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Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauteils. Spezieller betrifft sie Halbleiterbauteile mit
gehärtetem Silicon, das die Oberfläche des Halbleiterelements bedeckt.
Diese Beschichtungen sind gestaltet, um Quellungsvorgängen zu
widerstehen, wenn sie mit Lösungsmitteln gereinigt werden, so daß die
Halbleiterelemente und Verbindungsdrähte dieser Bauteile durch die
Reinigung weder reißen noch deformiert werden.
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Die Oberflächen von Halbleiterelementen sind typischerweise mit
gehärtetem Silicon beschichtet, um diese vor Feuchtigkeit und äußeren
Beanspruchungen zu schützen. Dies trifft sowohl für mit der Vorderseite
nach oben ausgerichtete Halbleiterbauteile, in welchen das
Halbleiterelement und die Anschlußstruktur elektrisch über Verbindungsdrähte
miteinander verbunden sind, als auch für mit der Vorderseite nach unten
ausgerichtete Halbleiterbauteile, in welchen das Halbleiterelement mit
der Anschlußstruktur elektrisch über Lötflecken verbunden ist, zu.
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Die Verwendung eines Lösungsmittels, um das Flußmittel von diesen
Bauteilen zu entfernen, kann Probleme bewirken. Beispielsweise kann die
Reinigung mit Lösungsmittel Quellen der Siliconbeschichtung bewirken,
was in einem möglichen Verziehen oder der Zerstörung des
Halbleiterelements, potentieller Verformung oder Bruch der Verbindungsdrähte und
der Delaminierung der Lötflecken resultieren kann.
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Auch wenn solche Bauteile in einer statisch anfälligen Umgebung
verwendet werden, wird sich statische Elektrizität allmählich auf dem
gehärteten Silicon ansammeln, das die Oberfläche des Halbleiterelements
bedeckt und entweder zum Ausfall oder zur unregelmäßigen Funktion
führen. Dies tritt z. B. bei Anwendungen wie als Bildsensoren, die in
Faxgeräteausstattungen zum Lesen der zu übertragenden Dokumente
verwendet werden, oder als thermische Druckköpfe, die in Druckern zum
Drucken auf dem ausgeworfenen Papier verwendet werden, auf.
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Um das Lösungsmittelreinigungsproblem zu lösen, schlägt die Technik die
Verwendung (a) eines Halbleiterbauteils, in dem die Oberfläche des
Halbleiterelements mit gehärtetem Silicon beschichtet ist und das Element
dann zusätzlich in einer keramischen oder Kunststoffverpackung
versiegelt ist, oder (b) von Halbleiterbauteilen, in denen die
Oberfläche des Elements mit gehärtetem Silicon beschichtet ist, das eine
hohe Beladung von dispergiertem Füllstoff enthält, vor. Die erstere
Lösung führt zu erhöhten Kosten und hat eine reduzierte Effizienz bei
der Massenproduktion. Die letztere Lösung führt zu Problemen während
Erwärmungszyklen, wie etwa die Zerstörung der Oberfläche des
Halbleiterelements durch den Füllstoff und die Deformation oder Abtrennung des
Halbleiterelements und der Verbindungsdrähte.
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JP-A-62092344 beschreibt ein Verfahren zur Verhinderung des Reißens
eines Halbleiterelements, das mit einem Harz beschichtet ist, der sowohl
Füllstoffe mit massiven Körpern als auch Füllstoffe mit hohlen Körpern
enthält. Wegen der Differenzen in den relativen Dichten dieser
Füllstoffe sammeln sich die Füllstoffe mit massivem Körper um das
Halbleiterelement herum an.
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In dem verwandten Fall JP-A-61191056 wird ein Halbleiterelement
beschrieben, das mit einem Epoxyharz versiegelt wurde, das als Zusatz
einen Füllstoff mit hohlen Körpern und einen Füllstoff mit massiven
Körpern enthält. Das Harz wird erhitzt und gehärtet und zu diesem
Zeitpunkt sinkt der Füllstoff mit massivem Körper wegen des Unterschieds
in der relativen Dichte zu dem peripheren Teil des Halbleiterelements
und der Füllstoff mit hohlem Körper wird an dem oberen Teil des
Halbleiterelements angeordnet.
