DE69830954T2

DE69830954T2 - Überprüfungsverfahren für Substrat mit aktiver Matrix, Substrat mit aktiver Matrix, Flüssigkristallanzeigevorrichtung und elektronische Apparatur

Info

Publication number: DE69830954T2
Application number: DE69830954T
Authority: DE
Inventors: Yojiro Matsueda
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-01-29
Filing date: 1998-01-29
Publication date: 2006-01-12
Anticipated expiration: 2018-01-30
Also published as: US20030098708A1; KR20000064809A; EP0895220B1; KR20050084513A; TW374146B; WO1998033166A1; DE69830954D1; US6525556B2; US6794892B2; JPH10214065A; US20010048318A1; EP1548699A2; US6281700B1; KR100638534B1; EP1548699A3; KR100614016B1; EP0895220A1; JP4147594B2; EP0895220A4

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Überprüfungsverfahren für ein Substrat mit aktiver Matrix, ein Substrat mit aktiver Matrix, eine Flüssigkristallvorrichtung und eine elektronische Apparatur, und insbesondere Techniken zur Überprüfung einer Art von Substrat mit aktiver Matrix, bei dem ein digitaler Datenleitungstreiber (Treiber, in dem ein digitales Signal eingegeben und von einer digitalen zu einer analogen Form umgewandelt wird, um ein analoges Signal zum Antreiben von Datenleitungen auszugeben) (in der Folge als "digitaler Treiber" bezeichnet) auf dem Substrat gebildet ist.
Stand der Technik
In den letzten Jahren wurden aktiv Forschungen bezüglich eines Substrates mit aktiver Matrix mit eingebautem Treiber, in dem Treiberschaltungen (Treiber) für Abtastleitungen und Datenleitungen auf einem Substrat gebildet sind, und einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die das Substrat verwendet, durchgeführt. Ein solches Substrat mit. aktiver Matrix wird zum Beispiel unter Verwendung von Niedertemperatur-Folysiliziumtechniken erzeugt. Um Produkte, in welchen das obengenannte Substrat verwendet wird, auf den Markt zu bringen, muss vom Standpunkt der Garantieleistung eine exakte Überprüfung von entsprechenden Artikeln/nicht entsprechenden Artikeln durchgeführt werden, nachdem das Substrat gebildet wurde, aber vor dem Zusammenbauen einer Platte.
Nach der Studie des gegenwärtigen Erfinders erfordert die zuvor beschriebene Überprüfung vorwiegend Grundüberprüfungen, wie die Prüfung der Ausgangsleistung der Treiber und das Erkennen einer Unerbrechung der Datenleitungen, und Überprüfungen der Eigenschaften von Schaltvorrichtungen (TFTs, MIMs, usw.), die in Pixeln enthalten sind, und der Leckeigenschaften von Speicherkondensatoren, die sich auf eine Überprüfung auf einen Punktdefekt in einer aktiven Matrixeinheit beziehen.
Im Falle eines digitalen Treibers zum Antreiben der Datenleitungen (das heißt, eines digitalen Datenleitungstreibers), wurde ein Verfahren zum gleichzeitigen Antreiben zu vorbestimmten Zeitpunkten (leitungsweises Antriebsverfahren) verwendet, da die Aufmerksamkeit der einfachen digitalen Datenspeicherung galt.
Eine Anzeigevorrichtung mit einem solchen eingebauten digitalen Treibers mit leitungsweisem Antrieb wurde nicht verwirklicht, so dass nicht klar ist, wie die zuvor beschriebenen, äußerst zuverlässigen Überprüfungen ausgeführt werden.
WO 9624123A offenbart eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem Antriebsverfahren und ein Verfahren zur deren Überprüfung. Die Vorrichtung umfasst eine Vielzahl von Datenleitungen, Pixeln, Abtastleitungen und einen digitalen Datenleitungstreiber zum Antreiben der Datenleitungen.
EP 0627722 offenbart eine Lichtmodulatorvorrichtung mit einer Fehlerdetektionsschaltung. Die Vorrichtung umfasst Pixel, die sowohl Transistoren vom Dünnfilmtyp wie auch Flüssigkristallzellen enthält, die von Flüssigkristalltreiberelektroden angetrieben werden, die in einer Matrixform gemeinsam mit Bildsignalleitungen und Steuersignalleitungen angeordnet sind, die an jeden der Transistoren angeschlossen sind.
US 5539326 offenbart eine Methode zum Testen der Verdrahtung oder des Zustandes einer Flüssigkristallanzeige und eines Dünnfilmtransistors.
Daher ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Schaffung einer Technik zur Überprüfung eines Substrats mit aktiver Matrix, das einen darauf montierten digitalen Treiber enthält, so dass äußerst zuverlässige Substrate und Anzeigevorrichtungen usw. auf den Markt gebracht werden können.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Substrat mit aktiver Matrix bereitgestellt, umfassend:
eine Vielzahl von Datenleitungen und eine Vielzahl von Abtastleitungen, wobei eine Vielzahl von Pixeln an Schnittpunkten der Datenleitungen und der Abtastleitungen bereitgestellt ist;
einen digitalen Datenleitungstreiber zum Antreiben der Vielzahl von Datenleitungen; eine Vielzahl von Schaltvorrichtungen, wobei jede Schaltvorrichtung für ein entsprechendes der Pixel bereitgestellt ist;
eine Vielzahl von Speicherkondensatoren zum Speichern von Signalen, die von dem digitalen Datenleitungstreiber über eine entsprechende Datenleitung und Schaltvorrichtung empfangen werden, wobei jedes Pixel einen von der Vielzahl von Speicherkondensatoren in einem Substratzustand hat; und
eine Überprüfungsschaltung, die an Enden der Vielzahl von Datenleitungen gegenüber dem digitalen Datenleitungstreiber bereitgestellt ist;
wobei die Überprüfungsschaltung so aufgebaut ist, dass eine Überprüfung eines Signals durchgeführt wird, das von einem Speicherkondensator eines Pixels gespeichert wird, wenn sich ein Ausgangsanschluss des digitalen Datenleitungstreibers in einem Hochimpedanzzustand befindet.
Da der digitale Treiber für die Datenleitungen einen D/A-Wandler in einer Ausgangseinheit hat, kann er eine aktive Matrixeinheit (Messung von Punktdefekten) nicht überprüfen, indem er ein einmal ausgegebenes Signal wieder über einen gemeinsamen Kanal liest.
Da gemäß der vorliegenden Erfindung jedoch die Überprüfungsschaltung an den gegenüberliegenden Enden der Datenleitungen zu dem digitalen Treiber bereitgestellt ist, können Signale in die Kondensatoren (Speicherkondensatoren) in der aktiven Matrixeinheit durch Antreiben der Datenleitungen mit dem digitalen Treiber geschrieben werden, und die geschriebenen Signale können durch die Überprüfungsschaltung ausgelesen werden. Daher kann eine Bestimmung durchgeführt werden, ob ein Punktdefekt vorhanden ist oder nicht.
Wenn beim Signallesen mit der Überprüfungsschaltung der Ausgang des digitalen Treibers (A/D-Wandler-Ausgang) auf EIN ist, ist die Defektbestimmung auf der Basis von Signalen, die aus den Speicherkondensatoren gelesen werden, nicht gesichert. Somit muss in einem Schritt zum Ermitteln eines Basissignals für eine Punktdefektbestimmung der Ausgang der Überprüfungsschaltung ausgeschaltet werden (in einen Hochimpedanzzustand gebracht werden). Daher enthält der digitale Treiber die Funktion, den Ausgang in einen Hochimpedanzzustand zu versetzen.
Da die Überprüfungsschaltung als Schaltung bereitgestellt ist, die zur Überprüfung verwendet wird, muss sie nicht bei hoher Geschwindigkeit arbeiten, wie der digitale Treiber, und muss nur eine minimale Funktion erfüllen, zum Beispiel imstande sein, eine Überprüfung auszuführen. Daher hat der digitale Treiber gemäß der vorliegenden Erfindung eine Struktur mit bidirektionalen Schaltern (z.B. analogen Schaltern) und Steuermitteln zum Steuern der Umschaltung der Schalter. Ihre vereinfachte Schaltungsanordnung und die fehlende Notwendigkeit hochentwickelter Betriebseigenschaften erfordern nur eine geringe Transistorgröße, wodurch Raum gespart werden kann. Daher kann die Überprüfungsschaltung leicht auf dem Substrat mit aktiver Matrix montiert werden.
"Überprüfungsschaltung" bezeichnet eine Schaltung, die vorwiegend zur Überprüfung verwendet wird und nicht die Funktion hat, die Datenleitungen anzutreiben wie der digitale Treiber, aber die Verwendung einer anderen Aufgabe, die sich von der Überprüfung unterscheidet, und den Einschluss einer Komponente, die für eine andere Aufgabe als die Überprüfung verwendbar ist, nicht ausschließt.
Vorrichtungen, die in der Überprüfungsschaltung enthalten sind, können durch ein identisches Herstellungsverfahren gemeinsam mit Vorrichtungen hergestellt werden, die im digitalen Treiber enthalten sind.
Auf einem Substrat mit aktiver Matrix werden ein digitaler Treiber und eine Überprüfungsschaltung durch ein identisches Verfahren hergestellt. Zum Beispiel ermöglichen Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmtransistor-(TFT)-Techniken die Herstellung.
