基の
各々は個々に水素、１価の炭化水素基、ハロゲン化され
た１価炭化水素基、エポキシ基、メルカプト基、および
シアノアルキル基の群から選ばれる。すなわち、ＲとＲ
１の基はメチル、エチル、プロピル、ブチル、およびオ
クチルのようなアルキル基；フェニル、トリル、キシリ
ル、およびナフチルのようなアリール基；ベンジル、お
よびフェニルエチルのようなアラルキル基；ビニル、ア
リル、シクロヘクセニルのようなオレフィン系不飽和１
価炭化水素基；シクロヘキシル、シクロヘプチルのよう
なシクロアルキル基；1,1,1−トリフロロプロピル、ク
ロロフェニル、ジブロモフェニル、およびクロロメチル
のようなハロゲン化された１価炭化水素基；シアノエチ
ル、およびシアノプロピルのようなシアノアルキル基な
どとすることができる。好ましく、ＲとＲ１で示される
基は８個より少ない炭素原子を有し、特に好ましいＲと
Ｒ１はメチル、エチル、またはプロピルである。
特に好ましいオルガノシリコンポリマーはある種のエポ
キシ−官能性オルガノシリコンガラス樹脂である。この
ものは高いガラス転位点温度、高いコントラストと感度
とを有し、そして酸素の反応性イオンエッチングに対す
る高い耐性を有している。
このようなものの例は次の構造式IIとIIIとにより表わ
すことができる： および 前記の式IIと式IIIのＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，
Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１およびＲ１２
の各々は良く知られているものであり、シリコン−結合
有機基およびシリコン結合−水酸基に通常関連した基に
より代表される。式IIと式III中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，
Ｒ１１，およびＲ１２の基の各々は、個々に水素、１価
の炭化水素基、エポキシ基、メルカプト基、およびシア
ノアルキル基などの群から選ばれたものである。すなわ
ち、基Ｒ１〜Ｒ１２はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、およびオクチルのようなアルキル；フェニル、トリ
ル、キシリル、およびナフチル基のようなアリール基；
ベンジル、およびフェニルエチル基のようなアラルキル
基；ビニル、アリル、シクロヘキセニル基のようなオレ
フィン系不飽和１価炭化水素基；シクロヘキシル、シク
ロヘプチルのようなシクロアルキル基；ジクロロプロピ
ル、1,1,1−トリフロロプロピル、クロロフェニル、ジ
ブロモフェニル、およびクロロメチルのようなハロゲン
化された１価炭化水素基；シアノエチル、およびシアノ
プロピルのようなシアノアルキル基などとすることがで
きる。好ましく、Ｒ１〜Ｒ１２で示される各基は８個よ
り少ない炭素原子を有し、そして特に好ましくＲ１〜Ｒ
１２はメチル、エチル、またはフェニルである。
ａの各々は０〜12の整数、好ましく０〜３であり、ｚは
１〜102の整数、好ましく約10〜約20であり、ｘの各々
は０〜２の整数である。
前記の式IIで表わされるエポキシを含んだオルガノシリ
コンガラス樹脂は、ＨＯ−Ｓｉ−末端ガラス樹脂（II
b）をグリシドを含むモノ−またはポリ官能性アルコキ
シシリコン化合物（IIa）の過剰量とともに、溶液中
（例えば、ジグライム中固体分〜20％）70℃で約17〜24
時間または120℃で３時間、反応することにより作られ
る。
および 前記の式IIIで表わされるエポキシを含んだガラス樹脂
は、〔２−（３−シクロヘキシル）エチル〕ジメチルク
ロロシラン（IIIa）をＨＯ−末端ガラス樹脂（IIb）の
過剰量とともに、ＨＣｌ受容剤（例えば炭酸ナトリウム
とカリウムを含むアルカリ金属の炭酸塩またはピリジン
あるいはトリエチルアミンを含む有機第３級アミン）の
存在下に、エーテル溶液（20％）中以下の方式に従って
室温で反応することにより作られる。
前記反応の生成物（IIIb）は、つぎに３−クロロパーオ
キシベンゾイック酸と反応させることによりエポキシ化
される。
カチオン重合に際して、オニウム塩は一般に重合される
材料を基準にして約0.5〜約10重量％、好ましく約４〜