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JP-A-5206325 beschreibt ein Verfahren zum Schützen eines
Halbleiterelements mit einem Harz, ausgewählt aus einem Epoxyharz, Urethanharz,
Siliconharz, Polyamidharz und einem ungesättigten Polyesterharz. Das
Harz enthält einen Füllstoff, der Luft enthält, wobei der
Volumenprozentsatz von Luft, die in dem Füllstoff enthalten ist, von 5 bis 85%
reichen sollte und der Füllstoff ausgewählt ist aus
Siliciumdioxidhohlkügelchen, Shirasu-Hohlkügelchen, Polyethylenhohlkügelchen oder
Polyurethanhohlkügelchen.
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JP-A-5009270 beschreibt eine Harzzusammensetzung zur Versieglung von
Halbleitern, die ein Epoxyharz, ein Phenolnovolakharz, einen
Härtungsbeschleuniger und einen anorganischen Füllstoff enthält. Der
anorganische Füllstoff enthält ein hohles Füllmaterial, das vorzugsweise
ein glaskeramisches Material ist.
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JP-A-61051834 beschreibt ein Verfahren zur Verbesserung der
Feuchtigkeitsbeständigkeit und der Langzeitzuverlässigkeit eines
Halbleiterelements, das mit einer Harzzusammensetzung aus einem Epoxyharz
versiegelt ist, indem in das Harz ein Füllstoff mit einem spezifischen
Gewicht, das geringer als das Epoxyharzes ist, eingearbeitet wird. Wenn
das Harz erhitzt wird, befindet sich der Füllstoff in der oberen Hälfte
des Harzes.
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Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauteils, dessen Halbleiterelement mit einem gehärteten
Silicon beschichtet ist, das gegen Quellung bei Reinigung mit einem
Lösungsmittel widerstandsfähig ist, als ihre Aufgabe an. Das
Halbleiterelement und die Verbindungsdrähte werden deshalb weder durch die
Lösungsmittelreinigung getrennt noch verformt.
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Die vorliegende Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauteils, das ein Substrat mit einem darauf angeordneten
Halb
leiterelement aufweist. Eine Beschichtung, die ein gehärtetes Silicon
enthält, in dem ein Füllstoff mit einer durchschnittlichen
Teilchengröße von 0,01 bis 500 um und einer relativen Dichte von 0,01 bis 0,95
dispergiert ist, bedeckt das Halbleiterelement. Weiterhin ist die
Konzentration des Füllstoffs in dem gehärteten Silicon in dem Teil der
Beschichtung, die von dem Element entfernt ist, höher als in dem Teil
der Beschichtung, der an das Element angrenzt.
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Die Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauteils zur Verfügung, umfassend:
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Beschichten der Oberfläche eines Halbleiterelements mit einer härtbaren
Siliconzusammensetzung, die ein härtbares Siliconpolymer und einen
Füllstoff mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,01 bis
500 um und einer relativen Dichte von 0,01 bis 0,95 enthält, wobei der
Füllstoff ein wärmeverformbares organisches Harzpulver enthält;
Verstreichenlassen einer Zeit, die ausreicht, daß der Füllstoff von dem
Teil der härtbaren Siliconzusammensetzung, der an das Element angrenzt,
in den Teil der härtbaren Siliconzusammensetzung wandert, der von dem
Element entfernt ist, und Härten der härtbaren Siliconzusammensetzung
durch Erhitzen der Zusammensetzung auf mindestens die
Formbeständigkeitstemperatur des organischen Harzpulvers.
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Die vorliegende Erfindung basiert auf unserer unerwarteten Entdeckung,
daß die Siliconbeschichtungen der vorliegenden Erfindung gestaltet
werden können, um das Quellen bei Reinigung mit einem Lösungsmittel zu
verhindern. Dies wendet Schaden von dem Bauteil selbst ab und verhindert
auch die Deformation und Trennung seiner Verbindungsdrähte. Der Grund
für diese Verbesserung ist die höhere Konzentration von Füllstoff in dem
Teil der Beschichtung, der von dem Element entfernt ist, im Vergleich zu
dem Teil der Beschichtung, der an das Element angrenzt.
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Fig. 1 zeigt den Querschnitt eines Halbleiterbauteils gemäß der
vorliegenden Erfindung, wie gemäß Beispiel 1 und 3 hergestellt.
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Fig. 2 zeigt den Querschnitt eines Halbleiterbauteils gemäß der
vorliegenden Erfindung, wie in Beispiel 2 und 5 hergestellt.