Der digitale Treiber enthält einen Schalter in seiner Ausgangseinheit und ein Öffnen des Schalters versetzt die Ausgangseinheit in einen Hochimpedanzzustand.
Der Schalter ist in der Ausgangseinheit vorgesehen, um den Ausgang des digitalen Treibers in den Hochimpedanzzustand zu bringen.
Der digitale Treiber enthält einen von einem Schaltkondensator-D/A-Wandler, einem Widerstandsketten-D/A-Wandler und einem PWM-D/A-Wandler.
Beispiele für einen D/A-Wandler, die auf einem Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung montiert werden können, sind dargestellt.
In einem Schaltkondensator-D/A-Wandler zum Beispiel sind Schalter für jeden der bewerteten Kondensatoren bereitgestellt, und die Ladung jedes Kondensators ist mit einem Kopplungskondensator durch Steuerung des Umschaltens der Schalter kombiniert, so dass eine Umwandlungsspannung erzeugt wird.
In einem Widerstandsketten-D/A-Wandler wird zum Beispiel eine widerstandsgeteilte Spannung selektiv durch Steuern des Umschaltens der Schalter, die an den Ausgangskanälen bereitgestellt sind, extrahiert, so dass eine Umwandlungsspannung erzeugt wird.
In einem PWM-D/A-Wandler wird zum Beispiel die EIN-Dauer eines Schalters, der an eine Spannungsquelle angeschlossen ist, in der sich der Spannungswert mit der Zeit ändert (rampenförmige Welle) in Übereinstimmung mit einem digitalen Datenwert gesteuert, so dass eine Umwandlungsspannung erzeugt wird.
Das Steuernmittel in der Überprüfungsschaltung führt eine punktweise Abtastung der bidirektionalen Schalter durch.
Die Überprüfungsschaltung hat zum Beispiel ein punktweises Abtastsystem der Datenleitungen unter Verwendung von Schieberegistern usw., und führt eine Überprüfung durch das punktweise Lesen der Daten aus.
Wenn die Anzahl der bidirektionalen Schalter M ist (wobei M eine natürliche Zahl von nicht kleiner als 2 ist) führt das Steuermittel in der Überprüfungsschaltung wiederholt den gleichzeitigen Antrieb von P (wobei P eine natürliche Zahl ist) bidirektionalen Schaltern Q (wobei Q eine natürliche Zahl ist) mal aus, wodurch insgesamt ein Antrieb von M (M = P × Q) bidirektionalen Schaltern ausgeführt wird.
Die Überprüfungsschaltung verwendet eine Methode, die sich von einer punktweisen Abtastung unterscheidet.
Wenigstens ein Teil der Überprüfungsschaltung ist in einem Raum angeordnet, der sich in dem Substrat mit aktiver Matrix befindet und nicht zur Ausführung der wesentlichen Funktionen, wie der Anzeige eines Bildes, beiträgt.
Da die Überprüfungsschaltung nur eine geringe Transistorgröße und eine kleine eingenommene Fläche benötigt, kann zumindest ein Teil der Überprüfungsschaltung in einem Raum angeordnet werden, der sich in dem Substrat mit aktiver Matrix befindet und nicht zur Ausführung der wesentlichen Funktionen, wie der Anzeige eines Bildes, beiträgt, das heißt, einem sogenannten toten Raum. Daher kann die Vergrößerung des Substrats mit aktiver Matrix und der Flüssigkristallanzeigeverrichtung entfallen.
Die Überprüfungsschaltung ist in einer Dichtungsposition angeordnet, die durch Dichtungsmaterial in einem Plattenherstellungsverfahren gebildet wird.
Die Position, die von dem Dichtungsmaterial in einem Plattenherstellungsverfahren abgedichtet wird, ist ein toter Raum, der unvermeidlich in dem Substrat mit aktiver Matrix gebildet wird. Durch Anordnen der Überprüfungsschaltung in diesem Raum kann eine effektive Nutzung des Raums erreicht werden.
Sowohl die Überprüfungsschaltung als auch der digitale Treiber ist in mehrere Stücke unterteilt und auf dem Substrat mit aktiver Matrix angeordnet.
Es gibt Fälle, dass die Anordnung getrennter Schaltungen eine effektivere Nutzung eines toten Raumes ermöglicht. Durch das Ausmaß der Trennung wird die Anzahl von Vorrichtungen in einem Block verringert und ausreichend Raum für die Schaltungsanordnung erzeugt. Zusätzlich kann durch das Ausmaß der Verringerung in der Anzahl von Vorrichtungen die Betriebsfrequenz eines Schieberegisters oder dergleichen, die in Serie arbeiten, verringert werden.
Die Überprüfungsschaltung ist in mindestens eine erste Überprüfungsschaltung und eine zweite Überprüfungsschaltung geteilt, während der digitale Treiber in mindestens einen ersten digitalen Treiber und einen zweiten digitalen Treiber geteilt ist,
der erste digitale Treiber und die erste Überprüfungsschaltung sind so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen, wobei die Datenleitungen dazwischen bereitgestellt sind, und der zweite digitale Treiber und die zweite Überprüfungsschaltung sind so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen, wobei. die Datenleitungen dazwischen bereitgestellt sind, und
der erste digitale Treiber und die zweite Überprüfungsschaltun sind an identischen Enden der Datenleitungen angeordnet, und der zweite digitale, Treiber und die erste Überprüfungsschaltung sind an identischen Enden der Datenleitungen angeordnet.
Es wird eine Schaltungsanordnung gebildet, in der die getrennten identischen Schaltungen (sowohl die erste Schaltung als auch die zweite Schaltung) an den gegenüberliegenden Seiten der Datenleitungen angeordnet sind, die zwischen ihnen bereitgestellt sind.
Da die Schaltungen verteilt und an der oberen und unteren Oberfläche des Substrats mit aktiver Matrix angeordnet sind, ist es leicht, einen toten Raum um den Anzeigebereich effektiv zu nutzen. Insbesondere gibt es tote Räume gleichmäßig um Dichtungspositionen um das Substrat (an der Ober- und Unterseite), was vorteilhaft ist, wenn Räume effektiv genutzt werden.
Zusätzlich verringert die Schaltungstrennung die Anzahl von Vorrichtungen in einem Schaltungsblock entsprechend der Anzahl von Trennungen, die genug Raum für die Schaltungsanordnung erzeugen. Durch das Ausmaß der Verringerung in der Anzahl von Vorrichtungen kann die Betriebsfrequenz eines Schieberegisters oder dergleichen, die in Serie arbeiten, verringert werden.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Überprüfungsverfahren für das Substrat mit aktiver Matrix bereitgestellt, wie gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung beschrieben, umfassend die folgenden Schritte:
Schreiben von Signalen in die Speicherkondensatoren unter Verwendung des Datenleitungstreibers,
Versetzen des Ausgangsanschlusses des Datenleitungstreibers in einen Hochimpedanzzustand; und
Ermitteln eines Basissignals als Basis für eine Überprüfung durch Lesen der Signale, die in die Speicherkondensatoren geschrieben sind, mit der Überprüfungsschaltung, und Überprüfen einer aktiven Matrixeinheit auf der Basis des ermittelten Basissignals.
Anschließend wird eine Grundmethode für eine Überprüfung einer aktiven Matrixeinheit unter Verwendung eines Substrats mit aktiver Matrix wie folgt beschrieben.
Die Überprüfung des digitalen Treibers selbst und die Überprüfung einer Unterbrechung der Datenleitungen werden durchgeführt, bevor jeder Schritt ausgeführt wird.
Bevor die aktive Matrixeinheit überprüft wird, werden die Ausgangseigenschaften eines digitalen Treibers selbst und die Unterbrechung der Datenleitungen überprüft (einleitend Überprüfung).
Gemäß dem zuvor beschriebenen Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung ist eine Überprüfungsschaltung gegenüber einem digitalen Treiber angeordnet, wobei Datenleitungen dazwischen bereitgestellt sind. Somit kann die einleitende Überprüfung leicht auf der Basis des Empfangs oder der Amplitude der empfangenen Signale usw. durchgeführt werden, indem ein leitungsweiser Antrieb jeder Datenleitung, zum Beispiel einmal, unter Verwendung des digitalen Treibers durchgeführt wird, und dann wird die Überprüfungsschaltung entweder durch eine leitungsweise Abtastung oder eine punktweise Abtastung, die mit der Abtastung der Datenleitungen synchronisiert ist, abgetastet und dann die Signale, die über die Datenleitungen gesendet werden, werden empfangen.
Der Schritt zur Überprüfung der aktiven Matrixeinheit auf der Basis der ermittelten Basissignale enthält den Schritt der Betrachtung der zweidimensionalen Verteilung der Basissignaleigenschaften in der aktiven Matrixeinheit.
In vielen Fällen enthält das Basissignal, das zur Überprüfung der aktiven Matrixeinheit ermittelt wird, beachtliches Rauschen. Daher ist es wirksam, eine relative Überprüfung unter Betrachtung nicht nur des Absolutwertes der Signaleigenschaft sondern auch einer Abnormalität in der Signaleigenschaftsverteilung durchzuführen (z.B. des Vorhandenseins eines bestimmten Abschnitts, der eine Abnormalität in der Form eines signifikanten Punkts im Vergleich mit der Nachbarschaft anzeigt, usw.).