約６重量％の量で用いられる。カチオン重合をする組成
物はまた充填材、可塑剤、および希釈剤のような通常の
添加物を含ませることができる。
リソグラフ用の材料として使用するとき、本発明の組成
物は一般に約１〜約25ミクロンの被膜を与えるように、
スプレー法、スピン法、ディップ法、またはその他の周
知の被膜法などにより、所望の基体に対して被覆され
る。適当な基体には、半導体デバイスまたは集積回路の
製造に用いられるものが含まれ、これには酸化物および
ナイトライド（拡散マスク用および／不動態化処理用
の、シリコンオキサイドおよび／またはシリコンナイト
ライド）で上塗りされたウエハまたはチップ、および／
または半導体チップ上に接点と電導性パターンを作るた
めの金属化工程中で通常用いられる金属が含まれる。
この他、本発明の材料はチップキャリアとして使用され
ている基体およびセラミック基体と、特に、多層セラミ
ックデバイスを含めた基体類とともに用いることができ
る。また、熱可塑性および／または熱硬化性ポリマーで
ある誘電性の基体も含まれる。代表的な熱硬化性ポリマ
ー材料にはエポキシ系、フェノール系の材料、ポリアミ
ドおよびポリイミドが含まれる。誘電性材料は充填材お
よび／または強化材を含んだポリマー性の材料、例えば
ガラス繊維充填のエポキシ系またはフェノール系材料な
ど、の成型品とすることができる。フェノール−タイプ
材料の例にはフェノール、レゾルシノール、およびクレ
ゾールのコポリマーが含まれル。適当な熱可塑性ポリマ
ー材料の例にはポリプロピレンのようなポリオレフィ
ン；ポリスルホン；ポリカーボネート；ニトリルゴム；
およびＡＢＳポリマーなどが含まれる。
所望の基体に塗布された後、組成物は約300〜約400nmの
近ＵＶ領域の紫外光放射線に対して、約20〜約100mJ／c
m2の量で画像状の露光をする。ついで組成物は適当な溶
剤中で現像される。ネガ型のレジスト材料であり、紫外
光に露光をされた部分はその場に残留し所望のパターン
を与える。
本発明のいま１つの見地によれば、前記の式IIと式III
とで表わされた本発明の好ましいエポキシ官能性シリコ
ン類は、近紫外光の他に遠ＵＶ光、Ｘ−線および好まし
く電子ビーム放射線のような放射線に対しても感受性で
ある。このように用いるとき、これらの材料は一般に約
１〜約25ミクロン厚みの被膜を与えるように、スプレー
法、スピン法、ディップ法、またはその他の周知の被覆
法などにより、所望の基体に対して被覆される。適当な
基体には、半導体デバイスまたは集積回路の製造に用い
られるものが含まれ、これには酸化物およびナイトライ
ド（拡散マスク用および不動態化処理用の、シリコンオ
キサイドおよび／またはシリコンナイトライド）で上塗
りされたウエハまたはチップ、および／または半導体チ
ップ上に接点と電導性のパターンを作るためのメタライ
ジング工程中で通常用いられる金属が含まれる。
この他、本発明の材料はチップキャリアとして使用され
ている基体およびセラミック基体と、特に、多層セラミ
ックデバイスを含めた基体類とともに用いることができ
る。また、熱可塑性および／または熱硬化性ポリマーで
ある誘電性の基体も含まれる。代表的な熱硬化性ポリマ
ー材料にはエポキシ系、フェノール系の材料、ポリアミ
ドおよびポリイミドが含まれる。誘電性材料は充填材お
よび／または強化材を含んだポリマー性の材料、例えば
ガラス繊維充填のエポキシ系またはフェノール系材料な
どの成型品とすることができる。フェノール−タイプ材
料の例にはフェノール、レゾルシノール、およびクレゾ
ールのコポリマーが含まれる。適当な熱可塑性ポリマー
材料の例にはポリプロピレンのようなポリオレフィン；
ポリスルホン；ポリカーボネート；ニトリルゴム；およ
びＡＢＳポリマーなどが含まれる。
所望の基体に施された後、これらの好ましいシリコン類
は放射線、好ましく電子ビーム放射線に対して、約25〜
約50kWのエネルギレベルで約２〜約４マイクロクーロン
／cm2の量に画像状露光をする。ついで組成物は適当な
溶剤で現像される。ネガ型のレジスト材料であり、放射
線に露光された部分はその場に残留し所望のパターンを
与える。
以下に本発明をさらに説明するため、非限定的の実施例
