DE69723699T2

DE69723699T2 - Verfahren zum Reinigen eines Substrats und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Info

Publication number: DE69723699T2
Application number: DE69723699T
Authority: DE
Inventors: Pierre Vanden Brande; Alain Weymeersch
Original assignee: Cockerill Sambre SA
Current assignee: ArcelorMittal Liege Upstream SA
Priority date: 1997-10-08
Filing date: 1997-10-08
Publication date: 2004-06-17
Anticipated expiration: 2017-10-09
Also published as: JP4004152B2; EP0908535A1; EP0908535B1; ATE245717T1; PT908535E; JPH11209886A; ES2203748T3; US6231727B1; DK0908535T3; DE69723699D1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum kontinuierlichen Ätzen der Oberfläche eines Substrats, das sich in einer bestimmten Richtung durch eine Vakuumkammer gegenüber mindestens einer Gegenelektrode bewegt, gemäß welchem, zwischen dieser letzteren und dieser Oberfläche, ein Plasma in einem Gas erzeugt wird, das derart ist, daß Radikale und/oder Ionen, die auf die zu ätzende Oberfläche einwirken, erzeugt werden können.
Eine der wesentlichen Aufgaben der vorliegenden Erfindung ist es, ein sehr effizientes Verfahren zum Ätzen einer Oberfläche oder der zwei Oberflächen eines durch eine dünne isolierende Schicht kontaminierten Substrats, wie beispielsweise ein Ölfilm oder eine dünne Oxidschicht, deren Dicke vorzugsweise kleiner als 1 Mikrometer ist, vorzuschlagen, indem die bekannte Kathodenzerstäubungstechnik ("Sputtering") auf der zu reinigenden Oberfläche angewendet wird.
Das Problem, das sich im allgemeinen stellt, wenn diese Technik zum Ätzen von zu reinigenden Substraten angewendet wird, ist die Bildung von Bögen und die Unterbrechung der Zuführung von elektrischem Strom infolge der Anwesenheit einer solchen isolierenden Schicht.
So ist es erwiesen, daß diese Technik bis heute nicht zum Ätzen eines geölten Blechs geeignet ist, ohne daß in die Vakuumkammer eine nicht unbedeutende Menge an Sauerstoff eingebracht werden muß.
Erfindungsgemäß wurde dieses Problem in einer nicht vorhersehbaren Weise gelöst, indem in der Vakuumkammer, in welcher die Kathodenzerstäubung stattfindet, mindestens ein Paar von aufeinanderfolgenden Gegenelektroden, gegenüber welchen sich das vorstehend genannte Substrat bewegt, verwendet wird und indem an diese Gegenelektroden ein Wechselpotential angelegt wird, derart, daß diese letzteren in Bezug auf das Substrat abwechselnd positiv und negativ geladen werden, wobei dieses letztere vorzugsweise auf Masse gelegt wird und wobei das mindestens eine Paar von Gegenelektroden eine erste Gegenelektrode und eine zweite Gegenelektrode umfaßt, wobei die erste Gegenelektrode in Bezug auf das Substrat positiv polarisiert ist, wenn die zweite Gegenelektrode negativ polarisiert ist, und umgekehrt, während an der Oberfläche des Substrats gegenüber der in Bezug auf dasselbe positiv polarisierten Gegenelektrode oder gegenüber der in Bezug auf dasselbe positiv polarisierten Gegenelektroden ein Bombardement von aus dem zwischen dem Substrat und dieser Gegenelektrode oder diesen Gegenelektroden erzeugten Plasma hervorgegangenen positiven Ionen stattfindet.
Vorteilhafterweise ist bei der vorstehend genannten Gegenelektrode ein Magnetkreis vorgesehen, der hinter dem zu ätzenden Substrat angeordnet ist.
Gemäß einer besonderen Ausführungsform der Erfindung wird, wenn das Substrat beispielsweise aus einem metallischen Band gebildet ist, an die vorstehend genannten Gegenelektroden ein Wechselpotential von 50 Hz bis 300 kHz und vorzugsweise von 10 kHz bis 300 kHz, beispielsweise in der Größenordnung von 200 kHz, angelegt.
Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung oder Einrichtung, um das erfindungsgemäße Ätzverfahren durchzuführen.