Der Schritt zur Überprüfung der aktiven Matrixeinheit auf der Basis der ermittelten Basissignale enthält den Schritt des Vergleichens des ermittelten Basissignals mit einem Abtastsignal, das zuvor erstellt wird.
Dies ist eine Methode zur Überprüfung, die durch einen Vergleich mit einem Abtastsignal ausgeführt wird. Die Flüssigkristallvorrichtung wird mit einem Substrat mit aktiver Matrix zusammengebaut, und hat eine hohe Zuverlässigkeit, wenn sie eine bestimmte Überprüfung bestanden hat. Ferner umfasst die Flüssigkristallvorrichtung ein Substrat mit aktiver Matrix und hat eine hohe Zuverlässigkeit, wenn sie eine bestimmte Überprüfung bestanden hat. Die elektrische Apparatur, die die Flüssigkristallvorrichtung enthält, hat auch eine hohe Zuverlässigkeit aufgrund der hohen Zuverlässigkeit der Flüssigkristallvorrichtung.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist ein Blockdiagramm, das eine Apparatur zur Ausführung eines Beispiels eines Überprüfungsverfahrens eines Substrats mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung zeigt.
2 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel von Schaltungen zeigt, die auf einem Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung montiert sind.
3 ist ein Diagramm, das den schematischen Vergleich zwischen der Größe eines Transistors, der in dem D/A-Wandler in 2 enthalten ist, und der Größe eines Transistors, der in der Überprüfungsschaltung in 2 enthalten ist, zeigt.
4 ist eine Schnittansicht eines Hauptteils einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die ein Beispiel zeigt, in dem die Überprüfungsschaltung unter einem Dichtungsmaterial angeordnet ist.
5 ist ein Flussdiagramm, das einen Entwurf einer Ausführungsform eines Überprüfungsverfahrens für ein Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung zeigt.
6 ist ein Flussdiagramm, das genauere Einzelheiten des Überprüfungsverfahrens für ein Substrat mit aktiver Matrix einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
7 ist ein Flussdiagramm, das genauere Einzelheiten der Punktdefektmessung in 5 zeigt.
8 ist ein Flussdiagramm, das genauere Einzelheiten der Statusbestimmung in 6 zeigt.
9 besteht aus (a) einer Draufsicht, die ein Beispiel der Struktur eines Pixels zeigt, das in einer aktiven Matrixeinheit enthalten ist, und (b), einem äquivalenten Schaltungsdiagramm der Struktur in (a).
10 besteht aus (a) einer Draufsicht, die ein anderes Beispiel der Struktur eines Pixels zeigt, das in einer aktiven Matrixeinheit enthalten ist, und (b), einem äquivalenten Schaltungsdiagramm der Struktur in (a).
11 ist ein Diagramm, das einen Entwurf eines strukturellen Beispiels eines Kapazitätsteiler-D/A-Wandlers zeigt, der in der vorliegenden Erfindung verwendbar ist.
12 ist ein Diagramm, das ein strukturelles Beispiel der Schaltung eines Teils des Kapazitätsteiler-D/A-Wandlers von 11 zeigt.
13 ist ein Diagramm, das einen Entwurf eines strukturellen Beispiels eines Widerstandsteiler-D/A-Wandlers zeigt, der in der vorliegenden Erfindung verwendbar ist.
14 ist ein Diagramm, das eine Skizze eines strukturellen Beispiels eines PWM-D/A-Wandlers zeigt, der in der vorliegenden Erfindung verwendbar ist.
15 besteht aus (a) und (b) Diagrammen, die einen Entwurf eines Beispiels der Überprüfungsschaltungen zeigen, die in 1 beziehungsweise 2 dargestellt sind.
16 ist ein Diagramm, das einen Entwurf eines anderen Beispiels der Struktur der Überprüfungsschaltungen zeigt, die in 1 und 2 dargestellt sind.
17 ist ein Diagramm, das ein anderes Beispiel einer Struktur der Schaltungen zeigt, die auf dem Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung montiert sind.
18 ist ein Diagramm, das Positionen zeigt, die verwendet werden, wenn ein Glassubstrat geschnitten wird, um ein Substrat mit aktiver Matrix herzustellen.
19 ist ein Diagramm, das eine Schaltungsanordnung der Abtastleitungstreiberschaltung, einer Datenleitungstreiberschaltung, einer Überprüfungsschaltung usw. zeigt.
20 ist ein Diagramm, das einen ersten Schritt in einer Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
21 ist ein Diagramm, das einen zweiten Schritt in der Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
22 ist ein Diagramm, das einen dritten Schritt in der Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
23 ist ein Diagramm, das einen vierten Schritt in der Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
24 ist ein Diagramm, das einen fünften Schritt in der Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
25 ist ein Diagramm, das einen sechsten Schritt in der Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
26 ist ein Diagramm, das einen siebenten Schritt in der Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für das Substrat mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
27 ist ein Diagramm, das die Struktur einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung zeigt, in der ein Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
28 ist ein Diagramm, das ein Beispie1 (einen Laptop-Computer) einer elektronischen Apparatur zeigt, in der ein Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
29 ist ein Diagramm, das ein anderes Beispiel (einen Flüssigkristallprojektor) einer elektronischen Apparatur zeigt, in der ein Substrat mit aktiver Matrix der Vorliegenden Erfindung verwendet wird.
30 besteht aus (a) einer Schnittstrukturansicht der Vorrichtung entlang der Linie A-A in 9(a) und (b) einer Schnittstrukturansicht der Vorrichtung entlang der Linie A-A in 10(a).
In den Zeichnungen bezeichnen die Bezugszeichen Folgendes.

10: Testsystemsteuerung
20: Taktgeber
30: Datengenerator
40: Hochgeschwindigkeitsverstärker und A/D-Wandler
100: Tester für das Substrat mit aktiver Matrix
200: Vollautomatischer Prover
210: Prover-Steuerung
220: DUT-Platte
300: Substrat mit aktiver Matrix
310: Aktive Matrixeinheit
320: Abtastleitungstreiber
330: Digitaler Datenleitungstreiber mit einer OFF-Ausgangsfunktion
340: Überprüfungsschaltung

Beste Ausführungsform der Erfindung
Es folgt eine ausführlichere Beschreibung unter Bezugnahme auf die folgenden Ausführungsformen der Erfindung, die in den Zeichnungen dargestellt sind.
Erste Ausführungsform
(1) Entwurf eines Überprüfungssystems und dessen Betrieb
1 ist ein Blockdiagramm, das eine gesamte Zusammenstellung einer Apparatur zur Ausführung eines Beispiels eines Überprüfungsverfahrens für ein Substrat mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung zeigt.
Diese Ausführungsform beschreibt einen Fall, wo ein Substrat mit aktiver Matrix (in der Folge als "TFT-Substrat" bezeichnet) mit Schaltvorrichtungen in einem Pixelab schnitt, die aus Dünnfilmtransistoren (TFTs) gebildet sind, überprüft wird.
In 1 enthält ein Tester 100 für ein TFT-Substrat eine Testsystemsteuerung 10 zum Überwachen und Steuern eines Überprüfungsvorgangs, einen Taktgeber 20 zum Erzeugen verschiedener Taktsignale, einen Datengenerator 30 zum Ausgeben von Daten zur Überprüfung, einen Hochgeschwindigkeitsverstärker und A/D-Wandler 40 und eine Datenanalyseeinrichtung 50, der Daten, die vom A/D-Wandler ausgegeben werden, eingegeben werden, und die eine vorbestimmte Analyse durchführt.
Der vollautomatische Prover 200 enthält eine Prover-Steuerung 210 und eine DUT-Platte 220 als Schnittstelle für verschiedene Signale.
Ein TFT-Substrat 300 hat eine aktive Matrixeinheit, einen Abtastleitungstreiber 320, einen digitalen Datenleitungstreiber 330 mit einer OFF-Ausgangsfunktion (in der Folge einfach als "digitaler Datenleitungstreiber" bezeichnet), und eine Überprüfungsschaltung 340. Die OFF-Ausgangsfunktion ist die Funktion, die ermöglicht, dass ein Ausgang in einen Hochimpedanzzustand gezwungen wird. Bei der Überprüfung wird eine Sonde (ein Überprüfungsanschluss, der in 1 nicht dargestellt ist) des vollautomatischen Provers an einen bestimmten Anschluss (in 1 nicht dargestellt) angeschlossen, in dem das TFT-Substrat 300 exponiert ist.
Zusätzlich werden Taktsignale und Überprüfungsdaten unter der Überwachung und Steuerung der Testsystemsteuerung 10 von dem Taktgenerator 20 und dem Datengenerator 30 in dem TFT-Substrattester 100 ausgegeben. Diese werden über die DUT-Platte 220 im vollautomatischen Prover 200 zu dem TFT-Substrat 300 gesendet.
Die Taktsignale werden dem Abtastleitungstreiber 320 in dem TFT-Substrat 300, dem digitalen Datenleitungstreiber 330 beziehungsweise der Überprüfungsschaltung 340 eingegeben, und die Überprüfungsdaten werden dem digitalen Datenleitungstreiber 330 eingegeben.