を示す： 実施例１ ジグライム中のクアトレックス(Quatrex)3450の30％溶
液に対して、トリフェニルスルホニウムＳｂＦ６の約５
重量％とアンスラセンメタノールの約２重量％とを添加
した。この溶液はシリコンウエハ上にスピン塗布し、乾
燥して約１ミクロンの厚みの被膜とした。365nmの狹帯
域フィルタを通じて26mJ／cm2の量で露光をすると、露
光されたレジストの厚みの100％がジグライム溶剤に触
れさせた際に残留した。
比較例２ 組成物からアンスラセンメタノール増感剤を除いて実施
例１をくり返した。365nmの狹帯域フィルタを通じて100
0mJ／cm2の量の露光をした後ですら、露光されたレジス
トはジグライム溶剤に触れさせた際残留しなかった。
実施例３ ジグライム中の次式、ここでｘは１である、 の30％溶液に対して、トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネートの５重量％と、アンスラセンメ
タノールの1.5重量％とを添加した。この溶液をシリコ
ンウエハ上にスピン塗布し、約90℃で約５分間乾燥して
約２ミクロンの厚みの被膜とした。約365nmの波長をも
つ紫外線を用い、約20mJ／cm2の量でパターンを露光し
た。露光されたポリマーをさらに架橋化させるために、
パーツはついで約90〜約100℃で約５分間後硬化させ
た。つぎにパターンはアミルアセテート中で現像し、つ
いで空気乾燥して最終画像を残留させる。
実施例４ エポキシシリコンがＨＣｌ受容剤の存在下に と （ここでｍは１である）とを反応させることにより作ら
れた。
100ｇの次式のプレポリマー（分子量＝552、 グラム／モルヒドロキシル基重量＝552/4＝138ｇ／モル
ＯＨ）を、20％モル過剰のトリエタノールアミンを含む
少なくとも500mlのテトラハイドロフラン中に溶解し
た。0.72モル（145.8ｇ）の次式 化合物を滴下して加えた。直ちに白色の沈殿が生成し
た。少なくとも24時間はげしく撹拌した。沈殿したアミ
ン塩を別する。残った液は１％ＨＣｌで３回洗い、つ
いで炭酸ナトリウム水溶液で液のpHが７〜８となるまで
洗う。ＣａＣｌ２またはその他の乾燥剤上で乾燥した。
得られた生成物はつぎに以下の方法で、３−クロロパー
オキシベンゾイックアシドと反応させることにより、エ
ポキシ化される： 20ｇの次式の化合物（分子量＝1216）を 180mlのメチレンクロライド中に溶解した。これを100ml
のメチレンクロライド中に溶解した10ｇの85％ｍ−クロ
ロパーベンゾイックアシドの溶液に対し滴下して加え
た。温度は24時間10℃に維持した。白色の沈殿がゆっく
りとたまり、これを別してすてた。残った液は100ml
の10％酢酸で１回、50mlの脱イオン水で３回洗い、そし
て中性のpHとなるまで炭酸水素ナトリウムの飽和液で充
分に洗われた。この液はついで乾燥剤上で乾燥する。
得られたポリマーは次の式で表わすことができる： 上記ポリマーは約25重量％溶液となるようにジグライム
中に溶解した。この液に対してトリフェニルスルホニウ
ムヘキサフロロアンチモネートの約５重量％と、９−ア
ンスラセンメタノールの約２重量％とを添加した。この
液は不溶解の固体を除くために過し、ついでシリコン
ウエハ上に約５ミクロンの厚みとなるようにスピン法で
塗布した。この被膜は約90℃で約５分間前硬化し、そし
て約360nmの波長の紫外線に対し約60mJ／cm2の量で露光
した。露光後、ウエハは約90℃約３分間硬化し、イソア
ミルアセテート中で約１分間現像し、つぎにイソプロピ
ルアルコールですすいだ。甚だ高い解像力をもつ画像が
得られた。
また、露光と現像後のオルガノシリコンレジストの温度
安定性は極めて高いものである。パターンは加熱から生
ずる何等の歪みもなく、10％以下の厚みの低下を伴っ
て、約24時間約400℃に加熱できる。
実施例５（電子ビーム露光） 実施例４中で使用したのと同じ構造をもつプレポリマー
を、約25重量％の溶液を与えるようにジグライム中に溶
解した。このプレポリマーのジグライム溶液を約300ミ
クロンの厚みとなるように、シリコンウエハ上にスピン
法で塗布した。被膜は25kWの電子ビームに対し約２〜４
マイクロクーロン／cm2で露光した。露光後、ウエハは