Diese Vorrichtung umfaßt eine Vakuumkammer, in der eine Gegenelektrode, Transportmittel zum Bewegen eines zu ätzenden Substrats gegenüber derselben und Mittel zum Erzeugen eines Plasmas zwischen der Gegenelektrode und dem Substrat angeordnet sind. Diese Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie mindestens ein Paar von aufeinanderfolgenden Gegenelektroden und Mittel zum Anlegen eines Wechselpotentials oder eines Wechselstroms an diese Gegenelektroden in der Weise, daß diese letzteren abwechselnd positiv und negativ in Bezug auf das Substrat geladen werden, umfaßt, wobei die Mittel zum Erzeugen eines Plasmas es erlauben, dasselbe abwechselnd zwischen einer dieser Gegenelektroden und dem derselben gegenüberliegenden Substrat zu erzeugen, wobei das mindestens eine Paar von Gegenelektroden eine erste Gegenelektrode und eine zweite Gegenelektrode umfaßt und die Mittel zum Anlegen eines Wechselpotentials oder eines Wechselstroms an diese Gegenelektroden dazu vorgesehen sind, die erste Gegenelektrode positiv und die zweite Gegenelektrode negativ in Bezug auf das Substrat zu laden, und umgekehrt.
Weitere Details und Besonderheiten der Erfindung können der nachstehend als nicht beschränkendes Beispiel angegebenen Beschreibung einiger besonderer Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen entnommen werden.
Die 1 ist eine schematische Ansicht im Aufriß einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum kontinuierlichen Ätzen eines Stahlblechs.
Die 2 ist eine zu derjenigen der 1 analoge Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer solchen Vorrichtung.
Die 3 ist eine zu derjenigen der 1 und 2 analoge Ansicht einer dritten Ausführungsform einer solchen Vorrichtung.
In diesen Figuren betreffen die gleichen Bezugszeichen analoge oder identische Elemente.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Ätzverfahren durch Kathodenzerstäubung, das insbesondere zum Ätzen von elektrischen Strom leitenden Substraten, welche mit einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht kontaminiert sind, wie beispielsweise einem Ölfilm oder einem Oxidfilm, deren Dicke vorzugsweise kleiner als 1 Mikrometer ist, oder auch zum Reinigen von Polymersubstraten geeignet ist.
Im allgemeinen ist das erfindungsgemäße Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß, in einer Vakuumkammer, mindestens ein Paar von aufeinanderfolgenden Gegenelektroden, gegenüber jeder derselben sich das vorstehend genannte Substrat bewegt und an die ein abwechselnd positives und negatives Potential angelegt wird, verwendet wird.
So wird, wenn eine der zwei Gegenelektroden in Bezug auf die andere positiv polarisiert ist, das Substrat, gegenüber dieser Gegenelektrode, in Bezug auf diese erste Gegenelektrode selber negativ polarisiert, mit der Folge, daß dort ein Bombardement von positiven Ionen stattfindet.
Zur gleichen Zeit beobachtet man bei der anderen Gegenelektrode die umgekehrte Situation. Diese letztere, die negativ polarisiert ist, stößt die Elektronen des Plasmas, welche zur Entladung der positiven Oberflächenladung neigen, welche sich in dem vorstehend genannten Zyklus bildet, ab.
Wenn das Substrat ein Elektrizitätsleiter ist, erlaubt die Vorrichtung die Erosion des Substrats und nicht die Erosion der Gegenelektroden, was voraussetzt, daß unterhalb einer kritischen Frequenz zwischen ein und mehreren hundert kHz, in Abhängigkeit von den Arbeitsbedingungen (beispielsweise vom Druck in der Kammer), gearbeitet wird. Und zwar verhält sich unterhalb dieser maximalen Ausführungsfrequenz die Entladung in jedem Halbzyklus wie eine Gleichstromentladung. So kann sich ein stabiles Plasma nur in der Umgebung der negativ polarisierten Elektrode bilden, wenn sie mit einem Magnetkreis versehen ist, der auf der Seite, welche derjenigen der ihm gegenüberliegenden Elektrode entgegengesetzt ist, angeordnet ist, derart, daß eine Vorrichtung vom Typ Magnetron, welche die Elektronen abschirmen kann, gebildet wird. Die Magnetkreise sind in der Nähe des Substrats und auf der Seite, welche derjenigen der Gegenelektrode entgegengesetzt ist, angeordnet, wobei sich eine Entladung in der Umgebung des Substrats bildet, wenn es in Bezug auf eine der Gegenelektroden negativ polarisiert ist, wohingegen sich keine Entladung in einer stabilen Weise in der Umgebung einer in Bezug auf das Substrat negativ polarisierten Gegenelektrode bilden kann, da diese letztere nicht über einen Magnetkreis verfügt, welcher es erlaubt, eine Vorrichtung vom Typ Magnetron zu bilden, das heißt, welcher es erlaubt, die Elektronen in seiner Umgebung abzuschirmen.