Nach Beendigung eines bestimmten Überprüfungsverfahrens (Einzelheiten des Überprüfungsvorgangs werden in der Folge beschrieben), gibt die Überprüfungsschaltung 340 ein ermitteltes analoges Signal (in der Folge als "Basissignal" beschrieben) aus, das als Grundlage für die Überprüfung dient, und dieses Basissignal wird über die DUT-Platte 220 in dem vollautomatischen Prover 200 zu dem TFT-Tester 100 gesendet. Es wird durch den Hochgeschwindigkeitsverstärker und A/D-Wandler im TFT-Tester 10 verstärkt und von der analogen in die digitale Form umgewandelt, und die umgewandelten Daten werden der Datenanalyseeinrichtung 50 eingegeben, wo deren vorbestimmte Analyse ausgeführt wird.
(2) Entwurf von Schaltungen, die auf dem TFT-Substrat 300 gebildet sind
In 2 zeigt ein Beispiel eines spezifischen Blockdiagramms des TFT-Substrats 300, das in 1 dargestellt ist. Damit eine Überprüfung unter Verwendung des in 1 dargestellten Systems ausgeführt werden kann, muss das TFT-Substrat 300 einige notwendig Bedingungen erfüllen.
Mit anderen Worten, die notwendigen Bedingungen sind, dass der digitale Datenleitungstreiber eine OFF-Ausgangfunktion hat (die Funktion, den Ausgang in einen Hochimpedanzzustand zu setzen) und dass jeder Pixelabschnitt eine Kapazität im Substratzustand hat.
Wie in 2 dargestellt, enthält der digitale Datenleitungstreiber 330, der in das TFT-Substrat 300 eingebaut ist, ein m-Bit Schieberegister 400, einen u-Bit-Dateneinga beanschluss (D1 bis du), u × m Schalter SW1 bis SWum, einen u × m-Bit Zwischenspeicher A (Bezugszeichen 410) und einen Zwischenspeicher B (Bezugszeichen 420), und einen m-Bit D/A-Wandler 430. In dieser Ausführungsform hat der D/A-Wandler 430 eine OFF-Ausgangsfunktion.
Der Abtastleitungstreiber 320 enthält ein n-Bit Schieberegister 322.
Die aktive Matrixeinheit enthält eine Vielzahl von Datenleitungen X1 bis Xm, eine Vielzahl von Abtastleitungen Y1 bis Yn, TFTs (M1), die in einer Matrix angeordnet sind und an entsprechende Abtastleitungen und die Datenleitungen angeschlossen sind, und Speicherkondensatoren (Haltekondensatoren) C_S1. Das Vorhandensein der Speicherkondensatoren C_S1 ermöglicht eine Messung von Punktdefekten im Substratzustand.
Im TFT-Substratzustand sind keine Flüssigkristallkondensatoren C_LC vorhanden. In 2 jedoch sind zum besseren Verständnis die Flüssigkristallkondensatoren C_LC der Deutlichkeit wegen dargestellt. Zusätzlich werden Anschlüsse der Speicherkondensator C_S1 gegenüber ihren Anschlüssen an die TFTs (M1) so gehalten, dass sie ein gemeinsames Potenzial V_COM haben.
(3) Spezifische Strukturen
1. Struktur des Speicherkondensators
In 9(a) und (b) ist die Struktur eines Pixels in der aktiven Matrixeinheit in 2 dargestellt.
In 9 zeigt (a) ihre Schaltungsanordnung und (b) zeigt ihre äquivalent Schaltung. Die Schnittstruktur der Vorrichtung entlang der Linie A-A in 9(A) ist in 30(a) dargestellt.
In 9(a) bezeichnen die Bezugszeichen 5000, 5100 Abtastleitungen und die Bezugszeichen 5200, 5300 bezeichnen Datenleitungen. Zusätzlich bezeichnet das Bezugszeichen 5400 eine Kondensatorleitung und des Bezugszeichen 5500 bezeichnet eine Pixelelektrode.
Wie aus 30(a) erkennbar ist, ist ein Isolierfilm 5520, ähnlich einem Isolierfilm 5510, zwischen einer Verlängerung 5505 des Drains eines TFT, und einer Kondensatorleitung 5400 gebildet, die gleichzeitig in dem Schritt zur Bildung einer Abtastleitung (Gate-Elektrode) 5000 gebildet wird, und ein Zwischenschicht-Isolierfilm 5530 ist zwischen der Kondensatorleitung 5400 und der Pixelelektrode 5500 gebildet. Diese bilden einen Speicherkondensator (C_S1) 5410. Das Bezugszeichen 5600 bezeichnet eine Öffnung (einen Bereich, durch den Licht hindurchgeht) und K1, K2 bezeichnen Kontaktbereiche.
Der Speicherkondensator (C_S1) kann unter Verwendung der Struktur gebildet werden, die in 10(a) und (b) dargestellt ist. In 30(b) ist die Schnittstruktur der Vorrichtung entlang der Linie A-A in 10(a) dargestellt.
In 9 sind die Kondensatorleitungen getrennt gebildet. In 10 wird der Speicherkondensator jedoch durch Überlappen der Verlängerung des TFT-Drains mit einer benachbarten Abtastleitung (Gate-Elektrode) gebildet.
Mit anderen Worten, wie in 10(a) und 30(b) dargestellt, ist ein Isolierfilm 5130, ähnlich einem Gate-Isolierfilm 5120, zwischen einer Drain-Verlängerung 5700, die aus Polysilizium besteht, und einer benachbarten Abtastleitung (Gate-Elektrode) 5100 gebildet, und ein Zwischenschicht-Isolierfilm 5140 ist zwischen der benachbarten Abtastleitung 5100 und der Pixelelektrode 5500 gebildet.
Diese bilden einen Speicherkondensator 5420. In 10(a) sind Teile, die jenen in 9(a) entsprechen, mit identischen Bezugszeichen bezeichnet.
(2) Struktur des D/A-Wandlers
Es können jene mit Strukturen, die in 11 bis 14 dargestellt sind, für den m-Bit D/A-Wandler 430 in 2 verwendet werden.
Wenn eine Punktdefektüberprüfung durchgeführt wird, ist erforderlich, dass der Ausgang eines D/A-Wandlers ausgeschaltet wird, nachdem ein Signal zuvor in den Kondensator eines Pixels geschrieben wurde. Daher hat jeder der D/A-Wandler in 11 bis 14 eine OFF-Ausgangsfunktion (die Funktion, den Ausgang in einen Hochimpedanzzustand zu setzen). Es folgt eine genaue Beschreibung.
Schaltkondensator-D/A-Wandler
Der D/A-Wandler 430 in 11 ist ein Schaltkondensator-D/A-Wandler mit einer OFF-Ausgangsfunktion. In diesem Wandler wird eine elektrische Ladung in bewerteten Kondensatoren (binär bewerteten Kondensatoren) C1 bis C8 aufgebaut, und wenn 8-Bit Eingangsdaten D1 bis D8 "1" sind, werden die entsprechenden Schalter (SW20 bis SW28) geschlossen, um die elektrische Ladung zwischen den entsprechenden Kondensatoren (C1 bis C8) und einem Kopplungskondensator D30 zu übertragen, wodurch. eine Umwandlungsspannung, die den 8-Bit Eingangsdaten D1 bis D8 entspricht, an einem Ausgangsanschluss V_OUT erzeugt wird. In 11 sind die Schalter (SW1 bis SW8) Rückstellschalter für die Kondensatoren C1 bis C8, und V0 ist eine Rückstellspannung. Ein Schalter C40 ist ein Rückstellschalter für den Kopplungskondensator C30.
Eine Schaltersteuerungsschaltung 6000 ist bereitgestellt, um die Schalter SW20 bis SW28 zwangsweise zu öffnen, so dass der Ausgangsanschluss V_OUT sich in einem schwebenden Zustand (Hochimpedanzzustand) befindet.
In 12 ist die spezifische Struktur des Schalters SW20 dargestellt. Der Schalter SW20 enthält ein Übertragungs-Gate, das aus einem n-MOS Transistor M10, einem p-MOS Transistor M20 und einem Inverter INV1 besteht, und einen n-MOS Transistor M30, der in Serie an das Übertragungs-Gate angeschlossen ist. Die Schaltersteuerungsschaltung 6000 bewirkt, dass der Ausgang, der den Eingangsdaten D1 entspricht, in den Hochimpedanzzustand gelangt, indem der n-MOS Transistor M30 abgeschaltet wird. Die anderen Schalter, die den anderen Eingangsdaten entsprechen, können auf gleiche Weise in einen Hochimpedanzzustand gebracht werden.
In 11 und 12 ist die Schaltersteuerungsschaltung 6000 unabhängig bereitgestellt, und in 12 ist der spezielle Transistor (M30) zum Erzeugen des Hochimpedanzzustandes bereitgestellt. Die Anordnung ist jedoch nicht immer auf diese beschränkt. Zum Beispiel können in 11 und 12 durch Verwendung eines Rückstellsignals oder dergleichen zum zwangsweisen Fixieren der Eingangsdaten D1 bis D8 auf "0", der Schalter (SW20) in 11 und die Übertragungs-Gates (M10, M20) in 12 ausgeschaltet werden, um den Ausgang in den Hochimpedanzzustand zu bringen.