約90℃で約３分間硬化し、イソアミルアセテート中で現
像し、甚だ高い解像性の約0.5ミクロンの線を与えた。
また、露光と現像後のオルガノシリコンレジストの温度
安定性は極めて高いものである。パターンは加熱から生
ずる何等の歪みもなく、10％以下の厚みの低下を伴っ
て、約24時間約400℃に加熱できる。
実施例６（電子ビーム露光） プレポリマーのジグライム溶液を、シップレイＡＺホト
レジストの、硬化された厚み1.2ミクロンの層が既に塗
布されている、シリコン基体上に付与したこと以外は実
施例５をくり返した。この現像されたオルガノシリコン
レジストは、ＡＺホトレジストの酸素反応性イオンエッ
チングのためのマスクとして用いられる。これはすぐれ
た解像性を与え、また比較的うすいオルガノシリコン層
のエッジが崩れることなくＡＺ層の切り込みを可能とし
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイクル・ハツアキス アメリカ合衆国ニユーヨーク州（10514) チヤパツクア．ハンテイングリツジプレイ ス12 (72)発明者 ジエイン・マーガレツト・シヨー アメリカ合衆国コネチカツト州（06877) リツジフイールド．ウイルトンロードウエ スト336 (72)発明者 ケビン・ジエイ・スチユアート アメリカ合衆国ニユーヨーク州（10537) レイクピークスキル．エイボンロード10 (72)発明者 デイビツド・フランク・ウイツトマン アメリカ合衆国ニユーヨーク州（10570) プレザントビル．サミツトプレイス75

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】A)次の式で表わされる少なくとも１つのア
    ンスラセン誘導体： ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨおよび の群から選ばれるものであり、ここでＲＩ，ＲIIおよび
    ＲIIIの各々は個々にアルキル、アルケニル、アリー
    ル、 および の群から選ばれるものであり、ここでＲIV，ＲＶおよび
    ＲVIの各々は個々にアルキル、アルケニルおよびアリー
    ルの群から選ばれるものであり、ｍは０〜４の整数、ｐ
    は０〜４の整数、そしてｎは１〜２の整数である； B)オニウム塩；および C)有機溶剤 からなり、ここでＡ：Ｂの重量比は約１：２〜約１：10
    である、カチオン重合反応に適した紫外線感光性の光開
    始剤組成物。
  2. 【請求項２】アンスラセン誘導体が９−アンスラセンメ
    タノールである、請求項1)記載の組成物。
  3. 【請求項３】アンスラセン誘導体が９−ビニルアンスラ
    センである、請求項1)記載の組成物。
  4. 【請求項４】アンスラセン誘導体が９−アンスラセンメ
    タノールのトリメチルシロキシエーテルである、請求項
    1)記載の組成物。
  5. 【請求項５】オニウム塩はトリフェニルスルホニウムヘ
    キサフルオロアンチモネートを含むものである、請求項
    1)記載の組成物。
  6. 【請求項６】オニウム塩は および の50／50混合物である、請求項1)記載の組成物。
  7. 【請求項７】A)カチオン重合性の材料； B)カチオン重合性材料の重合を起こさせるのに充分な量
    のオニウム塩；および C)次の式で表わされるアンスラセン誘導体： ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨおよび の群から選ばれるものであり、ここでＲＩ，ＲIIおよび
    ＲIIIの各々は個々にアルキル、アルケニル、アリー
    ル、 および の群から選ばれるものであり、ここでＲIV，ＲＶおよび
    ＲVIの各々は個々にアルキル、アルケニルおよびアリー
    ルの群から選ばれるものであり、ｍは０〜４の整数であ
    り、ｐは０〜４の整数であり、そしてｎは１〜２の整数
    である； からなり、ここでＢ：Ｃの重量比は約１：２〜約１：10
    である、紫外線感光性の組成物。
  8. 【請求項８】アンスラセン誘導体が９−アンスラセンメ
    タノールである、請求項7)記載の組成物。