Die 1 zeigt schematisch eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung, welche die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens erlaubt.
Diese Vorrichtung umfaßt eine Vakuumkammer 1, in welcher eine Trommel 2, welche eine zylindrische Oberfläche 3 aufweist und welche sich um eine Achse 4 herum drehen kann, angeordnet ist.
Im Innern dieser Trommel 2 sind vier feste Magnetrone 5 bis 8 angeordnet, die sich in der Nähe der Innenfläche der zylindrischen Wand der Trommel erstrecken und die es erlauben, einen Magnetkreis zu erzeugen. Zwei Paare von aufeinanderfolgenden Gegenelektroden 9, 10 und 11, 12 sind außerhalb der Trommel 2 in einem konstanten Abstand von der zylindrischen Oberfläche 3 dieser letzteren angeordnet. Diese Gegenelektroden erstrecken sich längs einer zylindrischen Oberfläche koaxial zu der Trommel 2. Jedes Paar von Gegenelektroden 9, 10 und 11, 12 wird durch einen Wechselstromgenerator 13 bzw. 14 versorgt.
Ein Substrat, das in diesem besonderen Fall durch ein Blech oder ein kontinuierliches Stahlband 15 gebildet ist, tritt in die Vakuumkammer 1 durch eine Eintrittsöffnung 16, welche in einer der Seitenwände dieser Kammer vorgesehen ist, ein und bewegt sich durch diese letztere 1 hindurch in Richtung des Pfeils 17, indem es an einem sich um eine zu derjenigen der Trommel parallelen Achse frei drehbaren Umlenkzylinder 18 umgelenkt wird, um an die zylindrische Außenfläche 3 dieser Trommel angelegt zu werden, und an einem zweiten Umlenkzylinder 19 in Richtung eines Ausgangs 20 umgelenkt wird, der in der Wand vorgesehen ist, die derjenigen, in welcher die Eintrittsöffnung 16 vorgesehen ist, entgegengesetzt ist.
In dieser besonderen Ausführungsform ist das Blech 15 auf Masse gelegt, wie schematisch durch das Bezugszeichen 21 angezeigt.
Die Kammer enthält im allgemeinen ein Gasgemisch aus Argon und einem reaktiven Gas, beispielsweise Wasserstoff oder Sauerstoff, deren Verhältnis zwischen sehr weiten Grenzen variieren kann.
Vorteilhafterweise gibt es zwischen zwei aufeinanderfolgenden Elektroden keine Abtrennung, um eine freie Passage der geladenen Partikel, die sich gegenüber einer Zone der Gegenelektrode befinden, in Richtung der anderen Zone zu erlauben.
So wird in dem Moment, in welchem die Gegenelektrode 9 oder 11 beispielsweise positiv polarisiert ist, der Teil des Blechs 15, welcher gegenüber dieser Elektrode vorbeiläuft, negativ polarisiert, und ein dort gebildetes und durch die Gegenwart der Magnetkreise 5 und 7 abgeschirmtes Plasma 22 bewirkt ein Bombardement des Blechs 15 durch positive Ionen.
Gleichzeitig stoßen die Gegenelektroden 10 und 12, die negativ polarisiert sind, die Elektronen in Richtung des Substrats ab, so daß der Rückstrom sichergestellt ist.
Folglich wird in Anbetracht der Tatsache, daß in einem darauffolgenden Stadium die Gegenelektroden 9 und 11 negativ geladen sind und die Gegenelektroden 10 und 12 positiv polarisiert sind, das oben beschriebene Phänomen umgekehrt.
Vorteilhafterweise wird den Gegenelektroden 9 bis 12 abwechselnd ein positives Potential und ein negatives Potential, das in Bezug auf das Potential des Substrats im wesentlichen denselben Absolutwert aufweist, auferlegt, wie beispielsweise ein in Bezug auf dasjenige des Substrats sinusförmig variierendes Potential, wobei das Substrat, wie bereits oben erwähnt, vorzugsweise auf Masse gehalten wird.