Widerstandsketten-D/A-Wandler
Der in 13 dargestellte D/A-Wandler 430 empfängt einen Umwandlungsausgang V_OUT durch Steuern des Öffnens und Schließens von Schaltern SW100 bis SW108, um eine geteilte Spannung, die von jedem der gemeinsamen Verbindungspunkte der Widerstände R1 bis R8 erhalten wird, die in Serie angeschlossen sind, auszuwählen und zu extrahieren.
Das Öffnen und Schließen der Schalter SW100 bis SW108 wird durch den Ausgang eines Dekodierers 7000 bestimmt. Die Schalter SW100 bis SW108 (Schaltergruppe 7100) werden von einer Schaltersteuerungsschaltung 7200 gesteuert, so dass sie gleichzeitig geöffnet werden, und der Ausgang kann in einen Hochimpedanzzustand gebracht werden.
PWM-D/A-Wandler
Der in 14 dargestellte D/A-Wandler 430 verwendet eine PWM-Schaltung 7502 zur Erzeugung eines Impulssignals mit einer Impulsbreite, die dem Wert von Eingangsdaten entspricht, und erhält einen Umwandlungsausgang V_OUT durch Verwenden der Impulsbreite zum Steuern der EIN-Dauer (Dauer des geschlossenen Zustandes) eines Schalters 7506. Das Bezugszeichen 7504 bezeichnet eine Stromversorgung mit rampenförmiger Welle und das Bezugszeichen 7400 bezeichnet eine Zwischenspeicherschaltung, in der Bilddaten vorübergehend gespeichert werden. Zusätzlich ermöglicht die Steuerung durch die Schaltersteuerungsschaltung 7508, dass der Schalter 7506 zwangsweise geöffnet wird, und der Ausgang im Hochimpedanzzustand ist.
(3) Struktur der Überprüfungsschaltung
Die in 15(a) und (b) und 16 gezeichneten sind als Überprüfungsschaltung 340, die in 2 dargestellt ist, verwendbar. "Überprüfungsschaltung" bedeutet, dass sie zur Überprüfung verwendet wird, aber nicht zum Antreiben der Datenleitungen bestimmt ist, wie der Datenleitungstreiber, schließt aber nicht aus, dass sie eine Struktur hat, die für einen anderen Zweck als die Überprüfung verwendet wird, oder dass die gesamte Schaltung für einen anderen Zweck als die Überprüfung verwendet wird.
In der Überprüfungsschaltung 342 in 15(a) werden von MOS-Transistoren verwendete Analogschalter SW_X1 bis SW_Xm entsprechend jeder der Datenleitungen X1 bis Xm bereitgestellt, und eine punktweise Abtastung der Analogschalter SW_X1 bis SW_Xm wird mit Ausgängen von einem Schieberegister 7600 durchgeführt, wobei Basissignale, die als Grundlage für die Überprüfung dienen, der Reihe nach von einem Ausgangsanschluss T_OUT erhalten werden können. Die Basissignale werden zu der DUT-Platte 220 im vollautomatischen Prover 200 gesendet.
In 15(b) treibt ein Ausgang vom Schieberegister 7602 analoge Schalterpaare (SW_X1 bis SW_Xm) an, was im Prinzip dahingehend gleich wie in 15(A) ist, dass eine punktweise Abtastung verwendet wird. Durch gleichzeitiges Antreiben von zwei analogen Schaltern muss die Anzahl von Bits (die Anzahl von Stufen) nur m/2 Bits sein. Zusätzlich werden die Basissignale von zwei Anschlüssen T_OUT1 und T_OUT2 erhalten.
In der Überprüfungsschaltung 342 in 16 wird eine andere Technik als eine punktweise Abtastung verwendet. Mit anderen Worten, die Technik besteht darin, dass, wenn m analoge Schalter SW_X1 bis SW_Xm angetrieben werden, p analoge Schalter gleichzeitig angetrieben werden und der Antrieb wiederholt q mal ausgeführt wird, wodurch der Antrieb von insgesamt m (m = p × q) analogen Schaltern ausgeführt wird.
Eine Schaltersteuerungsschaltung 7300 schaltet wiederholt Steuerleitungen G1 bis Gq ein, und sobald jede Steuerleitung eingeschaltet ist, werden gleichzeitig Basissignale von Ausgangsleitungen L1 bis Lp erhalten.
Da jede der zuvor beschriebenen Überprüfungsschaltungen keine Datenleitungstreiberfähigkeit benötigt, und keinen Hochgeschwindigkeitsantrieb zur Bildanzeige erfordert, kann deren Transistorgröße klein sein und erfordert im Prinzip nur eine minimale Betriebsfähigkeit. Daher kann die eingenommene Fläche extrem verringert werden und sie kann auf einem TFT-Substrat gebildet werden.
3 zeigt den Vergleich zwischen der Größe eines MOS-Transistors an der Ausgangsstufe des D/A-Wandlers 430 unter der Bedingung, dass der D/A-Wandler einen punktweisen Antrieb durchführen kann, und der Größe eines MOS-Transistors, der die Überprüfungsschaltung 342 bildet.
Mit anderen Worten, die Kanalbreite (W) des MOS-Transistors M200, der den D/A-Wandler 430 bildet, der für einen punktweisen Antrieb geeignet ist, muss mindestens 1000 μm oder mehr sein. Im Gegensatz dazu ist die Kanalbreite (W) des MOS-Transistors M300, der die Überprüfungsschaltung 342 bildet, vorzugsweise 100 μm oder weniger. Mit anderen Worten, die Größe, die für den Überprüfungsschaltungstransistor notwendig ist, ist 1/10 oder weniger.
Da, wie zuvor beschrieben, die Transistorgröße klein und die eingenommene Fläche verringert sein kann, kann zumindest ein Teil der Überprüfungsschaltung 342 im Raum des TFT-Substrats angeordnet werden, der nicht zur Ausführung wesentlicher Funktionen, wie der Bildanzeige, beiträgt, mit anderen Worten, im sogenannten toten Raum. Daher kann eine Vergrößerung des TFT-Substrats und der Flüssigkristallanzeigevorrichtung unterdrückt werden.
Wie zum Beispiel in 4 dargestellt, kann die Überprüfungsschaltung 342 in einer Dichtungsposition angeordnet werden, die durch das Dichtungsmaterial in einem Herstellungsverfahren für eine TFT-Substratplatte gebildet wird. In 4 ist für ein besseres Verständnis die Schnittstruktur einer vollendeten Flüssigkristallanzeigevorrichtung gezeichnet.
In 4 bezeichnet das Bezugszeichen 500 ein Glassubstrat, das Bezugszeichen 510 einen SiO₂-Film, das Bezugszeichen 520 bezeichnet einen Gate-Isolierfilm, die Bezugszeichen 530, 540 bezeichnen Zwischenschicht-Isolierfilme, die Bezugszeichen 522, 524 bezeichnen Source-Drain-Schichten, und das Bezugszeichen 526 bezeichnet eine Gate-Elektrode.
Der MOS-Transistor M300, der die Überprüfungsschaltung bildet, ist in einem Dichtungsbereich A1 angeordnet, der durch ein Dichtungsmaterial 550 gebildet ist. Die Dichtungsposition, die durch das Dichtungsmaterial gebildet wird, ist ein toter Raum, der unvermeidlich in dem Substrat mit aktiver Matrix entsteht. Durch Anordnen der Überprüfungsschaltung in diesem Raum kann der Raum effektiv genutzt werden.
In 4 bezeichnet das Bezugszeichen 560 ein Gegensubstrat, die Bezugszeichen 570, 572 bezeichnen Ausrichtungsschichten, und das Bezugszeichen 574 bezeichnet einen Flüssigkristall.
(4) Verfahren zur Überprüfung eines TFT-Substrats
1. Skizzierung
Eine Überprüfung eines TFT-Substrats ist weitgehend in einen Schritt (einleitender Überprüfungsschritt, Schritt 600 – 5) zum Erfassen von Unterbrechungen von Signalleitungen und zur Überprüfung eines Ausgangs von einem D/A-Wandler, und einen Schritt (Schritt 610) zur Überprüfung von Punktdefekten unterteilt.
Die Überprüfung (Schritt 600) zum Erfassen von Unterbrechungen von Signalleitungen und zur Überprüfung eines Ausgangs von einem D/A-Wandler ist eine Überprüfung, die durch die Basisstruktur des Substrats mit aktiver Matrix (1, 2) dieser Ausführungsform ausgeführt wird. In der Überprüfung kann die Überprüfung allgemein durch eine Abtastung durch Einschalten aller Ausgänge des digitalen Datenleitungstreibers 330 und Verwenden der Überprüfungsschaltung 340 zum Empfangen der Ausgänge durchgeführt werden.
Wenn zum Beispiel keine Ausgangssignale von dem Datenleitungstreiber über die Datenleitungen übertragen werden, wird bestimmt, dass die Datenleitungen getrennt sind oder der Datenleitungstreiber selbst einen Defekt hat. Der Schritt (Schritt 610) zur Überprüfung von Punktdefekten wird in der Folge beschrieben.
2. Spezifischer Überprüfungsprozess
In 6 ist ein Beispiel für einen spezifischen Überprüfungsprozess dargestellt.