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Fig. 3 zeigt den Querschnitt eines mit der Vorderseite nach unten
ausgerichteten Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Die Struktur des Halbleiterbauteils der vorliegenden Erfindung ist nicht
entscheidend. Im allgemeinen enthält das Bauteil ein Halbleiterelement
wie einen Transistor, IC, LSI usw., das in dem Halbleiterbauteil
angeordnet ist. Diese Halbleiterbauteile werden durch mit der
Vorderseite nach oben ausgerichteten Halbleiterbauteile wie die aus
Fig. 1 und 2 oder durch mit der Vorderseite nach unten ausgerichtete
Halbleiterbauteile wie das aus Fig. 3 beispielhaft dargestellt.
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Der Einfachheit halber wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf das
Halbleiterbauteil in Fig. 1 erklärt. Das Bauteil hat eine Struktur, in
welchem ein Halbleiterelement 2, das auf einem Substrat 1 angeordnet
ist, elektrisch mit dem Leitungsrahmen 5 durch Verbindungsdrähte 4
verbunden ist. Die Oberfläche dieses Elements 2 ist mit einem gehärteten
Silicon 7 beschichtet, in dem Füllstoff 8 dispergiert ist.
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Das spezielle gehärtete Silicon 7 ist nicht entscheidend, und es kann
z. B. ein Gel oder Kautschuk sein. Dieses gehärtete Silicon wird durch
Härten einer härtbaren Siliconzusammensetzung, die ein härtbares
Siliconpolymer und einen Füllstoff enthält, gebildet.
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Es gelten keine speziellen Beschränkungen für die Zusammensetzung,
Härtungsmechanismen usw. des härtbaren Silicons in unserer härtbaren
Siliconzusammensetzung. Der Härtungsmechanismus des härtbaren Silicons
sind z. B. Additionsreaktionshärtungs-, Kondensationsreaktionshärtungs-,
radikalischer Reaktionshärtungs- und UV-Härtungsmechanismen. Der
Additionsreaktionshärtungsmechanismus ist bevorzugt.
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Der Füllstoff 8 muß einen mittleren Teilchendurchmesser von 0,01 bis
500 um und vorzugsweise 0,1 bis 100 um aufweisen. Die relative Dichte
des Füllstoffes ist 0,01 bis 0,95.
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Ein entscheidendes Merkmal des beschichteten Halbleiterbauteils, das
gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, ist, daß die
Konzentration des Füllstoffs 8, die in der Schicht des gehärteten
Silicons 7, die von dem Halbleiterelement 2 entfernt ist, vorliegt,
höher ist als die Konzentration dieses Füllstoffs 8, die in der Schicht
des gehärteten Silicons 7, die an das Halbleiterelement 2 angrenzt,
vorliegt, ist. Andere Beschränkungen treffen nicht zu.
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Die Variation in der Füllstoffkonzentration in dem Silicon kann
kontinuierlich oder diskontinuierlich sein, wenn man sich von der
Schicht aus gehärtetem Silicon 7, die an das Element 2 angrenzt, zu der
Schicht des gehärteten Silicons 7, die von dem Element 2 entfernt ist,
bewegt.
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Wenn der Füllstoff in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, um
Schaden aufgrund von Reinigung mit Lösungsmitteln zu verhindern, wirkt
die höhere Konzentration des Füllstoffs 8, der in der Schicht aus
gehärtetem Silicon dispergiert ist, die von dem Halbleiterelement 2
entfernt ist, um die Quellung des gehärteten Silicons, wenn das
Halbleiterbauteil einer Lösungsmittelreinigung nach Montage auf einem
Schaltkreissubstrat unterworfen wird, zu verhindern. Darüber hinaus
verhindert die niedrigere Konzentration des Füllstoffs 8, der in der
Schicht des gehärteten Materials 7, die an das Element 2 angrenzt,
Schäden an der Oberfläche des Elements 2 durch den Füllstoff 8, der in
dieser Schicht des gehärteten Materials 7 dispergiert ist, wenn das
Bauteil thermischen Zyklen unterworfen wird. Weiterhin verhindert diese
niedrige Konzentration die Deformation oder Zerstörung des Elements 2
und die Deformation oder das Brechen der Verbindungsdrähte 5.