Im allgemeinen wird an diese Gegenelektroden 9 bis 12 mittels Stromgeneratoren 13 und 14 ein Wechselpotential, das eine Frequenz von 1 kHz bis 1000 kHz aufweist, angelegt.
Wenn die Oberfläche des zu ätzenden Substrats elektrisch leitfähig ist und beispielsweise aus einem Blech gebildet ist, werden gute Ergebnisse erzielt, wenn an die Gegenelektroden 9 bis 11 ein Wechselpotential von 50 Hz bis 300 kHz und vorzugsweise von 10 kHz bis 300 kHz, beispielsweise in der Größenordnung von 200 kHz, angelegt wird.
Wenn dagegen das Substrat nicht leitfähig ist und beispielsweise aus einem Polymerfilm gebildet ist, kann die Frequenz des an die Gegenelektroden angelegten Wechselpotentials in bestimmten Fällen 1000 kHz erreichen.
Der Abstand zwischen dem Substrat 15 und den Gegenelektroden 9 bis 12 variiert im allgemeinen zwischen 1 und 20 cm.
Die 2 betrifft eine zweite Ausführungsform einer Vorrichtung, die sich im Vergleich zu derjenigen der 1 dadurch unterscheidet, daß die Vakuumkammer 1 zwei Trommeln 2a und 2b identischer Abmessungen umfaßt, welche sich um parallele Achsen 4a und 4b drehen. Außerdem ist nur ein Paar von Gegenelektroden 9 und 10 vorgesehen, von denen jede eine ebene Form aufweist.
Eine dieser Gegenelektroden 9 erstreckt sich gegenüber der Trommel 2a, während die Gegenelektrode 10 sich gegenüber der Trommel 2b erstreckt.
Wie in der Ausführungsform gemäß der 1 ist das Substrat 15 aus einem kontinuierlichen Band gebildet, das nacheinander um jede der zwei Trommeln 2a und 2b mittels Umlenkzylindern 18a, 19a und 18b, 19b gelenkt wird. Im übrigen ist ihre Funktionsweise zu derjenigen der Vorrichtung der 1 vollkommen identisch.
Die 3 betrifft eine Vorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform, die sich von den vorstehend genannten im wesentlichen dadurch unterscheidet, daß an das Paar von Elektroden 9 und 10 mittels eines Generators 13 über einen Transformator 23, der eine Sekundärspule 24 umfaßt, die aus zwei Teilen 24a und 24b in Reihe gebildet ist, deren eines Ende auf einem bekannten festen Potential gehalten wird, beispielsweise auf Masse, wie durch das Bezugszeichen 25 in der 3 angezeigt, wobei das andere Ende dieser Teile 24a und 24b über Kondensatoren 26 bzw. 27 mit den Gegenelektroden 9 bzw. 10 verbunden ist, ein Wechselstrom angelegt wird.
Der Energiegenerator 13, insbesondere ein Wechselstromgenerator, ist an die Primärspule 28 des Transformators 23 angeschlossen.
Um eine Gleichverteilung zwischen der Zuführung zu den zwei Gegenelektroden 9 und 10 zu erhalten, sind die zwei vorstehend genannten Teile 24a und 24b der Sekundärspule 24 identisch und weisen dieselbe Anzahl von Windungen auf. Diese Teile sind mit den Gegenelektroden 9 bzw. 10 über Kondensatoren 26 bzw. 27, die hinsichtlich ihrer Kapazitätseigenschaften ebenfalls identisch sind, verbunden.
Das Ende der zwei Teile 24a und 24b der Sekundärspule 24, das nicht mit dem jeweiligen Kondensator verbunden ist, wird vorteilhafterweise auf demselben Potential wie das Substrat 15 gehalten. In dem vorliegenden Fall sind, wie bereits oben angegeben, sowohl das Substrat als auch dieses Ende mit der Masse verbunden.
Wenn eine Trommel verwendet wird, deren zylindrische Oberfläche elektrisch leitfähig ist, kann die Verbindung mit der Masse über diese Trommel vorgenommen werden, wie in der 3 gezeigt.
In einer besonderen erfindungsgemäßen Ausführungsform wird zur Behandlung eines metallischen Bandes, beispielsweise aus weichem Stahl, aus Alumi nium oder aus rostfreiem Stahl, vorteilhafterweise ein Gasgemisch aus Argon und unter Umständen einem reaktiven Gas, beispielsweise Wasserstoff oder Sauerstoff, verwendet, dessen Gehalt zwischen 5 und 50 Volumen-% variieren kann.