  9. 【請求項９】アンスラセン誘導体が９−ビニルアンスラ
    センである、請求項7)記載の組成物。
  10. 【請求項１０】アンスラセン誘導体が９−アンスラセン
    メタノールのトリメチルシロキシエーテルである、請求
    項7)記載の組成物。
  11. 【請求項１１】オニウム塩はトリフェニルスルホニウム
    ヘキサフルオロアンチモネートを含むものである、請求
    項7)記載の組成物。
  12. 【請求項１２】オニウム塩は および の50／50混合物である、請求項7)記載の組成物。
  13. 【請求項１３】カチオン重合性の材料がエポキシポリマ
    ーである、請求項7)記載の組成物。
  14. 【請求項１４】カチオン重合性の材料がシリコンポリマ
    ーである、請求項7)記載の組成物。
  15. 【請求項１５】シリコンポリマーは次の式 により示され、ここでｘは１〜100のものである、請求
    項14)記載の組成物。
  16. 【請求項１６】シリコンポリマーは次の式 により示されるものである、請求項14)記載の組成物。
  17. 【請求項１７】ホトレジストのパターンを形成するため
    に： A)以下のものからなる未硬化の被膜を基体上に準備し、 1)カチオン重合性の材料； 2)カチオン重合性材料の重合を起こさせるのに充分な量
    のオニウム塩； および 3)次の式で表わされるアンスラセン誘導体： ここでＸは−ＣＨ＝ＣＨ２または −（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（Ｒ）であり、ＲはＨおよび の群から選ばれるものであり、ここでＲＩ，ＲIIおよび
    ＲIIIの各々は個々にアルキル、アルケニル、アリー
    ル、 および の群から選ばれるものであり、ここでＲIV，ＲＶおよび
    ＲVIの各々は個々にアルキル、アルケニルおよびアリー
    ルの群から選ばれるものであり、ｍは０〜４の整数であ
    り、ｐは０〜４の整数であり、そしてｎは１〜２の整数
    であり、また2)：3)の重量比は約１：２〜約１：10であ
    る； B)前記未硬化被膜をパターン状に紫外光線に対して画像
    状露光し、これにより前記パターン状に被膜のカチオン
    重合を起こさせ；そして C)前記ホトレジストを現像する、 ことからなる、ホトレジストのパターンを形成するため
    の方法。
  18. 【請求項１８】紫外光線の波長は約300〜約400nmであ
    る、請求項17)記載の方法。
  19. 【請求項１９】カチオン重合性材料ガエポキシである、
    請求項17)記載の方法。
  20. 【請求項２０】カチオン重合性材料はシリコンポリマー
    である、請求項17)記載の方法。
  21. 【請求項２１】以下の群から選ばれた構造式をもつエポ
    キシ官能性のオルガノシリコンポリマー および ここでＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ
    ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１およびＲ１２の基の各々は、
    個々に水素、１価の炭化水素基、エポキシ基、メルカプ
    ト基、およびシアノアルキル基の群から選ばれるもので
    あり、ａの各々は０〜12の整数であり、ｚは１から102
    までの整数であり、そしてｘの各々は０〜２の整数であ
    る。
  22. 【請求項２２】ホトレジストのパターンを形成するため
    に： A)請求項21)のポリマーを含有する未硬化の被膜を基体
    上に準備し； B)前記未硬化被膜をパターン状に放射線に対して画像状
    に露光し、これにより前記パターン状に被膜のカチオン
    重合を起こさせ；そして C)前記ホトレジストを現像する、 ことからなる、ホトレジストのパターンを形成するため
    の方法。
  23. 【請求項２３】前記放射線は電子ビーム線である、請求
    項22)記載の方法。
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