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In einer bevorzugten Ausführungsform ist eine hohe Konzentration des
Füllstoffs 8 in der Schicht des gehärteten Silicons 7, die von dem
Halbleiterelement 2 entfernt ist, vorhanden; und der Füllstoff 8 fehlt
nahezu vollständig in der Schicht des gehärteten Materials 7, die an das
Element 2 angrenzt.
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Für Füllstoffe, die gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden,
um Schäden bei der Reinigung mit Lösungsmitteln zu verhindern, ist das
Material, das den Füllstoff 8 ausmacht, ein wärmeverformbares Pulver
eines organischen Harzes wie Nylonharzen, Polyethylenharzen,
Polypropylenharzen, Polystyrolharzen, Acrylharzen, Fluorharzen, Epoxyharzen,
phenolischen Harzen und Polyethylenterephtalatharzen oder hohle Formen
dieser organischen Harzpulver. Dieser Füllstoff 8 ist ein
wärmeverformbares oder thermisch deformierbares organisches Harzpulver. Die
Verwendung eines wärmeverformbaren organischen Harzpulvers wird
vorzugsweise von der Verwendung einer additionsreaktionshärtbaren
Siliconzusammensetzung begleitet. Härten der Zusammensetzung bei Temperaturen
bei oder oberhalb der Formbeständigkeitstemperatur des organischen
Harzpulvers wird Wärmeverformung und Schmelzhaftung zumindest eines Teils
des organischen Harzpulvers 8 in der Schicht des gehärteten Silicons 7,
die von dem Halbleiterelement 2 entfernt ist, bewirken. Dies wird diese
Schicht als ein Ergebnis relativ härter machen.
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Wenn Füllstoffe verwendet werden, um zusätzlich Schaden durch
Reibungselektrizität zu verhindern, ist das Material, das den Füllstoff
ausmacht, nicht entscheidend, solange der Füllstoff entweder intrinsisch
elektrisch leitfähig ist oder eine Oberfläche hat, die elektrisch
leitfähig ist. Der elektrisch leitfähige Füllstoff wird beispielhaft
durch Pulver, die mit einem elektrisch leitfähigen Material beschichtet
sind, oder durch hohle Pulver aus Kupfer, Aluminium, Silber, Zink,
Kohlenstoff usw. dargestellt. Beispiele von beschichteten Pulvern
umfassen organische Harzpulver, hohle organische Harzpulver und hohle
anorganische Pulver, die in jedem Falle eine Oberflächenbeschichtung aus
einem elektrisch leitfähigen Material wie Kupfer, Aluminium, Silber,
Zink oder Kohlenstoff haben. Die organischen Harze, die diese
organischen Harzpulver und hohlen organischen Harzpulver ausmachen,
werden beispielhaft durch Nylon, Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol,
Acrylharze, Fluorharze, Epoxyharze, Phenolharze und
Polyethylenteraphtalat dargestellt. Die anorganischen hohlen Pulver werden
beispielhaft durch hohle Glaspulver, hohle Siliciumdioxidpulver, hohle
Aluminiumoxidpulver und hohle keramische Pulver dargestellt. Der
elektrisch leitfähige Füllstoff wird z. B. auch durch hohle Pulver von
Kupfer, Aluminium, Silber, Zink und Kohlenstoff dargestellt.
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Wenn eine Beschichtung verwendet wird, um Schaden durch
Reibungselektrizität zu vermeiden, wird die Oberfläche des gehärteten
Silicons vorzugsweise im Falle von relativ großen Halbleiterbauteilen
geerdet. Beispielhafte Methoden sind Erdung der Oberfläche des
gehärteten Silicons unter Verwendung einer leitfähigen Leiterbahn oder
Leitung und durch die Bildung eines Damms mit einem Volumenwiderstand
von 1 · 10&sup6; bis 1 · 10¹¹ Ohm-cm um den Umfang des auf dem Substrat
angeordneten Halbleiterelements. Die letztere Methode ist bevorzugt.
Diese Erdung verhindert die Ansammlung von Reibungselektrizität auf dem
gehärteten Silicon 7, das die Oberfläche des Halbleiterelements 2
bedeckt, und dient auch dazu, jede Ladung, die sich vielleicht anhäuft,
rasch abzuführen.