Der Druck, der im Innern der Vakuumkammer herrscht, wird beispielsweise auf 5 × 10^–3 Torr gehalten.
Das verwendete Magnetron ist ein herkömmliches Magnetron, das die Abschirmung der Elektronen an der Oberfläche des metallischen Bandes, welches sich in den Zonen gegenüber von den Gegenelektroden bewegt, erlaubt.
Die Quelle der Wechselleistung ist von einem Wechselstromgenerator gebildet, dessen Frequenz von 10 kHz bis 100 kHz variieren kann.
In bestimmten Fällen kann reines Argon oder reiner Wasserstoff verwendet werden.
Der Gegenstand der Erfindung wird weiter anhand der nachstehend angegebenen konkreten Ausführungsbeispiele veranschaulicht.
Beispiel 1
Dekontaminierung durch Magnetron-Ätzen mittlerer Frequenz eines Blechs aus weichem Stahl, das eine starke Kontaminierung in Form eines Ölfilms vor der Beschichtung im Vakuum mit einem Zinnfilm aufweist.
Beschreibung der Arbeitsbedingungen für die Behandlung einer Fläche: die Geschwindigkeit der Anlage beträgt 500 m/min; drei Einheiten desjenigen des in der 1 gezeigten Typs sind erforderlich; jedes Paar von Gegenelektroden ist mit einem HF-Generator von 40 kHz verbunden, was es erlaubt, eine Arbeitsleistung von 200 kW zu dissipieren; den ersten zwei Einheiten wird ein Gemisch aus 80% Ar und 20% O₂ zugeführt und der Gasdurchsatz wird derart festgelegt, daß der Arbeitsdruck 5 × 10^–3 Torr beträgt, was so die Oxidation der Ölschicht erlaubt.
Der dritten Einheit wird ein Gemisch aus 80% Ar und 20% H₂ zugeführt und der Arbeitsdruck beträgt 5 × 10^–3 Torr, um die Reduktion der auf der Oberfläche des Blechs vorhandenen FeO-Schicht einer Dicke in der Größenordnung von 5 nm zu erhalten.
Nach dieser Behandlung weist das Blech nicht mehr eine Kontaminierung mit Kohlenstoff auf und ist von seiner Oxidschicht befreit.
Beispiel 2
Aktivierungsbehandlung der Oberfläche eines Polyethylenfilms von 20 um Dicke in einem Gemisch aus Sauerstoff und Argon vor der Ablagerung eines SiO₂-Films.
Beschreibung der Arbeitsbedingungen:
eine einzige Einheit vom Typ der 1 ist erforderlich; die Geschwindigkeit der Anlage beträgt 400 m/min.
Jeder der zwei Generatoren gibt eine Nutzleistung von 50 kW bei einer Frequenz von 300 kHz aus.
Die Entladung wird in einem Gemisch aus 70% Ar und 30% O₂ bei einem Druck von 5 × 10^–2 Torr durchgeführt.
Diese Behandlung erlaubt es, die Adhäsion des SiO₂-Films zu verbessern.
Es ist selbstverständlich, daß die Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist und daß weitere Varianten in Betracht gezogen werden können, auch was den Aufbau der Vorrichtung wie auch die Operationsbedingungen des angewendeten Verfahrens betrifft.