In Bezug auf das Flussdiagramm in 6 wird ein Verfahren angewendet, in dem eine Überprüfung in der Reihenfolge der für die Überprüfung erforderlichen Zeit durchgeführt wird, das heißt, in dem ein Objekt, das eine kurze Überprüfungszeit benötigt, als erstes überprüft wird, und gemäß diesem Verfahren werden alle notwendigen Schritte überprüft. Der Überprüfungsprozess ist jedoch nicht darauf beschränkt, und falls ein Defekt gefunden wird, ist es möglich, die Durchführung anschließender Überprüfungen zu stoppen. Der Überprüfungsprozess in 6 wird der Reihe nach in der Folge beschrieben.
Zunächst wird eine Bestimmung vorgenommen, ob ein TFT-Substrat, das noch nicht überprüft wurde, vorhanden ist (Schritt 700). Wenn ein TFT-Substrat vorhanden ist, das noch nicht überprüft wurde, wird das Substrat mit dem System in 1 ausgerichtet (an diesem montiert) (Schritt 700) und dann wird eine Prüfung ("Proving") mit dem vollau tomatischen Prover 220 in 1 durchgeführt (Schritt 720).
Zusätzlich wird ein vom Treiber verbrauchter Strom gemessen (Schritt 730). Dieser Schritt bestimmt, ob ein Verbrauchsstrom, der in den Datenleitungen strömt, und eine Stromversorgung für den Abtasttreiber (und die Überprüfungsschaltung) sich in einem normalen Bereich befindet oder nicht. Falls ein Kurzschluss in der Stromversorgung eintritt, fließt Überstrom, und dann kann die Bestimmung durchgeführt werden.
Anschließend wird ein Endimpuls des Abtastleitungstreibers gemessen (Schritt 740). Mit anderen Worten, ein Impuls wird in die erste Stufe des Schieberegisters eingegeben und eine Bestimmung durchgeführt, ob der Impuls von der letzten Stufe zu einem bestimmten Zeitpunkt ausgegeben wird. Da der Impuls ein digitales Signal ist, kann eine sofortige Bestimmung ausgeführt werden.
Anschließend wird ein Endimpuls des Datenleitungstreibers ähnlich wie bei dem Abtastleitungstreiber gemessen (Schritt 750).
Anschließend wird eine Kurzschlussüberprüfung der Datenleitungen (Signalleitungen) und der Abtastleitungen ausgeführt (Schritt 760).
Mit anderen Worten, ein Strom, der vom Abtastleitungstreiber zu der Überprüfungsschaltung fließt, wird gemessen, während alle Ausgänge des Abtasttreibers auf einen hohen Pegel gestellt sind, und jeder Schalter in der Überprüfungsschaltung eingeschaltet ist. Wenn ein Kurzschluss in der Verbindung auftritt, fließt Überstrom.
Anschließend wird eine Unterbrechungsüberprüfung der Datenleitungen (Signalleitung) und der Abtastleitungen ausgeführt (Schritt 770).
Mit anderen Worten, während alle Ausgänge des digitalen Treibers auf einen hohen Pegel gestellt sind, wird eine Stromänderung durch aufeinanderfolgendes Verschließen der Schalter der Überprüfungsschaltung erfasst. Wenn eine Unterbrechung vorhanden ist, nimmt der Stromfluss ab, wodurch ein Erfassen möglich ist.
Anschließend werden die Ausgänge des D/A-Wandlers gemessen (Schritt 780).
Vor der Durchführung der Punktdefektüberprüfung werden alle Ausgänge des D/A-Wandlers überprüft. In dieser Überprüfung ist zur Erhöhung ihrer Präzision bevorzugt zu prüfen, ob die Ausgangspegel der Signale, die eine Vielzahl von Grauskalen: weiß, schwarz und Zwischentöne haben, richtig sind oder nicht.
Insbesondere wird eine Spannung, die bei einem vorbestimmten Pegel eingestellt ist, an alle Datenleitungen (Signalleitungen) ausgegeben, dann wird der Ausgang des D/A-Wandlers nach einer bestimmten Zeit in einen Hochimpedanzzustand gebracht, und die Spannung jeder Überprüfungsschaltung (Signalleitung) wird unter Verwendung der Überprüfungsschaltung erfasst.
Anschließend wird eine Punktdefektmessung durchgeführt (Schritt 790).
Insbesondere wird diese Punktdefektmessung nach dem in 7 dargestellten Prozess durchgeführt. Mit anderen Warten, Signale werden in die Speicherkondensatoren in den Pixeln (Schritt 900) geschrieben, in dem alle Ausgänge des digitalen Datenleitungstreibers eingeschaltet werden, so dass die Spannung, die bei einem vorbestimmten Pegel eingestellt ist, an alle Datenleitungen (Signalleitungen) ausgegeben wird. Anschließend werden die Ausgänge der D/A-Wandler des digitalen Datenleitungstreibers in einen Hochimpedanzzustand gebracht (Schritt 910). Danach wird eine Schwankung des Potenzials für jedes Pixel erfasst (Schritt 920), indem die Abtastleitungen einzeln bei geschlossenen Schaltern gewählt werden. Falls notwendig, werden zusätzlich eine Reihe von Erfassungen (Schritt 930) und die Erfassungen mit verschiedenen Schreibzuständen (Schritt 940) ausgeführt.
Wenn eine Abnormalität (ein Defekt) in einem der obengenannten Schritte festgestellt wird, wird die defekte Adresse nach Bedarf erfasst und als Basisdaten zur Statusbestimmung verwendet (Schritt 800 in 6).
Da die Basisdaten, die als Basis für die Erfassung dienen, in den obengenannten Schritten erhalten werden, wird eine umfassende Statusbestimmung auf Grundlage der Basisdaten durchgeführt (Schritt 810 in 6).
Zum Beispiel wird die Statusbestimmung derart umfassend durchgeführt, dass, wie in 8 dargestellt, die zweidimensionale Verteilung der Basisdaten auf dem TFT-Substrat betrachtet wird um festzustellen, ob ein Teil (signifikanter Punkt), der einen numerischen Wert zeigt, welcher sich extrem von jenem der Nachbarschaft unterscheidet (Schritt 960), vorhanden ist, und eine Abnormalität wird unter Verwendung von Abtastdaten für einen Vergleich ermittelt (Schritt 970).
Zusätzlich werden die obengenannten Überprüfungsschritte der Reihe nach für andere Chips durchgeführt, die noch nicht überprüft wurden (Schritte 820, 830 in 6).
Wie zuvor beschrieben kann gemäß dieser Ausführungsform eine Überprüfung auf einen entsprechenden Artikel eines Substrats mit aktiver Matrix mit einem eingebauten digitalen Datenleitungstreiber präzise in kurzer Zeit ausgeführt werden.
(Zweite Ausführungsform)
Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Verwendung von 17 beschrieben.
Ein Merkmal dieser Ausführungsform ist, dass digitale Datenleitungstreiber und Überprüfungsschaltungen so angeordnet sind, dass sie in nach oben und nach unten gerichtete geteilt sind, und die nach oben und nach unten gerichteten getrennten Schaltungen sehr nahe beieinander angeordnet sind, so dass eine kompakte Struktur erhalten wird.
Wie in 17 dargestellt, bestehen die digitalen Datenleitungstreiber aus den zwei folgenden: einem erster Treiber 8000A und einem zweiten Treiber 8000B. Die Struktur des digitalen Datenleitungstreibers selbst ist mit jener in 2 identisch. Die zweiteilige Form bewirkt jedoch, dass die Anzahl von Bits jedes Treibers 1/2 mal von jener in 2 ist.
Zusätzlich bestehen die Überprüfungsschaltungen aus den zwei folgenden: einer ersten Schaltung 8100A und einer zweiten Schaltung 8100B. Die erste Schaltung 8100A ist an gerade Datenleitungen (X2, X4 bis Xm) angeschlossen, und die zweite Schaltung 8100B ist an ungerade Datenleitungen (X1, X3 bis Xm-1) angeschlossen. In 17 bezeichnen die Bezugszeichen S1, S2, S3, S4, Sm und Sm-l analoge Schalter und die Bezugszeichen 8102 und 8104 bezeichnen einstufige Schieberegister.
Durch Teilen der Treiber und Überprüfungsschaltungen wie in dieser Ausführungsform beschrieben, können verschiedene Vorteile, die in der Folge beschrieben sind, erhalten werden.
Mit anderen Worten, eine Teilung der Treiber und Überprüfungsschaltungen ermöglicht, dass die Anzahl von Vorrichtungen, die jede Schaltung bilden, um die Hälfte verringert wird, die eingenommene Fläche in gleichem Maße verkleinert wird, und die Anordnung der Vorrichtungen mit Zwischenraum erfolgt.
Da die Anzahl der Schieberegisterstufen auch halbiert ist, wird zusätzlich auch die Betriebsfrequenz halbiert, was für das Schaltungsdesign von Vorteil ist.
Ferner führt die Schaltungsteilung zu der gleichmäßigen Anordnung von Schaltungen, die um Pixel angeordnet sind, wodurch ein toter Raum effizient genutzt werden kann. Zum Beispiel ist dies vorteilhaft, um den toten Raum direkt unter dem Dichtungsmaterial zu nutzen, wie in 4 beschrieben.