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Die Menge der Füllstoffzugabe ist nicht entscheidend, und die
entsprechende Zugabe wird z. B. auf Basis des mittleren
Teilchendurch
messers und der relativen Dichte des Füllstoffs, der Anwendung des
erhaltenen Halbleiterbauteils usw. ausgewählt. Der Bereich von 0,1 bis
80 Gew.-% Füllstoff in der Zusammensetzung ist im allgemeinen bevorzugt.
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Das gehärtete Silicon, das die Oberfläche des Halbleiterelements der
vorliegenden Erfindung bedeckt, ist gegen Quellen, wenn das Bauteil mit
einem Lösungsmittel gereinigt wird, beständig. Dies verhindert die
Deformation oder Zerstörung des Elements und die Deformation oder
Abtrennung der Verbindungsdrähte. Als ein Ergebnis ist es nicht
notwendig, das Element in einer keramischen oder Kunststoffverpackung zu
versiegeln, wie es bei den Halbleiterbauteilen des Standes der Technik
der Fall ist. Dieses erlaubt eine wesentliche Vereinfachung der Struktur
dieses Halbleiterbauteils.
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Die Herstellungsmethode der vorliegenden Erfindung beginnt mit der
Beschichtung der oben beschriebenen härtbaren Siliconzusammensetzung auf
die Oberfläche eines Halbleiterelements. Dies erfolgt typischerweise mit
einem Verteiler.
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Man läßt die Zusammensetzung dann für einen Zeitraum stehen, der für den
Füllstoff in der Schicht der härtbaren Siliconzusammensetzung, die an
das Halbleiterelement angrenzt, ausreicht, um in die Schicht der
Zusammensetzung zu wandern, die von dem Element entfernt ist. Dieser
Ruheperiode folgt die Härtung. Die Länge dieser Periode kann nicht
streng spezifiziert werden, da sie als eine Funktion des Unterschieds in
der relativen Dichte zwischen dem Füllstoff- und dem
Nichtfüllstoffanteil der härtbaren Siliconzusammensetzung, der Viskosität der
härtbaren Siliconzusammensetzung, dem mittleren Teilchendurchmesser des
Füllstoffs, der Menge der Füllstoffzugabe usw. variieren wird. Wenn die
härtbare Siliconzusammensetzung jedoch eine niedrige Viskosität hat und
eine große Differenz in den relativen Dichten zwischen dem Füllstoff-
und dem Nichtfüllstoffanteil der härtbaren Siliconzusammensetzung
besteht, wird das Erfordernis der Ruheperiode im allgemeinen sofort
erfüllt, nachdem die Zusammensetzung auf die Oberfläche des
Halbleiterelements beschichtet wurde. Die Verwendung von sehr langen Zeiten wird
die Bildung einer diskontinuierlichen Dispersion des Füllstoffs in den
gehärteten Siliconschichten erlauben, insofern, als daß nahezu kein
Füllstoff in der gehärtetem Siliconschicht, die an das
Halbleiterelement angrenzt, dispergiert sein wird und der Füllstoff nur in dem
gehärteten Material, das von dem Element entfernt ist, dispergiert sein
wird. Die Verwendung von kurzen, aber noch angemessenen Ruhezeiten
erlaubt die Bildung von Siliconschichten, in welchen die Konzentration
des Füllstoffs kontinuierlich mit Bewegung von der Schicht aus
gehärtetem Material, die an das Element angrenzt, zu der Schicht aus
gehärtetem Material, die von dem Element entfernt ist, ansteigt.
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Die gehärtete Siliconbeschichtung auf der Oberfläche des
Halbleiterelements, die verwendet wird, um gegen Lösungsmittelquellung während der
Reinigung widerstandsfähig zu sein, enthält Füllstoff, der ein
wärmeverformbares oder thermisch deformierbares organisches Harzpulver ist.
Weiterhin wird die Verwendung eines solchen Fülllstoffes vorzugsweise
von der Verwendung einer additionsreaktionshärtbaren
Siliconzusammensetzung begleitet. Wenn eine additionsreaktionshärtbare
Siliconzusammensetzung, die mit einem wärmeverformbaren organischen Harzpulver
gefüllt ist, auf die Oberfläche des Halbleiterelements beschichtet wird
und dann auf mindestens die Formbeständigkeitstemperatur des Pulvers
erhitzt wird, wird zumindest ein Teil des Pulvers in der gehärteten
Siliconschicht, die von dem Halbleiterelement entfernt ist, thermisch
veformt und der Schmelzhärtung unterworfen. Dieses erzeugt eine relativ
harte Schicht.