Claims

Verfahren zum kontinuierlichen Ätzen der Oberfläche eines Substrats, das sich in einer bestimmten Richtung durch eine Vakuumkammer gegenüber mindestens einer Gegenelektrode bewegt, gemäß welchem, zwischen dieser letzteren und dieser Oberfläche, ein Plasma in einem Gas derart erzeugt wird, daß Radikale und/oder Ionen erzeugt werden, die auf die zu ätzende Oberfläche einwirken können, dadurch gekennzeichnet, daß in der vorstehend genannten Kammer mindestens ein Paar von aufeinanderfolgenden Gegenelektroden verwendet wird, gegenüber welchem sich das vorstehend genannte Substrat bewegt, dadurch, daß an diese Gegenelektroden ein Wechselpotential in der Weise angelegt wird, daß diesen letzteren ein in Bezug auf das Substrat abwechselnd positives und negatives Potential auferlegt wird, wobei das mindestens eine Paar von Gegenelektroden eine erste Gegenelektrode und zweite Gegenelektrode umfaßt, wobei die erste Gegenelektrode in Bezug auf das Substrat positiv polarisiert ist, wenn die zweite Gegenelektrode negativ polarisiert ist, und umgekehrt, und dadurch, daß, an der Oberfläche des Substrats gegenüber der in Bezug auf dasselbe positiv polarisierten Gegenelektrode oder gegenüber der in Bezug auf dasselbe positiv polarisierten Gegenelektroden, ein Bombardement von aus dem zwischen dem Substrat und dieser Gegenelektrode oder diesen Gegenelektroden erzeugten Plasma hervorgegangenen positiven Ionen stattfindet.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß den Gegenelektroden abwechselnd ein positives Potential und ein negatives Potential, die im wesentlichen denselben Absolutwert in Bezug auf das Potential des Substrats aufweisen, auferlegt wird, wie beispielsweise ein in Bezug auf das Potential des Substrats sinusförmig variierendes Potential.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Wechselstrom an das Paar der vorstehend genannten Elektroden angelegt wird mittels eines Transformators, der eine Sekundärspule aufweist, welche aus zwei Teilen in Reihe gebildet ist, deren eines Ende auf einem festen bekannten Potential gehalten wird, wobei das andere Ende von einem der Teile, eventuell über einen Kondensator, mit einer der Gegenelektroden verbunden ist und wobei das andere Ende des anderen Teils, eventuell über einen Kondensator, mit der anderen Gegenelektrode verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transformator verwendet wird, von dem die zwei vorstehend genannten Teile der Sekundärspule, welche mit der jeweiligen Gegenelektrode über Kondensatoren, die hinsichtlich ihrer kapazitiven Eigenschaften ebenfalls im wesentlichen identisch sind, verbunden sind, im wesentlichen identisch sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß eines der Enden der zwei Teile der Sekundärspule im wesentlichen auf demselben Potential wie das Substrat gehalten wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat auf Masse gehalten wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Gegenelektrode ein Magnetkreis vorgesehen ist, der zur Abschirmung der Elektronen des Plasmas dient und hinter der zu ätzenden Fläche des Substrats und gegenüber jeder dieser Gegenelektroden angeordnet ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an die Gegenelektroden ein Wechselpotential angelegt wird, das eine Frequenz von 1 Hz bis 1000 kHz aufweist.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß, wenn die zu ätzende Oberfläche elektrisch leitfähig ist und, beispielsweise, aus Metall hergestellt ist, an die Gegenelektroden ein Wechselpotential von 50 Hz bis 300 kHz und vorzugsweise von 10 kHz bis 100 kHz angelegt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einem kontinuierlichen Band aus Stahl, vorzugsweise aus weichem Stahl, aus Aluminium oder aus rostfreiem Stahl gebildet ist.
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10, umfassend eine Vakuumkammer, in der eine Gegenelektrode, Transportmittel zum Bewegen eines zu ätzenden Substrates gegenüber derselben und Mittel zum Erzeugen eines Plasmas zwischen der Gegenelektrode und dem Substrat in einem Gas, welches es erlaubt, Radikale und/oder Ionen zu erzeugen, die auf die gegen die Gegenelektrode gerichtete Oberfläche des zu ätzenden Substrats einwirken können, angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung mindestens ein Paar von aufeinanderfolgenden Gegenelektroden, Mittel zum Anlegen eines Wechselpotentials oder eines Wechselstroms an diese Gegenelektroden in der Weise, daß diese letzteren abwechselnd positiv und negativ in Bezug auf das Substrat geladen werden, wobei die Mittel zum Erzeugen eines Plasmas es erlauben, dasselbe abwechselnd zwischen einer dieser Gegenelektroden und dem derselben gegenüberliegenden Substrat zu erzeugen, wobei das mindestens eine Paar von Gegenelektroden eine erste Gegenelektrode und eine zweite Gegenelektrode umfaßt und die Mittel zum Anlegen eines Wechselpotentials oder eines Wechselstroms an diese Gegenelektroden dazu vorgesehen sind, die erste Gegenelektrode positiv und die zweite Gegenelektrode negativ in Bezug auf das Substrat zu laden, und umgekehrt.
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner mindestens einen Magnetkreis umfaßt, der zur Abschirmung der Elektronen des Plasmas dient und hinter der zu ätzenden Oberfläche des Substrats und gegenüber mindestens einer der Gegenelektroden angeordnet ist.