Mit anderen Worten, das Dichtungsmaterial wird so bereitgestellt, dass seine gleichmäßige Breite den Umfang des Substrats berührt, ohne eine übermäßige Belastung auf das Substrat auszuüben. Daher sind die geteilten Schaltungen und die verringerte Anzahl von Schaltungsvorrichtungen zur Verbesserung der Nutzungseffizienz des toten Raumes direkt unter dem Dichtungsmaterial nützlich.
Insbesondere ist die Vorrichtungsgröße der Überprüfungsschaltungen kleiner als die Größe der Treibervorrichtung. Somit verringert eine Teilung der Überprüfungsschaltungen den Raum, was für das Design der Schaltungsanordnung von Vorteil ist.
In 19 ist ein Beispiel der Anordnung einer Überprüfungsschaltung usw. auf einem Substrat mit aktiver Matrix (TFT-Substrat) dargestellt. 19 zeigt nicht nur die Schaltungsanordnung von Treibern usw. auf dem Substrat mit aktiver Matrix, sondern auch vertikale Schnittflächen und transversale Schnittflächen einer Flüssigkristallplatte, die das TFT-Substrat enthält.
In 19 bezeichnet das Bezugszeichen 9100 ein Substrat mit aktiver Matrix (TFT-Substrat), die Bezugszeichen 8000A und 8000B bezeichnen einen digitalen Datenleitungstreiber und eine Überprüfungsschaltung, und das Bezugszeichen 320 bezeichnet einen Abtastleitungstreiber. Zusätzlich bezeichnet das Bezugszeichen 8300 ein lichtabschirmendes Muster, in dem eine aktive Matrixeinheit (Pixel) vorhanden ist. Das Bezugszeichen 8400 bezeichnet eine Montageanschlusseinheit, das Bezugszeichen 9200 bezeichnet ein Dichtungsmaterial, das Bezugszeichen 574 bezeichnet einen Flüssigkristall und das Bezugszeichen 9000 bezeichnet ein Gegensubstrat (ein aus einem Farbfilter gebildetes Substrat).
Wie aus 19 hervorgeht, ist sowohl der Abtastleitungstreiber, der Datenleitungstreiber als auch die Überprüfungsschaltung unter effektiver Nutzung der toten Räume um das Substrat mit aktiver Matrix angeordnet. Daher ist diese Anordnung dazu ausgelegt, den toten Raum in der Dichtungsposition durch das Dichtungsmaterial effektiv zu nutzen.
Die Flüssigkristallplatte (Substrat mit aktiver Matrix 9100), die in 19 dargestellt ist, wird durch eine Schneideschritt hergestellt, wie zum Beispiel in 18 dargestellt ist.
Mit anderen Worten, in 18 werden ein Substrat mit aktiver Matrix (TFT-Substrat) 9100 und ein Gegensubstrat (Farbfiltersubstrat) 9000 durch eine großformatige Klebetechnik aneinandergeklebt, und dann werden sie geschnitten, um sechs Platten zu bilden. In 18 sind Schnittlinien (L10, L11, L30, L31, L32, L33), die durch abwechselnd lang und kurz gestrichelte Linien dargestellt sind, Linien, an welchen das Substrat mit aktiver Matrix und das Gegensubstrat gleichzeitig geschnitten werden. Schnittlinien (L20, L21), die durch punktierte Linien dargestellt sind, sind Linien, an welchen nur das Gegensubstrat geschnitten wird.
(Dritte Ausführungsform)
In dieser Ausführungsform wird ein Verfahren (Herstellungsverfahren unter Verwendung von Niedertemperatur-Polysiliziumtechniken) zur Herstellung von Dünnfilmtransistoren (TFT) auf einem Substrat mit aktiver Matrix unter Verwendung von 20 bis 26 beschrieben.
In dem Prozess in 20 bis 26 werden auch Kondensatoren hergestellt. Daher kann dieser Prozess nicht nur zur Herstellung einer Überprüfungsschaltung und eines Schieberegisters eines Treibers verwendet werden, sondern auch zur Herstellung des Schaltkondensator-A/D-Wandlers in 11.
Schritt 1
Zunächst wird, wie in 20 dargestellt, eine Pufferschicht 4100 auf einem Substrat 4000 gebildet und eine amorphe Siliziumschicht 4200 wird auf der Pufferschicht 4100 gebildet.
Schritt 2
Anschließend wird, wie in 21 dargestellt, ein Glühen durch Bestrahlen der gesamten Oberfläche der amorphen Siliziumschicht 4200 mit einem Laserstrahl ausgeführt. Infolgedessen wird das amorphe Silizium polykristallisiert, um eine polykristalline Siliziumschicht 4220 zu bilden.
Schritt 3
Anschließend werden, wie in 22 dargestellt, Inselbereiche 4230, 4240 und 4250 durch Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht 4220 gebildet. Die Inselbereiche 4230, 4240 und 4250 sind Schichten, in welchen die aktiven Bereiche (Source, Drain) eines MOS-Transistors gebildet werden. Zusätzlich ist der Inselbereich 4250 eine Schicht, die eine Elektrode eines Dünnfilmkondensators darstellt.
Schritt 4
Anschließend wird, wie in 23 dargestellt, eine Maskenschicht 4300 gebildet, und Phosphor- (P-) Ionen werden in den Inselbereich 4250 dotiert, so dass er einen geringen Widerstand hat.
Schritt 5
Anschließend wird, wie in 24 dargestellt, ein Gate-Isolierfilm 4400 gebildet, und TaN-Schichten 4500, 4510 und 4520 werden auf dem Gate-Isolierfilm gebildet. Die TaN-Schichten 4500 und 4510 sind Schichten, die MOS-Transistor-Gates bilden, und die TaN-Schicht 4520 ist eine Schicht, die eine andere Elektrode eines Dünnfilmkondensators bildet. Anschließend wird eine Maskenschicht 4600 gebildet, und Phosphor- (P-) Ionen werden durch Selbstausrichtung dotiert, um eine Source-Schicht 4231 und eine Drain-Schicht 4232 zu bilden, die vom n-Typ sind, wobei die Gate-TaN-Schicht 4500 als Maske dient.
Schritt 6
Anschließend werden, wie in 25 dargestellt, Maskenschichten 4700a und 4700b gebildet, und Bor- (B-) Ionen werden durch Selbstausrichtung dotiert, um eine Source-Schicht 4241 und eine Drain-Schicht 4242 zu bilden, die vom p-Typ sind, wobei die Gate-TaN-Schicht als Maske dient.
Schritt 7
Anschließend wird, wie in 26 dargestellt, ein Zwischenschicht-Isolierfilm 4800 gebildet und Kontaktlöcher werden in dem Zwischenschicht-Isolierfilm ausgebildet, bevor Elektrodenschichten 4900, 4910, 4920 und 4930, die aus ITO und Al bestehen, gebildet werden. Die Elektroden werden an die TaN-Schichten 4500, 4510 und 4520 und die polykristalline Siliziumschicht 4250 durch die Kontaktlöche, die in 26 nicht dargestellt sind, angeschlossen. Dies stellt einen n-Kanal TFT, einen p-Kanal TFT und einen MOS-Kondensator fertig.
Durch Verwendung des zuvor beschriebenen Produktionsverfahrens mit gemeinsamen Schritten kann die Herstellung erleichtert werden, was auch hinsichtlich der Kosten vorteilhaft ist. Da Polysilizium eine Trägermobilität hat, die deutlich größer als bei amorphem Silizium ist, ist ferner ein Hochgeschwindigkeitsbetrieb durchführbar, der hinsichtlich der Erhöhung der Betriebsgeschwindigkeit der Schaltung vorteilhaft ist.
Da eine Bestimmung entsprechender Artikel unter Verwendung des zuvor beschriebenen Überprüfungsverfahrens durchgeführt wird, kann zusätzlich die Zuverlässigkeit der fertigen Produkte deutlich erhöht werden. Dadurch können qualitativ hochwertige Produkte auf den Markt gebracht werden.
Obwohl das zuvor beschriebene Produktionsverfahren Niedertemperatur-Polysilizium-TFT-Techniken verwendet, ist das Herstellungsverfahren nicht immer darauf beschränkt. Wenn zum Beispiel eine vorbestimmte Betriebsgeschwindigkeit der Schaltung garantiert ist, kann ein Prozess mit amorphem Silizium verwendet werden. Zusätzlich zu TFTs können Vorrichtungen mit Doppelanschlüssen, wie MIMs, als Schaltvorrichtungen in Pixeln verwendet werden.
(Vierte Ausführungsform)
In dieser Ausführungsform werden eine Flüssigkristallplatte, die unter Verwendung eines Substrats mit aktiver Matrix der vorliegenden Erfindung hergestellt wird, und eine elektronische Vorrichtung, die die Platte enthält, usw., als Beispiel beschrieben. Jede davon ist eine qualitativ hochwertige Apparatur.
1. Flüssigkristallanzeigevorrichtung (27)
Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung umfasst ein Gegenlicht 2000, einen Polarisator 2200, ein TFT-Substrat 2300, einen Flüssigkristall 2400, ein Gegensubstrat (Farbfiltersubstrat) 2500 und einen Polarisator 2600, wie zum Beispiel in 27 dargestellt ist. In dieser Ausführungsform ist (sind), wie zuvor beschrieben, eine Treiberschaltung 2310 (und eine Überprüfungsschaltung) auf einem TFT-Substrat 2300 gebildet.