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Das Verfahren der vorliegenden Erfindung macht es auch unnötig, das
Halbleiterelement mit einer Metall-, Keramik-, oder Kunststoffverpackung
oder einer ähnlichen Beschichtung zu versiegeln. Dieses stellt eine
wesentliche Abkürzung des Herstellungsprozesses für hochzuverlässige
Halbleiterbauteile dar.
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Die Halbleiterbauteile der vorliegenden Erfindung und ihr Verfahren zur
Herstellung werden detaillierter durch Arbeitsbeispiele erklärt. Die
aufgezeichneten Viskositätswerte wurden bei 25ºC gemessen.
Beispiel 1
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Eine opake weiße härtbare Siliconzusammensetzung wurde durch homogenes
Mischen von 100 Gewichtsteilen eines härtbaren Organopolysiloxans, das
eine Mischung aus einem Organopolysiloxanpolymer mit Alkenylgruppen,
einem Organopolysiloxanpolymer mit siliciumgebundenen Wasserstoffen und
einem Platinkatalysator für Hydrosilylierungshärtung (Viskosität -
400 mPa·s (centipoise), relative Dichte = 1,0) enthielt, und 20
Gewichtsteile eines Polypropylenharzpulvers (mittlerer Teilchendurchmesser = 50
um, relative Dichte = 0,9, Formbeständigkeitstemperatur = 100ºC)
hergestellt. Das Organopolysiloxan härtete dann durch Additionsreaktion,
um einen transparenten Siliconkautschuk mit einem Durometerwert (JIS A)
von 32 zu ergeben.
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Ein Halbleiterelement 2, das eine Aluminiumverdrahtungsmaske trug, wurde
auf der Oberfläche eines Glassubstrats 1 angeordnet, und die
Kontaktierungsflecken 3 an den oberen Kanten des Elements 2 wurden dann
elektrisch mit dem Leiterrahmen 5 über Goldverbindungsdrähte 4
verbunden. Die zuvor erwähnte härtbare Siliconzusammensetzung wurde
danach sorgfältig auf die Oberfläche des Halbleiterelements 2
aufgetragen, ohne sie dabei über den Metallrahmen 6 (Höhe = 2 mm)
fließen zu lassen. Dem folgte ein Stehenlassen bei Raumtemperatur für
30 Minuten und dann Erwärmen in einem Umluftofen bei 150ºC für
30 Minuten, um das Halbleiterbauteil als Produkt zu ergeben.
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Untersuchung dieses Halbleiterbauteils mit einem stereoskopischen
Mikroskop zeigte, daß das Polypropylenharzpulver 8 in dem gehärteten
Silicon 7, das auf der Oberfläche des Halbleiterelements 2 beschichtet
war, nur in der Schicht des gehärteten Materials 7, die von dem Element
2 entfernt war, vorhanden und darin dispergiert war. Es wurde auch
beobachtet, daß ein Teil des Pulvers 8 Wärmeverformung und
Schmelzhaftung erfahren hatte. Letztendlich wurde nahezu kein
Polypropylenharzpulver 8 in der Schicht des gehärteten Silicons 7
beobachtet, die an das Halbleiterelement 2 angrenzte, die als ein
Ergebnis dessen transparent war.
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Das hergestellte Halbleiterbauteil wurde nachfolgend 30 Minuten lang bei
25ºC in 1,1,1-Trichlorethan getaucht, dann entfernt und wiederum mit dem
stereskopischen Mikroskop untersucht. Es wurde nahezu kein Quellen des
gehärteten Silicons 8 beobachtet. Darüber hinaus wurde weder Zerstörung
und Deformation des Halbleiterelements 2 in dem Halbleiterbauteil noch
Deformation oder Abtrennung der Verbindungsdrähte 4 beobachtet.
Vergleichsbeispiel 1
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Ein Halbleiterbauteil wurde wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der
Ausnahme, daß in diesem Fall das in Beispiel 1 beschriebene härtbare
Organopolysiloxan selbst als die härtbare Siliconzusammensetzung
verwendet wurde (kein Füllstoff). Erhebliches Quellen des gehärteten
Silicons wurde beobachtet, als das Halbleiterbauteil wie in Beispiel 1
in 1,1,1-Trichlorethan getaucht wurde. Während das Halbleiterelement 2
in dem Halbleiterbauteil nicht zerstört oder deformiert wurde, wurde die
Verformung von einigen der Verbindungsdrähte 4 beobachtet.