2. Personal-Computer (28)
Ein Personal-Computer 1200, wie in 28 dargestellt, hat eine Haupteinheit, die mit einer Tastatur 1202 und einem Flüssigkristallanzeigeschirm 1206 versehen ist.
3. Flüssigkristallprojektor (29)
Der Flüssigkristallprojektor 1100, der in 29 dargestellt ist, ist ein Projektor vom Projektionstyp mit einer durchlässigen Flüssigkristallplatte als Glühbirne, und verwendet zum Beispiel ein optisches System mit einer Dreiplattenprisma-Methode.
In 29 wird in dem Projektor 1100 ein Projektionslicht, das von einer Lampeneinheit 1102 mit weißer Lichtquelle ausgestrahlt wird, durch eine Vielzahl von Spiegeln 1106 und zwei dichroitische Spiegel 1108 in einem Lichtleiter 1104 in drei Primärfarben RGB getrennt, und jeder davon wird zu drei Flüssigkristallplatten 1110R, 1110G und 1110B geleitet, um entsprechende Farbbilder anzuzeigen. Die Strahlen, die von den entsprechenden Flüssigkristallplatten 1110R, 1110G und 1110B moduliert werden, fallen aus drei Richtungen auf das dichroitische Prisma 1112. In dem dichroitischen Prisma 1112 werden die roten R und blauen B Strahlen 90° gebeugt, und die grünen G Strahlen bewegen sich geradeaus. Somit werden die entsprechenden Farbbilder kombiniert, und ein Farbbild wird durch eine Projektionslinse 1114 auf einen Schirm usw. projiziert.
Zusätzlich umfassen die elektronischen Apparaturen, bei welchen die vorliegende Erfindung angewendet werden kann, eine Engineering Workstation (EWS), einen Pager oder ein tragbares Telefon, einen PC für Textverarbeitung, ein Fernsehgerät, einen Sucher, einen Videokassettenrecorder mit direkter Monitoransicht, ein elektronisches Taschenbuch, einen elektronischen Tischrechner, ein Autonavigationssystem, ein POS-Terminal, eine Apparatur mit Berührungsbildschirm, usw..
Industrielle Anwendbarkeit
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Überprüfungsverfahren für ein Substrat mit aktiver Matrix, ein Substrat mit aktiver Matrix, eine Flüssigkristallvorrichtung und eine elektronische Apparatur, und insbesondere Techniken zur Überprüfung einer Art von Substrat mit aktiver Matrix, in dem ein digitaler Datenleitungstreiber vom digitalen Typ (Treiber, in dem ein digitales Signal eingegeben und von einer digitalen zu einer analogen Form umgewandelt wird, um ein analoges Signal zum Antreiben von Datenleitungen auszugeben: in der Folge als "digitaler Treiber" bezeichnet) auf dem Substrat gebildet ist.

Claims

Substrat mit aktiver Matrix, umfassend: eine Vielzahl von Datenleitungen und eine Vielzahl von Abtastleitungen, wobei eine Vielzahl von Pixeln an Schnittpunkten der Datenleitungen und der Abtastleitungen bereitgestellt ist; einen digitalen Datenleitungstreiber (330) zum Antreiben der Vielzahl von Datenleitungen; eine Vielzahl von Schaltvorrichtungen (M1), wobei jede Schaltvorrichtung für ein entsprechendes der Pixel bereitgestellt ist; eine Vielzahl von Speicherkondensatoren (CS1) zum Speichern von Signalen, die von dem Datenleitungstreiber über eine entsprechende Datenleitung und Schaltvorrichtung empfangen werden, wobei jedes Pixel einen von der Vielzahl von Speicherkondensatoren in einem Substratzustand hat; und eine Überprüfungsschaltung (392), die an Enden der Vielzahl von Datenleitungen gegenüber dem digitalen Datenleitungstreiber bereitgestellt ist; wobei die Überprüfungsschaltung so aufgebaut ist, dass eine Überprüfung eines Signals durchgeführt wird, das von einem Speicherkondensator eines Pixels gespeichert wird, wenn sich ein Ausgangsanschluss des digitalen Datenleitungstreibers in einem Hochimpedanzzustand befindet.
Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, wobei der Datenleitungstreiber eine OFF-Ausgangsfunktion hat.
Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Überprüfungsschaltung an Enden der Vielzahl von datenleitungen gegenüber dem Datenleitungstreiber bereitgestellt ist; und die Überprüfungsschaltung bidirektionale Schalter enthält, von welchen jeder für eine entsprechende Datenleitung der Vielzahl von Datenleitungen bereitgestellt ist, sowie Steuermittel zum Steuern des Umschaltens der bidirektionalen Schalter.
Substrat mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei Elemente der Überprüfungsschaltung und Elemente des Datenleitungstreibers einen D/A-Wandler haben, der durch ein identisches Produktionsverfahren hergestellt wird.
Substrat mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Datenleitungstreiber einen D/A-Wandler mit einem Schalter in seiner Ausgangseinheit hat, und der Schalter dem Ausgangsanschluss ermöglicht, sich in einem Hochimpedanzzustand zu befinden, wenn der Schalter offen ist.
Substrat mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Datenleitungstreiber einen D/A-Wandler hat, der mindestens einen von einem Schaltkondensator-D/A-Wandler, einem Widerstandsketten-D/A-Wandler, und einem PWM-D/A-Wandler enthält.
Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 3, wobei das Steuermittel der Überprüfungsschaltung eine punktweise Abtastung der bidirektionalen Schalter durchführt.
Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 3, wobei, wenn die Anzahl der bidirektionalen Schalter M ist, wobei M eine natürliche Zahl von mindestens 2 ist, das Steuermittel der Überprüfungsschaltung wiederholt einen Simultanantrieb von P bidirektionalen Schaltern Q mal ausführt, wobei P und Q natürliche Zahlen sind, wodurch insgesamt M bidirektionale Schalter angetrieben werden, wobei M = P × Q.
Substrat mit aktiver Matrix nach einem der. Ansprüche 1 bis 6, wobei mindestens ein Teil der Überprüfungsschaltung in einem Raum angeordnet ist, der sich in dem Substrat mit aktiver Matrix befindet, aber nicht zur Ausführung von Funktionen, wie die Anzeige eines Bildes, beiträgt.
Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 9, wobei die Überprüfungsschaltung in einer Dichtungsposition angeordnet ist, wo Dichtungsmaterial in einem Paneelproduktionsverfahren aufgebracht wird.
Substrat mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Überprüfungsschaltung und der Datenleitungstreiber in mehrere Teile unterteilt sind.
Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 11, wobei die Überprüfungsschaltung in mindestens eine erste Überprüfungsschaltung und eine zweite Überprüfungsschaltung getrennt ist, der Datenleitungstreiber in mindestens einen ersten Datenleitungstreiber und einen zweiten Datenleitungstreiber getrennt ist, der erste Datenleitungstreiber und die erste Überprüfungsschaltung mit der dazwischen bereitgestellten Vielzahl von Datenleitungen angeordnet sind, und der zweiten Datenleitungstreiber und die zweite Überprüfungsschaltung mit der dazwischen bereitgestellten Vielzahl von Datenleitungen angeordnet sind, der erste Datenleitungstreiber und die zweite Überprüfungsschaltung an identischen Enden eines ersten Satzes der Vielzahl von Datenleitungen angeordnet sind, und der zweite Datenleitungstreiber und die erste Überprüfungsschaltung an identischen Enden der Vielzahl von Datenleitungen angeordnet sind.
Überprüfungsverfahren für das Substrat mit aktiver Matrix, wie in einem der vorangehenden Ansprüche beschrieben, umfassend die folgenden Schritte: Schreiben von Signalen in die Speicherkondensatoren unter Verwendung des Datenleitungstreibers, Versetzen des Ausgangsanschlusses des Datenleitungstreibers in einen Hochimpedanzzustand; und Ermitteln eines Basissignals als Basis für eine Überprüfung durch Lesen der Signale, die in die Speicherkondensatoren geschrieben sind, mit der Überprüfungsschaltung, und Überprüfen einer aktiven Matrixeinheit auf der Basis des ermittelten Basissignals.
Überprüfungsverfahren für ein Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 13, wobei die Überprüfung der Ausgangsfunktion des digitalen Treibers und die Unterbrechungsüberprüfung der Datenleitungen durchgeführt werden, bevor jeder Schritt, der in Anspruch 13 beschrieben ist, ausgeführt wird.
Überprüfungsverfahren für ein Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 13, wobei der Schritt zum Überprüfen der aktiven Matrixeinheit auf der Basis des ermittelten Basissignals den Schritt des Bewertens der zweidimensionalen Verteilung der Basissignaleigenschaften in der aktiven Matrixeinheit enthält.
Überprüfungsverfahren für ein Substrat mit aktiver Matrix nach Anspruch 13, wobei der Schritt zum Überprüfen der aktiven Matrixeinheit auf der Basis des ermittelten Basissignals den Schritt des Vergleichens des ermittelten Basissignals mit einem erstellten Abtastsignal enthält.
Flüssigkristallvorrichtung mit einem Substrat mit aktiver Matrix, wie in einem der Ansprüche 1 bis 12 beschrieben.
Elektronische Apparatur mit einer Flüssigkristallvorrichtung wie in Anspruch 18 beschrieben.